natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Voltage rating greater than 2 kV; and
Som gör att dessa kameror uppfyller egenskaperna som specificeras i avsnitt 6A003.a.3, 6A003.a.4 eller 6A003.a.5 enligt tillverkarens specifikationer.
b Inductance of less than 20 nH.
b.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Bildkameror enligt följande:
SEE ALSO 2B226
Avsnitt 6A003.b omfattar inte televisions- eller videokameror som särskilt konstruerats för tv-sändning.
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
a.
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Någon av följande egenskaper:
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Mer än 4 × 106”aktiva bildelement” för varje halvledarmatris i monokroma (svart-vita) kameror.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Mer än 4 × 106”aktiva bildelement” för varje halvledarmatris i färgkameror med tre halvledarsystem, eller
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Mer än 12 × 106”aktiva bildelement” för varje halvledarmatris i färgkameror med ett halvledarsystem, och
b.
Optiska speglar som specificeras i avsnitt 6A004.a.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Optisk styrutrustning som specificeras i avsnitt 6A004.d, eller
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
Kan frambringa internt framtagen ’kameraspårningsinformation’.
Direct write capability;
I detta avsnitt ska digitala videokameror bedömas utifrån maximiantalet ”aktiva bildelement” som används för att ta upp rörliga bilder.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
I detta avsnitt avses med ’kameraspårningsinformation’ de uppgifter som behövs för att kunna fastställa kamerans siktriktning i förhållande till jorden.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Detta omfattar 1) den horisontella siktriktningen i förhållande till riktningen på jordens magnetfält, och 2) den vertikala vinkeln mellan kamerans siktriktning och jordens horisont.
e.
Avsökande kameror och kamerasystem som har alla följande egenskaper:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
a.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
En maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 10 nm men inte 30000 nm.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
b.
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Linjära detektorsystem med mer än 8192 element/system, och
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
c.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Mekanisk avsökning i en riktning.
f.
Avsnitt 6A003.b.2 omfattar inte avsökande kameror och kamerasystem som särskilt konstruerats för något av följande:
Lithography equipment as follows:
Industriella eller civila fotokopiatorer.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Bildläsare som är särskilt konstruerade för civila, stationära tillämpningar för avläsning på kort avstånd (t.ex. reproduktion av bilder eller tryck i handlingar, konstverk eller fotografier). eller
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Bildkameror som innehåller bildförstärkarrör som specificeras i avsnitt 6A002.a.2.a eller 6A002.a.2.b.
b.
Bildkameror som innehåller ”fokalplansmatriser” med någon av följande egenskaper:
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
a.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Innehåller ”fokalplansmatriser” som specificeras i avsnitten 6A002.a.3.a–6A002a.3.e.
where the K factor = 0,35
b.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
Innehåller ”fokalplansmatriser” som specificeras i avsnitt 6A002.a.3.f, eller
3B001.f.2. includes:
c.
Micro contact printing tools
Innehåller ”fokalplansmatriser” som specificeras i avsnitt 6A002.a.3.g,
Hot embossing tools
”Bildkameror” som specificeras i avsnitt 6A003.b.4 inbegriper ”fokalplansmatriser” kombinerade med tillräcklig ”signalbehandlings” elektronik, utöver integrerad krets för avläsning, för att minst göra det möjligt att sända ut en analog eller digital signal så snart energi tillförs.
Nano-imprint lithography tools
Avsnitt 6A003.b.4 a omfattar inte bildkameror som är utrustade med linjära ”fokalplansmatriser” med 12 eller färre element som inte använder sig av integrerad tidsfördröjning i själva elementen och som är konstruerade för något av följande:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Industriell utrustning för kontroll eller övervakning av värmeflöden i byggnader, utrustning eller tillverkningsprocesser.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
Utrustning som särskilt konstruerats för laboratoriebruk, eller
a.
Avsnitt 6A003.b.4.b omfattar inte bildkameror med någon av följande egenskaper:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Bildhastigheter som är lika med eller lägre än 9 Hz.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Har ett minsta horisontellt eller vertikalt ’IFOV (Instantaneous-Field-of-View)’ på åtminstone 10 mrad (milliradianer).
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
Innehåller en lins med fast brännvidd som inte är avsedd att avlägsnas.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Innehåller inte en display som ’direkt ger en synlig bild’, och
a.
Saknar möjlighet att ge en synlig bild av det detekterade synfältet, eller
A deflected focused electron beam; and
Kameran är konstruerad för en enda tillämpning och är inte konstruerad för att ändras av användaren, eller
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Kameran är särskilt konstruerad för att installeras i ett civilt landfordon för persontransporter med alla följande egenskaper:
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Kameran i fordonet är placerad och konfigurerad på ett sätt som enbart syftar till att hjälpa föraren att manövrera fordonet på ett säkert sätt.
g.
Den kan användas endast när den är installerad i något av följande:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Det civila landfordon för persontransporter som den är avsedd för, och fordonet väger mindre än 4500 kg (bruttofordonsvikt), eller
h.
En särskilt konstruerad godkänd anordning för underhållstest, och
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
Den innehåller en aktiv mekanism som gör att kameran inte fungerar när den avlägsnas från det fordon för vilket den är avsedd.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
’Instantaneous-Field-of-View (IFOV)’ som specificeras i avsnitt 6A003.b.4, anmärkning 3 b är det lägsta värdet av ’horisontell IFOV’ och ’vertikal IFOV’.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
’Horisontell IFOV’ = horisontell Field-of-View (FOV) / antalet horisontella detektorelement.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
’Vertikal IFOV’ = vertikal Field-of-View (FOV) / antalet vertikala detektorelement.
i.
’Direkt ger en synlig bild’ i avsnitt 6A003.b.4, anmärkning 3 b avser en bildkamera som fungerar inom det infraröda spektrum som ger en synlig bild till en mänsklig observatör som använder en nära ögat-mikrodisplay som innehåller någon ljussäkerhetsmekanism.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Avsnitt 6A003.b.4.c omfattar inte bildkameror med någon av följande egenskaper:
j.
Kameran är särskilt konstruerad för att installeras som en integrerad komponent i system eller utrustning som används inomhus med strömförsörjning via vägguttag, och som genom sin konstruktion begränsas till en enda typ av tillämpning, enligt följande:
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
Övervakning av industriprocesser, kvalitetskontroll eller analys av materialegenskaper.
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
Laboratorieutrustning som är speciellt konstruerad för vetenskaplig forskning.
Compliant with SEMI Standard P37.
Utrustning för avslöjande av ekonomiska bedrägerier. och
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
System eller utrustning som den är avsedd för. eller
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
En speciellt konstruerad, godkänd underhållsanordning, och
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
Kameran är särskilt konstruerad för att installeras i ett civilt landfordon för persontransporter eller färjor för person- och fordonstransporter med alla följande egenskaper:
c.
Kameran i fordonet eller färjan är placerad och konfigurerad på ett sätt som enbart syftar till att hjälpa föraren att manövrera fordonet eller färjan på ett säkert sätt.
For testing items specified in 3A001.b.2.
Det civila landfordon för persontransporter som den är avsedd för, och fordonet väger mindre än 4500 kg (bruttofordonsvikt).
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Den färja för person- och fordonstransporter som den är avsedd för och färjan har en total längd på minst 65 m, eller
a.
En särskilt konstruerad godkänd anordning för underhållstest, och
Silicon (Si);
Den innehåller en aktiv mekanism som gör att kameran inte kan användas när den avlägsnas från det fordon som den är avsedd för.
b.
Kameran begränsas genom sin konstruktion till en maximal ”strålningskänslighet” på högst 10 mA/W för våglängder som överstiger 760 nm, och har alla följande egenskaper:
Germanium (Ge);
Den innehåller en känslighetsbegränsande mekanism som är konstruerad så att den inte kan avlägsnas eller modifieras.
c.
Den innehåller en aktiv mekanism som gör att kameran inte kan användas när den känslighetsbegränsande mekanismen avlägsnas, och
Silicon carbide (SiC); or
Den är inte särskilt konstruerad eller modifierad för undervattensbruk. eller
"III/V compounds" of gallium or indium.
Den har samtliga följande egenskaper:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Den innehåller inte en display som ’direkt ger en synlig bild’ eller en elektronisk bild.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Den saknar möjlighet att ge en synlig bild av det detekterade synfältet.
a.
”Fokalplansmatrisen” kan användas endast när den är installerad i den kamera som den är avsedd för, och
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
”Fokalplansmatrisen” innehåller en aktiv mekanism som gör att den är permanent oanvändbar när den avlägsnas från den kamera som den är avsedd för.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
Bildkameror som innehåller halvledardetektorer som specificeras i avsnitt 6A002.a.1.
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Optisk utrustning och optiska komponenter enligt följande:
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Optiska speglar (reflektorer) enligt följande:
d.
För avsnitt 6A004.a gäller att mätningen av gränsen för skador åstadkomna av laser ska göras enligt ISO 21254-1:2011.
All resists optimised for surface imaging technologies;
För optiska speglar som är särskilt konstruerade för litografisk utrustning, se avsnitt 3B001.
e.
’Deformerbara speglar’ som har en aktiv optisk öppning större än 10 mm och någon av följande egenskaper, och särskilt konstruerade komponenter till dem:
Organo-inorganic compounds as follows:
Alla följande egenskaper:
a.
En mekanisk resonansfrekvens på 750 Hz eller mer, och
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Mer än 200 ställdon, eller
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Någon av följande gränser för skador åstadkomna av laser:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Över 1 kW/cm2 med en ”CW laser”, eller
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Över 2 J/cm2 vid ”laser”-pulser på 20 ns med en repetitionsfrekvens på 20 Hz.
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
'Deformerbara speglar” är speglar som har någon av följande egenskaper:
High resistivity materials as follows:
En enda kontinuerlig optisk reflekterande yta som kan deformeras dynamiskt genom att individuella vrid- eller tryckkrafter appliceras för att kompensera för distorsioner i den optiska vågformen som infaller mot spegeln, eller
a.
Flera optiska reflekterande element som individuellt och dynamiskt kan flyttas om genom påverkan av vrid- eller tryckkrafter för att kompensera för distorsioner i den optiska vågform som infaller mot spegeln.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
'Deformerbara speglar' är även kända som anpassningsbara optiska speglar.
b.
Monolitiska lättviktsspeglar med en genomsnittlig ”ekvivalent täthet” på mindre än 30 kg/m2 och en totalvikt över 10 kg.
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
6A004.a.2.
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Omfattar inte speglar speciellt utformade för att rikta solstrålning i markbaserade solenergiinstallationer.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
”Komposit”- eller skumspegelkonstruktioner med en genomsnittlig ”ekvivalent täthet” som är mindre än 30 kg/m2, och en totalvikt över 2 kg.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
6A004.a.3.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Omfattar inte speglar speciellt utformade för att rikta solstrålning i markbaserade solenergiinstallationer.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Speglar som är särskilt konstruerade för hållare för strålstyrningsspeglar och som specificeras i avsnitt 6A004.d.2.a med en planhet på λ/10 eller bättre (λ = 633 nm) och som har någon av följande egenskaper:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
a.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
Diameter eller huvudaxel på minst 100 mm, eller
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
b.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Alla följande egenskaper:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Diameter eller huvudaxel större än 50 mm men mindre än 100 mm, och
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
Någon av följande gränser för skador åstadkomna av laser:
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
a.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
Över 10 kW/cm2 med en ”CW laser”, eller
3E001 does not control 'Process Design Kits' ('PDKs') unless they include libraries implementing functions or technologies for items specified in 3A001.
Över 20 J/cm2 vid ”laser”-pulser på 20 ns med en repetitionsfrekvens på 20 Hz.
A 'Process Design Kit' ('PDK') is a software tool provided by a semiconductor manufacturer to ensure that the required design practices and rules are taken into account in order to successfully produce a specific integrated circuit design in a specific semiconductor process, in accordance with technological and manufacturing constraints (each semiconductor manufacturing process has its particular 'PDK').
b.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
Optiska komponenter tillverkade av zinkselenid (ZnSe) eller zinksulfid (ZnS) med en genomsläpplighet i våglängdsområdet som överstiger 3000 nm men inte 25000 nm och som har någon av följande egenskaper:
a.
De överstiger 100 cm3 i volym, eller
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
De överstiger 80 mm i diameter eller längd hos huvudaxeln samt har ett djup (en tjocklek) på mer än 20 mm.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
c. ”Rymdkvalificerade” komponenter för optiska system, enligt följande:
b.
Komponenter som lättats till mindre än 20 % av den ”ekvivalenta tätheten” jämfört med ett massivt ämne med samma öppning och tjocklek.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Råsubstrater, bearbetade substrater som har en ytbeläggning (enkel- eller multipellager, metalliska eller dielektriska, ledande, halvledande eller isolerande) eller skyddsfilm.
c.
Segment eller system av speglar som konstruerats för att sammansättas till ett system i rymden med en insamlande bländaröppning som är lika med eller större än en enda spegel med 1 meters diameter.
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Komponenter tillverkade av ”komposit”-material med en koefficient för linjär termisk expansion som är lika med eller mindre än 5 × 10–6 i någon koordinatriktning.
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
d.
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
Optisk styrutrustning enligt följande:
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Utrustning som speciellt konstruerats för att bibehålla ytans form eller orienteringen hos de ”rymdkvalificerade” komponenterna som specificeras i avsnitt 6A004.c.1 eller 6A004.c.3.
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
Utrustning för styrning, följning, stabilisering och resonatorupplinjering enligt följande:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
a.
a.
Hållare för strålstyrningsspeglar utformade att bära speglar med en diameter eller huvudaxel som är längre än 50 mm och som har alla följande egenskaper, och särskilt konstruerad elektronisk styrutrustning för dessa:
Vacuum microelectronic devices;
En maximal vinkelrörelse på ±26 mrad eller mer.
b.
En mekanisk resonansfrekvens på 500 Hz eller mer, och
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
en vinkel-”noggrannhet” på 10 μrad (mikroradianer) eller mindre (bättre).
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
b.
c.
Utrustning för resonatorupplinjering med en bandbredd som är minst 100 Hz och en ”noggrannhet” som är 10 μrad (mikroradianer) eller mindre (bättre).
"Superconductive" electronic devices;
Kardansk upphängning med alla följande egenskaper:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
En bandbredd som är lika med 100 Hz eller mer.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Ett vinkelvisarfel som är högst 200 μrad (mikroradianer), och
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
Någon av följande egenskaper:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
En diameter eller huvudaxel som är mer än 0,15 m men inte överstiger 1 m, och vars vinkelacceleration kan överstiga 2 rad (radianer)/s2, eller
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
En diameter eller huvudaxel som överstiger 1 m, och vars vinkelacceleration kan överstiga 0,5 rad (radianer)/s2.