natgillin/translations-raw huggingface dataset:
No dimension greater than 35 mm;
Omfattar inte speglar speciellt utformade för att rikta solstrålning i markbaserade solenergiinstallationer.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
Speglar som är särskilt konstruerade för hållare för strålstyrningsspeglar och som specificeras i avsnitt 6A004.d.2.a med en planhet på λ/10 eller bättre (λ = 633 nm) och som har någon av följande egenskaper:
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Diameter eller huvudaxel på minst 100 mm.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Diameter eller huvudaxel större än 50 mm men mindre än 100 mm.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Över 10 kW/cm2 med en ”CW laser”.
b.
Över 20 J/cm2 vid ”laser”-pulser på 20 ns med en repetitionsfrekvens på 20 Hz.
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Optiska komponenter tillverkade av zinkselenid (ZnSe) eller zinksulfid (ZnS) med en genomsläpplighet i våglängdsområdet som överstiger 3000 nm men inte 25000 nm och som har någon av följande egenskaper:
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
De överstiger 100 cm3 i volym.
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
De överstiger 80 mm i diameter eller längd hos huvudaxeln samt har ett djup (en tjocklek) på mer än 20 mm.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
”Rymdkvalificerade” komponenter för optiska system, enligt följande:
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Komponenter som lättats till mindre än 20 % av den ”ekvivalenta tätheten” jämfört med ett massivt ämne med samma öppning och tjocklek.
a.
Råsubstrater, bearbetade substrater som har en ytbeläggning (enkel- eller multipellager, metalliska eller dielektriska, ledande, halvledande eller isolerande) eller skyddsfilm.
Designed for operation without an external vacuum system; and
Segment eller system av speglar som konstruerats för att sammansättas till ett system i rymden med en insamlande bländaröppning som är lika med eller större än en enda spegel med 1 meters diameter.
b.
Komponenter tillverkade av ”komposit”-material med en koefficient för linjär termisk expansion som är lika med eller mindre än 5 × 10–6 i någon koordinatriktning.
Utilizing any of the following:
Optisk styrutrustning enligt följande:
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
Utrustning som speciellt konstruerats för att bibehålla ytans form eller orienteringen hos de ”rymdkvalificerade” komponenterna som specificeras i avsnitt 6A004.c.1 eller 6A004.c.3.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
Utrustning för styrning, följning, stabilisering och resonatorupplinjering enligt följande:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Hållare för strålstyrningsspeglar utformade att bära speglar med en diameter eller huvudaxel som är längre än 50 mm och som har alla följande egenskaper, och särskilt konstruerad elektronisk styrutrustning för dessa:
See 1A007.b. for detonators.
En maximal vinkelrörelse på ±26 mrad eller mer.
b.
En mekanisk resonansfrekvens på 500 Hz eller mer.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
En vinkel”noggrannhet” på 10 μrad (mikroradianer) eller mindre (bättre).
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Utrustning för resonatorupplinjering med en bandbredd som är minst 100 Hz och en ”noggrannhet” som är 10 μrad (mikroradianer) eller mindre (bättre).
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Kardansk upphängning med alla följande egenskaper:
a.
En maximal utvridning som överstiger 5o.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
En bandbredd som är lika med 100 Hz eller mer.
b.
Ett vinkelvisarfel som är högst 200 μrad (mikroradianer).
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Med någon av följande egenskaper:
c.
En diameter eller huvudaxel som är mer än 0,15 m men inte överstiger 1 m, och vars vinkelacceleration kan överstiga 2 rad (radianer)/s2.
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
En diameter eller huvudaxel som överstiger 1 m, och vars vinkelacceleration kan överstiga 0,5 rad (radianer)/s2.
d.
’Icke-sfäriska optiska element’ med alla följande egenskaper:
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Den optiska bländarens största dimension överstiger 400 mm.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Ytjämnheten understiger 1 nm (rms) för referenslängder på minst 1 mm.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Koefficienten för den linjära värmeutvidgningens absoluta storhet understiger 3x10-6/K vid 25 °C.
e.
Ett ’icke-sfäriskt optiskt element’ är ett element som används i ett optiskt system vars bildyta eller bildytor är avsedda att avvika från formen av en ideal sfär.
Not used;
Det krävs att tillverkarna ska mäta den ytjämnhet som anges i avsnitt 6A004.e.2 endast om det optiska elementet är konstruerat eller tillverkat för att uppfylla eller överstiga kontrollparametern.
f.
Avsnitt 6A004.e omfattar inte ’icke-sfäriska optiska element’ som har någon av följande egenskaper:
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Den optiska bländarens största dimension understiger 1 m och kvoten mellan brännvidden och den optiska bländaren är lika med eller större än 4,5:1.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Den optiska bländarens största dimension överstiger 1 m och kvoten mellan brännvidden och den optiska bländaren är lika med eller större än 7:1.
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Det är konstruerat som ett optiskt element av Fresnel-, flyeye-, rand-, prisma- eller diffraktionstyp.
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Det är tillverkat av borsilikatglas med en koefficient för linjär värmeutvidgning som överstiger2,5 × 10–6/K vid 25 °C.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Det är ett röntgenoptiskt element med inre spegelkapacitet (t.ex. speglar av rörtyp).
a.
’Icke-sfäriska optiska element’ som är särskilt konstruerade för litografiutrustning omfattas av avsnitt 3B001.
Voltage rating greater than 2 kV; and
”Lasrar”, andra än de som specificeras i avsnitt 0B001.g.5 eller 0B001.h.6, komponenter och optisk utrustning enligt följande:
b Inductance of less than 20 nH.
SE ÄVEN AVSNITT 6A205.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Pulsade ”lasrar” inkluderar ”lasrar” som arbetar i kontinuerlig mod (CW) med överlagrade pulseffekter.
SEE ALSO 2B226
Excimer-, halvledar-, kolmonoxid(CO)-, koldioxid(CO2)- samt kemiska och ’icke-repetitiva pulsade’ neodymglas-”lasrar” specificeras endast i avsnitt 6A005.d.
a.
’Icke-repetitiva pulsade’ avser ”lasrar” som producerar antingen en enda utgångspuls eller som har ett tidsintervall mellan pulserna som överstiger en (1) minut.
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Avsnitt 6A005 omfattar fiber-”lasrar”.
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Kontrollstatusen för ”lasrar” med frekvensomvandling (dvs. våglängdsändring) genom andra medel än att en ”laser” pumpar en annan ”laser” bestäms genom tillämpning av parametrarna för både käll ”laserns” uteffekt och den frekvensomvandlade optiska uteffekten.
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Anmärkning 5:
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Avsnitt 6A005 omfattar inte ”lasrar” enligt följande:
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Rubin med en utenergi som understiger 20 J.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
I avsnitt 6A005 definieras ’stickproppseffektivitet’ som kvoten mellan ”laser”-utenergin (eller ”genomsnittlig uteffekt”) och den totala elektriska ineffekt som krävs för att ”lasern” ska fungera, inklusive energitillförsel/konditionering och termisk konditionering/värmeväxlare.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
Icke-”avstämbara” ”CW(continuous wave)-lasrar” som har något av följande:
Direct write capability;
En utgångsvåglängd som understiger 150 nm och en uteffekt som överstiger 1 W.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
En utgångsvåglängd på minst 150 nm men som inte överstiger 510 nm och en uteffekt som överstiger 30 W.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Avsnitt 6A005.a.2 omfattar inte argon-”lasrar” som har en uteffekt på högst 50 W.
e.
En utgångsvåglängd som överstiger 510 nm men inte 540 nm och som har något av följande:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
En enkel transversell mod och en uteffekt som överstiger 50 W.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
En multipel transversell mod och en uteffekt som överstiger 150 W.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
En utgångsvåglängd som överstiger 540 nm men inte 800 nm och en uteffekt som överstiger 30 W.
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
En utgångsvåglängd som överstiger 800 nm men inte 975 nm och som har något av följande:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
En multipel transversell mod och en uteffekt som överstiger 80 W.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
En utgångsvåglängd som överstiger 975 nm men inte 1150 nm och som har något av följande:
f.
En enkel transversell mod och en uteffekt som överstiger 500 W.
Lithography equipment as follows:
En multipel transversell mod och något av följande:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
En ’stickproppseffektivitet’ som överstiger 18 % och en uteffekt som överstiger 500 W.
a.
En uteffekt som överstiger 2 kW.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Avsnitt 6A005.a.6.b omfattar inte industriella ”lasrar” med multipel transversell mod som har något av följande:
b.
En uteffekt som överstiger 500 W men inte 1 kW och som har alla följande egenskaper:
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
En strålparameterprodukt (Beam Parameter Product, BPP) som överstiger 0,7 mm•mrad.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
En ’luminans’ på högst 1024 W/(mm•mrad)2.
an exposure light source wavelength in nm
En uteffekt som överstiger 1 kW men inte 1,6 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 1,25 mm•mrad.
K factor
En uteffekt som överstiger 1,6 kW men inte 2,5 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 1,7 mm•mrad.
numerical aperture
En uteffekt som överstiger 2,5 kW men inte 3,3 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 2,5 mm•mrad.
where the K factor = 0,35
En uteffekt som överstiger 3,3 kW men inte 4 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 3,5 mm•mrad.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
En uteffekt som överstiger 4 kW men inte 5 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 5 mm•mrad.
3B001.f.2. includes:
En uteffekt som överstiger 5 kW men inte 6 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 7,2 mm•mrad.
Micro contact printing tools
En uteffekt som överstiger 6 kW men inte 8 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 12 mm•mrad.
Hot embossing tools
Teknisk anmärkning:
Nano-imprint lithography tools
I avsnitt 6A005.a.6.b, anmärkning 2 a avses med ’luminans’ ”laserns” uteffekt dividerad med strålparameterprodukten (BPP) i kvadrat, dvs. uteffekt/BPP2.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
En utgångsvåglängd som överstiger 1150 nm men inte 1555 nm, och något av följande:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
En enkel transversell mod och en uteffekt som överstiger 200 W.
a.
En multipel transversell mod och en uteffekt som överstiger 80 W.
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
En utgångsvåglängd som överstiger 1555 nm men inte 1850 nm och en uteffekt som överstiger 1 W.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
En utgångsvåglängd som överstiger 1850 nm men inte 2100 nm, och något av följande:
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
En enkel transversell mod och en uteffekt som överstiger 1 W.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
En multipel transversell mod och en uteffekt som överstiger 120 W.
a.
En utgångsvåglängd som överstiger 2100 nm och en uteffekt som överstiger 1 W.
A deflected focused electron beam; and
Icke-”avstämbara” ”pulsade lasrar” som har något av följande:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
En utgångsvåglängd som understiger 150 nm och något av följande:
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
En utenergi som överstiger 50 mJ/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 1 W.
g.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 1 W.
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
En utgångsvåglängd på minst 150 nm och högst 510 nm och något av följande:
h.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 30 W.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 30 W.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Avsnitt 6A005.b.2.b omfattar inte argon-”lasrar” som har en ”genomsnittlig uteffekt” på högst 50 W.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
En enkel transversell mod och något av följande:
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 50 W.
i.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 50 W.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 150 W.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 150 W.
a.
En utgångsvåglängd som överstiger 540 nm men inte 800 nm och som har något av följande:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
En ”pulslängd” som understiger 1 ps och något av följande:
c.
En utenergi som överstiger 0 005 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 5 GW.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 20 W.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
En ”pulslängd” som är lika med eller över 1 ps och något av följande:
a.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 30 W.
Silicon (Si);
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 30 W.
b.
En enkel transversell mod och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 20 W.
Germanium (Ge);
En ”pulslängd” som är lika med eller överstiger 1 ps men inte överstiger 1 μs och något av följande:
c.
En utenergi som överstiger 0,5 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 50 W.
Silicon carbide (SiC); or
En enkel transversell mod och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 20 W.
d.
En multipel transversell mod och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 50 W.
"III/V compounds" of gallium or indium.
En ”pulslängd” som överstiger 1 μs och något av följande:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
En utenergi som överstiger 2 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 50 W.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
En enkel transversell mod och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 50 W.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
En ”pulslängd” som understiger 1 ps och något av följande:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
En utgångs ”toppeffekt” som överstiger 2 GW/puls.
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 30 W.
b.
En utenergi som överstiger 0,002 J/puls.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
En ”pulslängd” som är lika med eller överstiger 1 ps och är mindre än 1 ns och något av följande:
d.
En utgångs ”toppeffekt” som överstiger 5 GW/puls.
All resists optimised for surface imaging technologies;
En utenergi som överstiger 0,1 J/puls.
e.
En ”pulslängd” som är lika med eller överstiger 1 ns men inte överstiger 1 μs och något av följande:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
En enkel transversell mod och något av följande:
Organo-inorganic compounds as follows:
En ”toppeffekt” som överstiger 100 MW.
a.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 20 W som genom konstruktionen är begränsad till en maximal pulsrepetitionsfrekvens på högst 1 kHz.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
En ’stickproppseffektivitet’ som överstiger 12 % och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 100 W och som kan fungera vid en pulsrepetitionsfrekvens som överstiger 1 kHz.
b.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 150 W och som kan fungera vid en pulsrepetitionsfrekvens som överstiger 1 kHz.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
En utenergi som överstiger 2 J/puls.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
En multipel transversell mod och något av följande:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
En ”toppeffekt” som överstiger 400 MW.
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
En ’stickproppseffektivitet’ som överstiger 18 % och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 500 W.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 2 kW.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
En utenergi som överstiger 4 J/puls.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
En ”pulslängd” som överstiger 1 μs och något av följande:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
En ”toppeffekt” som överstiger 500 kW.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
En ’stickproppseffektivitet’ som överstiger 12 % och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 100 W.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 150 W.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
En ”toppeffekt” som överstiger 1 MW.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
En ’stickproppseffektivitet’ som överstiger 18 % och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 500 W.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 2 kW.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
En utgångsvåglängd som överstiger 1150 nm men inte 1555 nm, och något av följande:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
En ”pulslängd” som inte överstiger 1 μs och något av följande:
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
En multipel transversell mod och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 50 W.
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
En ”pulslängd” som överstiger 1 μs och något av följande:
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
En utenergi som överstiger 2 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 50 W.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
En multipel transversell mod och en ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 80 W.