natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
naznačeno napetost, ki je enaka ali večja od 1 kV, in
f.
kapacitivnost, ki je enaka ali večja od 100 nF.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Hitri impulzni generatorji in 'impulzne glave' zanje, ki imajo obe naslednji značilnosti:
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
a. izhodno napetost nad 6 V na uporovnem bremenu, manjšem od 55 omov, in
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
b. "prehodni čas impulza", krajši od 500 ps.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
v točki 3A230 je 'prehodni čas impulza' opredeljen kot časovni interval med 10 % in 90 % amplitude napetosti.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
'impulzne glave' so omrežja, ki ustvarjajo impulze in so zasnovana tako, da sprejmejo funkcijo napetosti koraka in jo oblikujejo v impulze več oblik, vključno s pravokotno, trikotno, koračno, impulzno, eksponentno ali monociklično.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
'Impulzne glave' so lahko sestavni del impulznega generatorja, bodisi kot priključni modul za napravo ali kot naprava za zunanji priklop.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Nevtronski generatorski sistemi, vključno z elektronkami, ki imajo obe naslednji značilnosti:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
a. izdelani so za delovanje brez zunanjega vakuumskega sistema in
Table
b. uporabljajo kar koli od naslednjega:
Deposition techniques
elektrostatični pospešek za sprožanje jedrske reakcije med tritijem in devterijem, ali
Coating Process (1) [3]
elektrostatični pospešek za sprožanje jedrske reakcije med devterijem in devterijem ter sposoben ustvarjanja 3 × 109 nevtronov/s ali več.
Substrate
Večtočkovni vžigalni sistemi, razen tistih iz točke 1A007:
Resultant Coating
za detonatorje glej točko 1A007(b).
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
b. naprave, ki uporabljajo en detonator ali več detonatorjev, ki so zasnovane za skoraj hkratni vžig eksplozivne površine, večje kot 5000 mm2, z enim samim vžigalnim signalom, pri čemer je časovno odstopanje vžiga na celotni površini krajše od 2,5 μs.
"Superalloys"
predmet nadzora v točki 3A232 niso detonatorji, ki uporabljajo samo primarne eksplozive, na primer svinčev azid.
Aluminides for internal passages
Masni spektrometri, razen tistih iz točke 0B002(g), ki so zmožni merjenja ionov z atomsko maso 230 ali več, z razločljivostjo, ki je boljša od dveh delov v 230, in ionski viri zanje:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
a. masni spektrometri z induktivno sklopljeno plazmo (ICP/MS);
Silicides
b. masni spektrometri s tlilno razelektritvijo (GDMS);
Carbides
c. masni spektrometri s termično ionizacijo (TIMS);
Dielectric layers (15)
d. masni spektometri z elektronskim obstreljevanjem, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Diamond
sistem za dovod molekularnega snopa, ki dovaja kolimiran snop molekul analita v območje ionskega vira, kjer molekule ionizira z elektronskim žarkom, in
Diamond-like carbon (17)
eno ali več 'hladnih pasti', ki jih je mogoče ohladiti na temperaturo 193 K (– 80 °C);
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
e. se ne uporabljajo;
Refractory metals
f. masni spektrometri, opremljeni z ionskim virom, ki omogoča mikrofluoriranje, in zasnovani za aktinoide ali fluoride aktinoidov.
Mixtures thereof (4)
masni spektometri z elektronskim obstreljevanjem iz točke 3A233(d) so znani tudi pod imenom masni spektometri z vplivanjem na elektrone ali masni spektometri z elektronsko ionizacijo;
Aluminides
v točki 3A233(d)2 je 'hladna past' naprava, ki ujame molekule plina z njihovo kondenzacijo ali zamrzovanjem na hladnih površinah.
Alloyed aluminides (2)
Za namene točke 3A233(d)2 kriogenska vakuumska črpalka za helij v plinskem stanju z zaprto zanko ni 'hladna past'.
Boron nitride
Trakasti valovodi, ki detonatorjem zagotavljajo nizko induktivnost in imajo naslednje značilnosti:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
a. naznačeno napetost, večjo od 2 kV, in
Tungsten
b. induktivnost, manjšo od 20 nH.
Molybdenum and Molybdenum alloys
Oprema za proizvodnjo polprevodniških elementov ali materialov in posebej izdelane komponente in pribor zanjo:
Beryllium and Beryllium alloys
a. oprema za epitaksialno rast:
Sensor window materials (9)
oprema z možnostjo proizvajanja plasti katerega koli materiala razen silicija enakomerne debeline do manj kot ± 2,5 % na razdalji 75 mm ali več;
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
točka 3B001(a)1 zajema tudi opremo za epitaksijo atomske plasti (ALE).
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
reaktorji za nanašanje kovin s kemičnim naparjevanjem (MOCVD), ki so izdelani za epitaksialno rast materiala sestavljenih polprevodnikov in imajo dva ali več naslednjih elementov: aluminij, galij, indij, arzen, fosfor, antimon ali dušik;
Alloyed silicides
oprema za epitaksijsko rast z molekularnim snopom, ki uporablja plinske ali trdne vire.
Modified zirconia (12)
b. oprema, izdelana za ionsko implantacijo, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Corrosion resistant steel (7)
izdelana in optimizirana je za delovanje pri energiji žarka 20 keV ali več in žarkovnem toku 10 mA ali več za implantacijo z dušikom, devterijem ali helijem;
Borides
zmožnost neposrednega zapisa;
Beryllium
energijo žarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto "podlago" iz polprevodniškega materiala ali
Titanium alloys (13)
izdelana in optimizirana je za delovanje pri energiji žarka 20 keV ali več in žarkovnem toku 10 mA ali več za implantacijo s silicijem v "podlago" iz polprevodniškega materiala, ogreto na 600 °C ali več;
Nitrides
d. se ne uporabljajo;
B.2.
e. večkomorni centralni sistemi z avtomatskim polnjenjem za ravnanje z rezinami, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
imajo vmesnike za vnos in iznos rezin, na katere je treba priključiti več kot dve za to izdelani in funkcionalno različni 'polprevodni procesni orodji' iz točke 3B001(a)(1), 3B001(a)(2), 3B001(a)(3) ali 3B001(b), in
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
izdelani so za oblikovanje integriranega sistema v vakuumskem okolju za 'sekvenčno večkratno obdelavo rezin';
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
predmet nadzora v točki 3B001(e) niso avtomatski robotski sistemi za ravnanje z rezinami, posebej izdelani za vzporedno obdelavo rezin.
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
za namene točke 3B001(e) 'polprevodno procesno orodje' pomeni modularna orodja, ki omogočajo fizične postopke za proizvodnjo polprevodnikov, ki so funkcionalno različni, kot so nanašanje, implantacija ali termična obdelava.
Diamond-like carbon
za namene točke 3B001(e) 'sekvenčna večkratna obdelava rezin' pomeni zmogljivost obdelave vsake rezine v drugem 'polprevodnem procesnem orodju', na primer prenos vsake rezine od enega orodja do drugega in tretjega z večkomornimi centralnimi sistemi z avtomatskim polnjenjem za ravnanje z rezinami.
B.4.
f. litografska oprema:
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
oprema za pozicioniranje in izpostavljanje rezin po sistemu 'korak in ponovi' (neposredni korak na rezini) ali 'korak in skeniraj' (skener) pri obdelavi rezin z uporabo fotooptične metode ali metode z rentgenskimi žarki in ki ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Polymers (11) and Organic "matrix""composites"
a. vir svetlobe valovne dolŽine manj kakor 193 nm ali
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
b. zmožnost proizvajanja oblike z 'minimalno razločljivo potezo' (MRF) 45 nm ali manj;
Refractory metals and alloys (8)
'minimalna razločljiva poteza' (MRF) se izračuna po naslednji enačbi:
Oxides
valovna dolžina svetlobnega vira v nm
D. Plasma spraying
faktor K
Abradable Nickel-Graphite
numerična odprtina
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
pri čemer je faktor K = 0,35.
Abradable Al-Si-Polyester
tiskarska litografska oprema, s katero se lahko tiska podobe z največ 45 nm;
Aluminium alloys (6)
točka 3B001(f)(2) vključuje:
E. Slurry Deposition
mikrokontaktno tiskarsko orodje,
Fused silicides
vroča reliefna orodja,
Fused aluminides except for resistance heating elements
nanotiskarska litografska orodja,
F. Sputter Deposition
'step and flash' tiskarska litografska orodja (S-FIL).
Noble metal modified aluminides (3)
oprema, izdelana posebej za obdelavo naprav za izdelavo mask, ki ima vse naslednje značilnosti:
Platinum
a. elektronski žarek z odklonjenim fokusom, ionski ali "laserski" žarekin
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
polovična vrednost širine (FWHM) točke, manjša od 65 nm in postavitev slike, manjša od 17 nm (srednja vrednost + 3 sigme), ali
Dielectic layers (15)
napaka pri prekrivanju druge plasti, manjša od 23 nm (srednja vrednost + 3 sigme) na maski;
G. Ion Implantation
Oprema, ki je zasnovana za obdelavo s pomočjo neposrednih metod zapisa in ima vse naslednje značilnosti:
High temperature bearing steels
a. elektronski žarek z odklonjenim fokusom in
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
najmanjša širina žarka je enaka ali manjša od 15 nm ali
Cemented tungsten carbide (16)
napaka pri prekrivanju plasti, manjša od 27 nm (srednja vrednost + 3 sigme);
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
g. maske in mrežice, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001;
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
h. večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi, ki niso določene v točki 3B001(g) in imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
izdelane so iz "surovega substrata" za maske iz stekla z dvolomnostjo, manjšo od 7 nm/cm, ali
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
izdelane so za uporabo z litografsko opremo z dolžino svetlobnega vira, manjšo od 245 nm;
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
predmet nadzora v točki 3B001(h) niso večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi, narejenih za izdelavo spominskih enot, ki niso predmet nadzora v točki 3A001.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
i. tiskarske litografske šablone, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Preizkuševalna oprema, izdelana posebej za preizkušanje izdelanih in neizdelanih polprevodniških naprav in posebej zanjo izdelane komponente in pribor:
a.
a. za preizkušanje parametrov S tranzistorskih naprav pri frekvencah nad 31,8 GHz;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
c. za preizkušanje mikrovalovnih integriranih vezij iz točke 3A001(b)(2).
b.
Heteroepitaksialni materiali, sestavljeni iz "podlage" z naloženimi plastmi, pridobljeni z epitaksialno rastjo, iz naslednjih materialov:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
a. silicija (Si);
c.
b. germanija (Ge);
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
c. silicijevega karbida (SiC) ali
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
d.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
"III/V spojin" galija ali indija.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
predmet nadzora v točki 3C001(d) ni "podlaga" z eno ali več epitaksialnimi plastmi tipa P iz GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ali InGaAlP, ne glede na zaporedje elementov, razen če je epitaksialna plast tipa P med plastmi tipa N.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Uporovni materiali in "podlage", prevlečene z naslednjimi krmiljenimi uporovnimi pastami:
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
a. uporovne paste za polprevodniško litografijo:
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
pozitivne uporovne paste (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 245 nm, vendar enakih ali večjih od 15 nm;
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
uporovne paste (optimizirane), prirejene za uporabo pri valovnih dolžinah pod 15 nm, večjih od 1 nm;
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
b. vse uporovne paste za uporabo z elektronskimi ali ionskimi žarki, z občutljivostjo 0,01 (mikrokulomba) μcoulomb/mm2 ali boljšo;
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
d. vse uporovne past, optimizirane za tehnike površinske preslikave;
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10– 7 K– 1 or less measured at 293 K (20 °C).
e. vse uporovne paste za uporabo ali optimizirane za uporabo s tiskarsko litografsko opremo iz točke 3B001(f)(2), ki uporabljajo termični postopek ali postopek strjevanja s svetlobo.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Organsko-anorganske spojine:
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
a. organsko-kovinske spojine aluminija, galija ali indija, katerih čistota (kovinske osnove) je več kot 99,999 %;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
b. organsko-arzenove, organsko-antimonove in organsko-fosforjeve spojine, katerih čistota (anorganske osnove) je več kot 99,999 %.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
predmet nadzora v točki 3C003 so samo spojine, v katerih je kovinski, delno kovinski ali nekovinski element neposredno vezan na ogljik iz organskega dela molekule.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Hidridi fosforja, arzena ali antimona, katerih čistota je boljša od 99,999 %, tudi če so razredčeni v inertnih plinih ali vodiku.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
predmet nadzora v točki 3C004 niso hidridi, ki vsebujejo 20 molarnih odstotkov ali več inertnih plinov ali vodika.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Polprevodniški "substrati" silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) ali ingoti, kosi ali drugi polizdelki teh materialov z odpornostjo več kot 10000om cm pri 20 °C.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
"Substrati" iz točke 3C005 z vsaj eno epitaksialno plastjo iz silicijevega karbida, galijevega nitrida, aluminijevega nitrida ali aluminijevega galijevega nitrida.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
"Programska oprema", izdelana posebej za "razvoj" ali "proizvodnjo" opreme iz točk 3A001(b) do 3A002(h) ali iz točke 3B.
a.
"Programska oprema", posebej izdelana za "uporabo" opreme iz točk od 3B001(a) do (f), 3B002 ali 3A225.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
'Na fiziki temelječa' simulacijska "programska oprema", posebej zasnovana za "razvoj" postopkov litografije, jedkanja ali nanašanja pri prevajanju maskirnih vzorcev v specifične topografske vzorce v vodniških, dielektričnih ali polprevodniških materialih.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
izraz "na fiziki temelječa" v točki 3D003 pomeni uporabo izračunov za ugotavljanje zaporedja fizičnih vzrokov in posledic na osnovi fizičnih lastnosti (npr. temperature, tlaka, difuzijskih konstant in lastnosti polprevodniških materialov).
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
knjižnice, atributi oblik ali sorodni podatki za snovanje polprevodniških elementov se pojmujejo kot "tehnologija".
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
"Programska oprema", izdelana posebej za "razvoj" opreme iz točke od 3A003.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
"Programska oprema", posebej izdelana ali prirejena za "uporabo" opreme iz točke 3A101.b.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
"Programska oprema", posebej izdelana za povečanje ali sprostitev zmogljivosti frekvenčnih pretvornikov ali generatorjev, da bi imeli značilnosti iz točke 3A225.
b.
"Tehnologija", ki je v skladu s splošno opombo o tehnologiji namenjena za "razvoj" ali "proizvodnjo" opreme ali materialov iz točke 3A, 3B ali 3C;
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
predmet nadzora v točki 3E001 ni "tehnologija" za "proizvodnjo" opreme ali komponente, ki so določene v točki 3A003.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
predmet nadzora v točki 3E001 ni "tehnologija" za "razvoj" ali "proizvodnjo" integriranih vezjih, ki so določena v točkah od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(12) in imajo obe naslednji značilnosti:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
uporabljajo "tehnologijo" pri 0,130 μm ali več in
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
vključujejo večplastne strukture z največ tremi kovinskimi plastmi.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
"Tehnologija" v skladu s splošno opombo o tehnologiji, razen tiste iz točke 3E001, za "razvoj" ali "proizvodnjo" "mikroprocesorskih mikrovezij", "mikroračunalniških mikrovezij" in jedra mikrokrmilniškega mikrovezja z aritmetično logično enoto z 32-bitno širino dostopa ali več in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Specific TE-PVD processes are as follows:
a. 'vektorska procesna enota', izdelana za izvajanje več kot dveh izračunov vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil) simultano;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
'vektorska procesna enota' je element procesorja z vgrajenimi ukazi, ki izvajajo večkratne izračune vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil), simultano in imajo vsaj eno vektorsko aritmetično logično enoto ter vektorske registre z vsaj 32 elementi na vsakega.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
b. izdelana je za izračunavanje več kot štirih rezultatov 64-bitne ali večje operacije v plavajoči vejici na cikel ali
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
c. izdelana je za izračunavanje več kot osmih rezultatov 16-bitnega množenja v nepremični vejici na cikel (npr. digitalna manipulacija analognih informacij, ki je bila pred tem pretvorjena v digitalno obliko, znana tudi kot digitalna "obdelava signalov").
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
predmet nadzora v točki 3E002 ni "tehnologija" za multimedijske razširitve.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
predmet nadzora v točki 3E002 ni "tehnologija" za "razvoj" ali "proizvodnjo" mikroprocesnih jeder, ki imajo obe naslednji značilnosti:
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
vključujejo večplastne strukture z največ petimi kovinskimi plastmi.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
točka 3E002 zajema "tehnologijo" za procesorje digitalnih signalov in procesorje digitalnih nizov.