natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Finishing the form to less (better) than 1.0 μm; or
Slutbearbetar formen till mindre (bättre) än 1,0 μm.
Finishing to a roughness less (better) than 100 nm rms.
Slutbearbetar till en ojämnhet som är mindre (bättre) än 100 nm rms.
For the purposes of 2B002, MRF is a material removal process using an abrasive magnetic fluid whose viscosity is controlled by a magnetic field.
Med magnetreologisk slutbearbetning avses i avsnitt 2B002 borttagande av material med hjälp av en magnetisk slipvätska vars viskositet styrs av ett magnetfält.
A controlled thermal environment exceeding 1773 K (1500 °C); or
en kontrollerad termisk omgivning som överstiger 1773 K (1500 °C), eller
The inside chamber dimension is that of the chamber in which both the working temperature and the working pressure are achieved and does not include fixtures.
Med kammarens innerdiameter avses den del av kammaren där arbetstemperatur och -tryck kan hållas. I diametern skall inte inräknas utrymme för lasthållare.
N.B.: For specially designed dies, moulds and tooling see 1B003, 9B009 and the Military Goods Controls.
Anm.: För speciellt konstruerade kapslar, formar och verktyg, se avsnitten 1B003 och 9B009 samt militära förteckningen.
Pulsating CVD;
Pulserande CVD.
Controlled nucleation thermal deposition (CNTD); or
Styrd nukleär termisk deponering (CNTD, Controlled nucleation thermal deposition), eller
Plasma enhanced or plasma assisted CVD; and
Plasmaförstärkt eller plasmaassisterad CVD, och
Ion implantation production equipment having beam currents of 5 mA or more;
Produktionsutrustning för jonimplantation som kan leverera 5 mA eller mera i jonstrålen.
Electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) production equipment incorporating power systems rated for over 80 kW, having any of the following:
Produktionsutrustning för fysisk elektronstråleförångning (EB-PVD) med en systemeffekt specificerad till att överstiga 80 kW, som innefattar något av följande:
Plasma spraying production equipment having any of the following characteristics:
Produktionsutrustning för plasmasprutning som har någon av följande egenskaper:
Sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 μm/h or more;
Produktionsutrustning för sputtering som kan avge strömtätheter på minst 0,1 mA/mm2 vid en förångningshastighet på minst 15 μm/h.
Cathodic arc deposition production equipment incorporating a grid of electromagnets for steering control of the arc spot on the cathode;
Produktionsutrustning för katodstrålebeläggning med hjälp av en utrustning som innehåller ett galler bestående av elektromagneter för att styra strålningspunkten på katoden.
N.B.: For "laser" systems see also Note to 2B006.b.1.
Anm.: För "laser"system se även anmärkningen till avsnitt 2B006.b.1.
Spin-forming machines and flow-forming machines, which, according to the manufacturer's technical specification, can be equipped with "numerical control" units or a computer control and having all of the following:
Spinnformande och flödesformande maskiner vilka enligt tillverkarens tekniska specifikation kan utrustas med "numeriska styrenheter" eller en datorkontroll och som har båda följande egenskaper:
Two or more controlled axes of which at least two can be coordinated simultaneously for "contouring control"; and
Har minst två styrda axlar av vilka minst två kan styras samtidigt för "konturstyrning", och
Possessing a chamber cavity with an inside diameter of 254 mm or greater.
Kammarutrymme med en innerdiameter av 254 mm eller större.
Chemical vapour deposition (CVD) furnaces, other than those specified in 2B005.a., designed or modified for the densification of carbon-carbon composites.
Ugnar för kemisk förångningsdeposition (CVD), andra än de som omfattas av avsnitt 2B005.a, som är konstruerade eller modifierade för förtätning av kol-kol-kompositer.
Specially designed components for flow-forming machines specified in 2B009 or 2B109.a.
Särskilt konstruerade komponenter för flödesformande maskiner som omfattas av avsnitt 2B009 eller 2B109.a.
Note: 2B109 does not control machines that are not usable in the production of propulsion components and equipment (e.g. motor cases) for systems specified in 9A005, 9A007.a. or 9A105.a.
Anm.: Avsnitt 2B109 omfattar inte maskiner som inte kan användas för produktion av framdrivningskomponenter och -utrustning (t.ex. motorhus) i de system som anges i avsnitt 9A005, 9A007.a eller 9A105.a.
Vibration test systems, equipment and components therefor, as follows:
Vibrationsprovsystem med därtill hörande utrustning och komponenter, enligt följande:
Vibration test systems employing feedback or closed loop techniques and incorporating a digital controller, capable of vibrating a system at an acceleration equal to or greater than 10 g rms between 20 Hz and 2 kHz and imparting forces equal to or greater than 50 kN, measured 'bare table';
Vibrationsprovsystem med digital styrteknik samt med återkopplade slutna slingor, i stånd att vibrera ett system vid en acceleration som är lika med eller större än 10 g rms mellan 20 Hz och 2 kHz och överföra krafter som är lika med eller större än 50 kN, mätta vid 'obelastat bord'.
Machine tools for milling, having any of the following characteristics:
Verktygsmaskiner för fräsning som har någon av följande egenskaper:
Positioning accuracies with "all compensations available" equal to or less (better) than 6 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Positioneringsnoggrannheten med "alla kompensationsmöjligheter inkopplade" är lika med eller mindre (bättre) än 6 μm enligt ISO 230/2 (1988) [1] De tillverkare som beräknar positioneringsnoggrannheten enligt ISO 230/2 (1997) bör rådfråga de behöriga myndigheterna i den medlemsstat där de är etablerade.
Machine tools for grinding, having any of the following characteristics:
Verktygsmaskiner för slipning som har någon av följande egenskaper:
Positioning accuracies with "all compensations available" equal to or less (better) than 4 μm according to ISO 230/2 (1988) [1] Manufacturers calculating positioning accuracy in accordance with ISO 230/2 (1997) should consult the competent authorities of the Member State in which they are established.
Positioneringsnoggrannheten med "alla kompensationsmöjligheter inkopplade" är lika med eller mindre (bättre) än 4 μm enligt ISO 230/2 (1988) [1] De tillverkare som beräknar positioneringsnoggrannheten enligt ISO 230/2 (1997) bör rådfråga de behöriga myndigheterna i den medlemsstat där de är etablerade.
Two or more contouring rotary axes.
Minst två roterande axlar som kan utföra konturfräsning.
Systems for simultaneous linear-angular inspection of hemishells, having both of the following characteristics:
System för samtidig linjär mätning och vinkelmätning av ett halvskal som har båda följande egenskaper:
In 2B228.b. such equipment normally consists of precision measuring probes linked to a computer that subsequently controls the action of, for example, pneumatic rams used for aligning the rotor tube sections.
I avsnitt 2B228.b består sådan utrustning vanligen av precisionsmätprobar kopplade till en dator som kontrollerar exempelvis pneumatiska kolvar som används för att rikta rörsektionerna.
Inside diameter between 75 mm and 400 mm;
Innerdiameter mellan 75 mm och 400 mm. 2.
Length equal to or greater than 12,7 mm;
Längd 12,7 mm eller mer. 3.
Single convolution depth greater than 2 mm; and
Utbuktningsdjup större än 2 mm, och 4.
Glass (including vitrified or enamelled coatings or glass lining);
Glas (inklusive keramiskt bunden eller emaljerad beläggning eller glasbeklädnad).
Valves with nominal sizes greater than 10 mm and casings (valve bodies) or preformed casing liners designed for such valves, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
Ventiler med en nominell storlek över 10 mm och hus (ventilhus) eller förformade infodringar som är konstruerade för sådana ventiler, i vilka alla ytor som kommer i direkt kontakt med den kemikalie som bearbetas eller innesluts är gjorda av något av följande material:
Multi-walled piping incorporating a leak detection port, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
Flerväggiga rör försedda med en öppning för läckindikering, i vilka alla ytor som kommer i direkt kontakt med den kemikalie som bearbetas eller innesluts är gjorda av något av följande material:
i. Multiple-seal, and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions); and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
Multipeltätade och tätningsfria pumpar som har en av tillverkaren specificerad flödeshastighet som är större än 0,6 m3/timme, eller vakuumpumpar med en av tillverkaren specificerad flödeshastighet större än 5m3/timme (vid standardtemperatur (273 K (0 °C)) och tryck (101,3 kPa), samt hus (pumphus), förformade infodringar, impellrar, rotorer eller strålpumpsmunstycken avsedda för sådana pumpar, i vilka alla ytor som kommer i direkt kontakt med den kemikalie som bearbetas eller innesluts är gjorda av något av följande material:
Ferrosilicon;
Ferrokisel.
Cross (tangential) flow filtration equipment and components as follows:
Genomströmningsfilterutrustning (tangentiell) och komponenter, enligt följande:
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures, without the propagation of aerosols, having both of the following characteristics:
Genomströmningsfilterutrustning (tangentiell) utformad för avskiljning av patogena mikroorganismer, virus, toxiner eller cellodlingar, utan spridning av aerosoler, som har både
Capable of being sterilised or disinfected in-situ;
en utformning så att de kan steriliseras eller desinficeras på plats.
In 2B352.d.1.b. sterlised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents.
Med sterilisera avses i avsnitt 2B352.d.1.b eliminering av alla livskraftiga mikrober från utrustningen, med användning av antingen fysikaliska agens (t.ex. ånga) eller kemiska agens.
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Komponenter till genomströmningsfilterutrustning (tangentiell) (t.ex. moduler, element, kassetter, patroner, enheter eller skivor) med en filteryta som är 0,2 m2 eller större för varje komponent och som är utformade för användning i genomströmningsfilterutrustning (tangentiell) enligt avsnitt 2B352.d.
Note: 2B352.d. does not control reverse osmosis equipment, as specified by the manufacturer.
Anm.: Avsnitt 2b352.d omfattar inte utrustning för omvänd osmos enligt tillverkarens specifikation.
Deposition techniques
Ytbeläggningstekniker
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Termisk förångning Fysisk förångningsdeposition (TE-PVD)
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Fysisk förångningsdeposition (PVD): Elektronstrålar (EB-PVD)
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
Fysisk förångnings-deposition (PVD): Laserförångning
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Hårdmetall innehållande volframkarbid omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial som består av volframkarbid/(kobolt, nickel), titankarbid/(kobolt, nickel), kromkarbid/nickel-krom och kromkarbid/nickel.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Jonimplantation är en ytförändringsbeläggningsprocess i vilken det ämne som skall legeras joniseras, accelereras genom en potentialgradient och förs in till ytregionen för substratet.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar", mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till-digital-omvandlare, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller "optiska integrerade kretsar" för "signalbehandling", fältprogrammerbara logiska komponenter, integrerade kretsar för neurala nätverk, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna skall användas är okänd, processorer för Fast Fourier Transformation (FFT), elektriskt raderbara PROM-minnen (EEPROM), flash-minnen eller statiska RAM (SRAM) med någon av följande egenskaper:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
"Mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar" och mikrocontroller-mikrokretsar tillverkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger 40 MHz:
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Integrerade kretsar för analog-till-digital- och digital-till-analog-omvandlare enligt följande:
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
En upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar, med en dataöverföringshastighet som är högre än 500 miljoner ord per sekund,
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
en upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 200 miljoner ord per sekund,
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
en upplösning på 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 50 miljoner ord per sekund,
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
en upplösning på mer än 12 bitar, men högst 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 5 miljoner ord per sekund, eller
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
en upplösning på mer än 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 1 miljon ord per sekund
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Dataöverföringshastigheten är omvandlarens maximala dataöverföringshastighet, oavsett arkitektur eller översampling.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Säljare kan även med dataöverföringshastighet mena samplingshastigheten, omvandlingshastigheten eller kapaciteten.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
I syfte att mäta överföringshastigheten motsvarar ett utdataord per sekund en hertz eller ett sampel per sekund.
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
de har en "effektbandbredd" som är en oktav eller mindre, och produkten av den specificerade uteffekten (uttryckt i kW) och den maximala specificerade arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 1, eller
Note 2: The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm. 2: Kontrollstatusen för MMIC vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser mer än i ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.2.a–3A001.b.2.f, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
Note 3: Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Anm. 3: Anm. 1 och 2 i inledningen till kategori 3 anger att avsnitt 3A001.b.2 inte omfattar MMIC som speciellt är konstruerade för andra tillämpningar, t.ex. telekommunikation, radar och bilar.
Discrete microwave transistors having any of the following:
Diskreta mikrovågstransistorer som uppfyller något av följande villkor:
Note: The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm.: Kontrollstatusen för transistorer vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
Rated for operation at frequencies above 3.2 GHz and having all of the following:
De är specificerade för frekvenser som överstiger 3,2 GHz och uppfyller samtliga av följande villkor:
GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15 cm*GHz/3.2 GHz].
3,2 GHz bör användas som den lägsta arbetsfrekvensen (fGHz) i formeln i avsnitt 3A001.b.4.f.3 för förstärkare som har en specificerad arbetsfrekvens som sträcker sig ner till 3,2 GHz och lägre [d≤15 cm*GHz /3,2 GHz].
N.B.: MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
ANM.: MMIC-effektförstärkare skall bedömas mot bakgrund av kriterierna i avsnitt 3A001.b.2.
Note 2: The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Anm. 2: Kontrollstatusen för en produkt vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitt 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta genomsnittliga utgångseffekt.
"Signal analysers"capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37.5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"Signalanalysatorer" som kan analysera frekvenser över 31,8 GHz men som inte överstiger 37,5 GHz och som har en upplösningsbandbredd (RBW) på 3 decibel som överstiger 10 MHz.
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43.5 GHz;
"Signalanalysatorer" som kan analysera frekvenser över 43,5 GHz.
"Dynamic signal analysers" having a "real-time bandwidth" exceeding 500 kHz;
"Dynamiska signalanalysatorer" med en "realtidsbandbredd" som överstiger 500 kHz.
Note: 3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Anm.: Avsnitt 3A002.c.3 omfattar inte de "dynamiska signalanalysatorer" som endast använder filter som har en konstant procentuell bandbredd (kallas även oktavfilter eller filter för del av en oktav).
A "frequency switching time" from one selected frequency to another of less than 1 ms; or
En "tid för att byta frekvens" från en vald frekvens till en annan som understiger 1 ms, eller
Analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
Analog-till-digitalomvandlare, användbara i "missiler", konstruerade för att uppfylla militära krav för miljötålig utrustning.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q är lika med integralen av i med avseende på t, över den tidslängd som är kortast 1 μs eller tidslängden av pulsen (Q = ∫idt) där i är strålströmmen i ampere och t tiden i sekunder.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
Kan kontinuerligt producera, över en tidsperiod om 8 timmar, 100 V eller mer, med en utgångsström av 500 A eller mer, och b) en ström- eller spänningsstabilitet som är bättre än 0,1 % över en tidsperiod om 8 timmar. 3A227
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
Anodens märkta toppspänning är minst 2,5 kV. 3. Anodens märkta toppström är minst 100 A.
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Kan kontinuerligt producera, över en tidsperiod om 8 timmar, 20 kV eller mer med en utgångsström av 1 A eller mer, och b) en ström- eller spänningsstabilitet som är bättre än 0,1 % över en tidsperiod om 8 timmar. 3A228 Brytarenheter enligt följande:
Rated for a peak current of 500 A or more; c. Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics: 1. Anode peak voltage rating greater than 2 kV; 2. Anode peak current rating of 500 A or more; and
anodens märkta toppström minst 500 A, och
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
Portabla, mobila eller avsedda för svåra förhållanden.
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
Ljuskällans våglängd är kortare än 245 nm, eller
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
Den "minsta upplösningen för systemdimensionen" beräknas med följande formel:
MRF = an exposure light source wavelength in nm
MRF = ljuskällansvåglängdi μm
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Med "fysikbaserad" avses i avsnitt 3.D.003 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0.75 Weighted TeraFLOPS (WT);
"Digitala datorer" som har "justerad topprestanda" ("Adjusted Peak Performance", "APP") som överstiger 0,75 vägda Teraflops (WT).
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4A003.b.;
"Elektroniska sammansättningar" som är särskilt konstruerade eller modifierade för att förbättra prestandan genom sammankoppling av processorer så att aggregatets "APP" överskrider gränsen i avsnitt 4A003.b.