English: [6] 29/ 16 . . . including, apart from doping materials or other impurities, only elements of the fourth group of the Periodic System in uncombined form [2] 29/ 161 . . . . including two or more of the elements provided for in group H01L 29/16 [2] 29/ 165 . . . . . in different semiconductor regions [2] 29/ 167 . . . . further characterised by the doping material [2] 29/ 18 . . . Selenium or tellurium only, apart from doping materials or other impurities [2] 29/ 20 . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds [2,6] 29/ 201 . . . . including two or more compounds [2] 29/ 205 . . . . . in different semiconductor regions [2] 29/ 207 . . . . further characterised by the doping material [2] 29/ 22 . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds [2] 29/ 221 . . . . including two or more compounds [2] 29/ 225 . . . . . in different semiconductor regions [2] 29/ 227 . . . . further characterised by the doping material [2] 29/ 24 . . . including, apart from doping materials or other impurities, only inorganic semiconductor materials not provided for in groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22 (including organic materials H01L 51/00) [2] 29/ 26 . . . including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24 [2] 29/ 267 . . . . in different semiconductor regions [2] 29/ 30 . . characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface [2] 29/ 32 . . . the imperfections being within the semiconductor body [2] 29/ 34 . . . the imperfections being on the surface [2] 29/ 36 . . characterised by the concentration or distribution of impurities [2] 29/ 38 . . characterised by combination of features provided for in two or more of the groups H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36 [2] 29/ 40 . Electrodes [2] 29/ 41 . . characterised by their shape, relative sizes or dispositions [6] 29/ 417 . . . carrying the current to be rectified, amplified or switched [6] 29/ 423 . . . not carrying the current to be rectified, amplified or switched [6] 29/ 43 . . characterised by the materials of which they are formed [6] 29/ 45 . . . Ohmic electrodes [6] 29/ 47 . . . Schottky barrier electrodes [6] 29/ 49 . . . Metal-insulator semiconductor electrodes [6] 29/ 51 . . . . Insulating materials associated therewith [6] 29/ 66 . Types of semiconductor device [2] 29/ 68 . . controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2] 29/ 70 . . . Bipolar devices [2] 29/ 72 . . . . Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals [2] 29/ 73 . . . . . Bipolar junction transistors [5] 29/ 732 . . . . . . Vertical transistors [6] 29/ 735 . . . . . . Lateral transistors [6] 29/ 737 . . . . . . Hetero-junction transistors [6] 29/ 739 . . . . . controlled by field effect [6] 29/ 74 . . . . Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action [2] 29/ 744 . . . . . Gate-turn-off devices [6] 29/ 745 . . . . . . with turn-off by field effect [6] 29/ 747 . . . . . Bidirectional devices, e.g. triacs [2] 29/ 749 . . . . . with turn-on by field effect [6] 29/ 76 . . . Unipolar devices [2] 29/ 762 . . . . Charge transfer devices [6] 29/ 765 . . . . . Charge-coupled devices [6] 29/ 768 . . . . . . with field effect produced by an insulated gate [6] 29/ 772 . . . . Field-effect transistors [6] 29/ 775 . . . . . with one-dimensional charge carrier gas channel, e.g. quantum wire FET [6] 29/ 778 . . . . . with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT [6] 29/ 78 . . . . . with field effect produced by an insulated gate [2] 29/ 786 . . . . . . Thin-film transistors [6] 29/ 788 . . . . . . with floating gate [5] 29/ 792 . . . . . . with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistor [5] 29/ 80 . . . . . with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate [2] 29/ 808 . . . . . . with a PN junction gate [5] 29/ 812 . . . . . . with a Schottky gate [5] 29/ 82 . . controllable by variation of the magnetic field applied to the device (H01L 29/96 takes precedence) [2,6] 29/ 84 . . controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure (H01L 29/96 takes precedence) [2,6] 29/ 86 . . controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated, or switched (H01L 29/96 takes precedence) [2] 29/ 8605 . . . Resistors with PN junction [6] 29/ 861 . . . Diodes [6] 29/ 862 . . . . Point contact diodes [6] 29/ 864 . . . . Transit-time diodes, e.g. IMPATT, TRAPATT diodes [6] 29/ 866 . . . . Zener diodes [6] 29/ 868 . . . . PIN diodes [6] 29/ 87 . . . . Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes [6] 29/ 872 . . . . Schottky diodes [6] 29/ 88 . . . . Tunnel-effect diodes [2] 29/ 885 . . . . . Esaki diodes [6] 29/ 92 . . . Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier [2] 29/ 93 . . . . Variable-capacitance diodes, e.g. varactors [2] 29/ 94 . . . . Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS [2] 29/ 96 . . of a type covered by more than one of groups H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 or H01L 29/86 [2] H01L 23/00 - H01L 25/18 H01L 31/00 - H01L 31/20
French: [6] 29/ 16 . . . comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée [2] 29/ 161 . . . . comprenant plusieurs des éléments prévus en H01L 29/16 [2] 29/ 165 . . . . . dans différentes régions semi-conductrices [2] 29/ 167 . . . . caractérisés en outre par le matériau de dopage [2] 29/ 18 . . . Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés [2] 29/ 20 . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV [2,6] 29/ 201 . . . . comprenant plusieurs composés [2] 29/ 205 . . . . . dans différentes régions semi-conductrices [2] 29/ 207 . . . . caractérisés en outre par le matériau de dopage [2] 29/ 22 . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI [2] 29/ 221 . . . . comprenant plusieurs composés [2] 29/ 225 . . . . . dans différentes régions semi-conductrices [2] 29/ 227 . . . . caractérisés en outre par le matériau de dopage [2] 29/ 24 . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22 (comprenant des matériaux organiques H01L 51/00) [2] 29/ 26 . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24 [2] 29/ 267 . . . . dans différentes régions semi-conductrices [2] 29/ 30 . . caractérisés par des défectuosités physiques; ayant des surfaces polies ou rugueuses [2] 29/ 32 . . . les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur [2] 29/ 34 . . . les défectuosités étant sur la surface [2] 29/ 36 . . caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés [2] 29/ 38 . . caractérisés par les combinaisons de caractéristiques couvertes par plusieurs des groupes H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36 [2] 29/ 40 . Electrodes [2] 29/ 41 . . caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative [6] 29/ 417 . . . transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter [6] 29/ 423 . . . ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter [6] 29/ 43 . . caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées [6] 29/ 45 . . . Electrodes à contact ohmique [6] 29/ 47 . . . Electrodes à barrière de Schottky [6] 29/ 49 . . . Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur [6] 29/ 51 . . . . Matériaux isolants associés à ces électrodes [6] 29/ 66 . Types de dispositifs semi-conducteurs [2] 29/ 68 . . commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter (H01L 29/96 a priorité) [2] 29/ 70 . . . Dispositifs bipolaires [2] 29/ 72 . . . . Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués [2] 29/ 73 . . . . . Transistors bipolaires à jonction [5] 29/ 732 . . . . . . Transistors verticaux [6] 29/ 735 . . . . . . Transistors latéraux [6] 29/ 737 . . . . . . Transistors à hétérojonction [6] 29/ 739 . . . . . commandés par effet de champ [6] 29/ 74 . . . . Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones [2] 29/ 744 . . . . . Dispositifs désamorçables par la gâchette [6] 29/ 745 . . . . . . désamorcés par effet de champ [6] 29/ 747 . . . . . Dispositifs bidirectionnels, p.ex. triacs [2] 29/ 749 . . . . . amorcés par effet de champ [6] 29/ 76 . . . Dispositifs unipolaires [2] 29/ 762 . . . . Dispositifs à transfert de charge [6] 29/ 765 . . . . . Dispositifs à couplage de charge [6] 29/ 768 . . . . . . l'effet de champ étant produit par une porte isolée [6] 29/ 772 . . . . Transistors à effet de champ [6] 29/ 775 . . . . . avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique [6] 29/ 778 . . . . . avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT [6] 29/ 78 . . . . . l'effet de champ étant produit par une porte isolée [2] 29/ 786 . . . . . . Transistors à couche mince [6] 29/ 788 . . . . . . à grille flottante [5] 29/ 792 . . . . . . à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS [5] 29/ 80 . . . . . l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse [2] 29/ 808 . . . . . . à jonction PN [5] 29/ 812 . . . . . . à grille Schottky [5] 29/ 82 . . commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif (H01L 29/96 a priorité) [2,6] 29/ 84 . . commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression (H01L 29/96 a priorité) [2,6] 29/ 86 . . commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter (H01L 29/96 a priorité) [2] 29/ 8605 . . . Résistances à jonction PN [6] 29/ 861 . . . Diodes [6] 29/ 862 . . . . Diodes à contact à pointe [6] 29/ 864 . . . . Diodes à temps de transit, p.ex. diodes IMPATT, TRAPATT [6] 29/ 866 . . . . Diodes Zener [6] 29/ 868 . . . . Diodes PIN [6] 29/ 87 . . . . Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement [6] 29/ 872 . . . . Diodes Schottky [6] 29/ 88 . . . . Diodes à effet tunnel [2] 29/ 885 . . . . . Diodes Esaki [6] 29/ 92 . . . Condensateurs avec barrière de potentiel ou barrière de surface [2] 29/ 93 . . . . Diodes à capacité variable, p.ex. varactors [2] 29/ 94 . . . . Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS [2] 29/ 96 . . d'un type couvert par plus d'un des groupes H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 ou H01L 29/86 [2] H01L 23/00 - H01L 25/18 H01L 31/00 - H01L 31/20