natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
En våglängd på minst 1400 nm men under 1900 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt på över 25 W.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
En våglängd på minst 1900 nm och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt på över 10 W.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
’Stackade system’ (matrisstackar) av halvledar-”lasrar” (tvådimensionella system) med någon av följande egenskaper:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
En våglängd på mindre än 1400 nm och med någon av följande egenskaper:
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt under 3 kW och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs-’effekttäthet’ som överstiger 500 W/cm2.
f.
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt på minst 3 kW men högst 5 kW och med en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs’effekttäthet’ som överstiger 350 W/cm2.
Lithography equipment as follows:
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 5 kW.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Maximal pulsad ’effekttäthet’ som överstiger 2500 W/cm2.
a.
En rumsligt koherent genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 150 W.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
En våglängd på minst 1400 nm men under 1900 nm och med någon av följande egenskaper:
b.
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt under 250 kW och en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs’effekttäthet’ som överstiger 150 W/cm2.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt på minst 250 W men högst 500 W och med en genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs’effekttäthet’ som överstiger 50 W/cm2.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 500 W.
an exposure light source wavelength in nm
Maximal pulsad ’effekttäthet’ som överstiger 500 W/cm2.
× K factor
En rumsligt koherent genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 15 W.
numerical aperture
En våglängd större eller lika med 1900 nm med någon av följande egenskaper:
where the K factor = 0,35
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) utgångs’effekttäthet’ som överstiger 50 W/cm2.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt över 10 W.
f.2. includes:
En rumsligt koherent genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) total uteffekt som överstiger 1,5 W.
Micro contact printing tools
Åtminstone en ”laser”-’stav’ som specificeras i avsnitt 6A005.d.1.c.
Hot embossing tools
I 6A005.d.1.d avses med ’effekttäthet’ den totala ”laser”-uteffekten delad med ytan på det ’stackade systemets’ emitter.
Nano-imprint lithography tools
Andra ’stackade system’ (matrisstackar) av halvledar-”lasrar” än de som specificeras i avsnitt 6A005.d.1.d, med alla följande egenskaper:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Särskilt konstruerade eller modifierade för att kombineras med andra ’stackade system’, så att de bildar ett större ’stackat system’.
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Integrerade anslutningar, gemensamma för både elektronik och kylning.
a.
’Stackade system’ som har bildats genom en kombination av ’stackade system’ (matrisstackar) av halvledar-”lasrar” enligt 6A005.d.1.e och inte är avsedda att kombineras eller modifieras ytterligare specificeras i 6A005.d.1.d.
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
’Stackade system’ som har bildats genom en kombination av ’stackade system’ (matrisstackar) av halvledar-”lasrar” enligt 6A005.d.1.e och är avsedda att kombineras eller modifieras ytterligare specificeras i 6A005.d.1.e.
A spot size smaller than 0,2 μm;
Avsnitt 6A005.d.1.e omfattar inte modulära sammansättningar av enstaka ’stavar’ avsedda att sättas ihop i genomgående stackade linjära system.
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Halvledar-”lasrar” kallas ofta ”laser”-dioder.
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
En ’stav’ (också kallad halvledar-”laser”-’stav’, ”laser”-diod-’stav’ eller diod-’stav’) består av flera halvledar-”lasrar” i ett endimensionellt system.
g.
Ett ’stackat system’ består av flera ’stavar’, som bildar ett tvådimensionellt system av halvledar-”lasrar”.
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Kolmonoxid(CO)-”lasrar” som har något av följande:
h.
En utenergi som överstiger 2 J/puls och en ”toppeffekt” som överstiger 5 kW.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
En genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 5 kW.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Koldioxid(CO2)-”lasrar” som har något av följande:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
En kontinuerlig (CW) uteffekt som överstiger 15 kW.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
En pulsad uteffekt med en ”pulslängd” som överstiger 10 μs, och något av följande:
i.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 10 kW.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
En ”toppeffekt” som överstiger 100 kW.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
En pulsad uteffekt med en ”pulslängd” som är högst 10 μs och något av följande:
a.
En pulsenergi som överstiger 5 J/puls.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 2,5 kW.
c.
Excimer-”lasrar” som har något av följande:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
En utgångsvåglängd som inte överstiger 150 nm och något av följande:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
En utenergi som överstiger 50 mJ/puls.
a.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 1 W.
Silicon (Si);
En utgångsvåglängd som överstiger 150 nm men inte 190 nm och som har något av följande:
b.
En utenergi som överstiger 1,5 J/puls.
Germanium (Ge);
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 120 W.
c.
En utgångsvåglängd som överstiger 190 nm men inte 360 nm och något av följande:
Silicon carbide (SiC); or
En utenergi som överstiger 10 J/puls.
d.
En ”genomsnittlig uteffekt” som överstiger 500 W.
"III/V compounds" of gallium or indium.
En utgångsvåglängd som överstiger 360 nm och något av följande:
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Se avsnitt 3B001 för excimer-”lasrar” som speciellt konstruerats för litografisk utrustning.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
”Transferlasrar” enligt följande:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Syre-jod(O2-I)-”lasrar”.
b.
Deuteriumfluorid-koldioxid(DF-CO2)-”lasrar”.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
’Icke-repetitiva pulsade’ neodymglas-”lasrar” som har något av följande:
d.
En ”pulslängd” som inte överstiger 1 μs och en utenergi som överstiger 50 J/puls.
All resists optimised for surface imaging technologies;
’Icke-repetitiva pulsade’ avser ”lasrar” som producerar antingen en enda utgångspuls eller som har ett tidsintervall mellan pulserna som överstiger en (1) minut. e) Komponenter enligt följande: 1.
e.
Speglar som kyls antingen med ’aktiv kylning’ eller genom s.k. heat pipes.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Teknisk anmärkning: Med ’aktiv kylning’ avses en kylningsteknik för optiska komponenter där man använder en vätska under den optiska ytan (nominellt mindre än 1 mm under den optiska ytan) för att transportera bort värme.
Organo-inorganic compounds as follows:
Optiska speglar eller genomskinliga eller delvis genomskinliga optiska eller elektrooptiska komponenter, andra än fiberoptiska kopplare och multilager dielektriska gitter, som är särskilt konstruerade för att användas tillsammans med specificerade ”lasrar”; Anmärkning:
a.
Fiberkopplare och multilager dielektriska gitter specificeras i avsnitt 6A005.e.3.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Fiberlaserkomponenter enligt följande:
b.
Multimod till multimod fiberoptiska kopplare med alla följande egenskaper:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
En inkopplingsförlust som är bättre (mindre) än eller lika med 0,3 dB bibehållen vid en specificerad total genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt (utom uteffekten från en eventuell singelmodskärna) på över 1000 W.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Antal ingångsfibrer är minst 3.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Singelmod till multimod fiberoptiska kopplare med alla följande egenskaper:
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
En inkopplingsförlust som är bättre (mindre) än 0,5 dB bibehållen vid en specificerad total genomsnittlig eller kontinuerlig (CW) uteffekt på över 4600 W.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Antal ingångsfibrer är minst 3.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Optisk utrustning enligt följande:
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
För optiska element med delad öppning, som kan arbeta i ”Super-High Power Laser” (”SHPL”)-tillämpningar, se kontrollbestämmelserna för varor med militär användning.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Dynamiska mätinstrument avsedda att mäta vågfronter och som kan känna av åtminstone 50 positioner hos en stråles vågfront och något av följande:
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Bildhastigheter lika med eller högre än 100 Hz och fasupplösning som är minst 5 % av strålens våglängd.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Bildhastigheter lika med eller högre än 1000 Hz och fasupplösning som är minst 20 % av strålens våglängd.
001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
”Laser” analysutrustning som kan mäta vinkelfel vid strålstyrning i ”Super-High Power Laser” (”SHPL”)-system som är lika med eller mindre än 10 μrad.
001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Optisk utrustning och komponenter, speciellt konstruerade för faskopplade ”SHPL”-system för koherent strålkombination, med en noggrannhet på λ/10 vid beräknad våglängd, dock högst 0,1 μm.
Using "technology" at or above 0.130 μm; and
Projektionsteleskop speciellt konstruerade för att arbeta i ”SHPL”-system.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
’Laserutrustning för akustisk detektion’ med samtliga följande egenskaper:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
En kontinuerlig (CW) uteffekt av minst 20 mW.
a.
En laserfrekvensstabilititet som är lika med eller bättre (mindre) än 10 MHz.
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
Laservåglängder som är minst 1000 nm och högst 2000 nm.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
Optisk systemupplösning bättre (mindre) än 1 nm.
b.
Optiskt signal-brus-förhållande större än eller lika med 103.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
’Laserutrustning för akustisk detektion’ betecknas ibland som en lasermikrofon eller mikrofon för detektion av partikelflöde.
c.
”Magnetometrar”, ”magnetiska gradiometrar”, ”induktionsmagnetometrar”, sensorer för elektriska undervattensfält och ”kompensationssystem”, samt speciellt konstruerade komponenter till dessa, enligt följande:
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
SE ÄVEN AVSNITT 7A103.d.
c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Avsnitt 6A006 omfattar inte kontrollinstrument som är speciellt konstruerade för fiskeritillämpningar eller biomagnetiska mätningar för medicinsk diagnostik.
002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
”Magnetometrar” och delsystem enligt följande:
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
”Magnetometrar” som använder ”supraledande” (SQUID) ”teknik” och har någon av följande egenskaper:
002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
SQUID-system som är konstruerade för stationärt arbete, utan speciellt konstruerade delsystem för att minska bruset vid rörelse och som har en ’känslighet’ lika med eller lägre (bättre) än 50 fT rms/√Hz vid frekvenser lika med 1 Hz.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
SQUID-system som har en magnetometer för rörligt arbete med en ’känslighet’ som är lägre (bättre) än 20 pT rms/√Hz vid en frekvens av 1 Hz och som är speciellt konstruerade för att minska bruset vid arbete i rörelse.
a.
”Magnetometrar” som använder optiskt pumpad ”teknik” eller kärnrotationsteknik (proton/Overhauser) som har en ’känslighet’ som är lägre (bättre) än 20 pT rms/√Hz vid en frekvens av 1 Hz.
Vacuum microelectronic devices;
”Magnetometrar” som använder fluxgate-”teknik” och som har en ’känslighet’ som är lika med eller lägre (bättre) än 10 pT rms /√Hz vid en frekvens av 1 Hz.
b.
Induktionsspole-”magnetometrar” som har en ’känslighet’ som är lägre (bättre) än något av följande:
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Fiberoptiska ”induktionsmagnetometrar” som har en ’känslighet’ av det magnetiska gradientfältet som är lägre (bättre) än 0,3 nT/m rms/√Hz.
b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
”Induktionsmagnetometrar” som använder annan ”teknik” än fiberoptisk ”teknik” och som har en ’känslighet’ av det magnetiska gradientfältet som är lägre (bättre) än 0,015 nT/m rms /√Hz.
c.
”Kompensationssystem” för magnetiska sensorer eller sensorer för elektriska undervattensfält som leder till en prestanda som är minst lika bra som de kontrollparametrar som anges i avsnitt 6A006.a, 6A006.b eller 6A006.c.
"Superconductive" electronic devices;
Elektromagnetiska mottagare för undervattensbruk som innehåller magnetfältssensorer som specificeras i 6A006.a eller sensorer för elektriska undervattensfält som specificeras i 6A006.b.
Substrates of films of diamond for electronic components.
Gravitationsmetrar (gravimetrar) och gravitationsgradiometrar enligt följande:
e.
SE ÄVEN AVSNITT 6A107.
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Gravitationsmetrar som är konstruerade eller modifierade för markbruk och har en statisk noggrannhet som är mindre (bättre) än 10 μGal.
f.
Avsnitt 6A007.a omfattar inte markbundna gravitationsmetrar som är gjorda av kvartselement (Worden-typ).
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Gravitationsmetrar som är konstruerade för mobila plattformar, och som har alla följande egenskaper:
g.
En statisk noggrannhet som är mindre (bättre) än 0,7 mGal.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
En driftsnoggrannhet som är mindre (bättre) än 0,7 mGal och som har en ’inställningstid till dess den visar stadigvarande värde’ på mindre än 2 minuter under vilken som helst kombination av medföljande korrektionskompensationer och rörelsepåverkan.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
I avsnitt 6A007.b, avses med ’inställningstid till dess den visar stadigvarande värde’ (även kallat gravimeterns svarstid) den tid under vilken de störande effekterna av plattformsinducerad acceleration (högfrekvent brus) minskar.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
Gravitationsgradiometrar.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
Radarsystem, utrustning och enheter med en eller flera av följande egenskaper, samt speciellt konstruerade tillhörande komponenter:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
SE ÄVEN AVSNITT 6A108.
CATEGORY 4 —
Avsnitt 6A008 omfattar inte följande:
COMPUTERS
Sekundär övervakningsradar (SSR).
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Civil fordonsradar.
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Bildskärmar eller monitorer som används för flygkontrolltjänst (ATC).
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Meteorologisk (väder-)radar.
SEE ALSO 4A101.
En genomsnittlig uteffekt som överstiger 100 mW.
a.
En lokaliseringsnoggrannhet på 1 m eller mindre (bättre) i räckvidd och 0,2 grader eller mindre (bättre) i azimut.
Specially designed to have any of the following:
Har en avstämbar bandbredd som överstiger ± 6,25 % av ’mittarbetsfrekvensen’.
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
’Mittarbetsfrekvensen’ definieras som hälften av summan av den högsta och den lägsta angivna arbetsfrekvensen.
a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
Samtidigt kan arbeta på mer än två bärfrekvenser.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
Kan arbeta i synthetic aperture (SAR), radarmod med inverterad synthetic aperture (ISAR), eller sidospanande flygburen (SLAR) radarmod.
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
Innehåller antennsystem med elektronisk styrning.
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
Kan bestämma höjden hos ett icke samarbetande mål.
Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day;
Är speciellt konstruerad utrustning för luftburen (monterad på ballong eller flygplanskropp) funktion och har doppler ”signalbehandling” för att upptäcka ett måls rörelse.
a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
Använder radarsignalbehandling och något av följande:
b.
”Radarbandspridnings”-teknik.
Not used.
”Radarhoppfrekvens”-teknik.
'Vector processors';
Radarutrustning för övervakning av fiskevatten.
Array processors;
Markradarutrustning speciellt konstruerad för långdistansflygsäkerhetskontroll (”enroute air traffic control”) och med samtliga följande egenskaper:
Digital signal processors;
En maximal ”instrumenterad räckvidd” om 500 km eller mindre.
Logic processors;
Konfigurerad så att radarns måldata endast kan sändas en väg från radarns uppställningsplats till en eller flera civila luftkontrollcentraler.
Equipment designed for "image enhancement";
Innehåller inga utrustningar för fjärrkontroll av radarns avsökningshastighet från luftkontrollcentralen på rutten.
Equipment designed for "signal processing".
Permanent installerad.
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Radar för att spåra väderballonger.
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
Är ”laser”-radar eller utrustning för att söka och upptäcka ljus (LIDAR = ”Light Detection and Ranging”) och har någon av följande egenskaper:
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
Använder koherent heterodyn eller homodyn detekteringsteknik och har en vinkelupplösning som är mindre (bättre) än 20 μrad (mikroradianer).
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
Är konstruerad för att utföra batymetriska kustkartläggningar från luften enligt Internationella hydrografiska organisationens (IHO) Order 1a Standard (5:e upplagan, februari 2008) för hydrografiska kartläggningar, eller bättre, med användning av en eller flera lasrar med en våglängd som överstiger 400 nm men inte 600 nm.