natgillin/translations-raw huggingface dataset:
molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Utrustning för epitaxiell tillväxt med hjälp av molekylärstrålar och gaskällor.
equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Utrustning för jonimplantation som har någon av följande egenskaper:
a beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
En strålenergi (accelerationsspänning) som överstiger 1 MeV,
being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
är speciellt konstruerad för att optimalt kunna arbeta vid en strålenergi (accelerationsspänning) som är mindre än 2 keV,
direct write capability; or
har direkt skrivmöjlighet, eller
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
en strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-"substratet".
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Utrustning för torr anisotropisk plasmaetsning där:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Utrustningen arbetar med kassett-till-kassettmatning och slussöppning, och som har någon av följande egenskaper:
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
den är speciellt konstruerad för att optimalt kunna producera kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre med ±5 % 3 sigmaprecision, eller
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
den är speciellt konstruerad för att generera mindre än 0,04 partiklar/cm2 med en mätbar partikelstorlek som är större än 180 nm i diameter.
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning enligt avsnitt 3B001.e, och har någon av följande egenskaper:
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
den är speciellt konstruerad för att generera mindre än 0,04 partiklar/cm2 med en mätbar partikelstorlek som är större än 0,12 μm i diameter.
plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Utrustning för plasmaförstärkt CVD enligt följande:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Utrustningen arbetar med kassett-till-kassettmatning och slussöppning, och är speciellt konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre.
equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning som omfattas av 3B001.e och konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre.
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Automatiskt laddningssystem för flera kammare för tillverkning av halvledare med alla följande egenskaper:
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Systemet skall ha gränssnitt för såväl in- som utgång för wafers och utrustningen skall vara sådan att minst två processteg är anslutna i ett integrerat system, och
designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
vara konstruerade för att bilda ett integrerat system i vakuumomgivning där processerna med flera processteg är kopplade i serie.
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Anm.:Avsnitt 3B001.e omfattar inte automatisk robothantering av wafers som inte är konstruerade för att arbeta i vakuum.
lithography equipment, as follows:
Litografisk utrustning med egenskaper enligt följande:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet ("step and repeat", direkt "step on wafer") eller scanner ("step and scan") som använder röntgen eller foto optiska metoder, och som har någon av följande egenskaper:
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
Ljuskällans våglängd är kortare än 245 nm, eller
capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
kan producera ett mönster med en "minsta upplösning för systemdimensionen" på 180 nm eller mindre.
The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
Den "minsta upplösningen för systemdimensionen" beräknas med följande formel:
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 180 nm eller mindre.
Note:3B001.f.2. includes:
Anm.:Avsnitt 3B001.f.2 omfattar följande:
micro contact printing tools
Verktyg för mikrokontakttryck.
hot embossing tools
Verktyg för värmeprägling.
nano-imprint lithography tools
Verktyg för nanopräglingslitografi.
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
S-FIL-verktyg (step and flash imprint lithography).
equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Utrustning som är speciellt konstruerad för att tillverka masker eller halvledarenheter med hjälp av avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller "laser"strålar med någon av följande egenskaper:
a spot size smaller than 0,2 μm;
En strålpunkt som är mindre än 0,2 μm,
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
den kan producera mönster med en karaktäristisk ledningsbredd som är mindre än 1 μm, eller
an overlay accuracy of better than ±0,20 μm (3 sigma);
har en passningsnoggrannhet som är bättre än ±0,20 μm (3 sigma).
masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Masker eller mastermasker som är avsedda för tillverkning av integrerade kretsar enligt avsnitt 3A001.
multi-layer masks with a phase shift layer.
Flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager.
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Anm.:Avsnitt 3B001.h omfattar inte flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager konstruerat för tillverkning av minnen som inte omfattas av avsnitt 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Schabloner för litografisk prägling som är utformade för integrerade kretsar som omfattas av avsnitt 3A001.
for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Utrustning för provning av transistorers S-parametrar vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz.
for testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Utrustning som kan prova integrerade mikrovågskretsar som omfattas av avsnitt 3A001.b.2.
silicon;
kisel,
germanium;
germanium,
silicon carbide; or
kiselkarbid, eller
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Resistmaterial enligt följande, och "substrat" belagda med kontrollerade resistmaterial:
positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
Positiva resistmaterial som är utformade för halvledarlitografioch speciellt justerade (optimerade) för våglängder under 245 nm.
all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Alla resistmaterial, som är avsedda att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre.
all resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Alla resistmaterial som är avsedda att användas tillsammans med röntgenstrålar och som har en känslighet som är 2,5 mJ/mm2eller bättre.
all resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists.
Alla resistmaterial som optimerats för ytbildstekniker inklusive "silylated" resistmaterial.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Med"silylated" teknik avses processer som innebär att resistmaterial oxideras på ytan för att förstärka effekten av såväl torr som våt framkallning.
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Metallorganiska blandningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 %.
organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Organiska blandningar med antimon, arsenik eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 %.
Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Anm.:Avsnitt 3C003 omfattar endast blandningar vars metalliska, delvis metalliska eller icke metalliska element är direkt bundna till kolet i den organiska delen av molekylen.
Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Anm.:Avsnitt 3C004 omfattar inte hydrider som innehåller 20 % molar eller mer av ädelgaser eller väte.
Silicon carbide (SiC) wafers having a resistivity of more than 10000 ohm-cm.
Wafers av kiselkarbid (SiC) med en resistivitet som överstiger 10000 ohm-cm.
equipment specified in 3B001.a. to f.; or
Utrustning som omfattas av avsnitt 3B001.a–3B001.f, eller
equipment specified in 3B002.
utrustning som omfattas av avsnitt 3B002.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
"Fysikbaserad" simulerings"programvara" speciellt konstruerad för "utveckling" av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads (depositions) -processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar, dielektriska eller halvledarlagren.
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Med "fysikbaserad" avses i avsnitt 3.D.003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Anm.:Bibliotek, konstruktionsanvisningar eller liknande data för konstruktion av halvledarenheter eller integrerade kretsar skall betraktas som "teknik".
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Anm. 1:Avsnitt 3E001 omfattar inte "teknik" för "produktion" av utrustning eller komponenter som omfattas av avsnitt 3A003.
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Anm. 2:Avsnitt 3E001 omfattar inte "teknik"för "utveckling" eller "produktion" av integrerade kretsar som omfattas av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.12 som har båda följande egenskaper:
using "technology" of 0,5 μm or more; and
Som använder en "teknik" för 0,5 μm eller mer, och
not incorporating ’multi-layer structures’.
som inte har "flerlagerteknik".
The term ’multi-layer structures’ does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Begreppet "flerlagerteknik" omfattar inte utrustningar med högst tre metallager och tre polykisellager.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen om teknik, som inte omfattas av avsnitt 3E001, för "utveckling" eller "produktion" av "mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar" och mikrokretsar för mikrostyrsystem med en aritmetisk logisk enhet som kan hantera minst 32 bitar och som har någon av följande egenskaper:
a vector processor unit designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
En vektorprocessorenhet som är utformad för att utföra mer än två beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt.
A vector processing unit is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
En vektorprocessorenhet är ett processorelement med inbyggda instruktioner som utför multipla beräkningar på flyttalsvektorer (32-bitars eller större endimensionella matriser) samtidigt, och som har minst en aritmetisk logisk vektorenhet.
designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Utformad för att utföra mer än två 64-bitars eller större flyttalsoperationsresultat per cykel, eller
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital signal processing).
Utformad för att utföra mer än fyra 16-bitars ackumulerade fasttalsmultiplikationsresultat per cykel (t.ex. digital manipulering av analog information som tidigare omvandlats till digital form, även känd som digital signalbehandling).
Note:3E002.c. does not control technology for multimedia extensions.
Anm.:Avsnitt 3E002.c omfattar inte teknik för multimediaanslutningar.
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Anm. 1:Avsnitt 3E002 omfattar inte "teknik" för "utveckling" eller "produktion" av mikroprocessorer med följande egenskaper:
using "technology" at or above 0,130 µm; and
Använder "teknik" på eller över 0,130 μm; och
incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
Innehåller strukturer i flera lager med högst fem metallager.
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Anm. 2:Avsnitt 3E002 omfattar "teknik" för digitala signalprocessorer och digitala grupprocessorer.
vacuum microelectronic devices;
Vakuumenheter för mikroelektronik.
hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
Halvledarelement med ovanlig uppbyggnad ("hetero-structure") såsom transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT), hetero-bipolära transistorer (HBT), quantum well och super lattice element.
Note:3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Anm.:Avsnitt 3E003.b omfattar inte kontrollteknik för transistorer med hög elektronrörlighet (HEMT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz och hetero-bipolära transistorer (HBT) som arbetar vid frekvenser under 31,8 GHz.
"superconductive" electronic devices;
"Supraledande"elektroniska element.
substrates of films of diamond for electronic components;
Filmsubstrat av diamant för elektroniska kretsar.
substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Substrat av kisel på insulator (SOI) för integrerade kretsar i vilka insulatorn är kiseldioxid.
substrates of silicon carbide for electronic components;
Substrat av kiselkarbid för elektroniska komponenter.
electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
Elektroniska vakuumrör som arbetar vid frekvenser på 31,8 GHz eller mer.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen om teknik för "användning" av utrustning eller "programvara", vilken omfattas av avsnitt 3A001.a.1 eller 2, 3A101, 3A102 eller 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen om teknik för "användning" av utrustning som omfattas av avsnitten 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201 och 3A225–3A233.
Note 1:computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Anm. 1:Datorer, kringutrustning och "programvara" som utför telekommunikations- eller "lokala nät"-funktioner skall också utvärderas i förhållande till prestandaegenskaper i kategori 5, del 1 (telekommunikation).
Note 2:control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Anm. 2:Styrenheter som direkt kopplar samman bussar eller kanaler i datorers centralenheter, styrenheter för "huvudminne" eller skivminne skall inte betraktas som telekommunikationsutrustning enligt kategori 5, del 1 (telekommunikation).
N.B.:for the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
ANM.:När det gäller kontrollstatus för "programvara", särskilt konstruerad för paketväxlar, se avsnitt 5D001.
Note 3:computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Anm. 3:För datorer, kringutrustning eller "programvara" som utför kryptografi, kryptoanalys, certifierbar säkerhet i flera nivåer eller certifierbar användarisolering, eller som begränsar den elektromagnetiska kompatibiliteten (EMC), skall också utvärderas i förhållande till prestandakarakteristika i kategori 5, del 2 ("informationssäkerhet").
N.B.:SEE ALSO 4A101.
ANM.:SE ÄVEN AVSNITT 4A101.
specially designed to have any of the following characteristics:
Speciellt konstruerade för att ha någon av följande egenskaper:
rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C);
Specificerade för att arbeta vid omgivande temperaturer under 228 K (–45 °C) eller över 358 K (85 °C).
Note:4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Anm.:Avsnitt 4A001.a.1 gäller inte för datorer som konstruerats särskilt för att användas i civila bil- och tågtillämpningar.
radiation hardened to exceed any of the following specifications:
Strålningståliga så att de överträffar någon av följande specifikationer:
having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Har egenskaper eller kan utföra funktioner som överträffar specifikationerna i kategori 5, del 2 ("informationssäkerhet").
Note:4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Anm.:Avsnitt 4A001.b omfattar inte datorer och kringutrustning till dessa som åtföljer användaren för dennes personliga bruk.
Note 1:4A003 includes the following:
Anm. 1:Avsnitt 4A003 omfattar följande:
vector processors;
Vektorprocessorer.
array processors;
Grupp- (array-) processorer.
digital signal processors;
Digitala signalprocessorer.
logic processors;
Logikprocessorer.
equipment designed for "image enhancement";
Utrustning för "bildbehandling".
equipment designed for "signal processing".
Utrustning för "signalbehandling".
Note 2:the control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Anm. 2:Kontrollstatus för "digitala datorer" och därmed sammanhörande utrustning enligt beskrivningen i avsnitt 4A003 bestäms av kontrollstatus för annan utrustning eller andra system, under förutsättning att
the "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
de "digitala datorerna" eller den därmed sammanhörande utrustningen är väsentliga för den andra utrustningens eller de andra systemens funktion,
the "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
de "digitala datorerna" eller den därmed sammanhörande utrustningen inte är en "huvudbeståndsdel" i den andra utrustningen eller de andra systemen, och
1:the control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
ANM. 1:Kontrollstatus för "signalbehandlings"- eller "bildbehandlings"-utrustning särskilt konstruerad för en annan utrustning med funktioner, som är begränsade till dem, som krävs för den andra utrustningen, skall bestämmas av kontrollstatus för den andra utrustningen även om den överskrider värdena för "huvudbeståndsdelen".
2:for the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
ANM. 2:När det gäller kontrollstatus för "digitala datorer" eller därmed tillhörande utrustning för telekommunikation, se kategori 5, del 1 (telekommunikation).
the "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
"teknik" för "digitala datorer" och tillhörande utrustning bestäms av avsnitt 4E.
Note:for the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Anm.:När det gäller avsnitt 4A003.a betraktas inte "digitala datorer" och tillhörande utrustning som konstruerade eller modifierade för "feltolerans", om de använder något av följande:
error detection or correction algorithms in "main storage";
Feldetektering eller korrektionsalgoritmer i "huvudminnet",
the interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
Hopkoppling av två "digitala datorer" på ett sådant sätt att om den aktiva centralenheten faller ur, den andra, ej arbetande centralenheten som speglar den första, kan ta över systemets funktioner,