English: 16/ 00 Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition (CVD) processes (reactive sputtering or vacuum evaporation C23C 14/00) [4] 16/ 01 . on temporary substrates, e.g. on substrates subsequently removed by etching [7] 16/ 02 . Pretreatment of the material to be coated (C23C 16/04 takes precedence) [4] 16/ 04 . Coating on selected surface areas, e.g. using masks [4] 16/ 06 . characterised by the deposition of metallic material [4] 16/ 08 . . from metal halides [4] 16/ 10 . . . Deposition of chromium only [4] 16/ 12 . . . Deposition of aluminium only [4] 16/ 14 . . . Deposition of only one other metal element [4] 16/ 16 . . from metal carbonyl compounds [4] 16/ 18 . . from metallo-organic compounds [4] 16/ 20 . . . Deposition of aluminium only [4] 16/ 22 . characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material [4] 16/ 24 . . Deposition of silicon only [4] 16/ 26 . . Deposition of carbon only [4] 16/ 27 . . . Diamond only [7] 16/ 28 . . Deposition of only one other non-metal element [4] 16/ 30 . . Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides [4] 16/ 32 . . . Carbides [4] 16/ 34 . . . Nitrides [4] 16/ 36 . . . Carbo-nitrides [4] 16/ 38 . . . Borides [4] 16/ 40 . . . Oxides [4] 16/ 42 . . . Silicides [4] 16/ 44 . characterised by the method of coating (C23C 16/04 takes precedence) [4] 16/ 442 . . using fluidised bed processes [7] 16/ 448 . . characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials [7] 16/ 452 . . . by activating reactive gas streams before introduction into the reaction chamber, e.g. by ionization or by addition of reactive species [7] 16/ 453 . . passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD (C23C 16/513 takes precedence; for flame or plasma spraying of coating material in the molten state C23C 4/00) [7] 16/ 455 . . characterised by the method used for introducing gases into the reaction chamber or for modifying gas flows in the reaction chamber [7] 16/ 458 . . characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber [7] 16/ 46 . . characterised by the method used for heating the substrate (C23C 16/48, C23C 16/50 take precedence) [4] 16/ 48 . . by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation [4] 16/ 50 . . using electric discharges [4] 16/ 503 . . . using dc or ac discharges [7] 16/ 505 . . . using radio frequency discharges [7] 16/ 507 . . . . using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors [7] 16/ 509 . . . . using internal electrodes [7] 16/ 511 . . . using microwave discharges [7] 16/ 513 . . . using plasma jets [7] 16/ 515 . . . using pulsed discharges [7] 16/ 517 . . . using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C 16/503 to C23C 16/515 [7] 16/ 52 . . Controlling or regulating the coating process (controlling or regulating in general G05) [4] 16/ 54 . . Apparatus specially adapted for continuous coating [4] 16/ 56 . After-treatment [4] C23 - C23C 10/60 C23C 18/00 - C23C 30/00
French: 16/ 00 Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) (pulvérisation cathodique réactive ou évaporation réactive sous vide C23C 14/00) [4] 16/ 01 . sur des substrats temporaires, p.ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique [7] 16/ 02 . Pré-traitement du matériau à revêtir (C23C 16/04 a priorité) [4] 16/ 04 . Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques [4] 16/ 06 . caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique [4] 16/ 08 . . à partir d'halogénures métalliques [4] 16/ 10 . . . Dépôt uniquement de chrome [4] 16/ 12 . . . Dépôt uniquement d'aluminium [4] 16/ 14 . . . Dépôt d'un seul autre élément métallique [4] 16/ 16 . . à partir de métaux carbonyles [4] 16/ 18 . . à partir de composés organométalliques [4] 16/ 20 . . . Dépôt uniquement d'aluminium [4] 16/ 22 . caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques [4] 16/ 24 . . Dépôt uniquement de silicium [4] 16/ 26 . . Dépôt uniquement de carbone [4] 16/ 27 . . . Le diamant uniquement [7] 16/ 28 . . Dépôt d'un seul autre élément non métallique [4] 16/ 30 . . Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures [4] 16/ 32 . . . Carbures [4] 16/ 34 . . . Nitrures [4] 16/ 36 . . . Carbo-nitrures [4] 16/ 38 . . . Borures [4] 16/ 40 . . . Oxydes [4] 16/ 42 . . . Siliciures [4] 16/ 44 . caractérisé par le procédé de revêtement (C23C 16/04 a priorité) [4] 16/ 442 . . utilisant des procédés à lits fluidisés [7] 16/ 448 . . caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs [7] 16/ 452 . . . par activation de courants de gaz réactifs avant l'introduction dans la chambre de réaction, p.ex. par ionisation ou par addition d'espèces réactives [7] 16/ 453 . . en faisant passer les gaz de réaction à travers des brûleurs ou des torches, p.ex. CVD sous pression atmosphérique (C23C 16/513 a priorité; pour la pulvérisation de matériau de revêtement à l'état fondu à l'aide d'une flamme ou d'un plasma C23C 4/00) [7] 16/ 455 . . caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction [7] 16/ 458 . . caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction [7] 16/ 46 . . caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat (C23C 16/48, C23C 16/50 ont priorité) [4] 16/ 48 . . par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire [4] 16/ 50 . . au moyen de décharges électriques [4] 16/ 503 . . . utilisant des décharges à courant continu ou alternatif [7] 16/ 505 . . . utilisant des décharges à radiofréquence [7] 16/ 507 . . . . utilisant des électrodes externes, p.ex. dans des réacteurs de type tunnel [7] 16/ 509 . . . . utilisant des électrodes internes [7] 16/ 511 . . . utilisant des décharges à micro-ondes [7] 16/ 513 . . . utilisant des jets de plasma [7] 16/ 515 . . . utilisant des décharges pulsées [7] 16/ 517 . . . utilisant une combinaison de décharges couvertes par plusieurs des groupes C23C 16/503 à C23C 16/515 [7] 16/ 52 . . Commande ou régulation du processus de dépôt (commande ou régulation en général G05) [4] 16/ 54 . . Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu [4] 16/ 56 . Post-traitement [4] C23 - C23C 10/60 C23C 18/00 - C23C 30/00