natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Joule-Thomsonove (JT) samonastavljive mini hladilne naprave s premerom (zunanjim) odprtin manj kot 8 mm;
An anode delay time of 15 μs or less; and
optično občutljiva vlakna s posebno sestavo ali strukturo ali spremenjena s prevleko v zvočno, toplotno, inercialno, elektromagnetno občutljiva ali občutljiva za jedrsko sevanje.
Rated for a peak current of 500 A or more;
predmet nadzora v točki 6A002(d)(3) niso vdelana optično občutljiva vlakna, posebej zasnovana za odkrivanje v napravah za vrtanje.
c.
e. se ne uporablja.
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Kamere, sistemi ali oprema in komponente zanje:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
GLEJ TUDI TOČKO 6A203.
Anode peak current rating of 500 A or more; and
a.
Turn-on time of 1 μs or less.
Instrumentacijske kamere in posebej zanje izdelani sestavni deli:
High-current pulse generators as follows:
instrumentacijske kamere iz točk od 6A003(a)(3) do 6A003(a)(5) z modularno zgradbo morajo biti pregledane glede na maksimalne sposobnosti z uporabo priključkov, ki so na voljo v skladu z navodili proizvajalca.
a.
hitro tekoče kinematografske snemalne kamere, ki uporabljajo film s formatom od 8 mm do vključno 16 mm in v katerih se film neprekinjeno premika med snemanjem in so sposobne posneti več kot 13150 posameznih slik na sekundo;
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
mehanske ali elektronske črtne kamere:
Having an output greater than 100 A;
elektronske filmske kamere s hitrostjo snemanja nad 1000000 slik/s;
No dimension greater than 30 cm;
elektronske kamere, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Weight less than 30 kg; and
a. hitrost elektronskega zaklopa (hitrost aktiviranja) manj kakor 1 μs za celotno sliko in
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
b. snemalni čas, ki omogoča hitrost snemanja več kot 125 celotnih slik na sekundo;
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
priključki, ki imajo vse naslednje značilnosti:
c.
a. so posebej izdelani za instrumentacijske kamere z modularnimi strukturami, ki so navedene v točki 6A003(a), in
Micro-firing units having all of the following characteristics:
b. zaradi njih te kamere ustrezajo značilnostim, navedenim v točki 6A003(a)(3), 6A003(a)(4) ali 6A003(a)(5), v skladu s specifikacijami proizvajalca;
No dimension greater than 35 mm;
b. slikovne kamere:
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
predmet nadzora v točki 6A003(b) niso televizijske kamere ali videokamere, ki so posebej izdelane za televizijsko predvajanje.
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
video kamere s polprevodniškimi senzorji, ki imajo maksimalno odzivnost pri valovnih dolžinah nad 10 nm, vendar ne več kot 30000 nm in imajo vse naslednje značilnosti:
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
a. ima katero koli od naslednjih značilnosti:
a.
več kot 4 x 106„aktivnih pik“ na polprevodniško zaporedje v primeru monokromatskih (črno-belih) kamer;
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
4 x 106„aktivnih pik“ na polprevodniško zaporedje pri barvnih kamerah, ki vsebujejo tri polprevodniška zaporedja, ali
b.
več kot 12 x 106„aktivnih pik“ na polprevodniško zaporedje pri barvnih kamerah, ki vsebujejo eno polprevodniško zaporedje, in
'Pulse transition time' less than 500 ps.
optična ogledala iz točke 6A004(a);
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
opremo za optični nadzor iz točke 6A004(d) ali
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
zmožnost za zapisovanje notranje ustvarjenih ‚podatkov o premikanju kamere‘;
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
Za namen te točke se digitalne video kamere obravnavajo glede na maksimalno število „aktivnih pik“, uporabljenih za snemanje gibljive slike.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Za namen te točke ‚podatki o premikanju kamere‘ pomenijo informacije, potrebne za določanje orientacije vidnega polja kamere glede na zemeljsko površje.
a.
To vključuje: 1) horizontalni kot, ki ga vidno polje kamere naredi glede na smer zemeljskega magnetnega polja, in 2) vertikalni kot med vidnim poljem kamere in zemeljskim obzorjem.
Designed for operation without an external vacuum system; and
kamere in sistemi kamer za skeniranje, ki imajo vse naslednje značilnosti:
b.
a. maksimalno odzivnost pri valovnih dolžinah več kot 10 nm, vendar največ 30000 nm;
Utilizing any of the following:
b. linearni detektorski niz z več kot 8192 elementi na niz in
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
c. mehansko skeniranje v eno smer;
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
predmet nadzora v točki 6A003(b)(2) niso kamere in sistemi kamer za skeniranje, posebej izdelani za kar koli od naslednjega:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
industrijske ali civilne fotokopirne stroje;
See 1A007.b. for detonators.
skenerje slik, posebej zasnovane za civilno stacionarno uporabo skeniranja z majhne razdalje (npr. reprodukcija slik ali tiska v dokumentih, umetnostnih del ali fotografij), ali
b.
za medicinsko opremo.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
slikovne kamere, ki vsebujejo elektronke za ojačanje slike, določene v točki 6A002(a)(2)(a) ali 6A002(a)(2)(b);
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
‚slikovne kamere‘, ki vsebujejo „žariščnoravninske detektorske nize“, ki imajo karkoli od naslednjega:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
a. „žariščnoravninske detektorske nize“, opredeljene v točkah od 6A002(a)(3)(a) do 6A002(a)(3)(e);
a.
b. „žariščnoravninske detektorske nize“, opredeljene v točki 6A002(a)(3)(f), ali
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
c. „žariščnoravninske detektorske nize“, opredeljene v točki 6A002(a)(3)(g);
b.
slikovne kamere iz točke 6A003(b)(4) vsebujejo „žariščnoravninske detektorske nize“, ki so za bralno elektroniko povezani z zadostno „signalno-procesno“ elektroniko, ki omogoča najmanj analogni ali digitalni signal na izhodu, ko dovedemo napajanje.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
predmet nadzora v točki 6A003(b)(4)(a) niso slikovne kamere, ki vsebujejo linearne „žariščnoravninske detektorske nize“ z 12 elementi ali manj, ki ne uporabljajo zakasnitve in integracije znotraj elementov in so izdelani za katerega koli izmed naslednjih namenov:
c.
a. industrijski ali zasebni protivlomni alarmi ter nadzorni sistemi in sistemi za štetje v prometu ali industriji;
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
b. za industrijsko opremo, ki se uporablja za spremljanje ali nadzor toplotnih tokov v zgradbah, opremi ali industrijskih procesih;
d.
c. industrijska oprema za pregled, razvrščanje ali analizo lastnosti materialov;
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
d. oprema, izdelana posebej za laboratorijsko rabo, ali
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
e. za medicinsko opremo.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
predmet nadzora v točki 6A003(b)(4)(b) niso slikovne kamere, ki imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
e.
največji vzorčevalni čas slike enak ali manjši od 9 Hz;
Not used;
imajo minimalno horizontalno ali vertikalno ‚trenutno polje opazovanja (IFOV)‘ najmanj 10 miliradianov;
f.
imajo lečje za nespreminjajočo se fokusno dolžino, ki je zasnovano, da se ne more odstraniti;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
ne vključuje ‚neposrednega prikaza‘ in
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
ne omogočajo možnosti za pridobitev slike detektiranega vidnega polja ali
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
kamera je zasnovana za posamične aplikacije in ni zasnovana za spremembe s strani uporabnika ali
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
je kamera je namensko zasnovana za namestitev v civilno potniško vozilo in ima vse naslednje značilnosti:
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
namestitev in konfiguracija kamere v vozilo sta namenjeni samo pomoči vozniku pri varnem upravljanju vozila;
a.
deluje samo v primerih, ko je nameščena v karkoli od naslednjega:
Voltage rating greater than 2 kV; and
civilno potniško vozilo, za katero je bila namenjena in ki tehta manj kot 4500 kg (bruto masa vozila), ali
b Inductance of less than 20 nH.
v posebno zasnovano in avtorizirano testno okolje za vzdrževanje in
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
vključuje aktivni mehanizem, ki preprečuje delovanje kamere v primerih odstranitve iz vozila, za katero je bila kamera namenjena.
SEE ALSO 2B226
‚Horizontalni IFOV‘ = horizontalno vidno polje (FOV)/število detektorskih elementov v horizontalni smeri.
a.
‚Vertikalni IFOV‘ = vertikalno vidno polje (FOV)/število detektorskih elementov v vertikalni smeri.
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
predmet nadzora v točki 6A003(b)(4)(c) niso slikovne kamere, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
kamera je posebej izdelana za vgradnjo kot sestavni del v omrežne sisteme ali opremo, predvideno za uporabo v stavbah, ki pa je zaradi svoje konstrukcije omejena na:
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
spremljanje industrijskih procesov, kontrolo kakovosti ali analizo lastnosti materialov;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
laboratorijsko opremo, izdelano posebej za znanstvene raziskave;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
opremo za odkrivanje finančnih goljufij in
b.
v sisteme ali opremo, za katere je bila namenjena, ali
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
napravo za vzdrževanje, posebej zasnovano in odobreno v ta namen, in
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
vključuje aktivni mehanizem, ki preprečuje delovanje kamere v primerih odstranitve iz sistema(-ov) ali opreme, za katere je bila kamera namenjena;
Direct write capability;
če je kamera namensko zasnovana za namestitev v civilno potniško vozilo ali trajekte za potnike ali vozila in ima vse naslednje značilnosti:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
namestitev in konfiguracija kamere v vozilo ali trajekt sta namenjeni samo pomoči vozniku ali upravljavcu pri varnem upravljanju vozila ali trajekta;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
civilno potniško kopensko vozilo, za katerega je bila namenjena; civilno potniško vozilo, za katero je bila namenjena in ki tehta manj kot 4500 kg (bruto masa vozila);
e.
trajekt za potnike ali vozila, za katerega je bila namenjena in s skupno dolžino 65 m ali več, ali
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
v posebno zasnovano in avtorizirano testno okolje za vzdrževanje in
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
vključuje aktivni mehanizem, ki preprečuje delovanje kamere v primerih odstranitve iz vozila, za katero je bila kamera namenjena;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
zaradi svoje konstrukcije so omejene na največjo „sevalno občutljivost“ 10 mA/W ali manj pri valovnih dolžinah več kot 760 nm, ki imajo vse naslednje značilnosti:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
imajo napravo za omejevanje odzivnosti, zasnovano tako, da se ne more odstraniti ali prirediti;
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
vključujejo aktivni mehanizem, ki preprečuje delovanje kamere v primerih odstranitve naprave za omejevanje odzivnosti, in
f.
d. ima vse naslednje značilnosti:
Lithography equipment as follows:
ne vključuje ‚neposrednega prikaza‘ ali elektronskega prikaza slike;
a.
„žariščnoravninski detektorski nizi“ so operabilni le, ko so vgrajeni v kamero, za katero so bili namenjeni, in
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
„žariščnoravninski detektorski nizi“ vključujejo aktivni mehanizem, zaradi katerega so trajno neoperabilni, če se odstranijo iz kamere, za katero so bili namenjeni;
b.
slikovne kamere s polprevodniškimi detektorji iz točke 6A002(a)(1).
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Optična oprema in komponente:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
a. optična ogledala (reflektorji):
an exposure light source wavelength in nm
Za namen točke 6A004(a) se prag lasersko povzročene škode meri v skladu s standardom ISO 21254-1:2011.
K factor
glede optičnih ogledal, posebej izdelanih za litografsko opremo, glej točko 3B001.
numerical aperture
„Deformljiva zrcala“ z aktivno optično odprtino, večjo od 10 mm, in katero koli od naslednjih značilnosti, skupaj s posebej oblikovanimi sestavnimi deli,
where the K factor = 0,35
a. imajo vse naslednje značilnosti:
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
mehanična resonančna frekvenca 750 Hz ali več in
3B001.f.2. includes:
več kot 200 aktuatorjev ali
Micro contact printing tools
b. prag lasersko povzročene škode je kar koli od naslednjega:
Hot embossing tools
več kot 1 kW/cm2 pri uporabi „CW laserja“ ali
Nano-imprint lithography tools
več kot 2 J/cm2 z uporabo 20 ns „laserskih“ impulzov pri koraku ponovitve 20 Hz;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
lahka monolitna zrcala s povprečno „ekvivalentno gostoto“ manj kot 30 kg/m2 in s skupno maso nad 10 kg;
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
predmet nadzora v točki 6A004(a)(2) niso ogledala, posebej zasnovana za usmerjanje sončnega sevanja za prizemne heliostatske instalacije.
a.
lahke „kompozitne“ ali penaste zrcalne strukture s povprečno „ekvivalentno gostoto“ manj kot 30 kg/m2 in s skupno maso nad 2 kg;
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
predmet nadzora v točki 6A004(a)(3) niso ogledala, posebej zasnovana za usmerjanje sončnega sevanja za prizemne heliostatske instalacije.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
zrcala, posebej oblikovana za odre zrcal za usmerjanje žarkov, določena v točki 6A004(d)(2)(a), katerih ploskost je λ/10 ali boljša (λ je enako 633 nm), in s katero koli od naslednjih značilnosti:
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
a. premer ali dolžina glavne osi je večja ali enaka 100 mm ali
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
premer ali dolžina glavne osi je večja kot 50 mm, vendar manjša kot 100 mm, in
a.
prag lasersko povzročene škode je kar koli od naslednjega:
A deflected focused electron beam; and
a. več kot 10 kW/cm2 pri uporabi „CW laserja“ali
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
b. več kot 20 J/cm2 z uporabo 20 ns „laserskih“ impulzov pri koraku ponovitve 20 Hz;
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
b. optične komponente iz cinkovega selenida (ZnSe) ali cinkovega sulfida (ZnS) s prepustnostjo pri valovnih dolžinah več kot 3000 nm, vendar ne pri več kot 25000 nm, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
g.
njihova prostornina presega 100 cm3ali
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
njihov premer ali dolžina glavne osi presega 80 mm, debelina (globina) pa 20 mm;
h.
c. komponente za optične sisteme, „primerne za vesolje“:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
katerih teža je zmanjšana na manj kot 20 % „ekvivalentne gostote“ v primerjavi z masivnim izdelkom z enako odprtino in debelino;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
neobdelane podlage, obdelane podlage s površinskimi prevlekami (enoplastnimi ali večplastnimi, kovinskimi ali dielektričnimi, prevodniškimi, polprevodniškimi ali izolirnimi) ali z zaščitnimi filmi;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
segmenti ali sklopi zrcal, izdelani za sestavljanje v vesolju v optični sistem z zbirno odprtino, ki ima posamezno optiko s premerom 1 m ali več;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
komponente, izdelane iz „kompozitnih“ materialov s koeficientom linearne toplotne razteznosti, enakim ali manjšim od 5 × 10–6, v kateri koli koordinatni smeri;
i.
d. oprema za optični nadzor:
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
oprema, posebej izdelana za vzdrževanje površinske podobe ali smeri komponent, „primernih za vesolje“, iz točke 6A004(c)(1) ali 6A004(c)(3);
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
oprema za krmarjenje, sledenje, stabilizacijo ali poravnavo resonatorja:
a.
a. nosilci zrcal za usmerjanje žarkov, namenjeni namestitvi zrcal s premerom ali dolžino glavne osi več kot 50 mm in vsemi naslednjimi značilnostmi, ter posebej namenjena elektronska kontrolna oprema zanje:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
največji kotni hod ±26 mrad ali več;
c.
mehanična resonančna frekvenca 500 Hz ali več in
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
kotna „natančnost“ 10 μrad (mikroradianov) ali manj (boljše);
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
b. oprema za poravnavo resonatorja s pasovnimi širinami 100 Hz ali več in „natančnostjo“ 10 μrad (mikroradianov) ali manj (boljše);
a.
kardansko obešenje, ki ima vse naslednje značilnosti:
Silicon (Si);
a. maksimalno obračanje več kot 5 o;
b.
b. pasovno širino 100 Hz ali več;
Germanium (Ge);
c. kotni pogrešek nastavitve 200 μrad (mikroradianov) ali manj in
c.
d. ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Silicon carbide (SiC); or
premer ali dolžina glavne osi je več kot 0,15 m, vendar največ 1 m in ima zmožnost kotnega pospeška več kot 2 rad (radiana)/s2, ali
d.
premer ali dolžina glavne osi je večja od 1 m in ima zmožnost kotnega pospeška več kot 0,5 rad (radiana)/s2;
"III/V compounds" of gallium or indium.
e. ‚asferični optični elementi‘, ki imajo vse naslednje značilnosti:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
največjo dimenzijo optične odprtine več kot 400 mm;
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
površinsko hrapavost manj kot 1 nm (rms) za vzorčenje dolžine 1 mm ali več in
a.
koeficient absolutne amplitude linearne toplotne razteznosti je manj kot 3 × 10-6/K pri 25 °C.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
‚Asferični optični element‘ je kateri koli element, uporabljen v optičnem sistemu, katerega slikovna površina je izdelana tako, da odstopa od idealne krogle.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Proizvajalci niso dolžni meriti površinske hrapavosti iz točke 6A004(e)(2), razen če je optični element zasnovan ali izdelan, da bi ustrezal kontrolnemu parametru ali ga presegal.
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
predmet nadzora v točki 6A004(e) niso ‚asferični optični elementi‘, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
b.
največja dimenzija optične odprtine je manjša od 1 m, razmerje med žariščno razdaljo in odprtino je 4,5:1 ali večje;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
največja dimenzija optične odprtine je enaka ali večja od 1 m, razmerje med žariščno razdaljo in odprtino je enako ali večje od 7:1;
d.
izdelan je kot Fressnelov optični element, kot povratno oko, trak, prizma ali difrakcijski optični elementi;
All resists optimised for surface imaging technologies;
izdelan je iz borsilicijevega stekla s koeficientom linearne toplotne razteznosti več kot 2,5 x 10-6/K pri 25 °C ali
e.
je rentgenski optični element z notranjimi zrcalnimi zmožnostmi (npr. cevna zrcala).
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
glede ‚asferičnih optičnih elementov‘, izdelanih posebej za litografsko opremo, glej točko 3B001.
Organo-inorganic compounds as follows:
„Laserji“, razen tistih iz točke 0B001(g)(5) ali 0B001(h)(6), sestavni deli in optična oprema:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
impulzni „laserji“ vključujejo laserje, ki delujejo s trajnim valovanjem (način CW) s superponiranimi impulzi.
b.
excimer, polprevodni, kemični, CO, CO2 in neponavljajoči impulzni Nd: stekleni „laserji“ so določeni le v točki 6A005(d).
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
‚neponavljajoči impulzni‘ se nanaša na „laserje“, ki proizvajajo en sam izhodni impulz ali katerih časovni interval med impulzi je daljši od ene minute.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
točka 6A005 vključuje „laserje“ za vlakna.