natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Övervakningsutrustning för radiofrekvens (RF) som är konstruerad eller modifierad för att kunna identifiera drift av de enheter som specificeras i avsnitt 5A001.f.1, 5A001.f.2 eller 5A001.f.3.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Avsnitten 5A001.f.1 och 5A001.f.2 omfattar inte något av följande:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Utrustning som är särskilt konstruerad för inhämtning av analog privatmobilradio (PMR), IEEE 802.11 WLAN.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Utrustning som är konstruerad för mobiloperatörer.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Utrustning som är konstruerad för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning eller system för mobil telekommunikation.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Se även KONTROLLBESTÄMMELSERNA FÖR VAROR MED MILITÄR ANVÄNDNING.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
ANM.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
2:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
För radiomottagare se avsnitt 5A001.b.5.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
PCL-system (Passive Coherent Location) eller utrustning som är särskilt konstruerad för att upptäcka och spåra rörliga föremål genom mätning av reflexioner av omgivande radiofrekvensemissioner, som tillhandahålls av icke-radarsändare.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
Icke-radarsändare kan omfatta kommersiella radio- eller tv-stationer eller basstationer för mobiltelefoni.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Avsnitt 5A001.g omfattar inte något av följande:
a.
Radioastronomisk utrustning.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
System eller utrustning som kräver radiosändning från målet.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Utrustning för motverkan av improviserade sprängladdningar (IED) och därtill hörande utrustning enligt följande:
b.
Indexering av extraherad data.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Speciellt konstruerade för att utföra allt av följande:
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Exekvering av sökningar på grundval av ’hårda selektorer’.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Kartläggning av en individs eller en grupps kontaktnät.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Avsnitt 5A001.j omfattar inte kontrollsystem eller utrustning som är särskilt konstruerad för något av följande:
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Marknadsföring.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Nätverkets servicekvalitet (QoS).
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Upplevelsekvalitet (QoE).
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Med ’hårda selektorer’ avses uppgifter eller datauppsättningar som hör samman med en individ (t.ex. efternamn, förnamn, e-postadress, gatuadress, telefonnummer eller grupptillhörigheter).
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Telemetri- och fjärrmanövreringsutrustning, däribland markutrustning, som är konstruerad eller modifierad för ’missiler’.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Med ’missil’ avses i avsnitt 5A101 kompletta raketsystem och system för obemannade luftfartyg med en räckvidd som överstiger 300 km.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Avsnitt 5A101 omfattar inte följande:
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Utrustning som är konstruerad eller modifierad för bemannade luftfartyg eller satelliter.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Markbaserad utrustning som är konstruerad eller modifierad för tillämpningar på land eller till sjöss.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Utrustning som är konstruerad för kommersiella eller civila GNSS-tjänster, eller GNSS-tjänster avseende ”Safety of Life” (t.ex. dataintegritet, flygsäkerhet).
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Utrustning och därtill hörande särskilt konstruerade komponenter eller tillbehör, som är särskilt konstruerade för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning, funktioner eller egenskaper som specificeras i avsnitt 5A001.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Anmärkning:
c.
Avsnitt 5B001.a omfattar inte utrustning för att fastställa egenskaperna hos optiska fibrer. b) Utrustning och därtill hörande särskilt konstruerade komponenter eller tillbehör, som är särskilt konstruerade för ”utveckling” av någon av följande utrustningar för telekommunikationsöverföring eller koppling:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Utrustning som använder ”laser” och som har något av följande:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
En överföringsvåglängd som överstiger 1750 nm.
An activator (normally a halide salt); and
”Optisk förstärkning” med användning av praseodymbehandlade fluoridfiberförstärkare (PDFFA).
An inert powder, most frequently alumina.
Koherent optisk överföringsteknik eller koherent optisk detekteringsteknik.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
b.2.c. omfattar utrustning som är särskilt konstruerad för ”utveckling” av system som använder en optisk lokal oscillator på mottagarsidan för att synkronisera med en bärande ”laser”.
d.
I samband med avsnitt 5B001.b.2.c omfattar dessa tekniker optisk heterodyn, homodyn eller intradyn teknik.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Analog teknik och en bandbredd som överstiger 2,5 GHz.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
b.2.d omfattar inte utrustning som är särskilt konstruerad för ”utveckling” av kommersiella tv-system.
N.B. 1
Radioutrustning som använder kvadratur-amplitud-modulationsteknik (QAM) över nivå 256.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Inga.
N.B.
”Programvara” som är särskilt konstruerad eller modifierad för ”utveckling”, ”produktion” eller ”användning” av utrustning, funktioner eller egenskaper som specificeras i avsnitt 5A001.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Specifik ”programvara” som är särskilt konstruerad eller modifierad för att tillhandahålla egenskaper, funktioner eller kännetecken i utrustningar som specificeras i avsnitt 5A001 eller 5B001.
e.
”Programvara” som är särskilt konstruerad eller modifierad för ”utveckling” av någon av följande utrustningar för telekommunikationsöverföring eller telekommunikationskoppling:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
En överföringsvåglängd som överstiger 1750 nm.
f.
Analog teknik och en bandbredd som överstiger 2,5 GHz.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
d.2.b omfattar inte ”programvara” som är särskilt konstruerad eller modifierad för ”utveckling” av kommersiella tv-system.
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Radioutrustning som använder kvadratur-amplitud-modulationsteknik (QAM) över nivå 256.
N.B.
”Programvara” som är särskilt konstruerad eller modifierad för ”användning” av den utrustning som specificeras i avsnitt 5A10l.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
”Teknik” enligt följande:
N.B.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling”, ”produktion” eller ”användning” (drift undantaget) av utrustning, funktioner eller egenskaper som specificeras i avsnitt 5A001 eller ”programvara” som specificeras i avsnitt 5D001.a.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Specifik ”teknik” enligt följande:
g.
”Teknik” som ”erfordras” för ”utveckling” eller ”produktion” av telekommunikationsutrustning särskilt konstruerad för användning ombord på satelliter.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
”Teknik” för ”utveckling” eller ”användning” av ”laser”-kommunikationsteknik med möjlighet att automatiskt uppfånga och följa signalerna och att vidmakthålla kommunikationen genom exosfären eller undervattensmedia.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
”Teknik” för ”utveckling” av mottagningsutrustning vid digitala, cellulära radiobasstationer vars mottagningskapacitet, som medger flerbands-, flerkanal-, multimod-, multikodningsalgoritm- eller flerprotokollfunktion, kan modifieras genom ändringar i ”programvaran”.
CATEGORY 3 —
”Teknik” för ”utveckling” av ”bandspridningsteknik”, bland annat ”hoppfrekvensteknik”.
ELECTRONICS
b.4 omfattar inte ”teknik” för ”utveckling” av något av följande:
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling” eller ”produktion” av något av följande:
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Utrustning i vilken digital teknik används som konstruerats för drift vid en ”total digital överföringshastighet” som överstiger 560 Gbit/s.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
För telekommunikationskopplingsutrustning ska ”total digital överföringshastighet” vara den enkelriktade hastigheten hos ett enda gränssnitt, mätt vid den port eller ledning som har högst hastighet.
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
”Optisk förstärkning” med användning av praseodymbehandlade fluoridfiberförstärkare (PDFFA).
a.
Koherent optisk överföringsteknik eller koherent optisk detekteringsteknik.
General purpose integrated circuits, as follows:
c.2.c omfattar ”teknik” för ”utveckling” eller ”produktion” av system som använder en optisk lokal oscillator på mottagarsidan för att synkronisera med en bärande ”laser”.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
I samband med avsnitt 5e001.b.2.c omfattar dessa tekniker optisk heterodyn, homodyn eller intradyn teknik.
Integrated circuits include the following types:
Multiplex våglängdsdelningsteknik med optiska bärare på ett avstånd av mindre än 100 GHz.
"Multichip integrated circuits";
För ”teknik” för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning som använder laser och som inte är avsedd för telekommunikation, se avsnitt 6E.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Utrustning med ”optisk koppling” och med en kopplingstid på mindre än 1 ms.
"Optical integrated circuits";
Radioutrustning med något av följande:
"Three dimensional integrated circuits".
Kvadratur-amplitud-modulationsteknik (QAM) över nivå 256.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Arbetar i frekvensbandet 1,5–87,5 MHz och har adaptiv teknik som dämpar en interfererande signal med mer än 15 dB.
b.
Mobil utrustning med båda följande egenskaper:
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Arbetar på en optisk våglängd som är minst 200 nm och högst 400 nm. b) Arbetar som ett ”lokalt nät”.
c.
I samband med avsnitt 5E001.d kan parametern maximal toppeffekt (peak saturated power output) på ett produktdatablad också anges som uteffekt, mättad topputeffekt, maximal uteffekt, utgångstoppeffekt, eller maximal topputeffekt (PEP).
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 2,7 GHz men inte 6,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 15 % och som har något av följande:
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
En maximal toppeffekt på mer än 75 W (48,75 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 2,7 GHz men inte 2,9 GHz.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
En maximal toppeffekt på mer än 55 W (47,4 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 2,9 GHz men inte 3,2 GHz.
a.
En maximal toppeffekt på mer än 40 W (46 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 3,2 GHz men inte 3,7 GHz.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
En maximal toppeffekt på mer än 20 W (43 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 3,7 GHz men inte 6,8 GHz.
b.
De är specificerade för frekvenser som överstiger 6,8 GHz men inte 16 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 10 % och som har något av följande:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
En maximal toppeffekt på mer än 10 W (40 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 6,8 GHz men inte 8,5 GHz.
c.
En maximal toppeffekt på mer än 5 W (37 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 8,5 GHz men inte 16 GHz.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 3 W (34,77 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 16 GHz men inte 31,8 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %.
a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (– 70 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 31,8 GHz men inte 37 GHz.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 1 W (30 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 37 GHz men inte 43,5 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %.
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 31,62 mW (15 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 43,5 GHz men inte 75 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 10 mW (10 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 75 GHz men inte 90 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 5 %.
a.
De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (– 70 dBm) vid alla frekvenser som överstiger 90 GHz.
ADCs having any of the following:
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling” eller ”produktion” av elektroniska enheter och kretsar, som är särskilt konstruerade för telekommunikation och som innehåller komponenter tillverkade av ”supraledande” material, särskilt konstruerade för drift vid temperaturer under den ”kritiska temperaturen” för åtminstone en av dess ”supraledande” beståndsdelar, och som är försedda med något av följande:
N.B.:
Frekvensval för alla frekvenser med användning av resonanskretsar med Q-värden som överstiger 10000.
SEE ALSO 3A101
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för ”utveckling”, ”produktion” eller ”utveckling” av utrustning som specificeras i 5A101.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1,000 million words per second;
DEL 2 –
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
”INFORMATIONSSÄKERHET”
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
Kontrollen av ”informationssäkerhets”produkter eller funktioner regleras i kategori 5 del 2 även om de är komponenter, ”programvara” eller funktioner i andra system eller i annan utrustning.
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
Kategori 5 del 2 omfattar inte varor som åtföljer användaren för dennes personliga bruk.
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
Avsnitten 5A002 och 5D002 omfattar inte följande produkter:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Produkter som uppfyller allt av följande:
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
De är generellt tillgängliga för gemene man genom att de säljs från lager via en detaljists försäljningsställe utan restriktioner på något av följande sätt:
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Transaktioner över disk.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Postorderförsäljning.
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Elektroniska transaktioner.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Transaktioner som genomförs via telefonsamtal.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Den kryptografiska funktionen kan inte lätt ändras av användaren.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Den kan installeras av användaren utan väsentlig medverkan av försäljaren.
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Närmare uppgifter om varorna finns tillgängliga vid behov och ska på begäran lämnas till de behöriga myndigheterna i den medlemsstat där exportören är etablerad i syfte att säkerställa att villkoren i punkterna 1–3 ovan är uppfyllda.
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
Maskinvarukomponenter eller ’exekverbar programvara’, till befintliga enheter som beskrivs i led a i denna anmärkning, som har konstruerats för dessa befintliga enheter och som uppfyller allt av följande:
b.
”Informationssäkerhet” är inte komponentens eller den ’exekverbara programvarans’ primära funktion eller funktioner.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Komponenten eller den ’exekverbara programvaran’ ändrar inte någon kryptografisk funktion hos de befintliga enheterna, eller lägger till nya kryptografiska funktioner i de befintliga enheterna.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
Komponentens eller den ’exekverbara programvarans’ funktionsuppsättning är fast och inte konstruerad eller modifierad enligt kundens specifikationer.