natgillin/translations-raw huggingface dataset:
f. “Technology” for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
”Teknik” för applicering av oorganiska ytbeläggningar eller oorganisk ytförändringsbeläggning (specificerade i kolumn 3 i följande tabell) till icke elektroniskt ledande substrat (specificerade i kolumn 2 i följande tabell) med en process som anges i kolumn 1 i följande tabell och som definieras i de tekniska anmärkningarna efter tabellen.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Tabell och teknisk anmärkning återfinns efter avsnitt 2E301.
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Denna tabell ska läsas för att specificera tekniken för en särskild beläggningsprocess endast då resultatet av ytbeläggningen i kolumn 3 är i ett stycke direkt mittför det relevanta substratet under kolumn 2.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal “matrix” “composites” substrates, but are not included for the application of silicides to ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18) substrates.
Till exempel, tekniska uppgifter om beläggningsprocessen med kemisk förångningsdeposition (CVD) är inbegripna för applicering av silicider till kol-kol-, keram- och metall-”matris”-”komposit”substrat, men är inte inbegripna för applicering av silicider till substrat av ’hårdmetall innehållande volfram’ (16) och ’kiselkarbid’ (18).
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing ‘cemented tungsten carbide’ (16), ‘silicon carbide’ (18).
I det andra fallet är den resulterande ytbeläggningen inte förtecknad i stycket under kolumn 3 direkt mittför stycket under kolumn 2 där ’hårdmetall innehållande volfram’ (16) och ’kiselkarbid’ (18) är förtecknade.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik för ”användning” av utrustning eller ”programvara” som omfattas av avsnitten 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 eller 2D101.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik för ”användning” av utrustning eller ”programvara” som omfattas av avsnitten 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 eller 2D202.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of goods specified in 2B350 to 2B352.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik för ”användning” av varor som omfattas av avsnitten 2B350–2B352.
Coating Process (1) [5]
Beläggningsprocess (1) [5]
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
A. Kemisk förångningsdeposition (CVD)
“Superalloys”
”Superlegeringar”
Ceramics (19) and Low-expansion glasses (14)
Keramer (19) och glas med låg expansion (14)
Carbon-carbon, Ceramic and Metal “matrix” “composites”
Kol-kol, keram och metall-”matris”-”kompositer”
Sensor window materials (9)
Detektorfönstermaterial (9)
B. Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
B. Termisk förångning Fysisk förångningsdeposition (TE-PVD)
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
B.1 Fysisk förångningsdeposition (PVD): Elektronstrålar (EB-PVD)
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
B.2 Jonassisterad resistivt upphettad fysisk förångningsdeposition (PVD) (Jonplätering)
Physical Vapour Deposition (PVD): “Laser” Vaporisation
B.3 Fysisk förångningsdeposition (PVD): ”Laser”förångning
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
B.4 Fysisk förångningsdeposition (PVD): katodstråleurladdning
Polymers (11) and Organic “matrix” “composites”
Polymerer (11) och organiska ”matris”-”kompositer”
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
C. Pack cementation (se A ovan för out-of-pack cementation) (10)
D. Plasma spraying
D. Plasmasprutning
E. Slurry Deposition
E. Målningsbeläggning
F. Sputter Deposition
F. Sputteringbeläggning
Noble metal modified aluminides (3)
Ädelmetallmodifierade aluminider (3)
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
Keramer och glas med låg expansion (14)
G. Ion Implantation
G. Jonimplantation
Table — Deposition Techniques — Notes
Tabell – Ytbeläggningstekniker – Anmärkningar
The term ‘coating process’ includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Termen ’beläggningsprocess’ omfattar såväl reparation och förbättring av ytbehandlingen som den ursprungliga ytbehandlingen.
The term ‘alloyed aluminide coating’ includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Termen ’legerade aluminidbeläggningar’ omfattar enkel- eller flerstegsbeläggningar varvid ett eller flera ämnen överförs före eller samtidigt med aluminidbeläggningen även om dessa ämnen överförs med en annan ytbehandlingsmetod.
The term ‘noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Termen ’ädelmetallmodifierade aluminider’ omfattar flerstegsbeläggningar varvid ädelmetallen eller ädelmetallerna påläggs med någon annan beläggningsprocess före påläggningen av aluminidbeläggningen.
The term ‘mixtures thereof’ includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Termen ’blandningar därav’ omfattar infiltrerade material, sorterade blandningar, hjälpbeläggningar och multilagerbeläggningar och erhålls genom en eller flera av de beläggningsprocesser som anges i tabellen.
‘MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
’MCrAlX’ avser till en legerad beläggning där M står för kobolt, järn, nickel eller blandningar därav och X står för hafnium, yttrium, kisel, tantal oberoende av mängd eller andra avsiktliga tillsatser som är större än 0,01 viktprocent, i olika proportioner och kombinationer, utom
a. CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
CoCrAlY-beläggningar som innehåller mindre än 22 viktprocent krom, mindre än 7 viktprocent aluminium och mindre än 2 viktprocent yttrium,
b. CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
CoCrAlY-beläggningar som innehåller 22–24 viktprocent krom, 10–12 viktprocent aluminium och 0,5–0,7 viktprocent yttrium, eller
c. NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
NiCrAlY-beläggningar som innehåller 21–23 viktprocent krom, 10–12 viktprocent aluminium och 0,9–1,1 viktprocent yttrium.
The term ‘aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Med termen ’aluminiumlegeringar’ avses legeringar som har en brottgräns på minst 190 MPa mätt vid 293 K (20 °C).
The term ‘corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Med termen ’korrosionsbeständigt stål’ avses AISI (American Iron and Steel Institute)-serien 300 eller motsvarande nationella standard för stål.
‘Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
’Svårsmälta metaller och legeringar’ omfattar följande metaller och deras legeringar: niobium (columbium), molybden, volfram och tantal.
‘Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
’Detektorfönstermaterial’ enligt följande: aluminiumoxid, kisel, germanium, zinksulfid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir och följande metallhalogenider: detektorfönstermaterial som har en diameter som är större än 40 mm för zirkoniumfluorid och hafniumfluorid.
“Technology” for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
”Tekniken” för s.k. enstegs pack-cementation av massiva luftfolier omfattas inte av kategori 2.
‘Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
’Polymerer’ enligt följande: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonater och polyuretaner.
‘Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g. calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Med ’modifierat zirkonium’ avses tillsatser av andra metalloxider (t.ex. kalciumoxid, magnesiumoxid, yttriumoxid, hafniumoxid, oxider till sällsynta jordmetaller) till zirkonium för att stabilisera speciella kristallografiska faser och faskompositioner.
‘Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Med ’titanlegeringar’ avses endast rymdlegeringar som har en brottgräns som är minst 900 MPa mätt vid 293 K (20 °C).
‘Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Med ’glas med låg expansion’ avses glas med en termisk expansionskoefficient på högst 1 × 10–7 K–1 mätt vid 293 K (20 °C).
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
’Dielektriska lager’ är beläggningar som är uppbyggda av flera lager isolationsmaterial i vilka interferensegenskaperna hos en konstruktion som är sammansatt av material med olika brytningsindex används så att reflexion, genomsläpplighet eller absorption erhålls vid olika våglängder.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
Med dielektriskta lager avses minst fyra dielektriska lager eller dielektriska/metall-”komposit”-lager.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Hårdmetall innehållande volframkarbid’ omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial som består av volframkarbid/(kobolt, nickel), titankarbid/(kobolt, nickel), kromkarbid/nickel-krom och kromkarbid/nickel.
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
”Teknik” som är särskilt avsedd för beläggning av diamantlikt kol på något av följande omfattas inte:
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
’Kiselkarbid’ omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial.
Table — Deposition Techniques — Technical Note
Tabell – Ytbeläggningstekniker – Tekniska Anmärkningar
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, “composite”, dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Kemisk förångningsdeposition (CVD) är en ytbehandlings- eller ytförändringsprocess varvid metall, legering, ”komposit”, ett dielektrikum eller en keram deponeras på ett upphettat substrat.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or “laser” irradiation.
Energi för denna sönderdelning eller kemiska reaktionsprocess kan erhållas från värmen i substratet, en glimurladdningsplasma eller från upphettning med ”laser”-strålning.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
CVD omfattar följande processer: beläggning med ett gasflöde out-of-pack-beläggning, pulserande CVD, styrd termisk kärnbildande nedbrytningsprocess (CNTD), plasmaförstärkta eller plasmaassisterade CVD-processer.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Med pack menas ett substrat som är inbakat i en pulverblandning.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
De reaktansgaser som används i en out-of-pack-process produceras med hjälp av samma basreaktioner och parametrar som pack cementation-processen, med undantag av att substratet som ska beläggas inte är i kontakt med pulverblandningen.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Termisk förångning – fysisk förångningsdeposition (TE-PVD) är en ytbeläggningsprocess som sker i vakuum vid ett tryck som är lägre än 0,1 Pa varvid en termisk energikälla används för att förånga beläggningsmaterialet.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Tillsatsen av gaser i vakuumkammaren under beläggningsprocessen för att skapa blandad beläggning är en vanlig modifiering av denna process.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
Användningen av jon- eller elektronstrålar eller plasma för att aktivera eller assistera vid beläggningen är också en vanlig modifikation av denna teknik.
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
”Laser”förångning använder antingen pulsade eller kontinuerliga ”laser”vågor för att förånga det material som ska bilda beläggning.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
En styrd rörelse av gnistan urholkar katodytan och skapar ett kraftigt joniserat plasma.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Substratet förspänns så att icke-synlig beläggning kan ske.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Denna definition omfattar inte slumpmässig katodstrålebeläggning utan förspänt substrat.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Jonplätering är en speciell modifikation av den vanliga TE-PVD-processen, varvid ett plasma eller en jonkälla används för att jonisera de ämnen som ska användas för beläggning, och en negativ förspänning läggs på substratet för att underlätta extraktionen av de ämnen som ska deponeras från plasman.
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
”Pack Cementation” är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess varvid substratet packas in i en pulverblandning (”pack”) som består av
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plasmasprutning är en ytbehandlingsprocess i vilken en kanon (”blåslampa”), som producerar och styr ett plasma tar emot pulver eller tråd av beläggningsmaterialet, smälter det och skjuter det mot ett substrat, varpå en integrerad sammanfogning sker.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Med lågtryck avses lägre tryck än omgivande atmosfärtryck.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Med höghastighet avses en gashastighet vid sprutmunstycket som överskrider 750 m/s beräknat vid 293 K (20 °C) och 0,1 MPa.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Målningsbeläggning är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess i vilken ett metalliskt eller keramiskt pulver med ett organiskt bindemedel uppslammas i en vätska och appliceras på ett substrat genom antingen sprutning, doppning eller målning, med påföljande luft- eller ugnstorkning, samt värmebehandling för att uppnå önskad beläggning.
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Sputteringbeläggning är en överlagringsbeläggningsprocess som baseras på impulsöverföringsfenomen, varvid positiva joner accelereras av ett elektriskt fält mot ytan av ett mål (beläggningsmaterialet).
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Tabellen hänvisar endast till triod-, magnetron- eller reaktiv sputteringbeläggning som används för att öka vidhäftningen av beläggningen samt radiofrekvent (RF)-förstärkt sputteringbeläggning som används för att tillåta förångning i icke metalliska beläggningsmaterial.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Lågenergijonstrålar (mindre än 5 keV) kan användas för att aktivera beläggningen.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Jonimplantation är en ytförändringsbeläggningsprocess i vilken det ämne som ska legeras joniseras, accelereras genom en potentialgradient och förs in till ytregionen för substratet.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Kontrollstatusen för den utrustning och de komponenter som beskrivs i avsnitten 3A001 eller 3A002, förutom för de som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 eller 3A001.a.12, och som är speciellt konstruerade för eller som har samma funktionella egenskaper som annan utrustning, bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Kontrollstatusen för de integrerade kretsar som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 eller 3A001.a.12, och som är icke föränderligt programmerade till eller konstruerade för en speciell funktion för en annan utrustning bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Om en tillverkare eller sökande inte kan avgöra den andra utrustningens kontrollstatus, bestäms de integrerade kretsarnas kontrollstatus av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 och 3A001.a.12.
a. General purpose integrated circuits, as follows:
Integrerade kretsar för allmänna ändamål, enligt följande:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a.
Integrated circuits include the following types:
Integrerade kretsar omfattar följande typer:
“Monolithic integrated circuits”;
”Monolitiska integrerade kretsar”.
“Hybrid integrated circuits”;
”Integrerade hybridkretsar”.
“Multichip integrated circuits”;
”Integrerade multikretsar”.
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
”Integrerade kretsar av filmtyp” inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir.
“Optical integrated circuits”.
”Optiska integrerade kretsar”.
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
En total dos om minst 5 × 103 Gy (kisel),
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
en dosratsändring genom störning om minst 5 × 106 Gy (kisel)/s, eller
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material.
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
001 a.1 c gäller inte för halvledare av metallisolatortyp (MIS - Metal Insulator Semiconductors).
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar”, mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till digital omvandlare, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling”, fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Fast Fourier-transformation (FFT), elektriskt raderbara PROM-minnen (EEPROM), flash-minnen eller statiska RAM (SRAM) med någon av följande egenskaper:
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Specificerade för drift i omgivningstemperaturer över 398 K (125 °C).
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Specificerade för drift i omgivningstemperaturer under 218 K (-55 °C).