English: 31/ 00 Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/00 takes precedence; devices consisting of a plurality of solid state components formed in, or on, a common substrate, other than combinations of radiation-sensitive components with one or more electric light sources, H01L 27/00; roof covering aspects of energy collecting devices E04D 13/18; production of heat using solar heat F24J 2/00; measurement of X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation or cosmic radiation with semiconductor detectors G01T 1/24, with resistance detectors G01T 1/26; measurement of neutron radiation with semiconductor detectors G01T 3/08; couplings of light guides with optoelectronic elements G02B 6/42; obtaining energy from radioactive sources G21H) [2,6] 31/ 02 . Details [2] 31/ 0203 . . Containers; Encapsulations [5] 31/ 0216 . . Coatings [5] 31/ 0224 . . Electrodes [5] 31/ 0232 . . Optical elements or arrangements associated with the device [5] 31/ 0236 . . Special surface textures [5] 31/ 024 . . Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation [5] 31/ 0248 . characterised by their semiconductor bodies [5] 31/ 0256 . . characterised by the material [5] 31/ 0264 . . . Inorganic materials [5] 31/ 0272 . . . . Selenium or tellurium [5] 31/ 028 . . . . including, apart from doping material or other impurities, only elements of the fourth group of the Periodic System [5] 31/ 0288 . . . . . characterised by the doping material [5] 31/ 0296 . . . . including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe [5] 31/ 0304 . . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds [5] 31/ 0312 . . . . including, apart from doping materials or other impurities, only AIVBIV compounds, e.g. SiC [5] 31/ 032 . . . . including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L 31/0272 to H01L 31/0312 [5] 31/ 0328 . . . . including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L 31/0272 to H01L 31/032 [5] 31/ 0336 . . . . . in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero-junctions, X being an element of the sixth group of the Periodic System [5] 31/ 0352 . . characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions [5] 31/ 036 . . characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes [5] 31/ 0368 . . . including polycrystalline semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [5] 31/ 0376 . . . including amorphous semiconductors (H01L 31/0392 takes precedence) [5] 31/ 0384 . . . including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material (H01L 31/0392 takes precedence) [5] 31/ 0392 . . . including thin films deposited on metallic or insulating substrates [5] 31/ 04 . adapted as conversion devices [2] 31/ 042 . . including a panel or array of photoelectric cells, e.g. solar cells [5] 31/ 045 . . . collapsible or foldable [5] 31/ 048 . . . encapsulated or with housing [5] 31/ 05 . . . characterised by special interconnection means [5] 31/ 052 . . . with cooling, light-reflecting or light- concentrating means [5] 31/ 055 . . . . where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the concentrator, e.g. by using luminescent material [5] 31/ 058 . . . including means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems, or a supplementary source of electric energy (using solar heat in general F24J 2/00) [5] 31/ 06 . . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier [2] 31/ 062 . . . the potential barriers being only of the metal-insulator-semiconductor type [5] 31/ 065 . . . the potential barriers being only of the graded gap type [5] 31/ 068 . . . the potential barriers being only of the PN homojunction type [5] 31/ 07 . . . the potential barriers being only of the Schottky type [5] 31/ 072 . . . the potential barriers being only of the PN heterojunction type [5] 31/ 075 . . . the potential barriers being only of the PIN type [5] 31/ 078 . . . including potential barriers provided for in two or more of groups H01L 31/062 to H01L 31/075 [5] 31/ 08 . in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors [2] 31/ 09 . . Devices sensitive to infra-red, visible or ultra- violet radiation (H01L 31/101 takes precedence) [5] 31/ 10 . . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors [2] 31/ 101 . . . Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation [5] 31/ 102 . . . . characterised by only one potential barrier or surface barrier [5] 31/ 103 . . . . . the potential barrier being of the PN homojunction type [5] 31/ 105 . . . . . the potential barrier being of the PIN type [5] 31/ 107 . . . . . the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode [5] 31/ 108 . . . . . the potential barrier being of the Schottky type [5] 31/ 109 . . . . . the potential barrier being of the PN heterojunction type [5] 31/ 11 . . . . characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor [5] 31/ 111 . . . . characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristor [5] 31/ 112 . . . . characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect photo- transistor [5] 31/ 113 . . . . . being of the conductor-insulator- semiconductor type, e.g. metal- insulator-semiconductor field-effect transistor [5] 31/ 115 . . . Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation [5] 31/ 117 . . . . of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors [5] 31/ 118 . . . . of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors [5] 31/ 119 . . . . characterised by field-effect operation, e.g. MIS type detectors [5] 31/ 12 . structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto (semiconductor devices with at least one potential barrier or surface barrier adapted for light emission H01L 33/00; amplifiers using electroluminescent element and photocell H03F 17/00; electroluminescent light sources per se H05B 33/00) [2,5] 31/ 14 . . the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers, image storage devices [2] 31/ 147 . . . the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier [5] 31/ 153 . . . . formed in, or on, a common substrate [5] 31/ 16 . . the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources [2] 31/ 167 . . . the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier [5] 31/ 173 . . . . formed in, or on, a common substrate [5] 31/ 18 . Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof (not peculiar thereto H01L 21/00) [2] 31/ 20 . . such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor material [5] H01L 27/00 - H01L 29/96 H01L 33/00 - H01L 101:00
French: 31/ 00 Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails (H01L 51/00 a priorité; dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun, autres que les assemblages de composants sensibles au rayonnement avec une ou plusieurs sources de lumière électrique H01L 27/00; aspects couverture de toit des dispositifs collecteurs d'énergie E04D 13/18; production de chaleur utilisant la chaleur solaire F24J 2/00; mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques avec des détecteurs à semi-conducteurs G01T 1/24, avec des détecteurs à résistance G01T 1/26; mesure de flux de neutrons avec des détecteurs à semi-conducteurs G01T 3/08; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques G02B 6/42; obtention d'énergie à partir de sources radioactives G21H) [2,6] 31/ 02 . Détails [2] 31/ 0203 . . Conteneurs; Capsulations [5] 31/ 0216 . . Revêtements [5] 31/ 0224 . . Electrodes [5] 31/ 0232 . . Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif [5] 31/ 0236 . . Textures de surface particulières [5] 31/ 024 . . Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température [5] 31/ 0248 . caractérisés par leurs corps semi-conducteurs [5] 31/ 0256 . . caractérisés par les matériaux [5] 31/ 0264 . . . Matériaux inorganiques [5] 31/ 0272 . . . . Sélénium ou tellure [5] 31/ 028 . . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique [5] 31/ 0288 . . . . . caractérisés par le matériau de dopage [5] 31/ 0296 . . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe [5] 31/ 0304 . . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV [5] 31/ 0312 . . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC [5] 31/ 032 . . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L 31/0272 à H01L 31/0312 [5] 31/ 0328 . . . . comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes H01L 31/0272 à H01L 31/032 [5] 31/ 0336 . . . . . dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du sixième groupe de la classification périodique [5] 31/ 0352 . . caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices [5] 31/ 036 . . caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins [5] 31/ 0368 . . . comprenant des semi-conducteurs polycristallins (H01L 31/0392 a priorité) [5] 31/ 0376 . . . comprenant des semi-conducteurs amorphes (H01L 31/0392 a priorité) [5] 31/ 0384 . . . comprenant d'autres matériaux non cristallins, p.ex. des particules semi-conductrices incorporées dans un matériau isolant (H01L 31/0392 a priorité) [5] 31/ 0392 . . . comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants [5] 31/ 04 . adaptés comme dispositifs de conversion [2] 31/ 042 . . comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires [5] 31/ 045 . . . escamotables ou pliables [5] 31/ 048 . . . encapsulés ou ayant un boîtier [5] 31/ 05 . . . caractérisés par des moyens d'interconnexion particuliers [5] 31/ 052 . . . avec des moyens de refroidissement ou des moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière [5] 31/ 055 . . . . la lumière étant absorbée par le concentrateur et réémise avec une longueur d'onde différente, p.ex. en utilisant un matériau luminescent [5] 31/ 058 . . . comprenant des moyens pour utiliser l'énergie thermique, p.ex. systèmes hybrides, ou une source additionnelle d'énergie électrique (utilisant l'énergie solaire en général F24J 2/00) [5] 31/ 06 . . caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface [2] 31/ 062 . . . les barrières de potentiel étant uniquement du type métal-isolant-semi-conducteur [5] 31/ 065 . . . les barrières de potentiel étant uniquement du type à bande interdite graduelle [5] 31/ 068 . . . les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à homojonction [5] 31/ 07 . . . les barrières de potentiel étant uniquement du type Schottky [5] 31/ 072 . . . les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction [5] 31/ 075 . . . les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN [5] 31/ 078 . . . comprenant des barrières de potentiel couvertes par plusieurs des groupes H01L 31/062 à H01L 31/075 [5] 31/ 08 . dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances [2] 31/ 09 . . Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet (H01L 31/101 a priorité) [5] 31/ 10 . . caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors [2] 31/ 101 . . . Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet [5] 31/ 102 . . . . caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface [5] 31/ 103 . . . . . la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction [5] 31/ 105 . . . . . la barrière de potentiel étant du type PIN [5] 31/ 107 . . . . . la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche [5] 31/ 108 . . . . . la barrière de potentiel étant du type Schottky [5] 31/ 109 . . . . . la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction [5] 31/ 11 . . . . caractérisés par deux barrières de potentiel ou de surface, p.ex. phototransistor bipolaire [5] 31/ 111 . . . . caractérisés par au moins trois barrières de potentiel, p.ex. photothyristor [5] 31/ 112 . . . . caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction [5] 31/ 113 . . . . . du type conducteur-isolant-semi-conducteur, p.ex. transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur [5] 31/ 115 . . . Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire [5] 31/ 117 . . . . du type détecteurs de rayonnement à effet de volume, p.ex. détecteurs PIN en Ge compensés au Li pour rayons gamma [5] 31/ 118 . . . . du type détecteurs à barrière de surface ou à jonction PN superficielle, p.ex. détecteurs de particules alpha à barrière de surface [5] 31/ 119 . . . . caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS [5] 31/ 12 . structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources de lumière électriques, p.ex. avec des sources de lumière électro-luminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec les dites sources (dispositifs semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou de surface adaptés pour l'émission de lumière H01L 33/00; amplificateurs utilisant un élément électro-luminescent ou une cellule photo-électrique H03F 17/00; sources de lumière électro-luminescentes en soi H05B 33/00) [2,5] 31/ 14 . . la ou les sources de lumière étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images, dispositifs de stockage d'image [2] 31/ 147 . . . les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface [5] 31/ 153 . . . . formés dans, ou sur un substrat commun [5] 31/ 16 . . le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources de lumière [2] 31/ 167 . . . les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface [5] 31/ 173 . . . . formés dans, ou sur un substrat commun [5] 31/ 18 . Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (non particuliers pour ces dispositifs H01L 21/00) [2] 31/ 20 . . les dispositifs ou leurs parties constitutives comprenant un matériau semi-conducteur amorphe [5] H01L 27/00 - H01L 29/96 H01L 33/00 - H01L 101:00