natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Kisel (Si).
c.
Germanium (Ge).
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Kiselkarbid (SiC).
d.
”III/V-föreningar” av gallium eller indium.
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programs) from design data residing inside "numerical control" units;
Avsnitt 3C001.d omfattar inte ”substrat” som har ett eller fler epitaxiella lager av P-typ av GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, oberoende av elementens sekvens, utom i det fall det epitaxiella lagret av P-typ ligger mellan lager av N-typ.
e.
Resistmaterial enligt följande, och ”substrat” belagda med följande resistmaterial:
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Resistmaterial som är konstruerade för halvledarlitografi enligt följande:
f.
Positiva resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 245 nm men lika med eller över 15 nm.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 15 nm men över 1 nm.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Alla resistmaterial som är konstruerade för att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre.
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Alla resistmaterial som är utformade eller optimerade för att användas tillsammans med litografisk präglingsutrustning som specificeras i avsnitt 3B001.f.2 och som använder antingen en värmeprocess eller en photo-curable-process.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
Organiska-oorganiska blandningar enligt följande:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Metallorganiska blandningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 %.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Organiska blandningar med arsenik, antimon eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 %.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Avsnitt 3C003 omfattar endast blandningar vars metalliska, delvis metalliska eller icke metalliska element är direkt bundna till kolet i den organiska delen av molekylen.
Table
Hydrider av fosfor, arsenik eller antimon som har en renhet som är bättre än 99,999 %, även utspädd i ädelgaser eller väte.
Deposition techniques
Avsnitt 3C004 omfattar inte hydrider som innehåller 20 % molar eller mer av ädelgaser eller väte.
Coating Process (1) [2]
”Substrat” av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller halvledar-”substrat”, eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C.
Substrate
”Substrat” som specificeras i avsnitt 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.
Resultant Coating
”Programvara” som är speciellt utformad för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning som specificeras i avsnitt 3A001.b–3A002.h eller 3B.
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
”Programvara” som är speciellt utformad för ”användning” av utrustning som specificeras i avsnitt 3B001.a–f, 3B002 eller 3A225.
"Superalloys"
’Fysikbaserad’ simulerings-”programvara” speciellt konstruerad för ”utveckling” av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads(depositions)-processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar-, dielektriska eller halvledarlagren.
Aluminides for internal passages
Med ’fysikbaserad’ avses i avsnitt 3D003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Bibliotek, konstruktionsanvisningar eller liknande data för konstruktion av halvledarenheter eller integrerade kretsar ska betraktas som ”teknik”.
Silicides
”Programvara” som är speciellt utformad för ”utveckling” av utrustning som specificeras i avsnitt 3A003.
Carbides
”Programvara” som är speciellt utformad eller modifierad för ”användning” av utrustning som specificeras i avsnitt 3A101.b.
Dielectric layers (15)
”Programvara” som är särskilt konstruerad för att öka eller frigöra prestandan hos frekvensomvandlare eller generatorer för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225.
Diamond
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning eller material som specificeras i avsnitt 3A, 3B eller 3C.
Diamond-like carbon (17)
Avsnitt 3E001 omfattar inte ”teknik” för utrustning eller komponenter som omfattas av avsnitt 3A003.
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
Avsnitt 3E001 omfattar inte ”teknik” för integrerade kretsar som omfattas av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.12 och som har allt av följande:
Refractory metals
Använder en ”teknik” för lägst 0,130 μm.
Mixtures thereof (4)
Innehåller strukturer i flera lager med tre eller färre metallager.
Aluminides
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik, som inte specificeras i avsnitt 3E001, för ”utveckling” eller ”produktion” av ”mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar” och mikrokretsar för mikrostyrsystem med en aritmetisk logisk enhet som kan hantera minst 32 bitar och som har någon av följande egenskaper:
Alloyed aluminides (2)
En ’vektorprocessorenhet’ som är utformad för att utföra mer än två beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt.
Boron nitride
En ’vektorprocessenhet’ är ett processorelement med inbyggda instruktioner som utför multipla beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt, och som har minst en aritmetisk logisk vektorenhet och vektorregister på vardera minst 32 element.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Utformad för att utföra mer än fyra 64-bitars eller större flyttalsoperationsresultat per cykel.
Tungsten
Utformad för att utföra mer än åtta 16-bitars ackumulerade fasttalsmultiplikationsresultat per cykel (t.ex. digital manipulering av analog information som tidigare omvandlats till digital form, även känd som digital ”signalbehandling”).
Molybdenum and Molybdenum alloys
Avsnitt 3E002 omfattar inte ”teknik” för multimediaanslutningar.
Beryllium and Beryllium alloys
Avsnitt 3E002 omfattar inte ”teknik” för av mikroprocessorer som har allt av följande:
Sensor window materials (9)
Innehåller strukturer i flera lager med högst fem metallager.
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Avsnitt 3E002 omfattar ”teknik” för ”utveckling” och ”produktion” av digitala signalprocessorer och digitala grupprocessorer.
Modified zirconia (12)
Elektroniska enheter med halvledare med heteroövergång (hetero-structure) såsom transistorer med hög elektronmobilitet (HEMT), hetero-bipolära transistorer (HBT), quantum well och super lattice element.
Corrosion resistant steel (7)
Avsnitt 3E003.b omfattar inte ”teknik” för transistorer med hög elektronmobilitet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.
Borides
”Supraledande” elektroniska element.
Beryllium
Filmsubstrat av diamant för elektroniska kretsar.
Titanium alloys (13)
Substrat av kisel på insulator (SOI) för integrerade kretsar i vilka insulatorn är kiseldioxid.
Nitrides
Substrat av kiselkarbid för elektroniska komponenter.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
’Elektroniska vakuumenheter’ som arbetar vid frekvenser på 31,8 GHz eller mer.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”användning” av utrustning eller ”programvara” som specificeras i avsnitt 3A001.a.1 eller 2, 3A101, 3A102 eller 3D101.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling” av ”programvara” som specificeras i avsnitt 3D101.
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”användning” av utrustning som specificeras i avsnitten 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201 och 3A225-3A234.
Diamond-like carbon
”Teknik” i form av koder eller nycklar för att öka eller minska prestandan hos frekvensomvandlare eller generatorer för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225.
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
KATEGORI 4 – DATORER
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
Datorer, kringutrustning och ”programvara” som utför telekommunikations- eller ”lokala nät”-funktioner ska också utvärderas i förhållande till prestandaegenskaper i kategori 5 del 1 (telekommunikation).
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Styrenheter som direkt kopplar samman bussar eller kanaler i datorers centralenheter, styrenheter för ”huvudminne” eller skivminne ska inte betraktas som telekommunikationsutrustning enligt kategori 5 del 1 (telekommunikation).
Refractory metals and alloys (8)
När det gäller kontrollstatus för ”programvara”, särskilt konstruerad för paketväxlar, se avsnitt 5D001.
Oxides
Elektroniska datorer och därmed sammanhörande utrustning, med någon av följande egenskaper, och ”elektroniska sammansättningar”, och särskilt konstruerade komponenter till dessa:
D. Plasma spraying
SE ÄVEN AVSNITT 4A101.
Abradable Nickel-Graphite
Särskilt konstruerade för att vara något av följande:
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Specificerade för att arbeta vid omgivande temperaturer under 228 K (– 45 °C) eller över 358 K (85 °C).
E. Slurry Deposition
Total dos
Fused silicides
5 × 103 Gy (kisel),
Fused aluminides except for resistance heating elements
Dosratsändring genom störning
F. Sputter Deposition
5 × 106 Gy (kisel)/s.
Noble metal modified aluminides (3)
Enstaka fel på grund av strålning ej överstigande
Platinum
1 × 10–8 fel/bit/dag.
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
4A001.a.2. omfattar inte datorer särskilt konstruerade för tillämpningar för ”civila luftfartyg”.
Dielectic layers (15)
Används inte.
G. Ion Implantation
”Digitala datorer”, ”elektroniska sammansättningar” och därmed sammanhörande utrustning, enligt följande, och specialkonstruerade komponenter därtill.
High temperature bearing steels
Avsnitt 4A003 omfattar följande:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
’Vektorprocessorer’.
Cemented tungsten carbide (16)
Grupp- (array-) processorer.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
Digitala signalprocessorer.
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Logikprocessorer.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Utrustning konstruerad för ”bildbehandling”.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Kontrollstatus för ”digitala datorer” och därmed sammanhörande utrustning enligt beskrivningen i avsnitt 4A003 bestäms av kontrollstatus för annan utrustning eller andra system, under förutsättning att
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
de ”digitala datorerna” eller den därmed sammanhörande utrustningen är väsentliga för den andra utrustningens eller de andra systemens funktion,
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
de ”digitala datorerna” eller den därmed sammanhörande utrustningen inte är en ”huvudbeståndsdel” i den andra utrustningen eller de andra systemen, och
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Kontrollstatus för ”signalbehandlings”- eller ”bildbehandlings”-utrustning särskilt konstruerad för en annan utrustning med funktioner, som är begränsade till dem, som krävs för den andra utrustningen, ska bestämmas av kontrollstatus för den andra utrustningen även om den överskrider värdena för ”huvudbeståndsdelen”.
a.
När det gäller kontrollstatus för ”digitala datorer” eller därmed tillhörande utrustning för telekommunikation, se kategori 5 del 1 (telekommunikation). c)
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
”teknik” för ”digitala datorer” och tillhörande utrustning bestäms av avsnitt 4E.
b.
”Digitala datorer” som har en ”justerad topprestanda” (”APP”) som överstiger 16 vägda Teraflops (WT).
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
”Elektroniska sammansättningar” som är särskilt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom sammankoppling av processorer så att aggregatets ”APP” överskrider den gräns som specificeras i avsnitt 4A003.b.
c.
Avsnitt 4A003.c omfattar endast ”elektroniska sammansättningar” och programmerbara anslutningar som inte överskrider den gräns som anges i avsnitt 4A003.b när de levereras som icke inmonterade ”elektroniska sammansättningar”.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Avsnitt 4A003.c omfattar inte ”elektroniska sammansättningar” som är specialkonstruerade för en produkt eller familj av produkter vars maximala konfiguration inte överskrider den gräns som specificeras i avsnitt 4A003.b.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Utrustning som är specialkonstruerad för aggregering av ”digitala datorers” prestanda genom att möjliggöra externa sammankopplingar som tillåter kommunikation med en enkelriktad datahastighet som överskrider 2,0 Gbyte/s per länk.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Avsnitt 4A003.g omfattar inte intern utrustning för sammankoppling (t.ex. backplan, bussar), passiva kopplingselement, ”styrenheter för åtkomst till nätverk” eller ”styrenheter för kommunikationskanaler”.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Datorer enligt följande och specialkonstruerad därmed sammanhörande utrustning, ”elektroniska sammansättningar” och komponenter till dessa:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
”Datorer för systoliska kedjor”.
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
”Neurala datorer”.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
”Optiska datorer”.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
System, utrustning och komponenter till dessa som är särskilt konstruerade eller modifierade för att generera, styra och kontrollera, eller leverera ”intrångsprogram”.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Analoga datorer, ”digitala datorer” eller digitala differentialanalysatorer andra än dem som beskrivs i avsnitt 4A001.a.1, och som är motståndskraftiga och utformade eller modifierade för användning i rymduppskjutningsfarkoster som specificeras i avsnitt 9A004 eller sondraketer som specificeras i avsnitt 9A104.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
”Hybriddatorer” som är särskilt konstruerade för modellering, simulering eller konstruktionsintegrering av rymduppskjutningsfarkoster som specificeras i avsnitt 9A004 eller sondraketer som specificeras i avsnitt 9A104.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10-7 K-1 or less measured at 293 K (20 °C).
Denna kontroll ska endast tillämpas om utrustningen levereras med ”programvara” som specificeras i avsnitt 7D103 eller 9D103.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Exportkontrollstatus för ”programvara” utrustning som beskrivs i andra kategorier ska behandlas enligt tillhörande kategori.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
”Programvara” enligt följande:
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
”Programvara” som är särskilt konstruerad eller modifierad för ”utveckling”, ”produktion” av utrustning eller ”programvara” som specificeras i avsnitt 4A001–4A004 eller 4D.
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
”Programvara”, annan än sådan som specificeras i avsnitt 4D001.a, speciellt konstruerad eller modifierad för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning enligt följande:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
”Digitala datorer” som har en ”justerad topprestanda” (”APP”) som överstiger 8,0 vägda Teraflops (WT).
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
”Elektroniska enheter”, speciellt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom aggregering av processorer så att aggregatets ”APP” överstiger gränsen i avsnitt 4D001.b.1.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
”Programvara” som är särskilt konstruerad eller modifierade för att generera, styra och kontrollera, eller leverera ”intrångsprogram”.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling”, ”produktion” eller ”användning” av utrustning eller ”programvara” som specificeras i avsnitt 4A eller 4D.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik, som inte specificeras i avsnitt 4E001.a, för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning enligt följande:
a.
”Elektroniska enheter”, speciellt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom aggregering av processorer så att aggregatets ”APP” överstiger gränsen i avsnitt 4E001.b.1.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
”Teknik” för ”utveckling” av ”intrångsprogram”.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
TEKNISK ANMÄRKNING OM ”JUSTERAD TOPPRESTANDA” (”Adjusted Peak Performance”, ”APP”)
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
”APP” är en justerad topphastighet vid vilken ”digitala datorer” utför 64 bitars eller större flyttalsadditioner och flyttalsmultiplikationer.
N.B.1.
”APP” uttrycks i vägda Teraflops (WT), i enheter om 1012 justerade flyttalsoperationer per sekund.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Förkortningar som används i denna tekniska anmärkning
N.B.2.
n Antalet processorer i den ”digitala datorn”
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
i processornummer (i, … n)
N.B.3.
processorcykeltid (ti = 1/Fi)
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
processorfrekvens
b.
högsta beräkningshastighet för flyttalsoperationer
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
justeringsfaktor för arkitektur
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Sammanfattning av beräkningsmetoden för ”APP”
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
För varje processor i, bestäm det högsta antalet 64 bitars eller större flyttalsoperationer, FPOi, som utförs per cykel för varje processor i den ”digitala datorn”.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Anm.:
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
För bestämningen av FPO ska endast inkluderas 64 bitars eller större flyttalsadditioner och/eller flyttalsmultiplikationer.