English: [2] 21/ 02 . Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof (characterised by the use of organic materials H 01 L 51/40) [2] 21/ 027 . . Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H 01 L 21/18 or H 01 L 21/34 [5] 21/ 033 . . . comprising inorganic layers [5] 21/ 04 . . the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer [2] 21/ 06 . . . the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials [2] 21/ 08 . . . . Preparation of the foundation plate [2] 21/ 10 . . . . Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination [2] 21/ 103 . . . . . Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state [2] 21/ 105 . . . . . Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive [2] 21/ 108 . . . . . Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers [2] 21/ 12 . . . . Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate [2] 21/ 14 . . . . Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier [2] 21/ 145 . . . . . Ageing [2] 21/ 16 . . . the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide [2] 21/ 18 . . . the devices having semiconductor bodies comprising unspecified elements or elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials (processes or apparatus for devices whose bodies comprise unspecified elements but clearly not relevant to devices comprising elements of the fourth group or AIIIBV compounds H 01 L 21/06, H 01 L 21/16 or H 01 L 21/34) [2,6] 21/ 20 . . . . Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2] 21/ 203 . . . . . using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2] 21/ 205 . . . . . using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2] 21/ 208 . . . . . using liquid deposition [2] 21/ 22 . . . . Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions; Redistribution of impurity materials, e.g. without introduction or removal of further dopant [2] 21/ 223 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2] 21/ 225 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2] 21/ 228 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2] 21/ 24 . . . . Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2] 21/ 26 . . . . Bombardment with wave or particle radiation (thermal treatment H 01 L 21/324) [2] 21/ 261 . . . . . to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements [6] 21/ 263 . . . . . with high-energy radiation (H 01 L 21/261 takes precedence) [2,6] 21/ 265 . . . . . . producing ion implantation (ion-beam tubes for localised treatment H 01 J 37/30) [2] 21/ 266 . . . . . . . using masks [5] 21/ 268 . . . . . . using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2] 21/ 28 . . . . Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H 01 L 21/20 to H 01 L 21/268 [2] 21/ 283 . . . . . Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2] 21/ 285 . . . . . . from a gas or vapour, e.g. condensation [2] 21/ 288 . . . . . . from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2] 21/ 30 . . . . Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H 01 L 21/20 to H 01 L 21/26 (manufacture of electrodes thereon H 01 L 21/28) [2] 21/ 301 . . . . . to subdivide a semiconductor body into separate parts, e.g. making partitions (cutting H 01 L 21/304) [6] 21/ 302 . . . . . to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting [2] 21/ 304 . . . . . . Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting [2] 21/ 306 . . . . . . Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H 01 L 21/31; after-treatment of insulating layers H 01 L 21/3105) [2] 21/ 3063 . . . . . . . Electrolytic etching [6] 21/ 3065 . . . . . . . Plasma etching; Reactive-ion etching [6] 21/ 308 . . . . . . . using masks (H 01 L 21/3063, H 01 L 21/3065, take precedence) [2,6] 21/ 31 . . . . . to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (layers forming electrodes H 01 L 21/28; encapsulating layers H 01 L 21/56); After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers [2,5] 21/ 3105 . . . . . . After-treatment [5] 21/ 311 . . . . . . . Etching the insulating layers [5] 21/ 3115 . . . . . . . Doping the insulating layers [5] 21/ 312 . . . . . . Organic layers, e.g. photoresist (H 01 L 21/3105, H 01 L 21/32 take precedence) [2,5] 21/ 314 . . . . . . Inorganic layers (H 01 L 21/3105, H 01 L 21/32 take precedence) [2,5] 21/ 316 . . . . . . . composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2] 21/ 318 . . . . . . . composed of nitrides [2] 21/ 32 . . . . . . using masks [2,5] 21/ 3205 . . . . . . Deposition of non-insulating-, e.g. conductive-, resistive-, layers, on insulating layers (arrangements for conducting electric current within the device H 01 L 23/52); After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H 01 L 21/28) [5] 21/ 321 . . . . . . . After-treatment [5] 21/ 3213 . . . . . . . . Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer [6] 21/ 3215 . . . . . . . . Doping the layers [5] 21/ 322 . . . . . to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections [2] 21/ 324 . . . . . Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H 01 L 21/20 to H 01 L 21/288, H 01 L 21/302 to H 01 L 21/322 take precedence) [2] 21/ 326 . . . . . Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H 01 L 21/20 to H 01 L 21/288, H 01 L 21/302 to H 01 L 21/324 take precedence) [2] 21/ 328 . . . . Multistep processes for the manufacture of devices of the bipolar type, e.g. diodes, transistors, thyristors [5] 21/ 329 . . . . . the devices comprising one or two electrodes, e.g. diodes [5] 21/ 33 . . . . . the devices comprising three or more electrodes [5] 21/ 331 . . . . . . Transistors [5] 21/ 332 . . . . . . Thyristors [5] 21/ 334 . . . . Multistep processes for the manufacture of devices of the unipolar type [5] 21/ 335 . . . . . Field-effect transistors [5] 21/ 336 . . . . . . with an insulated gate [5] 21/ 337 . . . . . . with a PN junction gate [5] 21/ 338 . . . . . . with a Schottky gate [5] 21/ 339 . . . . . Charge transfer devices [5,6] 21/ 34 . . . the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H 01 L 21/06, H 01 L 21/16, and H 01 L 21/18 with or without impurities, e.g. doping materials [2] 21/ 36 . . . . Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2] 21/ 363 . . . . . using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2] 21/ 365 . . . . . using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2] 21/ 368 . . . . . using liquid deposition [2] 21/ 38 . . . . Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions [2] 21/ 383 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2] 21/ 385 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2] 21/ 388 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2] 21/ 40 . . . . Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2] 21/ 42 . . . . Bombardment with radiation [2] 21/ 423 . . . . . with high-energy radiation [2] 21/ 425 . . . . . . producing ion implantation (ion-beam tubes for localised treatment H 01 J 37/30) [2] 21/ 426 . . . . . . . using masks [5] 21/ 428 . . . . . . using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2] 21/ 44 . . . . Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H 01 L 21/36 to H 01 L 21/428 [2] 21/ 441 . . . . . Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2] 21/ 443 . . . . . . from a gas or vapour, e.g. condensation [2] 21/ 445 . . . . . . from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2] 21/ 447 . . . . . involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H 01 L 21/607 takes precedence) [2] 21/ 449 . . . . . involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2] 21/ 46 . . . . Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H 01 L 21/36 to H 01 L 21/428 (manufacture of electrodes thereon H 01 L 21/44) [2] 21/ 461 . . . . . to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting [2] 21/ 463 . . . . . . Mechanical treatment, e.g. grinding, ultrasonic treatment [2] 21/ 465 . . . . . . Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H 01 L 21/469) [2] 21/ 467 . . . . . . . using masks [2] 21/ 469 . . . . . . to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (layers forming electrodes H 01 L 21/44; encapsulating layers H 01 L 21/56); After-treatment of these layers [2,5] 21/ 47 . . . . . . . Organic layers, e.g. photoresist (H 01 L 21/475, H 01 L 21/4757 take precedence) [2,5] 21/ 471 . . . . . . . Inorganic layers (H 01 L 21/475, H 01 L 21/4757 take precedence) [2,5] 21/ 473 . . . . . . . . composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2] 21/ 475 . . . . . . . using masks [2,5] 21/ 4757 . . . . . . . After-treatment [5] 21/ 4763 . . . . . . Deposition of non-insulating-, e.g. conductive-, resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H 01 L 21/28) [5] 21/ 477 . . . . . Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H 01 L 21/36 to H 01 L 21/449, H 01 L 21/461 to H 01 L 21/475 take precedence) [2] 21/ 479 . . . . . Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H 01 L 21/36 to H 01 L 21/449, H 01 L 21/461 to H 01 L 21/477 take precedence) [2] 21/ 48 . . . Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H 01 L 21/06 to H 01 L 21/326 (containers, encapsulations, fillings, mountings per se H 01 L 23/00) [2] 21/ 50 . . . Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H 01 L 21/06 to H 01 L 21/326 [2] 21/ 52 . . . . Mounting semiconductor bodies in containers [2] 21/ 54 . . . . Providing fillings in containers, e.g. gas fillings [2] 21/ 56 . . . . Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings [2] 21/ 58 . . . . Mounting semiconductor devices on supports [2] 21/ 60 . . . . Attaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation [2] 21/ 603 . . . . . involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H 01 L 21/607 takes precedence) [2] 21/ 607 . . . . . involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2] 21/ 62 . . the devices having no potential-jump barriers or surface barriers [2] 21/ 64 . Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not peculiar to a single device provided for in groups H 01 L 31/00 to H 01 L 49/00 [2] 21/ 66 . Testing or measuring during manufacture or treatment (after manufacture G 01 R 31/26) [2] 21/ 68 . Apparatus for supporting or positioning components during manufacture, e.g. jigs [2] 21/ 70 . Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof (manufacture of assemblies consisting of preformed electrical components H 05 K 3/00, H 05 K 13/00) [2] 21/ 71 . . Manufacture of specific parts of devices defined in group H 01 L 21/70 (H 01 L 21/28, H 01 L 21/44, H 01 L 21/48 take precedence) [6] 21/ 72 (transferred to H 01 L 21/784, H 01 L 21/822, H 01 L 21/8258) 21/ 74 . . . Making of buried regions of high impurity concentration, e.g. buried collector layers, internal connections [2] 21/ 76 . . . Making of isolation regions between components [2] 21/ 761 . . . . PN junctions [6] 21/ 762 . . . . Dielectric regions [6] 21/ 763 . . . . Polycrystalline semiconductor regions [6] 21/ 764 . . . . Air gaps [6] 21/ 765 . . . . by field-effect [6] 21/ 768 . . . Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device [6] 21/ 77 . . Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate [6] 21/ 78 . . . with subsequent division of the substrate into plural individual devices (cutting to change the surface-physical characteristics or shape of semiconductor bodies H 01 L 21/304) [2,6] 21/ 782 . . . . to produce devices, each consisting of a single circuit element (H 01 L 21/82 takes precedence) [6] 21/ 784 . . . . . the substrate being a semiconductor body [6] 21/ 786 . . . . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body [6] 21/ 80 (transferred to H 01 L 21/78) 21/ 82 . . . . to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components [2] 21/ 822 . . . . . the substrate being a semiconductor, using silicon technology (H 01 L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8222 . . . . . . Bipolar technology [6] 21/ 8224 . . . . . . . comprising a combination of vertical and lateral transistors [6] 21/ 8226 . . . . . . . comprising merged transistor logic or integrated injection logic [6] 21/ 8228 . . . . . . . Complementary devices, e.g. complementary transistors [6] 21/ 8229 . . . . . . . Memory structures [6] 21/ 8232 . . . . . . Field-effect technology [6] 21/ 8234 . . . . . . . MIS technology [6] 21/ 8236 . . . . . . . . Combination of enhancement and depletion transistors [6] 21/ 8238 . . . . . . . . Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS [6] 21/ 8239 . . . . . . . . Memory structures [6] 21/ 8242 . . . . . . . . . Dynamic random access memory structures (DRAM) [6] 21/ 8244 . . . . . . . . . Static random access memory structures (SRAM) [6] 21/ 8246 . . . . . . . . . Read-only memory structures (ROM) [6] 21/ 8247 . . . . . . . . . . electrically-programmable (EPROM) [6] 21/ 8248 . . . . . . Combination of bipolar and field-effect technology [6] 21/ 8249 . . . . . . . Bipolar and MOS technology [6] 21/ 8252 . . . . . the substrate being a semiconductor, using III-V technology (H 01 L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8254 . . . . . the substrate being a semiconductor, using II-VI technology (H 01 L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8256 . . . . . the substrate being a semiconductor, using technologies not covered by one of groups H 01 L 21/822, H 01 L 21/8252 or H 01 L 21/8254 (H 01 L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8258 . . . . . the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H 01 L 21/822, H 01 L 21/8252, H 01 L 21/8254 or H 01 L 21/8256 [6] 21/ 84 . . . . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body [2,6] 21/ 86 . . . . . . the insulating body being sapphire, e.g. silicon on sapphire structure, i.e. SOS [2,6] 21/ 90 (transferred to H 01 L 21/768) 21/ 98 . . Assembly of devices consisting of solid state components formed in or on a common substrate; Assembly of integrated circuit devices (H 01 L 21/50 takes precedence; assemblies H 01 L 25/00) [2,5]
French: [2] 21/ 02 . Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives (caractérisés par l'utilisation de matériaux organiques H 01 L 51/40) [2] 21/ 027 . . Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H 01 L 21/18 ou H 01 L 21/34 [5] 21/ 033 . . . comportant des couches minérales [5] 21/ 04 . . les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges [2] 21/ 06 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux [2] 21/ 08 . . . . Préparation de la plaque de support [2] 21/ 10 . . . . Traitement préliminaire du sélénium ou du tellure, application sur la plaque de support, ou traitement subséquent de l'ensemble [2] 21/ 103 . . . . . Conversion du sélénium ou du tellure à l'état conducteur [2] 21/ 105 . . . . . Traitement de la surface de la couche de sélénium ou de tellure après conversion à l'état conducteur [2] 21/ 108 . . . . . Production de couches isolantes discrètes, c. à d. de barrières de surface non actives [2] 21/ 12 . . . . Application d'une électrode à la surface libre du sélénium ou du tellure, après l'apposition du sélénium ou du tellure à la plaque de support [2] 21/ 14 . . . . Traitement du dispositif complet, p.ex. par électroformage pour former une barrière [2] 21/ 145 . . . . . Vieillissement [2] 21/ 16 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant de l'oxyde cuivreux ou de l'iodure cuivreux [2] 21/ 18 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments non précisés ou des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage (procédés ou appareils pour des dispositifs dont les corps comprennent des éléments non précisés mais manifestement inappropriés pour des dispositifs comprenant des éléments du quatrième groupe ou des composés AIIIBV H 01 L 21/06, H 01 L 21/16 ou H 01 L 21/34) [2,6] 21/ 20 . . . . Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2] 21/ 203 . . . . . en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2] 21/ 205 . . . . . en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.à d. un dépôt chimique [2] 21/ 208 . . . . . en utilisant un dépôt liquide [2] 21/ 22 . . . . Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire [2] 21/ 223 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2] 21/ 225 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2] 21/ 228 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2] 21/ 24 . . . . Formation d'alliages d'impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2] 21/ 26 . . . . Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires (traitement thermique H 01 L 21/324) [2] 21/ 261 . . . . . pour produire une réaction nucléaire donnant des éléments chimiques par transmutation [6] 21/ 263 . . . . . par des radiations d'énergie élevée (H 01 L 21/261 a priorité) [2,6] 21/ 265 . . . . . . produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé H 01 J 37/30) [2] 21/ 266 . . . . . . . en utilisant des masques [5] 21/ 268 . . . . . . les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2] 21/ 28 . . . . Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H 01 L 21/20 à H 01 L 21/268 [2] 21/ 283 . . . . . Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2] 21/ 285 . . . . . . à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2] 21/ 288 . . . . . . à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2] 21/ 30 . . . . Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H 01 L 21/20 à H 01 L 21/26 (fabrication des électrodes sur ces corps H 01 L 21/28) [2] 21/ 301 . . . . . pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées (coupe H 01 L 21/304) [6] 21/ 302 . . . . . pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage [2] 21/ 304 . . . . . . Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe [2] 21/ 306 . . . . . . Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes H 01 L 21/31; post-traitement des couches isolantes H 01 L 21/3105) [2] 21/ 3063 . . . . . . . Gravure électrolytique [6] 21/ 3065 . . . . . . . Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs [6] 21/ 308 . . . . . . . en utilisant des masques (H 01 L 21/3063, H 01 L 21/3065 ont priorité) [2,6] 21/ 31 . . . . . pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant des électrodes H 01 L 21/28; couches de capsulation H 01 L 21/56); Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches [2,5] 21/ 3105 . . . . . . Post-traitement [5] 21/ 311 . . . . . . . Gravure des couches isolantes [5] 21/ 3115 . . . . . . . Dopage des couches isolantes [5] 21/ 312 . . . . . . Couches organiques, p.ex. couche photosensible (H 01 L 21/3105, H 01 L 21/32 ont priorité) [2,5] 21/ 314 . . . . . . Couches minérales (H 01 L 21/3105, H 01 L 21/32 ont priorité) [2,5] 21/ 316 . . . . . . . composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2] 21/ 318 . . . . . . . composées de nitrures [2] 21/ 32 . . . . . . en utilisant des masques [2,5] 21/ 3205 . . . . . . Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives, sur des couches isolantes (dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif H 01 L 23/52); Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes H 01 L 21/28) [5] 21/ 321 . . . . . . . Post-traitement [5] 21/ 3213 . . . . . . . . Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable [6] 21/ 3215 . . . . . . . . Dopage des couches [5] 21/ 322 . . . . . pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes [2] 21/ 324 . . . . . Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (H 01 L 21/20 à H 01 L 21/288, H 01 L 21/302, H 01 L 21/322 ont priorité) [2] 21/ 326 . . . . . Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (H 01 L 21/20 à H 01 L 21/288, H 01 L 21/302 à H 01 L 21/324 ont priorité) [2] 21/ 328 . . . . Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors [5] 21/ 329 . . . . . les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes [5] 21/ 33 . . . . . les dispositifs comportant trois électrodes ou plus [5] 21/ 331 . . . . . . Transistors [5] 21/ 332 . . . . . . Thyristors [5] 21/ 334 . . . . Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire [5] 21/ 335 . . . . . Transistors à effet de champ [5] 21/ 336 . . . . . . à grille isolée [5] 21/ 337 . . . . . . à jonction PN [5] 21/ 338 . . . . . . à grille Schottky [5] 21/ 339 . . . . . Dispositifs à transfert de charge [5,6] 21/ 34 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H 01 L 21/06, H 01 L 21/16 et H 01 L 21/18 avec ou sans impuretés, p.ex. matériaux de dopage [2] 21/ 36 . . . . Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2] 21/ 363 . . . . . en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2] 21/ 365 . . . . . en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.à d. un dépôt chimique [2] 21/ 368 . . . . . en utilisant un dépôt liquide [2] 21/ 38 . . . . Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices [2] 21/ 383 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2] 21/ 385 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2] 21/ 388 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2] 21/ 40 . . . . Formation d'alliages des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2] 21/ 42 . . . . Bombardement par des radiations [2] 21/ 423 . . . . . par des radiations d'énergie élevée [2] 21/ 425 . . . . . . produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé H 01 J 37/30) [2] 21/ 426 . . . . . . . en utilisant des masques [5] 21/ 428 . . . . . . les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2] 21/ 44 . . . . Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H 01 L 21/36 à H 01 L 21/428 [2] 21/ 441 . . . . . Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2] 21/ 443 . . . . . . à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2] 21/ 445 . . . . . . à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2] 21/ 447 . . . . . impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (H 01 L 21/607 a priorité) [2] 21/ 449 . . . . . impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasoniques [2] 21/ 46 . . . . Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H 01 L 21/36 à H 01 L 21/428 (fabrication des électrodes sur ces corps H 01 L 21/44) [2] 21/ 461 . . . . . pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage [2] 21/ 463 . . . . . . Traitement mécanique, p.ex. meulage, traitement par ultrasons [2] 21/ 465 . . . . . . Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes H 01 L 21/469) [2] 21/ 467 . . . . . . . en utilisant des masques [2] 21/ 469 . . . . . . pour y former des couches isolantes, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant électrodes H 01 L 21/44; couches de capsulation H 01 L 21/56); Post-traitement de ces couches [2,5] 21/ 47 . . . . . . . Couches organiques, p.ex. couche photosensible (H 01 L 21/475, H 01 L 21/4757 ont priorité) [2,5] 21/ 471 . . . . . . . Couches minérales (H 01 L 21/475, H 01 L 21/4757 ont priorité) [2,5] 21/ 473 . . . . . . . . composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2] 21/ 475 . . . . . . . en utilisant des masques [2,5] 21/ 4757 . . . . . . . Post-traitement [5] 21/ 4763 . . . . . . Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes H 01 L 21/28) [5] 21/ 477 . . . . . Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (H 01 L 21/36 à H 01 L 21/449, H 01 L 21/461 à H 01 L 21/475 ont priorité) [2] 21/ 479 . . . . . Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (H 01 L 21/36 à H 01 L 21/449, H 01 L 21/461 à H 01 L 21/477 ont priorité) [2] 21/ 48 . . . Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H 01 L 21/06 à H 01 L 21/326 (conteneurs, capsulations, remplissage, supports en soi H 01 L 23/00) [2] 21/ 50 . . . Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H 01 L 21/06 à H 01 L 21/326 [2] 21/ 52 . . . . Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs [2] 21/ 54 . . . . Remplissage des conteneurs, p.ex. remplissage en gaz [2] 21/ 56 . . . . Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements [2] 21/ 58 . . . . Montage des dispositifs à semi-conducteurs sur des supports [2] 21/ 60 . . . . Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement [2] 21/ 603 . . . . . impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (H 01 L 21/607 a priorité) [2] 21/ 607 . . . . . impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasonores [2] 21/ 62 . . les dispositifs n'ayant ni barrière de potentiel ni barrière de surface [2] 21/ 64 . Fabrication ou traitement de dispositifs à l'état solide autres que des dispositifs à semi-conducteurs, ou de leurs parties constitutives, par des méthodes non conçues spécialement pour l'un uniquement des dispositifs couverts par les groupes H 01 L 31/00 à H 01 L 49/00 [2] 21/ 66 . Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement (après la fabrication G 01 R 31/26) [2] 21/ 68 . Appareils pour maintenir ou mettre en position les composants pendant leur fabrication, p.ex. calibres [2] 21/ 70 . Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci (fabrication d'ensembles de composants électriques préfabriqués H 05 K 3/00, H 05 K 13/00) [2] 21/ 71 . . Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H 01 L 21/70 (H 01 L 21/28, H 01 L 21/44 et H 01 L 21/48 ont priorité) [6] 21/ 72 (transféré en H 01 L 21/784, H 01 L 21/822, H 01 L 21/8258) 21/ 74 . . . Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes [2] 21/ 76 . . . Réalisation de régions isolantes entre les composants [2] 21/ 761 . . . . Jonctions PN [6] 21/ 762 . . . . Régions diélectriques [6] 21/ 763 . . . . Régions polycristallines semi-conductrices [6] 21/ 764 . . . . Espaces d'air [6] 21/ 765 . . . . par effet de champ [6] 21/ 768 . . . Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif [6] 21/ 77 . . Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun [6] 21/ 78 . . . avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels (découpage pour changer les caractéristiques physiques de surface ou la forme des corps semi-conducteurs H 01 L 21/304) [2,6] 21/ 782 . . . . pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit (H 01 L 21/82 a priorité) [6] 21/ 784 . . . . . le substrat étant un corps semi-conducteur [6] 21/ 786 . . . . . le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant [6] 21/ 80 (transféré en H 01 L 21/78) 21/ 82 . . . . pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants [2] 21/ 822 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium (H 01 L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8222 . . . . . . Technologie bipolaire [6] 21/ 8224 . . . . . . . les dispositifs comprenant une combinaison de transistors verticaux et de transistors latéraux [6] 21/ 8226 . . . . . . . les dispositifs comprenant une logique à transistors fusionnés ou une logique à injection intégrée [6] 21/ 8228 . . . . . . . Dispositifs complémentaires, p.ex. transistors complémentaires [6] 21/ 8229 . . . . . . . Structures de mémoires [6] 21/ 8232 . . . . . . Technologie à effet de champ [6] 21/ 8234 . . . . . . . Technologie MIS [6] 21/ 8236 . . . . . . . . Combinaison de transistors à enrichissement et de transistors à appauvrissement [6] 21/ 8238 . . . . . . . . Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS [6] 21/ 8239 . . . . . . . . Structures de mémoires [6] 21/ 8242 . . . . . . . . . Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) [6] 21/ 8244 . . . . . . . . . Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM) [6] 21/ 8246 . . . . . . . . . Structures de mémoires mortes (ROM) [6] 21/ 8247 . . . . . . . . . . programmables électriquement (EPROM) [6] 21/ 8248 . . . . . . Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ [6] 21/ 8249 . . . . . . . Technologie bipolaire et MOS [6] 21/ 8252 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V (H 01 L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8254 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie II-VI (H 01 L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8256 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant des technologies non couvertes par l'un des groupes H 01 L 21/822, H 01 L 21/8252 ou H 01 L 21/8254 (H 01 L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8258 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H 01 L 21/822, H 01 L 21/8252, H 01 L 21/8254 ou H 01 L 21/8256 [6] 21/ 84 . . . . . le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant [2,6] 21/ 86 . . . . . . le corps isolant étant du saphir, p.ex. silicium sur une structure en saphir, c.à d. S.O.S. [2,6] 21/ 90 (transféré en H 01 L 21/768) 21/ 98 . . Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré (H 01 L 21/50 a priorité; assemblages H 01 L 25/00) [2,5]