English: H01L 27 / 24 27 / 26 27 / 28 . including solid state components for rectifying, amplifying, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier [2] . including bulk negative resistance effect components [2] . including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part [8] Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PNjunction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof (H01L 31/00 to H01L 47/00, H01L 51/05 take precedence; processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof H01L 21/00; details other than of semiconductor bodies or of electrodes thereof H01L 23/00; devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate H01L 27/00; resistors in general H01C; capacitors in general H01G) [2,6] 31 / 0248 31 / 0256 31 / 0264 31 / 036 31 / 04 31 / 042 31 / 045 31 / 048 31 / 05 31 / 052 31 / 058 . . . . . . . . . . . characterised by their semiconductor bodies [5] . characterised by the material [5] . . Inorganic materials [5] . characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes [5] adapted as conversion devices [2] . including a panel or array of photoelectric cells, e.g. solar cells [5] . . collapsible or foldable [5] . . encapsulated or with housing [5] . . characterised by special interconnection means [5] . . with cooling, light-reflecting or lightconcentrating means [5] . . including means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems, or a supplementary source of electric energy (using solar heat in general F24J 2/00) [5] . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier [2] in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors [2] . characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors [2] . . Devices sensitive to infra-red, visible or ultraviolet radiation [5] . . . characterised by only one potential barrier or surface barrier [5] . . Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation [5] structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto (semiconductor devices with at least one potential barrier or surface barrier specially adapted for light emission H01L 33/00; amplifiers using electroluminescent element and photocell H03F 17/00; electroluminescent light sources per se H05B 33/00) [2,5] . the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers, image storage devices [2] . the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources [2] Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof (for manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof in general H01L 21/00) [2]
French: H01L 29 / 00 Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l’amplification, à la génération d’oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d’appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes (H01L 31/00 à H01L 47/00, H01L 51/05 ont priorité; procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives H01L 21/00; détails autres que ceux des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes H01L 23/00; dispositifs consistant en une pluralité de composants à l’état solide formés dans ou sur un substrat commun H01L 27/00; résistances en général H01C; condensateurs en général H01G) [2,6] 31 / 04 31 / 042 31 / 045 31 / 048 31 / 05 31 / 052 31 / 058 . adaptés comme dispositifs de conversion [2] . . comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires [5] . . . escamotables ou pliables [5] . . . encapsulés ou ayant un boîtier [5] . . . caractérisés par des moyens d’interconnexion particuliers [5] . . . avec des moyens de refroidissement ou des moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière [5] . . . comprenant des moyens pour utiliser l’énergie thermique, p.ex. systèmes hybrides, ou une source additionnelle d’énergie électrique (utilisant l’énergie solaire en général F24J 2/00) [5] . . caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface [2] . dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photorésistances [2] . . caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. phototransistors [2] . . . Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet [5] . . . . caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface [5] . . . Dispositifs sensibles au rayonnement d’ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire [5] . structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources de lumière électriques, p.ex. avec des sources de lumière électro-luminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec les dites sources (dispositifs semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou de surface spécialement adaptés pour l’émission de lumière H01L 33/00; amplificateurs utilisant un élément électroluminescent ou une cellule photo-électrique H03F 17/00; sources de lumière électroluminescentes en soi H05B 33/00) [2,5] . . la ou les sources de lumière étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d’images, amplificateurs d’images, dispositifs de stockage d’image [2] . . le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources de lumière [2] . Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives (pour la fabrication ou le traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l’état solide, ou bien de leurs parties constitutives, en général H01L 21/00) [2] Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l’émission de lumière, p.ex. de rayons infrarouges; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails (H01L 51/50 a priorité; dispositifs consistant en une pluralité de composants formés dans ou sur un substrat commun H01L 27/00; dispositifs de couplage de guides de lumière avec des éléments optoélectroniques G02B 6/42; lasers à semi-conducteurs H01S 5/00; sources de lumière électroluminescentes en soi H05B 33/00) [2,8]