English: H 01 L 23/ 552 23/ 556 23/ 58 23/ 60 . Protection against radiation, e.g. light [5] . . against alpha rays [5] . Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for [5] . . Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields (in general H 05 F) [5] . . Protection against overcurrent or overload, e.g. fuses, shunts [5] . . Impedance arrangements [5] . . . High-frequency adaptations [5] Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices (devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate 27/00; assemblies of photoelectronic cells 31/042; generators using solar cells or solar panels H 02 N 6/00; details of complete circuit assemblies provided for in another subclass, e.g. details of television receivers, see the relevant subclass, e.g. H 04 N; details of assemblies of electrical components in general H 05 K) [2,5] . all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups 27/00 to 49/00, e.g. assemblies of rectifier diodes [5] . . the devices not having separate containers [2] . . . the devices being of a type provided for in group 27/00 [5] . . . the devices being of a type provided for in group 29/00 [5] . . . the devices being of a type provided for in group 33/00 [5] . . the devices having separate containers [2] . . . the devices being of a type provided for in group 29/00 [5] . . . the devices being of a type provided for in group 33/00 [5] . the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups 27/00 to 49/00, e.g. forming hybrid circuits [2] . the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups 27/00 to 49/00 [5] Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate (processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof 21/70, 31/00 to 49/00; details thereof 23/00, 29/00 to 49/00; assemblies consisting of a plurality of individual solid state devices 25/00; assemblies of electrical components in general H 05 K) [2] 27/ 02 . including semiconductor components adapted for rectifying, oscillating, amplifying, switching or including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier [2] . . the substrate being a semiconductor body [2] . . . including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration [2] . . . . the components having an active region in common [5] . . . including only semiconductor components of a single kind [2] . . . . including bipolar components only [5] . . . . including field-effect components only [5] . . . . . the components being field-effect transistors with insulated gate [5] . . . . . . complementary MIS field-effect transistors [5] . . . . . the components being Schottky barrier gate field-effect transistors [5] . . . . . the components being PN junction gate field-effect transistors [5] . . . including a plurality of individual components in a repetitive configuration [2] . . . . including bipolar components [5] . . . . including field-effect components [5] . . . . . Dynamic random access memory structures [5] . . . . . Static random access memory structures [5] . . . . . Read-only memory structures [5] . . . . . . Electrically programmable read-only memories [5] . . . . Masterslice integrated circuits [5] . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body [2] . . . combined with thin-film or thick-film passive components [3] . including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of a shorter wavelength, or corpuscular radiation of a shorter wavelength, or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation (radiationsensitive components structurally associated with one or more electric light sources only 31/14; couplings of light guides with optoelectronic elements G 02 B 6/42) [2] . . Energy conversion devices [5] . . Devices controlled by radiation [5] . . . Imager structures [5] . . . . Charge coupled imagers [5] . including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier adapted for light emission [2]
French: H 01 L 23/ 64 23/ 66 25/ 00 . . Dispositions relatives à l’impédance [5] . . . Adaptations pour la haute fréquence [5] Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d’autres dispositifs à l’état solide (dispositifs consistant en une pluralité de composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun 27/00; ensembles de cellules photoélectriques 31/042; générateurs utilisant des cellules solaires ou des panneaux solaires H 02 N 6/00; détails d’ensembles de circuits complets prévus dans une autre sous-classe, p.ex. détails des récepteurs de télévision, voir la sous-classe correspondante, p.ex. H 04 N; détails des ensembles de composants électriques en général H 05 K) [2,5] . les dispositifs étant tous d’un type prévu dans le même sous-groupe des groupes 27/00 à 49/00, p.ex. ensembles de diodes redresseuses [5] . . les dispositifs n’ayant pas de conteneurs séparés [2] . . . les dispositifs étant d’un type prévu dans le groupe 27/00 [5] . . . les dispositifs étant d’un type prévu dans le groupe 29/00 [5] . . . les dispositifs étant d’un type prévu dans le groupe 33/00 [5] . . les dispositifs ayant des conteneurs séparés [2] . . . les dispositifs étant d’un type prévu dans le groupe 29/00 [5] . . . les dispositifs étant d’un type prévu dans le groupe 33/00 [5] . les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux 27/00 à 49/00, p.ex. circuit hybrides [2] . les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes 27/00 à 49/00 [5] Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d’autres composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun (procédés ou appareils adaptés à la fabrication ou au traitement de ceux-ci, ou de leurs parties constitutives 21/70, 31/00 à 49/00; détails 23/00, 29/00 à 49/00; ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à l’état solide individuels 25/00; ensembles de composants électriques en général H 05 K) [2] 27/ 06 . . . comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive [2] . . . . les composants ayant une région active en commun [5] . . . comprenant uniquement des composants semiconducteurs d’un seul type [2] . . . . comprenant uniquement des composants bipolaires [5] . . . . comprenant uniquement des composants à effet de champ [5] . . . . . les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée [5] . . . . . . Transistors à effet de champ métalisolant-semi-conducteur complémentaires [5] . . . . . les composants étant des transistors à effet de champ à porte à barrière Schottky [5] . . . . . les composants étant des transistors à effet de champ à porte à jonction PN [5] . . . comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive [2] . . . . comprenant des composants bipolaires [5] . . . . comprenant des composants à effet de champ [5] . . . . . Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire [5] . . . . . Structures de mémoires statiques à accès aléatoire [5] . . . . . Structures de mémoires mortes [5] . . . . . . Mémoires mortes programmables électriquement [5] . . . . Circuits intégrés à tranche maîtresse [5] . . le substrat étant autre qu’un corps semiconducteur, p.ex. un corps isolant [2] . . . combiné avec des composants passifs à film mince ou à film épais [3] . comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d’ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et adaptés, soit comme convertisseurs de l’énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l’énergie électrique par ledit rayonnement (composants sensibles au rayonnement associés structurellement à une ou plusieurs sources de lumière électrique 31/14; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques G 02 B 6/42) [2] . . Dispositifs de conversion d’énergie [5] . . Dispositifs commandés par rayonnement [5] . . . Structures de capteurs d’images [5] . . . . Capteurs d’images à couplage de charge [5] . comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, adaptés pour l’émission de lumière [2] . comprenant des composants thermo-électriques avec ou sans jonction de matériaux différents; comprenant des composants thermomagnétiques (utilisant l’effet Peltier uniquement pour le refroidissement de dispositifs à semi-conducteurs ou d’autres dispositifs à l’état solide 23/38) [2] . comprenant des composants présentant un effet de supraconductivité [2] . comprenant des composants piézo-électriques; comprenant des composants électrostrictifs; comprenant des composants magnétostrictifs [2,7]