natgillin/translations-raw huggingface dataset:
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Svårsmälta metaller och legeringar omfattar följande metaller och deras legeringar: niobium (columbium), molybden, volfram och tantal.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Detektorfönstermaterial enligt följande: aluminiumoxid, kisel, germanium, zinksulfid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir och följande metallhalogenider: detektorfönstermaterial som har en diameter som är större än 40 mm för zirkoniumfluorid och hafniumfluorid.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Tekniken för s.k. enstegs pack-cementation av massiva luftfolier omfattas inte av kategori 2.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Polymerer enligt följande: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonater och polyuretaner.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Med modifierat zirkonium avses tillsatser av andra metalloxider (t.ex. kalciumoxid, magnesiumoxid, yttriumoxid, hafniumoxid, oxider till sällsynta jordmetaller) till zirkonium för att stabilisera speciella kristallografiska faser och faskompositioner.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Termisk barriärbeläggning som görs av zirkonium modifierad med kalciumoxid eller magnesiumoxid genom blandning eller fusion omfattas inte.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Med titanlegeringar avses endast rymdlegeringar som har en spänningshållfasthet som är minst 900 MPa mätt vid 293 K (20 °C).
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10 –7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Med glas med låg expansion avses glas med en termisk expansionskoefficient på högst 1 × 10-7 K-1 mätt vid 293 K (20 °C).
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Dielektriska lager är beläggningar som är uppbyggda av flera lager isolationsmaterial i vilka interferensegenskaperna hos en konstruktion som är sammansatt av material med olika brytningsindex används så att reflexion, genomsläpplighet eller absorption erhålls vid olika våglängder.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Med dielektriskta lager avses minst fyra dielektriska lager eller dielektriska/metall-"komposit"-lager.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/ (cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Hårdmetall innehållande volframkarbid omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial som består av volframkarbid/(kobolt, nickel), titankarbid/(kobolt, nickel), kromkarbid/nickel-krom och kromkarbid/nickel.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Teknik som är särskilt avsedd för beläggning av diamantlikt kol på något av följande omfattas inte:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Diskettstationer samt läs- och skrivhuvuden, utrustning för tillverkning av engångsmaterial, ventiler för kranar, akustiska membran för högtalare, motordelar till bilar, skärverktyg, stans- och pressmatriser, kontorsmaskiner, mikrofoner och medicintekniska produkter eller formar för plastgjutning eller plastformning, tillverkade av legeringar som innehåller mindre än 5 % beryllium.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Kiselkarbid omfattar inte skärande och bearbetande verktygsmaterial.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Keramiska substrat i denna punkt omfattar inte keramiska material som innehåller minst 5 viktprocent lera eller cement, antingen som separata beståndsdelar eller i kombination.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
De processer som anges i kolumn 1 i tabellen definieras enligt följande:
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Kemisk förångningsdeposition (CVD) är en ytbehandlings- eller ytförändringsprocess varvid metall, legering, "komposit", ett dielektrikum eller en keram deponeras på ett upphettat substrat.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Reaktansgaserna sönderdelas eller kombineras i närheten av substratet, varvid en beläggning sker på substratet av det önskade grundämnet, den önskade legeringen eller kompositmaterialet.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Energi för denna sönderdelning eller kemiska reaktionsprocess kan erhållas från värmen i substratet, en glimurladdningsplasma eller från upphettning med "laser"-strålning.
1 CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Anm. 1: CVD omfattar följande processer: beläggning med ett gasflöde out-of-pack-beläggning, pulserande CVD, styrd termisk kärnbildande nedbrytningsprocess (CNTD), plasmaförstärkta eller plasmaassisterade CVD-processer.
2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Anm. 2: Med pack menas ett substrat som är inbakat i en pulverblandning.
3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Anm. 3: De reaktansgaser som används i en out-of-pack-process produceras med hjälp av samma basreaktioner och parametrar som pack cementation-processen, med undantag av att substratet som skall beläggas inte är i kontakt med pulverblandningen.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Termisk förångning – fysisk förångningsdeposition (TE-PVD) är en ytbeläggningsprocess som sker i vakuum vid ett tryck som är lägre än 0,1 Pa varvid en termisk energikälla används för att förånga beläggningsmaterialet.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Denna process resulterar i en kondensation eller en beläggning av det förångade materialet på lämpligt placerade substrat.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Tillsatsen av gaser i vakuumkammaren under beläggningsprocessen för att skapa blandad beläggning är en vanlig modifiering av denna process.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Användningen av jon- eller elektronstrålar eller plasma för att aktivera eller assistera vid beläggningen är också en vanlig modifikation av denna teknik.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Användningen av monitorer för att under processen mäta beläggningens optiska egenskaper och tjocklek kan utgöra en del av dessa processer.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Specifika TE-PVD-processer är följande:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Elektronstråle-PVD använder en elektronstråle för att upphetta och förånga det material som skall bilda beläggningen.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Jonassisterad resistivt upphettad PVD arbetar med elektroresistiva värmekällor i kombination med direkt inverkan från jonstrålar för att producera ett kontrollerat och likformigt flöde av de förångade beläggningsmaterialen.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Laserförångning använder antingen pulsade eller kontinuerliga laservågor för att förånga det material som skall bilda beläggning.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Katodstrålebeläggning arbetar med en katod av det material som skall bilda beläggning, varvid katoden förbrukas, och vid katoden uppstår en gnisturladdning på ytan genom en kortvarig jordkontakt med hjälp av en trigger.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
En styrd rörelse av gnistan urholkar katodytan och skapar ett kraftigt joniserat plasma.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Anoden kan antingen vara en kon fastsatt till katodens periferi, med hjälp av isolatorer, eller till kammaren.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Substratet förspänns så att icke-synlig beläggning kan ske.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Anm.: Denna definition omfattar inte slumpmässig katodstrålebeläggning utan förspänt substrat.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Jonplätering är en speciell modifikation av den vanliga TE-PVD-processen, varvid ett plasma eller en jonkälla används för att jonisera de ämnen som skall användas för beläggning, och en negativ förspänning läggs på substratet för att underlätta extraktionen av de ämnen som skall deponeras från plasman.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Införandet av reaktiva ämnen, förångning av fasta material i kammaren samt användning av monitorer för att under processen mäta beläggningens optiska egenskaper och tjocklek är vanliga modifieringar av denna process.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
"Pack Cementation" är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess varvid substratet packas in i en pulverblandning ("pack") som består av
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
metallpulver som skall utgöra beläggningen (vanligtvis aluminium, krom, kisel eller kombinationer av dessa),
An activator (normally a halide salt); and
en aktivator (vanligtvis ett halogent salt), och
An inert powder, most frequently alumina.
ett ballastpulver, oftast aluminium.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substratet och pulverblandningen placeras i en retort som upphettas till en temperatur mellan 1030 K (757 °C) och 1375 K (1102 °C) i tillräckligt lång tid för att beläggningen skall ske.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plasmasprutning är en ytbehandlingsprocess i vilken en kanon ("blåslampa"), som producerar och styr ett plasma tar emot pulver eller tråd av beläggningsmaterialet, smälter det och skjuter det mot ett substrat, varpå en integrerad sammanfogning sker.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Plasmasprutning kan antingen ske som lågtryckssprutning eller höghastighetssprutning.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Anm. 1: Med lågtryck avses lägre tryck än omgivande atmosfärtryck.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Anm. 2: Med höghastighet avses en gashastighet vid sprutmunstycket som överskrider 750 m/s beräknat vid 293 K (20 °C) och 0,1 MPa.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Målningsbeläggning är en ytförändringsprocess eller en överlagringsbeläggningsprocess i vilken ett metalliskt eller keramiskt pulver med ett organiskt bindemedel uppslammas i en vätska och appliceras på ett substrat genom antingen sprutning, doppning eller målning, med påföljande luft- eller ugnstorkning, samt värmebehandling för att uppnå önskad beläggning.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Sputteringbeläggning är en överlagringsbeläggningsprocess som baseras på impulsöverföringsfenomen, varvid positiva joner accelereras av ett elektriskt fält mot ytan av ett mål (beläggningsmaterialet).
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Den kinetiska energin hos de laddade jonerna är tillräcklig för att atomer från ytan skall frigöras och beläggas på det lämpligt placerade substratet.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Anm. 1: Tabellen hänvisar endast till triod-, magnetron- eller reaktiv sputteringbeläggning som används för att öka vidhäftningen av beläggningen samt radiofrekvent (RF)-förstärkt sputteringbeläggning som används för att tillåta förångning i icke metalliska beläggningsmaterial.
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Anm. 2: Lågenergijonstrålar (mindre än 5 keV) kan användas för att aktivera beläggningen.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Jonimplantation är en ytförändringsbeläggningsprocess i vilken det ämne som skall legeras joniseras, accelereras genom en potentialgradient och förs in till ytregionen för substratet.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Detta inbegriper processer där jonimplantationen sker samtidigt med fysisk förångningsdeposition med elektronstråle eller sputteringbeläggning.
CATEGORY 3
KATEGORI 3
ELECTRONICS
ELEKTRONIK
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Anm. 1: Kontrollstatusen för den utrustning och de komponenter som beskrivs i avsnitten 3A001 eller 3A002, förutom för de som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 eller 3A001.a.12, och som är speciellt konstruerade för eller som har samma funktionella egenskaper som annan utrustning, bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Anm. 2: Kontrollstatusen för de integrerade kretsar som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 eller 3A001.a.12, och som är icke föränderligt programmerade till eller konstruerade för en speciell funktion för en annan utrustning bestäms av den andra utrustningens kontrollstatus.
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
ANM.: Om en tillverkare eller sökanden inte kan avgöra den andra utrustningens kontrollstatus, bestäms de integrerade kretsarnas kontrollstatus av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.9 och 3A001.a.12.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Om den integrerade kretsen är en kiselbaserad "mikrodator-mikrokrets" eller en mikrokrets för mikrostyrsystem som beskrivs i avsnitten 3A001.a.3 med en operand (data) ordlängd på 8 bitar eller mindre, bestäms den integrerade kretsens kontrollstatus av avsnitt 3A001.a.3.
Electronic components, as follows:
Elektroniska komponenter, enligt följande:
General purpose integrated circuits, as follows:
Integrerade kretsar för allmänna ändamål, enligt följande:
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Anm. 1: Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, skall bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a.
Note 2: Integrated circuits include the following types:
Anm. 2: Integrerade kretsar omfattar följande typer:
"Monolithic integrated circuits";
"Monolitiska integrerade kretsar".
"Hybrid integrated circuits";
"Integrerade hybridkretsar".
"Multichip integrated circuits";
"Integrerade multikretsar".
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"Integrerade kretsar av filmtyp" inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir.
"Optical integrated circuits".
"Optiska integrerade kretsar".
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt någon av följande parametrar:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
En total dos om minst 5 × 103 Gy (kisel),
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
en dosratsändring genom störning om minst 5 × 106 Gy (kisel)/s, eller
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material.
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Anm.: 3A001 a.1 c gäller inte för halvledare av metallisolatortyp (MIS – Metal Insulator Semiconductors).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar", mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till-digital-omvandlare, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller "optiska integrerade kretsar" för "signalbehandling", fältprogrammerbara logiska komponenter, integrerade kretsar för neurala nätverk, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna skall användas är okänd, processorer för Fast Fourier Transform (FFT), elektriskt raderbara PROM-minnen (EEPROM), flash-minnen eller statiska Ram (SRAM) med någon av följande egenskaper:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Specificerade för drift i det omgivande temperaturområdet över 398 K (125 °C).
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Specificerade för drift i det omgivande temperaturområdet under 218 K (– 55 °C).
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
Specificerade för drift i hela det omgivande temperaturområdet från 218 K (– 55 °C) till och med 398 K (125 °C).
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Anm.: Avsnitt 3A001.a.2 gäller inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil eller tågapplikationer.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
"Mikroprocessor-mikrokretsar", "mikrodator-mikrokretsar", mikrocontroller-mikrokretsar med någon av följande egenskaper:
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Anm.: Avsnitt 3A001.a.3 omfattar digitala signalprocessorer, digitala matrisprocessorer (array processors) och digitala hjälpprocessorer (coprocessors).
Not used;
Används inte.
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
tillverkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger 40 MHz, eller
More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
mer än en data- eller instruktionsbuss eller seriekommunikationsport som ger en direkt extern sammankoppling mellan parallellarbetande "mikroprocessor-mikrokretsar" och där överföringshastigheten överstiger 150 Mbyte/s.