English: . . . . with specific core structure, e.g. gap, aperture, slot, permanent magnet [4] . . . . with plural windings through which current to be controlled is conducted [4] . . . . . on different cores [4] . . . . combined with discharge tubes or semiconductor devices . . . . . semiconductor devices only . . . using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices . . . . discharge tubes only . . . . semiconductor devices only . . . . . being transistors in series with the load [3] . . . . . being controlled rectifiers in series with the load [3] . . . . . . with phase control [3] . . wherein the variable actually regulated by the final control device is dc (G05F 1/625 takes precedence) [4] . . . using discharge tubes in series with the load as final control devices . . . . additionally controlled by the unregulated supply . . . using semiconductor devices in series with the load as final control devices . . . . including two stages of regulation, at least one of which is output level responsive, e.g. coarse and fine regulation [4] . . . . sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor (G05F 1/563 takes precedence) [4] . . . . . for temperature compensation [4] . . . . . for protection [4] . . . . . . with overvoltage detector [4] . . . . . . with overcurrent detector [4] . . . . characterised by the feedback circuit [4] . . . . for plural loads [4] . . . . . providing voltages of opposite polarities [4] . . . . including plural semiconductor devices as final control devices for a single load [4]
French: . . . utilisant des transformateurs montés en série ou en opposition comme dispositifs de réglage final . . . . avec un moteur dans le circuit de commande [4] . . . . les transformateurs comprenant plusieurs enroulements en série entre la source et la charge (G05F 1/247 a priorité) [4] . . . . associés à des tubes à décharge ou à des dispositifs à semi-conducteurs . . . . . à des dispositifs à semi-conducteurs uniquement . . . utilisant des dispositifs magnétiques à degré de saturation réglable comme dispositifs de réglage final . . . . avec un noyau à structure particulière, p.ex. entrefer, ouverture, fente, aimant permanent [4] . . . . avec plusieurs enroulements conduisant le courant à régler [4] . . . . . sur différents noyaux [4] . . . . associés à des tubes à décharge ou à des dispositifs à semi-conducteurs . . . . . à dispositifs à semi-conducteurs uniquement . . . utilisant des tubes à décharge ou des dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale . . . . à tubes à décharge uniquement . . . . à dispositifs à semi-conducteurs uniquement . . . . . constitués par des transistors en série avec la charge [3] . . . . . constitués par des redresseurs commandés en série avec la charge [3] . . . . . . avec commande de la phase [3] . . là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu (G05F 1/625 a priorité) [4] . . . utilisant des tubes à décharge en série avec la charge comme dispositifs de réglage final . . . . avec commande supplémentaire par l’alimentation non régulée