English: [2] 21/ 02 . Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof (characterised by the use of organic materials H01L 51/40) [2] 21/ 027 . . Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L 21/18 or H01L 21/34 [5] 21/ 033 . . . comprising inorganic layers [5] 21/ 04 . . the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer [2] 21/ 06 . . . the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials [2] 21/ 08 . . . . Preparation of the foundation plate [2] 21/ 10 . . . . Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination [2] 21/ 103 . . . . . Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state [2] 21/ 105 . . . . . Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive [2] 21/ 108 . . . . . Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers [2] 21/ 12 . . . . Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate [2] 21/ 14 . . . . Treatment of the complete device, e.g. by electroforming to form a barrier [2] 21/ 145 . . . . . Ageing [2] 21/ 16 . . . the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide [2] 21/ 18 . . . the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials [2,6,7] Note
French: [2] 21/ 02 . Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives (caractérisés par l'utilisation de matériaux organiques H01L 51/40) [2] 21/ 027 . . Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L 21/18 ou H01L 21/34 [5] 21/ 033 . . . comportant des couches inorganiques [5] 21/ 04 . . les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges [2] 21/ 06 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux [2] 21/ 08 . . . . Préparation de la plaque de support [2] 21/ 10 . . . . Traitement préliminaire du sélénium ou du tellure, application sur la plaque de support, ou traitement subséquent de l'ensemble [2] 21/ 103 . . . . . Conversion du sélénium ou du tellure à l'état conducteur [2] 21/ 105 . . . . . Traitement de la surface de la couche de sélénium ou de tellure après conversion à l'état conducteur [2] 21/ 108 . . . . . Production de couches isolantes discrètes, c. à d. de barrières de surface non actives [2] 21/ 12 . . . . Application d'une électrode à la surface libre du sélénium ou du tellure, après l'apposition du sélénium ou du tellure à la plaque de support [2] 21/ 14 . . . . Traitement du dispositif complet, p.ex. par électroformage pour former une barrière [2] 21/ 145 . . . . . Vieillissement [2] 21/ 16 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant de l'oxyde cuivreux ou de l'iodure cuivreux [2] 21/ 18 . . . les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage [2,6,7] Note