natgillin/translations-raw huggingface dataset:
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
Bärfrekvensen överstiger 1 GHz, men inte 6 GHz, och de har någon av följande egenskaper:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
’Frekvensundertryckningen av sidloben’ överstiger 65 dB,
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i µs och bandbredd i MHz) överstiger 100,
A dispersive delay of more than 10 µs; or
dispersionsfördröjningen är mer än 10 µs, eller
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
Bärfrekvensen är 1 GHz eller lägre och den har någon av följande egenskaper:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
’frekvensundertryckningen av sidloben’ överstiger 65 dB och bandbredden är större än 100 MHz,
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Teknisk anm.:’Frekvensundertryckningen av sidloben’ är det maximala undertryckningsvärde som anges i databladet.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Anordningar för s.k. bulk-vågor som direkt kan behandla signaler med frekvenser som överstiger 2,6 GHz.
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Anm.:Avsnitt 3A001.c omfattar inte anordningar för akustiska vågor som begränsas till enkelbandpass-, lågpass-, högpass- eller notch-filtrering eller resonansfunktion.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Elektroniska enheter och kretsar som innehåller komponenter tillverkade av "supraledande" material, speciellt konstruerade för drift vid temperaturer under den "kritiska temperaturen" för åtminstone en av dess "supraledande" beståndsdelar, och som är försedda med något av följande:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Strömomkoppling i digitala kretsar med användning av "supraledande" grindar och där produkten av grindfördröjningstiden per grind (i sekunder) och effektförlusten per grind (i watt) är mindre än 10–14J.
High energy devices as follows:
Högenergienheter enligt följande:
’Cells’ as follows:
’Celler’ enligt följande:
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
’Primärceller’ som har en ’energitäthet’ som överstiger 550 Wh/kg vid 20 °C.
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
’Sekundärceller’ som har en ’energitäthet’ som överstiger 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
I avsnitt 3A001.e.1 beräknas ’energitäthet’ (Wh/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den nominella kapaciteten i amperetimmar (Ah) dividerat med massan i kg.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
I avsnitt 3A001.e.1 definieras ’cell’ som en elektrokemisk enhet som har positiva och negativa elektroder och elektrolyt samt är en källa till elektrisk energi.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
I avsnitt 3A001.e.1.a definieras ’primärcell’ som en ’cell’ som inte är avsedd att laddas genom någon annan källa.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
I avsnitt 3A001.e.1.b definieras ’sekundärcell’ som en ’cell’ som är avsedd att laddas genom en extern elektrisk källa.
High energy storage capacitors as follows:
Högenergikondensatorer enligt följande:
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som understiger 10 Hz (enkelpulskondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som är lika med eller överstiger 10 Hz (repetitionsspecificerade kondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
"Supraledande" elektromagneter eller solenoider, speciellt konstruerade för att kunna helt laddas eller urladdas på mindre än 1 sekund och som har samtliga följande egenskaper:
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Solceller, CIC-hopsättningar (cell-interconnect-coverglass), solpaneler och solmoduler som är "rymdkvalificerade" och har en minsta genomsnittlig verkningsgrad som överstiger 20 % vid en driftstemperatur på 301 K (28 °C) under simulerad ’AM0’-belysning med en irradians på 1,367 watt per kvadratmeter (W/m2).
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Roterande kodare som anger positionens absolutvärde med en noggrannhet som är mindre (bättre) än ±1,0 bågsekunder.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Pulsade effektomriktande halvledartyristorenheter och ’tyristormoduler’ som använder elektriskt eller optiskt styrda eller elektronstrålestyrda omriktningsmetoder och som har någon av följande egenskaper:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 30000 A/μs och en spänning i avstängt tillstånd som överstiger 1100 V.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 2000 A/μs och som har följande egenskaper:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
En toppspänning i avstängt tillstånd som är minst 3000 V.
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
En toppström (strömstöt) som är minst 3000 A.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Kiselstyrda likriktare (SRC).
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
ET-tyristorer (Electrical Triggering Thyristors)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
LT-tyristorer (Light Triggering Thyristors)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
IGC-tyristorer (Integrated Gate Commutated Thyristors)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors)
Solidtrons
Solidtroner
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Effektomriktande halvledare, dioder eller ’moduler’ som har samtliga följande egenskaper:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
Specificerade för en maximal gränsskiktstemperatur vid drift som överstiger 488 K (215 °C).
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
En repetitiv toppspänning i frånläge (blockeringsspänning) som överstiger 300 V.
Continuous current greater than 1 A.
En kontinuerlig strömstyrka som överstiger 1 A.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Anm. 1:I avsnitt 3A001.h inbegriper repetitiv toppspänning i frånläge drain till source-spänning, collector till emitter-spänning, repetitiv toppbackspänning och repetitiv toppblockeringsspänning i frånläge.
Note 2:3A001.h. includes:
Anm. 2:Avsnitt 3A001.h omfattar följande:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
JFE-transistorer (Junction Field Effect Transistors)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
VJFE-transistorer (Vertical Junction Field Effect Transistors)
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
MOSFE-transistorer (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
DMOSFE-transistorer (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGB-transistorer (Insulated Gate Bipolar Transistors)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
HEM-transistorer (High Electron Mobility Transistors)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
BJ-transistorer (Bipolar Junction Transistors)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Tyristorer och kiselstyrda likriktare (SRC)
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
ETO-tyristorer (Emitter Turn-off Thyristors)
PiN Diodes
PiN-dioder
Schottky Diodes
Schottkydioder
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Anm. 3:Avsnitt 3A001.h omfattar inte effektomriktare, dioder eller ’moduler’ som ingår i utrustning som är utformad för civila motorfordonstillämpningar, civila järnvägstillämpningar eller "civila luftfartygs"-tillämpningar.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
En ’modul’ i avsnitt 3A001.h innehåller en eller flera effektomriktande halvledare eller dioder.
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Följande inspelningsutrustning samt till dessa utrustningar speciellt konstruerade testband:
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
ett tidsförskjutnings(bas)-fel, mätt enligt tillämpliga IRIG- eller EIA-dokument, som är mindre än ±0,1 μs.
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Anm.:Analoga magnetiska bandspelare speciellt konstruerade för civilt bruk ska inte betraktas som instrumentbandspelare.
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
Digitala magnetiska videobandspelare som har en maximal digital överföringshastighet som överstiger 360 Mbit/s.
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
Digitala magnetiska instrumentdatabandspelare som har fast eller roterande huvud och som har någon av följande egenskaper:
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
En maximal digital interfaceöverföringshastighet som överstiger 175 Mbit/s, eller
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Utrustning med en maximal digital interfaceöverföringshastighet som överstiger 175 Mbit/s, och som är konstruerad för att omvandla digitala magnetiska videobandspelare till digitala instrumentdatabandspelare.
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
Utrustning för digitalisering av vågformer samt utrustning för registrering av transienter (transient recorders), med följande egenskaper:
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
en ’kontinuerlig kapacitet’ på 2 Gbit/s eller mer.
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
För sådana instrument, som är uppbyggda med en parallell bussarkitektur, är den ’kontinuerliga kapaciteten’ lika med högsta ordhastigheten multiplicerat med antalet bitar i ordet.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Kontinuerlig kapacitet’ är den högsta datahastigheten som instrumentet kontinuerligt kan förse ett massminne med information utan att någon information går förlorad med bibehållen samplingsfrekvens och analog-till-digital konvertering.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
Digital instrumentdataupptagningsutrustning som använder teknik för lagring av data på magnetskivor och har båda följande egenskaper:
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
en ’kontinuerlig kapacitet’ på 1 Gbit/s eller mer.
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Anm.:Kontrollstatusen för "signalanalysatorer", signalgeneratorer, nätverksanalysatorer och testmottagare för mikrovåg som självständiga instrument bestäms av avsnitt 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e respektive 3A002.f.
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
Radiofrekvens-"signalanalysatorer" enligt följande:
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Signalanalysatorer" som kan analysera frekvenser över 31,8 GHz men som inte överstiger 37,5 GHz och som har en upplösningsbandbredd (RBW) på 3 decibel som överstiger 10 MHz.
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
"Signalanalysatorer" som kan analysera frekvenser över 43,5 GHz.
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
Signalgeneratorer där utgångssignalen genereras genom frekvenssyntes, där noggrannheten, kort- och långtidsstabiliteten kontrolleras från, avleds från eller korrigeras av en intern masterreferensoscillator och som har någon av följande egenskaper:
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
En maximal syntetiskt erhållen frekvens som överstiger 31,8 GHz men inte 43,5 GHz, och som är specificerade för att alstra en ’pulslängd’ på mindre än 100 ns.
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
En "tid för att byta frekvens" från en vald frekvens till en annan enligt något av följande:
Less than 312 ps;
Mindre än 312 ps.
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
Mindre än 100 μs för ett frekvensbyte som överstiger 1,6 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 3,2 GHz men inte 10,6 GHz.
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
Mindre än 250 μs för ett frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 10,6 GHz men inte 31,8 GHz.
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
Mindre än 500 μs för ett frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 31,8 GHz men inte 43,5 GHz.
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
Mindre än 1 ms inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 43,5 GHz.
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
En maximal syntetiskt erhållen frekvens som överstiger 3,2 GHz och som har båda följande egenskaper:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(126 + 20log10F – 20log10f) för 10 Hz < F < 10 kHz.
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(114 + 20log10F – 20log10f) för 10 kHz ≤ F < 500 kHz.
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
I avsnitt 3A002.d.4 är F frekvensförskjutningen från arbetsfrekvensen i Hz och f är arbetsfrekvensen i MHz.
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Anm. 1:I avsnitt 3A002.d inkluderar signalgeneratorer där utgångssignalen genereras genom frekvenssyntes även godtyckliga vågforms- och funktionsgeneratorer.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Anm. 2:Avsnitt 3A002.d omfattar inte utrustningar där utgångsfrekvensen produceras antingen genom addition eller subtraktion av två eller flera frekvenser från kristalloscillatorer eller genom en addition eller subtraktion följd av en multiplikation av resultatet.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Godtyckliga vågforms- och funktionsgeneratorer specificeras normalt genom samplingshastigheten (t.ex. Gsampling/s), som omvandlas till radiofrekvensområdet genom Nyquistfaktorn två.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
En godtycklig vågform på 1 Gsampling/s har således en direkt utgångskapacitet på 500 MHz.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
När översampling används är den direkta utgångskapaciteten emellertid proportionellt lägre.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Med ’pulslängd’ avses i avsnitt 3A002.d.1 den tid som förflyter mellan det att pulsens framkant uppnår 90 % av toppeffekten och dess bakkant uppnår 10 % av toppeffekten.
Atomic frequency standards being any of the following:
Atomfrekvensstandarder som har någon av följande egenskaper:
"Space-qualified";
Är "rymdkvalificerad".
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
Icke-rubidium och med en långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 10–11/månad.
Non-"space-qualified" and having all of the following:
Icke-"rymdkvalificerade" och med följande egenskaper:
Being a rubidium standard;
En rubidiumstandard.
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
Långtidsstabilitet som är mindre (bättre) än 1 × 10–11/månad.
Total power consumption of less than 1 W.
En total effektförbrukning som understiger 1 W.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
Analog-till-digitalomvandlare, användbara i "missiler", konstruerade för att uppfylla militära krav för miljötålig utrustning.
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Radiografisk utrustning (acceleratorer) i stånd att alstra elektromagnetisk strålning framkallad av bromsstrålning från accelererade elektroner på 2 MeV eller mer, samt system som innehåller denna radiografiska utrustning (accelerators).
Capacitance greater than 0,5 µF; and
kapacitans större än 0,5 µF, och
Capacitance greater than 0,25 µF; and
kapacitans större än 0,25 µF, och
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Anm.:Avsnitt 3A201.b omfattar inte magneter som är särskilt utformade för och exporterade ’som del av’ bildsystem för medicinsk tillämpning baserade på kärnspinnresonans (NMR).
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
Frasen ’som del av’ avser inte nödvändigtvis fysisk del av samma skeppning; separata skeppningar från olika källor är tillåtna, under förutsättning att ifrågavarande exportdokument tydligt anger att skeppningarna används ’som del av’ bildsystemen.
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
Röntgenblixtaggregat eller pulsade elektronacceleratorer som har någon av följande uppsättning egenskaper:
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
En toppenergi för de accelererade elektronerna om 500 keV eller mer men mindre än 25 MeV, och
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
ett ’godhetstal’ (K) lika med 0,25 eller mer, eller
A ’peak power’ greater than 50 MW.
en ’toppeffekt’ större än 50 MW.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Anm.:Avsnitt 3A201.c omfattar inte acceleratorer som ingår som delar i apparatur utformad för annat än användning av elektronstråle eller röntgenstrålning (t.ex. elektronmikroskop) och sådana som utformats för medicinska ändamål:
The ’figure of merit’ K is defined as:
’Godhetstalet’ (K) definieras som
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Om pulslängden i acceleratorstrålen är kortare än eller lika med 1 µs, då är Q den totala accelererade laddningen i coulomb.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Om strålens pulslängd är längre än 1 µs då är Q den maximala accelererade laddningen på 1 µs.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q är lika med integralen av i med avseende på t, över den tidslängd som är kortast av 1 µs eller tidslängden av pulsen (Q = ∫ idt) där i är strålströmmen i ampere och t tiden i sekunder.
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
Toppeffekt = (toppspänning i volt) x (toppström i ampere).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
I maskiner baserade på accelerations-kaviteter för mikrovågor är pulsens tidsutsträckning det mindre av 1 µs och längden av det sammanpressade (bunchade) vågpaketets varaktighet genererad av en modulatorpuls.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Frekvensomvandlare eller generatorer, andra än de som omfattas av avsnitt 0B001.b.13, som uppfyller samtliga följande villkor: