English: [5] 27/ 01 . comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate [3] 27/ 02 . including semiconductor components adapted for rectifying, oscillating, amplifying, switching or including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier [2] 27/ 04 . . the substrate being a semiconductor body [2] 27/ 06 . . . including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration [2] 27/ 07 . . . . the components having an active region in common [5] 27/ 08 . . . including only semiconductor components of a single kind [2] 27/ 082 . . . . including bipolar components only [5] 27/ 085 . . . . including field-effect components only [5] 27/ 088 . . . . . the components being field-effect transistors with insulated gate [5] 27/ 092 . . . . . . complementary MIS field-effect transistors [5] 27/ 095 . . . . . the components being Schottky barrier gate field-effect transistors [5] 27/ 098 . . . . . the components being PN junction gate field-effect transistors [5] 27/ 10 . . . including a plurality of individual components in a repetitive configuration [2] 27/ 102 . . . . including bipolar components [5] 27/ 105 . . . . including field-effect components [5] 27/ 108 . . . . . Dynamic random access memory structures [5] 27/ 11 . . . . . Static random access memory structures [5] 27/ 112 . . . . . Read-only memory structures [5] 27/ 115 . . . . . . Electrically programmable read-only memories [5] 27/ 118 . . . . Masterslice integrated circuits [5] 27/ 12 . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body [2] 27/ 13 . . . combined with thin-film or thick-film passive components [3] 27/ 14 . including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of a shorter wavelength, or corpuscular radiation of a shorter wavelength, or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation (radiation-sensitive components structurally associated with one or more electric light sources only H 01 L 31/14; couplings of light guides with optoelectronic elements G 02 B 6/42) [2] 27/ 142 . . Energy conversion devices [5] 27/ 144 . . Devices controlled by radiation [5] 27/ 146 . . . Imager structures [5] 27/ 148 . . . . Charge coupled imagers [5] 27/ 15 . including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier adapted for light emission [2] 27/ 16 . including thermoelectric components with or without a junction of dissimilar materials; including thermomagnetic components (using the Peltier effect only for cooling of semiconductor or other solid state devices H 01 L 23/38) [2] 27/ 18 . including components exhibiting superconductivity [2] 27/ 20 . including piezo-electric components; including electrostrictive components; including magnetostrictive components; including semiconductor components adapted for use as electromechanical transducers (acoustic electromechanical transducers adapted for electrical communication technique H 04 R) [2] 27/ 22 . including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effect; using similar magnetic field effects [2] 27/ 24 . including solid state components for rectifying, amplifying, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier [2] 27/ 26 . including bulk negative resistance effect components [2]
French: [5] 27/ 01 . comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun [3] 27/ 02 . comprenant des composants semi-conducteurs adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations, la commutation, ou comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface [2] 27/ 04 . . le substrat étant un corps semi-conducteur [2] 27/ 06 . . . comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive [2] 27/ 07 . . . . les composants ayant une région active en commun [5] 27/ 08 . . . comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type [2] 27/ 082 . . . . comprenant uniquement des composants bipolaires [5] 27/ 085 . . . . comprenant uniquement des composants à effet de champ [5] 27/ 088 . . . . . les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée [5] 27/ 092 . . . . . . Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires [5] 27/ 095 . . . . . les composants étant des transistors à effet de champ à porte à barrière Schottky [5] 27/ 098 . . . . . les composants étant des transistors à effet de champ à porte à jonction PN [5] 27/ 10 . . . comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive [2] 27/ 102 . . . . comprenant des composants bipolaires [5] 27/ 105 . . . . comprenant des composants à effet de champ [5] 27/ 108 . . . . . Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire [5] 27/ 11 . . . . . Structures de mémoires statiques à accès aléatoire [5] 27/ 112 . . . . . Structures de mémoires mortes [5] 27/ 115 . . . . . . Mémoires mortes programmables électriquement [5] 27/ 118 . . . . Circuits intégrés à tranche maîtresse [5] 27/ 12 . . le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant [2] 27/ 13 . . . combiné avec des composants passifs à film mince ou à film épais [3] 27/ 14 . comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement (composants sensibles au rayonnement associés structurellement à une ou plusieurs sources de lumière électrique H 01 L 31/14; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques G 02 B 6/42) [2] 27/ 142 . . Dispositifs de conversion d'énergie [5] 27/ 144 . . Dispositifs commandés par rayonnement [5] 27/ 146 . . . Structures de capteurs d'images [5] 27/ 148 . . . . Capteurs d'images à couplage de charge [5] 27/ 15 . comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, adaptés pour l'émission de lumière [2] 27/ 16 . comprenant des composants thermo-électriques avec ou sans jonction de matériaux différents; comprenant des composants thermomagnétiques (utilisant l'effet Peltier uniquement pour le refroidissement de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide H 01 L 23/38) [2] 27/ 18 . comprenant des composants présentant un effet de supraconductivité [2] 27/ 20 . comprenant des composants piézo-électriques; comprenant des composants électrostrictifs; comprenant des composants magnétostrictifs; comprenant des composants semi-conducteurs adaptés pour l'emploi comme transducteurs électromécaniques (transducteurs acoustiques électromécaniques adaptés pour la technique des communications électriques H 04 R) [2] 27/ 22 . comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues [2] 27/ 24 . comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface [2] 27/ 26 . comprenant des composants à résistance négative à effet de volume [2]