English: Note Group 29/15 takes precedence over groups 29/16 to 29/26. [6] 29/ 16 . . . including, apart from doping materials or other impurities, only elements of the fourth group of the Periodic System in uncombined form [2] . . . . including two or more of the elements provided for in group 29/16 [2] . . . . . in different semiconductor regions [2] . . . . further characterised by the doping material [2] . . . Selenium or tellurium only, apart from doping materials or other impurities [2] . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds [2,6] . . . . including two or more compounds [2] . . . . . in different semiconductor regions [2] . . . . further characterised by the doping material [2] . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds [2] . . . . including two or more compounds [2] . . . . . in different semiconductor regions [2] . . . . further characterised by the doping material [2] . . . including, apart from doping materials or other impurities, only inorganic semiconductor materials not provided for in groups 29/16, 29/18, 29/20, 29/22 (including organic materials 51/00) [2] . . . including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups 29/16, 29/18, 29/20, 29/22, 29/24 [2] . . . . in different semiconductor regions [2] . . characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface [2] . . . the imperfections being within the semiconductor body [2] . . . the imperfections being on the surface [2] . . characterised by the concentration or distribution of impurities [2] . . characterised by combination of features provided for in two or more of the groups 29/04, 29/06, 29/12, 29/30, 29/36 [2] . Electrodes [2] . . characterised by their shape, relative sizes or dispositions [6] . . . carrying the current to be rectified, amplified or switched [6]
French: [6] 29/ 16 . . . comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée [2] . . . . comprenant plusieurs des éléments prévus en 29/16 [2] . . . . . dans différentes régions semiconductrices [2] . . . . caractérisés en outre par le matériau de dopage [2] . . . Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés [2] . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV [2,6] . . . . comprenant plusieurs composés [2] . . . . . dans différentes régions semiconductrices [2] . . . . caractérisés en outre par le matériau de dopage [2] . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI [2] . . . . comprenant plusieurs composés [2] . . . . . dans différentes régions semiconductrices [2] . . . . caractérisés en outre par le matériau de dopage [2] . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes 29/16, 29/18, 29/20, 29/22 (comprenant des matériaux organiques 51/00) [2] . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes 29/16, 29/18, 29/20, 29/22, 29/24 [2] . . . . dans différentes régions semiconductrices [2] . . caractérisés par des défectuosités physiques; ayant des surfaces polies ou rugueuses [2] . . . les défectuosités étant à l’intérieur du corps semi-conducteur [2] . . . les défectuosités étant sur la surface [2] . . caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés [2] . . caractérisés par les combinaisons de caractéristiques couvertes par plusieurs des groupes 29/04, 29/06, 29/12, 29/30, 29/36 [2] . Electrodes [2] . . caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative [6] . . . transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter [6] . . . ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter [6] . . caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées [6] . . . Electrodes à contact ohmique [6] . . . Electrodes à barrière de Schottky [6]