natgillin/translations-raw huggingface dataset:
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
'slikovne kamere', ki vsebujejo "žariščnoravninske detektorske nize", ki imajo karkoli od naslednjega:
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
a. "žariščnoravninske detektorske nize", opredeljene v točkah od 6A002(a)(3)(a) do 6A002(a)(3)(e);
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
b. "žariščnoravninske detektorske nize", opredeljene v točki 6A002(a)(3)(f), ali
b.
c. "žariščnoravninske detektorske nize", opredeljene v točki 6A002(a)(3)(g);
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
slikovne kamere iz točke 6A003(b)(4) vsebujejo "žariščnoravninske detektorske nize", ki so za bralno elektroniko povezani z zadostno "signalno-procesno" elektroniko, ki omogoča najmanj analogni ali digitalni signal na izhodu, ko dovedemo napajanje.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
predmet nadzora v točki 6A003(b)(4)(a) niso slikovne kamere, ki vsebujejo linearne "žariščnoravninske detektorske nize" z 12 elementi ali manj, ki ne uporabljajo zakasnitve in integracije znotraj elementov in so izdelani za katerega koli izmed naslednjih namenov:
Direct write capability;
za industrijsko opremo, ki se uporablja za spremljanje ali nadzor toplotnih tokov v zgradbah, opremi ali industrijskih procesih;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
oprema, izdelana posebej za laboratorijsko rabo, ali
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
predmet nadzora v točki 6A003(b)(4)(b) niso slikovne kamere, ki imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
d.
največji vzorčevalni čas slike enak ali manjši od 9 Hz;
Not used;
imajo minimalno horizontalno ali vertikalno 'trenutno polje opazovanja (IFOV)' najmanj 10 miliradian/piksel;
e.
imajo lečje za nespreminjajočo se fokusno dolžino, ki je zasnovano, da se ne more odstraniti;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
ne vključuje "neposrednega prikaza" in
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
ne omogočajo možnosti za pridobitev slike detektiranega vidnega polja ali
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
kamera je zasnovana za posamične aplikacije in ni zasnovana za spremembe s strani uporabnika ali
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
je kamera je namensko zasnovana za namestitev v civilno potniško vozilo in ima vse naslednje značilnosti:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
namestitev in konfiguracija kamere v vozilo sta namenjeni samo pomoči vozniku pri varnem upravljanju vozila;
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
deluje samo v primerih, ko je nameščena v karkoli od naslednjega:
f.
civilno potniško vozilo, za katero je bila namenjena in ki tehta manj kot 4500 kg (bruto masa vozila), ali
Lithography equipment as follows:
v posebno zasnovano in avtorizirano testno okolje za vzdrževanje in
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
vključuje aktivni mehanizem, ki preprečuje delovanje kamere v primerih odstranitve iz vozila, za katero je bila kamera namenjena.
a.
'Horizontalni IFOV' = horizontalno vidno polje (FOV)/število detektorskih elementov v horizontalni smeri.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
'Vertikalni IFOV' = vertikalno vidno polje (FOV)/število detektorskih elementov v vertikalni smeri;
b.
predmet nadzora v točki 6A003(b)(4)(c) niso slikovne kamere, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
kamera je posebej izdelana za vgradnjo kot sestavni del v omrežne sisteme ali opremo, predvideno za uporabo v stavbah, ki pa je zaradi svoje konstrukcije omejena na:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
spremljanje industrijskih procesov, kontrolo kakovosti ali analizo lastnosti materialov;
an exposure light source wavelength in nm
laboratorijsko opremo, izdelano posebej za znanstvene raziskave;
K factor
opremo za odkrivanje finančnih goljufij in
numerical aperture
v sisteme ali opremo, za katere je bila namenjena, ali
where the K factor = 0,35
napravo za vzdrževanje, posebej zasnovano in odobreno v ta namen, in
3B001.f.2. includes:
če je kamera namensko zasnovana za namestitev v civilno potniško vozilo ali trajekte za potnike ali vozila in ima vse naslednje značilnosti:
Micro contact printing tools
namestitev in konfiguracija kamere v vozilo ali trajekt sta namenjeni samo pomoči vozniku ali upravljavcu pri varnem upravljanju vozila ali trajekta;
Nano-imprint lithography tools
trajekt za potnike ali vozila, za katerega je bila namenjena in s skupno dolžino 65 m ali več, ali
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
napravo za testiranje in vzdrževanje, posebej zasnovano in odobreno v ta namen, in
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
vključuje aktivni mehanizem, ki preprečuje delovanje kamere v primerih odstranitve iz vozila, za katero je bila kamera namenjena;
a.
zaradi svoje konstrukcije so omejene na največjo "sevalno občutljivost" 10 mA/W ali manj pri valovnih dolžinah več kot 760 nm, ki imajo vse naslednje značilnosti:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
imajo napravo za omejevanje odzivnosti, zasnovano tako, da se ne more odstraniti ali prirediti;
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
vključujejo aktivni mehanizem, ki preprečuje delovanje kamere v primerih odstranitve naprave za omejevanje odzivnosti, in
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
niso posebej zasnovane ali spremenjene za uporabo pod vodo: ali
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
ne vključuje 'neposrednega prikaza' ali elektronskega prikaza slike;
a.
nima naprave za pridobitev vidne slike odkritega polja opazovanja;
A deflected focused electron beam; and
"žariščnoravninski detektorski nizi" so operabilni le, ko so vgrajeni v kamero, za katero so bili namenjeni, in
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
"žariščnoravninski detektorski nizi" vključujejo aktivni mehanizem, zaradi katerega so trajno neoperabilni, če se odstranijo iz kamere, za katero so bili namenjeni;
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
slikovne kamere s polprevodniškimi detektorji iz točke 6A002(a)(1).
g.
Optična oprema in komponente:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
a. optična ogledala (reflektorji):
h.
za namen točke 6A004(a) se prag lasersko povzročene škode meri v skladu s standardom ISO 21254-1:2011.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
glede optičnih ogledal, posebej izdelanih za litografsko opremo, glej točko 3B001.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
"Deformirljiva zrcala" z aktivno optično odprtino, večjo od 10 mm, in katero koli od naslednjih značilnosti, skupaj s posebej oblikovanimi sestavnimi deli,
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
a. imajo vse naslednje značilnosti:
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
mehanična resonančna frekvenca 750 Hz ali več in
i.
več kot 200 aktuatorjev ali
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
b. prag lasersko povzročene škode je kar koli od naslednjega:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
več kot 1 kW/cm2 pri uporabi "CW laserja" ali
a.
več kot 2 J/cm2 z uporabo 20 ns "laserskih" impulzov pri koraku ponovitve 20 Hz;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
lahka monolitna zrcala s povprečno "ekvivalentno gostoto" manj kot 30 kg/m2 in s skupno maso nad 10 kg;
c.
predmet nadzora v točki 6A004(a)(2) niso ogledala, posebej zasnovana za usmerjanje sončnega sevanja za prizemne heliostatske instalacije.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
lahke "kompozitne" ali penaste zrcalne strukture s povprečno "ekvivalentno gostoto" manj kot 30 kg/m2 in s skupno maso nad 2 kg;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Predmet nadzora v točki 6A004(a)(3) niso ogledala, posebej zasnovana za usmerjanje sončnega sevanja za prizemne heliostatske instalacije.
a.
zrcala, posebej oblikovana za odre zrcal za usmerjanje žarkov, določena v točki 6A004(d)(2)(a), katerih ploskost je λ/10 ali boljša (λ je enako 633 nm), in s katero koli od naslednjih značilnosti
Silicon (Si);
a. premer ali dolžina glavne osi je večja ali enaka 100 mm ali
b.
b. ima vse naslednje značilnosti:
Germanium (Ge);
premer ali dolžina glavne osi je večja kot 50 mm, vendar manjša kot 100 mm, in
c.
prag lasersko povzročene škode je kar koli od naslednjega:
Silicon carbide (SiC); or
a. več kot 10 kW/cm2 pri uporabi "CW laserja" ali
d.
b. več kot 20 J/cm2 z uporabo 20 ns "laserskih" impulzov pri koraku ponovitve 20 Hz;
"III/V compounds" of gallium or indium.
b. optične komponente iz cinkovega selenida (ZnSe) ali cinkovega sulfida (ZnS) s prepustnostjo pri valovnih dolžinah več kot 3000 nm, vendar ne pri več kot 25000 nm, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
njihova prostornina presega 100 cm3 ali
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
njihov premer ali dolžina glavne osi presega 80 mm, debelina (globina) pa 20 mm;
a.
c. komponente za optične sisteme, "primerne za vesolje":
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
katerih teža je zmanjšana na manj kot 20 % "ekvivalentne gostote" v primerjavi z masivnim izdelkom z enako odprtino in debelino;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
neobdelane podlage, obdelane podlage s površinskimi prevlekami (enoplastnimi ali večplastnimi, kovinskimi ali dielektričnimi, prevodniškimi, polprevodniškimi ali izolirnimi) ali z zaščitnimi filmi;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
segmenti ali sklopi zrcal, izdelani za sestavljanje v vesolju v optični sistem z zbirno odprtino, ki ima posamezno optiko s premerom 1 m ali več;
b.
komponente, izdelane iz "kompozitnih" materialov s koeficientom linearne toplotne razteznosti, enakim ali manjšim od 5 × 10– 6, v kateri koli koordinatni smeri;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
d. oprema za optični nadzor:
d.
oprema, posebej izdelana za vzdrževanje površinske podobe ali smeri komponent, "primernih za vesolje", iz točke 6A004(c)1 ali 6A004(c)3;
All resists optimised for surface imaging technologies;
oprema za krmarjenje, sledenje, stabilizacijo ali poravnavo resonatorja:
e.
a. nosilci zrcal za usmerjanje žarkov, namenjeni namestitvi zrcal s premerom ali dolžino glavne osi več kot 50 mm in vsemi naslednjimi značilnostmi, ter posebej namenjena elektronska kontrolna oprema zanje:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
največji kotni hod ± 26 mrad ali več;
Organo-inorganic compounds as follows:
mehanična resonančna frekvenca 500 Hz ali več in
a.
kotna "natančnost" 10 μrad (mikroradianov) ali manj (boljše);
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
b. oprema za poravnavo resonatorja s pasovnimi širinami 100 Hz ali več in "natančnostjo" 10 μrad (mikroradianov) ali manj (boljše);
b.
kardansko obešenje, ki ima vse naslednje značilnosti:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
a. maksimalno obračanje več kot 5°;
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
b. pasovno širino 100 Hz ali več;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
c. kotni pogrešek nastavitve 200 μrad (mikroradianov) ali manj in
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
d. ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
premer ali dolžina glavne osi je več kot 0,15 m, vendar največ 1 m in ima zmožnost kotnega pospeška več kot 2 rad (radiana)/s2, ali
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
premer ali dolžina glavne osi je večja od 1 m in ima zmožnost kotnega pospeška več kot 0,5 rad (radiana)/s2;
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
e. 'asferični optični elementi', ki imajo vse naslednje značilnosti:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
največjo dimenzijo optične odprtine več kot 400 mm;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
površinsko hrapavost manj kot 1 nm (rms) za vzorčenje dolžine 1 mm ali več in
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
koeficient absolutne amplitude linearne toplotne razteznosti je manj kot 3 × 10– 6/K pri 25 °C.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
'asferični optični element' je kateri koli element, uporabljen v optičnem sistemu, katerega slikovna površina je izdelana tako, da odstopa od idealne krogle.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
Proizvajalci niso dolžni meriti površinske hrapavosti iz točke 6A004(e)2, razen če je optični element zasnovan ali izdelan, da bi ustrezal kontrolnemu parametru ali ga presegal.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
predmet nadzora v točki 6A004(e) niso 'asferični optični elementi', ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
največja dimenzija optične odprtine je manjša od 1 m, razmerje med žariščno razdaljo in odprtino je 4,5:1 ali večje;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
največja dimenzija optične odprtine je enaka ali večja od 1 m, razmerje med žariščno razdaljo in odprtino je enako ali večje od 7:1;
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
izdelan je kot Fressnelov optični element, kot povratno oko, trak, prizma ali difrakcijski optični elementi;
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
izdelan je iz borsilicijevega stekla s koeficientom linearne toplotne razteznosti več kot 2,5 × 10– 6/K pri 25 °C ali
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
je rentgenski optični element z notranjimi zrcalnimi zmožnostmi (npr. cevna zrcala).
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
glede 'asferičnih optičnih elementov', izdelanih posebej za litografsko opremo, glej točko 3B001.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
"Laserji", razen tistih iz točke 0B001(g)(5) ali 0B001(h)6), sestavni deli in optična oprema:
a.
GLEJ TUDI TOČKO 6A205.
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
impulzni "laserji" vključujejo laserje, ki delujejo s trajnim valovanjem (način CW) s superponiranimi impulzi.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
excimer, polprevodni, kemični, CO, CO2 in neponavljajoči impulzni Nd: stekleni "laserji" so določeni le v točki 6A005(d).
b.
'neponavljajoči impulzni' se nanaša na "laserje", ki proizvajajo en sam izhodni impulz ali katerih časovni interval med impulzi je daljši od ene minute.
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
točka 6A005 vključuje "laserje" za vlakna.
c.
nadzorni status "laserjev", ki vključujejo frekvenčno pretvorbo (tj. spremembo valovne dolžine) drugače kot z enim "laserjem", ki polni drugi "laser", je določen z uporabo nadzornih parametrov tako za izhod izvornega "laserja" kot za frekvenčno pretvorjeni optični izhod.
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Opomba 5:
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
predmet nadzora v točki 6A005 niso "laserji":
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
rubinov, z izhodno energijo pod 20 J;
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
dušika;
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
kriptonov.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
v točki 6A005 je 'učinkovitost zidne vtičnice' opredeljena kot razmerje izhodne moči "laserja" (ali "povprečne izhodne moči") do celotne električne vhodne moči za delovanje "laserja", vključno z močjo napajalne enote/preklapljanja in termičnega preklapljanja/izmenjevalnika toplote.
a.
a. "nenastavljivi""laserji (CW)" zveznih valov, s katero koli od naslednjih značilnosti:
Vacuum microelectronic devices;
izhodna valovna dolžina je manjša od 150 nm in izhodna moč večja od 1 W;
b.
izhodna valovna dolžina je 150 nm ali več, vendar največ 510 nm, in izhodna moč večja od 30 W.
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
predmet nadzora v točki 6A005(a)(2) niso argonski "laserji" z izhodno močjo 50 W ali manj.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
izhodno valovno dolžino, večjo od 510 nm, vendar manjšo od 540 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
c.
a. enokanalni transverzalni izhod in izhodno moč več kot 50 W ali
"Superconductive" electronic devices;
b. večkanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč več kot 150 W;
d.
izhodna valovna dolžina je 540 nm ali več, vendar največ 800 nm, in izhodna moč večja od 30 W;
Substrates of films of diamond for electronic components.
izhodno valovno dolžino, večjo od 800 nm, vendar manjšo od 975 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
e.
b. večkanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč več kot 80 W;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
izhodno valovno dolžino, večjo od 975 nm, vendar največ 1150 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
f.
a. enokanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč, večjo od 200 W; ali
Substrates of silicon carbide for electronic components;
b. večkanalni transverzalni izhod s katero koli od naslednjih značilnosti:
g.
'učinkovitost zidne vtičnice' je večja od 18 % in izhodna moč večja od 500 W ali
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
izhodna moč je večja od 2 kW.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
predmet nadzora v točki 6A005(a)(6)(b) niso večkanalni transverzalni industrijski "laserji" z izhodno močjo, ki je večja od 2 kW, vendar manjša od 6 kW, s skupno maso večjo od 1200 kg.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
V smislu te opombe skupna masa vključuje vse sestavne dele, ki so potrebni za delovanje "laserja", npr. napajalno enoto "laserja", izmenjevalnika toplote, ne vključuje pa zunanjih optičnih naprav za preklapljanje žarkov in/ali njihov prenos.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
predmet nadzora v točki 6A005(a)(6)(b) niso večkanalni transverzalni industrijski "laserji" s katero koli od naslednjih značilnosti:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
izhodna moč je večja od 500 W, vendar manjša od 1 kW, in ima vse naslednje značilnosti:
CATEGORY 4 — COMPUTERS
parameter BPP presega 0,7 mm · mrad in