natgillin/translations-raw huggingface dataset:
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
De är specificerade för frekvenser som överstiger 31,8 GHz, men inte 37,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 0,5 W (27 dBm).
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 1 W (30 dBm); eller.
Note:the control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm.:Kontrollstatusen för transistorer vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave amplifiers having any of the following:
Halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och mikrovågsutrustningar/moduler innehållande mikrovågsförstärkare som uppfyller något av följande villkor:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 60 W (47,8 dBm) och med en "fraktionerad bandbredd" som överstiger 15 %.
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 15 W (42 dBm) och med en "fraktionerad bandbredd" som överstiger 10 %.
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 1 W (30 dBm) och med en "fraktionerad bandbredd" som överstiger 10 %.
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
De är specificerade för frekvenser som överstiger 43,5 GHz; eller
rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz och uppfyller samtliga av följande villkor:
an average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
De har en genomsnittligt utgångseffekt (i watt), P, större än 150 dividerat med en maximal arbetsfrekvens (i GHz) i kvadrat [P>150 W*GHz2/fGHz2];
a fractional bandwidth of 5 % or greater; and
De har en fraktionerad bandbredd på 5 % eller mer; och
any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].
Två av sidorna är vinkelräta med en längd, d, (i cm) som är lika med eller mindre än 15 dividerat med den lägsta arbetsfrekvensen i GHz [d≤15 cm*GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
3,2 GHz bör användas som den lägsta arbetsfrekvensen (fGHz) i formeln i avsnitt 3A001.b.4.f.3 för förstärkare som har en specificerad arbetsfrekvens som sträcker sig ner till 3,2 GHz och lägre [d≤15 cm*GHz/3,2 GHz].
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
ANM.:MMIC-effektförstärkare skall bedömas mot bakgrund av kriterierna i avsnitt 3A001.b.2.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Anm. 1:Avsnitt 3A001.b.4 omfattar inte satellitrundradioutrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensområdet 40,5 till 42,5 GHz.
Note 2:the control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm. 2:Kontrollstatusen för en produkt vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs having any of the following:
Elektroniskt eller magnetiskt avstämbara bandpass- eller bandstoppfilter, som har mer än 5 avstämbara resonatorer och som kan avstämmas inom ett frekvensband fmax/fmin= 1,5:1 på mindre än 10 μs, och som har något av följande:
a band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
En bandbredd på mer än 0,5 % av mittfrekvensen för bandpassfiltret, eller
a band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
en bandbredd på mindre än 0,5 % av mittfrekvensen för bandstoppfiltret.
mixers and converters designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Blandare och omvandlare som är konstruerade för att utöka frekvensområdet för utrustning som beskrivs i avsnitten 3A002.c, 3A002.e eller 3A002.f utanför vad som stadgas i dessa avsnitt.
microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b. and having all of the following:
Effektförstärkare för mikrovåg som innehåller rör som omfattas av avsnitt 3A001.b och som har alla följande egenskaper:
operating frequencies above 3 GHz;
Arbetsfrekvensen är över 3 GHz,
an average output power density exceeding 80 W/kg; and
en genomsnittlig effekttäthet som överstiger 80 W/kg, och
a volume of less than 400 cm3;
en volym som är mindre än 400 cm3.
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Anm.:Avsnitt 3A001.b.8 omfattar inte utrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensband som är tilldelade av ITU för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning.
microwave power modules (MPM), consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave monolithic integrated circuit and an integrated electronic power conditioner, having all of the following characteristics:
Effektmoduler för mikrovåg (MPM) som består av åtminstone ett vandringsvågrör, en monolitisk integrerad krets för mikrovåg och en integrerad elektronisk effektkonditionerare och som har följande egenskaper:
a turn-on time from off to fully operational in less than 10 seconds;
En tillslagstid från avstängd till full drift som är mindre än 10 sekunder,
a volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
En volym som understiger den maximala specificerade effekten i W multiplicerad med 10 cm3/W, och
an "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax. > 2 fmin.) and any of the following:
En "effektbandbredd" som överstiger 1 oktav (fmax > 2fmin) och som har någon av följande egenskaper:
for frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
För frekvenser som är högst 18 GHz, en utgångseffekt i radiofrekvensområdet som överstiger 100 W, eller
having a frequency greater than 18 GHz.
som har en frekvens som överstiger 18 GHz.
to calculate the control volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
För beräkning av kontrollvolymen i avsnitt 3A001.b.9.b ges följande exempel: För en maximal specificerad effekt på 20 W blir volymen 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3.
the turn-on time in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational; i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
Tillslagstiden i avsnitt 3A001.b.9.a avser tiden från helt avstängd till full drift, dvs. inklusive uppvärmningstiden för MPM.
acoustic wave devices, as follows, and specially designed components therefor:
Anordningar för akustiska vågor, enligt följande, och därtill särskilt avsedda komponenter.
surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves in materials), having any of the following:
Anordningar för akustiska ytvågor samt för akustiska vågor nära ytan (shallow bulk) (t.ex. anordningar för "signalbehandling" som använder sig av elastiska vågor i materialet) och som har någon av följande egenskaper:
a carrier frequency exceeding 2,5 GHz;
Bärfrekvensen överstiger 2,5 GHz,
a carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 2,5 GHz, and having any of the following:
bärfrekvensen överstiger 1 GHz, men inte 2,5 GHz, och de har någon av följande egenskaper:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB;
Frekvensundertryckningen av sidloben överstiger 55 dB,
a product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i μs och bandbredd i MHz) överstiger 100,
a bandwidth greater than 250 MHz; or
bandbredden överstiger 250 MHz, eller
a dispersive delay of more than 10 μs; or
dispersionsfördröjningen är mer än 10 μs, eller
a carrier frequency of 1 GHz or less, having any of the following:
bärfrekvensen är 1 GHz eller lägre och den har någon av följande egenskaper:
a frequency side-lobe rejection exceeding 55 dB and a bandwidth greater than 50 MHz;
frekvensundertryckningen av sidloben överstiger 55 dB och bandbredden är större än 50 MHz,
bulk (volume) acoustic wave devices (i.e., "signal processing" devices employing elastic waves) which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 1 GHz;
Anordningar för s.k. bulk-vågor (dvs. anordningar för "signalbehandling" som använder elastiska vågor) som direkt kan behandla signaler med frekvenser som överstiger 1 GHz.
acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Akustisk-optiska anordningar för "signalbehandling" som medger ömsesidig påverkan mellan akustiska vågor (s.k. bulk-vågor eller ytvågor) och ljusvågor och som tillåter direkt signal- eller bildbehandling, inklusive spektralanalys, korrelation och convolution.
electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents, with any of the following:
Elektroniska enheter och kretsar som innehåller komponenter tillverkade av "supraledande" material speciellt konstruerade för drift vid temperaturer under den "kritiska temperaturen" för åtminstone en av dess "supraledande" beståndsdelar, försedda med något av följande:
current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
Strömomkoppling i digitala kretsar med användning av "supraledande" grindar och där produkten av grindfördröjningstiden per grind (i sekunder) och effektförlusten per grind (i watt) är mindre än 10– 14 J, eller
frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
frekvensval för alla frekvenser med användning av resonanskretsar med Q-värden som överstiger 10000.
high energy devices, as follows:
Högenergienheter enligt följande:
’cells’, as follows:
Celler, enligt följande:
’primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
’Primärceller’ som har en ’energitäthet’ som överstiger 550 Wh/kg vid 20 °C.
’secondary cells’ having 250 Wh/kg;
’Sekundärdeller’ som har en "energitäthet" som överstiger 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1., "energy density" (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere hours divided by the mass in kilograms.
I avsnitt 3A001.e.1 beräknas ’energitäthet’ (Wh/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den nominella kapaciteten i amperetimmar dividerat med massan i kg.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
Om den nominella kapaciteten inte är specificerad beräknas energitätheten utifrån den nominella spänningen i kvadrat multiplicerad med urladdningstiden i timmar dividerat med urladdningsbelastningen i ohm och massan i kg.
for the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, and electrolyte, and is a source of electrical energy.
I avsnitt 3A001.e.1 definieras ’cell’ som en elektrokemisk enhet som har positiva och negativa elektroder samt elektrolyt och är en källa till elektrisk energi.
It is the basic building block of a battery.
Den är grundkomponenten i ett batteri.
for the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
I avsnitt 3A001.e.1.a definieras ’primärcell’ som en ’cell’ som inte är avsedd att laddas genom någon annan källa.
for the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
I avsnitt 3A001.e.1.b definieras ’sekundärcell’ som en ’cell’ som är avsedd att laddas genom en extern elektrisk källa.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single cell batteries.
Anm.:Avsnitt 3A001.e.1 omfattar inte batterier, inbegripet batterier som består av en enda cell.
high energy storage capacitors, as follows:
Högenergikondensatorer enligt följande:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
ANM.:SE ÄVEN AVSNITT 3A201.a.
capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) having all of the following:
Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som understiger 10 Hz (enkelpulskondensatorer) med samtliga följande egenskaper:
a voltage rating equal to or more than 5 kV;
En specificerad spänning lika med eller överstigande 5 kV,
an energy density equal to or more than 250 J/kg; and
en energitäthet lika med eller högre än 250 J/kg, och
a total energy equal to or more than 25 kJ;
en total energi lika med eller större än 25 kJ.
capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) having all of the following:
Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som är lika med eller överstiger 10 Hz (repetitionsspecificerade kondensatorer) med samtliga följande egenskaper:
an energy density equal to or more than 50 J/kg;
en energitäthet lika med eller högre än 50 J/kg,
a total energy equal to or more than 100 J; and
en total energi lika med eller större än 100 J, och
a charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
en laddnings/urladdnings-livslängd som är lika med eller överstiger 10000 cykler.
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
ANM.:SE ÄVEN AVSNITT 3A201.b.
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Anm.:Avsnitt 3A001.e.3 omfattar inte "supraledande" elektromagneter och solenoider som är speciellt konstruerade för att användas i medicinsk utrustning till magnetisk resonans bildbehandling (MRI).
energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
Energin som levereras vid urladdning överstiger 10 kJ under den första sekunden,
inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
innerdiametern på den strömförande lindningen är större än 250 mm, och
rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
är specificerad för en magnetisk induktion som är större än 8 T eller en "total strömtäthet" i lindningen som är större än 300 A/mm2.
solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2).
Solceller, CIC-hopsättningar (cell-interconnect-coverglass), solpaneler och solmoduler som är "rymdkvalificerade" och har en minsta genomsnittlig verkningsgrad som överstiger 20 % vid en driftstemperatur på 301 K (28 °C) under simulerad ’AM0’-belysning med en irradians på 1,367 watt per kvadratmeter (W/m2).
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
’AM0’ eller ’luftmassenollpunkt’ avser solljusets spektrala irradians i jordens yttre atmosfär där avståndet mellan jorden och solen är en astronomisk enhet (AU).
rotary input type shaft absolute position encoders having any of the following:
Roterande avkodare som anger positionens absolutvärde med någon av följande egenskaper:
a resolution of better than 1 part in 265000 (18 bit resolution) of full scale; or
En upplösning som är bättre än 1 del på 265000 (18 bitars upplösning) av fullt skalutslag, eller
an accuracy better than ±2,5 seconds of arc.
en noggrannhet som är bättre än ±2,5 bågsekunder.
solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’ using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods, having any of the following:
Pulsade effektomriktande halvledartyristorenheter och ’tyristormoduler’ som använder elektriskt eller optiskt styrda eller elektronstrålestyrda omriktningsmetoder och som har någon av följande egenskaper:
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 30000 A/μs och en spänning i avstängt tillstånd som överstiger 1100 V.
a maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and all of the following:
En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 2000 A/μs och som har båda följande egenskaper:
an off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
En toppspänning i avstängt tillstånd som är minst 3000 V.
a peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
En toppström (strömstöt) som är minst 3000 A.
Note 1:3A001.g. includes:
Anm. 1:Avsnitt 3A001.g omfattar följande:
silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
Kiselstyrda likriktare (SRC).
electrical Triggering Thyristors (ETTs)
ET-tyristorer (Electrical Triggering Thyristors)
light Triggering Thyristors (LTTs)
LT-tyristorer (Light Triggering Thyristors)
integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
IGC-tyristorer (Integrated Gate Commutated Thyristors)
gate Turn-off Thyristors (GTOs)
GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
MOS-styrda tyristorer (MCT)
solidtrons
Solidtroner
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Anm. 2:Avsnitt 3A001.g omfattar inte tyristorenheter och ’tyristormoduler’ som ingår i utrustning som är utformad för civila järnvägstillämpningar eller "civila luftfartygs"-tillämpningar.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
En ’tyristormodul’ i avsnitt 3A001.g innehåller en eller flera tyristorenheter.
recording equipment, as follows, and specially designed test tape therefor:
Följande inspelningsutrustning samt till dessa utrustningar speciellt konstruerade testband:
analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
Analoga magnetiska instrumentbandspelare, inklusive sådana som tillåter inspelning av digitala signaler (t.ex. genom att använda digitala moduler (HDDR) för hög packningstäthet) som har någon av följande egenskaper:
a bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
En bandbredd som överstiger 4 MHz per elektronisk kanal eller spår,
a bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
en bandbredd som överstiger 2 MHz per elektronisk kanal eller spår om utrustningen har mer än 42 spår, eller
a time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 μs;
ett tidsförskjutnings(bas)-fel, mätt enligt tillämpliga IRIG- eller EIA-dokument, som är mindre än ±0,1 μs.
Note:analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Anm.:Analoga magnetiska bandspelare speciellt konstruerade för civilt bruk skall inte betraktas som instrumentbandspelare.
digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbits/s;
Digitala magnetiska videobandspelare som har en maximal digital överföringshastighet som överstiger 360 Mbit/s.
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Anm.:Avsnitt 3A002.a.2 omfattar inte sådana digitala magnetiska videobandspelare som är speciellt konstruerade för TV-inspelningar i signalformat, som kan omfatta ett komprimerat signalformat enligt standarder eller rekommendationer från ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI eller IEEE för civila TV-tillämpningar.
digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques, having any of the following:
Digitala magnetiska instrumentdatabandspelare som har fast eller roterande huvud och som har någon av följande egenskaper:
a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s; or
En maximal digital interfaceöverföringshastighet som överstiger 175 Mbit/s, eller
Note:3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Anm.:Avsnitt 3A002.a.3 omfattar inte analoga magnetiska bandspelare som är utrustade med HDDR omvandlingselektronik och utformade för att endast spela in digitala data.
equipment, having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbits/s, designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
Utrustning, med en maximal digital interfaceöverföringshastighet som överstiger 175 Mbit/s, och som är konstruerad för att omvandla digitala magnetiska videobandspelare till digitala instrumentdatabandspelare.
waveform digitisers and transient recorders having all of the following:
Utrustning för digitalisering av vågformer samt utrustning för registrering av transienter (transient recorders), båda med följande egenskaper:
digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
Digitaliseringshastigheten är lika med eller bättre än 200 miljoner samplingar per sekund och en upplösning på 10 bitar eller mer, och
a continuous throughput of 2 Gbit/s or more;
en kontinuerlig kapacitet på 2 Gbit/s eller mer.