English: H 03 K 17/ 0812 . . . by measures taken in the control circuit [6] 17/ 0814 . . . by measures taken in the output circuit [6] 17/ 082 . . by feedback from the output to the control circuit [6] 17/ 10 . Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage [3] 17/ 12 . Modifications for increasing the maximum permissible switched current [3] 17/ 13 . Modifications for switching at zero crossing (generating an impulse at zero crossing 5/1536) [3] 17/ 14 . Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature [3] 17/ 16 . Modifications for eliminating interference voltages or currents [3] 17/ 18 . Modifications for indicating state of switch [3] 17/ 20 . Modifications for resetting core switching units to a predetermined state [3] 17/ 22 . Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied (bistable generators 3/12) [3] 17/ 24 . . Storing the actual state when the supply voltage fails [3] 17/ 26 . Modifications for temporary blocking after receipt of control pulses [3] 17/ 28 . Modifications for introducing a time delay before switching (modifications to provide a choice of timeintervals for executing more than one switching action 17/296) [3] 17/ 284 . . in field-effect transistor switches [3] 17/ 288 . . in tube switches [3] 17/ 292 . . in thyristor, unijunction transistor or programmable unijunction transistor switches [3] 17/ 296 . Modifications to provide a choice of time-intervals for executing more than one switching action and automatically terminating their operation after the programme is completed (electronic clocks comprising means to be operated at preselected times or after preselected time-intervals G 04 G 15/00) [3] 17/ 30 . Modifications for providing a predetermined threshold before switching (shaping pulses by thresholding 5/08) [3] 17/ 51 . characterised by the use of specified components (17/04 to 17/30, 17/94 take precedence) [3] 17/ 52 . . by the use, as active elements, of gas-filled tubes [3] 17/ 54 . . by the use, as active elements, of vacuum tubes (using diodes 17/74) [3] 17/ 56 . . by the use, as active elements, of semiconductor devices (using diodes 17/74) [3] 17/ 567 . . . Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT [6] 17/ 58 . . . the devices being tunnel diodes [3] 17/ 60 . . . the devices being bipolar transistors (bipolar transistors having four or more electrodes 17/72) [3] 17/ 605 . . . . with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit (17/78 takes precedence) [5] . . . . . using transformer coupling [5] . . . . in a Darlington configuration [5] . . . . Switching arrangements with several inputor output-terminals, e.g. multiplexers, distributors (logic circuits 19/00; code converters H 03 M 5/00, 7/00) [3] . . . . having inductive loads [3] . . . . Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will [3] . . . . specially adapted for switching ac currents or voltages [3] . . . the devices being field-effect transistors [3] . . . . with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit (17/78 takes precedence) [5] . . . . . using transformer coupling [5] . . . . Switching arrangements with several inputor output-terminals, e.g. multiplexers, distributors (logic circuits 19/00; code converters H 03 M 5/00, 7/00) [3] . . . . having inductive loads (protecting switching circuit against inductive flyback voltage 17/08) [6] . . . the devices having only two electrodes and exhibiting negative resistance (the devices being tunnel diodes 17/58) [3] . . . Bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, e.g. thyristors, programmable unijunction transistors, or with more than three electrodes, e.g. silicon controlled switches, or with more than one electrode connected to the same conductivity region, e.g. unijunction transistors [3] . . . . with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit (17/78 takes precedence) [5] . . . . . using transformer coupling [5] . . . . for ac voltages or currents (17/722, 17/735 take precedence) [3,5] . . . . for dc voltages or currents (17/722, 17/735 take precedence) [3,5] . . . . . Measures for enabling turn-off [5] . . . . Switching arrangements with several inputor output-terminals, e.g. multiplexers, distributors (17/722 takes precedence; logic circuits 19/00; code converters H 03 M 5/00, 7/00) [3,5] . . by the use, as active elements, of diodes (by the use of more than one type of semiconductor device 17/567; by the use of tunnel diodes 17/58; by the use of negative resistance diodes 17/70) [3]
French: H 03 K 17/ 0812 . . . par des dispositions prises dans le circuit de commande [6] 17/ 0814 . . . par des dispositions prises dans le circuit de sortie [6] 17/ 082 . . par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande [6] 17/ 10 . Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible [3] 17/ 12 . Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible [3] 17/ 13 . Modifications pour commuter lors du passage par zéro (production d’une impulsion lors du passage par zéro 5/1536) [3] 17/ 14 . Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p.ex. de la température [3] 17/ 16 . Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites [3] 17/ 18 . Modifications pour indiquer l’état d’un commutateur [3] 17/ 20 . Modifications pour ramener les organes de commutation à noyau à un état prédéterminé [3] 17/ 22 . Modifications pour assurer un état initial prédéterminé quand la tension d’alimentation a été appliquée (générateurs bistables 3/12) [3] 17/ 24 . . mettant en mémoire l’état réel quand la tension d’alimentation fait défaut [3] 17/ 26 . Modifications pour assurer un blocage temporaire après réception des impulsions de commande [3] 17/ 28 . Modifications pour introduire un retard avant commutation (modifications pour permettre un choix d’intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation 17/296) [3] 17/ 284 . . dans les commutateurs à transistors à effet de champ [3] 17/ 288 . . dans les commutateurs à tubes [3] 17/ 292 . . dans les commutateurs à thyristor, à transistor unijonction ou à transistor unijonction programmable [3] 17/ 296 . Modifications pour permettre un choix d’intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation et arrêtant automatiquement leur fonctionnement lorsque le programme est terminé (garde-temps électroniques comportant des moyens destinés à être actionnés à des instants choisis à l’avance ou après des intervalles de temps prédéterminés G 04 G 15/00) [3] 17/ 30 . Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation (mise en forme d’impulsions par application d’un seuil 5/08) [3] 17/ 51 . caractérisée par l’utilisation de composants spécifiés (17/04 à 17/30, 17/94 ont priorité) [3] 17/ 52 . . par l’utilisation, comme éléments actifs, de tubes à atmosphère gazeuse [3] 17/ 54 . . par l’utilisation, comme éléments actifs, de tubes à vide (utilisant des diodes 17/74) [3] 17/ 56 . . par l’utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs (utilisant des diodes 17/74) [3] 17/ 567 . . . Circuits caractérisés par l’utilisation d’au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT [6] 17/ 58 . . . les dispositifs étant des diodes tunnel [3] 17/ 60 . . . les dispositifs étant des transistors bipolaires (transistors bipolaires comportant au moins quatre électrodes 17/72) [3] 17/ 605 . . . . avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie (17/78 a priorité) [5] . . . . . utilisant un couplage par transformateur [5] . . . . dans une configuration Darlington [5] . . . . Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d’entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs (circuits logiques 19/00; convertisseurs de code H 03 M 5/00, 7/00) [3] . . . . à charges inductives [3] . . . . Dispositifs de commutation pour faire passer le courant dans une direction ou dans l’autre à volonté; Dispositifs de commutation pour inverser le sens du courant à volonté [3] . . . . spécialement adaptée pour commuter des courants ou des tensions alternatifs [3] . . . les dispositifs étant des transistors à effet de champ [3] . . . . avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie (17/78 a priorité) [5] . . . . . utilisant un couplage par transformateur [5] . . . . Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d’entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs (circuits logiques 19/00; convertisseurs de code H 03 M 5/00, 7/00) [3] . . . . à charges inductives (protection des circuits de commutation contre une tension induite au retour du cycle 17/08) [6] . . . les dispositifs comportant uniquement deux électrodes et présentant une résistance négative (des dispositifs étant des diodes tunnel 17/58) [3] . . . Dispositifs à semi-conducteurs bipolaires comportant au moins trois jonctions PN, p.ex. thyristors, transistors unijonction programmables, ou comportant au moins quatre électrodes, p.ex. commutateurs commandés au silicium, ou comportant deux électrodes connectées à la même région de conductivité, p.ex. transistors unijonction [3] . . . . avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie (17/78 a priorité) [5] . . . . . utilisant un couplage par transformateur [5] . . . . pour des tensions ou des courants alternatifs (17/722, 17/735 ont priorité) [3,5] . . . . pour des tensions ou des courants continus (17/722, 17/735 ont priorité) [3,5] . . . . . Mesures pour permettre le blocage [5] . . . . Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d’entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs (17/722 a priorité; circuits logiques 19/00; convertisseurs de code H 03 M 5/00, 7/00) [3,5] . . par l’utilisation, comme éléments actifs, de diodes (par l’utilisation, d’au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs 17/567; par l’utilisation de diodes tunnel 17/58; par l’utilisation de diodes à résistance négative 17/70) [3]