English: [7] 21/ 20 . . . . Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2] 21/ 203 . . . . . using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2] 21/ 205 . . . . . using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2] 21/ 208 . . . . . using liquid deposition [2] 21/ 22 . . . . Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions; Redistribution of impurity materials, e.g. without introduction or removal of further dopant [2] 21/ 223 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2] 21/ 225 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2] 21/ 228 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2] 21/ 24 . . . . Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2] 21/ 26 . . . . Bombardment with wave or particle radiation (thermal treatment H01L 21/324) [2] 21/ 261 . . . . . to produce a nuclear reaction transmuting chemical elements [6] 21/ 263 . . . . . with high-energy radiation (H01L 21/261 takes precedence) [2,6] 21/ 265 . . . . . . producing ion implantation (ion-beam tubes for localised treatment H01J 37/30) [2] 21/ 266 . . . . . . . using masks [5] 21/ 268 . . . . . . using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2] 21/ 28 . . . . Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20 to H01L 21/268 [2] 21/ 283 . . . . . Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2] 21/ 285 . . . . . . from a gas or vapour, e.g. condensation [2] 21/ 288 . . . . . . from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2] 21/ 30 . . . . Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/20 to H01L 21/26 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/28) [2] 21/ 301 . . . . . to subdivide a semiconductor body into separate parts, e.g. making partitions (cutting H01L 21/304) [6] 21/ 302 . . . . . to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting [2] 21/ 304 . . . . . . Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting [2] 21/ 306 . . . . . . Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/31; after-treatment of insulating layers H01L 21/3105) [2] 21/ 3063 . . . . . . . Electrolytic etching [6] 21/ 3065 . . . . . . . Plasma etching; Reactive-ion etching [6] 21/ 308 . . . . . . . using masks (H01L 21/3063, H01L 21/3065, take precedence) [2,6] 21/ 31 . . . . . to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (layers forming electrodes H01L 21/28; encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers; Selection of materials for these layers [2,5] 21/ 3105 . . . . . . After-treatment [5] 21/ 311 . . . . . . . Etching the insulating layers [5] 21/ 3115 . . . . . . . Doping the insulating layers [5] 21/ 312 . . . . . . Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2,5] 21/ 314 . . . . . . Inorganic layers (H01L 21/3105, H01L 21/32 take precedence) [2,5] 21/ 316 . . . . . . . composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2] 21/ 318 . . . . . . . composed of nitrides [2] 21/ 32 . . . . . . using masks [2,5] 21/ 3205 . . . . . . Deposition of non-insulating-, e.g. conductive-, resistive-, layers, on insulating layers (arrangements for conducting electric current within the device H01L 23/52); After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [5] 21/ 321 . . . . . . . After-treatment [5] 21/ 3213 . . . . . . . . Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer [6] 21/ 3215 . . . . . . . . Doping the layers [5] 21/ 322 . . . . . to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections [2] 21/ 324 . . . . . Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H01L 21/20 to H01L 21/288, H01L 21/302 to H01L 21/322 take precedence) [2] 21/ 326 . . . . . Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/20 to H01L 21/288, H01L 21/302 to H01L 21/324 take precedence) [2] 21/ 328 . . . . Multistep processes for the manufacture of devices of the bipolar type, e.g. diodes, transistors, thyristors [5] 21/ 329 . . . . . the devices comprising one or two electrodes, e.g. diodes [5] 21/ 33 . . . . . the devices comprising three or more electrodes [5] 21/ 331 . . . . . . Transistors [5] 21/ 332 . . . . . . Thyristors [5] 21/ 334 . . . . Multistep processes for the manufacture of devices of the unipolar type [5] 21/ 335 . . . . . Field-effect transistors [5] 21/ 336 . . . . . . with an insulated gate [5] 21/ 337 . . . . . . with a PN junction gate [5] 21/ 338 . . . . . . with a Schottky gate [5] 21/ 339 . . . . . Charge transfer devices [5,6] 21/ 34 . . . the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L 21/06, H01L 21/16, and H01L 21/18 with or without impurities, e.g. doping materials [2] 21/ 36 . . . . Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth [2] 21/ 363 . . . . . using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering [2] 21/ 365 . . . . . using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition [2] 21/ 368 . . . . . using liquid deposition [2] 21/ 38 . . . . Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into, or out of, a semiconductor body, or between semiconductor regions [2] 21/ 383 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a gaseous phase [2] 21/ 385 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer [2] 21/ 388 . . . . . using diffusion into, or out of, a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes [2] 21/ 40 . . . . Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body [2] 21/ 42 . . . . Bombardment with radiation [2] 21/ 423 . . . . . with high-energy radiation [2] 21/ 425 . . . . . . producing ion implantation (ion-beam tubes for localised treatment H01J 37/30) [2] 21/ 426 . . . . . . . using masks [5] 21/ 428 . . . . . . using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation [2] 21/ 44 . . . . Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36 to H01L 21/428 [2] 21/ 441 . . . . . Deposition of conductive or insulating materials for electrodes [2] 21/ 443 . . . . . . from a gas or vapour, e.g. condensation [2] 21/ 445 . . . . . . from a liquid, e.g. electrolytic deposition [2] 21/ 447 . . . . . involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2] 21/ 449 . . . . . involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2] 21/ 46 . . . . Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L 21/36 to H01L 21/428 (manufacture of electrodes thereon H01L 21/44) [2] 21/ 461 . . . . . to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting [2] 21/ 463 . . . . . . Mechanical treatment, e.g. grinding, ultrasonic treatment [2] 21/ 465 . . . . . . Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching (to form insulating layers H01L 21/469) [2] 21/ 467 . . . . . . . using masks [2] 21/ 469 . . . . . . to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques (layers forming electrodes H01L 21/44; encapsulating layers H01L 21/56); After-treatment of these layers [2,5] 21/ 47 . . . . . . . Organic layers, e.g. photoresist (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2,5] 21/ 471 . . . . . . . Inorganic layers (H01L 21/475, H01L 21/4757 take precedence) [2,5] 21/ 473 . . . . . . . . composed of oxides or glassy oxides or oxide-based glass [2] 21/ 475 . . . . . . . using masks [2,5] 21/ 4757 . . . . . . . After-treatment [5] 21/ 4763 . . . . . . Deposition of non-insulating-, e.g. conductive-, resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers (manufacture of electrodes H01L 21/28) [5] 21/ 477 . . . . . Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering (H01L 21/36 to H01L 21/449, H01L 21/461 to H01L 21/475 take precedence) [2] 21/ 479 . . . . . Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming (H01L 21/36 to H01L 21/449, H01L 21/461 to H01L 21/477 take precedence) [2] 21/ 48 . . . Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L 21/06 to H01L 21/326 (containers, encapsulations, fillings, mountings per se H01L 23/00) [2] 21/ 50 . . . Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L 21/06 to H01L 21/326 [2] 21/ 52 . . . . Mounting semiconductor bodies in containers [2] 21/ 54 . . . . Providing fillings in containers, e.g. gas fillings [2] 21/ 56 . . . . Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings [2] 21/ 58 . . . . Mounting semiconductor devices on supports [2] 21/ 60 . . . . Attaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation [2] 21/ 603 . . . . . involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding (H01L 21/607 takes precedence) [2] 21/ 607 . . . . . involving the application of mechanical vibrations, e.g. ultrasonic vibrations [2] 21/ 62 . . the devices having no potential-jump barriers or surface barriers [2] 21/ 64 . Manufacture or treatment of solid state devices other than semiconductor devices, or of parts thereof, not peculiar to a single device provided for in groups H01L 31/00 to H01L 49/00 [2] 21/ 66 . Testing or measuring during manufacture or treatment (after manufacture G01R 31/26) [2] 21/ 68 . Apparatus for supporting or positioning components during manufacture, e.g. jigs [2] 21/ 70 . Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof (manufacture of assemblies consisting of preformed electrical components H05K 3/00, H05K 13/00) [2] 21/ 71 . . Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 take precedence) [6] 21/ 74 . . . Making of buried regions of high impurity concentration, e.g. buried collector layers, internal connections [2] 21/ 76 . . . Making of isolation regions between components [2] 21/ 761 . . . . PN junctions [6] 21/ 762 . . . . Dielectric regions [6] 21/ 763 . . . . Polycrystalline semiconductor regions [6] 21/ 764 . . . . Air gaps [6] 21/ 765 . . . . by field-effect [6] 21/ 768 . . . Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device [6] 21/ 77 . . Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate [6] 21/ 78 . . . with subsequent division of the substrate into plural individual devices (cutting to change the surface-physical characteristics or shape of semiconductor bodies H01L 21/304) [2,6] 21/ 782 . . . . to produce devices, each consisting of a single circuit element (H01L 21/82 takes precedence) [6] 21/ 784 . . . . . the substrate being a semiconductor body [6] 21/ 786 . . . . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body [6] 21/ 82 . . . . to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components [2] 21/ 822 . . . . . the substrate being a semiconductor, using silicon technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8222 . . . . . . Bipolar technology [6] 21/ 8224 . . . . . . . comprising a combination of vertical and lateral transistors [6] 21/ 8226 . . . . . . . comprising merged transistor logic or integrated injection logic [6] 21/ 8228 . . . . . . . Complementary devices, e.g. complementary transistors [6] 21/ 8229 . . . . . . . Memory structures [6] 21/ 8232 . . . . . . Field-effect technology [6] 21/ 8234 . . . . . . . MIS technology [6] 21/ 8236 . . . . . . . . Combination of enhancement and depletion transistors [6] 21/ 8238 . . . . . . . . Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS [6] 21/ 8239 . . . . . . . . Memory structures [6] 21/ 8242 . . . . . . . . . Dynamic random access memory structures (DRAM) [6] 21/ 8244 . . . . . . . . . Static random access memory structures (SRAM) [6] 21/ 8246 . . . . . . . . . Read-only memory structures (ROM) [6] 21/ 8247 . . . . . . . . . . electrically-programmable (EPROM) [6] 21/ 8248 . . . . . . Combination of bipolar and field-effect technology [6] 21/ 8249 . . . . . . . Bipolar and MOS technology [6] 21/ 8252 . . . . . the substrate being a semiconductor, using III-V technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8254 . . . . . the substrate being a semiconductor, using II-VI technology (H01L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8256 . . . . . the substrate being a semiconductor, using technologies not covered by one of groups H01L 21/822, H01L 21/8252 or H01L 21/8254 (H01L 21/8258 takes precedence) [6] 21/ 8258 . . . . . the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 or H01L 21/8256 [6] 21/ 84 . . . . . the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body [2,6] 21/ 86 . . . . . . the insulating body being sapphire, e.g. silicon on sapphire structure, i.e. SOS [2,6] 21/ 98 . . Assembly of devices consisting of solid state components formed in or on a common substrate; Assembly of integrated circuit devices (H01L 21/50 takes precedence; assemblies H01L 25/00) [2,5]
French: [7] 21/ 20 . . . . Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2] 21/ 203 . . . . . en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2] 21/ 205 . . . . . en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique [2] 21/ 208 . . . . . en utilisant un dépôt liquide [2] 21/ 22 . . . . Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire [2] 21/ 223 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2] 21/ 225 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2] 21/ 228 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2] 21/ 24 . . . . Formation d'alliages d'impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2] 21/ 26 . . . . Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires (traitement thermique H01L 21/324) [2] 21/ 261 . . . . . pour produire une réaction nucléaire donnant des éléments chimiques par transmutation [6] 21/ 263 . . . . . par des radiations d'énergie élevée (H01L 21/261 a priorité) [2,6] 21/ 265 . . . . . . produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé H01J 37/30) [2] 21/ 266 . . . . . . . en utilisant des masques [5] 21/ 268 . . . . . . les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2] 21/ 28 . . . . Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L 21/20 à H01L 21/268 [2] 21/ 283 . . . . . Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2] 21/ 285 . . . . . . à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2] 21/ 288 . . . . . . à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2] 21/ 30 . . . . Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L 21/20 à H01L 21/26 (fabrication des électrodes sur ces corps H01L 21/28) [2] 21/ 301 . . . . . pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées (coupe H01L 21/304) [6] 21/ 302 . . . . . pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure , polissage, découpage [2] 21/ 304 . . . . . . Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe [2] 21/ 306 . . . . . . Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes H01L 21/31; post-traitement des couches isolantes H01L 21/3105) [2] 21/ 3063 . . . . . . . Gravure électrolytique [6] 21/ 3065 . . . . . . . Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs [6] 21/ 308 . . . . . . . en utilisant des masques (H01L 21/3063, H01L 21/3065 ont priorité) [2,6] 21/ 31 . . . . . pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant des électrodes H01L 21/28; couches de capsulation H01L 21/56); Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches [2,5] 21/ 3105 . . . . . . Post-traitement [5] 21/ 311 . . . . . . . Gravure des couches isolantes [5] 21/ 3115 . . . . . . . Dopage des couches isolantes [5] 21/ 312 . . . . . . Couches organiques, p.ex. couche photosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 ont priorité) [2,5] 21/ 314 . . . . . . Couches inorganiques (H01L 21/3105, H01L 21/32 ont priorité) [2,5] 21/ 316 . . . . . . . composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2] 21/ 318 . . . . . . . composées de nitrures [2] 21/ 32 . . . . . . en utilisant des masques [2,5] 21/ 3205 . . . . . . Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives, sur des couches isolantes (dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif H01L 23/52); Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes H01L 21/28) [5] 21/ 321 . . . . . . . Post-traitement [5] 21/ 3213 . . . . . . . . Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable [6] 21/ 3215 . . . . . . . . Dopage des couches [5] 21/ 322 . . . . . pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes [2] 21/ 324 . . . . . Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (H01L 21/20 à H01L 21/288, H01L 21/302, H01L 21/322 ont priorité) [2] 21/ 326 . . . . . Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (H01L 21/20 à H01L 21/288, H01L 21/302 à H01L 21/324 ont priorité) [2] 21/ 328 . . . . Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors [5] 21/ 329 . . . . . les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes [5] 21/ 33 . . . . . les dispositifs comportant trois électrodes ou plus [5] 21/ 331 . . . . . . Transistors [5] 21/ 332 . . . . . . Thyristors [5] 21/ 334 . . . . Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire [5] 21/ 335 . . . . . Transistors à effet de champ [5] 21/ 336 . . . . . . à grille isolée [5] 21/ 337 . . . . . . à jonction PN [5] 21/ 338 . . . . . . à grille Schottky [5] 21/ 339 . . . . . Dispositifs à transfert de charge [5,6] 21/ 34 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L 21/06, H01L 21/16 et H01L 21/18 avec ou sans impuretés, p.ex. matériaux de dopage [2] 21/ 36 . . . . Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale [2] 21/ 363 . . . . . en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation [2] 21/ 365 . . . . . en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique [2] 21/ 368 . . . . . en utilisant un dépôt liquide [2] 21/ 38 . . . . Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices [2] 21/ 383 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase gazeuse [2] 21/ 385 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée [2] 21/ 388 . . . . . en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage [2] 21/ 40 . . . . Formation d'alliages des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, avec un corps semi-conducteur [2] 21/ 42 . . . . Bombardement par des radiations [2] 21/ 423 . . . . . par des radiations d'énergie élevée [2] 21/ 425 . . . . . . produisant une implantation d'ions (tubes à rayons ioniques pour traitement localisé H01J 37/30) [2] 21/ 426 . . . . . . . en utilisant des masques [5] 21/ 428 . . . . . . les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser [2] 21/ 44 . . . . Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L 21/36 à H01L 21/428 [2] 21/ 441 . . . . . Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes [2] 21/ 443 . . . . . . à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation [2] 21/ 445 . . . . . . à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique [2] 21/ 447 . . . . . impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (H01L 21/607 a priorité) [2] 21/ 449 . . . . . impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasoniques [2] 21/ 46 . . . . Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L 21/36 à H01L 21/428 (fabrication des électrodes sur ces corps H01L 21/44) [2] 21/ 461 . . . . . pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage [2] 21/ 463 . . . . . . Traitement mécanique, p.ex. meulage, traitement par ultrasons [2] 21/ 465 . . . . . . Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique (pour former des couches isolantes H01L 21/469) [2] 21/ 467 . . . . . . . en utilisant des masques [2] 21/ 469 . . . . . . pour y former des couches isolantes, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques (couches formant électrodes H01L 21/44; couches de capsulation H01L 21/56); Post-traitement de ces couches [2,5] 21/ 47 . . . . . . . Couches organiques, p.ex. couche photosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 ont priorité) [2,5] 21/ 471 . . . . . . . Couches inorganiques (H01L 21/475, H01L 21/4757 ont priorité) [2,5] 21/ 473 . . . . . . . . composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde [2] 21/ 475 . . . . . . . en utilisant des masques [2,5] 21/ 4757 . . . . . . . Post-traitement [5] 21/ 4763 . . . . . . Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches (fabrication des électrodes H01L 21/28) [5] 21/ 477 . . . . . Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage (H01L 21/36 à H01L 21/449, H01L 21/461 à H01L 21/475 ont priorité) [2] 21/ 479 . . . . . Application de courants ou de champs électriques, p.ex. pour l'électroformage (H01L 21/36 à H01L 21/449, H01L 21/461 à H01L 21/477 ont priorité) [2] 21/ 48 . . . Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L 21/06 à H01L 21/326 (conteneurs, capsulations, remplissage, supports en soi H01L 23/00) [2] 21/ 50 . . . Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L 21/06 à H01L 21/326 [2] 21/ 52 . . . . Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs [2] 21/ 54 . . . . Remplissage des conteneurs, p.ex. remplissage en gaz [2] 21/ 56 . . . . Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements [2] 21/ 58 . . . . Montage des dispositifs à semi-conducteurs sur des supports [2] 21/ 60 . . . . Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement [2] 21/ 603 . . . . . impliquant l'application d'une pression, p.ex. soudage par thermo-compression (H01L 21/607 a priorité) [2] 21/ 607 . . . . . impliquant l'application de vibrations mécaniques, p.ex. vibrations ultrasonores [2] 21/ 62 . . les dispositifs n'ayant ni barrière de potentiel ni barrière de surface [2] 21/ 64 . Fabrication ou traitement de dispositifs à l'état solide autres que des dispositifs à semi-conducteurs, ou de leurs parties constitutives, par des méthodes non conçues spécialement pour l'un uniquement des dispositifs couverts par les groupes H01L 31/00 à H01L 49/00 [2] 21/ 66 . Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement (après la fabrication G01R 31/26) [2] 21/ 68 . Appareils pour maintenir ou mettre en position les composants pendant leur fabrication, p.ex. calibres [2] 21/ 70 . Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci (fabrication d'ensembles de composants électriques préfabriqués H05K 3/00, H05K 13/00) [2] 21/ 71 . . Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44 et H01L 21/48 ont priorité) [6] 21/ 74 . . . Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes [2] 21/ 76 . . . Réalisation de régions isolantes entre les composants [2] 21/ 761 . . . . Jonctions PN [6] 21/ 762 . . . . Régions diélectriques [6] 21/ 763 . . . . Régions polycristallines semi-conductrices [6] 21/ 764 . . . . Espaces d'air [6] 21/ 765 . . . . par effet de champ [6] 21/ 768 . . . Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif [6] 21/ 77 . . Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun [6] 21/ 78 . . . avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels (découpage pour changer les caractéristiques physiques de surface ou la forme des corps semi-conducteurs H01L 21/304) [2,6] 21/ 782 . . . . pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit (H01L 21/82 a priorité) [6] 21/ 784 . . . . . le substrat étant un corps semi-conducteur [6] 21/ 786 . . . . . le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant [6] 21/ 82 . . . . pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants [2] 21/ 822 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium (H01L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8222 . . . . . . Technologie bipolaire [6] 21/ 8224 . . . . . . . les dispositifs comprenant une combinaison de transistors verticaux et de transistors latéraux [6] 21/ 8226 . . . . . . . les dispositifs comprenant une logique à transistors fusionnés ou une logique à injection intégrée [6] 21/ 8228 . . . . . . . Dispositifs complémentaires, p.ex. transistors complémentaires [6] 21/ 8229 . . . . . . . Structures de mémoires [6] 21/ 8232 . . . . . . Technologie à effet de champ [6] 21/ 8234 . . . . . . . Technologie MIS [6] 21/ 8236 . . . . . . . . Combinaison de transistors à enrichissement et de transistors à appauvrissement [6] 21/ 8238 . . . . . . . . Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS [6] 21/ 8239 . . . . . . . . Structures de mémoires [6] 21/ 8242 . . . . . . . . . Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) [6] 21/ 8244 . . . . . . . . . Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM) [6] 21/ 8246 . . . . . . . . . Structures de mémoires mortes (ROM) [6] 21/ 8247 . . . . . . . . . . programmables électriquement (EPROM) [6] 21/ 8248 . . . . . . Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ [6] 21/ 8249 . . . . . . . Technologie bipolaire et MOS [6] 21/ 8252 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V (H01L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8254 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie II-VI (H01L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8256 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant des technologies non couvertes par l'un des groupes H01L 21/822, H01L 21/8252 ou H01L 21/8254 (H01L 21/8258 a priorité) [6] 21/ 8258 . . . . . le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 ou H01L 21/8256 [6] 21/ 84 . . . . . le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant [2,6] 21/ 86 . . . . . . le corps isolant étant du saphir, p.ex. silicium sur une structure en saphir, c. à d. S.O.S. [2,6] 21/ 98 . . Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré (H01L 21/50 a priorité; assemblages H01L 25/00) [2,5]