English: [2] 11/ 02 . using magnetic elements 11/ 04 . . using storage elements having cylindrical form, e.g. rod, wire (G 11 C 11/12, G 11 C 11/14 take precedence) [2] 11/ 06 . . using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element 11/ 061 . . . using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for destructive read-out [2] 11/ 063 . . . . bit-organized, such as, 2L/2D-, 3D-organization, i.e. for selection of an element by means of at least two coincident partial currents both for reading and for writing [2] 11/ 065 . . . . word-organized, such as 2D-organization, or linear selection, i.e. for selection of all the elements of a word by means of a single full current for reading [2] 11/ 067 . . . using elements with single aperture or magnetic loop for storage, one element per bit, and for non-destructive read-out [2] 11/ 08 . . using multi-aperture storage elements, e.g. using transfluxors; using plates incorporating several individual multi-aperture storage elements (G 11 C 11/10 takes precedence; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element G 11 C 11/06) [2] 11/ 10 . . using multi-axial storage elements 11/ 12 . . using tensors; using twistors, i.e. elements in which one axis of magnetisation is twisted 11/ 14 . . using thin-film elements 11/ 15 . . . using multiple magnetic layers (G 11 C 11/155 takes precedence) [2] 11/ 155 . . . with cylindrical configuration [2] 11/ 16 . . using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect 11/ 18 . using Hall-effect devices 11/ 19 . using non-linear reactive devices in resonant circuits [2] 11/ 20 . . using parametrons [2] 11/ 21 . using electric elements [2] 11/ 22 . . using ferroelectric elements [2] 11/ 23 . . using electrostatic storage on a common layer, e.g. Forrester-Haeff tubes (G 11 C 11/22 takes precedence) [2] 11/ 24 . . using capacitors (G 11 C 11/22 takes precedence; using a combination of semiconductor devices and capacitors G 11 C 11/34, e.g. G 11 C 11/40) [2,5] 11/ 26 . . using discharge tubes [2] 11/ 28 . . . using gas-filled tubes [2] 11/ 30 . . . using vacuum tubes (G 11 C 11/23 takes precedence) [2] 11/ 34 . . using semiconductor devices [2] 11/ 36 . . . using diodes, e.g. as threshold elements [2] 11/ 38 . . . . using tunnel diodes [2] 11/ 39 . . . using thyristors [5] 11/ 40 . . . using transistors [2] 11/ 401 . . . . forming cells needing refreshing or charge regeneration [5] 11/ 402 . . . . . with charge regeneration individual to each memory cell, i.e. internal refresh [5] 11/ 403 . . . . . with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh [5] 11/ 404 . . . . . . with one charge-transfer gate, e.g. MOS transistor, per cell [5] 11/ 405 . . . . . . with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell [5] 11/ 406 . . . . . Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles [5] 11/ 407 . . . . . Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing, for memory cells of the field-effect type (in general G 11 C 5/00 to G 11 C 8/00) [5] 11/ 408 . . . . . . Address circuits [5] 11/ 409 . . . . . . Read-write circuits [5] 11/ 41 . . . . forming cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger [5] 11/ 411 . . . . . using bipolar transistors only [5] 11/ 412 . . . . . using field-effect transistors only [5] 11/ 413 . . . . . Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction (in general G 11 C 5/00 to G 11 C 8/00) [5] 11/ 414 . . . . . . for memory cells of the bipolar type [5] 11/ 415 . . . . . . . Address circuits [5] 11/ 416 . . . . . . . Read-write circuits [5] 11/ 417 . . . . . . for memory cells of the field-effect type [5] 11/ 418 . . . . . . . Address circuits [5] 11/ 419 . . . . . . . Read-write circuits [5] 11/ 42 . . using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled 11/ 44 . . using super-conductive elements, e.g. cryotron [2] 11/ 46 . using thermoplastic elements 11/ 48 . using displaceable coupling elements, e.g. ferromagnetic cores, to produce change between different states of mutual or self-inductance 11/ 50 . using actuation of electric contacts to store the information (mechanical stores G 11 C 23/00; switches providing a selected number of consecutive operations of the contacts by a single manual actuation of the operating part H 01 H 41/00) 11/ 52 . . using electromagnetic relays 11/ 54 . using elements simulating biological cells, e.g. neuron 11/ 56 . using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency (counting arrangements comprising multi-stable elements of this type H 03 K 25/00, H 03 K 29/00) [2]
French: [2] 11/ 02 . utilisant des éléments magnétiques 11/ 04 . . utilisant des éléments d'emmagasinage de forme cylindrique, p.ex. barre, fil (G 11 C 11/12, G 11 C 11/14 ont priorité) [2] 11/ 06 . . utilisant des éléments d'emmagasinage à simple ouverture; utilisant des plaques à plusieurs ouvertures dans lesquelles chaque ouverture constitue un élément d'emmagasinage 11/ 061 . . . utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture destructive [2] 11/ 063 . . . . organisées par bit, p.ex. organisation 2 L/2 D, 3 D, c.à d. pour la sélection d'un élément au moyen d'au moins deux courants partiels coïncidents, tant pour la lecture que pour l'écriture [2] 11/ 065 . . . . organisées par mots, p.ex. organisation 2 D ou sélection linéaire, c.à d. pour la sélection de tous les éléments d'un mot au moyen d'un courant complet pour la lecture [2] 11/ 067 . . . utilisant des éléments à une seule ouverture ou à boucle magnétique unique, à raison d'un élément par bit, et pour la lecture non destructive [2] 11/ 08 . . utilisant des éléments d'emmagasinage à ouvertures multiples, p.ex. utilisant des transfluxors; utilisant des plaques comportant plusieurs éléments d'emmagasinage individuels à ouvertures multiples (G 11 C 11/10 a priorité; utilisant des plaques à ouvertures multiples dans lesquelles chaque ouverture individuelle forme un élément d'emmagasinage G 11 C 11/06) [2] 11/ 10 . . utilisant des éléments d'emmagasinage multi-axiaux 11/ 12 . . utilisant des tensors, utilisant des twistors, c.à d. des éléments dans lesquels un axe de magnétisation est tordu 11/ 14 . . utilisant des éléments à pellicules minces 11/ 15 . . . utilisant des couches magnétiques multiples (G 11 C 11/155 a priorité) [2] 11/ 155 . . . avec une configuration cylindrique [2] 11/ 16 . . utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin 11/ 18 . utilisant des dispositifs à effet Hall 11/ 19 . utilisant des dispositifs réactifs non linéaires dans des circuits résonnants [2] 11/ 20 . . utilisant des paramétrons [2] 11/ 21 . utilisant des éléments électriques [2] 11/ 22 . . utilisant des éléments ferro-électriques [2] 11/ 23 . . utilisant l'emmagasinage électrostatique sur une couche commune, p.ex. tubes de Forrester-Haeff (G 11 C 11/22 a priorité) [2] 11/ 24 . . utilisant des condensateurs (G 11 C 11/22 a priorité; utilisant une combinaison de dispositifs à semi-conducteurs et de condensateurs G 11 C 11/34, p.ex. G 11 C 11/40) [2,5] 11/ 26 . . utilisant des tubes à décharge [2] 11/ 28 . . . utilisant des tubes à atmosphère gazeuse [2] 11/ 30 . . . utilisant des tubes à vide (G 11 C 11/23 a priorité) [2] 11/ 34 . . utilisant des dispositifs à semi-conducteurs [2] 11/ 36 . . . utilisant des diodes, p.ex. comme éléments à seuil [2] 11/ 38 . . . . utilisant des diodes tunnels [2] 11/ 39 . . . utilisant des thyristors [5] 11/ 40 . . . utilisant des transistors [2] 11/ 401 . . . . formant des cellules nécessitant une régénération de la charge [5] 11/ 402 . . . . . avec régénération de la charge propre à chaque cellule de mémoire, c.à d. régénération interne [5] 11/ 403 . . . . . avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c.à d. régénération externe [5] 11/ 404 . . . . . . avec une porte à transfert de charges, p.ex. un transistor MOS, par cellule [5] 11/ 405 . . . . . . avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule [5] 11/ 406 . . . . . Organisation ou commande des cycles de régénération de la charge [5] 11/ 407 . . . . . Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation, pour des cellules de mémoire du type à effet de champ (en général G 11 C 5/00 à G 11 C 8/00) [5] 11/ 408 . . . . . . Circuits d'adressage [5] 11/ 409 . . . . . . Circuits de lecture-écriture [5] 11/ 41 . . . . formant des cellules avec réaction positive, c.à d. des cellules ne nécessitant pas de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt [5] 11/ 411 . . . . . utilisant uniquement des transistors bipolaires [5] 11/ 412 . . . . . utilisant uniquement des transistors à effet de champ [5] 11/ 413 . . . . . Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation (en général G 11 C 5/00 à G 11 C 8/00) [5] 11/ 414 . . . . . . pour des cellules de mémoire du type bipolaire [5] 11/ 415 . . . . . . . Circuits d'adressage [5] 11/ 416 . . . . . . . Circuits de lecture-écriture [5] 11/ 417 . . . . . . pour des cellules de mémoire du type à effet de champ [5] 11/ 418 . . . . . . . Circuits d'adressage [5] 11/ 419 . . . . . . . Circuits de lecture-écriture [5] 11/ 42 . . utilisant des dispositifs opto-électroniques, c.à d. des dispositifs émetteurs de lumière et des dispositifs photo-électriques couplés électriquement ou optiquement 11/ 44 . . utilisant des éléments supraconducteurs, p.ex. des cryotrons [2] 11/ 46 . utilisant des éléments thermoplastiques 11/ 48 . utilisant des éléments à couplage déplaçable, p.ex. des noyaux ferromagnétiques, pour produire un changement entre différents états d'induction mutuelle ou de self-induction 11/ 50 . utilisant l'actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l'information (mémoires mécaniques G 11 C 23/00; interrupteurs permettant un nombre choisi d'actionnements consécutifs des contacts à la suite d'un seul actionnement manuel de l'organe moteur H 01 H 41/00) 11/ 52 . . utilisant des relais électromagnétiques 11/ 54 . utilisant des éléments simulateurs de cellules biologiques, p.ex. neurone 11/ 56 . utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence (dispositions de comptage comprenant des éléments multistables de ce type H 03 K 25/00, H 03 K 29/00) [2]