natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
a. elektronski žarek z odklonjenim fokusom in
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
najmanjša širina žarka je enaka ali manjša od 15 nm ali
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
napaka pri prekrivanju plasti, manjša od 27 nm (srednja vrednost + 3 sigme);
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
g. maske in mrežice, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001;
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
h. večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi, ki niso določene v točki 3B001(g) in imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
a.
izdelane so iz „surovega substrata“ za maske iz stekla z dvolomnostjo, manjšo od 7 nm/cm, ali
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
izdelane so za uporabo z litografsko opremo z dolžino svetlobnega vira, manjšo od 245 nm;
b.
predmet nadzora v točki 3B001(h) niso večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi, narejene za izdelavo spominskih enot, ki niso določene v točki 3A001.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
i. tiskarske litografske šablone, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001;
c.
j. „surovi substrati“ za maske z večplastno odbojno strukturo iz molibdena in silicija z naslednjima lastnostima:
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
so posebej izdelani za ‚ekstremno ultravijolično‘ (‚EUV‘) litografijo in
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
so skladni s standardom SEMI P37.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
‚ekstremno ultravijolično‘ (‚EUV‘) se nanaša na valovne dolžine elektromagnetnega spektra več kot 5 nm in manj kot 124 nm.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Preizkuševalna oprema, izdelana posebej za preizkušanje izdelanih in neizdelanih polprevodniških naprav in posebej zanjo izdelane komponente in pribor:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
a. za preizkušanje parametrov S pri napravah iz točke 3A001(b)(3);
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
c. za preizkušanje naprav iz točke 3A001(b)(2).
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Heteroepitaksialni materiali, sestavljeni iz „podlage“ z naloženimi plastmi, pridobljeni z epitaksialno rastjo, iz naslednjih materialov:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
a. silicija (Si);
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Uporovni materiali in „podlage“, prevlečene z naslednjimi krmiljenimi uporovnimi pastami:
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
a. uporovne paste za polprevodniško litografijo:
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
pozitivne uporovne paste (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 193 nm, vendar enakih ali večjih od 15 nm;
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
uporovne paste (optimizirane), prirejene za uporabo pri valovnih dolžinah pod 15 nm, večjih od 1 nm;
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
b. vse uporovne paste za uporabo z elektronskimi ali ionskimi žarki, z občutljivostjo 0,01 (mikrokulomba) μcoulomb/mm2 ali boljšo;
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
d. vse uporovne past, optimizirane za tehnike površinske preslikave;
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
e. vse uporovne paste za uporabo ali optimizirane za uporabo s tiskarsko litografsko opremo iz točke 3B001(f)(2), ki uporabljajo termični postopek ali postopek strjevanja s svetlobo.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Organsko-anorganske spojine:
a.
a. organsko-kovinske spojine aluminija, galija ali indija, katerih čistota (kovinske osnove) je več kot 99,999 %;
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
b. organsko-arzenove, organsko-antimonove in organsko-fosforjeve spojine, katerih čistota (anorganske osnove) je več kot 99,999 %.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
predmet nadzora v točki 3C003 so samo spojine, v katerih je kovinski, delno kovinski ali nekovinski element neposredno vezan na ogljik iz organskega dela molekule.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Hidridi fosforja, arzena ali antimona, katerih čistota je boljša od 99,999 %, tudi če so razredčeni v inertnih plinih ali vodiku.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
predmet nadzora v točki 3C004 niso hidridi, ki vsebujejo 20 molarnih odstotkov ali več inertnih plinov ali vodika.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Materiali z visoko upornostjo:
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
a. polprevodniški „substrati“ silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) ali ingoti, kosi ali drugi polizdelki teh materialov z odpornostjo več kot 10000 ohm-cm pri 20 °C;
b.
b. polikristalinski „substrati“ ali polikristalinski keramični „substrati“ z odpornostjo, višjo od 10000 ohm-cm pri 20 °C, in z vsaj eno neepitaksialno monokristalno plastjo silicija (Si), silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) na površini „substrata“.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Materiali, ki niso določeni v točki 3C001, ki jih sestavljajo „substrati“ iz točke 3C005 z vsaj eno epitaksialno plastjo iz silicijevega karbida, galijevega nitrida, aluminijevega nitrida ali aluminijevega galijevega nitrida.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme iz točk 3A001(b) do 3A002(h) ali iz točke 3B.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
„Programska oprema“, posebej izdelana za „uporabo“ opreme iz točk od 3B001(a) do (f), 3B002 ali 3A225.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
‚Na fiziki temelječa‘ simulacijska „programska oprema“, posebej zasnovana za „razvoj“ postopkov litografije, jedkanja ali nanašanja pri prevajanju maskirnih vzorcev v specifične topografske vzorce v vodniških, dielektričnih ali polprevodniških materialih.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Izraz ‚na fiziki temelječa‘ v točki 3D003 pomeni uporabo izračunov za ugotavljanje zaporedja fizičnih vzrokov in posledic na osnovi fizičnih lastnosti (npr. temperature, tlaka, difuzijskih konstant in lastnosti polprevodniških materialov).
Specific TE-PVD processes are as follows:
knjižnice, atributi oblik ali sorodni podatki za snovanje polprevodniških elementov se pojmujejo kot „tehnologija“.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ opreme iz točke od 3A003.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
„Programska oprema“, posebej zasnovana ali prirejena za „uporabo“ opreme iz točke 3A101(b).
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
„Programska oprema“, posebej izdelana za povečanje ali sprostitev zmogljivosti frekvenčnih pretvornikov ali generatorjev, da bi imeli značilnosti iz točke 3A225.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
„Tehnologija“, ki je v skladu s splošno opombo o tehnologiji namenjena za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme ali materialov iz točke 3A, 3B ali 3C;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za opremo ali komponente, ki so določene v točki 3A003.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za integrirana vezja, ki so določena v točkah od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(12) in imajo obe naslednji značilnosti:
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
uporabljajo „tehnologijo“ pri 0,130 μm ali več in
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
vključujejo večplastne strukture z največ tremi kovinskimi plastmi.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
predmet nadzora iz točke 3E001 niso ‚pripomočki za načrtovanje procesa‘, razen če vključujejo knjižnice, ki izvajajo funkcije ali tehnologije za naprave iz točke 3A001.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
‚Pripomoček za načrtovanje procesa‘ je programsko orodje, ki ga zagotovi proizvajalec polprevodnikov, da se zagotovi upoštevanje potrebnih praks in pravil načrtovanja zaradi uspešne proizvodnje specifičnega integriranega vezja v specifičnem polprevodniškem procesu v skladu s tehnološkimi in proizvodnimi omejitvami (za vsak postopek proizvodnje polprevodnikov obstaja poseben ‚pripomoček za načrtovanje procesa‘).
c.
„Tehnologija“ v skladu s splošno opombo o tehnologiji, razen tiste iz točke 3E001, za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ „mikroprocesorskih mikrovezij“, „mikroračunalniških mikrovezij“ in jedra mikrokrmilniškega mikrovezja z aritmetično logično enoto z 32-bitno širino dostopa ali več in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
predmet nadzora v točki 3E002 ni „tehnologija“ za multimedijske razširitve.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
„Tehnologija“, ki je v skladu s splošno opombo o tehnologiji namenjena za „razvoj“ „programske opreme“ iz točke 3D101.
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
„Tehnologija“ v obliki kod ali ključev za povečanje ali sprostitev zmogljivosti frekvenčnih pretvornikov ali generatorjev, da bi imeli značilnosti iz točke 3A225.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
SKUPINA 4 – RAČUNALNIKI
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
računalnike, računalniško opremo in „programsko opremo“, povezano z izvajanjem telekomunikacijskih funkcij ali funkcij „lokalnega omrežja“, je treba obravnavati v primerjavi z delovnimi značilnostmi iz dela 1 skupine 5 (Telekomunikacije).
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
krmilne enote, ki neposredno medsebojno povezujejo vodila ali kanale osrednjih procesnih enot, ‚glavni pomnilnik‘ ali krmilniki diskov ne veljajo za telekomunikacijsko opremo, opisano v delu 1 skupine 5 (Telekomunikacije).
a.
‚Glavni pomnilnik‘ je primarni pomnilnik podatkov ali ukazov, do katerih ima centralna procesna enota hitri dostop.
General purpose integrated circuits, as follows:
Sestavljen je iz notranjega pomnilnika „digitalnega računalnika“ in vsake njegove hierarhične razširitve, kot je na primer predpomnilnik ali razširjeni pomnilnik z nesekvenčnim dostopom.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Elektronski računalniki in sorodna oprema, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti, ter „elektronski sklopi“ in posebej zanje izdelane komponente:
Integrated circuits include the following types:
GLEJ TUDI TOČKO 4A101.
"Monolithic integrated circuits";
a. posebej izdelani, da imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
"Hybrid integrated circuits";
primernost za delovanje pri temperaturah okolja pod 228 K (– 45 °C) ali nad 358 K (85 °C), ali
"Multichip integrated circuits";
predmet nadzora v točki 4A001(a)(1) niso računalniki, izdelani posebej za uporabo v osebnih avtomobilih, železniških vlakih ali „civilnih zrakoplovih“.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
utrjenost proti sevanju, tako da prenesejo naslednje doze:
"Optical integrated circuits";
skupno dozo
"Three dimensional integrated circuits";
5 × 103 Gy (silicij);
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
določeno stalno dozo
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
5 × 106 Gy (silicij)/s ali
a.
posamezne sunke
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
1 × 10–8 napak/bit/dan;
b.
predmet nadzora v točki 4A001(a)(2) niso računalniki, izdelani posebej za uporabo v „civilnih zrakoplovih“.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
b. se ne uporablja.
c.
„Digitalni računalniki“, „elektronski sklopi“ in sorodna oprema ter posebej zanje izdelane komponente:
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
točka 4A003 zajema:
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
‚vektorske procesorje‘;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
matrične procesorje;
a.
procesorje digitalnih signalov;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
logične procesorje;
b.
opremo za „izboljšavo slike“.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
nadzorni status „digitalnih računalnikov“ in sorodne opreme, opisanih v točki 4A003, je določen z nadzornim statusom druge opreme ali sistemov, pod pogojem:
c.
da so „digitalni računalniki“ ali sorodna oprema bistveni za delovanje druge opreme ali sistemov;
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
da „digitalni računalniki“ in sorodna oprema niso „osnovni element“ druge opreme ali sistemov in
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
nadzorni status opreme za „obdelavo signalov“ ali „izboljšanje slike“, ki je posebej izdelana za drugo opremo, katere funkcija je omejena na funkcije, dovoljene drugi opremi, je določen z nadzornim statusom druge opreme, tudi če presega kriterije „osnovnega elementa“.
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
glede nadzornega statusa „digitalnih računalnikov“ ali sorodne opreme za telekomunikacijsko opremo glej del 1 skupine 5 (Telekomunikacije).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
da je „tehnologija“ za „digitalne računalnike“ in sorodna oprema opisana v točki 4E.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
b. „digitalni računalniki“ s „korigirano največjo zmogljivostjo“ („APP“) več kot 29 utežnega teraFLOPS (WT);
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
c. „elektronski sklopi“, izdelani ali prirejeni posebej za izboljšanje zmogljivosti s kopičenjem „procesorjev“, tako da „APP“ presega mejo iz točke 4A003(b);
a.
predmet nadzora v točki 4A003(c) so samo „elektronski sklopi“ in programirljive medsebojne povezave, ki ne presegajo meje iz točke 4A003(b), kadar so dobavljeni kot nevdelani „elektronski sklopi“.
ADCs having any of the following:
predmet nadzora v točki 4A003(c) niso „elektronski sklopi“, izdelani posebej za izdelke ali družine izdelkov, katerih maksimalna konfiguracija ne presega meje iz točke 4A003(b).
SEE ALSO 3A101
g. oprema, posebej izdelana za združevanje učinkovitosti „digitalnih računalnikov“, tako da zagotavlja zunanje medsebojne povezave, ki omogočajo komunikacije pri enosmernih podatkovnih hitrostih nad 2,0 Gbajtov na sekundo na povezavo.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
predmet nadzora v točki 4A003(g) ni oprema za interne medsebojne povezave (npr. hrbtne plošče, vodila), opreme za pasivne medsebojne povezave, „krmilnikov za dostop do omrežja“ ali „krmilnikov za komunikacijske kanale“.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
Računalniki in posebej izdelana računalniška oprema, „elektronski sklopi“ in posebej izdelane komponente zanje:
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
a. ‚računalniki s sistoličnimi zaporedji‘;
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
b. ‚nevronski računalniki‘;
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
c. ‚optični računalniki‘.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
‚Sistolični matrični računalniki‘ so računalniki, pri katerih lahko uporabnik dinamično nadzoruje tok in modifikacijo podatkov na nivoju logičnih vrat.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
‚Nevronski računalniki‘ so računalniške naprave, zasnovane ali modificirane za oponašanje nevronov ali skupine nevronov, tj. računalniške naprave, ki jim strojna oprema daje sposobnost modulacije teže in števila medpovezav in številnih računalniških komponent na podlagi poprejšnjih podatkov.
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
‚Optični računalniki‘ so računalniki, zasnovani ali modificirani za izrabo svetlobe pri predstavitvi podatkov, katerega računalniški logični elementi temeljijo na neposredno sklopljenih optičnih napravah.
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
Sistemi, oprema in pripadajoče komponente, posebej razvite ali prirejene za oblikovanje, upravljanje in zagotavljanje „vdorne programske opreme“ ali nadzor nad njo.
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
Analogni računalniki, „digitalni računalniki“ ali diferencialni digitalni analizatorji, razen tistih iz točke 4A001(a)(1), ki so izdelani ali prirejeni za uporabo v nosilnih raketah iz točke 9A004 ali sondirnih raketah iz točke 9A104.
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
„Hibridni računalniki“, izdelani posebej za izdelovanje modelov, simulacijo ali sestavljanje oblike nosilnih raket iz točke 9A004 ali sondirnih raket iz točke 9A104.
b.
ta nadzor se uporablja le, kadar se oprema dobavlja skupaj s „programsko opremo“ iz točke 7D103 ali 9D103.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
nadzorni status „programske opreme“ za opremo, opisano v drugih skupinah, je obravnavan v ustrezni skupini.