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L'étude de l'orientation cristallographique d'un silicium polycristallin obtenu par solidification directionnelle dans un creuset de graphite est reportée dans ce travail. Les techniques usuelles de diffraction des rayons X par réflexion ont tout d'abord été utilisées. Des variations de paramètres atteignant 14 x 10-4 Å ont été mises en évidence entre les différentes zones de cristallinite du lingot. La croissance des grains, parallèlement aux gradients de température les plus importants, produit dans le centre du lingot une structure axiale colonnaire avec des orientations privilégiées [211] et [111]. Sur les bords du creuset les orientations de croissance sont différentes. Les orientations [110] et [100] fortement défavorisées augmentent quand le taux d'impuretés (Al + B) devient supérieur à 9 x 1015 atomes/cm3. Une méthode d'analyse basée sur l'attaque électrochimique du silicium a été ensuite développée. L'analyse du dépôt a été faite par diffraction des rayons X et par analyse ionique. Une corrélation entre son épaisseur et la densité réticulaire du plan de surface attaqué a été établie. La texture de solidification peut ainsi être représentée sans précision mais très rapidement par la carte des couleurs de lame mince observée après l'attaque électrolytique. Cette méthode semble bien adaptable pour un contrôle rapide d'une élaboration industrielle.
Les compteurs multipoints à focalisation cathodique ont été conçus pour détecter et localiser de multiples phénomènes ionisants simultanés représentatifs d'un même événement (imagerie). L'étude présente, complétant des travaux antérieurs, rend compte de l'influence des dimensions des cellules détectrices sur la résolution spatiale et le temps mort d'un tel détecteur et relate l'emploi de divers mélanges gazeux.
Une méthode simple a été mise au point qui permet de mesurer, avec une bonne précision, la longueur de diffusion des électrons dans des rubans de silicium polycristallin de type p dont les caractéristiques sont celles requises pour fabriquer des photopiles. Elle est basée sur l'étude d'une diode Schottky réalisée au moyen d'un contact mercure-silicium.
On a préparé des diodes Schottky par dépôt d'une électrode d'or sur du silicium de type N dont la surface avait préalablement été irradiée par une impulsion lumineuse brève issue d'un laser à rubis. L'augmentation de l'énergie des impulsions au-delà d'un seuil situé aux environs de 0,7 à 0,8 J/cm 2 provoque une forte dégradation des caractéristiques électriques des diodes, la réduction de la barrière de potentiel au contact or-silicium et l'accroissement du facteur d'idéalité. Les mesures de capacité montrent que le recuit par laser introduit, dans une zone superficielle du silicium, une forte densité de défauts de type donneur dont on a pu, par décapages successifs de la surface, déduire le profil de distribution pour une irradiation effectuée à l'énergie de 1,45 J/cm2. La guérison de ces défauts par un recuit thermique permet de rétablir en partie les propriétés des contacts or-silicium.
Dans le cadre du développement d'une méthode de croissance de ruban de silicium, une étude théorique de la forme d'équilibre d'une zone fondue sur la génératrice d'un cylindre en rotation a été entreprise. Pour analyser ce système thermique complexe, une méthode générale de calcul d'un corps en mouvement avec changement d'état a été élaborée. On montrera les applications de cette méthode à un problème unidimensionnel, puis au cas du cylindre en rotation.
Les auteurs présentent une méthode d'étude de machines électriques alimentées en tension par convertisseurs statiques et aux rotors desquelles circulent des courants de Foucault. L'utilisation de la transformation de Laplace permet de résoudre simultanément les équations électriques liant les grandeurs délivrées par le convertisseur et les équations définissant le champ électromagnétique dans la machine. La méthode d'étude proposée est illustrée par l'analyse du fonctionnement d'une machine synchrone à aimants frettés par un cylindre métallique.
L'automatisation d'un monochromateur double et la réalisation d'un système de données, permet de réduire les fluctuations et de contrôler les parasites grâce à une étude statistique simple du signal. On peut ainsi étudier les spectres de diffusion collisionnelle Rayleigh et Raman. Nous proposons des résultats de diffusion Rayleigh obtenus dans CF4, CH4 et le mélange CH4-He.
Nous présentons une technique de dérivation numérique qui procure une réjection du bruit de 18 dB/octave. Après détermination des coefficients de la fonction de transfert en Z du dérivateur, le calcul de la dérivée se réduit à une combinaison linéaire des 5 éléments d'un tableau. Le traitement peut être effectué en temps réel.
Nous avons comparé l'évolution de la morphologie cristallographique de couches épitaxiques de silicium polycristallin (résistivité de 9 x 10 -3 Ω.cm, épaisseur de 450 nm, dépôt L.P.C.V.D. à 670°C par décomposition du silane) soumises pendant 6 à 180 min, à un traitement thermique à température élevée (entre 900 °C et 1 050 °C) sous atmosphère soit inerte (argon), soit oxydante (oxygène sec). L'évolution de la taille des cristallites de la couche polycristalline a été mise en évidence par diffraction des rayons X. Dans les deux cas, on observe un accroissement (plus rapide lors d'une oxydation) de la taille des grains (de moins de 20 nm à plus de 70 nm), correspondant à une cristallisation des zones amorphes, favorisée par la diffusion du dopant (phosphore) aux joints de grains et par l'existence de contraintes mécaniques. La vitesse de formation de l'oxyde est çontrôlée par l'orientation cristallographique aléatoire des grains et la présence des joints de grains (diffusion intergranulaire et ségrégation des dopants). Le claquage destructif de l'oxyde n'est pas direct, on observe souvent une phase de préclaquage avec une auto-guérison. La rigidité diélectrique dépend du dopage et varie de 2 MV/cm à 5 MV/cm quand la température d'oxydation passe de 900 °C à 1000 °C.
La cinétique de croissance ainsi que les propriétés électriques des couches de silice obtenues sous illumination IR ont été étudiées. Il apparaît que la vitesse de croissance est identique à celle d'une couche obtenue par oxydation thermique dans la gamme de température 950-1 050 °C. De plus, leurs propriétés électriques se comparent favorablement à celles de leurs homologues thermiques.
Il n'est pas possible de résoudre en coordonnées cylindriques les équations de Maxwell en milieu anisotrope. Nous avons réduit le calcul au cas de deux plans méridiens particuliers, le calcul littéral peut alors être fait jusqu'au bout. Nous avons calculé les écarts de longueur d'onde guidée. En tenant compte des réflexions multiples dans un cristal de quartz, et en utilisant la méthode précédente, nous avons établi un programme qui nous a permis de tracer des courbes théoriques que nous avons comparées aux courbes expérimentales. Les constantes diélectriques du quartz à 10 GHz sont respectivement 4,51 et 4,63.
Cet article traite les effets des métallisations réelles dans les lignes GaAs pour circuits intégrés microondes. Une approche théorique originale, qui est en fait une extension de la Méthode Spectrale classique, est présentée dans cette communication. Cette approche est appliquée à une ligne Metal-Isolant-Semiconducteur (MIS) sur GaAs. On montre l'effet de l'épaisseur des rubans sur les caractéristiques de propagation : permittivité effective, pertes de propagation et impédance caractéristique.
Un dispositif expérimental mis au point récemment permet d'irradier une cible par les différentes espèces rencontrées dans un plasma froid. D'autre part, des mesures électriques pratiquées in situ soit sous vide de 10-4 Pa soit à la pression atmosphérique en atmosphère inerte caractérisent les conséquences de l'impact des ions et des électrons de faible énergie (50-300 eV) agissant séparément ou en conjugaison. Plusieurs matériaux sont actuellement étudiés (polyimide, polyepoxy, polyoléfines). Seuls les résultats concernant le polypropylène seront présentés ici. Des analyses complémentaires pratiquées ex situ, telles que la RPE ou la mesure de courants de fuite confirment l'efficacité des ions ainsi que celle de l'association des ions et des électrons.
Un appareillage pour essais de déformation à haute température (jusqu'à 1 800 °C) sous atmosphère contrôlée, en compression à vitesse de traverse constante a été construit sur une machine INSTRON. Pour connaître avec précision la déformation de l'échantillon, un système d'extensométrie a été placé. Deux courbes contrainte-déformation faites sur de l'alumine polycristalline à deux températures différentes sont données.
L'étalonnage des transitions vibrationnelles 0 → 2 et 0 → 3 de l'oxyde de carbone à différentes pressions nous a permis de déterminer un ordre de grandeur du déplacement des raies de ces deux transitions. En tenant compte de la dépendance vibrationnelle de l'énergie potentielle intermoléculaire isotrope, nous avons donné une première interprétation de ces déplacements.
Des détecteurs à barrière de surface ont été utilisés dans un circuit de coïncidences rapides particule-gamma en vue de mesurer des vies moyennes de noyaux dans des états excités. L'influence sur la résolution en temps de différents facteurs (résistivité, tension de polarisation, etc.) a été étudiée.
Les effets de la précision de réalisation sont étudiés dans le cas d'un cristal de quartz de coupe AT. Les résultats sont appliqués à différents systèmes de montages. Avec un nouveau type de maintien du cristal, ils font apparaître une diminution de la sensibilité d'un facteur 40 par rapport à celle des résonateurs traditionnels.
Nous présentons les résultats de l'étude de la compensation des porteurs dans les échantillons de GaAs implantés ou co-implantés, à faible dose, en oxygène ou en oxygène et silicium. La compensation augmente avec la dose d'oxygène, s'étend bien au-delà de la région implantée et est nettement plus importante dans le cas d'une co-implantation « Si + O » suivie d'un recuit à 650 °C. Le nombre d'électrons compensés est plus grand que celui des ions d'oxygène implanté. Celui-ci n'est pas seul responsable de la compensation. Cette compensation semble être due à la formation de nouveaux centres et aux modifications, avec piégeage de porteurs, des équilibres physico-chimiques entre les centres préexistants et entre les défauts complexes du réseau cristallin et les impuretés résiduelles du substrat par suite des implantations de l'oxygène et du silicium.
Le déplacement à contre-courant en imbibition spontanée d'un globule de fluide non mouillant est étudié dans un capillaire de section carrée. La modélisation montre les effets de la géométrie du système et de l'angle de mouillage sur la dynamique du processus et sur l'origine d'un couplage entre phases fluides qui nécessite une nouvelle formulation des lois d'écoulement en milieu poreux.
Des progrès remarquables ont été faits dans les caractéristiques des doubles barrières à tunnel résonnant en raison des améliorations des techniques d'épitaxie des structures à modulation de matériau. Ceci a été à l'origine de très nombreuses études tant sur les propriétés dynamiques et statiques que sur de nouveaux composants. Dans cet article, nous nous proposons de faire le point sur ce sujet, sur la base des études physiques, permettant de comprendre, de caractériser et d'optimiser les hétérostructures à double barrière. Nous montrons que, relativement aux applications composants, il est nécessaire de prendre en compte des aspects plus spécifiques tels que la réaction de charge d'espace. Enfin, nous considérons les effets d'électrons chauds, souvent indissociables des effets tunnel.
Le transfert rapide de hautes énergies entre deux inductances s'avère indispensable dans de nombreuses applications telles la propulsion électromagnétique, la réalisation de sources impulsionnelles de forte énergie, etc... Cette opération se heurte au problème crucial du rendement. Il est toutefois possible de contourner cet obstacle en réalisant, à l'aide d'un jeu de commutations, une désactivation progressive des spires d'une des inductances. Nous développons ici, l'étude de ce concept de transfert inductif séquentiel d'énergie à haut rendement sur un système, permettant, grâce à l'assistance de capacités de faible énergie et d'un transformateur de faible puissance, l'accès à une source d'énergie modulable et directement intégrable aux sources impulsionnelles du type génératrice sans fer développé par ailleurs.
On rappelle les approches théoriques existantes de l'action d'un champ électrique en régime Poole, sur des paires de puits coulombiens. Une analyse comparative montre l'insuffisance de certaines des hypothèses du modèle habituel. L'expression analytique de la hauteur de la barrière de potentiel extérieure à la paire, est obtenue. Il s'en déduit un effet Poole Frenkel, modifié par l'influence réciproque des puits. En conclusion, la nécessité d'une approche beaucoup plus générale est mise en évidence.
Les méthodes directes de mesure du coefficient local de transfert de chaleur sur une paroi présentent des limitations intrinsèques. Une méthode inverse, basée sur un modèle analytique de conduction de la chaleur dans un tube cylindrique, est développée. Elle permet, à partir des seules mesures de température à l'intérieur du cylindre, de remonter au profil de coefficient de transfert en surface. Des résultats expérimentaux, cohérents avec ceux de la littérature, sont présentés.
Dans cet article une méthode de l'automatique, la linéarisation totale par retour d'état, avec choix d'un comportement entrée-sortie, est appliquée à un actionneur électrique non linéaire, un servomoteur synchrone autopiloté. Cette solution est une alternative prometteuse aux stratégies classiques. Des exemples de dynamiques obtenues sur des commandes en vitesse ou en position, avec contrainte sur le courant d'axe direct, illustrent les possibilités de cette méthode.
Il a été réalisé un spectromètre magnétique à chambres à étincelles soniques pour paires d'électrons de conversion. On décrit l'appareillage et on donne les résultats de l'étude de l'ensemble sonique (localisation à 0,06 mm près dans une surface utile de 75 cm2).
C'est dans l'objectif de la production de glace par voie solaire, et avec des systèmes utilisant une réaction entre un solide et un gaz que nous avons fait cette étude bibliographique. Nous comparerons, à partir de différents critères, les systèmes développés par les auteurs et nous y ajouterons les performances obtenues sur notre prototype de réfrigérateur solaire.
Au cyclotron à fréquence fixe de Saclay, un faisceau de 5 nA de deutons polarisés a été obtenu en ionisant les deutons au moyen d'une source à arc à cathode de grande surface. Dans ces conditions, le taux de polarisation est de 50 %.
Nous avons mené une étude des effets parasites présentés par les transistors à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel (HEMT). Ces effets sont étroitement liés à la technologie d'élaboration des composants. L'étude expérimentale, couplée à la simulation numérique du dispositif à permis de montrer l'origine physique de ces effets : le dopage résiduel de la couche de GaAs y joue un rôle prépondérant. L'étude montre également la sensibilité de ces effets aux paramètres technologiques de croissance des couches.
Une revue des plus récentes réalisations en matière d'accélérateurs de particules en mettant l'accent sur les dispositifs concernant l'accélération d'ions lourds. Dans ce contexte on présente successivement l'accélérateur électrostatique VIVITRON implanté à Strasbourg puis les plus récentes réalisations en matière de cyclotron travaillant soit à la température ambiante (GANIL) ou cryogénique (MSU, Chalk River, Milan-Catane, AGOR...). Les dispositifs du type synchrotron sont également présentés ainsi que les problèmes liés aux sources d'ions et leurs intensités.
Les défauts de réglage des facettes réflectrices qui équipent les grandes installations solaires sont des paramètres primordiaux pour la modélisation des répartitions des flux réfléchis. Leur caractérisation peut être effectuée par l'examen direct des répartitions de luminance apparentes sur les surfaces réflectrices et observées d'un point situé au voisinage du point focal de l'installation. On décrit ici le cadre d'une approximation visant à exprimer l'équation des courbes isoluminance idéales. Puis les écarts typiques des surfaces réflectrices des installations solaires sont introduits et on établit les relations permettant de remonter aux défauts de réglage. Des méthodes applicables aux installations à simple réflexion du type centrale à tour, et à double réflexion de type four solaire sont décrites et on donne quelques résultats préalables aux campagnes de mesure.
Nous avons réalisé un dispositif optique simple et compact permettant d'amplifier des impulsions lumineuses d'une durée de 100 fs en minimisant l'importance de la dispersion de la vitesse de groupe. Le montage permet le passage multiple des impulsions dans une même région de gain réalisée dans un jet et un gain total de l'ordre de 10 000 pour six passages.
Les performances d'un laser guide d'onde CO2 auto-focalisant à flux de gaz transverse et à excitation radio-fréquence sont décrites. Le renouvellement rapide du gaz permet un meilleur refroidissement du milieu actif et par conséquent une puissance linéique plus élevée. En utilisant une longueur active de 20 cm, on obtient une puissance de sortie de 15 W, ce qui correspond à une puissance linéique de 0,75 W/cm.
Deux types de circuits intégrés GaAs de multiplexage haut débit (multiplexeurs à rang fixe et à rang programmable sur 2, 3 ou 4 entrées), capables de fournir des débits numériques jusqu'à 1,9 Gbit/s, ont été conçus et réalisés en logique BFL à grille de 1 μm. On présente ici la méthode de conception mise en oeuvre, et les performances des circuits obtenus. L'architecture de ces multiplexeurs est basée sur des compteurs de type Johnson, sans logique d'établissement de cycle, utilisant des bascules RSTT maître-esclave. Une particularité apportée à ce compteur, consistant à intégrer une partie de la logique de commande dans la bascule du premier étage, a permis le gain d'un temps de propagation de porte sur le temps de boucle du circuit de division. De complexité moyenne (342 à 648 composants actifs par puce), les multiplexeurs ont été simulés en régime non linéaire, selon une méthode de découpage du circuit en blocs quasi indépendants. L'opération de fonderie a été assurée par Thomson/DAG. Les principaux résultats expérimentaux font apparaître une consommation moyenne de moins de 1 W par puce, et des fréquences maximums de multiplexage variant de 1,3 à 2 GHz.
Les auteurs présentent une modélisation numérique des courants induits dans un conducteur massif amagnétique en rotation ou en translation dans un champ magnétique d'excitation. Les courants induits sont considérés comme une superposition d'ondes propres. L'intérêt réside dans le fait qu'à chacune de ces ondes, caractérisée par une répartition spatiale et une constante de temps on peut associer le circuit équivalent d'une machine asynchrone idéale. On donne enfin des applications de cette méthode à des génératrices impulsionnelles et à un lanceur électromagnétique.
Une corrélation est établie entre le diagramme de phase liquide-solide, la facilité de vitrification et la viscosité cinématique des liquides Ge xSe1-x : 0 ≤ x ≤ 1/3. On observe une augmentation de la viscosité avec x, attribuée à l'effet de branchement produit par Ge sur les chaînes de Se. Pour des compositions inférieures à celles de l'eutectique (x = 0,08), la variation avec la température est bien décrite par un modèle de polymère liquide dans le formalisme de volume libre, comme pour Se pur. Au-delà de l'eutectique, l'énergie d'activation augmente fortement avec x. Comme dans l'état vitreux, on suppose la présence de tétraèdres GeSe 4. On propose une description utilisant le concept d'association de Jordan. Les modifications dans le comportement du liquide sont attribuées aux variations du nombre des espèces associées. Les variations isothermes de la viscosité avec x sont bien décrites par le modèle. Celui-ci explique aussi l'allure du diagramme de phase. Entre l'eutectique et GeSe2, le liquidus théorique est en bon accord avec l'expérience.
Un hacheur de faisceau utilisant une ligne à méandres placée dans une boucle de recirculation de la puissance HF a été étudié théoriquement et expérimentalement. L'anneau résonnant en onde stationnaire permet d'obtenir de meilleurs résultats que celui fonctionnant en onde progressive. Le gain de puissance obtenu avec l'anneau résonnant en onde stationnaire est ≃ 9. Il permet d'obtenir des paquets d'électrons de très courte durée (≃ 10 ps) avec une puissance HF de quelques watts en défléchissant des faisceaux de 30 keV d'énergie et de 1 mA d'intensité.
Les cavités résonnantes utilisées en hyperfréquence pour des caractérisations de matériaux diélectriques présentent, lors d'études en fonction de la température, une dérive non négligeable de leur fréquence de résonance. Nous présentons les résultats obtenus avec deux procédés de correction. Le premier consiste à stabiliser la fréquence de résonance elle-même par le jeu des dilatations différentielles de deux métaux différents. Le second, plus général, utilise la stabilisation du battement entre les fréquences propres de deux cavités identiques placées dans les mêmes conditions de température. Dans les deux cas on obtient une dérive résiduelle de l'ordre de 1 kHz/°C pour des températures variant de - 50 °C à + 100 °C.
La première partie de cet article est consacrée à l'étude des écoulements magnétohydrodynamiques plans parallèles, turbulents, de fluide newtonien incompressible, dans le cas où les parois limitant le canal de métal liquide sont mobiles l'une par rapport à l'autre dans le sens de l'écoulement. Une induction magnétique extérieure est appliquée perpendiculairement aux parois. La mise en mouvement du fluide est due à la fois à la mobilité des parois, supposées parfaitement lisses, et à la présence d'une source d'énergie électrique extérieure. Nous déterminons une expression analytique des dissipations en étudiant les variations de l'entropie de l'unité de masse du fluide en mouvement (en absence de phénomènes de thermoconduction). Une étude qualitative de la turbulence jointe à des considérations dimensionnelles (semblables à celles utilisées par Landau et Lifschitz dans le cas d'écoulements hydrodynamiques à parois fixes) nous a permis de proposer, d'une part, un critère de transition (laminaire-turbulent) pour ce type d'écoulement et, d'autre part, une loi régissant les dissipations. La deuxième partie de cette étude décrit brièvement les solutions apportées aux principaux problèmes de M. H. D. posés pour l'utilisation des métaux liquides dans les machines homopolaires à inducteur supraconducteur. La troisième partie permet de comparer les résultats expérimentaux aux résultats théoriques obtenus à l'aide d'une méthode de calcul basée sur l'étude décrite en première partie.
Nous décrivons une nouvelle méthode de mesure du pouvoir thermoélectrique de petits échantillons poly ou monocristallins, dans la gamme de température 5-300 °K. La méthode de mesure élimine les f. e. m. thermoélectriques parasites et est basée sur l'enregistrement des forces électromotrices thermoélectriques des couples plomb/échantillon et or-0,03 % fer/échantillon. Le principal avantage de la méthode est d'assurer un bon contact thermique et électrique des fils de mesure avec l'échantillon. Une application de cette méthode à la mesure du pouvoir thermoélectrique d'un monocristal de cobalt est donnée. Ces résultats sont comparés à ceux du magnésium dont le rapport c/a est voisin de celui du cobalt.
Nous présentons une nouvelle méthode pour stabiliser la fréquence d'un laser sur le pic de transmission d'un résonateur de Fabry-Perot (F.P.). Au moyen d'un modulateur acousto-optique, on décale en fréquence une fraction du faisceau laser d'une quantité voisine de l'écart entre modes du F.P. Les faisceaux direct et décalé sont polarisés orthogonalement et appliqués à l'entrée du F.P. Les faisceaux transmis sont séparés par un prisme de Glan. En effectuant la différence entre ces deux pics de transmission on obtient un signal d'erreur en forme de dérivée de la fonction d'Airy sans faire appel aux techniques habituelles de modulation de fréquence et de détection synchrone. Nous appliquons cette méthode à l'asservissement d'un laser à Ar+ commercial sur un F.P. de grande finesse. Nous démontrons à cette occasion tout l'intérêt qui s'attache à l'utilisation de systèmes asservis à stabilité conditionnelle.
Ce spectromètre, avec fer, est composé de deux secteurs et d'une lentille de «Glaser». On a étudié un dispositif de compensation électrostatique à la source, pour accroître la luminosité du spectromètre.
Dans le but d'améliorer la sensibilité de la détection en spectroscopie de saturation, nous proposons d'associer deux méthodes : la contribution de plusieurs classes de vitesses au signal de saturation et la spectroscopie hétérodyne à très haute résolution. Le principe consiste à moduler en phase (ou en fréquence, ou en amplitude) le faisceau de sortie d'un laser monomode stabilisé en fréquence, puis à utiliser ce faisceau modulé dans une expérience de spectroscopie de saturation hétérodyne. La comparaison des résultats obtenus dans une même expérience avec et sans modulation du faisceau met en évidence le gain en sensibilité obtenu par cette méthode. Cette amélioration provient du fait qu'en spectroscopie de saturation conventionnelle on sélectionne une seule classe de vitesses, alors que dans la méthode proposée plusieurs classes de vitesses contribuent au signal.
Nous déterminons les performances d'un spectromètre électrostatique à électrodes sphériques. Les résultats obtenus permettent de dégager l'intérêt de ce type d'appareil pour des études en coïncidences de spectrométrie à basse énergie.
Les nouvelles technologies qui apparaissent aujourd'hui pour la modulation spatiale de lumière font l'objet d'une revue critique. Les divers types de modulateurs sont classés du point de vue de leur utilisation dans des architectures de processeurs optiques : modulateurs unidimensionnels pour systèmes optiques tri-dimensionnels ou à ondes guidées ; modulateurs bidimensionnels à adressage électronique ou optique ; mode d'opération analogique, binaire ou non linéaire. Une véritable révolution est observée en direction de « technologies compatibles », où matériaux et techniques de fabrication tendent à devenir très similaires dans la réalisation de modulateurs de lumière ou de circuits électroniques à haut degré d'intégration. Il est suggéré que le fossé séparant les actuels processeurs hybrides opto-électroniques et les nouvelles portes logiques « tout-optiques » sera bientôt comblé par une nouvelle génération de convertisseurs parallèles électrons-photons totalement intégrés.
On a utilisé les techniques du pompage optique pour étudier les propriétés de la luminescence d'un super réseau à courte période GaAs/AlAs. Le spectre d'excitation de la luminescence montre, outre les transitions bien connues 1e → hh et 1e → fh, des oscillations de relaxation observables en raison de la présence de puits élargis dans l'échantillon. Quelle que soit la longueur d'onde excitatrice, la polarisation de la raie excitonique principale décroît avec l'application d'un champ magnétique transverse. Les valeurs du temps de relaxation de spin et du temps de vie des électrons photocréés ont été estimées respectivement à 1,1 x 10-10 et 1,7 × 10-10 s. Le collage de l'échantillon sur le support crée des contraintes incontrôlées auxquelles les résultats sont très sensibles.
L'interface (n) InP-oxyde natif obtenu par une technique bicouche a été étudié par DLTS et double DLTS dans le but de déterminer la répartition énergétique des états d'interface dans la partie supérieure de la bande interdite et la position du potentiel de surface en fonction de la tension appliquée à la structure MIS tunnel Au-Oxyde-InP. La mesure des transitoires de capacité sur la structure MIS permet d'explorer la bande interdite avec une fenêtre d'observation de largeur énergétique voisine de 3 kT et d'obtenir le spectre des états d'interface qui fait apparaître une contribution prépondérante d'un état discret en concentration élevée située à une profondeur de 0,46 eV sous la bande de conduction. La position du potentiel de surface a été déterminée en régime de déplétion par une spectroscopie DLTS à faible niveau et confirmée par double DLTS.
On décrit un dispositif permettant de tester des modèles de profils de densité au voisinage d'une interface solide (ou liquide) -vapeur. Le principe de la méthode consiste à mesurer, en fonction de l'angle d'attaque (de l'ordre de quelques mrad), l'intensité réfléchie spéculairement par une surface plane lorsque celle-ci reçoit un faisceau de rayons X. On donne quelques exemples d'application.
Dans cet article, nous montrons l'intérêt du transistor bipolaire à double hétérojonction (DHBT) pour la filière logique rapide I2L (logique à injection). En effet l'interchangeabilité entre l'émetteur et le collecteur et la liberté de conception résultant de l'utilisation de deux hétérojonctions donnent aux DHBT un grand intérêt dans le domaine des circuits intégrés rapides à grande intégration tels que la logique à injection I2L. L'accent est mis sur le comportement en régime statique de dispositifs d'étude, réalisés par les techniques d'épitaxie par jets moléculaires et d'implantation ionique de magnésium. Les résultats les plus intéressants sont l'obtention de dispositifs symétriques présentant un gain en courant en régime de fonctionnement inverse de 40 pour un gain de 280 en régime normal et de tensions de saturation très faibles de l'ordre de 3 mV.
Après contrôle de la structure cristalline, de la composition ainsi que de l'état des liaisons de chaque échantillon par diffraction X, microsonde électronique et spectroscopie d'électrons (ESCA (1)) les propriétés électriques du ZnSiAs2 ont été étudiées par mesure de résistivité et de pouvoir thermoélectrique (PTE) entre 195 et 550 K. Ces mesures ont été complétées par celles du coefficient de Hall entre 180 et 400 K. Le modèle le plus simple permettant de rendre compte des courbes expérimentales est celui d'un semiconducteur compensé de caractère p. Le niveau accepteur légèrement élargi est le siège de mécanismes de conduction par sauts. L'ajustement des courbes à partir de ce modèle montre que trois mécanismes de diffusion gouvernent essentiellement les propriétés électriques du matériau : interactions trous-modes acoustiques du réseau et trous-impuretés ionisées dans la bande de valence et conduction par sauts thermiquement activés dans le niveau accepteur. L'origine des niveaux donneur et accepteur est vraisemblablement liée au léger écart à la stoechiométrie mis en évidence par microanalyse et spectroscopie d'électrons.
La caractérisation du comportement de composites céramique-céramique soumis à des sollicitations thermiques a été effectuée à partir de deux techniques non destructives : mesure des modules d'élasticité moyens par échographie ultrasonore haute température, et contrôle par spectroscopie ultrasonore in situ de l'endommagement en fatigue thermique. Après une description des ensembles expérimentaux spécifiquement mis au point pour l'étude de ces matériaux, des résultats sont donnés pour deux composites à base de fibres longues SiC : l'un à matrice SiC réalisé en tissage 2D, l'autre à matrice SiO2 réalisé en tissage 3D. Les variations de module d'élasticité en fonction de la température (jusqu'à 1 400 °C en atmosphère oxydante), et des paramètres d'évaluation de l'endommagement en fatigue thermique, ont été corrélées avec les évolutions de microstructure et de changement de phase de la matrice et de la fibre.
On expose les différentes étapes qui ont conduit à la conception des machines asynchrones sans fer. La modélisation du comportement électromagnétique a permis de définir la géométrie conduisant aux meilleures performances (machines longues), l'étude des pertes de préciser la structure du bobinage, la considération des problèmes thermiques de montrer qu'une ventilation par air simple était convenable et celle des aspects mécaniques de proposer des paliers très simples.
La caractérisation du comportement élastique de composites, possédant une symétrie orthotrope et se présentant sous forme de plaques minces, est réalisée à l'aide d'un spectro-interféromètre ultrasonore à immersion. L'identification complète des neuf composantes indépendantes du tenseur d'élasticité est effectuée à partir de mesures de vitesses de propagation dans les deux plans principaux de symétrie accessibles et dans un plan non principal. Dans ce plan, l'équation caractéristique du troisième degré ne se factorise pas ; trois ondes sont engendrées à l'interface liquide-solide.
En courbant élastiquement un cristal trapézoïdal pour la diffraction de Bragg des rayons X, on réalise un spectrographe à champ plan, large bande et haute résolution, sous incidence normale. Grâce à lui, on étudie des implosions de microballons par un laser à six faisceaux.
Afin d'utiliser dans les meilleures conditions le couple chlorure de calcium-ammoniac en vue de la réfrigération solaire ou du stockage d'énergie, nous examinons l'effet néfaste de l'eau sur ce binaire. La loi donnant la variation du gonflement que subit le sel en absorbant l'ammoniac jusqu'à saturation complète est indiquée. Nous en déduisons qu'il faut prévoir pour le générateur en volume libre de 4 litres environ pour chaque kilogramme de sel pur. Enfin, nous précisons les vitesses d'absorption et de désorption de NH3. Cette étude montre que plus on se rapproche de l'octoammoniacate, plus la vitesse de formation des complexes est faible.
La redistribution d'impuretés dans les semiconducteurs lors des processus de réalisation des circuits intégrés constitue une étape d'une importance capitale pour la mise au point et le développement de filières. Ces profils de diffusion doivent être connus avec précision si l'on veut maîtriser et modéliser correctement le fonctionnement électrique des circuits intégrés. Actuellement, il existe de nombreux simulateurs bidimensionnels de processus sur silicium massif dont le plus connu reste SUPRA. Mais il ne sont pas assez généraux pour pouvoir simuler des processus sur d'autres structures (silicium-sur-isolant par exemple). Dans cet article, nous présentons une résolution analytique bidimensionnelle de l'équation de diffusion dans le cas d'une structure SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Le modèle établi prend en compte les conditions limites propres à cette structure ainsi que le profil initial d'implantation. Comme exemple, nous simulons la formation de la zone d'isolement dans cette structure : implantation et redistribution du bore pendant la croissance de l'oxyde de champ.
A propos du dichroïsme circulaire lié à la résonance paramagnétique électronique, l'auteur, revenant sur la théorie des susceptibilités transverses (χ +) et (χ-) en champs tournants, préconise un mode de calcul utilisant les circulaires de Fresnel comme vecteurs de base, dans la représentation des vibrations elliptiques. Il souligne l'importance relative prise par (χ-) dans le cas de la résonance très large des sels paramagnétiques en poudres polycristallines.
On décrit les mécanismes d'interaction d'ions de gaz rares (3He +, 4He+, 20Ne+) de faible énergie (200 à 2 000 eV) avec la surface d'un solide : section efficace de collision, probabilité de neutralisation, influence de la température, effets de masquage. Pour cette gamme d'énergie, un modèle classique de collisions binaires rend compte des résultats expérimentaux, ce qui permet une interprétation géométrique directe des trajectoires ioniques et rend possible la détermination de la structure cristalline de la surface. On illustre la méthode sur le cas des couches adsorbées sur Ni (001).
On décrit un scintillateur gazeux de grandes dimensions dans lequel la mise en coïncidence de photomultiplicateurs a permis de réduire considérablement le bruit de fond le rendant particulièrement adapté à la mesure de sections efficaces de fission très faibles.
L'analyse de Rogers du pouvoir thermoélectrique sur la base d'un modèle à double bande de valence est étendue pour inclure l'anisotropie de la bande non parabolique. La nouvelle formulation est appliquée à l'analyse des résultats obtenus sur deux alliages Pb1-xSnxTe. Des valeurs sont estimées pour certains paramètres de bande, en particulier pour l'écart d'énergie entre les deux bandes de valence.
Cet article montre comment il est possible d'inverser le contraste des franges à ondes multiples et ainsi d'améliorer le pointé de ces franges. Cette méthode a été utilisée pour mesurer l'épaisseur mécanique de couches minces et contrôler la planéité de support. La précision est de l'ordre de 3 Angströms.
Nous avons calculé, à partir de données expérimentales sur les courants traversant une cellule électroluminescente, les valeurs instantanées de la « constante » diélectrique complexe. Les variations de celle-ci sur une période ont pu être mises en relation avec celles de la luminance et de la puissance absorbée, permettant d'envisager un bilan énergétique de la cellule.
Le spectre d'absorption infrarouge de la bande ν1 + ν 4 de 12CH4 a été enregistré à très haute résolution sur un spectromètre de type Ebert-Fastie. On donne la totalité du spectre et les nombres d'ondes des raies dans la région de 4 136 à 4 288 cm -1. L'analyse rotationnelle est effectuée au quatrième ordre d'approximation grâce à une méthode itérative de moindres carrés avec amortissement, adaptée au calcul sur ordinateur. On identifie 182 raies de vibration-rotation de P 11 à R 9. On détermine les valeurs de 17 constantes spectrales.
Nous présentons ici une méthode d'étalonnage des spectromètres de masse pour l'étude des produits condensables (oxydes). Cette méthode est fondée sur la mesure de la résistance électrique de l'échantillon. Elle est utilisée ici pour étalonner les flux d'oxydes volatils provenant de la solution solide niobium-oxygène à haute température.
Lorsque l'on veut mesurer les variations d'une grandeur par rapport à une référence en fonction d'un paramètre, on utilise de préférence un appareil à deux canaux dont on enregistre le rapport des indications. Le dispositif que nous présentons ici permet d'utiliser un appareil monocanal grâce à une exploration alternée et une mémoire électromécanique asservie à la grandeur de référence. L'application particulière décrite correspond à la transformation d'un monochromateur optique simple en spectrophotomètre automatique.
A partir des diagrammes de Debye-Scherrer publiés par Biswas et Sirkar, on peut connaître le système cristallin et les dimensions de la maille primitive d'où le nombre de molécules et le groupe d'espace. On en déduit le nombre de vibrations externes actives en absorption infrarouge et en diffusion Raman. Il est intéressant de disposer de ces spectres pour confirmer ou infirmer la structure de la maille suggérée par les diagrammes. Pour le toluène, la maille serait orthorhombique (C72v) avec 4 molécules en position générale et l'on attendrait 15 vibrations externes actives en infrarouge. Le spectre infrarouge présente 4 bandes larges qui seraient l'enveloppe des 15 raies attendues. Pour le métaxylène, la maille serait aussi orthorhombique (D32 ) avec 4 molécules en position générale, d'où encore 15 vibrations externes actives en infrarouge. Le spectre infrarouge présente 3 bandes larges qui en seraient de même l'enveloppe. Pour l'ortho-xylène la maille serait orthorhombique (D1 2h) avec 4 molécules ayant un plan de symétrie localisé dans un plan de la maille, d'où 6 vibrations externes actives en infrarouge. On en observe cinq ce qui confirme la structure et permet de rejeter une autre possibilité avec 8 molécules dans la maille, qui conduit à 15 vibrations actives en infrarouge. Enfin, pour le paraxylène, la maille serait monoclinique (C22h), la molécule aurait un centre de symétrie, et ce centre serait situé sur un centre de symétrie de la maille et il y aurait 2 molécules par maille primitive. D'où 3 vibrations externes de translation actives en infrarouge et 6 vibrations actives en Raman. L'expérience donne effectivement 3 raies d'absorption à 38, 56 et 76 cm-1 qu'on ne trouve pas dans le spectre Raman (70, 93, 114 et 142 cm-1) publié par Kondilenko, Korotkov et Litvinov. Au contraire si l'on suit Biswas et suppose les molécules en position générale, il faut admettre qu'il y a 4 molécules dans la maille et qu'il n'y a pas de règle d'exclusion, ce qui est contraire aux observations.
On a réalisé un amplificateur logarithmique entièrement transistorisé pour photomultiplicateur. Cet amplificateur se caractérise par un temps de réponse très court (10-7 sec.) et une gamme de sensibilité étendue, allant du bruit d'obscurité au voisinage de la saturation du tube. Pour les faibles flux lumineux (inférieurs à 5 X 10-9 lumen) on utilise la technique de comptage des impulsions ; au-delà on amplifie directement le courant anodique moyen. Une commutation électronique permet de passer automatiquement d'un mode de f onctionnement à l'autre. Le montage est appliqué à des études de luminescence différée.
La méthode d'entraînement des produits de réactions nucléaires par un jet d'hélium a été adaptée à la collection et à la détection de noyaux émetteurs γ. Cette méthode a été appliquée en utilisant un faisceau d'ions 12C délivré par le Cyclotron à Ions Lourds d'Orsay. Les réactions 103Rh( 12C, xn) 115-xSb ont été étudiées entre 50 et 90 MeV. Les isotopes d'antimoine de masse 113, 112, 111 et 110 ont été identifiés par leurs rayonnements γ. Les développements possibles de la méthode sont examinés.
On décrit une méthode expérimentale permettant d'évaluer le rendement absolu de scintillation et on présente les résultats obtenus avec des solutions de α-naphtyl-2 phényl-5 oxazole (α-NPO) à 5 g/1 dans le benzène et ses dérivés méthylés. Les valeurs trouvées (0,020 ± 0,002 dans le cas du benzène privé d'oxygène) sont notablement inférieures à celles antérieurement rapportées dans la littérature. On indique également les rendements radiolytiques de formation des états excités singulets du solvant (Gs1 = 0,98 pour le benzène) que l'on déduit de ces mesures.
Les conditions à remplir par un système d'étalonnage en longueur d'onde sont passées en revue et le dispositif expérimental adopté sur le spectromètre à grilles ONERA est exposé. A titre d'exemple, quelques extraits du spectre de la bande v4 du méthane sont commentés.
La théorie spatiale vectorielle basée sur la condition de résonance pour représenter un laser anisotrope offre une méthode de mesure de rotations Faraday. La rotation Faraday simple passage est compensée par une anisotropie de pertes, connue, du type x-y. La rotation, mesurable, du vecteur propre à une extrémité de la cavité, est beaucoup plus importante. On définit ainsi les pouvoirs multiplicateurs statique et dynamique de la cavité. Cette méthode permet de mesurer des rotations Faraday de 2 x 10 -6 degré dans l'infrarouge.
Description d'une machine de fluage à contrainte constante et à grands allongements utilisant un lit fluidisé comme élément de chauffage. Le lit fluidisé permet l'obtention d'une excellente stabilité en température et d'un gradient thermique presque nul ; propriétés particulièrement intéressantes pour éviter des inhomogénéités dans la déformation.
On a calculé l'expression du courant transitoire dans un milieu diélectrique possédant deux types de porteurs d'égale mobilité ou un seul type de porteurs mobiles. Les électrodes sont supposées bloquantes. Lors de l'application d'un échelon de tension de faible amplitude, l'évolution du courant est régie par une seule constante de temps, proportionnelle au temps de relaxation diélectrique et au rapport L/LD (L longueur de l'échantillon, LD longueur de Debye).
Le radical galvinoxyl est étudié à différentes concentrations en solution dans le diméthoxyéthane. La saturation électronique est réalisée à 10 050 MHz et la résonance nucléaire détectée à 15 253 kHz. L'extrapolation des mesures, à puissance et à concentration infinies, conduit à un facteur de polarisation de 160, ce qui suppose un paramètre de couplage de l'ordre de 0,25, montrant que les conditions de « rétrécissement extrême » ne sont pas atteintes.
Sous l'influence d'une onde électromagnétique, l'énergie thermique des électrons d'une décharge augmente. Cet accroissement d'énergie peut modifier certains processus microscopiques de la décharge et peut ainsi entraîner une variation du courant de la décharge. Le présent article est l'étude des mécanismes de la perturbation provoquée par une onde hyperfréquence dans la lueur négative d'une décharge d'argon.
L'analyse des pertes d'énergie des électrons ayant traversé une couche mince permet de mettre en évidence l'excitation de plasmons et d'électrons des niveaux atomiques profonds. L'étude des plasmons donne des informations sur la densité des électrons de la bande de valence. Ils peuvent en particulier être utilisés dans le cas d'alliages dont la composition moyenne est connue pour déterminer la répartition des divers éléments. L'étude de l'excitation des électrons des niveaux atomiques profonds permet d'envisager une méthode d'analyse chimique à l'échelle de la microscopie électronique. La précision de cette méthode atteint à l'heure actuelle une valeur de 5 × 10-3. Quelques exemples d'applications sont donnés dans le cas particulier d'échantillons lunaires.
La technique des équations intégrales est utilisée pour déterminer le champ des tensions et des déplacements dans une éprouvette C. T. 15 en acier 35 NCD 16. Le calcul de l'intégrale J de Rice permet de déterminer dans le cadre de la mécanique linéaire de la rupture le facteur d'intensité de contraintes pour plusieurs longueurs de fissure et ces valeurs sont comparées à celles obtenues à partir d'essais ou de calcul par éléments finis.
On considère un modèle de moments localisés et on passe en revue les différentes énergies qui interviennent pour déterminer l'orientation des moments : l'énergie d'échange, l'énergie magnétostatique, l'anisotropie magnétocristalline, les effets magnétoélastiques, et enfin l'énergie de couplage avec les défauts de réseau. Tout échantillon ferromagnétique se divise spontanément en domaines d'aimantation uniforme pour abaisser l'énergie totale du système des moments, deux domaines adjacents étant séparés par une couche de transition appelée une paroi. Après un exposé général des principales méthodes utilisées pour l'observation des domaines, on explique comment la structure en domaines intervient dans les processus d'aimantation.
Dans certains bobinages supraconducteurs produisant des champs magnétiques élevés, les énergies magnétiques mises en jeu sont assez importantes pour détériorer quelquefois ces bobinages lors d'une transition. Pour un ensemble de deux aimants supraconducteurs couplés électromagnétiquement, les auteurs décrivent un procédé simple permettant d'éviter toute détérioration par échauffement lors d'un rétablissement de l'état normal.
On montre comment on peut utiliser le « maximètre » pour le contrôle pendant l'évaporation de couches non λ/4 et en particulier de couches extrêmement minces. Deux méthodes sont proposées. La première, très simple et très générale, utilise un verre témoin ; l'autre nécessite des calculs préalables difficiles mais permet le contrôle sur le verre à traiter lui-même. Ces méthodes permettent, avec une précision suffisante, le contrôle de couches d'épaisseur optique de l'ordre de λ/200. Un exemple d'application est proposé : l'amélioration de planéité des lames d'interféromètre de Fabry-Perot.
L'étude de la diffusion Raman sur les porteurs libres d'un semiconducteur en présence d'un champ magnétique suivant le processus d'inversion du spin (spin-flip) présente un intérêt multiple : meilleure connaissance du mécanisme de diffusion lui-même, détermination du facteur g des porteurs libres en rapport avec la structure de bandes du matériau étudié, enfin et surtout génération d'une émission stimulée pouvant conduire à la réalisation de sources lumineuses cohérentes et intenses, de longueur d'onde continûment accordable au moyen du champ magnétique appliqué. Cet exposé passe en revue les principaux résultats obtenus ces dernières années, en même temps qu'il présente quelques-uns de nos propres résultats dans CdS pompé avec un laser à argon (5 145Å), et dans InSb pompé avec un laser à CO2 (10,6 μm).