English: G11C 11 / 50 . using actuation of electric contacts to store the information (mechanical stores G11C 23/00; switches providing a selected number of consecutive operations of the contacts by a single manual actuation of the operating part H01H 41/00) . using elements simulating biological cells, e.g. neuron . using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency (counting arrangements comprising multi-stable elements of this type H03K 25/00, H03K 29/00) [2] Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C 11/00, G11C 23/00, or G11C 25/00 . using elements whose operation depends upon chemical change (using electrochemical charge G11C 11/00) . using optical elements Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down [5] Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores (in which information is addressed to a specific location G11C 11/00) [2] Erasable programmable read-only memories (G11C 14/00 takes precedence) [5] . electrically programmable [5] . . using variable threshold transistors, e.g. FAMOS [5] . . Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory (in general G11C 7/00) [5] Read-only memories programmable only once; Semipermanent stores, e.g. manually-replaceable information cards (erasable programmable read-only memories G11C 16/00; coding, decoding or code conversion, in general H03M) [2,5] . using capacitive elements (G11C 17/06, G11C 17/14 take precedence) [2,5] 17 / 06 17 / 08 17 / 14 . using diode elements (G11C 17/14 takes precedence) [2,5] . using semiconductor devices, e.g. bipolar elements (G11C 17/06, G11C 17/14 take precedence) [5] . in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM [5] Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers (counting chains H03K 23/00) Digital stores in which the information circulates (stepwise G11C 19/00) Digital stores characterised by movement of mechanical parts to effect storage, e.g. using balls; Storage elements therefor (storing by actuating contacts G11C 11/48) Digital stores characterised by the use of flowing media; Storage elements therefor Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values Checking stores for correct operation; Testing stores during standby or offline operation [1,8] . Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters [8] . Detection or location of defective memory elements [8] . Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents [8] . Arrangements for designing test circuits, e.g. design for test (DFT) tools [8] . External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment (ATE); Interfaces therefor [8] Subject matter not provided for in other groups of this subclass [8]
French: G11C 11 / 50 . utilisant l’actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l’information (mémoires mécaniques G11C 23/00; interrupteurs permettant un nombre choisi d’actionnements consécutifs des contacts à la suite d’un seul actionnement manuel de l’organe moteur H01H 41/00) . utilisant des éléments simulateurs de cellules biologiques, p.ex. neurone . utilisant des éléments d’emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence (dispositions de comptage comprenant des éléments multistables de ce type H03K 25/00, H03K 29/00) [2] Mémoires numériques caractérisées par l’utilisation d’éléments d’emmagasinage non couverts par les groupes G11C 11/00, G11C 23/00 ou G11C 25/00 . utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d’un changement chimique (utilisant une charge électrochimique G11C 11/00) . utilisant des éléments optiques Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l’information en cas de défaillance de l’alimentation [5] Mémoires numériques dans lesquelles l’information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l’information est lue au moyen de la recherche de l’une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c. à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu (dans lesquelles l’information est adressée à un endroit spécifique G11C 11/00) [2] Mémoires mortes programmables effaçables (G11C 14/00 a priorité) [5] . programmables électriquement [5] . . utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS [5] . . Circuits auxiliaires, p.ex. pour l’écriture dans la mémoire (en général G11C 7/00) [5] Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d’information pouvant être replacées à la main (mémoires mortes programmables effaçables G11C 16/00; codage, décodage ou conversion de code, en général H03M) [2,5] . utilisant des éléments capacitifs (G11C 17/06, G11C 17/14 ont priorité) [2,5] 17 / 06 17 / 08 17 / 14 . utilisant des éléments comprenant des diodes (G11C 17/14 a priorité) [2,5] . utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires (G11C 17/06, G11C 17/14 ont priorité) [5] . dans lesquelles le contenu est déterminé en établissant, en rompant ou en modifiant sélectivement les liaisons de connexion par une modification définitive de l’état des éléments de couplage, p.ex. mémoires PROM [5] Mémoires numériques dans lesquelles l’information est déplacée par échelons, p.ex. registres à décalage (chaînes de comptage H03K 23/00) Mémoires numériques dans lesquelles l’information circule (par échelons G11C 19/00) Mémoires numériques caractérisées par le mouvement de pièces mécaniques pour effectuer l’emmagasinage, p.ex. en utilisant des billes; Eléments d’emmagasinage correspondants (emmagasinage par actionnement de contacts G11C 11/48) Mémoires numériques caractérisées par l’utilisation de milieux fluides; Eléments d’emmagasinage correspondants Mémoires analogiques électriques, p.ex. pour emmagasiner des valeurs instantanées Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d’opération en mode de veille ou hors-ligne [1,8] . Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux [8] . Détection ou localisation d’éléments d’emmagasinage défectueux [8] . Protection du contenu des mémoires; Détection d’erreurs dans le contenu des mémoires [8] . Dispositions pour concevoir les circuits de test, p.ex. outils de conception pour le test (DFT) [8] . Équipements externes pour test de mémoires statiques, p.ex. équipement de test automatique (ATE); Interfaces correspondantes [8] Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe [8]