natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Portabla, mobila eller avsedda för svåra förhållanden.
Enclosed in a dust tight enclosure;
Inneslutna i en dammtät behållare.
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
Kapabla att leverera sin energi på mindre än 15 μs.
Having an output greater than 100 A;
Kapabla att leverera en strömstyrka överstigande 100 A.
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
Har en "stigtid"som är kortare än 10 μs vid lägre belastning än 40 Ω.
No dimension greater than 254 mm;
Ingen dimension är större än 254 mm.
Weight less than 25 kg; and
Väger mindre än 25 kg.
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Specificerad för användning i ett brett temperaturområde 223 K (- 50 °C) till 373 K (100 °C) eller specificerad som lämplig för rymdanvändning.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
I avsnitt 3A229.b definieras "stigtid" som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av strömamplituden när generatorn driver en resistiv last.
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Snabba pulsgeneratorer som har följande två egenskaper:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Utgående spänning högre än 6 V vid en resistiv belastning av mindre än 55 Ω, och
'Pulse transition time' less than 500 ps.
en "stigtid för pulsen" som är kortare än 500 ps.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
I avsnitt 3A230 definieras "stigtid för pulsen" som tidsintervallet mellan 10 % och 90 % av spänningsamplituden.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Neutrongeneratorsystem, även rör, som har följande två egenskaper:
Designed for operation without an external vacuum system; and
Utformade för drift utan yttre vakuumsystem, och
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
som använder elektrostatisk acceleration för att inducera en reaktion mellan tritium och deuterium.
Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
Sprängkapslar (tändare) och tändsystem för flerpunktständning, enligt följande:
Electrically driven explosive detonators, as follows:
Elektriskt initierade sprängkapslar enligt följande:
Exploding bridge (EB);
Exploderande brygga (EB).
Exploding bridge wire (EBW);
Exploderande tråd (EBW).
Slapper;
"Slapper".
Exploding foil initiators (EFI);
Exploderande folie (EFI).
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
Anordningar som, utlösta av en enda puls, använder en eller flera sprängkapslar i syfte att nästan samtidigt initiera detonation i en sprängämnesyta över en area större än 5000 mm2 med en spridning i tändtid över hela ytan som är mindre än 2,5 μs.
Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Anm.: Avsnitt 3A232 omfattar inte enkla detonatorer som endast använder primära explosiver såsom blyazid (Pb(N3)2).
In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
De sprängkapslar som avses i avsnitt 3A232 utnyttjar alla en liten elektriskt ledare (brygga, tråd, film/folie) som förångas explosivt när en kortvarig elektrisk puls med hög strömstyrka passerar genom denna.
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
I sprängkapslar som inte är av typ "slapper" startar den exploderande ledaren en kemisk detonation i ett anslutande högexplosivt sprängämne, exempelvis pentyl (pentaerytritoltetranitrat).
In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
I en "slapper"-tändare får den explosivt förångade ledaren driva en tunn skiva eller folie över ett luftgap mot ett sprängämne som vid foliens anslag initierar en kemisk detonation.
The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
"Slapper"-tändaren kan i vissa konstruktioner även drivas av en magnetisk kraft.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Termen exploderande foliedetonator refererar antingen till en EB eller en detonator av slapper-typ.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Ordet tändare används ibland istället för detonator.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Masspektrometrar, andra än de som omfattas av avsnitt 0B002.g, som kan mäta joner med en massa av 230 amu (amu = atommassenhet) eller mer och som har en upplösning bättre än 2/230, samt jonkällor till sådana, enligt följande:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Masspektrometrar med induktivt kopplad plasmajonkälla (ICP/MS).
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Masspektrometrar med glimurladdningsjonkälla (GDMS).
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
Masspektrometrar med jonkälla som bygger på termisk jonisation (TIMS).
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
Masspektrometrar med jonkälla som använder indirekt upphettning ("electron bombardment") och med en jonisationskammare tillverkad av, fodrad eller klädd med material som är resistenta mot UF6 (uranhexafluorid).
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
Masspektrometer av molekylstråletyp, antingen
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
med en jonisationskammare gjord av, fodrad eller klädd med rostfritt stål eller molybden och som är försedd med en kylfälla för 193 K (- 80 °C) eller lägre, eller
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
med en jonisationskammare gjord av, fodrad eller klädd med material som är resistenta mot UF6.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Masspektrometrar utrustade med jonkälla med mikrofluorering konstruerad för att användas med aktinider eller aktinidfluorider.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Utrustning för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar speciellt konstruerade komponenter och tillbehör:
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
Utrustning för epitaxiell tillväxt enligt följande:
Equipment capable of producing any of the following:
Utrustning som kan producera någon av följande egenskaper:
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
Ett kisellager med en jämnhetsavvikelse mindre än ± 2,5 % över en sträcka av minst 200 mm.
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Ett lager av ett annat material än kisel med en jämnhetsavvikelse mindre än ± 2,5 % över en sträcka av minst 75 mm.
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
Metallorganiska kemiska förångningsreaktorer (MOCVD) speciellt konstruerade för att ge kristalltillväxt av halvledarblandningar genom kemisk reaktion mellan material enligt avsnitten 3C003 eller 3C004.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Utrustning för epitaxiell tillväxt med hjälp av molekylärstrålar och gaskällor.
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Utrustning för jonimplantation som har någon av följande egenskaper:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
En strålenergi (accelerationsspänning) som överstiger 1 MeV,
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
är speciellt konstruerad för att optimalt kunna arbeta vid en strålenergi (accelerationsspänning) som är mindre än 2 keV,
Direct write capability; or
har direkt skrivmöjlighet, eller
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
en strålenergi som är 65 keV eller mer och en strålenergi som är 45 mA eller mer för att med hög energi införa syre i det upphettade halvledar-"substratet".
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Utrustning för torr anisotropisk plasmaetsning där:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
Utrustningen arbetar med kassett-till-kassettmatning och slussöppning, och som har någon av följande egenskaper:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
Den är speciellt konstruerad för att optimalt kunna producera kritiska dimensioner på 0,3 μm eller mindre med ± 5 % 3 sigmaprecision, eller
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
den är speciellt konstruerad för att generera mindre än 0,04 partiklar/cm2 med en mätbar partikelstorlek som är större än 0,1 μm i diameter.
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning enligt avsnitt 3B001.e, och har någon av följande egenskaper:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
den är speciellt konstruerad för att optimalt kunna producera kritiska dimensioner på 0,3 μm eller mindre med ± 5 % 3 sigmaprecision, eller
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
den är speciellt konstruerad för att generera mindre än 0,04 partiklar/cm2 med en mätbar partikelstorlek som är större än 0,1 μm i diameter.
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Utrustning för plasmaförstärkt CVD enligt följande:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Utrustningen arbetar med kassett-till-kassettmatning och slussöppning, och är speciellt konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre.
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Utrustningen är speciellt konstruerad för utrustning som omfattas av 3B001.e och konstruerad enligt tillverkarens specifikationer eller optimerad för användning vid produktion av halvledarenheter med kritiska dimensioner på 180 nm eller mindre.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Automatiskt laddningssystem för flera kammare för tillverkning av halvledare med alla följande egenskaper:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
Systemet skall ha gränssnitt för såväl in- som utgång för wafers och utrustningen skall vara sådan att minst två processteg är anslutna i ett integrerat system, och
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
vara konstruerade för att bilda ett integrerat system i vakuumomgivning där processerna med flera processteg är kopplade i serie.
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Anm.: Avsnitt 3B001.e omfattar inte automatisk robothantering av wafers som inte är konstruerade för att arbeta i vakuum.
Lithography equipment, as follows:
Litografiutrustning med egenskaper enligt följande:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet ("step and repeat", direkt "step on wafer") eller scanner ("step and scan") som använder röntgen eller foto optiska metoder, och som har någon av följande egenskaper:
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
Ljuskällans våglängd är kortare än 350 nm, eller
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
kan producera ett mönster med en "minsta upplösning för systemdimensionen" på 0,35 μm eller mindre.
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
Den "minsta upplösningen för styrdimensioner" beräknas med följande formel:
numerical aperture
numeriskabländarvärdet
where the K factor = 0,7
där K är en skalfaktor = 0,7
MRF = minimum resolvable feature size
MRF är minsta upplösningen för systemdimensionen
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Utrustning som är speciellt konstruerad för att tillverka masker eller halvledarenheter med hjälp av avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller "laser"-strålar med någon av följande egenskaper:
A spot size smaller than 0,2 μm;
En strålpunkt som är mindre än 0,2 μm,
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
den kan producera mönster med en karaktäristisk ledningsbredd som är mindre än 1 μm, eller
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
har en passningsnoggrannhet som är bättre än ± 0,20 μm (3 sigma).
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Masker eller mastermasker som är avsedda för tillverkning av integrerade kretsar enligt avsnitt 3A001.
Multi-layer masks with a phase shift layer.
Flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Anm.: Avsnitt 3B001.h omfattar inte flerlagermasker som är försedda med ett fasskiftlager konstruerat för tillverkning av minnen som inte omfattas av avsnitt 3A001.
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
"Datorstyrd" provutrustning för provning av färdiga halvledarenheter eller halvfabrikat enligt följande, samt tillhörande komponenter och tillbehör:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Utrustning för provning av transistorers S-parametrar vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz.
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
Utrustning för provning av integrerade kretsar som kan utföra ett sanningstabellprov så att mönstret provas med en repetitionshastighet på mer än 667 MHz.
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Anm.: Avsnitt 3B002.b omfattar inte provutrustning som är speciellt konstruerad för att prova följande:
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
"Elektroniska apparater" eller en klass av "elektroniska apparater" som skall användas för hem eller underhållningselektronik.
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
Okontrollerade elektroniska komponenter, "elektroniska apparater" eller integrerade kretsar.
Memories.
Minnen.
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
I detta avsnitt definieras "mönstrets repetitionshastighet" som den maximala frekvensen för provutrustningens digitala operationer.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Den är därför lika med den högsta datahastighet som en provutrustning kan ge vid icke-multiplexering.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Den betecknas även provningshastighet, maximal digital frekvens eller maximal digital hastighet.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
Utrustning som kan prova integrerade mikrovågskretsar som omfattas av avsnitt 3A001.b.2.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Hetero-epitaxiella material som består av ett "substrat" med ovanpå varandra liggande epitaxiellt tillvuxna multipelskikt av något av följande, nämligen
Silicon;
kisel,
Germanium;
germanium,
III/V compounds of gallium or indium.
III/V-blandningar av gallium eller indium.
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
III/V-blandningar är polykristallinska, binära eller komplexa monokristallinska produkter som består av beståndsdelar ur grupperna IIIA och VA i Mendeleyev's periodiska system (t.ex. galliumarsenid, galliumaluminiumarsenid, indiumfosfid).
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Resister enligt följande, och "substrat" belagda med kontrollerad resist:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
Positiv resister vars spektrala känslighet ("halvledarlitografi") är speciellt justerad (optimerad) för våglängder under 350 nm.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Alla resister, som är avsedda att användas tillsammans med elektron- eller jonstrålar, och vars känslighet är 0,01 μC/mm2 eller bättre.
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
Alla resister som är avsedda att användas tillsammans med röntgenstrålar och som har en känslighet som är 2,5 mJ/mm2eller bättre.
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
Alla resister som optimerats för ytbildstekniker inklusive "silylated resists".
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Med"silylated resists" avses en teknik som innebär att resisten oxideras på ytan för att förstärka effekten av såväl torr som våt framkallning.
Organo-inorganic compounds, as follows:
Organiska-oorganiska blandningar enligt följande:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Metallorganiska blandningar av aluminium, gallium eller indium, med en renhetsgrad (på metallbasen) som är bättre än 99,999 %.
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Organiska blandningar med antimon, arsenik eller fosfor som har en renhet (baserat på det oorganiska elementet) som är bättre än 99,999 %.
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Anm.: Avsnitt 3C003 omfattar endast blandningar vars metalliska, delvis metalliska eller icke metalliska element är direkt bundna till kolet i den organiska delen av molekylen.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Hydrider av fosfor, arsenik eller antimon som har en renhet som är bättre än 99,999 %, även utspädd i ädelgaser eller väte.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Anm.: Avsnitt 3C004 omfattar inte hydrider som innehåller 20 % molar eller mer av ädelgaser eller väte.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
"Programvara" som är speciellt utformad för "utveckling" eller "produktion" av utrustning som omfattas av avsnitten 3A001.b–3A002.g eller 3B.
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
"Programvara" som är speciellt utformad för "användning" av något av följande:
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
Utrustning som omfattas av avsnitt 3B001.a–3B001.f, eller
Equipment specified in 3B002.
utrustning som omfattas av avsnitt 3B002.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
"Fysikbaserad" simulerings"programvara" speciellt konstruerad för "utveckling" av litografiska, etsnings- eller uppbyggnads (depositions) -processen så att maskvärdena omvandlas till specifika typografiska mönster i de olika ledar , dielektriska eller halvledarlagren.
'Physics-based' in 3.D.3. means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Med "fysikbaserad" avses i avsnitt 3.D.3 beräkningar för att fastställa en sekvens av fysiska samband mellan orsak och verkan på grundval av fysiska egenskaper (t.ex. temperatur, tryck, diffusionskonstanter och halvledare).
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Anm.: Bibliotek, konstruktionsanvisningar eller liknande data för konstruktion av halvledarenheter eller integrerade kretsar skall betraktas som "teknik".
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Programvara" som är speciellt utformad för "utveckling" av utrustning som omfattas av avsnitt 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"Programvara" som är speciellt utformad eller modifierad för "användning" av utrustning som omfattas av avsnitt 3A101.b.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
"Teknik" enligt den allmänna anmärkningen om teknik för "utveckling" eller "produktion" av utrustning eller material som omfattas av avsnitten 3A, 3B eller 3C.
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Anm. 1: Avsnitt 3E001 omfattar inte "teknik" för "produktion" av utrustning eller komponenter som omfattas av avsnitt 3A003.
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Anm. 2: Avsnitt 3E001 omfattar inte "teknik"för "utveckling" eller "produktion" av integrerade kretsar som omfattas av avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.12 som har alla följande egenskaper:
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
Som använder en "teknik" för 0,5 μm eller mer, och
Not incorporating 'multi-layer structures'.
som inte har "flerlagerteknik".