natgillin/translations-raw huggingface dataset:
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Hårdmetall innehållande volframkarbid omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial som består av volframkarbid/(kobolt, nickel), titankarbid/(kobolt, nickel), kromkarbid/nickel-krom och kromkarbid/nickel.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
Kiselkarbid omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial.
chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Kemisk förångningsdeposition (CVD) är en ytbehandlings- eller ytförändringsprocess varvid metall, legering, "komposit", ett dielektrikum eller en keram deponeras på ett upphettat substrat.
1:CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Anm. 1:CVD omfattar följande processer: beläggning med ett gasflöde out-of-pack-beläggning, pulserande CVD, styrd termisk kärnbildande nedbrytningsprocess (CNTD), plasmaförstärkta eller plasmaassisterade CVD-processer.
2:Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Anm. 2:Med pack menas ett substrat som är inbakat i en pulverblandning.
3:The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Anm. 3:De reaktansgaser som används i en out-of-pack-process produceras med hjälp av samma basreaktioner och parametrar som pack cementation-processen, med undantag av att substratet som skall beläggas inte är i kontakt med pulverblandningen.
thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Termisk förångning – fysisk förångningsdeposition (TE-PVD) är en ytbeläggningsprocess som sker i vakuum vid ett tryck som är lägre än 0,1 Pa varvid en termisk energikälla används för att förånga beläggningsmaterialet.
electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Elektronstråle-PVD använder en elektronstråle för att upphetta och förånga det material som skall bilda beläggningen.
ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Jonassisterad resistivt upphettad PVD arbetar med elektroresistiva värmekällor i kombination med direkt inverkan från jonstrålar för att producera ett kontrollerat och likformigt flöde av de förångade beläggningsmaterialen.
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Laserförångning använder antingen pulsade eller kontinuerliga laservågor för att förånga det material som skall bilda beläggning.
cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Katodstrålebeläggning arbetar med en katod av det material som skall bilda beläggning, varvid katoden förbrukas, och vid katoden uppstår en gnisturladdning på ytan genom en kortvarig jordkontakt med hjälp av en trigger.
N.B.:This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Anm.:Denna definition omfattar inte slumpmässig katodstrålebeläggning utan förspänt substrat.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Jonplätering är en speciell modifikation av den vanliga TE-PVD-processen, varvid ett plasma eller en jonkälla används för att jonisera de ämnen som skall användas för beläggning, och en negativ förspänning läggs på substratet för att underlätta extraktionen av de ämnen som skall deponeras från plasman.
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
"Pack Cementation" är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess varvid substratet packas in i en pulverblandning ("pack") som består av
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
metallpulver som skall utgöra beläggningen (vanligtvis aluminium, krom, kisel eller kombinationer av dessa),
an activator (normally a halide salt); and
en aktivator (vanligtvis ett halogent salt), och
an inert powder, most frequently alumina.
ett ballastpulver, oftast aluminium.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substratet och pulverblandningen placeras i en retort som upphettas till en temperatur mellan 1030 K (757 °C) och 1375 K (1102 °C) i tillräckligt lång tid för att beläggningen skall ske.
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plasmasprutning är en ytbehandlingsprocess i vilken en kanon ("blåslampa"), som producerar och styr ett plasma tar emot pulver eller tråd av beläggningsmaterialet, smälter det och skjuter det mot ett substrat, varpå en integrerad sammanfogning sker.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Anm. 1:Med lågtryck avses lägre tryck än omgivande atmosfärtryck.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Anm. 2:Med höghastighet avses en gashastighet vid sprutmunstycket som överskrider 750 m/s beräknat vid 293 K (20 °C) och 0,1 MPa.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Målningsbeläggning är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess i vilken ett metalliskt eller keramiskt pulver med ett organiskt bindemedel uppslammas i en vätska och appliceras på ett substrat genom antingen sprutning, doppning eller målning, med påföljande luft- eller ugnstorkning, samt värmebehandling för att uppnå önskad beläggning.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Sputteringbeläggning är en överlagringsbeläggningsprocess som baseras på impulsöverföringsfenomen, varvid positiva joner accelereras av ett elektriskt fält mot ytan av ett mål (beläggningsmaterialet).
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Anm. 1:Tabellen hänvisar endast till triod-, magnetron- eller reaktiv sputteringbeläggning som används för att öka vidhäftningen av beläggningen samt radiofrekvent (RF)-förstärkt sputteringbeläggning som används för att tillåta förångning i icke metalliska beläggningsmaterial.
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Anm. 2:Lågenergijonstrålar (mindre än 5 keV) kan användas för att aktivera beläggningen.
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Jonimplantation är en ytförändringsbeläggningsprocess i vilken det ämne som skall legeras joniseras, accelereras genom en potentialgradient och förs in till ytregionen för substratet.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Anm. 1:Kontrollstatusen för den utrustning och de komponenter som beskrivs i avsnitten 3A001 eller 3A002, förutom för de som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 eller 3A001.a.12, och som är speciellt konstruerade för eller som har samma funktionella egenskaper som annan utrustning, bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Anm. 2:Kontrollstatusen för de integrerade kretsar som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 eller 3A001.a.12, och som är icke föränderligt programmerade till eller konstruerade för en speciell funktion för en annan utrustning bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
ANM.:Om en tillverkare eller sökanden inte kan avgöra den andra utrustningens kontrollstatus, bestäms de integrerade kretsarnas kontrollstatus av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 och 3A001.a.12.
general purpose integrated circuits, as follows:
Integrerade kretsar för allmänna ändamål, enligt följande:
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Anm. 1:Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, skall bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
Anm. 2:Integrerade kretsar omfattar följande typer:
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
En total dos om minst 5 × 103 Gy (kisel),
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
en dosratsändring genom störning om minst 5 × 106 Gy (kisel)/s, eller
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material.
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Anm.:3A001 a.1 c gäller inte för halvledare av metallisolatortyp (MIS – Metal Insulator Semiconductors).
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Specificerade för drift i det omgivande temperaturområdet över 398 K (125 °C).
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Specificerade för drift i det omgivande temperaturområdet under 218 K (–55 °C); eller
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
Specificerade för drift i hela det omgivande temperaturområdet från 218 K (–55 °C) till och med 398 K (125 °C).
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Anm.:Avsnitt 3A001.a.2 gäller inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil eller tågapplikationer.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Anm.:Avsnitt 3A001.a.3 omfattar digitala signalprocessorer, digitala matrisprocessorer (array processors) och digitala hjälpprocessorer (coprocessors).
analogue-to-digital converters having any of the following:
Analog-till-digital-omvandlare som har någon av följande egenskaper:
N.B.:SEE ALSO 3A101
Obs!:SE ÄVEN AVSNITT 3A101.
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
En upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar, med en dataöverföringshastighet som är högre än 500 miljoner ord per sekund,
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
en upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 200 miljoner ord per sekund,
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
en upplösning på 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 105 miljoner ord per sekund,
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
en upplösning på mer än 12 bitar, men högst 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 10 miljoner ord per sekund, eller
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
en upplösning på mer än 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 2,5 miljoner ord per sekund.
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
Digital-till-analog-omvandlare med en upplösning på 12 bitar eller mer och en "inställningstid" som är kortare än 10 ns.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Den anges ofta i megahertz (MHz) eller miljoner sampel per sekund (Msps).
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Elektro-optiska eller "optiska integrerade kretsar" för "signalbehandling" som innehåller alla följande egenskaper:
one or more than one internal "laser" diode;
En eller flera interna "laser"-dioder,
one or more than one internal light detecting element; and
en eller flera interna ljusdetekterande element; och
optical waveguides;
optiska vågledare.
field programmable logic devices having any of the following:
Fältprogrammerbara logiska komponenter med något av följande:
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
Antalet grindekvivalenter är mer än 30000 (grindar med 2 ingångar),
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
den "typiska grindfördröjningstiden" är kortare än 0,1 ns, eller
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
den maximala vippfrekvensen överstiger 133 MHz.
Note:3A001.a.7. includes:
Anm.:Avsnitt 3A001.a.7 omfattar följande:
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Enkla programmerbara logiska komponenter (SPLD)
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Komplexa programmerbara logiska komponenter (CPLD)
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Fältprogrammerbara grindmatriser (FPGA)
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Fältprogrammerbara logiska matriser (FPLA)
field Programmable Interconnects (FPICs)
Fältprogrammerbara kopplingar (FPIC)
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
ANM.:Fältprogrammerbara logiska komponenter betecknas även fältprogrammerbara grindmatriser eller fältprogrammerbara logiska matriser.
neural network integrated circuits;
Integrerade kretsar för neurala nätverk.
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kretstillverkaren saknar uppgift om kontrollstatusen hos den utrustning där kretsarna skall ingå och där något av följande villkor är uppfyllt:
more than 1000 terminals;
Fler än 1000 anslutningar,
an operating frequency exceeding 3 GHz;
arbetsfrekvensen överstiger 3 GHz.
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Andra digitala kretsar än de som beskrivits i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 och 3A001.a.12 och som baseras på en blandning av halvledarmaterial, med något av följande:
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Ett antal grindekvivalenter som är större än 3000 (grindar med 2 ingångar), eller
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
en vippfrekvens som överstiger 1,2 GHz.
microwave or millimetre wave components, as follows:
Mikrovåg- eller millimetervågutrustning, enligt följande:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Elektroniska vakuumrör och katoder enligt följande:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Anm. 1:Avsnitt 3A001.b.1 gäller inte sådana rör som är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband som har alla följande egenskaper:
does not exceed 31,8 GHz; and
De överstiger inte 31,8 GHz, och
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
de är "tilldelade av ITU" för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning.
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Anm. 2:Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte icke-"rymdkvalificerade" rör som har alla följande egenskaper:
an average output power equal to or less than 50 W; and
De har en genomsnittlig utgångseffekt på högst 50 W, och
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
de är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband som har alla följande egenskaper:
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
De överstiger 31,8 GHz, men överstiger inte 43,5 GHz, och
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Vandringsvågrör, för pulsad eller kontinuerlig drift, enligt följande:
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
De kan arbeta vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz,
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
de har en katodupphettning som möjliggör full högfrekvensdrift på kortare tid än 3 s efter tillslag,
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
de har kopplade kaviteter eller är utvecklingar av sådana rör med en "fraktionerad bandbredd" som är större än 7 % eller en toppeffekt som överskrider 2,5 kW,
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
de utgör Helix-rör, eller utvecklingar av dessa, med någon av följande egenskaper:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
De har en "effektbandbredd" som är mer än en oktav och produkten av den specificerade genomsnittliga uteffekten (uttryckt i kW) och den högsta arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 0,5,
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
de har en "effektbandbredd" som är en oktav eller mindre, och produkten av den specificerade uteffekten (uttryckt i kW) och den maximala specificerade arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 1, eller
being "space qualified";
som är "rymdkvalificerade".
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Korsfältsförstärkarrör med en förstärkning på mer än 17 dB.
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Impregnerade katoder till elektronrör som producerar en kontinuerlig emissionsströmtäthet på mer än 5 A/cm2.
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Effektförstärkare för monolitiska integrerade kretsar som arbetar inom mikrovågsområdet (MMIC-effektförstärkare) som uppfyller något av följande villkor:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 4 W (36 dBm) och med en "fraktionerad bandbredd" som överstiger 15 %.
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 16 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 1 W (30 dBm) och med en "fraktionerad bandbredd" som överstiger 10 %.
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 16 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 0,8 W (29 dBm) och med en "fraktionerad bandbredd" som överstiger 10 %.
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
De är specificerade för frekvenser som överstiger 31,8 GHz, men inte 37,5 GHz.
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
De är specificerade för frekvenser som överstiger 37,5 GHz, men inte 43,5 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 0,25 W (24 dBm) och med en "fraktionerad bandbredd" som överstiger 10 %; eller
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
De är specificerade för frekvenser som överstiger 43,5 GHz.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Anm. 1:Avsnitt 3A001.b.2 omfattar inte satellitrundradioutrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensområdet 40,5 till 42,5 GHz.
Note 2:the control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm. 2:Kontrollstatusen för MMIC vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser mer än i ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.2.a–3A001.b.2.f, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Anm. 3:Anm. 1 och 2 i inledningen till kategori 3 anger att avsnitt 3A001.b.2 inte omfattar MMIC som speciellt är konstruerade för andra tillämpningar, t.ex. telekommunikation, radar och bilar.
discrete microwave transistors having any of the following:
Diskreta mikrovågstransistorer som uppfyller något av följande villkor:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz, men inte 6 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 60 W (47,8 dBm).
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
De är specificerade för frekvenser som överstiger 6 GHz, men inte 31,8 GHz, med en genomsnittlig utgångseffekt som överstiger 20 W (43 dBm).