English: C 23 C 14/ 28 14/ 30 14/ 32 . . . by wave energy or particle radiation (14/32 to 14/48 take precedence) [4] . . . . by electron bombardment [4] . . . by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours (14/34 to 14/48 take precedence) [4] . . Sputtering [4] . . . by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering [5] . . . Diode sputtering (14/35 takes precedence) [4,5] . . . . by direct current glow discharge [4] . . . . with alternating current discharge, e.g. highfrequency discharge [4] . . . Triode sputtering (14/35 takes precedence) [4,5] . . . . by application of high frequencies and additional direct voltages [4] . . . by ion beam produced by an external ion source (14/40 takes precedence) [4] . . Ion implantation [4] . . Substrate holders [4] . . Means for observation of the coating process [4] . . Controlling or regulating the coating process (controlling or regulating in general G 05) [4] . . Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks [4] . After-treatment [4] 16/ 40 16/ 42 16/ 44 16/ 442 16/ 448 . . . Oxides [4] . . . Silicides [4] . characterised by the method of coating (16/04 takes precedence) [4] . . using fluidised bed processes [7] . . characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials [7] . . . by activating reactive gas streams before introduction into the reaction chamber, e.g. by ionization or by addition of reactive species [7] . . passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD (16/513 takes precedence; for flame or plasma spraying of coating material in the molten state 4/00) [7] . . characterised by the method used for introducing gases into the reaction chamber or for modifying gas flows in the reaction chamber [7] . . characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber [7] . . characterised by the method used for heating the substrate (16/48, 16/50 take precedence) [4] . . by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation [4] . . using electric discharges [4] . . . using dc or ac discharges [7] . . . using radio frequency discharges [7] . . . . using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors [7] . . . . using internal electrodes [7] . . . using microwave discharges [7] . . . using plasma jets [7] . . . using pulsed discharges [7] . . . using a combination of discharges covered by two or more of groups 16/503 to 16/515 [7] . . Controlling or regulating the coating process (controlling or regulating in general G 05) [4] . . Apparatus specially adapted for continuous coating [4] . After-treatment [4] Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating (chemical surface reaction 8/00, 22/00); Contact plating [4]
French: C 23 C 12/ 00 Diffusion à l’état solide d’au moins un élément non métallique autre que le silicium et d’au moins un élément métallique ou du silicium dans la couche superficielle de matériaux métalliques [4] . Diffusion en une seule étape [4] Dépôt chimique ou revêtement par décomposition; Dépôt par contact (diffusion à l’état solide 8/00 à 12/00) [4] 16/ 00 Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) (pulvérisation cathodique réactive ou évaporation réactive sous vide 14/00) [4] . sur des substrats temporaires, p.ex. sur des substrats qui sont ensuite enlevés par attaque chimique [7] . Pré-traitement du matériau à revêtir (16/04 a priorité) [4] . Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques [4] . caractérisé par le dépôt d’un matériau métallique [4] . . à partir d’halogénures métalliques [4] . . . Dépôt uniquement de chrome [4] . . . Dépôt uniquement d’aluminium [4] . . . Dépôt d’un seul autre élément métallique [4] . . à partir de métaux carbonyles [4] . . à partir de composés organométalliques [4] . . . Dépôt uniquement d’aluminium [4] . caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques [4] . . Dépôt uniquement de silicium [4] . . Dépôt uniquement de carbone [4] . . . Le diamant uniquement [7] . . Dépôt d’un seul autre élément non métallique [4] . . Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures [4] . . . Carbures [4] . . . Nitrures [4] . . . Carbo-nitrures [4] . . . Borures [4] . . . Oxydes [4] . . . Siliciures [4] . caractérisé par le procédé de revêtement (16/04 a priorité) [4] . . utilisant des procédés à lits fluidisés [7] . . caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p.ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs [7] . . . par activation de courants de gaz réactifs avant l’introduction dans la chambre de réaction, p.ex. par ionisation ou par addition d’espèces réactives [7] . . en faisant passer les gaz de réaction à travers des brûleurs ou des torches, p.ex. CVD sous pression atmosphérique (16/513 a priorité; pour la pulvérisation de matériau de revêtement à l’état fondu à l’aide d’une flamme ou d’un plasma 4/00) [7] . . caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction [7] . . caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction [7] . . caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat (16/48, 16/50 ont priorité) [4] . . par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire [4] . . au moyen de décharges électriques [4] . . . utilisant des décharges à courant continu ou alternatif [7] . . . utilisant des décharges à radiofréquence [7] 4