English: [2] 11/ 02 . using magnetic elements 11/ 04 . . using storage elements having cylindrical form, e.g. rod, wire (G11C 11/12, G11C 11/14 take precedence) [2] 11/ 06 . . using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element 11/ 061 . . . using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for destructive read-out [2] 11/ 063 . . . . bit-organized, such as, 2L/2D-, 3D-organization, i.e. for selection of an element by means of at least two coincident partial currents both for reading and for writing [2] 11/ 065 . . . . word-organized, such as 2D-organization, or linear selection, i.e. for selection of all the elements of a word by means of a single full current for reading [2] 11/ 067 . . . using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for non-destructive read-out [2] 11/ 08 . . using multi-aperture storage elements, e.g. using transfluxors; using plates incorporating several individual multi-aperture storage elements (G11C 11/10 takes precedence; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element G11C 11/06) [2] 11/ 10 . . using multi-axial storage elements 11/ 12 . . using tensors; using twistors, i.e. elements in which one axis of magnetisation is twisted 11/ 14 . . using thin-film elements 11/ 15 . . . using multiple magnetic layers (G11C 11/155 takes precedence) [2] 11/ 155 . . . with cylindrical configuration [2] 11/ 16 . . using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect 11/ 18 . using Hall-effect devices 11/ 19 . using non-linear reactive devices in resonant circuits [2] 11/ 20 . . using parametrons [2] 11/ 21 . using electric elements [2] 11/ 22 . . using ferroelectric elements [2] 11/ 23 . . using electrostatic storage on a common layer, e.g. Forrester-Haeff tubes (G11C 11/22 takes precedence) [2] 11/ 24 . . using capacitors (G11C 11/22 takes precedence; using a combination of semiconductor devices and capacitors G11C 11/34, e.g. G11C 11/40) [2,5] 11/ 26 . . using discharge tubes [2] 11/ 28 . . . using gas-filled tubes [2] 11/ 30 . . . using vacuum tubes (G11C 11/23 takes precedence) [2] 11/ 34 . . using semiconductor devices [2] 11/ 35 . . . with charge storage in a depletion layer, e.g. charge coupled devices [7] 11/ 36 . . . using diodes, e.g. as threshold elements [2] 11/ 38 . . . . using tunnel diodes [2] 11/ 39 . . . using thyristors [5] 11/ 40 . . . using transistors [2] 11/ 401 . . . . forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells [5] 11/ 402 . . . . . with charge regeneration individual to each memory cell, i.e. internal refresh [5] 11/ 403 . . . . . with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh [5] 11/ 404 . . . . . . with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell [5] 11/ 405 . . . . . . with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell [5] 11/ 406 . . . . . Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles [5] 11/ 4063 . . . . . Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing [7] 11/ 4067 . . . . . . for memory cells of the bipolar type [7] 11/ 407 . . . . . . for memory cells of the field-effect type [5] 11/ 4072 . . . . . . . Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting [7] 11/ 4074 . . . . . . . Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits [7] 11/ 4076 . . . . . . . Timing circuits (for regeneration management G11C 11/406) [7] 11/ 4078 . . . . . . . Safety or protection circuits, e.g. for preventing inadvertent or unauthorised reading or writing; Status cells; Test cells [7] 11/ 408 . . . . . . . Address circuits [5] 11/ 409 . . . . . . . Read-write (R-W) circuits [5] 11/ 4091 . . . . . . . . Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating [7] 11/ 4093 . . . . . . . . Input/output (I/O) data interface arrangements, e.g. data buffers (level conversion circuits in general H03K 19/0175) [7] 11/ 4094 . . . . . . . . Bit-line management or control circuits [7] 11/ 4096 . . . . . . . . Input/output (I/O) data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers, bit-line switches [7] 11/ 4097 . . . . . . . . Bit-line organisation, e.g. bit-line layout, folded bit lines [7] 11/ 4099 . . . . . . . . Dummy cell treatment; Reference voltage generators [7] 11/ 41 . . . . forming cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger [5] 11/ 411 . . . . . using bipolar transistors only [5] 11/ 412 . . . . . using field-effect transistors only [5] 11/ 413 . . . . . Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction [5] 11/ 414 . . . . . . for memory cells of the bipolar type [5] 11/ 415 . . . . . . . Address circuits [5] 11/ 416 . . . . . . . Read-write (R-W) circuits [5] 11/ 417 . . . . . . for memory cells of the field-effect type [5] 11/ 418 . . . . . . . Address circuits [5] 11/ 419 . . . . . . . Read-write (R-W) circuits [5] 11/ 4193 . . . Auxiliary circuits specific to particular types of semiconductor storage devices, e.g. for addressing, driving, sensing, timing, power supply, signal propagation (G11C 11/4063, G11C 11/413 take precedence) [7] 11/ 4195 . . . . Address circuits [7] 11/ 4197 . . . . Read-write (R-W) circuits [7] 11/ 42 . . using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled 11/ 44 . . using super-conductive elements, e.g. cryotron [2] 11/ 46 . using thermoplastic elements 11/ 48 . using displaceable coupling elements, e.g. ferromagnetic cores, to produce change between different states of mutual or self-inductance 11/ 50 . using actuation of electric contacts to store the information (mechanical stores G11C 23/00; switches providing a selected number of consecutive operations of the contacts by a single manual actuation of the operating part H01H 41/00) 11/ 52 . . using electromagnetic relays 11/ 54 . using elements simulating biological cells, e.g. neuron 11/ 56 . using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency (counting arrangements comprising multi-stable elements of this type H03K 25/00, H03K 29/00) [2]
French: [2] 11/ 02 . utilisant des éléments magnétiques 11/ 04 . . utilisant des éléments d'emmagasinage de forme cylindrique, p.ex. barre, fil (G11C 11/12, G11C 11/14 ont priorité) [2] 11/ 06 . . utilisant des éléments d'emmagasinage à simple ouverture; utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage 11/ 061 . . . utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive [2] 11/ 063 . . . . organisées par bit, p.ex. organisation 2 L/2 D, 3 D, c. à d. pour la sélection d'un élément au moyen d'au moins deux courants partiels coïncidents, tant pour la lecture que pour l'écriture [2] 11/ 065 . . . . organisées par mots, p.ex. organisation 2 D ou sélection linéaire, c. à d. pour la sélection de tous les éléments d'un mot au moyen d'un courant complet pour la lecture [2] 11/ 067 . . . utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture non destructive [2] 11/ 08 . . utilisant des éléments d'emmagasinage à ouvertures multiples, p.ex. utilisant des transfluxors; utilisant des plaques comportant plusieurs éléments d'emmagasinage individuels à ouvertures multiples (G11C 11/10 a priorité; utilisant des plaques à ouvertures multiples dans lesquelles chaque ouverture individuelle forme un élément d'emmagasinage G11C 11/06) [2] 11/ 10 . . utilisant des éléments d'emmagasinage multi-axiaux 11/ 12 . . utilisant des tensors, utilisant des twistors, c. à d. des éléments dans lesquels un axe de magnétisation est tordu 11/ 14 . . utilisant des éléments à pellicules minces 11/ 15 . . . utilisant des couches magnétiques multiples (G11C 11/155 a priorité) [2] 11/ 155 . . . avec une configuration cylindrique [2] 11/ 16 . . utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin 11/ 18 . utilisant des dispositifs à effet Hall 11/ 19 . utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants [2] 11/ 20 . . utilisant des paramétrons [2] 11/ 21 . utilisant des éléments électriques [2] 11/ 22 . . utilisant des éléments ferro-électriques [2] 11/ 23 . . utilisant l'emmagasinage électrostatique sur une couche commune, p.ex. tubes de Forrester-Haeff (G11C 11/22 a priorité) [2] 11/ 24 . . utilisant des condensateurs (G11C 11/22 a priorité; utilisant une combinaison de dispositifs à semi-conducteurs et de condensateurs G11C 11/34, p.ex. G11C 11/40) [2,5] 11/ 26 . . utilisant des tubes à décharge [2] 11/ 28 . . . utilisant des tubes à atmosphère gazeuse [2] 11/ 30 . . . utilisant des tubes à vide (G11C 11/23 a priorité) [2] 11/ 34 . . utilisant des dispositifs à semi-conducteurs [2] 11/ 35 . . . avec stockage de charges dans une région d'appauvrissement, p.ex. dispositifs à couplage de charge [7] 11/ 36 . . . utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil [2] 11/ 38 . . . . utilisant des diodes tunnels [2] 11/ 39 . . . utilisant des thyristors [5] 11/ 40 . . . utilisant des transistors [2] 11/ 401 . . . . formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques [5] 11/ 402 . . . . . avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c. à d. rafraîchissement interne [5] 11/ 403 . . . . . avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe [5] 11/ 404 . . . . . . avec une porte à transfert de charges, p.ex. un transistor MOS, par cellule [5] 11/ 405 . . . . . . avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule [5] 11/ 406 . . . . . Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge [5] 11/ 4063 . . . . . Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation [7] 11/ 4067 . . . . . . pour des cellules de mémoire du type bipolaire [7] 11/ 407 . . . . . . pour des cellules de mémoire du type à effet de champ [5] 11/ 4072 . . . . . . . Circuits pour l'initialisation, pour la mise sous ou hors tension, pour l'effacement de la mémoire ou pour le préréglage [7] 11/ 4074 . . . . . . . Circuits d'alimentation ou de génération de tension, p.ex. générateurs de tension de polarisation, générateurs de tension de substrat, alimentation de secours, circuits de commande d'alimentation [7] 11/ 4076 . . . . . . . Circuits de synchronisation (pour la gestion de la régénération G11C 11/406) [7] 11/ 4078 . . . . . . . Circuits de sécurité ou de protection, p.ex. afin d'empêcher la lecture ou l'écriture intempestives ou non autorisées; Cellules d'état; Cellules de test [7] 11/ 408 . . . . . . . Circuits d'adressage [5] 11/ 409 . . . . . . . Circuits de lecture-écriture (R-W) [5] 11/ 4091 . . . . . . . . Amplificateurs de lecture ou de lecture/rafraîchissement, ou circuits de lecture associés, p.ex. pour la précharge, la compensation ou l'isolation des lignes de bits couplées [7] 11/ 4093 . . . . . . . . Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. mémoires tampon de données (circuits de conversion de niveau en général H03K 19/0175) [7] 11/ 4094 . . . . . . . . Circuits de commande ou de gestion de lignes de bits [7] 11/ 4096 . . . . . . . . Circuits de commande ou de gestion d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits pour la lecture ou l'écriture, circuits d'attaque d'entrée/sortie, commutateurs de lignes de bits [7] 11/ 4097 . . . . . . . . Organisation de lignes de bits, p.ex. configuration de lignes de bits, lignes de bits repliées [7] 11/ 4099 . . . . . . . . Traitement de cellules factices; Générateurs de tension de référence [7] 11/ 41 . . . . formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt [5] 11/ 411 . . . . . utilisant uniquement des transistors bipolaires [5] 11/ 412 . . . . . utilisant uniquement des transistors à effet de champ [5] 11/ 413 . . . . . Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation [5] 11/ 414 . . . . . . pour des cellules de mémoire du type bipolaire [5] 11/ 415 . . . . . . . Circuits d'adressage [5] 11/ 416 . . . . . . . Circuits de lecture-écriture (R-W) [5] 11/ 417 . . . . . . pour des cellules de mémoire du type à effet de champ [5] 11/ 418 . . . . . . . Circuits d'adressage [5] 11/ 419 . . . . . . . Circuits de lecture-écriture (R-W) [5] 11/ 4193 . . . Circuits auxiliaires spécifiques aux types particuliers de dispositifs de stockage à semi-conducteurs, p.ex. pour l'adressage, la commande, la lecture, la synchronisation, l'alimentation, la propagation du signal (G11C 11/4063, G11C 11/413 ont priorité) [7] 11/ 4195 . . . . Circuits d'adressage [7] 11/ 4197 . . . . Circuits de lecture-écriture (R-W) [7] 11/ 42 . . utilisant des dispositifs opto-électroniques, c. à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement 11/ 44 . . utilisant des éléments supraconducteurs, p.ex. des cryotrons [2] 11/ 46 . utilisant des éléments thermoplastiques 11/ 48 . utilisant des éléments à couplage déplaçable, p.ex. des noyaux ferromagnétiques, pour produire un changement entre différents états d'induction mutuelle ou de self-induction 11/ 50 . utilisant l'actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l'information (mémoires mécaniques G11C 23/00; interrupteurs permettant un nombre choisi d'actionnements consécutifs des contacts à la suite d'un seul actionnement manuel de l'organe moteur H01H 41/00) 11/ 52 . . utilisant des relais électromagnétiques 11/ 54 . utilisant des éléments simulateurs de cellules biologiques, p.ex. neurone 11/ 56 . utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence (dispositions de comptage comprenant des éléments multistables de ce type H03K 25/00, H03K 29/00) [2]