natgillin/translations-raw huggingface dataset:
non-"space qualified" and having all of the following:
Icke-”rymdkvalificerade” och med följande egenskaper:
being a rubidium standard;
En rubidiumstandard.
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
Långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 10–11/månad.
total power consumption of less than 1 W.
En total effektförbrukning som understiger 1 W.
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Värmestyrningssystem för kallsprutning som använder en sluten slinga med inkapslad vätskehanterings- och rekonditioneringsutrustning där en dielektrisk vätska sprutas in i den elektroniska komponenten med hjälp av särskilt konstruerade sprutmunstycken som är konstruerade för att hålla de elektroniska komponenterna inom respektive temperaturområde, och särskilt konstruerade komponenter till dessa.
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
Analog-till-digitalomvandlare, användbara i ”missiler”, konstruerade för att uppfylla militära krav för miljötålig utrustning.
accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Radiografisk utrustning (acceleratorer) i stånd att alstra elektromagnetisk strålning framkallad av bromsstrålning från accelererade elektroner på 2 MeV eller mer, samt system som innehåller denna radiografiska utrustning (accelerators).
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
”Termiska batterier” som är utformade eller modifierade för ”missiler”.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
Med ”termiska batterier” avses i avsnitt 3A102 engångsbatterier som innehåller ett fast icke-ledande oorganiskt salt som elektrolyt.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
Med ”missil” avses i avsnitt 3A102 kompletta raketsystem och system för obemannade luftfarkoster med en räckvidd som överstiger 300 km.
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Anm.:Avsnitt 3A201.b omfattar inte magneter som är särskilt utformade för och exporterade ”som del av” bildsystem för medicinsk tillämpning baserade på kärnspinnresonans (NMR).
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
Frasen ”som del av” avser inte nödvändigtvis fysisk del av samma skeppning; separata skeppningar från olika källor är tillåtna, under förutsättning att ifrågavarande exportdokument tydligt anger att skeppningarna används ”som del av” bildsystemen.
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
ett ”godhetstal” (K) lika med 0,25 eller mer, eller
a "peak power" greater than 50 MW.
en ”toppeffekt” större än 50 MW.
The "figure of merit" K is defined as:
”Godhetstalet” (K) definieras som
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q är lika med integralen av i med avseende på t, över den tidslängd som är kortast av 1 μs eller tidslängden av pulsen (Q = ∫idt) där i är strålströmmen i ampere och t tiden i sekunder.
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
Toppeffekt = (toppspänning i volt) x (toppström i ampere).
total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
Total harmonisk distorsion bättre (mindre) än 10 %.
anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
Anodens märkta toppström är minst 100 A.
High-current pulse generators as follows:
Pulsgeneratorer för hög strömstyrka enligt följande:
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Anm.:Se avsnitt 1A007.a för tändaggregat.
designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Portabla, mobila eller avsedda för svåra förhållanden.
enclosed in a dust tight enclosure;
Inneslutna i en dammtät behållare.
capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Kapabla att leverera sin energi på mindre än 15 μs.
having an output greater than 100 A;
Kapabla att leverera en strömstyrka överstigande 100 A.
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Har en ”stigtid”som är kortare än 10 μs vid lägre belastning än 40 Ω.
no dimension greater than 254 mm;
Ingen dimension är större än 254 mm.
weight less than 25 kg; and
Väger mindre än 25 kg.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
I avsnitt 3A229.b definieras ”stigtid” som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av strömamplituden när generatorn driver en resistiv last.
"pulse transition time" less than 500 ps.
en ”stigtid för pulsen” som är kortare än 500 ps.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
I avsnitt 3A230 definieras ”stigtid för pulsen” som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av spänningsamplituden.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Tändsystem för flerpunktständning, andra än de som omfattas av avsnitt 1A007, enligt följande:
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Anm.:Se avsnitt 1A007.b för sprängkapslar.
Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Anm.:Avsnitt 3A232 omfattar inte detonatorer som endast använder primära explosiver såsom blyazid (Pb(N3)2).
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Utrustning för jonimplantation som har någon av följande egenskaper:
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
en strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-”substratet”.
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
Utrustning för plasmaförstärkt kemisk förångningsdeposition (CVD) enligt följande:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning som anges i avsnitt 3B001.e och konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre.
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Systemet ska ha gränssnitt för såväl in- som utgång för wafers och utrustningen ska vara sådan att minst två processteg är anslutna i ett integrerat system, och
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet (”step and repeat”, direkt ”step on wafer”) eller scanner (”step and scan”) som använder röntgen eller foto optiska metoder, och som har någon av följande egenskaper:
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
kan producera ett mönster med en ”minsta upplösning för systemdimensionen” på 180 nm eller mindre.
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
Den ”minsta upplöningen fö systemdimensionen” beräknas med följande formel:
MRF = an exposure light source wavelength in nm
MRF = ljuskällans våglängd i μm
× K factor
× skalfaktorn K
numerical aperture
numeriska bländarvärdet
MRF = "minimum resolvable feature size"
MRF är minsta upplösningen för systemdimensionen
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Utrustning som är speciellt konstruerad för att tillverka masker eller halvledarenheter med hjälp av direkta skrivmetoder, och som uppfyller följande:
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Den använder avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller ”laser”strålar, och
a spot size smaller than 0,2 µm;
En strålpunkt som är mindre än 0,2 μm.
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Förmåga att producera mönster med en karaktäristisk ledningsbredd som är mindre än 1 μm.
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
En passningsnoggrannhet som är bättre än ±0,20 μm (3 sigma).
Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Provutrustning som är speciellt konstruerad för provning av färdiga halvledarenheter eller halvfabrikat enligt följande, samt tillhörande komponenter och tillbehör:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaxiella material som består av ett ”substrat” med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipelskikt av något av följande:
Silicon (Si);
Kisel (Si).
Germanium (Ge);
Germanium (Ge).
Silicon carbide (SiC); or
Kiselkarbid (SiC).
"III/V compounds" of gallium or indium.
III/V-föreningarr av gallium eller indium.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Resistmaterial enligt följande, och ”substrat” belagda med kontrollerade resistmaterial:
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker inklusive ”silylated” resistmaterial.
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Med ”silylated”-teknik avses processer som innebär att resistmaterial oxideras på ytan för att förstärka effekten av såväl torr som våt framkallning.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Alla resistmaterial som är utformade eller optimerade för att användas tillsammans med litografisk präglingsutrustning som omfattas av avsnitt 3B001.f.2 och som använder antingen en värmeprocess eller en photo-curable-process.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
Substrat av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
”Substrat” som omfattas av avsnitt 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
”Programvara” som är speciellt utformad för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning som omfattas av avsnitten 3A001.b–3A002.g eller 3B.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
”Programvara” som är speciellt utformad för ”användning” av utrustning som omfattas av avsnitt 3B001.a–3B001.f eller 3B002.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
”Fysikbaserad” simulerings”programvara” speciellt konstruerad för ”utveckling” av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads (depositions) -processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar, dielektriska eller halvledarlagren.
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Med ”fysikbaserad” avses i avsnitt 3.D.003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Anm.:Bibliotek, konstruktionsanvisningar eller liknande data för konstruktion av halvledarenheter eller integrerade kretsar ska betraktas som ”teknik”.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
”Programvara” som är speciellt utformad för ”utveckling” av utrustning som omfattas av avsnitt 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
”Programvara” som är speciellt utformad eller modifierad för ”användning” av utrustning som omfattas av avsnitt 3A101.b.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik för ”utveckling” eller ”produktion” av utrustning eller material som omfattas av avsnitten 3A, 3B eller 3C.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Anm. 1:Avsnitt 3E001 omfattar inte ”teknik” för ”produktion” av utrustning eller komponenter som omfattas av avsnitt 3A003.
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Anm. 2:Avsnitt 3E001 omfattar inte ”teknik”för ”utveckling” eller ”produktion” av integrerade kretsar som omfattas av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.12 som har båda följande egenskaper:
using "technology" of 0,5 μm or more; and
Som använder en ”teknik” för 0,5 μm eller mer, och
not incorporating "multi-layer structures".
som inte har strukturer i flera lager.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Begreppet ”strukturer i flera lager” omfattar inte utrustningar med högst tre metallager och tre polykisellager.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik, som inte omfattas av avsnitt 3E001, för ”utveckling” eller ”produktion” av ”mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar” och mikrokretsar för mikrostyrsystem med en aritmetisk logisk enhet som kan hantera minst 32 bitar och som har någon av följande egenskaper:
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
En ”vektorprocessorenhet” som är utformad för att utföra mer än två beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt.
A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
En ”vektorprocessorenhet” är ett processorelement med inbyggda instruktioner som utför multipla beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt, och som har minst en aritmetisk logisk vektorenhet.
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Utformad för att utföra mer än fyra 16-bitars ackumulerade fasttalsmultiplikationsresultat per cykel (t.ex. digital manipulering av analog information som tidigare omvandlats till digital form, även känd som digital ”signalbehandling”).
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Anm.:Avsnitt 3E002.c omfattar inte teknik för multimediaanslutningar.
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Anm. 1:Avsnitt 3E002 omfattar inte ”teknik” för ”utveckling” eller ”produktion” av mikroprocessorer med följande egenskaper:
using "technology" at or above 0,130 µm; and
Använder ”teknik” på eller över 0,130 μm.
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Anm. 2:Avsnitt 3E002 omfattar ”teknik” för digitala signalprocessorer och digitala grupprocessorer.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Annan ”teknik” för ”utveckling” eller ”produktion” av följande:
hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Halvledarelement med ovanlig uppbyggnad (”hetero-structure”) såsom transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT), hetero-bipolära transistorer (HBT), quantum well och super lattice element.
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Anm.:Avsnitt 3E003.b omfattar inte ”teknik” för transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.
"superconductive" electronic devices;
”Supraledande”elektroniska element.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik för ”användning” av utrustning eller ”programvara”, vilken omfattas av avsnitt 3A001.a.1 eller 2, 3A101, 3A102 eller 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik för ”utveckling” av ”programvara” som omfattas av avsnitt 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
”Teknik” enligt den allmänna anmärkningen om teknik för ”användning” av utrustning som omfattas av avsnitten 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201 och 3A225–3A233.
Note 1:computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Anm. 1:Datorer, kringutrustning och ”programvara” som utför telekommunikations- eller ”lokala nät”-funktioner ska också utvärderas i förhållande till prestandaegenskaper i kategori 5, del 1 (telekommunikation).
Note 2:control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Anm. 2:Styrenheter som direkt kopplar samman bussar eller kanaler i datorers centralenheter, styrenheter för ”huvudminne” eller skivminne ska inte betraktas som telekommunikationsutrustning enligt kategori 5, del 1 (telekommunikation).
N.B.:for the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
ANM.:När det gäller kontrollstatus för ”programvara”, särskilt konstruerad för paketväxlar, se avsnitt 5D001.
Note 3:computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Anm. 3:För datorer, kringutrustning eller ”programvara” som utför kryptografi, kryptoanalys, certifierbar säkerhet i flera nivåer eller certifierbar användarisolering, eller som begränsar den elektromagnetiska kompatibiliteten (EMC), ska också utvärderas i förhållande till prestandakarakteristika i kategori 5, del 2 (”informationssäkerhet”).
Electronic computers and related equipment having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektroniska datorer och därmed sammanhörande utrustning, med någon av följande egenskaper, och ”elektroniska sammansättningar”, och speciellt konstruerade komponenter till dessa:
specially designed to have any of the following:
Speciellt konstruerade för att ha någon av följande egenskaper:
rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Specificerade för att arbeta vid omgivande temperaturer under 228 K (–45 °C) eller över 358 K (85 °C).
Note:4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Anm.:Avsnitt 4A001.a.1 omfattar inte datorer som konstruerats särskilt för att användas i civila bil- och tågtillämpningar.
having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Har egenskaper eller kan utföra funktioner som överträffar specifikationerna i kategori 5, del 2 (”informationssäkerhet”).
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
”Digitala datorer”, ”elektroniska sammansättningar” och därmed sammanhörande utrustning, enligt följande, och specialkonstruerade komponenter därtill.
’vector processors’;
”Vektorprocessorer”.
equipment designed for "image enhancement";
Utrustning för ”bildbehandling”.
equipment designed for "signal processing".
Utrustning för ”signalbehandling”.
Note 2:the control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Anm. 2:Kontrollstatus för ”digitala datorer” och därmed sammanhörande utrustning enligt beskrivningen i avsnitt 4A003 bestäms av kontrollstatus för annan utrustning eller andra system, under förutsättning att
the "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
de ”digitala datorerna” eller den därmed sammanhörande utrustningen är väsentliga för den andra utrustningens eller de andra systemens funktion,
the "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
de ”digitala datorerna” eller den därmed sammanhörande utrustningen inte är en ”huvudbeståndsdel” i den andra utrustningen eller de andra systemen, och