natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Detekteringsavstånd som överstiger 1000 m.
High energy devices as follows:
Avsnitt 6A001.a.1.d omfattar
'Cells' as follows:
utrustning som använder koherent ”signalbehandling” mellan två eller flera pejlsändare och hydrofonutrustning som bärs av ytfartyget eller undervattensfarkosten,
a.
utrustning som automatiskt kan korrigera för det fel som uppstår vid positionsbestämningen på grund av ljudets utbredningshastighet.
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
Aktiva individuella sonarer som är särskilt konstruerade eller modifierade för att upptäcka, lokalisera och automatiskt klassificera simmare eller dykare, med alla följande egenskaper, samt särskilt utformade akustiska system för sändande och mottagande för dessa:
b.
Detekteringsavstånd som överstiger 530 m.
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
Fastställt positionsfel på mindre än 15 m rms (effektivvärdet) vid mätning på 530 m avstånd.
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Bandbredd för utsänd pulssignal överstiger 3 kHz.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
För dykardetekteringssystem som särskilt konstruerats eller ändrats för militär användning, se kontrollbestämmelserna för varor med militär användning.
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
För 6A001.a.1.e används det största detekteringsavståndet, om flera olika detekteringsavstånd är angivna för olika omgivningar.
It is the basic building block of a battery.
Passiva system, utrustning och komponenter som konstruerats speciellt för dessa, enligt följande:
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
Hydrofoner med någon av följande egenskaper:
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
Hydrofoner som särskilt konstruerats för en viss utrustning ska behandlas som den utrustningen.
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Hydrofoner består av ett eller flera avkänningselement som producerar en enda kanal för akustisk uteffekt.
High energy storage capacitors as follows:
De som består av flera element kan också kallas en hydrofongrupp.
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
Innehåller kontinuerliga flexibla avkänningselement.
a.
Innehåller flexibla sammansättningar av diskreta avkänningselement med en längd eller diameter på mindre än 20 mm och med ett avstånd mellan elementen som understiger 20 mm.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Innehåller något av följande avkänningselement:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
Optiska fibrer.
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
Annan ’piezoelektrisk polymerfilm’ än polyvinylidenfluorid (PVDF) och dess sampolymerer P(VDF-TrFE) och P(VDF-TFE).
A total energy equal to or more than 25 kJ;
’Flexibla piezoelektriska kompositer’.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Piezoelektriska enkla kristaller av bly-indium-niobat/bly-magnesium-niobat/bly-titanat (dvs. Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 eller PIN-PMN-PT) som odlas från fasta lösningar.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
Med en ’hydrofonkänslighet’ högre än -180 dB på alla djup, utan accelerationskompensation.
A total energy equal to or more than 100 J; and
Med utrustning som konstruerats för drift på större djup än 35 m med accelerationskompensation.
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
Med utrustning som konstruerats för arbete på större djup än 1000 m.
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Avkänningselement ’piezoelektrisk polymerfilm’ består av polariserad polymerfilm som är spänd över och fäst vid en stödjande ram eller spole (dorn).
SEE ALSO 3A201.b.
Avkänningselement ’flexibla piezoelektriska kompositer’ består av keramiska piezoelektriska partiklar eller fibrer i kombination med en elektriskt isolerande, akustiskt genomskinlig gummi-, polymer- eller epoxiförening där föreningen utgör en integrerad del av avkänningselementet.
3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
’Hydrofonkänslighet’ definieras som 20 gånger logaritmen med bas 10 för förhållandet rms utgångsspänning genom referensen 1 V rms, när den hydrofonsensorn, utan förförstärkare, placeras i ett plant akustiskt fält med ett rms-tryck på 1 μPa.
a.
Hydrofonsystem består av flera hydrofoner som ger flera kanaler för akustisk uteffekt.
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Hydrofoner placerade i grupper med ett avstånd som understiger 12,5 m eller som ’kan ändras till’ att medge hydrofoner placerade i grupper med ett avstånd som understiger 12,5 m.
b.
Som är konstruerade för eller ’kan ändras till’ ett utförande som tillåter användning vid större djup än 35 m.
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Uttrycket ’kan ändras till’ i avsnitt 6A001.a.2.b.1 och 6A001.a.2.b.2 avser att man har möjlighet att genom att förändra tråddragningen eller anslutningarna ändra hydrofonernas gruppering eller djupbegränsningar.
c.
Förutsättningen är att mer än 10 % av antalet trådar finns i reserv, att hydrofonernas gruppering och djupbegränsningar är variabla eller styr mer än en grupp.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
Huvudsensorer som specificeras i avsnitt 6A001.a.2.d.
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Longitudinellt förstärkta uppsättningar av slangar.
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
En sammansatt apparat vars diameter understiger 40 mm.
f.
Hydrofoner med egenskaper som specificeras i avsnitt 6A001.a.2.a.
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc and specially designed encoder rings, discs or scales therefor;
Accelerometerbaserade hydroakustiska sensorer som specificeras i avsnitt 6A001.a.2.g.
g.
Beräkningsutrustning som särskilt konstruerats för att beräkna resultatet från släphydrofonsystem med ”användartillgänglig programmeringsmöjlighet”, med tids- och frekvensdomänberäkning samt korrelation, inklusive spektralanalys, digital filtrering och lobformning med användande av Snabb Fourier- eller andra transformer eller processer.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Huvudsensorer med alla följande egenskaper:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
En ”noggrannhet” som är bättre än 0,5o.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Konstruerade för drift på större djup än 35 m, eller har justerbara eller utbytbara djupavkännare för arbete på större djup än 35 m.
a.
För tröghetsnavigeringssystem, se 7A003.c.
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
Kabelhydrofonsystem för bottnar eller havsvikar med någon av följande egenskaper:
b.
Innehåller hydrofoner som specificeras i avsnitt 6A001.a.2.a.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
Innehåller multiplexade hydrofongruppssignalmoduler som har alla följande egenskaper:
3A001.g. includes:
Konstruerade för drift på större djup än 35 m, eller har justerbara eller utbytbara djupavkännare för arbete på större djup än 35 m.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Kan användas för samma ändamål som bogserade akustiska hydrofonsystemmoduler.
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Innehåller accelerometerbaserade hydroakustiska sensorer som specificeras i avsnitt 6A001.a.2.g.
Light Triggering Thyristors (LTTs)
Beräkningsutrustning som särskilt konstruerats för att beräkna resultatet från kabelsystem för bottnar eller havsvikar med ”användartillgänglig programmeringsmöjlighet”, med tids- och frekvensdomänberäkning samt korrelation, inklusive spektralanalys, digital filtrering och lobformning med användande av Snabb Fourier- eller andra transformer eller processer.
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
Accelerometerbaserade hydroakustiska sensorer med alla följande egenskaper:
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
Består av tre accelerometrar som är arrangerade längst tre olika axlar.
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
Har en total ’accelerationskänslighet’ som är bättre än 48 dB (referens 1000 mV rms per 1 g).
Solidtrons
Konstruerad för att fungera på större djup än 35 meter.
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Har en arbetsfrekvens under 20 kHz.
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Avsnitt 6A001.a.2.g omfattar inte partikelhastighetssensorer eller geofoner.
h.
Accelerometerbaserade hydroakustiska sensorer kallas också vektorsensorer.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
’Accelerationskänslighet’ definieras som 20 gånger logaritmen med bas 10 för förhållandet rms utgångsspänning genom referensen 1 V rms, när den hydroakustiska sensorn, utan förförstärkare, placeras i ett plant akustiskt fält med en rms-acceleration på 1 g (dvs. 9,81 m/s2).
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Avsnitt 6A001.a.2 omfattar även mottagande utrustning, oavsett om den i normala tillämpningar är kopplad till separat, aktiv utrustning, samt komponenter som konstruerats särskilt för denna.
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Sonarutrustning som arbetar med korrelationshastighet och dopplerhastighet och som konstruerats för att mäta den horisontella hastigheten av farkosten med utrustning jämfört med havsbottnen, enligt följande:
Continuous current greater than 1 A.
Sonarutrustning som arbetar med korrelationshastighet och som har någon av följande egenskaper:
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Konstruerad för drift på ett avstånd mellan farkosten och havsbottnen som överstiger 500 m.
3A001.h. includes:
En hastighets”noggrannhet” som är bättre än 1 % av hastigheten.
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
Sonarutrustning som arbetar med dopplerhastighet och som har en hastighets”noggrannhet” som är bättre än 1 % av hastigheten.
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
Avsnitt 6A001.b omfattar inte djuplod som begränsas till något av följande:
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Mätning av vattendjup.
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
Mätning av avståndet till föremål som ligger under vatten eller är begravda.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Sökning efter fisk.
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
Avsnitt 6A001.b omfattar inte kontrollutrustning som är speciellt konstruerad för installation på ytfartyg.
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Optiska sensorer eller utrustning och komponenter till dessa enligt följande:
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
SE ÄVEN AVSNITT 6A102.
PiN Diodes
I avsnitt 6A002.a.1 inbegrips ”fokalplansmatriser” i halvledardetektorer. a)
Schottky Diodes
”Rymdkvalificerade” halvledardetektorer med samtliga följande egenskaper: 1.
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
En maximal känslighet inom våglängdsområdet som överstiger 10 nm men inte 300 nm.
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
2.
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
En känslighet vid våglängder över 400 nm på mindre än 0,1 % av den maximala känsligheten. b)
a.
”Rymdkvalificerade” halvledardetektorer med samtliga följande egenskaper: 1.
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
En maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 900 nm men inte 1200 nm.
Digital data recorders having all of the following:
2.
a.
En ”svarstidskonstant” på högst 95 ns. c)
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
”Rymdkvalificerade” halvledardetektorer med en maximal känslighet inom våglängdsområdet som överstiger 1200 nm men inte 30000 nm. d)
b.
”Rymdkvalificerade” ”fokalplansmatriser” med mer än 2048 element per matris och en maximal känslighet i våglängdsområdet som överstiger 300 nm men inte 900 nm.
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
Bildförstärkarrör och komponenter som särskilt konstruerats för dessa enligt följande:
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Avsnitt 6A002.a.2 omfattar inte icke-bildbehandlande fotomultiplikatorrör med en elektronavkännare i vakuumutrymmet som uteslutande begränsas till något av följande:
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.
En enda metallanod.
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
Metallanoder med ett avstånd som är större än 500 μm från mittpunkt till mittpunkt.
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
Bildförstärkarrör som har samtliga följande egenskaper:
c.
En maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 400 nm men inte 1050 nm.
"Signal analysers" as follows:
Elektronbildförstärkning med användning av något av följande:
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
En mikrokanalplatta med en håldelning (avstånd från ett håls mittpunkt till närmaste håls mittpunkt) på högst 12 μm.
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
En elektronavkännare med ett non-binned pixelavstånd på högst 500 μm, speciellt konstruerad eller modifierad för att uppnå ’laddningsförstärkning’ på annat sätt än genom en mikrokanalplatta.
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
Någon av följande fotoceller:
"Signal analysers" having all of the following:
Multialkaliska fotoceller (t.ex.
a.
S-20 och S-25) med en ljuskänslighet som överstiger 350 μΑ/lm.
"Real-time bandwidth" exceeding 170 MHz; and
GaAs- eller GaInAs-fotoceller.
b.
Andra fotoceller av halvledartyp bestående av ”III/-V-föreningar” med en maximal ”strålningskänslighet” som överstiger 10 mA/W.
Having any of the following;
Bildförstärkarrör som har samtliga följande egenskaper:
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less; or
En maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1050 nm men inte 1800 nm.
A "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
Fotoceller av halvledartyp bestående av ”III/-V-föreningar” (t.ex.
Probability of discovery in 3A002.c.4.b.1. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
GaAs eller GaInAs) och överförda elektronfotoceller med en maximal ”strålningskänslighet” som överstiger 15 mA/W.
For the purposes of 3A002.c.4.b.1., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
Speciellt konstruerade komponenter enligt följande:
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Mikrokanalplattor med en håldelning (avstånd från ett håls mittpunkt till närmaste håls mittpunkt) på högst 12 μm.
d.
En elektronavkännare med ett non-binned pixelavstånd på högst 500 μm, speciellt konstruerad eller modifierad för att uppnå ’laddningsförstärkning’ på annat sätt än genom en mikrokanalplatta.
Signal generators having any of the following:
Fotoceller av halvledartyp bestående av ”III/-V-föreningar” (t.ex.
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
GaAs eller GaInAs) och överförda elektronfotoceller.
a.
Avsnitt 6A002.a.2.c.3 omfattar inte sammansatta fotoceller av halvledartyp som är konstruerade för att uppnå en maximal ”strålningskänslighet” enligt något av följande:
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
10 mA/W eller mindre vid maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 400 nm men inte 1050 nm, eller
b.
15 mA/W eller mindre vid maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1050 nm men inte 1800 nm.
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
Icke ”rymdkvalificerade” ”fokalplansmatriser” enligt följande:
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
Icke ”rymdkvalificerade” ”fokalplansmatriser” av ’mikrobolometer’-typ specificeras endast i avsnitt 6A002.a.3.f.
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
Linjära eller tvådimensionella flerelementsdetektorer ska betraktas som ”fokalplansmatriser”.
b.
Avsnitt 6A002.a.3 innefattar fotokonduktiva och fotovoltaiska matriser.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Avsnitt 6A002.a.3 omfattar inte följande:
d.
Inkapslade fotokonduktiva matriser (med högst 16 element) som innehåller blysulfid eller blyselenid,
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
Pyroelektriska detektorer som innehåller något av följande material:
e.
Triglycinsulfat och varianter därav.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
Blylantanzirkoniumtitanat och varianter därav.
f.
Litiumtantalat.
Not used;
Polyvinylidenfluorid och varianter därav.
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Strontiumbariumniobat och varianter därav.
a.
”Fokalplansmatriser” som är speciellt konstruerade eller modifierade för att åstadkomma ’laddningsförstärkning’ och som genom sin konstruktion begränsas till en maximal ”strålningskänslighet” på 10 mA/W eller mindre inom ett våglängdsområde som överstiger 760 nm, och som har samtliga följande egenskaper:
Less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Den innehåller en känslighetsbegränsande mekanism som är konstruerad så att den inte kan avlägsnas eller modifieras.
b.
Den känslighetsbegränsande mekanismen är integrerad i eller kombinerad med detektorelementet. b)
Less (better) than – (206 – 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz< F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
”Fokalplansmatrisen” kan fungera endast när det finns en känslighetsbegränsande mekanism.
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
En känslighetsbegränsande mekanism som är integrerad i detektorelementet är konstruerad så att den inte kan avlägsnas eller modifieras utan att detektorn blir oanvändbar.
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
Termostapelmatriser (thermopile array) med färre än 5130 element.
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Icke ”rymdkvalificerade” ”fokalplansmatriser” (FPA = Focal Plane Arrays) med alla följande egenskaper:
3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Individuella element med maximal känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 900 nm men inte 1050 nm.
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.
En ”tidskonstant” för svarstiden på mindre än 0,5 ns.
For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval from the point on the leading edge that is 50 % of the pulse amplitude to the point on the trailing edge that is 50 % of the pulse amplitude.
Speciellt konstruerade eller modifierade för att åstadkomma ’laddningsförstärkning’ och med en maximal ”strålningskänslighet” som överstiger 10 mA/W.
e.
Icke ”rymdkvalificerade” ”fokalplansmatriser” (FPA = Focal Plane Arrays) med alla följande egenskaper:
Network analysers having any of the following:
Individuella element som har sin maximala känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1050 nm men inte 1200 nm.
An output power exceeding 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
En ”svarstidskonstant” på högst 95 ns.
An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz;
Icke ”rymdkvalificerade” icke-linjära (tvådimensionella) ”fokalplansmatriser” med individuella element som har sin maximala känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1200 nm men inte 30000 nm.
'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or
Icke ”rymdkvalificerade” ”fokalplansmatriser” av ’mikrobolometer’-typ som baseras på kisel eller annat material specificeras endast i avsnitt 6A002.a.3.f.
'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument’s ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.
Icke ”rymdkvalificerade” linjära (endimensionella) ”fokalplansmatriser” med alla följande egenskaper:
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;
Individuella element som har sin maximala känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 1200 nm men inte 3000 nm.
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz; and
Avsnitt 6A002.a.3.d omfattar inte ”fokalplansmatriser” (som inte får ha mer än 32 element) vars detektorelement uteslutande består av germanium.