English: H 01 S 3/ 131 . . . by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation [4] (transferred to 5/068) . . . . in gas lasers [4] . . . by controlling a device placed within the cavity [4] . . . . for stabilising of frequency [4] . . . by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity [4] . characterised by the material used as the active medium . . Solid materials . . . amorphous, e.g. glass [2] (transferred to 5/30) (transferred to 5/32) . . Liquids . . . including a chelate [5] . . . including an organic dye [5] . . Gases . . . the active gas being polyatomic, i.e. containing more than one atom (3/227 takes precedence) [2,5] . . . . comprising an excimer or exciplex [5] . . . Metal vapour [5] . Arrangement of two or more lasers not provided for in groups 3/02 to 3/22, e.g. tandem arrangement of separate active media (involving only semiconductor lasers 5/40) [2,7] (transferred to 5/40) . using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects [2] Devices using stimulated emission of wave energy other than those covered by groups 1/00, 3/00 or 5/00, e.g. phonon maser, gamma maser Semiconductor lasers [7] . Structural details or components not essential to laser action [7] . . Mountings; Housings [7] . . Cooling arrangements [7] . . Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers (stabilisation of output 5/06; coupling light guides with opto-electronic elements G 02 B 6/42; devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid state components formed in or on a common substrate, adapted for light emission H 01 L 27/15) [7] . . Coatings [7] . Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping (5/06 takes precedence) [7] . . Electrical excitation [7] . Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium (transmission systems employing light H 04 B 10/00) [7] 5/ 062 . . by varying the potential of the electrodes (5/065 takes precedence) [7] 5/ 0625 . . . in multi-section lasers [7] 5/ 065 . . Mode locking; Mode suppression; Mode selection [7] 5/ 068 . . Stabilisation of laser output parameters (5/0625 takes precedence) [7] 5/ 0683 . . . by monitoring the optical output parameters [7] 5/ 0687 . . . . Stabilising the frequency of the laser [7] 5/ 10 . Construction or shape of the optical resonator [7] 5/ 12 . . the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back lasers (DFB-lasers) (5/18 takes precedence) [7] 5/ 125 . . . Distributed Bragg reflector lasers (DBRlasers) [7] 5/ 14 . . External cavity lasers (5/18 takes precedence; mode locking 5/065) [7] 5/ 16 . . Window-type lasers, i.e. with a region of nonabsorbing material between the active region and the reflecting surface (5/14 takes precedence) [7] 5/ 18 . . Surface-emitting lasers (SE-lasers) [7] 5/ 183 . . . having a vertical cavity (VCSE-lasers) [7] 5/ 187 . . . using a distributed Bragg reflector (SE-DBRlasers) (5/183 takes precedence) [7] 5/ 20 . Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave [7] 5/ 22 . . having a ridge or a stripe structure [7] 5/ 223 . . . Buried stripe structure (5/227 takes precedence) [7] 5/ 227 . . . Buried mesa structure [7] 5/ 24 . . having a grooved structure, e.g. V-grooved [7] 5/ 30 . Structure or shape of the active region; Materials therefor [7] 5/ 32 . . comprising PN junctions, e.g. hetero- or doublehetero-structures (5/34 takes precedence) [7] 5/ 323 . . . in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser [7] 5/ 327 . . . in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser [7] 5/ 34 . . comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers (SQWlasers), multiple quantum well lasers (MQWlasers), graded index separate confinement heterostructure lasers (GRINSCH-lasers) [7] 5/ 343 . . . in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser [7] 5/ 347 . . . in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser [7] 5/ 40 . Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups 5/02 to 5/30 (5/50 takes precedence) [7] 5/ 42 . . Arrays of surface emitting lasers [7] 5/ 50 . Amplifier structures not provided for in groups 5/02 to 5/30 (as repeaters in transmission systems H 04 B 10/17) [7] 5/ 06
French: H 01 S 3/ 131 . . . par commande du milieu actif, p.ex. par commande des procédés ou des appareils pour l’excitation [4] (transféré en 5/068) . . . . dans des lasers à gaz [4] . . . par commande d’un dispositif placé dans la cavité [4] . . . . pour la stabilisation de la fréquence [4] . . . par commande de la position relative ou des propriétés réfléchissantes des réflecteurs de la cavité [4] . caractérisés par le matériau utilisé comme milieu actif . . Matériaux solides . . . amorphes, p.ex. verre [2] (transféré en 5/30) (transféré en 5/32) . . Liquides . . . comprenant un chélate [5] . . . comprenant un colorant organique [5] . . à gaz . . . le gaz actif étant polyatomique, c. à d. contenant plus d’un atome (3/227 a priorité) [2,5] . . . . comprenant un excimer ou un exciplex [5] . . . Vapeur métallique [5] . Agencement de plusieurs lasers non prévu dans les groupes 3/02 à 3/22, p.ex. agencement en série de deux milieux actifs séparés (comprenant uniquement des lasers à semi-conducteurs 5/40) [2,7] (transféré en 5/40) . utilisant des effets de diffusion, p.ex. l’effet Brillouin ou Raman stimulé [2] Dispositifs utilisant l’émission stimulée d’énergie ondulatoire autre que celle prévue dans les groupes 1/00, 3/00 ou 5/00, p.ex. maser phonon, maser gamma Lasers à semi-conducteurs [7] . Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser [7] . . Supports; Boîtiers [7] . . Dispositions pour le refroidissement [7] . . Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d’ondes, photodétecteurs de surveillance, dispositifs d’attaque (stabilisation de la sortie du laser 5/06; couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques G 02 B 6/42; dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d’autres composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun, adaptés pour l’émission de lumière H 01 L 27/15) [7] . . Revêtements [7] . Procédés ou appareils pour l’excitation, p.ex. pompage (5/06 a priorité) [7] . . Excitation électrique [7] . Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif (systèmes de transmission utilisant la lumière H 04 B 10/00) [7] 5/ 062 . . en faisant varier le potentiel des électrodes (5/065 a priorité) [7] 5/ 0625 . . . dans des lasers à plusieurs sections [7] 5/ 065 . . Accrochage de modes; Suppression de modes; Sélection de modes [7] 5/ 068 . . Stabilisation des paramètres de sortie du laser (5/0625 a priorité) [7] 5/ 0683 . . . en surveillant les paramètres optiques de sortie [7] 5/ 0687 . . . . Stabilisation de la fréquence du laser [7] 5/ 10 . Structure ou forme du résonateur optique [7] 5/ 12 . . le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie (lasers DFB) (5/18 a priorité) [7] 5/ 125 . . . Lasers à réflecteurs de Bragg répartis (lasers DBR) [7] 5/ 14 . . Lasers à cavité externe (5/18 a priorité; accrochage de modes 5/065) [7] 5/ 16 . . Lasers du type à fenêtre, c. à d. avec une région en un matériau non absorbant entre la région active et la surface réfléchissante (5/14 a priorité) [7] 5/ 18 . . Lasers à émission de surface (lasers SE) [7] 5/ 183 . . . ayant une cavité verticale (lasers VCSE) [7] 5/ 187 . . . utilisant un réflecteur de Bragg réparti (lasers SE-DBR) (5/183 a priorité) [7] 5/ 20 . Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l’onde optique [7] 5/ 22 . . ayant une structure à nervures ou à bandes [7] 5/ 223 . . . Structure à bande enterrée (5/227 a priorité) [7] 5/ 227 . . . Structure mesa enterrée [7] 5/ 24 . . ayant une structure rainurée, p.ex. à rainures en V [7] 5/ 30 . Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active [7] 5/ 32 . . comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures (5/34 a priorité) [7] 5/ 323 . . . dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs [7] 5/ 327 . . . dans des composés AIIBVI, p.ex. laser ZnCdSe [7] 5/ 34 . . comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique (lasers SQW), lasers à plusieurs puits quantiques (lasers MQW), lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif (lasers GRINSCH) [7] 5/ 343 . . . dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs [7] 5/ 347 . . . dans des composés AIIBVI, p.ex. laser ZnCdSe [7] 5/ 40 . Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes 5/02 à 5/30 (5/50 a priorité) [7] 5/ 42 . . Réseaux de lasers à émission de surface [7] 5/ 50 . Structures amplificatrices non prévues dans les groupes 5/02 à 5/30 (en tant que répéteurs dans les systèmes de transmission H 04 B 10/17) [7] 5/ 06