natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Schabloner för litografisk prägling som är utformade för integrerade kretsar som omfattas av avsnitt 3A001.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Mask”skivor” med reflektorstruktur i flera skikt bestående av molybden och kisel, och som har samtliga följande egenskaper:
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Speciellt utformade för ’extremt ultraviolett’ (’EUV’)-litografi, och
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
förenliga med SEMI-standard P37.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
’Extremt ultraviolett’ ('EUV') avser att det elektromagnetiska spektrumet har våglängder som är större än 5 nm och mindre än 124 nm.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Provutrustning som är speciellt konstruerad för provning av färdiga halvledarenheter eller halvfabrikat enligt följande, samt tillhörande komponenter och tillbehör:
Refractory metals and alloys (8)
För provning av S-parametrar för föremål som specificeras i avsnitt 3A001.b.3.
Oxides
För provning av föremål som specificeras i avsnitt 3A001.b.2.
D. Plasma spraying
Hetero-epitaxiella material som består av ett ”substrat” med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipellager av något av följande:
Abradable Nickel-Graphite
Kisel (Si).
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
Germanium (Ge).
Abradable Al-Si-Polyester
Kiselkarbid (SiC).
Aluminium alloys (6)
”III/V-föreningar” av gallium eller indium.
E. Slurry Deposition
Avsnitt 3C001.d omfattar inte ”substrat” som har ett eller fler epitaxiella lager av P-typ av GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, oberoende av elementens sekvens, utom i det fall det epitaxiella lagret av P-typ ligger mellan lager av N-typ.
Fused silicides
Resistmaterial enligt följande, och ”substrat” belagda med följande resistmaterial:
Fused aluminides except for resistance heating elements
Resistmaterial som är konstruerade för halvledarlitografi enligt följande:
F. Sputter Deposition
Positiva resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 193 nm men lika med eller över 15 nm.
Noble metal modified aluminides (3)
Resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 15 nm men över 1 nm.
Platinum
Alla resistmaterial som är konstruerade för att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre.
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker.
Dielectic layers (15)
Alla resistmaterial som är utformade eller optimerade för att användas tillsammans med litografisk präglingsutrustning som specificeras i avsnitt 3B001.f.2 och som använder antingen en värmeprocess eller en photo-curable-process.
G. Ion Implantation
Organiska-oorganiska blandningar enligt följande:
High temperature bearing steels
Metallorganiska blandningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 %.
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
Organiska blandningar med arsenik, antimon eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 %.
Cemented tungsten carbide (16)
Avsnitt 3C003 omfattar endast blandningar vars metalliska, delvis metalliska eller icke metalliska element är direkt bundna till kolet i den organiska delen av molekylen.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
Hydrider av fosfor, arsenik eller antimon som har en renhet som är bättre än 99,999 %, även utspädd i ädelgaser eller väte.
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Avsnitt 3C004 omfattar inte hydrider som innehåller 20 % molar eller mer av ädelgaser eller väte.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Högresistiva material enligt följande:
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Halvledar-”substrat” av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Polykristallina ”substrat” eller polykristallina keramiska ”substrat”, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C och med minst ett icke-epitaxiellt enkristallskikt av kisel (Si), kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) på ”substratets” yta.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Material, som inte specificeras i 3C001, bestående av ett ”substrat” som specificeras i 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
”Programvara” som är speciellt utformad för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning som specificeras i avsnitt 3A001.b–3A002.h eller 3B.
a.
”Programvara” som är speciellt utformad för ”användning” av utrustning som specificeras i avsnitt 3B001.a–f, 3B002 eller 3A225.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
’Fysikbaserad’ simulerings-”programvara” speciellt konstruerad för ”utveckling” av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads(depositions)-processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar-, dielektriska eller halvledarlagren.
b.
Med ’fysikbaserad’ avses i avsnitt 3D003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Bibliotek, konstruktionsanvisningar eller liknande data för konstruktion av halvledarenheter eller integrerade kretsar ska betraktas som ”teknik”.
c.
”Programvara” som är speciellt utformad för ”utveckling” av utrustning som specificeras i avsnitt 3A003.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
”Programvara” som är speciellt utformad eller modifierad för ”användning” av utrustning som specificeras i avsnitt 3A101.b.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
”Programvara” som är särskilt konstruerad för att öka eller frigöra prestandan hos frekvensomvandlare eller generatorer för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning eller material som specificeras i avsnitt 3A, 3B eller 3C.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Avsnitt 3E001 omfattar inte ”teknik” för utrustning eller komponenter som omfattas av avsnitt 3A003.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Avsnitt 3E001 omfattar inte ”teknik” för integrerade kretsar som omfattas av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.12 och som har allt av följande:
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
Använder en ”teknik” för lägst 0,130 μm.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Innehåller strukturer i flera lager med tre eller färre metallager.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Avsnitt 3E001 omfattar inte ’processdesignsatser’ (’Process Design Kits’)(’PDK:er’) om de inte omfattar bibliotek som genomför funktioner eller tekniker för föremål som specificeras i avsnitt 3A001.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Utformad för att utföra mer än fyra 64-bitars eller större flyttalsoperationsresultat per cykel.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Utformad för att utföra mer än åtta 16-bitars ackumulerade fasttalsmultiplikationsresultat per cykel (t.ex. digital manipulering av analog information som tidigare omvandlats till digital form, även känd som digital ”signalbehandling”).
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Avsnitt 3E002 omfattar inte ”teknik” för multimediaanslutningar.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Avsnitt 3E002 omfattar inte ”teknik” för av mikroprocessorer som har allt av följande:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Innehåller strukturer i flera lager med högst fem metallager.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Avsnitt 3E002 omfattar ”teknik” för ”utveckling” och ”produktion” av digitala signalprocessorer och digitala grupprocessorer.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
Annan ”teknik” för ”utveckling” eller ”produktion” av följande:
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Vakuumenheter för mikroelektronik.
a.
Elektroniska enheter med halvledare med heteroövergång (hetero-structure) såsom transistorer med hög elektronmobilitet (HEMT), hetero-bipolära transistorer (HBT), quantum well och super lattice element.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Avsnitt 3E003.b omfattar inte ”teknik” för transistorer med hög elektronmobilitet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
”Supraledande” elektroniska element.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Filmsubstrat av diamant för elektroniska kretsar.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Substrat av kisel på insulator (SOI) för integrerade kretsar i vilka insulatorn är kiseldioxid.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Substrat av kiselkarbid för elektroniska komponenter.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
’Elektroniska vakuumenheter’ som arbetar vid frekvenser på 31,8 GHz eller mer.
b.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”användning” av utrustning eller ”programvara” som specificeras i avsnitt 3A001.a.1 eller 2, 3A101, 3A102 eller 3D101.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling” av ”programvara” som specificeras i avsnitt 3D101.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”användning” av utrustning som specificeras i avsnitten 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201 och 3A225-3A234.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
”Teknik” i form av koder eller nycklar för att öka eller minska prestandan hos frekvensomvandlare eller generatorer för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
KATEGORI 4 – DATORER
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Datorer, kringutrustning och ”programvara” som utför telekommunikations- eller ”lokala nät”-funktioner ska också utvärderas i förhållande till prestandaegenskaper i kategori 5 del 1 (telekommunikation).
Specific TE-PVD processes are as follows:
Styrenheter som direkt kopplar samman bussar eller kanaler i datorers centralenheter, styrenheter för ’huvudminne’ eller skivminne ska inte betraktas som telekommunikationsutrustning enligt kategori 5 del 1 (telekommunikation).
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
När det gäller kontrollstatus för ”programvara”, särskilt konstruerad för paketväxlar, se avsnitt 5D001.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
’Huvudminne’ är en dators primärminne för lagring av data eller instruktioner för snabb åtkomst av en centralprocessor.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Det består av en ”digital dators” internminne och varje till detta minne hierarkiskt anslutet minne, såsom cache-minne eller icke-sekventiellt åtkomligt utvidgat minne.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Elektroniska datorer och därmed sammanhörande utrustning, med någon av följande egenskaper, och ”elektroniska sammansättningar”, och särskilt konstruerade komponenter till dessa:
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
SE ÄVEN AVSNITT 4A101.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
a.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Särskilt konstruerade för att vara något av följande:
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Specificerade för att arbeta vid omgivande temperaturer under 228 K (– 45 °C) eller över 358 K (85 °C). eller
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Avsnitt 4A001.a.1 omfattar inte datorer som konstruerats särskilt för att användas i civila bil-, tåg- eller ”civila luftfartyg”-tillämpningar.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Strålningståliga så att de överträffar någon av följande specifikationer:
c.
Total dos
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
5 × 103 Gy (kisel),
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Dosratsändring genom störning
An activator (normally a halide salt); and
5 × 106 Gy (kisel)/s. eller
An inert powder, most frequently alumina.
Enstaka fel på grund av strålning ej överstigande
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
1 × 10–8 fel/bit/dag.
d.
4A001.a.2. omfattar inte datorer särskilt konstruerade för tillämpningar för ”civila luftfartyg”.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
b.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Används inte.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
”Digitala datorer”, ”elektroniska sammansättningar” och därmed sammanhörande utrustning, enligt följande, och specialkonstruerade komponenter därtill.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Avsnitt 4A003 omfattar följande:
e.
’Vektorprocessorer’.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Grupp- (array-) processorer.
f.
Digitala signalprocessorer.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Logikprocessorer.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Utrustning konstruerad för ”bildbehandling”.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Kontrollstatus för ”digitala datorer” och därmed sammanhörande utrustning enligt beskrivningen i avsnitt 4A003 bestäms av kontrollstatus för annan utrustning eller andra system, under förutsättning att
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
de ”digitala datorerna” eller den därmed sammanhörande utrustningen är väsentliga för den andra utrustningens eller de andra systemens funktion,
g.
de ”digitala datorerna” eller den därmed sammanhörande utrustningen inte är en ”huvudbeståndsdel” i den andra utrustningen eller de andra systemen, och
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Kontrollstatus för ”signalbehandlings”- eller ”bildbehandlings”-utrustning särskilt konstruerad för en annan utrustning med funktioner, som är begränsade till dem, som krävs för den andra utrustningen, ska bestämmas av kontrollstatus för den andra utrustningen även om den överskrider värdena för ”huvudbeståndsdelen”.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
När det gäller kontrollstatus för ”digitala datorer” eller därmed tillhörande utrustning för telekommunikation, se kategori 5 del 1 (telekommunikation).
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
”teknik” för ”digitala datorer” och tillhörande utrustning bestäms av avsnitt 4E.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
b. ”Digitala datorer” som har en ”justerad topprestanda” (”APP”) som överstiger 29 vägda Teraflops (WT).
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
c. ”Elektroniska sammansättningar” som är särskilt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom sammankoppling av processorer så att aggregatets ”APP” överskrider den gräns som specificeras i avsnitt 4A003.b.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
Avsnitt 4A003.c omfattar endast ”elektroniska sammansättningar” och programmerbara anslutningar som inte överskrider den gräns som anges i avsnitt 4A003.b när de levereras som icke inmonterade ”elektroniska sammansättningar”.
Electronic items as follows:
Avsnitt 4A003.c omfattar inte ”elektroniska sammansättningar” som är specialkonstruerade för en produkt eller familj av produkter vars maximala konfiguration inte överskrider den gräns som specificeras i avsnitt 4A003.b.
General purpose integrated circuits, as follows:
Utrustning som är specialkonstruerad för aggregering av ”digitala datorers” prestanda genom att möjliggöra externa sammankopplingar som tillåter kommunikation med en enkelriktad datahastighet som överskrider 2,0 Gbyte/s per länk.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Avsnitt 4A003.g omfattar inte intern utrustning för sammankoppling (t.ex. backplan, bussar), passiva kopplingselement, ”styrenheter för åtkomst till nätverk” eller ”styrenheter för kommunikationskanaler”.
Integrated circuits include the following types:
Datorer enligt följande och specialkonstruerad därmed sammanhörande utrustning, ”elektroniska sammansättningar” och komponenter till dessa:
"Monolithic integrated circuits";
a. ’Datorer för systoliska kedjor’.
"Hybrid integrated circuits";
b. ’Neurala datorer’.
"Multichip integrated circuits";
c. ’Optiska datorer’.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
’Datorer för systoliska kedjor’ är datorer där flödet och förändringen av data är dynamiskt styrbara av användaren på logikgrindnivån.