natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Capable of in-situ steam sterilisation in a closed state;
Elektroniska komponenter som inte omfattas av avsnitt 3A001 enligt följande:
Centrifugal separators include decanters.
Kondensatorer som har en av följande uppsättningar egenskaper:
d.
Märkspänning större än 1,4 kV,
Cross (tangential) flow filtration equipment and components as follows:
energiinnehåll större än 10 J,
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of "microorganisms", viruses, toxins or cell cultures having all of the following characteristics:
kapacitans större än 0,5 μF, och
A total filtration area equal to or greater than 1 m2; and
Märkspänning större än 750 V,
Having any of the following characteristics:
serieinduktans mindre än 10 nH.
Capable of being sterilised or disinfected in-situ; or
Elektromagneter med supraledande solenoider som har allt av följande:
Using disposable or single-use filtration components;
Kan producera magnetfält kraftigare än 2 T.
In 2B352.d.1.b. sterilised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents.
Längdens förhållande till innerdiametern är större än 2.
Disinfected denotes the destruction of potential microbial infectivity in the equipment through the use of chemical agents with a germicidal effect.
En inre diameter större än 300 mm.
Disinfection and sterilisation are distinct from sanitisation, the latter referring to cleaning procedures designed to lower the microbial content of equipment without necessarily achieving elimination of all microbial infectivity or viability.
Ett magnetfält som är homogent, bättre än 1 % över de centrala 50 % av den inre volymen.
2B352.d. does not control reverse osmosis and hemodialysis equipment, as specified by the manufacturer.
Avsnitt 3A201.b omfattar inte magneter som är särskilt utformade för och exporterade ’som del av’ bildsystem för medicinsk tillämpning baserade på kärnspinnresonans (NMR).
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Frasen ’som del av’ avser inte nödvändigtvis fysisk del av samma skeppning; separata skeppningar från olika källor är tillåtna, under förutsättning att ifrågavarande exportdokument tydligt anger att skeppningarna används ’som del av’ bildsystemen.
e.
Röntgenblixtaggregat eller pulsade elektronacceleratorer som har en av följande uppsättningar egenskaper:
Steam, gas or vapour sterilisable freeze-drying equipment with a condenser capacity of 10 kg of ice or more in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
En toppenergi för de accelererade elektronerna om 500 keV eller mer men mindre än 25 MeV, och
f.
ett ’godhetstal’ (K) lika med 0,25 eller mer, eller
Protective and containment equipment, as follows:
en toppenergi för de accelererade elektronerna om 25 MeV eller mer, och
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
en ’toppeffekt’ större än 50 MW.
2B352.f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
Avsnitt 3A201.c omfattar inte acceleratorer som ingår som delar i apparatur konstruerad för annat än användning av elektronstråle eller röntgenstrålning (t.ex. elektronmikroskop) och sådana som konstruerats för medicinska ändamål.
Biocontainment chambers, isolators, or biological safety cabinets having all of the following characteristics, for normal operation:
’Godhetstalet’ (K) definieras som
a.
K = 1,7 × 103V2,65Q
Fully enclosed workspace where the operator is separated from the work by a physical barrier;
V är elektronernas toppenergi i millioner elektronvolt.
b.
Om pulslängden i acceleratorstrålen är kortare än eller lika med 1 μs, så är Q den totala accelererade laddningen i coulomb.
Able to operate at negative pressure;
Om strålens pulslängd är längre än 1 μs, så är Q den maximala accelererade laddningen på 1 μs.
c.
Q är lika med integralen av i med avseende på t, över den tidslängd som är kortast av 1 μs eller tidslängden av pulsen (Q = ∫ idt), där i är strålströmmen i ampere och t tiden i sekunder.
Means to safely manipulate items in the workspace;
’Toppeffekt’= (toppspänning i volt) × (toppström i ampere).
d.
I maskiner baserade på accelerations-kaviteter för mikrovågor är pulsens tidsutsträckning det mindre av 1 μs och längden av det sammanpressade (bunchade) vågpaketets varaktighet genererad av en modulatorpuls.
Supply and exhaust air to and from the workspace is HEPA filtered;
I maskiner baserade på accelerationskaviteter för mikrovågor är strålens toppström lika med medelströmmen under det sammanpressade (bunchade) vågpaketets varaktighet.
2B352.f.2. includes Class III biosafety cabinets, as described in the latest edition of the WHO Laboratory Biosafety Manual or constructed in accordance with national standards, regulations or guidance.
Frekvensomvandlare eller generatorer, andra än de som specificeras i avsnitt 0B001.b.13, som kan användas som motordrivsystem med variabel eller fast switchfrekvens och som har allt av följande:
2B352.f.2. does not include isolators specially designed for barrier nursing or transportation of infected patients.
”Programvara” som är särskilt konstruerad för att öka eller frigöra prestandan hos en frekvensomvandlare eller generator för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225 specificeras i avsnitt 3D225.
g.
”Teknik” i form av koder eller nycklar för att öka eller frigöra prestandan hos en frekvensomvandlare eller generator för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225 specificeras i avsnitt 3E225.
Aerosol inhalation equipment designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" as follows:
Flerfasig utgång som producerar en effekt av 40 VA eller mer.
Whole-body exposure chambers having a capacity of 1 m3 or more;
Arbetar vid en frekvens på 600 Hz eller mer.
Nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow and having capacity for exposure of any of the following:
Frekvensstyrning bättre (lägre) än 0,2 %.
a.
Avsnitt 3A225 omfattar inte frekvensomvandlare eller generatorer som har begränsningar i sin maskinvara, ”programvara” eller ”teknik” som begränsar prestandan till att vara lägre än vad som anges ovan, under förutsättning att de uppfyller något av följande:
12 or more rodents; or
De måste returneras till originaltillverkaren för att förbättras eller för att begränsningarna ska tas bort.
b.
de kräver ”programvara” enligt vad som specificeras i avsnitt 3D225 för att öka eller frigöra prestandan för att uppfylla de kriterier som anges i avsnitt 3A225, eller
2 or more animals other than rodents;
de kräver ”teknik” i form av nycklar eller koder enligt vad som specificeras i avsnitt 3E225 för att öka eller frigöra prestandan för att uppfylla de kriterier som anges i avsnitt 3A225.
Closed animal restraint tubes designed for use with nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow;
Frekvensomvandlare i avsnitt 3A225 benämns också med de engelska beteckningarna converters eller inverters.
h.
Frekvensomvandlare enligt 3A225 kan även saluföras som frekvensomformare, generatorer, elektronisk mätutrustning, AC-kraftaggregat, motorstyrsystem med variabel hastighet, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSD), Variable Frequency Drives (VFD), Adjustable Frequency Drives (AFD) eller Adjustable Speed Drives (ASD).
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic "microorganisms" having all of the following:
Likströmsaggregat med hög effekt, andra än de som specificeras i avsnitt 0B001.j.6, som har båda följande egenskaper:
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
Kan kontinuerligt producera, över en tidsperiod om 8 timmar, 100 V eller mer med en utgångsström av 500 A eller mer, och
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
en ström- eller spänningsstabilitet som är bättre än 0,1 % över en tidsperiod om 8 timmar.
Capable of being sterilised or disinfected in situ;
Likströmsaggregat med hög effekt, andra än de som specificeras i avsnitt 0B001.j.5, som har båda följande egenskaper:
i.
Kan kontinuerligt producera, över en tidsperiod om 8 timmar, 20 kV eller mer med en utgångsström av 1 A eller mer, och
Nucleic acid assemblers and synthesisers, which are partly or entirely automated, and designed to generate continuous nucleic acids greater than 1,5 kilobases in length with error rates less than 5 % in a single run.
Brytarenheter enligt följande:
None.
Kallkatodrör, oavsett om de är gasfyllda eller ej, vilka fungerar på liknande sätt som gnistgap, och uppfyller samtliga följande krav:
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
Har tre eller flera elektroder.
a.
Anodens märkta toppspänning är minst 2,5kV.
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
Anodens märkta toppström är minst 100 A.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
Avsnitt 3A228 omfattar krytroner och sprytroner.
2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
Triggade gnistgap som uppfyller följande båda villkor:
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
Anodens fördröjning är högst 15 μs.
2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
En märkt toppström om minst 500 A.
2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
Moduler eller delsystem med en snabb slutarfunktion som inte omfattas av avsnitt 3A001.g eller 3A001.h och som har allt av följande:
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
Anodens märkta toppspänning är större än 2 kV.
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified in Category 2.
Anodens märkta toppström är minst 500 A.
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
Tillslagstiden är 1 μs eller mindre.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
Pulsgeneratorer för hög strömstyrka enligt följande:
SEE ALSO 9D004.
Tändaggregat (detonatorer), inbegripet med elektronisk laddning, explosiv laddning och optisk laddning, andra än de som specificeras i avsnitt 1A007.a, avsedda att initiera flerpunktständning av sprängkapslar som specificeras i avsnitt 1A007.b.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
Moduluppbyggda elektriska pulsgeneratorer som har allt av följande:
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
Portabla, mobila eller konstruerade för svåra förhållanden.
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Kapabla att leverera sin energi inom loppet av 15 μs vid lägre belastning än 40 ohm.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Kapabla att leverera en strömstyrka överstigande 100 A.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
Ingen dimension är större än 30 cm.
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
Väger mindre än 30 kg.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Specificerad för användning i ett brett temperaturområde 223 K (– 50 °C) till 373 K (100 °C) eller specificerad som lämplig för rymdanvändning.
Other "technology", as follows:
Avsnitt 3A229.b omfattar drivaggregat till xenonblixtar.
b.
Mikroavfyrningsenheter som har allt av följande:
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
Ingen dimension är större än 35 mm.
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
Märkspänning på minst 1 kV.
a.
Kapacitans på minst 100 nF.
"Superplastic forming";
Snabba pulsgeneratorer och ’pulshuvuden’ till dessa som har båda följande egenskaper:
b.
Utgående spänning högre än 6 V vid en resistiv belastning av mindre än 55 ohm.
"Diffusion bonding"; or
En ’stigtid för pulsen’ som är kortare än 500 ps.
c.
I avsnitt 3A230 definieras ’stigtid för pulsen’ som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av spänningsamplituden.
'Direct-acting hydraulic pressing';
’Pulshuvuden’ är impulsformande kretsar som är konstruerade för att acceptera ett spänningssteg och omvandla det till olika pulsformer som kan vara av typen rektangulär, triangulär, steg-, impuls-, exponentiell eller monocyklisk. ’Pulshuvudet’ kan vara en integrerad del av pulsgeneratorn, vara en plug-in-modul som ansluts till pulsgeneratorn, eller en extern enhet som kopplas till pulsgeneratorn.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
Neutrongeneratorsystem, även rör, som har följande två egenskaper:
a.
Utformade för drift utan yttre vakuumsystem.
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Använder något av följande:
Surface preparation;
Elektrostatisk acceleration för att inducera en kärnreaktion mellan tritium och deuterium, eller
Strain rate;
elektrostatisk acceleration för att inducera en kärnreaktion mellan deuterium och deuterium och som är kapabel till en uteffekt på 3 × 9 neutroner/s eller mer.
Temperature;
System för flerpunktständning som inte omfattas av avsnitt 1A007 enligt följande:
Pressure;
Se avsnitt 1A007.b för sprängkapslar.
b.
Anordningar som, utlösta av en enda puls, använder en eller flera sprängkapslar i syfte att nästan samtidigt initiera detonation i en sprängämnesyta över en area större än 5000 mm2 med en spridning i tändtid över hela ytan som är mindre än 2,5 μs.
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
Avsnitt 3A232 omfattar inte enkla detonatorer som endast använder primära explosiver såsom blyazid.
c.
Masspektrometrar som inte omfattas av avsnitt 0B002.g, som kan mäta joner med en massa av 230 u eller mer och som har en upplösning bättre än 2/230, samt jonkällor till sådana, enligt följande:
'Direct-acting hydraulic pressing'of aluminium alloys or titanium alloys:
Masspektrometrar med induktivt kopplad plasmajonkälla (ICP/MS).
Cycle time;
Masspektrometrar med glimurladdningsjonkälla (GDMS).
d.
Masspektrometrar med jonkälla som bygger på termisk jonisation (TIMS).
'Hot isostatic densification' of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Masspektrometrar med jonkälla som använder indirekt upphettning (electron bombardment) som har båda följande egenskaper:
'Direct-acting hydraulic pressing' is a deformation process which uses a fluid-filled flexible bladder in direct contact with the workpiece.
Ett molekylärt instrålningssystem som injekterar ett kollimerat strålknippe av de molekyler som analyseras till ett område i jonkällan där molekylerna joniseras av en elektronstråle, och
'Hot isostatic densification' is a process of pressurising a casting at temperatures exceeding 375 K (102 °C) in a closed cavity through various media (gas, liquid, solid particles, etc.) to create equal force in all directions to reduce or eliminate internal voids in the casting
en eller flera ’kylfällor’ som kan kylas ned till 193 K (– 80 °C).
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Masspektrometrar utrustade med jonkälla med mikrofluorering konstruerad för att användas med aktinider eller aktinidfluorider.
e.
Masspektrometrar med jonkälla som använder indirekt upphettning (electron bombardment) enligt 3A233.d kallas också EI-masspektrometrar (electron impact mass spectrometers eller electron ionization mass spectrometers).
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
I avsnitt 3A233.d.2 avses med ’kylfälla’ en anordning som fångar in gasmolekyler genom att kondensera eller frysa dem på kalla ytor.
f.
I avsnitt 3A233.d.2 omfattas inte kryogeniska vakuumpumpar med helium i ett slutet system av begreppet ’kylfälla’.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Striplines för att skapa banor med låg induktans för detonatorer med följande egenskaper:
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Märkspänning större än 2 kV, och
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
induktans mindre än 20 nH.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Utrustning konstruerad för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar speciellt konstruerade komponenter och tillbehör:
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
SE ÄVEN AVSNITT 2B226.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Utrustning för epitaxiell tillväxt enligt följande:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Utrustning som är konstruerad eller modifierad för att producera ett lager av ett annat material än kisel med en jämnhetsavvikelse mindre än ±2,5 % över en sträcka av minst 75 mm.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Avsnitt 3B001.a.1 omfattar utrustning för atomlagerepitaxi (ALE).
Table
Metallorganiska kemiska förångningsreaktorer (MOCVD) konstruerade för att ge epitaxiell tillväxt av halvledarblandningar av material med två eller fler av följande beståndsdelar: aluminium, gallium, indium, arsenik, fosfor, antimon eller kväve.
Deposition techniques
Utrustning för epitaxiell tillväxt med hjälp av molekylärstrålar och gaskällor.
Coating Process (1)
Utrustning konstruerad för jonimplantation som har något av följande:
Substrate
Konstruerade och optimerade för att arbeta vid en strålenergi på 20 keV eller mer och en strålström på 10 mA eller mer för väte-, deuterium- eller heliumimplantering.
Resultant Coating
Direkt skrivmöjlighet.
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
En strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-”substratet”.
"Superalloys"
Konstruerad och optimerad för att arbeta vid en strålenergi på 20 keV eller mer och en strålström på 10 mA eller mer för kiselimplantering i ett halvledar-”substrat” upphettat till 600 °C eller mer.
Aluminides for internal passages
Automatiskt laddningssystem för flera kammare för tillverkning av halvledare som har allt av följande:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Gränssnitt för såväl in- som utgång för wafers till vilket minst två funktionellt olika ’halvledarprocessverktyg’ enligt avsnitt 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 eller 3B001.b är avsedda att anslutas, och
Silicides
vara konstruerade för att bilda ett integrerat system i vakuumomgivning för ’sekventiell bearbetning av wafers i flera steg’.
Carbides
Avsnitt 3B001.e omfattar inte automatisk robothantering av wafers särskilt konstruerade för parallell waferbehandling.
Dielectric layers (15)
I avsnitt 3B001.e avses med ’halvledarbearbetningsverktyg’ modulära verktyg som möjliggör fysiska processer för halvledarframställning vilka är funktionellt olika, såsom deponering, implantering eller värmebehandling.
Diamond
I avsnitt 3B001.e avses med ’sekventiell bearbetning av wafers i flera steg’ möjligheten att bearbeta varje wafer i olika ’halvledarbearbetningsverktyg’, t.ex. genom att överföra varje wafer från ett verktyg till ett annat och vidare till ett tredje via de automatiska centrala klustersystemen för hantering av wafers.
Diamond-like carbon (17)
Litografisk utrustning enligt följande:
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet (step and repeat, direkt step on wafer) eller scanner (step and scan) som använder röntgen eller foto-optiska metoder och som har något av följande:
Refractory metals
kan producera ett mönster med en ’minsta upplösning för systemdimensionen’ (MRF) på 45 nm eller mindre.
Mixtures thereof (4)
Teknisk anmärkning: Den ’minsta upplösningen för systemdimensionen’ (MRF) beräknas med följande formel: där K är en skalfaktor = 0,35
Aluminides
Avsnitt 3B001.f.2 omfattar följande:
Alloyed aluminides (2)
Verktyg för mikrokontakttryck.
Boron nitride
Verktyg för värmeprägling.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Verktyg för nanopräglingslitografi.
Tungsten
S-FIL-verktyg (step and flash imprint lithography).
Molybdenum and Molybdenum alloys
Utrustning som är speciellt konstruerad för att tillverka masker och som har allt av följande:
Beryllium and Beryllium alloys
Den använder avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller ”laser”strålar, och
Sensor window materials (9)
En halvvärdesbredd på under 65 nm och bildplacering på mindre 17 nm (medelvärde + 3 sigma).
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Misspass på andra lagret på mindre än 23 nm (medelvärde + 3 sigma) på masken.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Utrustning som är konstruerad för bearbetning med hjälp av direkta skrivmetoder och som har allt av följande:
Alloyed silicides
Den använder avlänkade fokuserade elektronstrålar, och
Modified zirconia (12)
En minsta strålstorlek på högst 15 nm.
Corrosion resistant steel (7)
Misspass på mindre än 27 nm (medelvärde + 3 sigma).
Borides
Masker eller mastermasker som är konstruerade för tillverkning av integrerade kretsar som specificeras i avsnitt 3A001.
Beryllium
Flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager som inte specificeras i avsnitt 3B001.g och som har något av följande:
Titanium alloys (13)
Tillverkad på mask ”skiva” (substrate blank) av glas som angivits ha en dubbelbrytning på mindre än 7 nm/cm, eller
Nitrides
konstruerad för att användas med litografisk utrustning där ljuskällans våglängd är kortare än 245 nm.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Avsnitt 3B001.h omfattar inte flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager konstruerat för tillverkning av minnen som inte specificeras i avsnitt 3A001.