English: Details of stores covered by group G11C 11/00 . Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array . Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring . Apparatus or processes for interconnecting storage elements, e.g. for threading magnetic cores . Power supply arrangements (auxiliary circuits for stores using semiconductor devices G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/34; in general G05F, H02J, H02M) [5,7] Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store (G11C 5/00 takes precedence; auxiliary circuits for stores using semiconductor devices G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/34) [2,5] . with means for avoiding parasitic signals . with means for avoiding disturbances due to temperature effects . Sense amplifiers; Associated circuits (amplifiers per se H03F, H03K) [1,7] . Input/output (I/O) data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers (level conversion circuits in general H03K 19/0175) [7] Arrangements for selecting an address in a digital store (auxiliary circuits for stores using semiconductor devices G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/34) [2,5] . using selecting matrix [2] . using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter (using first in first out (FIFO) registers for changing speed of digital data flow G06F 5/06; using last in first out (LIFO) registers for processing digital data by operating upon their order G06F 7/00) [5] Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor (G11C 14/00 to G11C 21/00 take precedence) [5]
French: Détails de mémoires couverts par le groupe G11C 11/00 . Disposition d’éléments d’emmagasinage, p.ex. sous la forme d’une matrice . Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d’emmagasinage . Appareils ou procédés pour interconnecter des éléments d’emmagasinage, p.ex. pour enfiler des noyaux magnétiques . Dispositions pour l’alimentation (circuits auxiliaires pour mémoires utilisant des dispositifs à semiconducteurs, G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/34; en général G05F, H02J, H02M) [5,7] Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique (G11C 5/00 a priorité; circuits auxiliaires pour mémoires utilisant des dispositifs à semi-conducteurs G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/34) [2,5] . avec des moyens d’éviter les signaux parasites . avec des moyens d’éviter les effets perturbateurs thermiques . Amplificateurs de lecture; Circuits associés (amplificateurs en soi H03F, H03K) [1,7] . Dispositions d’interface d’entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S (circuits de conversion de niveau en général H03K 19/0175) [7] Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique (circuits auxiliaires pour mémoires utilisant des dispositifs à semi-conducteurs G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/34) [2,5] . utilisant une matrice de sélection [2] . utilisant un dispositif d’adressage séquentiel, p.ex. registre à décalage, compteur (utilisant des registres du type file d’attente (FIFO) pour modifier la vitesse de débit des données numériques G06F 5/06; utilisant des registres du type pile d’assiettes (LIFO) pour le traitement de données numériques en agissant sur leur ordre G06F 7/00) [5] Mémoires numériques caractérisées par l’utilisation d’éléments d’emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d’emmagasinage correspondants (G11C 14/00 à G11C 21/00 ont priorité) [5]