natgillin/translations-raw huggingface dataset:
c. Total power consumption of less than 1 W.
En total effektförbrukning som understiger 1 W.
a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
Analog-till-digitalomvandlare, användbara i ”missiler”, konstruerade för att uppfylla militära krav för miljötålig utrustning.
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Radiografisk utrustning (acceleratorer) i stånd att alstra elektromagnetisk strålning framkallad av bromsstrålning från accelererade elektroner på 2 MeV eller mer, samt system som innehåller denna radiografiska utrustning (accelerators).
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Avsnitt 3A101.b omfattar inte utrustning som är speciellt konstruerad för medicinska ändamål.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
’Termiska batterier’ som är utformade eller modifierade för ’missiler’.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Med ’termiska batterier’ avses i avsnitt 3A102 engångsbatterier som innehåller ett fast icke-ledande oorganiskt salt som elektrolyt.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Med ’missil’ avses i avsnitt 3A102 kompletta raketsystem och system för obemannade luftfarkoster med en räckvidd som överstiger 300 km.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
Elektroniska komponenter som inte omfattas av avsnitt 3A001, enligt följande:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
Kondensatorer som har någon av följande uppsättning egenskaper:
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
Märkspänning större än 1,4 kV,
b. Energy storage greater than 10 J;
energiinnehåll större än 10 J,
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
kapacitans större än 0,5 μF, och
d. Series inductance less than 50 nH; or
serieinduktans mindre än 50 nH, eller
a. Voltage rating greater than 750 V;
märkspänning större än 750 V,
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
kapacitans större än 0,25 μF, och
c. Series inductance less than 10 nH;
serieinduktans mindre än 10 nH.
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
Elektromagneter med supraledande solenoider och som uppfyller samtliga följande krav:
Inner diameter greater than 300 mm; and
En inre diameter större än 300 mm.
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Ett magnetfält som är homogent, bättre än 1 % över de centrala 50 % av den inre volymen.
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Avsnitt 3A201.b omfattar inte magneter som är speciellt konstruerade för och exporterade ’som del av’ bildsystem för medicinsk tillämpning baserade på kärnspinnresonans (NMR).
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
Frasen ’som del av’ avser inte nödvändigtvis fysisk del av samma skeppning; separata skeppningar från olika källor är tillåtna, under förutsättning att ifrågavarande exportdokument tydligt anger att skeppningarna används ’som del av’ bildsystemen.
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Röntgenblixtaggregat eller pulsade elektronacceleratorer som har någon av följande uppsättning egenskaper:
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
En toppenergi för de accelererade elektronerna om 500 keV eller mer men mindre än 25 MeV, och
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
ett ’godhetstal’ (K) lika med 0,25 eller mer, eller
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
en toppenergi för de accelererade elektronerna om 25 MeV eller mer, och
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
en ’toppeffekt’ större än 50 MW.
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Avsnitt 3A201.c omfattar inte acceleratorer som ingår som delar i apparatur konstruerad för annat än användning av elektronstråle eller röntgenstrålning (t.ex. elektronmikroskop) och sådana som konstruerats för medicinska ändamål:
The ‘figure of merit’ K is defined as:
’Godhetstalet’ (K) definieras som
K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q
K = 1.7 × 103 × V2.65× Q
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q är lika med integralen av i med avseende på t, över den tidslängd som är kortast av 1 μs eller tidslängden av pulsen (Q = ∫ idt) där i är strålströmmen i ampere och t tiden i sekunder.
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
’Toppeffekt’= (toppspänning i volt) × (toppström i ampere).
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
Flerfasig utgång och som kan producera en effekt av 40 W eller mer.
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
Kan arbeta inom frekvensområdet 600 till 2000 Hz.
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Total harmonisk distorsion bättre (mindre) än 10 %.
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
Frekvensstyrning bättre (lägre) än 0,1 %.
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Kan kontinuerligt producera, över en tidsperiod om 8 timmar, 100 V eller mer, med en utgångsström av 500 A eller mer, och
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
en ström- eller spänningsstabilitet som är bättre än 0,1 % över en tidsperiod om 8 timmar.
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
Kan kontinuerligt producera, över en tidsperiod om 8 timmar, 20 kV eller mer med en utgångsström av 1 A eller mer, och
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Kallkatodrör, oavsett om de är gasfyllda eller ej, vilka fungerar på liknande sätt som gnistgap, och uppfyller samtliga följande krav:
Containing three or more electrodes;
Har tre eller flera elektroder.
Anode peak current rating of 100 A or more; and
Anodens märkta toppström är minst 100 A.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Avsnitt 3A228 omfattar krytroner och sprytroner.
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Triggade gnistgap som uppfyller följande båda villkor:
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Moduler eller delsystem med en snabb slutarfunktion, andra än de som omfattas av avsnitt 3A001.g eller 3A001.h, som uppfyller samtliga följande krav:
Turn-on time of 1 μs or less.
tillslagstiden är 1 μs eller mindre.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Se avsnitt 1A007.a för tändaggregat.
a. Not used;
Används inte.
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Moduluppbyggda elektriska pulsgeneratorer som har alla följande egenskaper:
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Portabla, mobila eller konstruerade för svåra förhållanden.
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Har en ’stigtid’ som är kortare än 10 μs vid lägre belastning än 40 Ω.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Specificerad för användning i ett brett temperaturområde 223 K (-50 °C) till 373 K (100 °C) eller specificerad som lämplig för rymdanvändning.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
Avsnitt 3A229.b omfattar drivaggregat till xenonblixtar.
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
Utgående spänning högre än 6 V vid en resistiv belastning av mindre än 55 Ω, och
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
en ’stigtid för pulsen’ som är kortare än 500 ps.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
I avsnitt 3A230 definieras ’stigtid för pulsen’ som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av spänningsamplituden.
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
Konstruerade för drift utan yttre vakuumsystem, och
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
som använder elektrostatisk acceleration för att inducera en reaktion mellan tritium och deuterium.
See 1A007.b. for detonators.
Se avsnitt 1A007.b för sprängkapslar.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Anordningar som, utlösta av en enda puls, använder en eller flera sprängkapslar i syfte att nästan samtidigt initiera detonation i en sprängämnesyta över en area större än 5000 mm2 med en spridning i tändtid över hela ytan som är mindre än 2,5 μs.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Avsnitt 3A232 omfattar inte detonatorer som endast använder primära explosiver såsom blyazid (Pb(N3)2).
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Masspektrometrar med induktivt kopplad plasmajonkälla (ICP/MS).
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Masspektrometrar med glimurladdningsjonkälla (GDMS).
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
Masspektrometrar med jonkälla som bygger på termisk jonisation (TIMS).
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Masspektrometrar med jonkälla som använder indirekt upphettning (electron bombardment) och med en jonisationskammare tillverkad av, fodrad eller klädd med material som är resistenta mot UF6 (uranhexafluorid).
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Masspektrometer av molekylstråletyp, antingen
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
med en jonisationskammare gjord av, fodrad eller klädd med rostfritt stål eller molybden och som är försedd med en kylfälla för 193 K (-80 °C) eller lägre, eller
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Masspektrometrar utrustade med jonkälla med mikrofluorering konstruerad för att användas med aktinider eller aktinidfluorider.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Utrustning konstruerad för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar speciellt konstruerade komponenter och tillbehör:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Utrustning för epitaxiell tillväxt enligt följande:
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Avsnitt 3B001.a.1 omfattar utrustning för atomskiktsepitaxi (ALE).
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Utrustning konstruerad för jonimplantation som har någon av följande egenskaper:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
en strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-”substratet”.
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
Utrustning för torr anisotropisk plasmaetsning med båda följande egenskaper:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Den är speciellt konstruerad för att optimalt kunna producera kritiska dimensioner på 65 nm eller mindre, och
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
det föreligger ojämn fördelning inom wafern lika med eller mindre än 10 % 3σ mätt med en kantuteslutning på 2 mm eller mindre.
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Utrustning för plasmaförstärkt kemisk förångningsdeposition (CVD) enligt följande:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Utrustningen arbetar med kassett-till-kassettmatning och slussöppning, och är speciellt konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 65 nm eller mindre.
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning som anges i avsnitt 3B001.e och konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 65 nm eller mindre.
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
Automatiskt laddningssystem för flera kammare för tillverkning av halvledare med båda följande egenskaper:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
Gränssnitt för såväl in- som utgång för wafers till vilket minst två funktionellt olika ’halvledarprocessverktyg’ enligt 3B001.a, 3B001.b, 3B001.c eller 3B001.d är avsedda att anslutas, och
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
vara konstruerade för att bilda ett integrerat system i vakuumomgivning för ’sekventiell bearbetning av wafers i flera steg’.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Avsnitt 3B001.e omfattar inte automatisk robothantering av wafers särskilt konstruerade för parallell waferbehandling.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
I 3B001.e avses med ’halvledarbearbetningsverktyg’ modulära verktyg som möjliggör fysiska processer för halvledarframställning vilka är funktionellt olika, såsom deponering, etsning, implantering eller värmebehandling.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
I 3B001.e avses med ’sekventiell bearbetning av wafers i flera steg’ möjligheten att bearbeta varje wafer i olika ’halvledarbearbetningsverktyg’, t.ex. genom att överföra varje wafer från ett verktyg till ett annat och vidare till ett tredje via de automatiska centrala klustersystemen för hantering av wafers.
f. Lithography equipment as follows:
Litografisk utrustning med egenskaper enligt följande:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet (step and repeat, direkt step on wafer) eller scanner (step and scan) som använder röntgen eller foto-optiska metoder, och som har någon av följande egenskaper:
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
Ljuskällans våglängd är kortare än 245 nm, eller
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
kan producera ett mönster med en ’minsta upplösning för systemdimensionen’ (MRF) på 95 nm eller mindre.
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
Den ’minsta upplösningen för systemdimensionen’ (MRF) beräknas med följande formel:
MRF =an exposure light source wavelength in nm
MRF =ljuskällansvåglängd i nm
numerical aperture
numeriska aperturen
where the K factor = 0,35
där K är en skalfaktor = 0,35
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
Litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 95 nm eller mindre.
f.2. includes:
Avsnitt 3B001.f.2 omfattar följande:
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
Den använder avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller ”laser” strålar, och
A spot size smaller than 0,2 μm;
En strålpunkt som är mindre än 0,2 μm.
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
Förmåga att producera mönster med en karaktäristisk ledningsbredd som är mindre än 1 μm.
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
En passningsnoggrannhet som är bättre än ± 0,20 μm (3 sigma).
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Masker eller mastermasker som är konstruerade för tillverkning av integrerade kretsar enligt avsnitt 3A001. h) Flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager. Anm.:
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Utrustning för provning av transistorers S-parametrar vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz.
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Utrustning som kan prova integrerade mikrovågskretsar som omfattas av avsnitt 3A001.b.2.
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaxiella material som består av ett ”substrat” med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipelskikt av något av följande:
a. Silicon (Si);
Kisel (Si).
b. Germanium (Ge);
Germanium (Ge).
c. Silicon carbide (SiC); or
Kiselkarbid (SiC).
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
”III/V-föreningar” av gallium eller indium.
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
Resistmaterial enligt följande, och ”substrat” belagda med följande resistmaterial:
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Positiva resistmaterial som är konstruerade för halvledarlitografi och speciellt justerade (optimerade) för våglängder under 245 nm.
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Alla resistmaterial som är konstruerade för att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre.
c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Alla resistmaterial som är konstruerade för att användas tillsammans med röntgenstrålar och som har en känslighet som är 2,5 mJ/mm2 eller bättre.
d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker inklusive ’silylated’ resistmaterial.
‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Med ’silylated’-teknik avses processer som innebär att resistmaterialet oxideras på ytan för att förstärka effekten av såväl torr som våt framkallning.
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Alla resistmaterial som är utformade eller optimerade för att användas tillsammans med litografisk präglingsutrustning som omfattas av avsnitt 3B001.f.2 och som använder antingen en värmeprocess eller en photo-curable-process.
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Metallorganiska blandningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 %.
b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Organiska blandningar med antimon, arsenik eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 %.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Avsnitt 3C003 omfattar endast blandningar vars metalliska, delvis metalliska eller icke metalliska element är direkt bundna till kolet i den organiska delen av molekylen.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Avsnitt 3C004 omfattar inte hydrider som innehåller 20 % molar eller mer av ädelgaser eller väte.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
”Substrat” av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
”Substrat” som omfattas av avsnitt 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
”Programvara” som är speciellt utformad för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning som omfattas av avsnitten 3A001.b–3A002.g eller 3B.
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
”Programvara” som är speciellt utformad för ”användning” av utrustning som omfattas av avsnitt 3B001.a-3B001.f eller 3B002.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
’Fysikbaserad’ simulerings ”programvara” speciellt konstruerad för ”utveckling” av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads (depositions) -processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar-, dielektriska eller halvledarlagren.
‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Med ’fysikbaserad’ avses i avsnitt 3.D.003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).