English: 14/ 00 Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material (discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge H 01 J 37/00) [4] 14/ 02 . Pretreatment of the material to be coated (C 23 C 14/04 takes precedence) [4] 14/ 04 . Coating on selected surface areas, e.g. using masks [4] 14/ 06 . characterised by the coating material (C 23 C 14/04 takes precedence) [4] 14/ 08 . . Oxides (C 23 C 14/10 takes precedence) [4] 14/ 10 . . Glass or silica [4] 14/ 12 . . Organic material [4] 14/ 14 . . Metallic material, boron or silicon [4] 14/ 16 . . . on metallic substrates or on substrates of boron or silicon [4] 14/ 18 . . . on other inorganic substrates [4] 14/ 20 . . . on organic substrates [4] 14/ 22 . characterised by the process of coating [4] 14/ 24 . . Vacuum evaporation [4] 14/ 26 . . . by resistance or inductive heating of the source [4] 14/ 28 . . . by wave energy or particle radiation (C 23 C 14/32 to C 23 C 14/48 take precedence) [4] 14/ 30 . . . . by electron bombardment [4] 14/ 32 . . . by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours (C 23 C 14/34 to C 23 C 14/48 take precedence) [4] 14/ 34 . . Sputtering [4] 14/ 35 . . . by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering [5] 14/ 36 . . . Diode sputtering (C 23 C 14/35 takes precedence) [4,5] 14/ 38 . . . . by direct current glow discharge [4] 14/ 40 . . . . with alternating current discharge, e.g. high-frequency discharge [4] 14/ 42 . . . Triode sputtering (C 23 C 14/35 takes precedence) [4,5] 14/ 44 . . . . by application of high frequencies and additional direct voltages [4] 14/ 46 . . . by ion beam produced by an external ion source (C 23 C 14/40 takes precedence) [4] 14/ 48 . . Ion implantation [4] 14/ 50 . . Substrate holders [4] 14/ 52 . . Means for observation of the coating process [4] 14/ 54 . . Controlling or regulating the coating process (controlling or regulating in general G 05) [4] 14/ 56 . . Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks [4] 14/ 58 . After-treatment [4]
French: 14/ 00 Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement (tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge H 01 J 37/00) [4] 14/ 02 . Pré-traitement du matériau à revêtir (C 23 C 14/04 a priorité) [4] 14/ 04 . Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques [4] 14/ 06 . caractérisé par le matériau de revêtement (C 23 C 14/04 a priorité) [4] 14/ 08 . . Oxydes (C 23 C 14/10 a priorité) [4] 14/ 10 . . Verre ou silice [4] 14/ 12 . . Composé organique [4] 14/ 14 . . Matériau métallique, bore ou silicium [4] 14/ 16 . . . sur des substrats métalliques, en bore ou en silicium [4] 14/ 18 . . . sur d'autres substrats minéraux [4] 14/ 20 . . . sur des substrats organiques [4] 14/ 22 . caractérisé par le procédé de revêtement [4] 14/ 24 . . Evaporation sous vide [4] 14/ 26 . . . par chauffage de la source par induction ou par résistance [4] 14/ 28 . . . par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire (C 23 C 14/32 à C 23 C 14/48 ont priorité) [4] 14/ 30 . . . . par bombardement d'électrons [4] 14/ 32 . . . par explosion; par évaporation suivie d'une ionisation des vapeurs (C 23 C 14/34 à C 23 C 14/48 ont priorité) [4] 14/ 34 . . Pulvérisation cathodique [4] 14/ 35 . . . par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron [5] 14/ 36 . . . Pulvérisation au moyen de diode (C 23 C 14/35 a priorité) [4,5] 14/ 38 . . . . par décharge luminescente à courant continu [4] 14/ 40 . . . . par décharge à courant alternatif, p.ex. par décharge haute-fréquence [4] 14/ 42 . . . Pulvérisation au moyen de triode (C 23 C 14/35 a priorité) [4,5] 14/ 44 . . . . en utilisant des hautes fréquences et des potentiels continus additionnels [4] 14/ 46 . . . par un faisceau d'ions produit par une source d'ions externe (C 23 C 14/40 a priorité) [4] 14/ 48 . . Implantation d'ions [4] 14/ 50 . . Porte-substrat [4] 14/ 52 . . Dispositifs pour observer le processus de revêtement [4] 14/ 54 . . Commande ou régulation du processus de revêtement (commande ou régulation en général G 05) [4] 14/ 56 . . Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche [4] 14/ 58 . Post-traitement [4]