natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Coating Process (1) [3]
‚minimalna razločljiva poteza‘ (MRF) se izračuna po naslednji enačbi:
Substrate
valovna dolžina svetlobnega vira v nm
Resultant Coating
faktor K
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
numerična odprtina
"Superalloys"
pri čemer je faktor K = 0,35.
Aluminides for internal passages
tiskarska litografska oprema, s katero se lahko tiska podobe z največ 45 nm;
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
točka 3B001(f)(2) vključuje:
Silicides
mikrokontaktno tiskarsko orodje,
Carbides
vroča reliefna orodja,
Dielectric layers (15)
nanotiskarska litografska orodja,
Diamond
‚step and flash‘ tiskarska litografska orodja (S-FIL).
Diamond-like carbon (17)
oprema, izdelana posebej za obdelavo naprav za izdelavo mask ali naprav za obdelavo polprevodniških naprav, ki uporabljajo postopek neposrednega zapisa, in imajo vse naslednje značilnosti:
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
a. uporablja elektronski žarek z odklonjenim fokusom, ionski ali „laserski“ žarek in
Refractory metals
točko, manjšo od 0,2 μm;
Mixtures thereof (4)
zmožnost izdelave vzorca s potezami, manjšimi od 1 μm, ali
Aluminides
površinsko natančnost boljšo od ± 0,20 μm (3 sigme);
Alloyed aluminides (2)
g. maske in mrežice, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001;
Boron nitride
h. večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi, ki niso določene v točki 3B001(g) in imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
izdelane so iz „surovega substrata“ za maske iz stekla z dvolomnostjo, manjšo od 7 nm/cm, ali
Tungsten
izdelane so za uporabo z litografsko opremo z dolžino svetlobnega vira, manjšo od 245 nm;
Molybdenum and Molybdenum alloys
predmet nadzora v točki 3B001(h) niso večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi, narejenih za izdelavo spominskih enot, ki niso predmet nadzora v točki 3A001.
Beryllium and Beryllium alloys
i. tiskarske litografske šablone, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001.
Sensor window materials (9)
Preizkuševalna oprema, izdelana posebej za preizkušanje izdelanih in neizdelanih polprevodniških naprav in posebej zanjo izdelane komponente in pribor:
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
a. za preizkušanje parametrov S tranzistorskih naprav pri frekvencah nad 31,8 GHz;
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
c. za preizkušanje mikrovalovnih integriranih vezij iz točke 3A001(b)(2).
Alloyed silicides
Heteroepitaksialni materiali, sestavljeni iz „podlage“ z naloženimi plastmi, pridobljeni z epitaksialno rastjo, iz naslednjih materialov: a. silicija (Si);
Modified zirconia (12)
b. germanija (Ge);
Corrosion resistant steel (7)
c. silicijevega karbida (SiC) ali
Borides
d. „III/V spojin“ galija ali indija.
Beryllium
Opomba:
Titanium alloys (13)
Uporovni materiali in „podlage“, prevlečene z naslednjimi krmiljenimi uporovnimi pastami:
Nitrides
a. uporovne paste za polprevodniško litografijo:
B.2.
pozitivne uporovne paste (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 245 nm, vendar enakih ali večjih od 15 nm;
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
uporovne paste (optimizirane), prirejene za uporabo pri valovnih dolžinah pod 15 nm, večjih od 1 nm;
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
b. vse uporovne paste za uporabo z elektronskimi ali ionskimi žarki, z občutljivostjo 0,01 (mikrokulomba) μcoulomb/mm2 ali boljšo;
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
d. vse uporovne past, optimizirane za tehnike površinske preslikave;
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
e. vse uporovne paste za uporabo ali optimizirane za uporabo s tiskarsko litografsko opremo iz točke 3B001(f)(2), ki uporabljajo termični postopek ali postopek strjevanja s svetlobo.
Diamond-like carbon
Organsko-anorganske spojine:
B.4.
a. organsko-kovinske spojine aluminija, galija ali indija, katerih čistota (kovinske osnove) je več kot 99,999 %;
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
b. organsko-arzenove, organsko-antimonove in organsko-fosforjeve spojine, katerih čistota (anorganske osnove) je več kot 99,999 %.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
predmet nadzora v točki 3C003 so samo spojine, v katerih je kovinski, delno kovinski ali nekovinski element neposredno vezan na ogljik iz organskega dela molekule.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Hidridi fosforja, arzena ali antimona, katerih čistota je boljša od 99,999 %, tudi če so razredčeni v inertnih plinih ali vodiku.
Refractory metals and alloys (8)
predmet nadzora v točki 3C004 niso hidridi, ki vsebujejo 20 molarnih odstotkov ali več inertnih plinov ali vodika.
Oxides
Polprevodniški „substrati“ silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) ali ingoti, kosi ali drugi polizdelki teh materialov z odpornostjo več kot 10000 om cm pri 20 °C.
D. Plasma spraying
„Substrati“ iz točke 3C005 z vsaj eno epitaksialno plastjo iz silicijevega karbida, galijevega nitrida, aluminijevega nitrida ali aluminijevega galijevega nitrida.
Abradable Nickel-Graphite
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme iz točk od 3A001(b) do 3A002(g) ali iz točke 3B.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
„Programska oprema“, posebej izdelana za „uporabo“ opreme iz točk od 3B001(a) do (f), 3B002 ali 3A225.
Abradable Al-Si-Polyester
‚Na fiziki temelječa‘ simulacijska „programska oprema“, posebej zasnovana za „razvoj“ postopkov litografije, jedkanja ali nanašanja pri prevajanju maskirnih vzorcev v specifične topografske vzorce v vodniških, dielektričnih ali polprevodniških materialih.
Aluminium alloys (6)
izraz „na fiziki temelječa“ v točki 3D003 pomeni uporabo izračunov za ugotavljanje zaporedja fizičnih vzrokov in posledic na osnovi fizičnih lastnosti (npr. temperature, tlaka, difuzijskih konstant in lastnosti polprevodniških materialov).
E. Slurry Deposition
knjižnice, atributi oblik ali sorodni podatki za snovanje polprevodniških elementov se pojmujejo kot „tehnologija“.
Fused silicides
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ opreme iz točke od 3A003.
Fused aluminides except for resistance heating elements
"Programska oprema", posebej izdelana ali prirejena za "uporabo" opreme iz točke 3A101.b.
F. Sputter Deposition
„Programska oprema“, posebej izdelana za povečanje ali sprostitev zmogljivosti frekvenčnih pretvornikov ali generatorjev, da bi imeli značilnosti iz točke 3A225.
Noble metal modified aluminides (3)
„Tehnologija“, ki je v skladu s splošno opombo o tehnologiji namenjena za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme ali materialov iz točke 3A, 3B ali 3C;
Platinum
predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za „proizvodnjo“ opreme ali komponent, ki so predmet nadzora v točki 3A003.
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ integriranih vezjih, ki so določena v točkah od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(12) in imajo obe naslednji značilnosti:
Dielectic layers (15)
uporabljajo „tehnologijo“ 0,130 μm ali več in
G. Ion Implantation
vključujejo večplastne strukture z največ tremi kovinskimi plastmi.
High temperature bearing steels
„Tehnologija“ v skladu s splošno opombo o tehnologiji, razen tiste iz točke 3E001, za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ „mikroprocesorskih mikrovezij“, „mikroračunalniških mikrovezij“ in jedra mikrokrmilniškega mikrovezja z aritmetično logično enoto z 32-bitno širino dostopa ali več in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
a. ‚vektorska procesna enota‘, izdelana za izvajanje več kot dveh izračunov vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil) simultano;
Cemented tungsten carbide (16)
‚vektorska procesna enota‘ je element procesorja z vgrajenimi ukazi, ki izvajajo večkratne izračune vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil), simultano in imajo vsaj eno vektorsko aritmetično logično enoto.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
b. izdelana je za izračunavanje več kot štirih rezultatov 64-bitne ali večje operacije v plavajoči vejici na cikel ali
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
c. izdelana je za izračunavanje več kot štirih rezultatov 16-bitnega množenja v nepremični vejici na cikel (npr. digitalna manipulacija analognih informacij, ki je bila pred tem pretvorjena v digitalno obliko, znana tudi kot digitalna „obdelava signalov“).
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
predmet nadzora v točki 3E002(c) ni „tehnologija“ za multimedijske razširitve.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
predmet nadzora v točki 3E002 ni „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ mikroprocesnih jeder, ki imajo obe naslednji značilnosti:
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
vključujejo večplastne strukture z največ petimi kovinskimi plastmi.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
točka 3E002 zajema „tehnologijo“ za procesorje digitalnih signalov in procesorje digitalnih nizov.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Druga „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“:
a.
a. vakuumskih mikroelektronskih naprav;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
b. heterostrukturnih polprevodniških elektronskih naprav, kot so na primer tranzistorji z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), heterobipolarni tranzistorji (HBT), elementi s kvantnimi potencialnimi jamami in elementi s superkristalno mrežo;
b.
predmet nadzora v točki 3E003(b) ni „tehnologija“ za tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), ki delujejo na frekvencah, nižjih od 31,8 GHz in hetero-bipolarne tranzistorje (HBT), ki delujejo na frekvencah, nižjih kot 31,8 GHz.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
c. „superprevodniških“ elektronskih naprav;
c.
d. podlag z diamantnimi filmi za elektronske komponente;
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
e. podlag iz silicija na izolatorju (SOI) za integrirana vezja, pri katerih je izolator silicijev dioksid;
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
f. podlag iz silicijevega karbida za elektronske komponente;
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
g. vakuumskih elektronk, ki delujejo na frekvencah 31,8 GHz ali višjih.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
„Tehnologija“, ki je v skladu s splošno opombo o tehnologiji namenjena za „uporabo“ opreme iz točk 3A001(e)(2), 3A001(e)(3), 3A001(g), 3A201, in od 3A225 do 3A234.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
„Tehnologija“ v obliki kod ali ključev za povečanje ali sprostitev zmogljivosti frekvenčnih pretvornikov ali generatorjev, da bi imeli značilnosti iz točke 3A225.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
SKUPINA 4 –
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
RAČUNALNIKI
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
računalnike, računalniško opremo in „programsko opremo“, povezano z izvajanjem telekomunikacijskih funkcij ali funkcij „lokalnega omrežja“, je treba obravnavati v primerjavi z delovnimi značilnostmi iz dela 1 skupine 5 (Telekomunikacije).
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
krmilne enote, ki neposredno medsebojno povezujejo vodila ali kanale osrednjih procesnih enot, „glavni pomnilnik“ ali krmilniki diskov ne veljajo za telekomunikacijsko opremo, opisano v delu 1 skupine 5 (Telekomunikacije).
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
glede nadzornega statusa „programske opreme“, izdelane posebej za paketno preklapljanje, glej točko 5D001.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
računalnike, računalniško opremo in „programsko opremo“ za izvajanje kriptografskih in kriptoanalitičnih funkcij z izvajanjem funkcij varnosti na več ravneh z ugotovljivostjo ali funkcijami izolacije ugotovljivega uporabnika ali tiste ki, omejujejo elektromagnetno kompatibilnost (EMC), je treba prav tako obravnavati v primerjavi z delovnimi značilnostmi iz dela 2 skupine 5 („Informacijska varnost“).
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Elektronski računalniki in sorodna oprema, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti, ter „elektronski sklopi“ in posebej izdelane komponente zanje:
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
GLEJ TUDI TOČKO 4A101.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
a. posebej izdelani, da imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
primernost za delovanje pri temperaturah okolja pod 228 K (– 45 °C) ali nad 358 K (85 °C) ali
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
predmet nadzora v točki 4A001(a)(1) niso računalniki, izdelani posebej za uporabo v osebnih avtomobilih, železniških vlakih ali „civilnih zrakoplovih“.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
utrjenost proti sevanju, tako da prenesejo naslednje doze:
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
skupno dozo 5 × 103 Gy (silicij);
a.
določeno stalno dozo 5 × 106 Gy (silicij)/s ali
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
posamezne sunke 1 × 10–8 napak/bit/dan;
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
predmet nadzora v točki 4A001(a)(2) niso računalniki, izdelani posebej za uporabo v „civilnih zrakoplovih“.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
b. se ne uporabljajo;
N.B.
„Digitalni računalniki“, „elektronski sklopi“ in sorodna oprema ter posebej izdelane komponente zanje:
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
točka 4A003 zajema:
N.B.
‚vektorske procesorje‘;
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
matrične procesorje;
N.B.
procesorje digitalnih signalov;
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
logične procesorje;
b.
opremo za „izboljšavo slike“;
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
opremo za „obdelavo signala“.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
nadzorni status „digitalnih računalnikov“ in sorodne opreme, opisanih v točki 4A003, je določen z nadzornim statusom druge opreme ali sistemov, pod pogojem:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
da so „digitalni računalniki“ ali sorodna oprema bistveni za delovanje druge opreme ali sistemov;
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
glede nadzornega statusa „digitalnih računalnikov“ ali sorodne opreme za telekomunikacijsko opremo glej del 1 skupine 5 (Telekomunikacije).
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
da je „tehnologija“ za „digitalne računalnike“ in sorodna oprema opisana v točki 4E.
Specific TE-PVD processes are as follows:
b. „digitalni računalniki“ s „korigirano največjo zmogljivostjo“ („APP“) več kot 8,0 utežnega teraFLOPS (WT);
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
c. „elektronski sklopi“, izdelani ali prirejeni posebej za izboljšanje zmogljivosti s kopičenjem „procesorjev“, tako da „APP“ presega mejo iz točke 4A003(b);
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
točka 4A003(c) se uporablja samo za „elektronske sklope“ in programirljive medsebojne povezave, ki ne presegajo meje iz točke 4A003(b), kadar so dobavljeni kot nevdelani „elektronski sklopi“.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Predmet nadzora v tej točki niso „elektronski sklopi“, ki so po svoji naravi namenjeni za uporabo z računalniško opremo iz točke 4A003(e).
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
predmet nadzora v točki 4A003(c) niso „elektronski sklopi“, izdelani posebej za izdelke ali družine izdelkov, katerih maksimalna konfiguracija ne presega meje iz točke 4A003(b).
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
e. oprema za izvajanje analogno-digitalnih pretvorb, ki presegajo omejitve iz točke 3A001(a)5;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
f. se ne uporabljajo;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
g. oprema, posebej izdelana za združevanje učinkovitosti „digitalnih računalnikov“, tako da zagotavlja zunanje medsebojne povezave, ki omogočajo komunikacije pri enosmernih podatkovnih hitrostih nad 2,0 Gbajtov na sekundo na povezavo.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
predmet nadzora v točki 4A003(g) ni oprema za interne medsebojne povezave (npr. hrbtne plošče, vodila), opreme za pasivne medsebojne povezave, „krmilnikov za dostop do omrežja“ ali „krmilnikov za komunikacijske kanale“.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Računalniki in posebej izdelana računalniška oprema, „elektronski sklopi“ in posebej izdelane komponente zanje:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
a. „računalniki s sistoličnimi zaporedji“,
c.
b. „nevronski računalniki“;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
c. „optični računalniki“.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Sistemi, oprema in pripadajoče komponente, posebej izdelane ali prirejene za oblikovanje, delovanje in zagotavljanje „zlonamerne programske opreme“ ali komunikacijo z njo.
An activator (normally a halide salt); and
Analogni računalniki, „digitalni računalniki“ ali diferencialni digitalni analizatorji, razen tistih iz točke 4A001(a)1, ki so izdelani ali prirejeni za uporabo v nosilnih raketah iz točke 9A004 ali sondirnih raketah iz točke 9A104.
An inert powder, most frequently alumina.
„Hibridni računalniki“, izdelani posebej za izdelovanje modelov, simulacijo ali sestavljanje oblike nosilnih raket iz točke 9A004 ali sondirnih raket iz točke 9A104.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Ta nadzor se uporablja le, kadar se oprema dobavlja skupaj s „programsko opremo“ iz točke 7D103 ali 9D103.
d.
nadzorni status „programske opreme“ za opremo, opisano v drugih skupinah, je obravnavan v ustrezni skupini.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
„Programska oprema“:
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
a. „programska oprema“, posebej izdelana ali prirejena za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme ali „programske opreme“ iz točk od 4A001 do 4A004 ali 4D;
N.B. 1
b. „programska oprema“, ki ni določena v 4D001(a), posebej izdelana ali prirejena za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
„digitalni računalniki“ s „korigirano največjo zmogljivostjo“ („APP“) več kot 1,0 utežnega teraFLOPS (WT);
N.B.
„elektronskih sklopov“, izdelanih ali prirejenih posebej za izboljšanje zmogljivosti s kopičenjem procesorjev, tako da „APP“ sklopa presega mejo iz točke 4D001(b)(1).
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
„Programska oprema“, posebej izdelana ali prirejena za oblikovanje, delovanje ali zagotavljanje „zlonamerne programske opreme“ ali komunikacijo z njo.
e.
a. „Tehnologija“, ki je v skladu s splošno opombo o tehnologiji namenjena za „razvoj“, „proizvodnjo“ ali „uporabo“ opreme ali „programske opreme“ iz točke 4A ali 4D.