English: 16/ 00 Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. Chemical Vapour Deposition processes (reactive sputtering or vacuum evaporation C 23 C 14/00) [4] 16/ 02 . Pretreatment of the material to be coated (C 23 C 16/04 takes precedence) [4] 16/ 04 . Coating on selected surface areas, e.g. using masks [4] 16/ 06 . characterised by the deposition of metallic material [4] 16/ 08 . . from metal halides [4] 16/ 10 . . . Deposition of chromium only [4] 16/ 12 . . . Deposition of aluminium only [4] 16/ 14 . . . Deposition of only one other metal elements [4] 16/ 16 . . from metal carbonyl compounds [4] 16/ 18 . . from metallo-organic compounds [4] 16/ 20 . . . Deposition of aluminium only [4] 16/ 22 . characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material [4] 16/ 24 . . Deposition of silicon only [4] 16/ 26 . . Deposition of carbon only [4] 16/ 28 . . Deposition of only one other non-metal elements [4] 16/ 30 . . Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides [4] 16/ 32 . . . Carbides [4] 16/ 34 . . . Nitrides [4] 16/ 36 . . . Carbo-nitrides [4] 16/ 38 . . . Borides [4] 16/ 40 . . . Oxides [4] 16/ 42 . . . Silicides [4] 16/ 44 . characterised by the method of coating (C 23 C 16/04 takes precedence) [4] 16/ 46 . . by the way of heating the substrate (C 23 C 16/48, C 23 C 16/50 take precedence) [4] 16/ 48 . . by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation [4] 16/ 50 . . using electric discharges [4] 16/ 52 . . Controlling or regulating the coating process (controlling or regulating in general G 05) [4] 16/ 54 . . Apparatus specially adapted for continuous coating [4] 16/ 56 . After-treatment [4]
French: 16/ 00 Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (pulvérisation cathodique réactive ou évaporation réactive sous vide C 23 C 14/00) [4] 16/ 02 . Pré-traitement du matériau à revêtir (C 23 C 16/04 a priorité) [4] 16/ 04 . Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques [4] 16/ 06 . caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique [4] 16/ 08 . . à partir d'halogénures métalliques [4] 16/ 10 . . . Dépôt uniquement de chrome [4] 16/ 12 . . . Dépôt uniquement d'aluminium [4] 16/ 14 . . . Dépôt d'un seul autre élément métallique [4] 16/ 16 . . à partir de métaux carbonyles [4] 16/ 18 . . à partir de composés organométalliques [4] 16/ 20 . . . Dépôt uniquement d'aluminium [4] 16/ 22 . caractérisé par le dépôt de matériaux minéraux, autres que des matériaux métalliques [4] 16/ 24 . . Dépôt uniquement de silicium [4] 16/ 26 . . Dépôt uniquement de carbone [4] 16/ 28 . . Dépôt d'un seul autre élément non métallique [4] 16/ 30 . . Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures [4] 16/ 32 . . . Carbures [4] 16/ 34 . . . Nitrures [4] 16/ 36 . . . Carbo-nitrures [4] 16/ 38 . . . Borures [4] 16/ 40 . . . Oxydes [4] 16/ 42 . . . Siliciures [4] 16/ 44 . caractérisé par le procédé de revêtement (C 23 C 16/04 a priorité) [4] 16/ 46 . . par le mode de chauffage du substrat (C 23 C 16/48, C 23 C 16/50 ont priorité) [4] 16/ 48 . . par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire [4] 16/ 50 . . au moyen de décharges électriques [4] 16/ 52 . . Commande ou régulation du processus de dépôt (commande ou régulation en général G 05) [4] 16/ 54 . . Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu [4] 16/ 56 . Post-traitement [4]