natgillin/translations-raw huggingface dataset:
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Likströmsaggregat med hög effekt, andra än de som omfattas av avsnitt 0B001.j.6, och som uppfyller följande båda villkor:
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Högspänning-likströmsaggregat, andra än de som omfattas av avsnitt 0B001.j.5, och som uppfyller följande båda villkor:
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Kallkatodrör, oavsett om de är gasfyllda eller ej, vilka fungerar på liknande sätt som gnistgap, och uppfyller samtliga följande krav:
Anode delay time of 10 µs or less;
anodens fördröjning är högst 10 µs.
An anode delay time of 15 µs or less; and
En anodfördröjning om 15 µs eller mindre, och
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
Moduler eller delsystem med en snabb slutarfunktion, andra än de som omfattas av avsnitt 3A001.g, som uppfyller samtliga följande krav:
Turn-on time of 1 µs or less.
tillslagstiden är 1 µs eller mindre.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Anm.Se avsnitt 1A007.a för tändaggregat.
Enclosed in a dust-tight enclosure;
Inneslutna i en dammtät behållare.
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
Kapabla att leverera sin energi på mindre än 15 µs.
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
Har en ’stigtid’ som är kortare än 10 µs vid lägre belastning än 40 Ω.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Specificerad för användning i ett brett temperaturområde 223 K (–50 °C) till 373 K (100 °C) eller specificerad som lämplig för rymdanvändning.
’rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
I avsnitt 3A229.b definieras ’stigtid’ som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av strömamplituden när generatorn driver en resistiv last.
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
en ’stigtid för pulsen’ som är kortare än 500 ps.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
I avsnitt 3A230 definieras ’stigtid för pulsen’ som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av spänningsamplituden.
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
ANM.:Se avsnitt 1A007.b för sprängkapslar.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
Anordningar som, utlösta av en enda puls, använder en eller flera sprängkapslar i syfte att nästan samtidigt initiera detonation i en sprängämnesyta över en area större än 5000 mm2 med en spridning i tändtid över hela ytan som är mindre än 2,5 µs.
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Masspektrometrar med jonkälla som använder indirekt upphettning (electron bombardment) och med en jonisationskammare tillverkad av, fodrad eller klädd med material som är resistenta mot UF6 (uranhexafluorid).
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
med en jonisationskammare gjord av, fodrad eller klädd med rostfritt stål eller molybden och som är försedd med en kylfälla för 193 K (–80 °C) eller lägre, eller
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Utrustning för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar speciellt konstruerade komponenter och tillbehör:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Utrustning för epitaxiell tillväxt enligt följande:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Utrustning som kan producera ett lager av ett annat material än kisel med en jämnhetsavvikelse mindre än ±2,5 % över en sträcka av minst 75 mm.
Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Anm.:Avsnitt 3B001.a.1 omfattar utrustning för atomskiktsepitaxi (ALE).
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Metallorganiska kemiska förångningsreaktorer (MOCVD) speciellt konstruerade för att ge kristalltillväxt av halvledarblandningar genom kemisk reaktion mellan material enligt avsnitt 3C003 eller 3C004.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Utrustning för jonimplantation som har någon av följande egenskaper:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
En strålenergi (accelerationsspänning) som överstiger 1 MeV,
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
Utrustning för torr anisotropisk plasmaetsning där:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
den är speciellt konstruerad för att optimalt kunna producera kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre med ±5 % 3 sigmaprecision, eller
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
den är speciellt konstruerad för att generera mindre än 0,04 partiklar/cm2 med en mätbar partikelstorlek som är större än 0,1 µm i diameter.
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Utrustning för plasmaförstärkt kemisk förångningsdeposition (CVD) enligt följande:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning som anges i avsnitt 3B001.e och konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Automatiskt laddningssystem för flera kammare för tillverkning av halvledare med alla följande egenskaper:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Systemet ska ha gränssnitt för såväl in- som utgång för wafers och utrustningen ska vara sådan att minst två processteg är anslutna i ett integrerat system, och
Lithography equipment as follows:
Litografisk utrustning med egenskaper enligt följande:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet ("step and repeat", direkt "step on wafer") eller scanner ("step and scan") som använder röntgen eller foto-optiska metoder, och som har någon av följande egenskaper:
Capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature size’ of 180 nm or less;
kan producera ett mönster med en ’minsta upplösning för systemdimensionen’ på 180 nm eller mindre.
The ’minimum resolvable feature size’ is calculated by the following formula:
Den ’minsta upplösningen för systemdimensionen’ beräknas med följande formel:
MRF = an exposure light source wavelength in nm
MRF = ljuskällansvåglängd i nm
MRF = ’minimum resolvable feature size’
MRF är minsta upplösningen för systemdimensionen.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 180 nm eller mindre.
Micro contact printing tools
Verktyg för mikrokontakttryck.
Hot embossing tools
Verktyg för värmeprägling.
Nano-imprint lithography tools
Verktyg för nanopräglingslitografi.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
S-FIL-verktyg (step and flash imprint lithography).
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Den använder avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller "laser"strålar, och
A spot size smaller than 0,2 µm;
En strålpunkt som är mindre än 0,2 μm.
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
Förmåga att producera mönster med en karaktäristisk ledningsbredd som är mindre än 1 μm.
An overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
En passningsnoggrannhet som är bättre än ±0,20 μm (3 sigma).
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Masker eller mastermasker som är avsedda för tillverkning av integrerade kretsar enligt avsnitt 3A001.
Multi-layer masks with a phase shift layer;
Flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Provutrustning som är speciellt konstruerad för provning av färdiga halvledarenheter eller halvfabrikat enligt följande, samt tillhörande komponenter och tillbehör:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaxiella material som består av ett "substrat" med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipelskikt av något av följande:
"III/V compounds" of gallium or indium.
"III/V-föreningar" av gallium eller indium.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Resistmaterial enligt följande, och "substrat" belagda med följande resistmaterial:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Positiva resistmaterial som är utformade för halvledarlitografi och speciellt justerade (optimerade) för våglängder under 245 nm.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;
Alla resistmaterial som är avsedda att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar och vars känslighet är 0,01 µC/mm2 eller bättre.
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Alla resistmaterial som är avsedda att användas tillsammans med röntgenstrålar och som har en känslighet som är 2,5 mJ/mm2 eller bättre.
All resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists;
Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker inklusive ’silylated’ resistmaterial.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Med ’silylated’-teknik avses processer som innebär att resistmaterialet oxideras på ytan för att förstärka effekten av såväl torr som våt framkallning.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Alla resistmaterial som är utformade eller optimerade för att användas tillsammans med litografisk präglingsutrustning som omfattas av avsnitt 3B001.f.2 och som använder antingen en värmeprocess eller en photo-curable-process.
Organo-inorganic compounds as follows:
Organiska-oorganiska blandningar enligt följande:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Metallorganiska blandningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 %.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Organiska blandningar med antimon, arsenik eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 %.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
"Substrat" av kiselkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), eller tackor, halvrunda stycken eller andra förformer av dessa material, med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm vid 20 °C.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
"Substrat" som omfattas av avsnitt 3C005 med minst ett epitaxiellt lager av kiselkarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller alluminiumgalliumnitrid.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
"Programvara" som är speciellt utformad för "användning" av utrustning som omfattas av avsnitt 3B001.a–3B001.f eller 3B002.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
’Fysikbaserad’ simulerings "programvara" speciellt konstruerad för "utveckling" av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads (depositions) -processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar-, dielektriska eller halvledarlagren.
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Med ’fysikbaserad’ avses i avsnitt 3.D.003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Anm.:Bibliotek, konstruktionsanvisningar eller liknande data för konstruktion av halvledarenheter eller integrerade kretsar ska betraktas som "teknik".
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Anm. 2:Avsnitt 3E001 omfattar inte "teknik" för "utveckling" eller "produktion" av integrerade kretsar som omfattas av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.12 som har båda följande egenskaper:
Using "technology" of 0,5 µm or more; and
Som använder en "teknik" för 0,5 µm eller mer, och
Not incorporating ’multi-layer structures’.
som inte har ’strukturer i flera lager’.
’Multi-layer structures’ do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
’Strukturer i flera lager’ omfattar inte utrustningar med högst tre metallager och tre polykisellager.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen om teknik, som inte omfattas av avsnitt 3E001, för "utveckling" eller "produktion" av "mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar" och mikrokretsar för mikrostyrsystem med en aritmetisk logisk enhet som kan hantera minst 32 bitar och som har någon av följande egenskaper:
A ’vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
En ’vektorprocessorenhet’ som är utformad för att utföra mer än två beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt.
A ’vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
En ’vektorprocessorenhet’ är ett processorelement med inbyggda instruktioner som utför multipla beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt, och som har minst en aritmetisk logisk vektorenhet.
Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Utformad för att utföra mer än två 64-bitars eller större flyttalsoperationsresultat per cykel, eller
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Utformad för att utföra mer än fyra 16-bitars ackumulerade fasttalsmultiplikationsresultat per cykel (t.ex. digital manipulering av analog information som tidigare omvandlats till digital form, även känd som digital "signalbehandling").
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Anm.:Avsnitt 3E002.c omfattar inte "teknik" för multimediaanslutningar.
Using "technology" at or above 0,130 µm; and
Använder "teknik" på eller över 0,130 μm.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Innehåller strukturer i flera lager med högst fem metallager.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Annan "teknik" för "utveckling" eller "produktion" av följande:
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Anm.:Avsnitt 3E003.b omfattar inte "teknik" för transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.
"Superconductive" electronic devices;
"Supraledande" elektroniska element.
Substrates of films of diamond for electronic components.
Filmsubstrat av diamant för elektroniska kretsar.
Note 1:Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Anm. 1:Datorer, kringutrustning och "programvara" som utför telekommunikations- eller "lokala nät"-funktioner ska också utvärderas i förhållande till prestandaegenskaper i kategori 5, del 1 (telekommunikation).
Note 2:Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Anm. 2:Styrenheter som direkt kopplar samman bussar eller kanaler i datorers centralenheter, styrenheter för "huvudminne" eller skivminne ska inte betraktas som telekommunikationsutrustning enligt kategori 5, del 1 (telekommunikation).
N.B.:For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
ANM.:När det gäller kontrollstatus för "programvara", särskilt konstruerad för paketväxlar, se avsnitt 5D001.
Note 3:Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Anm. 3:För datorer, kringutrustning eller "programvara" som utför kryptografi, kryptoanalys, certifierbar säkerhet i flera nivåer eller certifierbar användarisolering, eller som begränsar den elektromagnetiska kompatibiliteten (EMC), ska också utvärderas i förhållande till prestandakarakteristika i kategori 5, del 2 ("informationssäkerhet").
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektroniska datorer och därmed sammanhörande utrustning, med någon av följande egenskaper, och "elektroniska sammansättningar", och speciellt konstruerade komponenter till dessa:
Specially designed to have any of the following:
Speciellt konstruerade för att ha någon av följande egenskaper:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
Specificerade för att arbeta vid omgivande temperaturer under 228 K (–45 °C) eller över 358 K (85 °C).
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
Total strålningsdos 5 × 103 Gy (Si),
Single Event Upset 1 × 10-7 Error/bit/day;
enstaka fel på grund av strålning ej överstigande 1 × 10–7 fel/bit/dag.
Note:4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user’s personal use.
Anm.:Avsnitt 4A001.b omfattar inte datorer och kringutrustning till dessa som åtföljer användaren för dennes personliga bruk.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
"Digitala datorer", "elektroniska sammansättningar" och därmed sammanhörande utrustning, enligt följande, och specialkonstruerade komponenter därtill.
’Vector processors’;
’Vektorprocessorer’.
Note 2:The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Anm. 2:Kontrollstatus för "digitala datorer" och därmed sammanhörande utrustning enligt beskrivningen i avsnitt 4A003 bestäms av kontrollstatus för annan utrustning eller andra system, under förutsättning att
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
de"digitala datorerna"eller den därmed sammanhörande utrustningen inte är en"huvudbeståndsdel"i den andra utrustningen eller de andra systemen, och
1:The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
ANM. 1:Kontrollstatus för "signalbehandlings"- eller "bildbehandlings"-utrustning särskilt konstruerad för en annan utrustning med funktioner, som är begränsade till dem, som krävs för den andra utrustningen, ska bestämmas av kontrollstatus för den andra utrustningen även om den överskrider värdena för "huvudbeståndsdelen".
2:For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
ANM. 2:När det gäller kontrollstatus för "digitala datorer" eller därmed tillhörande utrustning för telekommunikation, se kategori 5, del 1 (telekommunikation).
Note:For the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Anm.:När det gäller avsnitt 4A003.a betraktas inte "digitala datorer" och tillhörande utrustning som konstruerade eller modifierade för "feltolerans", om de använder något av följande:
The interconnection of two central processing units by data channels or by using shared storage to permit one central processing unit to perform other work until the second central processing unit fails, at which time the first central processing unit takes over in order to continue the system's functioning; or
Hopkoppling av två centralenheter med datakanaler eller genom användning av delat minne så att de kan arbeta på ett sådant sätt att en central enhet utför annat arbete fram till dess att den andra centralenheten får fel, varvid den första centralenheten tar över så att systemet kan fortsätta att fungera, eller