natgillin/translations-raw huggingface dataset:
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
lahke „kompozitne“ ali penaste zrcalne strukture s povprečno „ekvivalentno gostoto“ manj kot 30 kg/m2 in s skupno maso nad 2 kg;
f.
zrcala, posebej oblikovana za odre zrcal za usmerjanje žarkov, določena v točki 6A004(d)(2)(a), katerih ploskost je λ/10 ali boljša (λ je enako 633 nm), in s katero koli od naslednjih značilnosti
Lithography equipment as follows:
a. premer ali dolžina glavne osi je večja ali enaka 100 mm ali
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
b. ima vse naslednje značilnosti:
a.
premer ali dolžina glavne osi je večja kot 50 mm, vendar manjša kot 100 mm in
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
prag lasersko povzročene škode je kar koli od naslednjega:
b.
a. več kot 10 kW/cm2 pri uporabi „CW laserja“; ali
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
b. več kot 20 J/cm2 z uporabo 20 ns „laserskih“ impulzov pri koraku ponovitve 20 Hz;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
b. optične komponente iz cinkovega selenida (ZnSe) ali cinkovega sulfida (ZnS) s prepustnostjo pri valovnih dolžinah več kot 3000 nm, vendar ne pri več kot 25000 nm, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
× K factor
njihov premer ali dolžina glavne osi presega 80 mm, debelina (globina) pa 20 mm;
numerical aperture
c. komponente za optične sisteme, „primerne za vesolje“:
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
neobdelane podlage, obdelane podlage s površinskimi prevlekami (enoplastnimi ali večplastnimi, kovinskimi ali dielektričnimi, prevodniškimi, polprevodniškimi ali izolirnimi) ali z zaščitnimi filmi;
f.2. includes:
segmenti ali sklopi zrcal, izdelani za sestavljanje v vesolju v optični sistem z zbirno odprtino, ki ima posamezno optiko s premerom 1 m ali več;
Micro contact printing tools
komponente, izdelane iz „kompozitnih“ materialov s koeficientom linearne toplotne razteznosti, enakim ali manjšim od 5 × 10-6, v kateri koli koordinatni smeri;
Hot embossing tools
d. oprema za optični nadzor:
Nano-imprint lithography tools
oprema, posebej izdelana za vzdrževanje površinske podobe ali smeri komponent, „primernih za vesolje“, iz točke 6A004(c)1 ali 6A004(c)3;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
oprema za krmarjenje, sledenje, stabilizacijo ali poravnavo resonatorja:
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
a. nosilci zrcal za usmerjanje žarkov, namenjeni namestitvi zrcal s premerom ali dolžino glavne osi več kot 50 mm in vsemi naslednjimi značilnostmi, ter posebej namenjena elektronska kontrolna oprema zanje:
a.
največji kotni hod ±26 mrad ali več;
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
mehanična resonančna frekvenca 500 Hz ali več in
A spot size smaller than 0,2 μm;
kotna natančnost 10 μrad (mikroradianov) ali manj;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
b. oprema za poravnavo resonatorja s pasovnimi širinami 100 Hz ali več in natančnostjo 10 μrad (mikroradianov) ali manj;
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
kardansko obešenje, ki ima vse naslednje značilnosti:
g.
a. maksimalno obračanje več kot 5 °;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
b. pasovno širino 100 Hz ali več;
h.
c. kotni pogrešek nastavitve 200 μrad (mikroradianov) ali manj in
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
d. imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
premer ali dolžina glavne osi je večja od 0,15 m, vendar največ 1 m, in ima zmožnost kotnega pospeška več kot 2 rad (radiana)/s2 ali
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
premer ali dolžina glavne osi je večja od 1 m in ima zmožnost kotnega pospeška več kot 0,5 rad (radiana)/s2;
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
e. ‚asferični optični elementi‘, ki imajo vse naslednje značilnosti:
i.
največjo dimenzijo optične odprtine več kot 400 mm;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
površinsko hrapavost manj kot 1 nm (rms) za vzorčenje dolžine 1 mm ali več in
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
koeficient absolutne amplitude linearne toplotne razteznosti je manj kot 3 × 10-6/K pri 25 °C.
a.
‚asferični optični element‘ je kateri koli element, uporabljen v optičnem sistemu, katerega slikovna površina je izdelana tako, da odstopa od idealne krogle.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Proizvajalci niso dolžni meriti površinske hrapavosti iz točke 6A004(e)2, razen če je optični element zasnovan ali izdelan, da bi ustrezal kontrolnemu parametru ali ga presegal.
c.
predmet nadzora v točki 6A004(e) niso ‚asferični optični elementi‘, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
največja dimenzija optične odprtine je manjša od 1 m, razmerje med žariščno razdaljo in odprtino je 4,5:1 ali večje;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
največja dimenzija optične odprtine je enaka ali večja od 1 m, razmerje med žariščno razdaljo in odprtino je enako ali večje od 7:1;
a.
izdelan je kot Fressnelov optični element, kot povratno oko, trak, prizma ali difrakcijski optični elementi;
Silicon (Si);
izdelan je iz borsilicijevega stekla s koeficientom linearne toplotne razteznosti več kot 2,5 × 10-6/K pri 25 °C ali
b.
je rentgenski optični element z notranjimi zrcalnimi zmožnostmi (npr. cevna zrcala).
Germanium (Ge);
glede ‚asferičnih optičnih elementov‘, izdelanih posebej za litografsko opremo, glej točko 3B001.
c.
„Laserji“, razen tistih iz točke 0B001(g)(5) ali 0B001(h)6), sestavni deli in optična oprema:
Silicon carbide (SiC); or
GLEJ TUDI TOČKO 6A205.
d.
impulzni „laserji“ vključujejo laserje, ki delujejo s trajnim valovanjem (način CW) s superponiranimi impulzi.
"III/V compounds" of gallium or indium.
excimer, polprevodni, kemični, CO, CO2 in neponavljajoči impulzni Nd: stekleni „laserji“ so določeni samo v točki 6A005(d).
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
‚neponavljajoči impulzni‘ se nanaša na „laserje“, ki proizvajajo en sam izhodni impulz ali katerih časovni interval med impulzi je daljši od ene minute.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
točka 6A005 vključuje „laserje“ za vlakna.
a.
nadzorni status „laserjev“, ki vključujejo frekvenčno pretvorbo (tj. spremembo valovne dolžine) drugače kot z enim „laserjem“, ki polni drugi „laser“, je določen z uporabo nadzornih parametrov tako za izhod izvornega „laserja“ kot za frekvenčno pretvorjeni optični izhod.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Opomba 5:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
predmet nadzora v točki 6A005 niso „laserji“:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
rubinov, z izhodno energijo pod 20 J;
b.
dušika;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
kriptonov.
d.
v točki 6A005 je ‚učinkovitost zidne vtičnice‘ opredeljena kot razmerje izhodne moči „laserja“ (ali „povprečne izhodne moči“) do celotne električne vhodne moči za delovanje „laserja“, vključno z močjo napajalne enote/preklapljanja in termičnega preklapljanja/izmenjevalnika toplote.
All resists optimised for surface imaging technologies;
a. „nenastavljivi“„laserji (CW)“ zveznih valov, s katero koli od naslednjih značilnosti:
e.
izhodna valovna dolžina je manjša od 150 nm in izhodna moč večja od 1 W;
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
izhodna valovna dolžina je 150 nm ali več, vendar največ 510 nm, in izhodna moč večja od 30 W.
Organo-inorganic compounds as follows:
predmet nadzora v točki 6A005(a)(2) niso argonski „laserji“ z izhodno močjo 50 W ali manj.
a.
izhodno valovno dolžino, večjo od 510 nm, vendar manjšo od 540 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
a. enokanalni transverzalni izhod in izhodno moč več kot 50 W ali
b.
b. večkanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč več kot 150 W;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
izhodna valovna dolžina je 540 nm ali več, vendar največ 800 nm, in izhodna moč večja od 30 W;
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
izhodno valovno dolžino, večjo od 800 nm, vendar manjšo od 975 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
b. večkanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč več kot 80 W;
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
izhodno valovno dolžino, večjo od 975 nm, vendar največ 1150 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
a. enokanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč, večjo od 200 W, ali
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
b. večkanalni transverzalni izhod s katero koli od naslednjih značilnosti:
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
‚učinkovitost zidne vtičnice‘ je večja od 18 % in izhodna moč večja od 500 W ali
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
izhodna moč je večja od 2 kW.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
predmet nadzora v točki 6A005(a)(6)(b) niso večkanalni transverzalni industrijski „laserji“ z izhodno močjo, ki je večja od 2 kW, vendar manjša od 6 kW, s skupno maso večjo od 1200 kg.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
V smislu te opombe skupna masa vključuje vse sestavne dele, ki so potrebni za delovanje „laserja“, npr. napajalno enoto „laserja“, izmenjevalnika toplote, ne vključuje pa zunanjih optičnih naprav za preklapljanje žarkov in/ali njihov prenos.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
predmet nadzora v točki 6A005(a)(6)(b) niso večkanalni transverzalni industrijski „laserji“ s katero koli od naslednjih značilnosti:
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
izhodna moč je večja od 500 W, vendar manjša od 1 kW, in ima vse naslednje značilnosti:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
parameter BPP presega 0,7 mm•mrad in
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
svetlost ne presega 1 024 W/(mm•mrad)2;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
izhodna moč je večja od 1 kW, vendar manjša od 1,6 kW, in ima BPP nad 1,25 mm•mrad;
001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
izhodna moč je večja od 1,6 kW, vendar manjša od 2,5 kW, in ima BPP nad 1,7 mm•mrad;
001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
izhodna moč je večja od 2,5 kW, vendar manjša od 3,3 kW, in ima BPP nad 2,5 mm•mrad;
Using "technology" at or above 0.130 μm; and
izhodna moč je večja od 3,3 kW, vendar manjša od 4 kW, in ima BPP nad 3,5 mm•mrad;
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
izhodna moč je večja od 4 kW, vendar manjša od 5 kW, in ima BPP nad 5 mm•mrad;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
izhodna moč je večja od 5 kW, vendar manjša od 6 kW, in ima BPP nad 7,2 mm•mrad;
a.
izhodna moč je večja od 6 kW, vendar manjša od 8 kW, in ima BPP nad 12 mm•mrad; ali
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
izhodna moč je večja od 8 kW, vendar manjša od 10 kW, in ima BPP nad 24 mm•mrad;
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
izhodno valovno dolžino, večjo od 1150 nm, vendar največ 1555 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
b.
a. enokanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč, večjo od 50 W, ali
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
b. večkanalni transverzalni izhod in povprečno izhodno moč, večjo od 80 W, ali
c.
izhodna valovna dolžina je večja od 1555 nm in izhodna moč večja od 1 W;
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
b. „nenastavljivi“ „impulzni laserji“, s katero koli od naslednjih značilnosti:
c. does not control "technology" for multimedia extensions.
izhodno valovno dolžino, manjšo od 150 nm, in katero koli od naslednjih značilnosti:
002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
a. izhodno energijo, večjo od 50 mJ na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 1 W; ali
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
b. „povprečna izhodna moč“ je večja od 1 W;
002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
izhodno valovno dolžino, enako ali večjo od 150 nm, vendar največ 510 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
a. izhodno energijo, večjo od 1,5 J na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 30 W; ali
a.
b. „povprečna izhodna moč“ je večja od 30 W;
Vacuum microelectronic devices;
predmet nadzora v točki 6A005(b)(2)(b) niso argonski „laserji“ s „povprečno izhodno močjo“ 50 W ali manj.
b.
a. enokanalni transverzalni izhod in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
izhodno energijo, večjo od 1,5 J na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 50 W; ali
b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
„povprečna izhodna moč“ je večja od 50 W; ali
c.
izhodno energijo, večjo od 1,5 J na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 150 W; ali
"Superconductive" electronic devices;
„povprečna izhodna moč“ je večja od 150 W;
d.
izhodno valovno dolžino, večjo od 540 nm, vendar manjšo od 800 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Substrates of films of diamond for electronic components.
a. „trajanje impulza“, manjše od 1 ps, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
e.
izhodno energijo, večjo od 0.005 J na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 5 GW; ali
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
„povprečna izhodna moč“ je večja od 20 W; ali
f.
b. „trajanje impulza“, enako ali večje od 1 ps, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
izhodno energijo, večjo od 1,5 J na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 30 W; ali
g.
„povprečna izhodna moč“ je večja od 30 W;
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
enokanalni transverzalni izhod in „povprečno izhodno moč“, večjo od 20 W, ali
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
b. „trajanje impulza“, enako ali večje od 1 ps, vendar največ 1 μs, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
izhodno energijo, večjo od 0,5 J na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 50 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
enokanalni transverzalni izhod in „povprečno izhodno moč“, večjo od 20 W, ali ali
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
enokanalni transverzalni izhod in „povprečno izhodno moč“, večjo od 50 W; ali
CATEGORY 4 —
c. „trajanje impulza“, večje od 1 μs, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
COMPUTERS
izhodno energijo, večjo od 2 J na impulz, in „maksimalno moč“ impulza, večjo od 50 W;
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
enokanalni transverzalni izhod in „povprečno izhodno moč“, večjo od 50 W, ali ali
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
enokanalni transverzalni izhod in „povprečno izhodno moč“, večjo od 80 W;
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
izhodno valovno dolžino, večjo od 975 nm, vendar manjšo od 1.150 nm, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
a. „trajanje impulza“, manjše od 1 ps, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
izhodna „maksimalna moč“ je večja od 2 GW na impulz;
SEE ALSO 4A101.
„povprečna izhodna moč“ je večja od 10 W; ali
a.
izhodna energija je večja od 0,002 J na impulz;
Specially designed to have any of the following:
b. „trajanje impulza“, enako ali večje od 1 ps, vendar manjše 1 μs, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
izhodna „maksimalna moč“ je večja od 5 GW na impulz;
a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
izhodna energija je večja od 0,1 J na impulz;
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
c. „trajanje impulza“, enako ali večje od 1 ns, vendar manjše 1 μs, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
enokanalni transverzalni izhod in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
a. „konična moč“ je večja od 100 MW;
Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day;
b. „povprečna izhodna moč“ presega 20 W in jo konstrukcija omejuje na najvišjo frekvenco ponovitve impulza 1 kHz ali manj;
a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
c. ‚učinkovitost zidne vtičnice‘ presega 12 %, „povprečna izhodna moč“ je večja od 100 W, zmožnost delovanja s frekvenco ponavljanja impulzov pa je nad 1 kHz;
b.
d. „povprečna izhodna moč“ je večja od 150 W, zmožnost delovanja s hitrostjo ponavljanja impulzov pa je nad 1 kHz, ali
Not used.
e. izhodna energija je večja od 2 J na impulz; ali
'Vector processors';
b. ‚učinkovitost zidne vtičnice‘ presega 18 % in „povprečna izhodna moč“ presega 500 W;
Array processors;
c. „povprečna izhodna moč“ presega 2 kW; ali
Digital signal processors;
d. izhodna energija presega 4 J na impulz; ali
Logic processors;
d. „trajanje impulza“, večje od 1 μs, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Equipment designed for "image enhancement";
a. „konična moč“ je večja od 500 kW;
Equipment designed for "signal processing".
b. ‚učinkovitost zidne vtičnice‘ je večja od 12 % in „povprečna izhodna moč“ večja od 100 W; ali
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
c. „povprečna izhodna moč“ je večja od 150 W; ali
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
a. „konična moč“ je večja od 1 MW;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
b. ‚učinkovitost zidne vtičnice‘ je večja od 18 % in „povprečna izhodna moč“ večja od 500 W; ali
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
c. „povprečna izhodna moč“ je večja od 2 kW;
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
izhodno valovno dolžino, večjo od 1150 nm, vendar največ 1555 nm, s katero koli od naslednjih značilnosti: