English: 15/ 00 Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method (under a protective fluid C 30 B 27/00) [3] 15/ 02 . adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt [3] 15/ 04 . . adding doping materials, e.g. for n-p-junction [3] 15/ 06 . Non-vertical pulling [3] 15/ 08 . Downward pulling [3] 15/ 10 . Crucibles or containers for supporting the melt [3] 15/ 12 . . Double crucible methods [3] 15/ 14 . Heating of the melt or the crystallised materials [3] 15/ 16 . . by irradiation or electric discharge [3] 15/ 18 . . using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat [3] 15/ 20 . Controlling or regulating (controlling or regulating in general G 05) [3] 15/ 22 . . Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal [3] 15/ 24 . . . using mechanical means, e.g. shaping guides (shaping dies for edge-defined film-fed crystal growth C 30 B 15/34) [3] 15/ 26 . . . using television detectors; using photo or X-ray detectors [3] 15/ 28 . . . using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods [3] 15/ 30 . Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal (flotation methods C 30 B 15/28) [3] 15/ 32 . Seed holders, e.g. chucks [3] 15/ 34 . Edge-defined film-fed crystal growth using dies or slits [3] 15/ 36 . characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation [3]
French: 15/ 00 Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski (sous un fluide protecteur C 30 B 27/00) [3] 15/ 02 . en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ [3] 15/ 04 . . avec addition d'un matériau de dopage, p.ex. pour une jonction n-p [3] 15/ 06 . Tirage non vertical [3] 15/ 08 . Tirage vers le bas [3] 15/ 10 . Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu [3] 15/ 12 . . Méthodes utilisant un creuset double [3] 15/ 14 . Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé [3] 15/ 16 . . par irradiation ou par décharge électrique [3] 15/ 18 . . en utilisant un chauffage direct par résistance en plus des autres moyens de chauffage, p.ex. en utilisant le chauffage par effet Peltier [3] 15/ 20 . Commande ou régulation (commande ou régulation en général G 05) [3] 15/ 22 . . Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal [3] 15/ 24 . . . en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. des guides de formage (matrices de formage pour la croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface C 30 B 15/34) [3] 15/ 26 . . . en utilisant des détecteurs de télévision; en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X [3] 15/ 28 . . . en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation [3] 15/ 30 . Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal (méthodes de flottation C 30 B 15/28) [3] 15/ 32 . Porte-germe, p.ex. mandrins [3] 15/ 34 . Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage [3] 15/ 36 . caractérisée par le germe, p.ex. par son orientation cristallographique [3]