natgillin/translations-raw huggingface dataset:
b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Mindre än 100 μs för ett frekvensbyte som överstiger 1,6 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 3,2 GHz men inte 10,6 GHz.
c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Mindre än 250 μs för ett frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 10,6 GHz men inte 31,8 GHz.
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
Mindre än 500 μs för varje frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom en syntetiserad frekvensräckvidd som överstiger 31,8 GHz men inte 43,5 GHz.
e. Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz.
Mindre än 1 ms inom en syntetiserad frekvensräckvidd som överstiger 43,5 GHz.
For general purpose “signal analysers”, signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
För ”signalanalysatorer”, signalgeneratorer, nätverksanalysatorer och testmottagare för mikrovåg avsedda för allmän användning se 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e respektive 3A002.f.
c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Anordningar för akustiska vågor, enligt följande, och speciellt konstruerade komponenter till dessa:
a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Bärfrekvensen överstiger 6 GHz.
b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Bärfrekvensen överstiger 1 GHz, men inte 6 GHz, och de har någon av följande egenskaper:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
’Frekvensundertryckningen av sidloben’ överstiger 65 dB,
c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Bärfrekvensen är 1 GHz eller lägre och den har någon av följande egenskaper:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
’frekvensundertryckningen av sidloben’ överstiger 65 dB och bandbredden är större än 100 MHz,
‘Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
’Frekvensundertryckningen av sidloben’ är det maximala undertryckningsvärde som anges i databladet.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Anordningar för s.k. bulk-vågor som direkt kan behandla signaler med frekvenser som överstiger 6 GHz.
Acoustic-optic “signal processing” devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Akustisk-optiska anordningar för ”signalbehandling” som medger ömsesidig påverkan mellan akustiska vågor (s.k. bulk-vågor eller ytvågor) och ljusvågor och som tillåter direkt signal- eller bildbehandling, inklusive spektralanalys, korrelation och konvolution.
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Avsnitt 3A001.c omfattar inte anordningar för akustiska vågor som begränsas till enkelbandpass-, lågpass-, högpass- eller notch-filtrering eller resonansfunktion.
d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from “superconductive” materials, specially designed for operation at temperatures below the “critical temperature” of at least one of the “superconductive” constituents and having either of the following:
Elektroniska enheter och kretsar som innehåller komponenter tillverkade av ”supraledande” material, speciellt konstruerade för drift vid temperaturer under den ”kritiska temperaturen” för åtminstone en av dess ”supraledande” beståndsdelar, och som är försedda med något av följande:
Current switching for digital circuits using “superconductive” gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Strömomkoppling i digitala kretsar med användning av ”supraledande” grindar och där produkten av grindfördröjningstiden per grind (i sekunder) och effektförlusten per grind (i watt) är mindre än 10–14 J.
e. High energy devices as follows:
Högenergienheter enligt följande:
‘Cells’ as follows:
’Celler’ enligt följande:
a. ‘Primary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Primärceller’ som har en ’energitäthet’ som överstiger 550 Wh/kg vid 20 °C.
b. ‘Secondary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 250 Wh/kg at 20 °C;
’Sekundärceller’ som har en ’energitäthet’ som överstiger 250 Wh/kg vid 20 °C.
For the purpose of 3A001.e.1.,‘energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
I avsnitt 3A001.e.1 beräknas ’energitäthet’ (Wh/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den nominella kapaciteten i amperetimmar (Ah) dividerat med massan i kg.
For the purpose of 3A001.e.1., a ‘cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
I avsnitt 3A001.e.1 definieras ’cell’ som en elektrokemisk enhet som har positiva och negativa elektroder och elektrolyt samt är en källa till elektrisk energi.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ‘primary cell’ is a ‘cell’ that is not designed to be charged by any other source.
I avsnitt 3A001.e.1.a definieras ’primärcell’ som en ’cell’ som inte är avsedd att laddas genom någon annan källa.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ‘secondary cell’ is a ‘cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
I avsnitt 3A001.e.1.b definieras ’sekundärcell’ som en ’cell’ som är avsedd att laddas genom en extern elektrisk källa.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Avsnitt 3A001.e.1 omfattar inte batterier, inbegripet batterier som består av en enda cell.
SEE ALSO 3A201.a.
SE ÄVEN AVSNITT 3A201.a.
a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som understiger 10 Hz (enkelpulskondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper:
b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som är lika med eller överstiger 10 Hz (repetitionsspecificerade kondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper:
“Superconductive” electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
”Supraledande” elektromagneter eller solenoider, speciellt konstruerade för att kunna helt laddas eller urladdas på mindre än 1 sekund och som har samtliga följande egenskaper:
SEE ALSO 3A201.b.
SE ÄVEN AVSNITT 3A201.b.
e.3. does not control “superconductive” electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Avsnitt 3A001.e.3 omfattar inte ”supraledande” elektromagneter och solenoider som är speciellt konstruerade för att användas i medicinsk utrustning till magnetisk resonans bildbehandling (MRI).
a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Energin som levereras vid urladdning överstiger 10 kJ under den första sekunden,
b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
innerdiametern på den strömförande lindningen är större än 250 mm, och
c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or “overall current density” in the winding of more than 300 A/mm2;
är specificerad för en magnetisk induktion som är större än 8 T eller en ”total strömtäthet” i lindningen som är större än 300 A/mm2.
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are “space-qualified”, having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ‘AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
Solceller, CIC-hopsättningar (cell-interconnect-coverglass), solpaneler och solmoduler som är ”rymdkvalificerade” och har en minsta genomsnittlig verkningsgrad som överstiger 20 % vid en driftstemperatur på 301 K (28 °C) under simulerad ’AM0’-belysning med en irradians på 1367 watt per kvadratmeter (W/m2).
’, or ‘Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth’s outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’AM0’ eller ’luftmassenollpunkt’ avser solljusets spektrala irradians i jordens yttre atmosfär där avståndet mellan jorden och solen är en astronomisk enhet (AU).
f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
Roterande kodare som anger positionens absolutvärde med en noggrannhet som är mindre (bättre) än ± 1,0 bågsekunder.
g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ‘thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Pulsade effektomriktande halvledartyristorenheter och ’tyristormoduler’ som använder elektriskt eller optiskt styrda eller elektronstrålestyrda omriktningsmetoder och som har någon av följande egenskaper:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having both of the following:
En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 2000 A/μs och som har båda följande egenskaper:
a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
En toppspänning i avstängt tillstånd som är minst 3000 V.
b. A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
En toppström (strömstöt) som är minst 3000 A.
g. includes:
Avsnitt 3A001.g omfattar följande:
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
T-tyristorer (Electrical Triggering Thyristors).
Light Triggering Thyristors (LTTs)
LT-tyristorer (Light Triggering Thyristors).
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors).
Solidtrons
Solidtroner.
g. does not control thyristor devices and ‘thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or “civil aircraft” applications.
Avsnitt 3A001.g omfattar inte tyristorenheter och ’tyristormoduler’ som ingår i utrustning som är konstruerad för civila järnvägstillämpningar eller ”civila luftfartygs”-tillämpningar.
For the purposes of 3A001.g., a ‘thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
En ’tyristormodul’ i avsnitt 3A001.g innehåller en eller flera tyristorenheter.
h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:
Effektomriktande halvledare, dioder eller ’moduler’ som har samtliga följande egenskaper:
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
I avsnitt 3A001.h inbegriper repetitiv toppspänning i frånläge drain till source-spänning, collector till emitter-spänning, repetitiv toppbackspänning och repetitiv toppblockeringsspänning i frånläge.
h. includes:
Avsnitt 3A001.h omfattar följande:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
JFE-transistorer (Junction Field Effect Transistors).
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
VJFE-transistorer (Vertical Junction Field Effect Transistors).
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
MOSFE-transistorer (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors).
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
DMOSFE-transistorer (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors).
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGB-transistorer (Insulated Gate Bipolar Transistors).
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
HEM-transistorer (High Electron Mobility Transistors).
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
BJ-transistorer (Bipolar Junction Transistors).
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Tyristorer och kiselstyrda likriktare (SRC).
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors).
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
ETO-tyristorer (Emitter Turn-off Thyristors).
PiN Diodes
PiN-dioder.
Schottky Diodes
Schottkydioder.
h. does not control switches, diodes, or ‘modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or “civil aircraft” applications.
Avsnitt 3A001.h omfattar inte effektomriktare, dioder eller ’moduler’ som ingår i utrustning som är konstruerad för civila motorfordonstillämpningar, civila järnvägstillämpningar eller ”civila luftfartygs”-tillämpningar.
For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
En ’modul’ i avsnitt 3A001.h innehåller en eller flera effektomriktande halvledare eller dioder.
a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Följande inspelningsutrustning samt till dessa utrustningar speciellt konstruerade testband:
a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
En bandbredd som överstiger 4 MHz per elektronisk kanal eller spår,
b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
en bandbredd som överstiger 2 MHz per elektronisk kanal eller spår om utrustningen har mer än 42 spår, eller
c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
ett tidsförskjutnings(bas)-fel, mätt enligt tillämpliga IRIG- eller EIA-dokument, som är mindre än ± 0,1 μs.
Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Analoga magnetiska bandspelare speciellt konstruerade för civilt bruk ska inte betraktas som instrumentbandspelare.
a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Avsnitt 3A002.a.2 omfattar inte sådana digitala magnetiska videobandspelare som är speciellt konstruerade för TV-inspelningar i signalformat, som kan omfatta ett komprimerat signalformat enligt standarder eller rekommendationer från ITU, IEC, SMPTE, EBU, Etsi eller IEEE för civila TV-tillämpningar.
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having either of the following:
Digitala magnetiska instrumentdatabandspelare som har fast eller roterande huvud och som har båda följande egenskaper:
a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
En maximal digital interfaceöverföringshastighet som överstiger 175 Mbit/s, eller
b. Being “space-qualified”;
som är ”rymdkvalificerade”.
a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Avsnitt 3A002.a.3 omfattar inte analoga magnetiska bandspelare som är utrustade med HDDR omvandlingselektronik och utformade för att endast spela in digitala data.
Waveform digitisers and transient recorders, having both of the following:
Utrustning för digitalisering av vågformer samt utrustning för registrering av transienter (transient recorders), med båda följande egenskaper:
a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
Digitaliseringshastigheten är lika med eller bättre än 200 miljoner samplingar per sekund och en upplösning på 10 bitar eller mer, och
b. A ‘continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
en ’kontinuerlig kapacitet’ på 2 Gbit/s eller mer.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ‘continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
För sådana instrument, som är uppbyggda med en parallell bussarkitektur, är den ’kontinuerliga kapaciteten’ lika med högsta ordhastigheten multiplicerat med antalet bitar i ordet.
‘Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Kontinuerlig kapacitet’ är den högsta datahastigheten som instrumentet kontinuerligt kan förse ett massminne med information utan att någon information går förlorad med bibehållen samplingsfrekvens och analog-till-digital konvertering.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having both of the following:
Digital instrumentdataupptagningsutrustning som använder teknik för lagring av data på magnetskivor och har båda följande egenskaper:
a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
Digitaliseringshastighet på minst 100 miljoner samplingar per sekund och en upplösning på 8 bitar eller mer, och
b. A ‘continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
en ’kontinuerlig kapacitet’ på 1 Gbit/s eller mer.
c. Radio-frequency “signal analysers” as follows:
Radiofrekvens-”signalanalysatorer” enligt följande:
“Signal analysers” having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz;
”Signalanalysatorer” som har en upplösningsbandbredd (RBW) på 3 dB som överstiger 10 MHz varsomhelst i frekvensområdet över 31,8 GHz men inte över 37,5 GHz.
“Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
”Signalanalysatorer” som har en visad genomsnittlig brusnivå (DANL) som är lägre (bättre) än -150 dBm/Hz varsomhelst i frekvensområdet över 43,5 GHz men inte över 70 GHz.
“Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
”Signalanalysatorer” med en frekvens som överstiger 70 kHz.
“Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
”Dynamiska signalanalysatorer” med en ”realtidsbandbredd” som överstiger 40 MHz.
c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Avsnitt 3A002.c.4 omfattar inte de ”dynamiska signalanalysatorer” som endast använder filter som har en konstant procentuell bandbredd (kallas även oktavfilter eller filter för del av en oktav).
d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Signalgeneratorer där utgångssignalen genereras genom frekvenssyntes, där noggrannheten, kort- och långtidsstabiliteten kontrolleras från, avleds från eller korrigeras av en intern masterreferensoscillator och som har någon av följande egenskaper:
Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
Specificerad för att alstra en ’pulslängd’ av mindre än 100 ns varsomhelst inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 31,8 GHz men inte 70 GHz.
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
En utgångseffekt som övestiger 100 mW (20 dBm) varsomhelst inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 43,5 GHz men inte 70 GHz.
A “frequency switching time” as specified by any of the following:
En ”tid för att byta frekvens” enligt något av följande:
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
Mindre än 500 μs för ett frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 31,8 GHz men inte 43,5 GHz.
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
Mindre än 1 ms för ett frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 43,5 GHz men inte 56 GHz.
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
Mindre än 1 ms för ett frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 56 GHz men inte 70 GHz.
At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
En syntetiskt erhållen frekvens som överstiger 3,2 GHz men inte 70 GHz och som har båda följande egenskaper:
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än –(126 + 20log10F-20log10f) för 10 Hz < F < 10 kHz.
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än –(114 + 20log10F-20log10f) för 10 kHz ≤ F < 500 kHz.
A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
En maximal syntetiskt erhållen frekvens som överstiger 70 GHz.
Note 1.:
Anm. 1:
For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
I avsnitt 3A002.d inkluderar signalgeneratorer där utgångssignalen genereras genom frekvenssyntes även godtyckliga vågforms- och funktionsgeneratorer.
Note 2.:
Anm. 2:
d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Avsnitt 3A002.d omfattar inte utrustningar där utgångsfrekvensen produceras antingen genom addition eller subtraktion av två eller flera frekvenser från kristalloscillatorer eller genom en addition eller subtraktion följd av en multiplikation av resultatet.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Godtyckliga vågforms- och funktionsgeneratorer specificeras normalt genom samplingshastigheten (t.ex. Gsampling/s), som omvandlas till radiofrekvensområdet genom Nyquistfaktorn två.
For the purposes of 3A002.d.1., ‘pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Med ’pulslängd’ avses i avsnitt 3A002.d.1 den tid som förflyter mellan det att pulsens framkant uppnår 90 % av toppeffekten och dess bakkant uppnår 10 % av toppeffekten.
e. Network analysers having either of the following:
Nätverksanalysatorer med något av följande:
Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
En maximal arbetsfrekvens som överstiger 43,5 GHz och en utgångseffekt som överstiger 31,62 mW (15 dBm), eller
Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
en maximal arbetsfrekvens som överstiger 70 GHz.
f. Microwave test receivers having both of the following:
Testmottagare för mikrovåg som har båda följande egenskaper:
g. Atomic frequency standards being any of the following:
Atomfrekvensstandarder som har någon av följande egenskaper:
“Space-qualified”;
Är ”rymdkvalificerad”.
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Icke-rubidium och med en långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 10–11/månad.
Non-“space-qualified” and having all of the following:
Icke-”rymdkvalificerade” och med alla följande egenskaper:
a. Being a rubidium standard;
En rubidiumstandard.
b. Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 10–11/månad.