natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
Specificerad för användning i ett brett temperaturområde 223 K (-50 °C) till 373 K (100 °C) eller specificerad som lämplig för rymdanvändning.
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
Avsnitt 3A229.b omfattar drivaggregat till xenonblixtar.
None.
Mikroavfyrningsenheter som har allt av följande:
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
Ingen dimension är större än 35 mm.
a.
Märkspänning på minst 1 kV.
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
Kapacitans på minst 100 nF.
b.
Snabba pulsgeneratorer och 'pulshuvuden' till dessa som har båda följande egenskaper:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
Utgående spänning högre än 6 V vid en resistiv belastning av mindre än 55 ohm.
2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
En 'stigtid för pulsen' som är kortare än 500 ps.
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
I avsnitt 3A230 definieras 'stigtid för pulsen' som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av spänningsamplituden.
2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
'Pulshuvuden' är impulsformande kretsar som är konstruerade för att acceptera ett spänningssteg och omvandla det till olika pulsformer som kan vara av typen rektangulär, triangulär, steg-, impuls-, exponentiell eller monocyklisk.
2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
'Pulshuvudet' kan vara en integrerad del av pulsgeneratorn, vara en plug-in-modul som ansluts till pulsgeneratorn, eller en extern enhet som kopplas till pulsgeneratorn.
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
Neutrongeneratorsystem, även rör, som har följande två egenskaper:
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
Utformade för drift utan yttre vakuumsystem.
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
Använder något av följande:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
Elektrostatisk acceleration för att inducera en kärnreaktion mellan tritium och deuterium, eller
SEE ALSO 9D004.
elektrostatisk acceleration för att inducera en kärnreaktion mellan deuterium och deuterium och som är kapabel till en uteffekt på 3 × 109 neutroner/s eller mer.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
System för flerpunktständning som inte omfattas av avsnitt 1A007 enligt följande:
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
Se avsnitt 1A007.b för sprängkapslar.
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Anordningar som, utlösta av en enda puls, använder en eller flera sprängkapslar i syfte att nästan samtidigt initiera detonation i en sprängämnesyta över en area större än 5000 mm2 med en spridning i tändtid över hela ytan som är mindre än 2,5 μs.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Avsnitt 3A232 omfattar inte enkla detonatorer som endast använder primära explosiver såsom blyazid.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
Masspektrometrar som inte omfattas av avsnitt 0B002.g, som kan mäta joner med en massa av 230 amu (amu = atommassenhet) eller mer och som har en upplösning bättre än 2/230, samt jonkällor till sådana, enligt följande:
Other "technology", as follows:
Masspektrometrar med jonkälla som bygger på termisk jonisation (TIMS).
a.
Masspektrometrar med jonkälla som använder indirekt upphettning (electron bombardment) som har båda följande egenskaper:
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
Ett molekylärt instrålningssystem som injekterar ett kollimerat strålknippe av de molekyler som analyseras till ett område i jonkällan där molekylerna joniseras av en elektronstråle, och
b.
en eller flera 'kylfällor' som kan kylas ned till 193 K (– 80 °C).
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
Används inte.
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
Masspektrometrar utrustade med jonkälla med mikrofluorering konstruerad för att användas med aktinider eller aktinidfluorider.
"Superplastic forming";
I avsnitt 3A233.d.2 avses med 'kylfälla' en anordning som fångar in gasmolekyler genom att kondensera eller frysa dem på kalla ytor.
b.
I avsnitt 3A233.d.2 omfattas inte kryogeniska vakuumpumpar med helium i ett slutet system av begreppet 'kylfälla'.
"Diffusion bonding"; or
Striplines för att skapa banor med låg induktans för detonatorer med följande egenskaper:
c.
Märkspänning större än 2 kV, och
"Direct-acting hydraulic pressing";
induktans mindre än 20 nH.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
Utrustning konstruerad för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar speciellt konstruerade komponenter och tillbehör:
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Utrustning som kan producera ett lager av ett annat material än kisel med en jämnhetsavvikelse mindre än ± 2,5 % över en sträcka av minst 75 mm.
Surface preparation;
Avsnitt 3B001.a.1 omfattar utrustning för atomskiktsepitaxi (ALE).
Strain rate;
Metallorganiska kemiska förångningsreaktorer (MOCVD) konstruerade för att ge epitaxiell tillväxt av halvledarblandningar av material med två eller fler av följande beståndsdelar: aluminium, gallium, indium, arsenik, fosfor, antimon eller kväve.
Temperature;
Utrustning för epitaxiell tillväxt med hjälp av molekylärstrålar och gaskällor.
Pressure;
Utrustning konstruerad för jonimplantation som har något av följande:
b.
Konstruerade och optimerade för att arbeta vid en strålenergi på 20 keV eller mer och en strålström på 10 mA eller mer för väte-, deuterium- eller heliumimplantering.
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
Direkt skrivmöjlighet.
c.
En strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-"substratet".
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
Konstruerad och optimerad för att arbeta vid en strålenergi på 20 keV eller mer och en strålström på 10 mA eller mer för kiselimplantering i ett halvledar-"substrat" upphettat till 600 °C eller mer.
Cycle time;
Används inte.
d.
Automatiskt laddningssystem för flera kammare för tillverkning av halvledare som har allt av följande:
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
Gränssnitt för såväl in- som utgång för wafers till vilket minst två funktionellt olika 'halvledarprocessverktyg' enligt avsnitt 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 eller 3B001.b är avsedda att anslutas, och
c.
vara konstruerade för att bilda ett integrerat system i vakuumomgivning för 'sekventiell bearbetning av wafers i flera steg'.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
Avsnitt 3B001.e omfattar inte automatisk robothantering av wafers särskilt konstruerade för parallell waferbehandling.
d.
I avsnitt 3B001.e avses med 'halvledarbearbetningsverktyg' modulära verktyg som möjliggör fysiska processer för halvledarframställning vilka är funktionellt olika, såsom deponering, implantering eller värmebehandling.
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
I avsnitt 3B001.e avses med 'sekventiell bearbetning av wafers i flera steg' möjligheten att bearbeta varje wafer i olika 'halvledarbearbetningsverktyg', t.ex. genom att överföra varje wafer från ett verktyg till ett annat och vidare till ett tredje via de automatiska centrala klustersystemen för hantering av wafers.
e.
Litografisk utrustning enligt följande:
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet (step and repeat, direkt step on wafer) eller scanner (step and scan) som använder röntgen eller foto-optiska metoder och som har något av följande:
f.
Ljuskällans våglängd är kortare än 193 nm, eller
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
kan producera ett mönster med en 'minsta upplösning för systemdimensionen' (MRF) på 45 nm eller mindre.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Den 'minsta upplösningen för systemdimensionen' (MRF) beräknas med följande formel:
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
ljuskällans våglängd i nm
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
skalfaktorn K
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
numeriska aperturen
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
där K är en skalfaktor = 0,35
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 45 nm eller mindre.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Avsnitt 3B001.f.2 omfattar följande:
Table
Verktyg för mikrokontakttryck.
Deposition techniques
Verktyg för värmeprägling.
Coating Process (1) [3]
Verktyg för nanopräglingslitografi.
Substrate
S-FIL-verktyg (step and flash imprint lithography).
Resultant Coating
Utrustning som är speciellt konstruerad för att tillverka masker och som har allt av följande:
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller "laser"strålar, och
"Superalloys"
En halvvärdesbredd (FWHM) på under 65 nm och bildplacering (image placement) på mindre 17 nm (medelvärde + 3 sigma).
Aluminides for internal passages
Passningsfel (overlay error) på andra lagret på mindre än 23 nm (medelvärde + 3 sigma) på masken.
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
Utrustning som är konstruerad för bearbetning med hjälp av direkta skrivmetoder och som har allt av följande:
Silicides
Den använder avlänkade fokuserade elektronstrålar, och
Carbides
En minsta strålstorlek på högst 15 nm.
Dielectric layers (15)
Misspass på mindre än 27 nm (medelvärde + 3 sigma).
Diamond
Masker eller mastermasker som är konstruerade för tillverkning av integrerade kretsar som specificeras i avsnitt 3A001.
Diamond-like carbon (17)
Flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager som inte specificeras i avsnitt 3B001.g och som har något av följande:
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Tillverkad på mask "skiva" (substrate blank) av glas som angivits ha en dubbelbrytning på mindre än 7 nm/cm, eller
Refractory metals
konstruerad för att användas med litografisk utrustning där ljuskällans våglängd är kortare än 245 nm.
Mixtures thereof (4)
Avsnitt 3B001.h omfattar inte flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager konstruerat för tillverkning av minnen som inte omfattas av avsnitt 3A001.
Aluminides
Schabloner för litografisk prägling som är utformade för integrerade kretsar som omfattas av avsnitt 3A001.
Alloyed aluminides (2)
Provutrustning som är speciellt konstruerad för provning av färdiga halvledarenheter eller halvfabrikat enligt följande, samt tillhörande komponenter och tillbehör:
Boron nitride
Utrustning för provning av transistorers S-parametrar vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Utrustning som kan prova integrerade mikrovågskretsar som specificeras i avsnitt 3A001.b.2.
Tungsten
Hetero-epitaxiella material som består av ett "substrat" med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipelskikt av något av följande:
Molybdenum and Molybdenum alloys
Kisel (Si).
Beryllium and Beryllium alloys
Germanium (Ge).
Sensor window materials (9)
Kiselkarbid (SiC).
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
"III/V-föreningar" av gallium eller indium.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Avsnitt 3C001.d omfattar inte "substrat" som har ett eller fler epitaxiella lager av P-typ av GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, oberoende av elementens sekvens, utom i det fall det epitaxiella lagret av P-typ ligger mellan lager av N-typ.
Alloyed silicides
Resistmaterial enligt följande, och "substrat" belagda med följande resistmaterial:
Modified zirconia (12)
Resistmaterial som är konstruerade för halvledarlitografi enligt följande:
Corrosion resistant steel (7)
Positiva resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 245 nm men lika med eller över 15 nm.
Borides
Resistmaterial som är justerade (optimerade) för användning vid våglängder under 15 nm men över 1 nm.
Beryllium
Alla resistmaterial som är konstruerade för att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre.
Titanium alloys (13)
Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker.
Nitrides
Alla resistmaterial som är utformade eller optimerade för att användas tillsammans med litografisk präglingsutrustning som specificeras i avsnitt 3B001.f.2 och som använder antingen en värmeprocess eller en photo-curable-process.
B.2.
Organiska-oorganiska blandningar enligt följande:
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Metallorganiska blandningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 %.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Organiska blandningar med arsenik, antimon eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 %.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Avsnitt 3C003 omfattar endast blandningar vars metalliska, delvis metalliska eller icke metalliska element är direkt bundna till kolet i den organiska delen av molekylen.
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Hydrider av fosfor, arsenik eller antimon som har en renhet som är bättre än 99,999 %, även utspädd i ädelgaser eller väte.
Diamond-like carbon
Avsnitt 3C004 omfattar inte hydrider som innehåller 20 % molar eller mer av ädelgaser eller väte.
B.4.
"Substrat" av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller halvledar-"substrat", eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C.
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
"Substrat" som specificeras i avsnitt 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.
Polymers (11) and Organic "matrix""composites"
"Programvara" som är speciellt utformad för "utveckling" eller "produktion" av utrustning som specificeras i avsnitt 3A001.b–3A002.h eller 3B.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
"Programvara" som är speciellt utformad för "användning" av utrustning som specificeras i avsnitt 3B001.a–f, 3B002 eller 3A225.
Refractory metals and alloys (8)
'Fysikbaserad' simulerings-"programvara" speciellt konstruerad för "utveckling" av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads(depositions)-processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar-, dielektriska eller halvledarlagren.
Oxides
Med 'fysikbaserad' avses i avsnitt 3D003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
D. Plasma spraying
Bibliotek, konstruktionsanvisningar eller liknande data för konstruktion av halvledarenheter eller integrerade kretsar ska betraktas som "teknik".
Abradable Nickel-Graphite
"Programvara" som är speciellt utformad för "utveckling" av utrustning som specificeras i avsnitt 3A003.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
"Programvara" som är speciellt utformad eller modifierad för "användning" av utrustning som specificeras i avsnitt 3A101.b.
Abradable Al-Si-Polyester
"Programvara" som är särskilt konstruerad för att öka eller frigöra prestandan hos frekvensomvandlare eller generatorer för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225.
Aluminium alloys (6)
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling" eller "produktion" av utrustning eller material som specificeras i avsnitt 3A, 3B eller 3C.
E. Slurry Deposition
Avsnitt 3E001 omfattar inte "teknik" för "produktion" av utrustning eller komponenter som omfattas av avsnitt 3A003.
Fused silicides
Avsnitt 3E001 omfattar inte "teknik" för "utveckling" eller "produktion" av integrerade kretsar som omfattas av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.12 och som har allt av följande:
Fused aluminides except for resistance heating elements
Använder en "teknik" för lägst 0,130 μm.
F. Sputter Deposition
Innehåller strukturer i flera lager med tre eller färre metallager.
Noble metal modified aluminides (3)
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik, som inte specificeras i avsnitt 3E001, för "utveckling" eller "produktion" av "mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar" och mikrokretsar för mikrostyrsystem med en aritmetisk logisk enhet som kan hantera minst 32 bitar och som har någon av följande egenskaper:
Platinum
En 'vektorprocessorenhet' som är utformad för att utföra mer än två beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt.
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
En 'vektorprocessenhet' är ett processorelement med inbyggda instruktioner som utför multipla beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt, och som har minst en aritmetisk logisk vektorenhet och vektorregister på vardera minst 32 element.
Dielectic layers (15)
Utformad för att utföra mer än fyra 64-bitars eller större flyttalsoperationsresultat per cykel.
G. Ion Implantation
Utformad för att utföra mer än åtta 16-bitars ackumulerade fasttalsmultiplikationsresultat per cykel (t.ex. digital manipulering av analog information som tidigare omvandlats till digital form, även känd som digital "signalbehandling").
High temperature bearing steels
Avsnitt 3E002 omfattar inte "teknik" för multimediaanslutningar.
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
Avsnitt 3E002 omfattar inte "teknik" för "utveckling" eller "produktion" av mikroprocessorer som har allt av följande:
Cemented tungsten carbide (16)
Innehåller strukturer i flera lager med högst fem metallager.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
Avsnitt 3E002 omfattar "teknik" för digitala signalprocessorer och digitala grupprocessorer.
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Annan "teknik" för "utveckling" eller "produktion" av följande:
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Vakuumenheter för mikroelektronik.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Elektroniska enheter med halvledare med heteroövergång (hetero-structure) såsom transistorer med hög elektronmobilitet (HEMT), hetero-bipolära transistorer (HBT), quantum well och super lattice element.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Avsnitt 3E003.b omfattar inte "teknik" för transistorer med hög elektronmobilitet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
"Supraledande" elektroniska element.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Filmsubstrat av diamant för elektroniska kretsar.
a.
Substrat av kisel på insulator (SOI) för integrerade kretsar i vilka insulatorn är kiseldioxid.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Substrat av kiselkarbid för elektroniska komponenter.
b.
Elektroniska vakuumrör som arbetar vid frekvenser på 31,8 GHz eller mer.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för "användning" av utrustning eller "programvara" som specificeras i avsnitt 3A001.a.1 eller 2, 3A101, 3A102 eller 3D101.
c.
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling" av "programvara" som specificeras i avsnitt 3D101.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för "användning" av utrustning som specificeras i avsnitten 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201 och 3A225-3A234.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
"Teknik" i form av koder eller nycklar för att öka eller minska prestandan hos frekvensomvandlare eller generatorer för att uppfylla kriterierna enligt avsnitt 3A225.