natgillin/translations-raw huggingface dataset:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
En multipel transversell mod och en uteffekt som överstiger 80 W.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
En utgångsvåglängd som överstiger 975 nm men inte 1150 nm och som har något av följande:
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
En enkel transversell mod och en uteffekt som överstiger 200 W.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
En multipel transversell mod och något av följande:
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
En 'stickproppseffektivitet' som överstiger 18 % och en uteffekt som överstiger 500 W.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
En uteffekt som överstiger 2 kW.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Avsnitt 6A005.a.6.b omfattar inte industriella "lasrar" med multipel transversell mod med en uteffekt som överstiger 2 kW men inte 6 kW och en total massa som överstiger 1200 kg.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Med total massa avses i denna anmärkning alla komponenter som krävs för att "lasern" ska fungera, t.ex. "laser", energitillförsel och värmeväxlare, men inte extern optik för strålkonditionering och/eller tillförsel.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Avsnitt 6A005.a.6.b omfattar inte industriella "lasrar" med multipel transversell mod som har något av följande:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
En uteffekt som överstiger 500 W men inte 1 kW och som har alla följande egenskaper:
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
En strålparameterprodukt (Beam Parameter Product, BPP) som överstiger 0,7 mm · mrad.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
En 'luminans' på högst 1024 W/(mm · mrad)2.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
En uteffekt som överstiger 1 kW men inte 1,6 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 1,25 mm · mrad.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
En uteffekt som överstiger 1,6 kW men inte 2,5 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 1,7 mm · mrad.
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
En uteffekt som överstiger 2,5 kW men inte 3,3 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 2,5 mm · mrad.
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
En uteffekt som överstiger 3,3 kW men inte 4 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 3,5 mm · mrad.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
En uteffekt som överstiger 4 kW men inte 5 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 5 mm · mrad.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
En uteffekt som överstiger 5 kW men inte 6 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 7,2 mm · mrad.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
En uteffekt som överstiger 6 kW men inte 8 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 12 mm · mrad.
a.
En uteffekt som överstiger 8 kW men inte 10 kW och en strålparameterprodukt som överstiger 24 mm · mrad.
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
En utgångsvåglängd som överstiger 1150 nm men inte 1555 nm och som har något av följande:
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
En enkel transversell mod och en uteffekt som överstiger 50 W.
b.
En multipel transversell mod och en uteffekt som överstiger 80 W.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
En utgångsvåglängd som överstiger 1555 nm och en uteffekt som överstiger 1 W.
c.
Icke-"avstämbara" "pulsade lasrar" som har något av följande:
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
En utgångsvåglängd som understiger 150 nm och något av följande:
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
En utenergi som överstiger 50 mJ/puls och en "toppeffekt" som överstiger 1 W.
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 1 W.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
En utgångsvåglängd på minst 150 nm och högst 510 nm och något av följande:
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 30 W.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 30 W.
a.
Avsnitt 6A005.b.2.b omfattar inte argon-"lasrar" som har en "genomsnittlig uteffekt" på högst 50 W.
Vacuum microelectronic devices;
En enkel transversell mod och något av följande:
b.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 50 W.
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 50 W.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 150 W.
c.
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 150 W.
"Superconductive" electronic devices;
En utgångsvåglängd som överstiger 540 nm men inte 800 nm och som har något av följande:
d.
En "pulslängd" som understiger 1 ps och något av följande:
Substrates of films of diamond for electronic components.
En utenergi som överstiger 0 005 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 5 GW.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
En "pulslängd" som är lika med eller över 1 ps och något av följande:
f.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 30 W.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 30 W.
g.
En enkel transversell mod och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 20 W.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
En "pulslängd" som är lika med eller överstiger 1 ps men inte överstiger 1 μs och något av följande:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
En utenergi som överstiger 0,5 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 50 W.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
En enkel transversell mod och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 20 W.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
En multipel transversell mod och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 50 W.
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
En "pulslängd" som överstiger 1 μs och något av följande:
CATEGORY 4 — COMPUTERS
En utenergi som överstiger 2 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 50 W.
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
En enkel transversell mod och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 50 W.
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
En multipel transversell mod och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 80 W.
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
En "pulslängd" som understiger 1 ps och något av följande:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
En utgångs "toppeffekt" som överstiger 2 GW/puls.
SEE ALSO 4A101.
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 30 W.
a.
En utenergi som överstiger 0,002 J/puls.
Specially designed to have any of the following:
En "pulslängd" som är lika med eller överstiger 1 ps och är mindre än 1 ns och något av följande:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
En utgångs "toppeffekt" som överstiger 5 GW/puls.
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
En utenergi som överstiger 0,1 J/puls.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
En "pulslängd" som är lika med eller överstiger 1 ns men inte överstiger 1 μs och något av följande:
a.
En enkel transversell mod och något av följande:
Total Dose
En "toppeffekt" som överstiger 100 MW.
5 × 103 Gy (silicon);
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 20 W som genom konstruktionen är begränsad till en maximal pulsrepetitionsfrekvens på högst 1 kHz.
b.
En 'stickproppseffektivitet' som överstiger 12 % och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 100 W och som kan fungera vid en pulsrepetitionsfrekvens som överstiger 1 kHz.
Dose Rate Upset
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 150 W och som kan fungera vid en pulsrepetitionsfrekvens som överstiger 1 kHz.
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
En utenergi som överstiger 2 J/puls.
c.
En multipel transversell mod och något av följande:
Single Event Upset
En "toppeffekt" som överstiger 400 MW.
1 × 10– 8 Error/bit/day;
En 'stickproppseffektivitet' som överstiger 18 % och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 500 W.
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 2 kW.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
En "toppeffekt" som överstiger 500 kW.
4A003 includes the following:
En 'stickproppseffektivitet' som överstiger 12 % och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 100 W.
'Vector processors';
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 150 W.
Array processors;
En "toppeffekt" som överstiger 1 MW.
Digital signal processors;
En 'stickproppseffektivitet' som överstiger 18 % och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 500 W.
Logic processors;
En "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 2 kW.
Equipment designed for "image enhancement".
En utgångsvåglängd som överstiger 1150 nm men inte 1555 nm, och något av följande:
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
En "pulslängd" som inte överstiger 1 μs och något av följande:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
En multipel transversell mod och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 50 W.
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
En "pulslängd" som överstiger 1 μs och något av följande:
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
En utenergi som överstiger 2 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 50 W.
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
En multipel transversell mod och en "genomsnittlig uteffekt" som överstiger 80 W.
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
En utgångsvåglängd som överstiger 1555 nm och något av följande:
b.
En utenergi som överstiger 100 mJ/puls och en "toppeffekt" som överstiger 1 W.
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 12,5 Weighted TeraFLOPS (WT);
"Avstämbara" "lasrar" som har något av följande:
c.
En utgångsvåglängd som understiger 600 nm och något av följande:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
En utenergi som överstiger 50 mJ/puls och en "toppeffekt" som överstiger 1 W.
4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 1 W.
4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
Avsnitt 6A005.c.1 omfattar inte färgämnes"lasrar" och andra vätske"lasrar" med en multimodal utsignal och en våglängd av minst 150 nm och högst 600 nm och med samtliga följande egenskaper:
For "electronic assemblies", modules or equipment, performing analogue-to-digital conversions, see 3A002.h.
En utenergi som understiger 1,5 J/puls eller en "toppeffekt" som understiger 20 W.
g.
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som understiger 20 W.
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
En utgångsvåglängd på minst 600 nm men högst 1400 nm och något av följande:
4A003.g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
En utenergi som överstiger 1 J/puls och en "toppeffekt" som överstiger 20 W.
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 20 W.
"Systolic array computers";
Andra "lasrar", som inte specificeras i avsnitt 6A005.a, 6A005.b eller 6A005.c, enligt följande:
b.
Halvledar-"lasrar" enligt följande:
"Neural computers";
Avsnitt 6A005.d.1 omfattar halvledar-"lasrar" som har ett utgående optiskt anslutningsdon (t.ex. optisk kopplingsfläta).
c.
Halvledar-"lasrar" som speciellt har konstruerats för annan utrustning klassificeras som denna andra utrustning.
"Optical computers".
Individuella halvledar-"lasrar" med enkel transversell mod som har någon av följande egenskaper:
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
En våglängd på högst 1510 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 1,5 W.
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
En våglängd som överstiger 1510 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 500 mW.
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
Individuella halvledar-"lasrar" med multipel transversell mod som har någon av följande egenskaper:
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
En våglängd som understiger 1400 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 15 W.
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
En våglängd på minst 1400 nm men under 1900 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt på över 2,5 W.
"Software" as follows:
En våglängd på minst 1900 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt på över 1 W.
a.
Individuella 'stavar' av halvledar-"lasrar" med någon av följande egenskaper:
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
En våglängd som understiger 1400 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 100 W.
b.
En våglängd på minst 1400 nm men under 1900 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt på över 25 W.
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
En våglängd på minst 1900 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt på över 10 W.
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 6,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
'Stackade system' (matrisstackar) av halvledar-"lasrar" (tvådimensionella system) med någon av följande egenskaper:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
En våglängd på mindre än 1400 nm och med någon av följande egenskaper:
"Software" specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt under 3 kW och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs-'effekttäthet' som överstiger 500 W/cm2.
a.
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt på minst 3 kW men högst 5 kW och med en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs'effekttäthet' som överstiger 350 W/cm2.
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 5 kW.
b.
Maximal pulsad 'effekttäthet' som överstiger 2500 W/cm2.
"Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
Avsnitt 6A005.d.1.d.1.d omfattar inte epitaxiellt tillverkade monolitiska enheter.
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4E001.b.1.
En rumsligt koherent genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 150 W.
c.
En våglängd på minst 1400 nm men under 1900 nm och med någon av följande egenskaper:
"Technology" for the "development" of "intrusion software".
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt under 250 kW och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs'effekttäthet' som överstiger 150 W/cm2.
TECHNICAL NOTE ON "ADJUSTED PEAK PERFORMANCE" ("APP")
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt på minst 250 W men högst 500 W och med en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs'effekttäthet' som överstiger 50 W/cm2.
"APP" is an adjusted peak rate at which "digital computers" perform 64-bit or larger floating point additions and multiplications.
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 500 W.
"APP" is expressed in Weighted TeraFLOPS (WT), in units of 1012 adjusted floating point operations per second
Maximal pulsad 'effekttäthet' som överstiger 500 W/cm2.
Abbreviations used in this Technical Note
Avsnitt 6A005.d.1.d.2.d omfattar inte epitaxiellt tillverkade monolitiska enheter.
n number of processors in the "digital computer"
En rumsligt koherent genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 15 W.
i processor number (i,…n)
En våglängd större eller lika med 1900 nm med någon av följande egenskaper:
processor cycle time (ti = 1/Fi)
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs'effekttäthet' som överstiger 50 W/cm2.
processor frequency
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt över 10 W.
peak floating point calculating rate
En rumsligt koherent genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 1,5 W.
architecture adjustment factor
Åtminstone en "laser"-'stav' som specificeras i avsnitt 6A005.d.1.c.
Outline of "APP" calculation method
I 6A005.d.1.d avses med 'effekttäthet' den totala "laser"-uteffekten delad med ytan på det 'stackade systemets' emitter.
For each processor i, determine the peak number of 64-bit or larger floating point operations, FPOi, performed per cycle for each processor in the "digital computer".
Andra 'stackade system' (matrisstackar) av halvledar-"lasrar" än de som specificeras i avsnitt 6A005.d.1.d, med alla följande egenskaper:
Note
Särskilt konstruerade eller modifierade för att kombineras med andra 'stackade system', så att de bildar ett större 'stackat system'.
In determining FPO, include only 64-bit or larger floating point additions and/or multiplications.
Integrerade anslutningar, gemensamma för både elektronik och kylning.
All floating point operations must be expressed in operations per processor cycle; operations requiring multiple cycles may be expressed in fractional results per cycle.
'Stackade system' som har bildats genom en kombination av 'stackade system' (matrisstackar) av halvledar-"lasrar" enligt 6A005.d.1.e och inte är avsedda att kombineras eller modifieras ytterligare specificeras i 6A005.d.1.d.
For processors not capable of performing calculations on floating point operands of 64-bit or more, the effective calculating rate R is zero.
'Stackade system' som har bildats genom en kombination av 'stackade system' (matrisstackar) av halvledar-"lasrar" enligt 6A005.d.1.e och är avsedda att kombineras eller modifieras ytterligare specificeras i 6A005.d.1.e.
Calculate the floating point rate R for each processor Ri = FPOi/ti.
Avsnitt 6A005.d.1.e omfattar inte modulära sammansättningar av enstaka 'stavar' avsedda att sättas ihop i genomgående stackade linjära system.