natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
KATEGORI 4 – DATORER
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Datorer, kringutrustning och "programvara" som utför telekommunikations- eller "lokala nät"-funktioner ska också utvärderas i förhållande till prestandaegenskaper i kategori 5 del 1 (telekommunikation).
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Styrenheter som direkt kopplar samman bussar eller kanaler i datorers centralenheter, styrenheter för "huvudminne" eller skivminne ska inte betraktas som telekommunikationsutrustning enligt kategori 5 del 1 (telekommunikation).
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
När det gäller kontrollstatus för "programvara", särskilt konstruerad för paketväxlar, se avsnitt 5D001.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Elektroniska datorer och därmed sammanhörande utrustning, med någon av följande egenskaper, och "elektroniska sammansättningar", och särskilt konstruerade komponenter till dessa:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
SE ÄVEN AVSNITT 4A101.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Särskilt konstruerade för att vara något av följande:
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Specificerade för att arbeta vid omgivande temperaturer under 228 K (– 45 °C) eller över 358 K (85 °C).
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10– 7 K– 1 or less measured at 293 K (20 °C).
Avsnitt 4A001.a.1 omfattar inte datorer som konstruerats särskilt för att användas i civila bil-, tåg- eller "civila luftfartyg"-tillämpningar.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Strålningståliga så att de överträffar någon av följande specifikationer:
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
a.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Total dos
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
5 × 103 Gy (kisel).
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
b.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Dosratsändring genom störning
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
5 × 106 Gy (kisel)/s.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
c.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Enstaka fel på grund av strålning ej överstigande
a.
1 × 10– 8 fel/bit/dag.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
4A001.a.2. omfattar inte datorer särskilt konstruerade för tillämpningar för "civila luftfartyg".
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Används inte.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
"Digitala datorer", "elektroniska sammansättningar" och därmed sammanhörande utrustning, enligt följande, och specialkonstruerade komponenter därtill.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Avsnitt 4A003 omfattar följande:
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
'Vektorprocessorer'.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Grupp- (array-) processorer.
b.
Digitala signalprocessorer.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Logikprocessorer.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Utrustning konstruerad för "bildbehandling".
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Kontrollstatus för "digitala datorer" och därmed sammanhörande utrustning enligt beskrivningen i avsnitt 4A003 bestäms av kontrollstatus för annan utrustning eller andra system, under förutsättning att
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
de "digitala datorerna" eller den därmed sammanhörande utrustningen är väsentliga för den andra utrustningens eller de andra systemens funktion,
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
När det gäller kontrollstatus för "digitala datorer" eller därmed tillhörande utrustning för telekommunikation, se kategori 5 del 1 (telekommunikation).
Specific TE-PVD processes are as follows:
"teknik" för "digitala datorer" och tillhörande utrustning bestäms av avsnitt 4E.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
"Digitala datorer" som har en "justerad topprestanda" ("APP") som överstiger 12,5 vägda Teraflops (WT).
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
"Elektroniska sammansättningar" som är särskilt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom sammankoppling av processorer så att aggregatets "APP" överskrider den gräns som specificeras i avsnitt 4A003.b.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Avsnitt 4A003.c omfattar endast "elektroniska sammansättningar" och programmerbara anslutningar som inte överskrider den gräns som anges i avsnitt 4A003.b när de levereras som icke inmonterade "elektroniska sammansättningar".
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Avsnitt 4A003.c omfattar inte "elektroniska sammansättningar" som är specialkonstruerade för en produkt eller familj av produkter vars maximala konfiguration inte överskrider den gräns som specificeras i avsnitt 4A003.b.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
För "elektroniska sammansättningar", moduler eller utrustning som kan utföra analog-till-digital-omvandling, se 3A002.h.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Utrustning som är specialkonstruerad för aggregering av "digitala datorers" prestanda genom att möjliggöra externa sammankopplingar som tillåter kommunikation med en enkelriktad datahastighet som överskrider 2,0 Gbyte/s per länk.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Avsnitt 4A003.g omfattar inte intern utrustning för sammankoppling (t.ex. backplan, bussar), passiva kopplingselement, "styrenheter för åtkomst till nätverk" eller "styrenheter för kommunikationskanaler".
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Datorer enligt följande och specialkonstruerad därmed sammanhörande utrustning, "elektroniska sammansättningar" och komponenter till dessa:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
"Datorer för systoliska kedjor".
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
"Neurala datorer".
c.
"Optiska datorer".
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
System, utrustning och komponenter till dessa som är särskilt konstruerade eller modifierade för att generera, styra eller leverera, eller kommunicera med "intrångsprogram".
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Analoga datorer, "digitala datorer" eller digitala differentialanalysatorer andra än dem som beskrivs i avsnitt 4A001.a.1, och som är motståndskraftiga och utformade eller modifierade för användning i rymduppskjutningsfarkoster som specificeras i avsnitt 9A004 eller sondraketer som specificeras i avsnitt 9A104.
An activator (normally a halide salt); and
"Hybriddatorer" som är särskilt konstruerade för modellering, simulering eller konstruktionsintegrering av rymduppskjutningsfarkoster som specificeras i avsnitt 9A004 eller sondraketer som specificeras i avsnitt 9A104.
An inert powder, most frequently alumina.
Denna kontroll ska endast tillämpas om utrustningen levereras med "programvara" som specificeras i avsnitt 7D103 eller 9D103.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Exportkontrollstatus för "programvara" utrustning som beskrivs i andra kategorier ska behandlas enligt tillhörande kategori.
d.
"Programvara" enligt följande:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
"Programvara" som är särskilt konstruerad eller modifierad för "utveckling", "produktion" av utrustning eller "programvara" som specificeras i avsnitt 4A001–4A004 eller 4D.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
"Programvara", annan än sådan som specificeras i avsnitt 4D001.a, speciellt konstruerad eller modifierad för "utveckling" eller "produktion" av utrustning enligt följande:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
"Digitala datorer" som har en "justerad topprestanda" ("APP") som överstiger 6,0 vägda Teraflops (WT).
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
"Elektroniska enheter", speciellt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom aggregering av processorer så att aggregatets "APP" överstiger gränsen i avsnitt 4D001.b.1.
e.
"Programvara" som är särskilt konstruerad eller modifierade för att generera, styra eller leverera, eller kommunicera med "intrångsprogram".
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling", "produktion" eller "användning" av utrustning eller "programvara" som specificeras i avsnitt 4A eller 4D.
f.
"Teknik", annan än sådan som specificeras i avsnitt 4E001.a, speciellt konstruerad eller modifierad för "utveckling" eller "produktion" av utrustning enligt följande:
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
"Elektroniska enheter", speciellt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom aggregering av processorer så att aggregatets "APP" överstiger gränsen i avsnitt 4E001.b.1.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
"Teknik" för "utveckling" av "intrångsprogram".
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
TEKNISK ANMÄRKNING OM "JUSTERAD TOPPRESTANDA" ("Adjusted Peak Performance", "APP")
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
"APP" är en justerad topphastighet vid vilken "digitala datorer" utför 64 bitars eller större flyttalsadditioner och flyttalsmultiplikationer.
g.
"APP" uttrycks i vägda Teraflops (WT), i enheter om 1012 justerade flyttalsoperationer per sekund.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Förkortningar som används i denna tekniska anmärkning
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
n Antalet processorer i den "digitala datorn"
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
Fi processorfrekvens
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Sammanfattning av beräkningsmetoden för "APP"
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
För varje processor i, bestäm det högsta antalet 64 bitars eller större flyttalsoperationer, FPOi, som utförs per cykel för varje processor i den "digitala datorn".
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
Anmärkning
Electronic items as follows:
För bestämningen av FPO ska endast inkluderas 64 bitars eller större flyttalsadditioner och/eller flyttalsmultiplikationer.
a.
Alla flyttalsoperationer ska uttryckas i operationer per processorcykel.
General purpose integrated circuits, as follows:
Operationer som kräver flera cykler kan uttryckas i delresultat per cykel.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
För processorer som inte kan utföra beräkningar på 64 bitars eller större flyttalsoperander, är den effektiva beräkningshastigheten lika med noll.
Integrated circuits include the following types:
Beräkna flyttalshastigheten R för varje processor Ri = FPOi/ti.
"Monolithic integrated circuits";
Beräkna "APP" som "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
"Hybrid integrated circuits";
För 'vektorprocessorer', Wi = 0,9.
"Multichip integrated circuits";
För övriga processorer, Wi = 0,3.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Anm.
"Optical integrated circuits";
1
"Three dimensional integrated circuits".
För processorer som utför sammansatta operationer i en cykel, exempelvis addition och multiplikation, räknas varje operation.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Anm.
a.
2
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
För en kanalprocessor (pipelined processor) är den effektiva beräkningshastigheten R kanalens hastighet efter det att kanalen är full, eller hastigheten utan denna kanal om denna är högre.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
3
c.
Beräkningshastigheten R för varje bidragande processor ska beräknas vid dess högsta teoretiskt möjliga värde innan kombinationens "APP" beräknas.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Samtidiga operationer antas förekomma när datortillverkaren i en manual eller broschyr för datorn hävdar förekomsten av samverkande, parallella eller samtidiga operationer eller verkställighet.
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Anm.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
4
a.
Processorer som är begränsade till in- eller utgångar och perifera funktioner (t.ex. diskettenhet, gränssnitt för kommunikation eller video) ska inte tas med vid beräkningen av "APP".
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
"APP"-värden ska inte beräknas för processorer som är sammankopplade genom "lokala nätverk", stora nätverk, anslutningar/enheter med delade in- och utgångar, in- och utgångsgränssnitt samt alla kommunikationsanslutningar som införts genom "programvara".
c.
Anm.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
6
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
"APP"-värden ska beräknas för processorkombinationer som innehåller processorer som är särskilt konstruerade för att förbättra prestandan genom aggregering, samtidiga operationer och delat minne.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Lägg samman alla processorer och acceleratorer som arbetar samtidigt och ligger på samma chip.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Detta kan uppnås med hjälp av de "elektroniska sammansättningar" som specificeras i 4A003.c.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Anm.
a.
7
ADCs having any of the following:
En 'vektorprocessor' definieras som en processor med inbyggda instruktioner som utför multipla beräkningar på flyttalsvektorer (64 bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt, och som har minst två vektorfunktionsenheter och minst åtta vektorregister på vardera minst 64 element.
SEE ALSO 3A101
KATEGORI 5 – TELEKOMMUNIKATION OCH "INFORMATIONSSÄKERHET"
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1000 million words per second;
Del 1 – TELEKOMMUNIKATION
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
Kontrollen av komponenter, test- och "produktions"-utrustning och "programvara" för dessa, som är särskilt konstruerade för telekommunikationsutrustningar eller -system, regleras i kategori 5 del 1.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
För "lasrar" särskilt konstruerade för telekommunikationsutrustning eller -system, se 6A005.
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 million words per second; or
"Digitala datorer", tillhörande utrustning eller "programvara" som är väsentlig för drift och stöd för telekommunikationsutrustningar som omfattas av denna kategori, betraktas som särskilt konstruerade komponenter, förutsatt att de är standardmodeller som vanligtvis tillhandahålls av tillverkaren.
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 million words per second;
Detta innefattar datorsystem för drift, administration, underhåll, felsökning eller debitering.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
System, utrustning, komponenter och tillbehör för telekommunikation enligt följande:
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Alla typer av telekommunikationsutrustning som har någon av följande egenskaper eller funktioner eller något av följande kännetecken:
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Särskilt konstruerade för att motstå de övergående elektroniska effekterna eller elektromagnetiska pulserna från en nukleär explosion.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Särskilt förstärkta för att kunna motstå gamma–, neutron– eller joniserad strålning.
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Särskilt konstruerade för drift utanför temperaturintervallet 218 K (– 55 °C) till 397 K (124 °C).
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Avsnitt 5A001.a.3 omfattar endast elektronisk utrustning.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Avsnitten 5A001.a.2 och 5A001.a.3 omfattar inte utrustning som konstruerats eller modifierats för användning ombord på satelliter.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Telekommunikationssystem och telekommunikationsutrustning, och särskilt konstruerade komponenter och tillbehör för dessa, som har någon av följande egenskaper eller funktioner eller något av följande kännetecken:
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Icke trådstyrda (frisimmande) kommunikationssystem för undervattensbruk som har något av följande: