English: [2] 29 / 02 29 / 40 29 / 66 31 / 00 . Semiconductor bodies [2] . Electrodes [2] . Types of semiconductor device [2] Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof (H01L 51/42 takes precedence; devices consisting of a plurality of solid state components formed in, or on, a common substrate, other than combinations of radiation-sensitive components with one or more electric light sources, H01L 27/00; roof covering aspects of energy collecting devices E04D 13/18; production of heat using solar heat F24J 2/00; measurement of X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation or cosmic radiation with semiconductor detectors G01T 1/00, with resistance detectors G01T 1/00; measurement of neutron radiation with semiconductor detectors G01T 3/00; couplings of light guides with optoelectronic elements G02B 6/42; obtaining energy from radioactive sources G21H) [2,6,8] . Details [2] . . Containers; Encapsulations [5] . . Coatings [5] . . Electrodes [5] . . Optical elements or arrangements associated with the device [5] . . Special surface textures [5] . . Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation [5]
French: [2] 29 / 02 29 / 40 29 / 66 31 / 00 . Corps semi-conducteurs [2] . Electrodes [2] . Types de dispositifs semi-conducteurs [2] Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d’ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l’énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l’énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails (H01L 51/42 a priorité; dispositifs consistant en une pluralité de composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun, autres que les assemblages de composants sensibles au rayonnement avec une ou plusieurs sources de lumière électrique H01L 27/00; aspects couverture de toit des dispositifs collecteurs d’énergie E04D 13/18; production de chaleur utilisant la chaleur solaire F24J 2/00; mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques avec des détecteurs à semiconducteurs G01T 1/00, avec des détecteurs à résistance G01T 1/00; mesure de flux de neutrons avec des détecteurs à semi-conducteurs G01T 3/00; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques G02B 6/42; obtention d’énergie à partir de sources radioactives G21H) [2,6,8] . Détails [2] . . Conteneurs; Capsulations [5] . . Revêtements [5] . . Electrodes [5] . . Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif [5] . . Textures de surface particulières [5] . . Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température [5] . caractérisés par leurs corps semi-conducteurs [5] . . caractérisés par les matériaux [5] . . . Matériaux inorganiques [5] . . caractérisés par leur structure cristalline ou par l’orientation particulière des plans cristallins [5]