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L'adsorption de disilane sur Si(111) 7 x 7 dans la gamme de température 25-550 °C fait apparaître la formation des phases mono et dihydrure déjà observées avec les systèmes Si(111) : H et Si(111) : SiH4. La phase monohydrure Si-H est maximale à 350 °C et subsiste jusqu'à 550 °C. La phase dihydrure est très importante à température ambiante (TA), inexistante à partir de 250 °C et traduit la formation d'un polysilane de type (SiH 2)n. Une surface (111) de silicium, saturée en hydrogène ou disilane à 350 °C, est passivée vis-à-vis du disilane à TA. Pour obtenir la formation d'une phase dihydrure, il est nécessaire de casser la molécule de disilane ou d'hydrogène au contact d'un filament de tungstène porté à haute température. Par comparaison avec l'adsorption de disilane sur Ge(111), nous concluons, à partir de mesures XPS, qu'une partie au moins de la phase dihydrure résulte de la fixation de groupements SiH2.
On évalue deux filières possibles pour la production d'énergie électrique par conversion thermodynamique en utilisant pour combustible de la biomasse. La première solution consiste à gazéifier la biomasse sous pression dans un four à pyrolyse, à brûler le gaz produit dans une chambre à combustion et à détendre le gaz chaud produit, dans une turbine à gaz avec échangeur récupérateur. La seconde solution consiste à alimenter un moteur à gaz pauvre dual-fuel, à partir d'un gazogène. Les bilans énergétiques de ces deux filières sont comparés sur la base d'un modèle numérique.
La caractérisation, à l'échelle microscopique, de l'interface solide-vapeur au cours d'une réaction d'épitaxie en phase vapeur apporterait des éléments essentiels à la compréhension des mécanismes de croissance cristalline. On décrit ici un appareillage capable d'accéder à l'interface de croissance in vivo. Pour cela, un réacteur d'épitaxie vapeur a été aménagé pour permettre des mesures d'ellipsométrie. Pour compléter les informations obtenues, un système de sas permet un transfert direct dans un bâti ultra-vide où on examine la surface en diffraction électronique LEED et RHEED et en spectrométrie AUGER. On illustre le fonctionnement du système sur le cas de couches épitaxiales de GaAs (100) préparées dans le système H2-GaAs-AsCl 3.
Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs. La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisation de structures MIS sur GaInAs et InP. Aucune dégradation du courant de fuite n'a été observé sur les photodiodes pin de type mesa avant et après le dépôt de SiNx . Finalement, la passivation a été testée par une expérience de vieillissement à haute température.
Les auteurs décrivent un réflectomètre destiné à des mesures en lumière polarisée dans l'ultraviolet à vide, sur des matériaux massifs ou évaporés. Cet appareil offre la possibilité de faire varier de façon continue l'angle d'incidence de 4° à 86° et de changer l'orientation du plan d'incidence. Il est associé à un miroir torique qui joue un rôle de polariseur et d'élément de focalisation et l'on montre comment on peut déterminer le degré de polarisation de la lumière incidente sur l'échantillon.
On décrit un montage utilisé pour mesurer le moment magnétique de petits échantillons supraconducteurs et on en discute la sensibilité. On donne un exemple d'application : l'enregistrement d'une courbe d'aimantation d'un disque mince de plomb.
L'auteur propose une méthode électronique rapide générale d'étude expérimentale des caractéristiques de faisceaux d'électrons qui réalise, pour chaque point de la section étudiée, une transposition topologique de la mesure sur un écran oscilloscopique d'observation. Les principaux résultats d'une étude de la densité électronique et de sa répartition dans un faisceau issu d'un canon triode haute tension expérimental, illustrent une application de cette méthode.
Il est possible de réaliser des jauges piézorésistives de manganin et d'ytterbium par pulvérisation cathodique. Un certain nombre de jauges ont été fabriquées sur différents supports, notamment silice et kapton. Nous présentons les essais effectués pour évaluer leurs coefficients respectifs en pression dynamique.
Un microordinateur assure la gestion et l'exploitation d'une sonde atomique. La masse des ions est calculée à partir de la mesure des temps de vol (à 5 ns près) et des potentiels d'évaporation. Un interface de visualisation permet la construction en temps réel de spectres de masse et la mise en évidence de variations locales de composition chimique d'un alliage. En application, une analyse d'alliage Fe-Cr-Ni-Al montre la présence de zones riches en Ni et Al.
Lorsqu'un faisceau acoustique borné est réfléchi par un solide semi-infini ou une plaque immergée, on observe pour certains angles d'incidence des effets non spéculaires. A partir de mesures de réflectivité, nous avons établi les courbes de dispersion des vitesses de phase des ondes dispersives (de type Lamb, Rayleigh ou Sezawa) générées dans des échantillons présentant deux types de configuration : une configuration bilame incluant deux plaques métalliques de faible épaisseur collées ou soudées et une configuration constituée d'un milieu solide semi-infini (substrat) chargé par une plaque soudée ou collée. Les matériaux retenus pour cette étude sont l'étain, le laiton et le duraluminium. Les courbes expérimentales obtenues sont discutées et comparées aux prévisions théoriques.
Cette étude permet d'établir des expressions analytiques du potentiel électrostatique en tout point de systèmes comportant : un nombre quelconque d'électrodes planes et d'espaces interélectrodes, situés dans 2 plans parallèles normaux aux plans de symétrie, en l'absence de charge d'espace. Les formules obtenues sont facilement utilisables dans les calculs des trajectoires, des paramètres optiques des systèmes et des coefficients d'aberration. Elles permettent de plus d'évaluer la contribution des différentes composantes géométriques ou électriques des systèmes dans ces diverses grandeurs.
Cette étude concerne la résolution numérique de l'équation de la conduction de la chaleur dans un mur soumis sur une face à une densité de flux radiatif uniforme et, de part et d'autre, à des conditions aux limites de convection naturelle et de rayonnement. Les trois régimes de convection naturelle sont pris en compte pour la détermination du coefficient d'échange local sur les parois. On détermine le profil de température, les puissances convectées, conduites et rayonnées sur chacune des faces, en fonction des cinq paramètres adimensionnels qui caractérisent le problème. On montre que les variations longitudinales du flux conduit, justifient l'emploi d'un schéma à deux dimensions.
On présente un procédé industriel de concentration par évaporation à multiple effet utilisant des évaporateurs à film tombant dont la surface d'échange de chaleur est constituée de gaines minces en matière plastique. Ces évaporateurs procèdent d'une conception entièrement nouvelle qui apporte une solution originale au problème de la mauvaise conductibilité thermique des matières plastiques. Un pilote de ce type d'évaporateur a fonctionné pendant quatre ans ; on en rapporte ici les résultats d'exploitation. Ce procédé, par l'économie d'investissement qu'il représente, permet de réaliser des installations plus performantes, donc plus économes en énergie.
Nous étudions la production du métastable O2 1Δ g dans une décharge haute fréquence (60 MHz) dans de l'oxygène, sous une pression de quelques mm Hg. La concentration mesurée hors de la décharge par spectroscopie d'émission et par calorimétrie passe par un maximum en fonction de la pression et de la puissance absorbée dans la décharge.
On présente le principe et les avantages des échangeurs à caloducs pour la récupération de chaleur sur les fluides chauds rejetés, notamment dans les processus industriels. Une méthode de calcul est présentée et les paramètres particuliers à l'utilisation des caloducs sont analysés.
Une réévaluation des caractéristiques physiques du film Kodak SB et une reformulation théorique de sa réponse aux rayons X permettent de réduire à un modèle semi-empirique très maniable les résultats disponibles d'étalonnage sensitométrique entre 0,1 et 10 keV.
On définit les limites théoriques des variations du produit résistance ON-surface en fonction de la tension de claquage VDBR dans les transistors MOS de puissance : Pour les basses tensions (VDBR < 200 V), ce produit [RON.S] est essentiellement imposé par le produit de la longueur de canal par la distance séparant les cellules élémentaires de diffusion de source et il ne dépend pas de la tension de claquage. En régime de hautes tensions (VDBR > 200 V) ce produit suit un mode d'évolution proportionnel à V-2,5DBR et ne dépend pas de la géométrie. Il apparaît enfin que les performances actuelles des structures D. MOS ou V. MOS sont inférieures d'un facteur voisin de 3 aux limites théoriques.
Nous décrivons un montage original permettant de donner à un résonateur microonde à un seul organe de couplage un comportement analogue à celui d'un filtre sélectif fonctionnant en transmission. Ce montage, placé entre l'entrée et la sortie d'un tube à onde progressive, permet de réaliser un auto-oscillateur de fréquence asservie à celle de la cavité. Ce montage peut être utilisé en réfractométrie et en spectrométrie Ultra-Hertzienne.
Nous avons étudié la distorsion d'une structure nématique en hélice par un champ électrique perpendiculaire à l'axe de l'hélice. Les comportements statiques et dynamiques des effets électro-optiques correspondants sont analysés mathématiquement.
On analyse les conditions générales de propagation d'une onde hyperfréquence λ = 8 mm dans le tube à chocs à deux diaphragmes du C. E. V., puis les conditions particulières dues à l'existence du précurseur. On présente les résultats du dispositif actuel de mesure hyperfréquence de la célérité et on les compare à ceux de mesures optiques. Enfin on donne le principe d'une adaptation de la chronométrie digitale qui devrait conduire à une précision de 1 %.
Nous simulons la cinétique des interactions entre électrons libres, trous libres et impuretés dans un semiconducteur dont l'état stationnaire peut être hors de l'équilibre thermodynamique. L'identité formelle des équations de Shockley-Read avec des équations de cinétique chimique nous permet d'utiliser un calculateur original destiné à simuler des réseaux de réactions chimiques (en neurobiologie par exemple). Nous obtenons la confirmation en régime dynamique de résultats, déduits d'expériences de photoconductivité, concernant les propriétés de piégeage des niveaux d'impuretés. La simulation nous conduit à dégager une méthode permettant de déterminer les caractéristiques des impuretés (niveau énergétique, densité, coefficients d'émission et de captation des électrons et des trous). Nous mettons également en évidence la possibilité de prévoir le comportement de milieux dotés de plusieurs niveaux d'impuretés.
Nous présentons dans cet article une nouvelle méthode de caractérisation d'impulsions laser femtosecondes. Celle-ci est basée sur l'analyse du profil spatial du faisceau produit par doublage de fréquence lorsque deux impulsions se croisent dans un cristal non linéaire. Si ce profil est enregistré avec une précision interférométrique, la fonction d'autocorrélation est modulée par un système de franges. Cette fonction d'autocorrélation interférométrique monocoup permet d'obtenir la durée d'une impulsion prise isolément.
Nous avons étudié et réalisé un nouveau dispositif de microélectrophorèse, utilisant un vélocimètre optique à réseau de transmission. L'image en fond noir d'une suspension de particules est formée sur un réseau de transmission (fentes verticales alternativement transparentes et opaques) ; si les particules diffusantes se déplacent perpendiculairement aux fentes du réseau, la lumière transmise est modulée en fonction du temps ; l'analyse spectrale de cette modulation permet de mesurer la vitesse des particules, connaissant le pas du réseau. Le principe de la vélocimétrie à réseau de transmission est rappelé et développé, de façon à pouvoir relier les résultats expérimentaux (spectres de puissance) à la distribution des vitesses des particules observées. Le dispositif expérimental mis au point (système optique spécialement adapté, cuve d'électrophorèse pratique avec plans stationnaires bien définis, système de traitement de signal performant et souple d'emploi), permet d'obtenir rapidement des spectres de mobilité électrophorétique de particules ou cellules en suspension. Nous présentons quelques études réalisées sur des suspensions diluées de globules rouges humains, qui illustrent la précision du dispositif, et sa grande résolution en vitesse.
La caractérisation mécanique des milieux anisotropes est souvent rendue difficile par une forte dispersion et le chevauchement des impulsions ultrasonores propagées. Nous proposons une mesure des temps de vol basée sur la transformée de Hilbert de la fonction de transfert de propagation. Par comparaison avec l'intercorrélation des signaux d'entrée et de sortie, elle offre une meilleure résolution des chevauchements et permet un calcul de la vitesse asymptotique à basse fréquence peu sensible à la dispersion.
La production de champs électriques de très grande amplitude (∼ GV/m) dans des plasmas par diffusion Raman stimulée vers l'avant et l'accélération d'électrons jusqu'à des énergies de l'ordre du MeV ont été observées dans plusieurs expériences d'interaction laser-plasma. Nous étudions la recherche des conditions optimales pour que la diffusion Raman avant puisse se développer et domine les autres instabilités paramétriques, en particulier la rétrodiffusion Brillouin stimulée et la diffusion Raman arrière ; cette étude conduit à des lois d'échelle sur la longueur, la densité et la température électroniques du plasma. Les expériences utilisent le laser à néodyme du GRECO ILM à différentes longueurs d'onde et ont pour but l'étude de la diffusion Raman, la résolution spectrale et temporelle de son émission vers l'avant et vers l'arnère ainsi que l'analyse en énergie des électrons suprathermiques dans deux types de plasma.
Le but de cet article est de faire part de notre expérience dans les couplages des Méthodes éléments finis-équations intégrales de frontières pour problèmes à symétrie axiale. Il rappelle d'abord la formulation intégrales de frontières pour le cas de géométries axiales en potentiel scalaire (total ou réduit). Il développe les formulations pour le potentiel vecteur avec des formulations en (Aθ) et en (rAθ) ; cette dernière étant particulièrement intéressante dans l'optique du couplage. Il présente ensuite des exemples de couplages avec la méthode des éléments finis et les compare avec ceux donnés analytiquement ou par une méthode purement éléments finis.
Cet article décrit tout d'abord les caractéristiques de la nucléation d'une phase solide à partir d'une phase liquide surfondue. Les résultats expérimentaux obtenus sur des phases liquides surfondues dispersées sont donnés. Une méthode d'obtention de poudres par germination bloquée ou cristallisation des gouttes d'une émulsion est proposée.
Nous avons étudié la possibilité d'utiliser des substances fluorescentes dissoutes dans différents radiateurs Čerenkov liquides. Le Popop dissous dans l'éthylène glycol ou le bromobenzène fournit un gain de lumière d'environ 2,5. Un compteur basé sur ces propriétés a été utilisé pour détecter les produits de désintégration du méson K+.
Nous avons étudié par gammagraphie un certain nombre de détecteurs Ge(Li), en particulier un détecteur pseudo-coaxial, dont les performances se sont nettement améliorées après ablation de la zone mauvaise. Pour améliorer le rapport photopic/Compton des détecteurs coaxiaux, nous avons enlevé le coeur de type P par étincelage. Deux diodes de ce type sont présentées.
Trois exemples de réalisation de fonctions hyperfréquences classiques en technologie monolithique sont présentées dans cet article. Il s'agit d'un commutateur SPDT (Single Pole Double Throw), d'un déphaseur analogique 0-360° en bande X ainsi que d'un amplificateur large bande 2-18 GHz. Les topologies retenues lors de la conception de ces circuits montrent les possibilités offertes par cette technologie et permettent d'obtenir des circuits performants caractérisés par une densité d'intégration élevée.
Kang et al. ont montré [1] que la modulation de BiSrCaCuO (2212) le long de l'axe b* peut être de 3 sortes : M1, M2, M3. Cette modulation peut être reliée aux conditions de préparation et à la valeur de T c du supraconducteur. On montre ici que M1 et M3 peuvent coexister dans un même cristal dans le cas d'échantillons trempés, ce qui correspond à l'empilement de différentes couches modulées suivant les types M1 et M3. Ces deux modulations différentes peuvent se produire soit suivant la même direction, soit suivant deux directions perpendiculaires.
Des jonctions au germanium (lithium) ont été utilisées pour la détection de deutons de 80 MeV, avec une résolution voisine de celle du faisceau incident. Avec les particules entrant par le côté de la diode, des phénomènes de piégeage ont été mis en évidence, similaires à ceux observés avec des gamma collimatés, conduisant à un déplacement du pic avec le point d'impact.
Une mise en _uvre de la méthode flash appliquée à la détermination de la diffusivité thermique dé matériaux solides ou liquides entre 20 °C et 300 °C est présentée. L'influence de la présence du creuset nécessaire à ce type de mesures est étudiée. Nous en déduisons une procédure spécifique d'identification de la diffusivité, procédure au cours de laquelle une évaluation de la chaleur volumique est fournie. Une description d'ensemble du dispositif expérimental est proposée et la comparaison de quelques mesures avec les valeurs courantes de la littérature contribue à la validation de notre démarche théorique et expérimentale.
Cet article décrit les techniques que nous avons mises au point en vue de l'étude, par traction à basse température, du phénomène d'adoucissement du fer par alliage. Elles permettent, en particulier, d'élaborer du fer et des alliages de haute pureté, de préparer des échantillons poly-cristallins à grains fins, et de déterminer avec précision les contraintes d'écoulement plastique et les paramètres d'activation.
Lors de la recherche des concentrations en impuretés dans un semiconducteur, il a toujours été fait abstraction jusqu'à présent de la valeur réelle du facteur de dispersion rH qui a été prise constante et égale à 1. Or, cette valeur peut dans certains cas atteindre et même dépasser 1,5. Une méthode numérique itérative est développée ici dans le cas de GaAs de type n, permettant de calculer à la fois la valeur du facteur de dispersion rH en fonction de la température et les concentrations en impuretés de l'échantillon considéré.
L'étude présentée porte sur la comparaison des différents modèles de représentation des échanges thermiques entre le corps humain et l'enceinte dans laquelle il se trouve. Il s'agit des modèles danois (Université de Copenhague), américain (Université de Berkeley) et français (CNRS Laboratoire d'Ecothermique de Sophia Antipolis). Dans un premier temps, les auteurs posent le problème de la variété des modèles disponibles, avec les difficultés de choix qu'ils induisent. Puis, on décrit la méthode d'étude, en identifiant les éléments sur lesquels va porter la comparaison : flux échangés, sensation thermique, indice de qualité. Le corps du texte est consacré à la description parallèle de chaque modèle, et aux commentaires des résultats obtenus, sur deux séquences de 48 heures correspondant à des signaux thermiques différents (séquence douce, pendant laquelle la température d'air varie entre 19 et 25 °C et séquence chaude entre 20 et 40 °C). Les auteurs concluent à une divergence inattendue des modèles, en posant le problème prospectif de la représentation thermo-physiologique du phénomène.
La commande de processus, la gestion de l'énergie et la surveillance des bâtiments existants nécessitent l'utilisation de capteurs qui pour fonctionner et échanger des informations doivent être alimentés et interconnectés. La pose de conducteurs d'alimentation et la réalisation physique des interconnexions sont des opérations coûteuses. Nous proposons d'utiliser les réseaux de canalisations métalliques des bâtiments comme unique support de transmission et d'alimentation. Un modèle électrique à base de quadripôles est proposé pour décrire le processus d'alimentation à distance, ou téléalimentation, des capteurs. Il permet de prévoir les performances du support de transmission. Les résultats expérimentaux obtenus sur site réel confirment la validité du modèle.
La propagation en fatigue de fissures courtes de surface a été étudiée dans un alliage léger à haute résistance type 7075 dans deux états de revenu, T651 et T7351. Les essais ont été effectués à l'air ambiant et sous vide, avec un rapport de charge R = 0,1 et une fréquence de 35 Hz. La longueur des fissures a été mesurée en surface à l'aide de répliques. Le comportement de ces fissures courtes tridimensionnelles (3D) a été comparé à celui de fissures bidimensionnelles (2D) traversantes courtes et longues étudiées précédemment. Les résultats sont discutés sur la base des mesures de fermeture effectuées sur les fissures longues et d'observations microfractographiques. La forte influence de l'environnement ambiant observée sur les fissures 3D s'avère comparable à celle observée précédemment pour les fissures 2D dans le domaine de vitesses exploré < 10-8 m/cycle. La moindre résistance à l'air est attribuée à un effet fragilisant de la vapeur d'eau. L'influence de la microstructure à l'échelle du grain au niveau du site d'amorçage s'avère très grande dans le cas d'une propagation cristallographique en stade I (7075 T651 sous vide) ; elle est par contre très réduite pour une propagation en stade II (7075 T651 à l'air, 7075 T7351 à l'air et sous vide). Une modélisation des effets de la plasticité localisée et de la microstructure est proposée.
Nous exposons comment nous avons été conduits à construire un spectromètre magnétique doublement focalisant et de grande acceptance en énergie (de - 30 % à + 10 % de la quantité de mouvement moyenne) et ayant les qualités requises en résolution, dispersion, encombrement, etc.
Après un rappel sur le calcul de la composition du plasma et sur la méthode d'évaluation des propriétés de transport, nous consacrons un paragraphe aux formes du potentiel d'interaction entre particules (atomes, ions, molécules) les plus souvent utilisées dans la littérature et nous indiquons celles pour lesquelles des tables permettent l'obtention des intégrales de collision. La deuxième partie porte sur l'application de ces calculs aux mélanges argon-hydrogène pour lesquels nous sélectionnons, dans la littérature, les potentiels d'interactions ou les sections efficaces de transfert nécessaires à la détermination des intégrales de collision. La composition du plasma est calculée par minimisation de l'énergie libre de Gibbs à l'équilibre thermodynamique complet, à la pression atmosphérique et pour une température variant de 500 K à 15 000 K. Les propriétés de transport (viscosité, conductibilité thermique et conductivité électrique) sont alors obtenues pour cinq valeurs du rapport H2/(H2 + Ar) : de l'hydrogène pur à l'argon pur par saut de 25 %. Les données (intégrales de collision et fonctions de partition) sont introduites dans le programme sous forme de polynomes. Finalement, nos résultats sont comparés avec ceux de la littérature.
L'étude qui fait l'objet de cet article concerne les caractéristiques des transistors Métal-Oxyde-Semiconducteur et des transistors plans au silicium fonctionnant à très faible niveau, qui permettent la conception d'amplificateurs logarithmiques à composants solides pour l'instrumentation spatiale. La plupart des résultats sont illustrés par la mise en œuvre d'un dispositif expérimental destiné à la mesure de courants compris entre 10-12 et 10-8 A. L'auteur qui expose tout particulièrement les problèmes relatifs à l'obtention d'une faible constante de temps, d'une réponse logarithmique et de faibles dérives décrit les solutions apportées et en définit les limites d'utilisation.
Afin d'éloigner les électrons de conduction des défauts de l'interface isolant/semi-conducteur caractéristiques des dispositifs de type MISFET, on peut interposer entre l'isolant et le canal un espaceur constitué d'un semi-conducteur à grand gap épitaxié en accord de maille sur la couche active ; c'est le MISFET à hétérojonction (HMISFET). Une étude préliminaire du comportement capacitif de diodes HMIS unidimensionnelles a permis de comparer les matériaux envisagés pour ce dispositif et d'évaluer l'influence de la géométrie de la structure et des états d'interface. Un HMISFET InAlAs/InGaAs à grille courte (lg =1,5 μm) a alors fait l'objet d'une simulation Monte-Carlo. Une transconductance élevée a été obtenue (gm > 250 mS/mm). Le faible peuplement des vallées L et X, même à tension de drain élevée, et l'absence de transfert spatial vers le matériau à grand gap montrent l'efficacité de l'espaceur InAlAs pour confiner les électrons dans la couche active InGaAs à mobilité élevée.
La spectroscopie Raman a été utilisée en condition de résonance dans le cas de plusieurs hétérostructures GaAs/Si(100), pour tester la qualité cristalline et pour déterminer le signe, la valeur, la nature et l'origine des contraintes dans les couches épitaxiées. La comparaison avec le cas d'un échantillon de GaAs/CaF2, révèle que le signe et la valeur de la déformation sont essentiellement liés à la différence des coefficients de dilatation thermique de la couche et du substrat. A partir d'une couche de GaAs biseautée, nous avons étudié le profil de la densité de dislocations au voisinage de l'interface, grâce à une analyse des formes de raies Raman des modes longitudinaux et transverses optiques. L'épaisseur de la couche disloquée ainsi déterminée est voisine de 7 nm, cette valeur est en bon accord avec celle, obtenue en suivant l'activation du mode TO interdit, de la couche de nucléation déposée à basse température lors du premier stade du processus de croissance à deux étapes.
Cet article tend à dégager parmi les techniques laser ultra-rapides (picosecondes et femtosecondes) celles qui devraient être appelées à un développement dans le domaine de l'électronique, de l'optoélectronique et des télécommunications. Sont d'abord analysées les possibilités d'étude de circuits électroniques ultra-rapides par laser picoseconde. Les possibilités d'étude de circuits optoélectroniques sont ensuite considérées ainsi que le développement d'appareillages possibles dans ce domaine. Les applications potentielles des lasers à impulsions brèves aux télécommunications à haut débit sont aussi analysées et l'accent est finalement mis sur les éventuels développements dans le domaine de l'optoélectronique hyperfréquence. Le développement de sources picosecondes compactes et simples, probablement à base de diodes laser, amorcerait l'expansion industrielle de ces techniques nouvelles.
Des mesures en fluage stationnaire du paramètre d'écrouissage h st, de restauration rst et de la contrainte interne Xstij sont effectués aux températures intermédiaires (300 ≤ T ≤ 450 °C). La dépendance de r et h avec la contrainte interne est identique dans l'état stationnaire à celle mesurée aux premiers instants du fluage (cf. mesures sur l'A99 de Nakashima et al., 1987). Cela permet l'extension en température et pour des états transitoires du pseudo-potentiel de dissipation Ω(σij, Xij, T) déjà identifié en stationnaire.
L'ambition de ce papier est de présenter en langue française la TMG (Technique des Multipôles Généralisés, GMT en anglais) ainsi que les codes de calcul MMP (Multiple Multi-Pôles) d'une manière aussi complète que possible. Cette technique est basée sur les concepts suivants : (i) développement direct des champs électriques et magnétiques ; (ii) choix de fonctions de base qui sont des solutions analytiques des équations de champs ; (iii) application d'une technique de collocation généralisée, qui utilise un système surdéterminé d'équations résolu par la méthode des moindres carrés. Les avantages principaux des programmes sont : (i) pas d'équations intégrales à résoudre ; (ii) discrétisation des seuls pourtours des domaines (même dans le cas des corps avec pertes) ; (iii) calcul précis des champs aussi bien dans les domaines ouverts qu'à la frontière des domaines fermés ; (iv) contrôle des résultats par une visualisation de l'erreur sur le pourtour du domaine ainsi que par la configuration des champs ; (v) efficacité des programmes existants notamment installés sur des PC et parallélisés afin d'utiliser des cartes avec plusieurs transputers (T800). Les principes analytiques et numériques de la méthode et des codes seront décrits d'une manière détaillée avec une courte comparaison avec d'autres méthodes. Les exemples qui seront finalement présentés dans le dernier paragraphe chercheront plus à montrer les possibilités des codes (vitesse et complexité) sans soucis particulier d'applications techniques précises.
Des couches épitaxiales InxGa1-xAs, élaborées en accord paramétrique sur substrat InP par la technique d'épitaxie par jets moléculaires ont été dopées avec du béryllium de 1016 à 5 × 1019 at/cm3. D'après les mesures électriques, les couches de type P sont fortement compensées et à faible niveau de dopage la conductivité peut être de type N. Les analyses d'impuretés par sonde ionique montrent que l'oxygène est responsable de ce comportement. Les mesures d'effet Hall, en fonction de la température, ont montré que suivant le niveau d'oxygène, il pouvait exister une zone N en surface ou à l'interface avec le substrat InP semiisolant, responsable des faibles mobilités de Hall mesurées.
L'InP est un des composés III-V les plus étudiés actuellement, toutefois le développement de son utilisation en microélectronique est limité par les difficultés rencontrées dans la formation d'une couche isolante à sa surface pour stabiliser les propriétés électriques de ce matériau. Nous avons réalisé une étude comparative entre des oxydes obtenus en plasmas RF et multipolaire ainsi qu'une caractérisation des plasmas correspondants. A densité égale, l'oxydation en plasma multipolaire donne une vitesse de croissance 2 à 4 fois plus grande et une plus faible dispersion des courbes C (V ) à basse fréquence.
Dans cet article une méthode d'étude adaptée aux machines à aimants à induit sans encoches est proposée. Cette méthode est basée sur la résolution analytique de l'équation du champ magnétique dans les différentes zones constitutives de la machine. Après avoir présenté les bases de la méthode, les auteurs insistent sur les particularités relatives à la description mathématique de l'inducteur à aimants et de l'enroulement d'induit. La procédure de résolution des équations est ensuite explicitée et le résultat est utilisé pour calculer les principales grandeurs caractéristiques de la machine : induction, f.é.m., couple. Les résultats théoriques sont finalement confrontés aux mesures effectuées sur un prototype particulier.
La segmentation, en fenêtres temporelles, d'un signal paramétrisé permet de déterminer les perturbations locale et moyenne de ce signal. Des lois du comportement de ces paramètres sont proposées dans le cas d'une part de courbes rectifiables et d'autre part de courbes non rectifiables et fractales. Dans ce dernier cas, la loi trouvée est directement reliée aux propriétés holdériennes locales du signal.
Cet article présente une structure originale de capteurs à courants de Foucault dont l'association en ligne permet d'envisager pour cette technologie, de nouvelles applications en métrologie et en relevé de profils. La présentation d'un modèle physique et son utilisation lors de phases de « déconvolution » de l'image sont ensuite illustrées par quelques exemples d'applications industrielles en robotique.
Nous décrivons un spectromètre de paires comportant des chambres à étincelles à lecture par magnétostriction utilisé pour étudier la matérialisation de photons dans le champ des électrons atomiques. Un calculateur Varian 620 i en ligne permet de stocker les données sur bandes magnétiques.
Cet article a pour objet une étude des modes d'alimentation des machines à réluctance variable à phases magnétiquement couplées. Nous cherchons les formes optimales de courant d'alimentation en minimisant le facteur de dimensionnement du convertisseur. Nous comparons ensuite les différents modes d'alimentation des machines à réluctance variable triphasées et nous étudions les influences de la fréquence d'alimentation, des connexions électriques, de l'excitation et des caractéristiques des machines sur le facteur de dimensionnement et l'ondulation du couple.
Pour simuler le transport dans le canal d'accumulation d'un transistor à effet de champ en régime de forte accumulation, nous avons mis au point un logiciel de simulation Monte-Carlo à champ constant tenant compte du caractère bidimensionnel du gaz d'électrons. Ce modèle inclut la quantification de la bande de conduction ; il utilise les interactions calculées numériquement après résolution de l'équation de Schrôdinger. C'est d'autre part le premier modèle Monte-Carlo du gaz 2D qui prenne en compte le principe d'exclusion de Pauli. Nous présentons les résultats obtenus en fonction de l'intensité du confinement, pour 2 températures et selon que l'on tient compte ou non du principe d'exclusion.
Dans cet article on développe un modèle pseudo-3D pour résoudre en termes de potentiels (A ; ψ ) le problème de la diffusion du champ magnétique dans un rotor ferromagnétique massif en régime stationnaire harmonique : a) d'un point de vue physique, ce modèle est qualifié de 3D car il prend en compte la nature vectorielle des grandeurs du champ électromagnétique ; b) d'un point de vue géométrique, il est qualifié de pseudo-3D car il s'appuie sur une modélisation géométrique 2D, la troisième dimension étant intégrée explicitement après homogénéisation de la structure suivant la direction circonférentielle ; c) la restriction au régime stationnaire harmonique permet d'utiliser la représentation complexe pour traiter implicitement la dimension temps ; d) la définition d'une perméabilité magnétique équivalente permet de prendre en compte la saturation magnétique du rotor sans affecter l'isotropie circonférentielle. L'intérêt du modèle pseudo-3D est de fournir une approche complémentaire des modèles 2D, spécialisée pour l'étude des phénomènes liés aux anisotropies axiales dans les actionneurs à rotor massif. Cela devrait permettre de réserver l'utilisation des logiciels 3D à des configurations particulières d'actionneurs, quand les anisotropies circonférentielles et axiales de structure sont trop fortement couplées pour pouvoir en séparer les effets. A titre d'exemple, nous utilisons ce modèle pour préciser les effets d'extrémité dans un moteur asynchrone à rotor ferromagnétique massif.
On se propose de décrire une méthode de modélisation du transistor a effet de champ suffisamment simple pour être utilisable sur microordinateur et néanmoins suffisamment réaliste pour tenir compte de l'ensemble des phénomènes physiques se produisant dans le composant. Il s'agit en effet de mettre au point un procédé permettant l'optimisation et le contrôle en temps réel des procédés technologiques de réalisation du composant. Après avoir décrit la méthodologie suivie pour obtenir l'ensemble des caractéristiques électriques du transistor en fonction des caractéristiques électriques et géométriques de la structure utilisée, on décrit ensuite quelques exemples d'applications du modèle au MESFET AsGa, au TEGFET, et enfin au MISFET (ou HIGFET) AlGaAs/GaAs.
Dans cet article nous présentons des courbes de résistance à la propagation de fissure de matériaux composites céramiques à fibres, C-SiC. Ces courbes ont été obtenues par la méthode de Garwood et de Garwood corrigée des déformations résiduelles et par la méthode basée sur l'incrément de travail de rupture (méthode de Sakai). Le bon accord entre les longueurs des fissures mesurées par une méthode visuelle et celles calculées par une méthode itérative nous a conduit à utiliser ces dernières pour évaluer la résistance à la propagation de fissure. Les résultats conduisent à une même relation linéaire entre les paramètres estimés par les méthodes de Garwood et leurs homologues estimés par la méthode de Sakai.
L'influence des conditions de pulvérisation et des traitements thermiques ultérieurs sur les propriétés structurales de couches minces de MoTe 2 a été étudiée par microscopie électronique à balayage et à transmission, microsonde électronique, spectroscopie d'électrons (X.P.S.), analyse aux rayons X et absorption optique. On montre que des couches stoechiométriques peuvent être obtenues après un traitement thermique adéquat. L'axe c des cristallites de MoTe2 est perpendiculaire au plan du substrat. La largeur de bande interdite (0,9 eV ≤ E0 ≤ 0,93 eV ) déterminée par absorption optique est proche de celle admise pour les monocristaux. Les énergies de liaisons des raies X.P.S. sont en bon accord avec celles des monocristaux de référence.
Dans une publication précédente l'étude théorique comparative de dispositifs permettant de transformer un faisceau laser TEM00 en une répartition uniforme a montré les qualités du dispositif à miroir désigné « L1 ». Nous montrons que les performances de ce dispositif peuvent être accrues par adjonction d'un système dioptrique permettant d'obtenir des densités d'énergie plus élevées sans altération notable de la répartition d'énergie.
Deux phénomènes de dérives du courant d'obscurité sous polarisation inverse fixe sont observés sur des photodiodes PIN GaInAs/InP passivées par nitrure de silicium : 1) à température ambiante, apparaît une augmentation du courant en fonction du temps ; 2) à basse température (T < 200 K), une diminution de celui-ci. Ces dérives, entraînant des phénomènes d'hystérésis dans les caractéristiques inverses courant-tension, sont associées à des effets de surface, dus à la technique de passivation.
L'analyse mécanique du comportement à la rupture d'un composite céramique/céramique élémentaire constitué d'une fibre gainée de matrice s'appuie sur deux hypothèses essentielles : d'une part l'adaptation locale par glissement fibre-matrice à l'apparition d'une fissure matricielle, et d'autre part la distribution statistique de défauts. Les conséquences de ces hypothèses sur la multifissuration matricielle, sur les comportements non linéaires des composites monofilamentaires sont discutées au regard des résultats expérimentaux sur composites unidirectionnels multifilamentaires SiC/alumine.
Cet article décrit en détail un dispositif de mesure de la vitesse et du coefficient d'atténuation d'ondes ultrasonores dans des liquides pouvant être portés à des pressions comprises entre 1 et 1 000 bars. La cellule de mesure et les conditions spécifiques de son remplissage (lorsque les échantillons étudiés sont issus de fluides de gisement stockés dans des conditions de pression proches de celles du fond du puits) sont présentées plus particulièrement. Des comparaisons entre les valeurs expérimentales obtenues au moyen de ce dispositif et des valeurs relevées dans la littérature pour quelques corps purs (eau, décane, hexadécane) sont aussi rapportées.
Les propriétés d'un matériau composite dépendent à la fois de celles du renfort, de la matrice et de l'interface. Afin de contribuer à la caractérisation des composites céramiques SiC-SiC, nous avons étudié la microtexture de fibres de carbure de silicium (Nicalon) par des techniques de microscopie électronique par transmission. Nous avons montré que toutes les fibres présentent une phase de carbure de silicium microcristallisée. La taille des domaines diffractants varie de 0,6 à 5 nm selon la fibre. Certaines fibres présentent des ségrégations de carbone soit amorphe, soit turbostratique.
Description d'un appareil semi-automatique de mesure de photographies de chambres à bulles, réalisé dans une collaboration C.E.R.N.-Collège de France, d'après le principe du « Spiral Reader » de Berkeley. La communication se rapporte aux principaux paramètres optiques et mécaniques de la machine montée au C.E.R.N. et aux premiers résultats obtenus.
Dans une première partie, on donne les caractéristiques de la source HF pulsée qui équipe le Van de Graaff de Cadarache. Dans la deuxième partie, on donne les caractéristiques d'un dispositif de regroupement magnétique associé à l'accélérateur. On obtient ainsi sur la cible des impulsions regroupées à mieux que 2 ns avec une intensité moyenne de faisceau de 4 μA.
Cet article présente une modélisation des écoulements d'air dans l'habitat. Le bâtiment multizone est assimilé à un réseau aéraulique. Compte tenu des conditions extérieures de vent, un modèle de type perte de charge relie la circulation d'air à l'intérieur du bâtiment au champ de pression extérieur. Le système linéarisé est ensuite réduit par la méthode d'agrégation linéaire, pour différente incidence du vent. Dans tous les cas de figure testés, le modèle agrégé a été validé.
On rappelle les équations de base de la méthode des Eléments de Frontière en diffusion thermique stationnaire et on montre en quoi cette méthode est bien adaptée pour traiter des problèmes inverses en conduction. Pour les problèmes inverses stationnaires, on décrit la formulation Eléments de Frontière en l'associant à une procédure numérique de régularisation. Deux exemples d'application sont présentés : l'estimation de coefficients de transfert à la périphérie d'un cylindre d'après des mesures de température au sein du matériau et l'estimation du flux surfacique appliqué à la face cachée d'un système à partir de mesures thermographiques infrarouges sur sa face visible.
Le système installé à Orsay est conçu pour permettre la gestion simultanée de plusieurs expériences de physique se déroulant de façon indépendante dans plusieurs salles. Une voie d'acquisition par utilisateur est connectable sur tout l'appareillage classique de physique nucléaire. Les postes à distance sont composés d'une machine à écrire, d'une unité de visualisation (télévision) associée à un crayon photosensible (light-pen).
Le vent solaire présente des caractéristiques variables, fonction de la configuration des courants de vent de grande vitesse qui y sont présents. Certains de ces courants, dus à des bouffées de matière coronale éjectées lors d'éruptions solaires, sont transitoires, d'autres, qui ont pour origine des « trous coronaux », peuvent durer une fraction notable de rotation solaire. Par interaction avec le vent calme, ces courants rapides génèrent, dans le premier cas, une onde de choc qui se propage dans le milieu interplanétaire, dans le second cas une paire d'ondes de choc, l'une vers l'extérieur, l'autre vers l'intérieur de la cavité solaire, qui délimitent une zone d'interaction en corotation avec le soleil. Dans les deux cas, on observe des flux d'ions énergiques (∼ MeV) en association avec les ondes de choc ; ce sont respectivement « les particules énergiques d'orage » et « les événements particulaires en corotation ». Deux mécanismes d'accélération sont invoqués pour rendre compte de ces accroissements de flux : 1) Le mécanisme de Fermi de 1er ordre, dans lequel les particules gagnent de l'énergie par diffusion entre des irrégularités magnétiques entraînées par le vent solaire de part et d'autre de l'onde de choc. 2) Le mécanisme de dérive dans le choc, dans lequel les particules gagnent de l'énergie par dérive dans le champ électrique v ∧ B associé au front d'onde. Ce dernier mécanisme est surtout efficace pour des ondes de choc quasi perpendiculaires. Il rend bien compte des événements brefs, de quelques minutes de durée. La composition et le spectre des ions accélérés suggèrent qu'ils ont probablement pour origine la queue de la distribution suprathermique du vent solaire.
La connexion entre un éclair atmosphérique et un avion est étudiée grâce à des expériences en vol. Malheureusement, celles-ci sont mal adaptées à l'étude de la formation des décharges électriques à l'extérieur de l'appareil c'est pourquoi des expériences de laboratoire ont été entreprises pour étudier la formation et le développement des canaux de décharge lors de leur connexion avec des structures électriquement flottantes. Deux expériences de laboratoire présentées ici permettent de préciser la phénoménologie de la connexion et montrent en particulier que les signaux enregistrés sur avion sont caractéristiques d'un amorçage de la décharge à partir de la structure.
Un système de charge à courroie de type Van de Graaff a été choisi pour le Vivitron. Ainsi, classique dans son principe, il inclut néanmoins nombre de particularités qui sont discutées en détail. Les principales caractéristiques électrostatiques et mécaniques du système sont présentées, ainsi que l'état d'avancement du projet.
La microscopie à balayage, la microanalyse, la physique spatiale ont besoin, d'un point de vue fondamental, de connaître le comportement des électrons dans la matière. Nous présentons dans cet article les coefficients de transmission et de rétrodiffusion de cibles amorphes ou polycristallines bombardées par un faisceau d'électrons monocinétiques. Nous décrivons l'appareillage entièrement automatisé, conçu et mis au point pour la mesure de ces coefficients caractéristiques. Nous donnons des lois semi-empiriques qui permettent de retrouver avec précision les résultats expérimentaux dans un vaste domaine énergétique (0,05 à 30 MeV).
La cinétique du transport chimique en phase vapeur, dans un tube ouvert, a été étudié pour le système ZnSe-HCI-H2. Un modèle théorique, basé sur les lois générales de diffusion-convection a été développé pour pouvoir décrire le transfert de matière, depuis une zone chaude vers une zone froide. Un très bon accord avec l'expérience a été obtenu, malgré les hypothèses simples envisagées.
Ce document fait la synthèse des développements réalisés sur les lois de comportement viscoplastiques basées sur le concept de variables internes. Les effets supplémentaires d'écrouissage : mémoire de la déformation plastique, restauration, vieillissement, sont discutés sur la base de résultats expérimentaux. Les différentes variables et les lois d'évolutions associées, justifiées par les expériences existantes mais également par des considérations microstructurales, sont introduites séparément. On donne enfin, une application de ces modèles, au cas d'un acier inoxydable à haute température.
Pour minimiser les effets relatifs dus au courant d'osbcurité de génération recombinaison, au piégeage en volume et en surface et pour augmenter la sensibilité du système de lecture, un dispositif à transfert de charges (D.T.C.) doit pouvoir stocker et transférer une charge-signal importante. L'objet de ce travail est d'étudier la capacité de stockage en volume d'un D.T.C. à canal épitaxié en fonction des différents paramètres technologiques tant électriques que géométriques. Il sera de plus tenu compte des effets bi-dimensionnels dus à l'espace interélectrodes.
L'accroissement des rendements d'émission ionique dans des réactions chimiques superficielles s'accompagne souvent de modifications des distributions énergétiques des ions secondaires. Mais les exemples rapportés ici montrent que, lorsque la collecte des ions secondaires est assurée par des optiques électrostatiques à immersion, la forme des distributions des ions de très basse énergie initiale est conservée. Les seules variations observées se limitent alors à des décalages qui résultent directement des variations de travail de sortie. Ainsi, au cours d'une fixation de césium par exemple, la comparaison des positions des distributions énergétiques successives des ions négatifs permet une détermination des variations de travail de sortie à mieux que 0,1 eV près, précision bien supérieure à celle que laisserait supposer la seule bande passante du spectromètre. Un réglage instrumental est proposé pour faciliter des comparaisons très précises des distributions énergétiques d'espèces ioniques différentes.