English: 14/ 00 Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material (discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge H01J 37/00) [4] 14/ 02 . Pretreatment of the material to be coated (C23C 14/04 takes precedence) [4] 14/ 04 . Coating on selected surface areas, e.g. using masks [4] 14/ 06 . characterised by the coating material (C23C 14/04 takes precedence) [4] 14/ 08 . . Oxides (C23C 14/10 takes precedence) [4] 14/ 10 . . Glass or silica [4] 14/ 12 . . Organic material [4] 14/ 14 . . Metallic material, boron or silicon [4] 14/ 16 . . . on metallic substrates or on substrates of boron or silicon [4] 14/ 18 . . . on other inorganic substrates [4] 14/ 20 . . . on organic substrates [4] 14/ 22 . characterised by the process of coating [4] 14/ 24 . . Vacuum evaporation [4] 14/ 26 . . . by resistance or inductive heating of the source [4] 14/ 28 . . . by wave energy or particle radiation (C23C 14/32 to C23C 14/48 take precedence) [4] 14/ 30 . . . . by electron bombardment [4] 14/ 32 . . . by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours (C23C 14/34 to C23C 14/48 take precedence) [4] 14/ 34 . . Sputtering [4] 14/ 35 . . . by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering [5] 14/ 36 . . . Diode sputtering (C23C 14/35 takes precedence) [4,5] 14/ 38 . . . . by direct current glow discharge [4] 14/ 40 . . . . with alternating current discharge, e.g. high-frequency discharge [4] 14/ 42 . . . Triode sputtering (C23C 14/35 takes precedence) [4,5] 14/ 44 . . . . by application of high frequencies and additional direct voltages [4] 14/ 46 . . . by ion beam produced by an external ion source (C23C 14/40 takes precedence) [4] 14/ 48 . . Ion implantation [4] 14/ 50 . . Substrate holders [4] 14/ 52 . . Means for observation of the coating process [4] 14/ 54 . . Controlling or regulating the coating process (controlling or regulating in general G05) [4] 14/ 56 . . Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks [4] 14/ 58 . After-treatment [4]
French: 14/ 00 Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement (tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge H01J 37/00) [4] 14/ 02 . Pré-traitement du matériau à revêtir (C23C 14/04 a priorité) [4] 14/ 04 . Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques [4] 14/ 06 . caractérisé par le matériau de revêtement (C23C 14/04 a priorité) [4] 14/ 08 . . Oxydes (C23C 14/10 a priorité) [4] 14/ 10 . . Verre ou silice [4] 14/ 12 . . Composé organique [4] 14/ 14 . . Matériau métallique, bore ou silicium [4] 14/ 16 . . . sur des substrats métalliques, en bore ou en silicium [4] 14/ 18 . . . sur d'autres substrats inorganiques [4] 14/ 20 . . . sur des substrats organiques [4] 14/ 22 . caractérisé par le procédé de revêtement [4] 14/ 24 . . Evaporation sous vide [4] 14/ 26 . . . par chauffage de la source par induction ou par résistance [4] 14/ 28 . . . par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire (C23C 14/32 à C23C 14/48 ont priorité) [4] 14/ 30 . . . . par bombardement d'électrons [4] 14/ 32 . . . par explosion; par évaporation suivie d'une ionisation des vapeurs (C23C 14/34 à C23C 14/48 ont priorité) [4] 14/ 34 . . Pulvérisation cathodique [4] 14/ 35 . . . par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron [5] 14/ 36 . . . Pulvérisation au moyen de diode (C23C 14/35 a priorité) [4,5] 14/ 38 . . . . par décharge luminescente à courant continu [4] 14/ 40 . . . . par décharge à courant alternatif, p.ex. par décharge haute-fréquence [4] 14/ 42 . . . Pulvérisation au moyen de triode (C23C 14/35 a priorité) [4,5] 14/ 44 . . . . en utilisant des hautes fréquences et des potentiels continus additionnels [4] 14/ 46 . . . par un faisceau d'ions produit par une source d'ions externe (C23C 14/40 a priorité) [4] 14/ 48 . . Implantation d'ions [4] 14/ 50 . . Porte-substrat [4] 14/ 52 . . Dispositifs pour observer le processus de revêtement [4] 14/ 54 . . Commande ou régulation du processus de revêtement (commande ou régulation en général G05) [4] 14/ 56 . . Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche [4] 14/ 58 . Post-traitement [4]