natgillin/translations-raw huggingface dataset:
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Med glas med låg expansion avses glas med en termisk expansionskoefficient på högst 1 × 10–7 K-1 mätt vid 293 K (20° C).
Table — Deposition techniques — Technical note
Tabell – Ytbeläggningstekniker – Tekniska anmärkningar
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Anm. 1:CVD omfattar följande processer: beläggning med ett gasflöde out-of-pack-beläggning, pulserande CVD, styrd termisk kärnbildande nedbrytningsprocess (CNTD), plasmaförstärkta eller plasmaassisterade CVD-processer.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Anm. 2:Med pack menas ett substrat som är inbakat i en pulverblandning.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Anm. 3:De reaktansgaser som används i en out-of-pack-process produceras med hjälp av samma basreaktioner och parametrar som pack cementation-processen, med undantag av att substratet som ska beläggas inte är i kontakt med pulverblandningen.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Specifika TE-PVD processer är följande:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Elektronstråle-PVD använder en elektronstråle för att upphetta och förånga det material som ska bilda beläggningen.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Laserförångning använder antingen pulsade eller kontinuerliga laservågor för att förånga det material som ska bilda beläggning.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Katodstrålebeläggning arbetar med en katod av det material som ska bilda beläggning, varvid katoden förbrukas, och vid katoden uppstår en gnisturladdning på ytan genom en kortvarig jordkontakt med hjälp av en trigger.
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Anm.:Denna definition omfattar inte slumpmässig katodstrålebeläggning utan förspänt substrat.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Jonplätering är en speciell modifikation av den vanliga TE-PVD-processen, varvid ett plasma eller en jonkälla används för att jonisera de ämnen som ska användas för beläggning, och en negativ förspänning läggs på substratet för att underlätta extraktionen av de ämnen som ska deponeras från plasman.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
metallpulver som ska utgöra beläggningen (vanligtvis aluminium, krom, kisel eller kombinationer av dessa),
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Anm. 1:Med lågtryck avses lägre tryck än omgivande atmosfärtryck.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Anm. 2:Med höghastighet avses en gashastighet vid sprutmunstycket som överskrider 750 m/s beräknat vid 293 K (20 °C) och 0,1 MPa.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Anm. 1:Tabellen hänvisar endast till triod-, magnetron- eller reaktiv sputteringbeläggning som används för att öka vidhäftningen av beläggningen samt radiofrekvent (RF)-förstärkt sputteringbeläggning som används för att tillåta förångning i icke metalliska beläggningsmaterial.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Anm. 2:Lågenergijonstrålar (mindre än 5 keV) kan användas för att aktivera beläggningen.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Jonimplantation är en ytförändringsbeläggningsprocess i vilken det ämne som ska legeras joniseras, accelereras genom en potentialgradient och förs in till ytregionen för substratet.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Anm. 1:Kontrollstatusen för den utrustning och de komponenter som beskrivs i avsnitten 3A001 eller 3A002, förutom för de som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 eller 3A001.a.12, och som är speciellt konstruerade för eller som har samma funktionella egenskaper som annan utrustning, bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Anm. 2:Kontrollstatusen för de integrerade kretsar som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 eller 3A001.a.12, och som är icke föränderligt programmerade till eller konstruerade för en speciell funktion för en annan utrustning bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
ANM.:Om en tillverkare eller sökande inte kan avgöra den andra utrustningens kontrollstatus, bestäms de integrerade kretsarnas kontrollstatus av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 och 3A001.a.12.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Anm. 1:Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt någon av följande parametrar:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar", mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till digital omvandlare, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller "optiska integrerade kretsar" för "signalbehandling", fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Fast Fourier-transformation (FFT), elektriskt raderbara PROM-minnen (EEPROM), flash-minnen eller statiska RAM (SRAM) med någon av följande egenskaper:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Specificerade för drift i omgivningstemperaturer över 398 K (125 °C).
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Specificerade för drift i omgivningstemperaturer under 218 K (–55 °C).
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
Specificerade för drift i omgivningstemperaturer inkluderande hela intervallet från 218 K (–55 °C) till och med 398 K (125 °C).
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Anm.:Avsnitt 3A001.a.2 gäller inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil- eller tågapplikationer.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
"Mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar" och mikrocontroller-mikrokretsar tillverkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger 40 MHz.
ALSO 3A101
ANM.:SE ÄVEN AVSNITT 3A101.
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
en upplösning på 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 105 miljoner ord per sekund,
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
en upplösning på mer än 12 bitar, men högst 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 10 miljoner ord per sekund, eller
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
en upplösning på mer än 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 2,5 miljoner ord per sekund.
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Digital-till-analog-omvandlare med en upplösning på 12 bitar eller mer och en "inställningstid" som är kortare än 10 ns.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Elektro-optiska eller "optiska integrerade kretsar" för "signalbehandling" som har alla följande egenskaper:
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
’Fältprogrammerbara logiska komponenter’ med något av följande:
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Det maximala antalet digitala inmatningar/utmatningar överstiger 200.
A system gate count of greater than 230000;
Antalet systemgrindar överstiger 230000.
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
’Fältprogrammerbara logiska komponenter’ betecknas även fältprogrammerbara grindmatriser eller fältprogrammerbara logiska matriser.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Det maximala antalet digitala inmatningar/utmatningar i avsnitt 3A001.a.7.a betecknas också det maximala antalet inmatningar/utmatningar för användaren eller det maximala antalet tillgängliga inmatningar/utmatningar, oavsett om den integrerade kretsen är inkapslad eller ej.
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kretstillverkaren saknar uppgift om kontrollstatusen hos den utrustning där kretsarna ska ingå och där något av följande villkor är uppfyllt:
More than 1500 terminals;
Fler än 1500 anslutningar,
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
den "typiska grindfördröjningstiden" är kortare än 0,02 ns, eller
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Processorer för Fast Fourier Transform (FFT) och som har en specificerad verkställighetstid som är mindre än (N log2 N)/20480 ms för en N-punkters komplex FFT, där N är antalet punkter.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
När N är lika med 1024 punkter ger formeln i 3A001.a.12 en verkställighetstid på 500 µs.
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Anm. 1:Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte sådana rör som är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband och som uppfyller följande:
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Anm. 2:Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte icke-"rymdkvalificerade" rör som uppfyller följande:
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
de är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband som har alla följande egenskaper:
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Rör som kan arbeta vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz.
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Rör som har en katodupphettning som möjliggör full högfrekvensdrift på kortare tid än 3 s efter tillslag.
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Rör som har kopplade kaviteter eller är utvecklingar av sådana rör med en "relativ bandbredd" som är större än 7 % eller en toppeffekt som överskrider 2,5 kW.
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Helix-rör, eller utvecklingar av dessa, som uppfyller något av följande:
Being "space-qualified";
som är "rymdkvalificerade".
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Effektförstärkare för ’monolitiska integrerade kretsar’ som arbetar inom mikrovågsområdet (MMIC-effektförstärkare) som uppfyller något av följande:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 4W (36 dBm) och med en "relativ bandbredd" som överstiger 15 %.
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 16 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 1W (30 dBm) och med en "relativ bandbredd" som överstiger 10 %.
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 16 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 0,8W (29 dBm) och med en "relativ bandbredd" som överstiger 10 %.
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 0,25W (24 dBm) och med en "relativ bandbredd" som överstiger 10 %.
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 43,5 GHz.
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm. 2:Kontrollstatusen för MMIC vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.2.a–3A001.b.2.f, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm.:Kontrollstatusen för transistorer vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och mikrovågsutrustningar/moduler som innehåller halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare, med någon av följande egenskaper:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 60W (47,8 dBm) och med en "relativ bandbredd" som överstiger 15 %.
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 15W (42 dBm) och med en "relativ bandbredd" som överstiger 10 %.
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 1W (30 dBm) och med en "relativ bandbredd" som överstiger 10 %.
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz och uppfyller samtliga av följande villkor:
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
De har en genomsnittligt utgångseffekt (i watt), P, större än 150 dividerat med en maximal arbetsfrekvens (i GHz) i kvadrat [P>150 W*GHz2/f GHz2].
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
De har en "relativ bandbredd" på 5 % eller mer.
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
Två av sidorna är vinkelräta med en längd, d, (i cm) som är lika med eller mindre än 15 dividerat med den lägsta arbetsfrekvensen i GHz [d ≤ 15 cm × GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
3,2 GHz bör användas som den lägsta arbetsfrekvensen (fGHz) i formeln i avsnitt 3A001.b.4.f.3 för förstärkare som har en specificerad arbetsfrekvens som sträcker sig ner till 3,2 GHz och lägre [d ≤ 15 cm × GHz/3,2 GHz].
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm. 2:Kontrollstatusen för en produkt vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Elektroniskt eller magnetiskt avstämbara bandpass- eller bandstoppfilter, som har mer än 5 avstämbara resonatorer och som kan avstämmas inom ett frekvensband fmax/fmin = 1,5:1 på mindre än 10 μs, och som har något av följande:
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Omvandlare och harmoniska blandare som är konstruerade för att utöka frekvensområdet för utrustning som beskrivs i avsnitt 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e eller 3A002.f utanför vad som stadgas i dessa avsnitt.
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Effektförstärkare för mikrovåg som innehåller rör som omfattas av avsnitt 3A001.b.1 och som har alla följande egenskaper:
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
ett genomsnittligt förhållande mellan effekttäthet och massa som överstiger 80 W/kg, och
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Effektmoduler för mikrovåg (MPM) som består av åtminstone ett vandringsvågrör, en "monolitisk integrerad krets" för mikrovåg och en integrerad elektronisk effektkonditionerare och som har följande egenskaper:
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
En ’tillslagstid’ från avstängd till full drift som är mindre än 10 sekunder,
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
En volym som understiger den maximala specificerade effekten i W multiplicerad med 10 cm3/W, och
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
För frekvenser som är högst 18 GHz, en utgångseffekt i radiofrekvensområdet som överstiger 100 W, eller
A frequency greater than 18 GHz;
en frekvens som överstiger 18 GHz.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
För beräkning av volymen i avsnitt 3A001.b.9.b ges följande exempel: För en maximal specificerad effekt på 20 W blir volymen 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
’Tillslagstiden’ i avsnitt 3A001.b.9.a avser tiden från helt avstängd till full drift, dvs. inklusive uppvärmningstiden för MPM.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Oscillatorer eller sammansättningar av oscillatorer som konstruerats för att användas med båda följande egenskaper:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(126 + 20log10F – 20log10f) för 10 Hz < F < 10 kHz.
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än -(114 + 20log10F – 20log10f) för 10 kHz ≤ F < 500 kHz.
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
I avsnitt 3A001.b.10 är F frekvensförskjutningen från arbetsfrekvensen i Hz och f är arbetsfrekvensen i MHz.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Anordningar för akustiska vågor, enligt följande, och speciellt konstruerade komponenter till dessa:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Anordningar för akustiska ytvågor samt för akustiska vågor nära ytan (shallow bulk) som har någon av följande egenskaper:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
Bärfrekvensen överstiger 6 GHz.