natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Mer än 12 × 106 "aktiva bildelement" för varje halvledarmatris i färgkameror med ett halvledarsystem.
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Optiska speglar som specificeras i avsnitt 6A004.a.
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
Optisk styrutrustning som specificeras i avsnitt 6A004.d.
Having an output greater than 100 A;
Kan frambringa internt framtagen 'kameraspårningsinformation'.
No dimension greater than 30 cm;
I detta avsnitt ska digitala videokameror bedömas utifrån maximiantalet "aktiva bildelement" som används för att ta upp rörliga bilder.
Weight less than 30 kg; and
I detta avsnitt avses med 'kameraspårningsinformation' de uppgifter som behövs för att kunna fastställa kamerans siktriktning i förhållande till jorden.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Detta omfattar 1) den horisontella siktriktningen i förhållande till riktningen på jordens magnetfält, och 2) den vertikala vinkeln mellan kamerans siktriktning och jordens horisont.
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
Avsökande kameror och kamerasystem som har alla följande egenskaper:
c.
Maximal känslighet i ett våglängdsområde som överstiger 10 nm men inte 30000 nm,
Micro-firing units having all of the following characteristics:
Linjära detektorsystem med mer än 8192 element/system.
No dimension greater than 35 mm;
Mekanisk avsökning i en riktning.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
Avsnitt 6A003.b.2 omfattar inte avsökande kameror och kamerasystem som särskilt konstruerats för något av följande:
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Industriella eller civila fotokopiatorer.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Bildläsare som är särskilt konstruerade för civila, stationära tillämpningar för avläsning på kort avstånd (t.ex. reproduktion av bilder eller tryck i handlingar, konstverk eller fotografier).
a.
Medicinsk utrustning.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Bildkameror som innehåller bildförstärkarrör som specificeras i avsnitt 6A002.a.2.a eller 6A002.a.2.b.
b.
Bildkameror som innehåller "fokalplansmatriser" med någon av följande egenskaper:
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Innehåller "fokalplansmatriser" som specificeras i avsnitten 6A002.a.3.a–6A002a.3.e.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Innehåller "fokalplansmatriser" som specificeras i avsnitt 6A002.a.3.f.
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Innehåller "fokalplansmatriser" som specificeras i avsnitt 6A002.a.3.g.
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
"Bildkameror" som specificeras i avsnitt 6A003.b.4 inbegriper "fokalplansmatriser" kombinerade med tillräcklig "signalbehandlings" elektronik, utöver integrerad krets för avläsning, för att minst göra det möjligt att sända ut en analog eller digital signal så snart energi tillförs.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Avsnitt 6A003.b.4.a omfattar inte bildkameror som är utrustade med linjära "fokalplansmatriser" med 12 eller färre element som inte använder sig av integrerad tidsfördröjning i själva elementen och som är konstruerade för något av följande:
a.
Industriell utrustning för kontroll eller övervakning av värmeflöden i byggnader, utrustning eller tillverkningsprocesser.
Designed for operation without an external vacuum system; and
Utrustning som särskilt konstruerats för laboratoriebruk.
b.
Avsnitt 6A003.b.4.b omfattar inte bildkameror med någon av följande egenskaper:
Utilizing any of the following:
Bildhastigheter som är lika med eller lägre än 9 Hz.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
Har ett minsta horisontellt eller vertikalt 'IFOV (Instantaneous-Field-of-View)' på åtminstone 10 mrad/pixel (milliradianer/pixel).
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
Innehåller en lins med fast brännvidd som inte är avsedd att avlägsnas.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Innehåller inte en display som 'direkt ger en synlig bild'.
See 1A007.b. for detonators.
Saknar möjlighet att ge en synlig bild av det detekterade synfältet.
b.
Kameran är konstruerad för en enda tillämpning och är inte konstruerad för att ändras av användaren.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Kameran är särskilt konstruerad för att installeras i ett civilt landfordon för persontransporter med alla följande egenskaper:
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Kameran i fordonet är placerad och konfigurerad på ett sätt som enbart syftar till att hjälpa föraren att manövrera fordonet på ett säkert sätt.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Den kan användas endast när den är installerad i något av följande:
a.
Det civila landfordon för persontransporter som den är avsedd för, och fordonet väger mindre än 4500 kg (bruttofordonsvikt).
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
En särskilt konstruerad godkänd anordning för underhållstest.
b.
Den innehåller en aktiv mekanism som gör att kameran inte fungerar när den avlägsnas från det fordon för vilket den är avsedd.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
'Instantaneous-Field-of-View (IFOV)' som specificeras i avsnitt 6A003.b.4, anmärkning 3 b är det lägsta värdet av 'horisontell IFOV' och 'vertikal IFOV'.
c.
'Horisontell IFOV' = horisontell Field-of-View (FOV) / antalet horisontella detektorelement.
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
'Vertikal IFOV' = vertikal Field-of-View (FOV) / antalet vertikala detektorelement.
d.
'Direkt ger en synlig bild' i avsnitt 6A003.b.4, anmärkning 3 b avser en bildkamera som fungerar inom det infraröda spektrum som ger en synlig bild till en mänsklig observatör som använder en nära ögat-mikrodisplay som innehåller någon ljussäkerhetsmekanism.
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
Avsnitt 6A003.b.4.c omfattar inte bildkameror med någon av följande egenskaper:
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Kameran är särskilt konstruerad för att installeras som en integrerad komponent i system eller utrustning som används inomhus med strömförsörjning via vägguttag, och som genom sin konstruktion begränsas till en enda typ av tillämpning, enligt följande:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Övervakning av industriprocesser, kvalitetskontroll eller analys av materialegenskaper.
e.
Laboratorieutrustning som är speciellt konstruerad för vetenskaplig forskning.
Not used;
Utrustning för avslöjande av ekonomiska bedrägerier.
f.
System eller utrustning som den är avsedd för.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
En speciellt konstruerad, godkänd underhållsanordning.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
Den innehåller en aktiv mekanism som gör att kameran inte kan användas när den avlägsnas från det eller de system eller den utrustning som den är avsedd för.
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Kameran är särskilt konstruerad för att installeras i ett civilt landfordon för persontransporter eller färjor för person- och fordonstransporter med alla följande egenskaper:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Kameran i fordonet eller färjan är placerad och konfigurerad på ett sätt som enbart syftar till att hjälpa föraren att manövrera fordonet eller färjan på ett säkert sätt.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Det civila landfordon för persontransporter som den är avsedd för, och fordonet väger mindre än 4500 kg (bruttofordonsvikt).
a.
Den färja för person- och fordonstransporter som den är avsedd för och färjan har en total längd på minst 65 m.
Voltage rating greater than 2 kV; and
En särskilt konstruerad godkänd anordning för underhållstest.
b Inductance of less than 20 nH.
Den innehåller en aktiv mekanism som gör att kameran inte kan användas när den avlägsnas från det fordon som den är avsedd för.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Kameran begränsas genom sin konstruktion till en maximal "strålningskänslighet" på högst 10 mA/W för våglängder som överstiger 760 nm, och har alla följande egenskaper:
a.
Den innehåller en känslighetsbegränsande mekanism som är konstruerad så att den inte kan avlägsnas eller modifieras.
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Den innehåller en aktiv mekanism som gör att kameran inte kan användas när den känslighetsbegränsande mekanismen avlägsnas.
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Den är inte särskilt konstruerad eller modifierad för undervattensbruk.
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Den innehåller inte en display som 'direkt ger en synlig bild' eller en elektronisk bild.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Den saknar möjlighet att ge en synlig bild av det detekterade synfältet.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
"Fokalplansmatrisen" kan användas endast när den är installerad i den kamera som den är avsedd för.
b.
"Fokalplansmatrisen" innehåller en aktiv mekanism som gör att den är permanent oanvändbar när den avlägsnas från den kamera som den är avsedd för.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Bildkameror som innehåller halvledardetektorer som specificeras i avsnitt 6A002.a.1.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
Optisk utrustning och optiska komponenter enligt följande:
Direct write capability;
Optiska speglar (reflektorer) enligt följande:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
För avsnitt 6A004.a gäller att mätningen av gränsen för skador åstadkomna av laser ska göras enligt ISO 21254-1:2011.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
För optiska speglar som är särskilt konstruerade för litografisk utrustning, se avsnitt 3B001.
d.
"Deformerbara speglar" som har en aktiv optisk öppning större än 10 mm och någon av följande egenskaper, och särskilt konstruerade komponenter till dem:
Not used;
Med samtliga följande egenskaper:
e.
En mekanisk resonansfrekvens på 750 Hz eller mer.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Mer än 200 ställdon.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Någon av följande gränser för skador åstadkomna av laser (LIDT):
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Över 1 kW/cm2 med en "CW laser".
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Över 2 J/cm2 vid "laser"-pulser på 20 ns med en repetitionsfrekvens på 20 Hz.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Monolitiska lättviktsspeglar med en genomsnittlig "ekvivalent täthet" på mindre än 30 kg/m2 och en totalvikt över 10 kg.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
6A004.a.2.
f.
Omfattar inte speglar speciellt utformade för att rikta solstrålning i markbaserade solenergiinstallationer.
Lithography equipment as follows:
"Komposit"- eller skumspegelkonstruktioner med en genomsnittlig "ekvivalent täthet" som är mindre än 30 kg/m2, och en totalvikt över 2 kg.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
6A004.a.3.
a.
Omfattar inte speglar speciellt utformade för att rikta solstrålning i markbaserade solenergiinstallationer.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Speglar som är särskilt konstruerade för hållare för strålstyrningsspeglar och som specificeras i avsnitt 6A004.d.2.a med en planhet på λ/10 eller bättre (λ = 633 nm) och som har någon av följande egenskaper:
b.
Diameter eller huvudaxel på minst 100 mm.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Med alla följande egenskaper:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Diameter eller huvudaxel större än 50 mm men mindre än 100 mm.
an exposure light source wavelength in nm
Någon av följande gränser för skador åstadkomna av laser:
K factor
Över 10 kW/cm2 med en "CW laser".
numerical aperture
Över 20 J/cm2 vid "laser"-pulser på 20 ns med en repetitionsfrekvens på 20 Hz.
where the K factor = 0,35
Optiska komponenter tillverkade av zinkselenid (ZnSe) eller zinksulfid (ZnS) med en genomsläpplighet i våglängdsområdet som överstiger 3000 nm men inte 25000 nm och som har någon av följande egenskaper:
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
De överstiger 100 cm3 i volym.
3B001.f.2. includes:
De överstiger 80 mm i diameter eller längd hos huvudaxeln samt har ett djup (en tjocklek) på mer än 20 mm.
Micro contact printing tools
"Rymdkvalificerade" komponenter för optiska system, enligt följande:
Hot embossing tools
Komponenter som lättats till mindre än 20 % av den "ekvivalenta tätheten" jämfört med ett massivt ämne med samma öppning och tjocklek.
Nano-imprint lithography tools
Råsubstrater, bearbetade substrater som har en ytbeläggning (enkel- eller multipelskikt, metalliska eller dielektriska, ledande, halvledande eller isolerande) eller skyddsfilm.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Segment eller system av speglar som konstruerats för att sammansättas till ett system i rymden med en insamlande bländaröppning som är lika med eller större än en enda spegel med 1 meters diameter.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
Komponenter tillverkade av "komposit"-material med en koefficient för linjär termisk expansion som är lika med eller mindre än 5 × 10– 6 i någon koordinatriktning.
a.
Optisk styrutrustning enligt följande:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Utrustning som speciellt konstruerats för att bibehålla ytans form eller orienteringen hos de "rymdkvalificerade" komponenterna som specificeras i avsnitt 6A004.c.1 eller 6A004.c.3.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Utrustning för styrning, följning, stabilisering och resonatorupplinjering enligt följande:
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
Hållare för strålstyrningsspeglar utformade att bära speglar med en diameter eller huvudaxel som är längre än 50 mm och som har alla följande egenskaper, och särskilt konstruerad elektronisk styrutrustning för dessa:
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
En maximal vinkelrörelse på ± 26 mrad eller mer.
a.
En mekanisk resonansfrekvens på 500 Hz eller mer.
A deflected focused electron beam; and
En vinkel"noggrannhet" på 10 μrad (mikroradianer) eller mindre (bättre).
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Utrustning för resonatorupplinjering med en bandbredd som är minst 100 Hz och en "noggrannhet" som är 10 μrad (mikroradianer) eller mindre (bättre).
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Kardansk upphängning med alla följande egenskaper:
g.
En maximal utvridning som överstiger 5°.
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
En bandbredd som är lika med 100 Hz eller mer.
h.
Ett vinkelvisarfel som är högst 200 μrad (mikroradianer).
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Med någon av följande egenskaper:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
En diameter eller huvudaxel som är mer än 0,15 m men inte överstiger 1 m, och vars vinkelacceleration kan överstiga 2 rad (radianer)/s2.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
En diameter eller huvudaxel som överstiger 1 m, och vars vinkelacceleration kan överstiga 0,5 rad (radianer)/s2.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
'Icke-sfäriska optiska element' med alla följande egenskaper:
i.
Den optiska bländarens största dimension överstiger 400 mm.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Ytjämnheten understiger 1 nm (rms) för referenslängder på minst 1 mm.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Koefficienten för den linjära värmeutvidgningens absoluta storhet understiger 3 × 10– 6/K vid 25 °C.
a.
Ett 'icke-sfäriskt optiskt element' är ett element som används i ett optiskt system vars bildyta eller bildytor är avsedda att avvika från formen av en ideal sfär.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Det krävs att tillverkarna ska mäta den ytjämnhet som anges i avsnitt 6A004.e.2 endast om det optiska elementet är konstruerat eller tillverkat för att uppfylla eller överstiga kontrollparametern.
c.
Avsnitt 6A004.e omfattar inte 'icke-sfäriska optiska element' som har någon av följande egenskaper:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Den optiska bländarens största dimension understiger 1 m och kvoten mellan brännvidden och den optiska bländaren är lika med eller större än 4,5:1.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Den optiska bländarens största dimension överstiger 1 m och kvoten mellan brännvidden och den optiska bländaren är lika med eller större än 7:1.
a.
Det är konstruerat som ett optiskt element av Fresnel-, flyeye-, rand-, prisma- eller diffraktionstyp.
Silicon (Si);
Det är tillverkat av borsilikatglas med en koefficient för linjär värmeutvidgning som överstiger 2,5 × 10– 6/K vid 25 °C.
b.
Det är ett röntgenoptiskt element med inre spegelkapacitet (t.ex. speglar av rörtyp).
Germanium (Ge);
'Icke-sfäriska optiska element' som är särskilt konstruerade för litografiutrustning omfattas av avsnitt 3B001.
c.
"Lasrar", andra än de som specificeras i avsnitt 0B001.g.5 eller 0B001.h.6, komponenter och optisk utrustning enligt följande:
Silicon carbide (SiC); or
SE ÄVEN AVSNITT 6A205.
d.
Pulsade "lasrar" inkluderar "lasrar" som arbetar i kontinuerlig mod (CW) med överlagrade pulseffekter.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Excimer-, halvledar-, kolmonoxid(CO)-, koldioxid(CO2)- samt kemiska och 'icke-repetitiva pulsade' neodymglas-"lasrar" specificeras endast i avsnitt 6A005.d.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
'Icke-repetitiva pulsade' avser "lasrar" som producerar antingen en enda utgångspuls eller som har ett tidsintervall mellan pulserna som överstiger en (1) minut.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Avsnitt 6A005 omfattar fiber-"lasrar".
a.
Kontrollstatusen för "lasrar" med frekvensomvandling (dvs. våglängdsändring) genom andra medel än att en "laser" pumpar en annan "laser" bestäms genom tillämpning av parametrarna för både käll "laserns" uteffekt och den frekvensomvandlade optiska uteffekten.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Anmärkning 5:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Avsnitt 6A005 omfattar inte "lasrar" enligt följande:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Rubin med en utenergi som understiger 20 J.
b.
Kväve.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
I avsnitt 6A005 definieras 'stickproppseffektivitet' som kvoten mellan "laser"-utenergin (eller "genomsnittlig uteffekt") och den totala elektriska ineffekt som krävs för att "lasern" ska fungera, inklusive energitillförsel/konditionering och termisk konditionering/värmeväxlare.
d.
Icke-"avstämbara" "CW(continuous wave)-lasrar" som har något av följande:
All resists optimised for surface imaging technologies;
En utgångsvåglängd som understiger 150 nm och en uteffekt som överstiger 1 W.
e.
En utgångsvåglängd på minst 150 nm men som inte överstiger 510 nm och en uteffekt som överstiger 30 W.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Avsnitt 6A005.a.2 omfattar inte argon-"lasrar" som har en uteffekt på högst 50 W.
Organo-inorganic compounds as follows:
En utgångsvåglängd som överstiger 510 nm men inte 540 nm och som har något av följande:
a.
En enkel transversell mod och en uteffekt som överstiger 50 W.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
En multipel transversell mod och en uteffekt som överstiger 150 W.
b.
En utgångsvåglängd som överstiger 540 nm men inte 800 nm och en uteffekt som överstiger 30 W.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
En utgångsvåglängd som överstiger 800 nm men inte 975 nm och som har något av följande: