English: 7/ 00 Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material (consisting of loose powdered or granular material H 01 C 8/00; resistors with a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. field effect resistors, H 01 L 29/00; semiconductor devices sensitive to electromagnetic or corpuscular radiation, e.g. photoresistors, H 01 L 31/00; devices using superconductivity or hyperconductivity H 01 L 39/00; devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects, e.g. magnetic-field-controlled resistors, H 01 L 43/00; solid state devices for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier H 01 L 45/00; bulk negative resistance effect devices H 01 L 47/00) [2] 7/ 02 . having positive temperature coefficient 7/ 04 . having negative temperature coefficient 7/ 06 . including means to minimise changes in resistance with changes in temperature 7/ 10 . voltage responsive, i.e. varistors [6] 7/ 102 . . Varistor boundary, e.g. surface layers (H 01 C 7/12 takes precedence) [6] 7/ 105 . . Varistor cores (H 01 C 7/12 takes precedence) [6] 7/ 108 . . . Metal oxide [6] 7/ 112 . . . . ZnO type [6] 7/ 115 . . . . Titanium dioxide- or titanate type [6] 7/ 118 . . . Carbide, e.g. SiC type [6] 7/ 12 . . Overvoltage protection resistors; Arresters [3] 7/ 13 . current-responsive [2] Note
French: 7/ 00 Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtements; Résistances fixes constituées de matériau conducteur en poudre ou de matériau semi-conducteur en poudre avec ou sans matériau isolant (constituées de matériau pulvérulent ou granulaire H 01 C 8/00; résistances avec une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. résistances à effet de champ, H 01 L 29/00; dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement électromagnétique ou corpusculaire, p.ex. cellules photo-résistantes, H 01 L 31/00; dispositifs présentant de la supraconductivité ou de l'hyperconductivité H 01 L 39/00; dispositifs présentant des effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques similaires, p.ex. résistances commandées par un champ magnétique, H 01 L 43/00; dispositifs à l'état solide sans barrière de potentiel ou barrière de surface pour redresser, amplifier, commuter ou engendrer des oscillations H 01 L 45/00; dispositifs à résistance négative à effet de volume H 01 L 47/00) [2] 7/ 02 . à coefficient de température positif 7/ 04 . à coefficient de température négatif 7/ 06 . présentant des moyens pour réduire au minimum les variations de résistance dépendantes des variations de température 7/ 10 . sensibles à la tension, p.ex. varistances [6] 7/ 102 . . Couche-barrière de varistance, p.ex. couches de surface (H 01 C 7/12 a priorité) [6] 7/ 105 . . Noyaux de varistance (H 01 C 7/12 a priorité) [6] 7/ 108 . . . en oxyde métallique [6] 7/ 112 . . . . du type ZnO [6] 7/ 115 . . . . du type dioxyde de titane ou titanate [6] 7/ 118 . . . en carbure, p.ex. du type SiC [6] 7/ 12 . . Résistances de protection contre les surtensions; Parafoudres [3] 7/ 13 . sensibles au courant [2] Note