natgillin/translations-raw huggingface dataset:
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
‚Dielektrični nanosi‘ so nanosi iz večslojnih izolacijskih materialov, v katerih služijo interferenčne lastnosti slojevitega nanosa, ki ga tvorijo materiali z različnimi lastnostmi refrakcije, odboju, oddaji ali absorpciji pasov različnih valovnih dolžin.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
Dielektrični nanosi se nanašajo na tiste z več kot štirimi dielektričnimi plastmi ali dielektričnimi/kovinskimi „kompozitnimi“ plastmi.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
‚Utrjen volframov karbid‘ ne vključuje obdelovalnih strojev za odrezavanje in obdelovanje na osnovi volframovega karbida/(kobalta, niklja), titanovega karbida/(kobalta, niklja), kromovega karbida/nikelj-kroma in kromovega karbida/niklja.
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
Predmet nadzora ni „tehnologija“, posebej zasnovana za nanašanje diamantnega ogljika na katero koli od naslednjih podlag:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
trdi diski in glave trdih diskov, oprema za izdelavo izdelkov za enkratno uporabo, ventili za pipe, membrane za zvočnike, deli avtomobilskih motorjev, obdelovalni stroji, orodje za kovanje in stiskanje, oprema za pisarniške avtomate, mikrofoni ali medicinska oprema ali kalupi za vlivanje ali talenje plastike, ki so izdelani iz zlitin, ki vsebujejo manj kot 5 % berilija.
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
‚Silicijev karbid‘ ne vključuje materialov za orodje za rezanje in oblikovanje.
Table — Deposition Techniques — Technical Note
Tabela – Tehnike nanašanja – Tehnične opombe
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, “composite”, dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Nanašanje s kemičnim naparevanjem (Chemical Vapour Deposition, CVD) je postopek nanašanja dodatnih nanosov ali modifikacije osnovnega materiala, kjer so osnova nanosov kovine, zlitine, „kompozita“, dielektričnega ali keramičnega materiala na razgreto podlago.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or “laser” irradiation.
Energijo za ta postopek razgradnje ali kemične reakcije lahko zagotavlja toplota podlage, sevanje plazme ali pa „laserska“ sevanja.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
cVD vključuje naslednje postopke: nanašanje prek direktnega plinskega curka, nanašanje (elementarno nadzirane) s pomočjo termične energije, s plazmo vzbujeni ali s plazmo gnani postopki nanašanja.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Zasipanje pomeni potopitev podlage v mešanico prahov.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Reaktanti v plinskem stanju, ki se uporabljajo v postopku brez zasipanja, nastajajo ob uporabi istih osnovnih reakcij in parametrov kakor postopek cementacije z zasipanjem, le da podlaga, ki se prekriva, ni v stiku z mešanico prahov.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Fizično plinsko nanašanje prek termičnega izgorevanja (Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition, TE-PVD) je postopek nanašanja prevleke na površino, ki poteka v vakuumu pod tlakom manj kot 0,1 Pa in pri katerem vir toplotne energije služi za izhlapevanje nanosnega materiala.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Dodajanje plinov v vakuumsko komoro med postopkom nanašanja za sintetiziranje sestavljenega nanosa je običajna modifikacija tega postopka.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
Tudi uporaba ionskega ali elektronskega žarka ali plazme za aktiviranje ali prispevek k postopku nanašanja je običajna modifikacija tega postopka.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Prav tako lahko postopek vključuje tudi monitorje za izvajanje meritev optičnih lastnosti in debeline nanosa med samim postopkom.
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
„lasersko“ oslojevanje izkorišča bodisi impulzne „laserske“ žarke bodisi neprekinjene „laserske“ žarke za uparjevanje materiala, ki oblikuje nanos;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
Nadzorovano gibanje loka razjeda površino katode in ustvarja visokoionizirano plazmo.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Polarizacija podlage se uporablja za nanašanje zunaj vidne linije;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Ta opredelitev ne zajema nanašanja z naključnim katodnim lokom z nepolariziranimi podlagami.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
ionsko nanašanje je posebna oblika splošnega postopka TE-PVD, v kateri se za ioniziranje nanosnega materiala izkorišča vir plazme ali vir ionov, in negativni polarizirani material se uporablja za podlage zaradi lažje ekstrakcije nanosnih materialov iz plazme.
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Utrjevanje je površinska modifikacija ali površinska plast, kjer je substrat potopljen v mešanico prahov, ki sestoji iz:
An activator (normally a halide salt); and
aktivatorja (navadno soli halidov) in
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Pršenje s plazmo je postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem razpršilka oblikuje in krmili plazmo, praškaste ali nitkaste nanosne materiale, jih tali in vrtinči proti podlagi, na kateri se oblikuje integralno povezan nanos.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Nizkotlačna plazma pomeni plazmo tlaka, nižjega od atmosferskega.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Plazma velike hitrosti se nanaša na hitrosti plina iz dulca prek 750 m/s, računano pri 293 K (20 °C) in pri 0,1 MPa.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Redko nanašanje je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine ali postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem se kovinski ali keramični prah z organskim vezivom suspendira v tekočino in se nato nanese na podlago bodisi z razprševanjem, kopeljo ali barvanjem, čemur sledi sušenje v pečici in toplotna obdelava, potrebna za to, da se želeni nanos obdrži.
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Nanašanje z brizganjem je nanašanje prevleke na površino, ki temelji na principu visokega podtlaka in prehoda delcev, kjer so pozitivni ioni pospešeni z elektronskim poljem v smeri sustrata.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Tabela se nanaša samo na triodno, magnetronsko ali reakcijsko nanašanje z brizganjem, ki se uporablja za zvišanje sprejemljivosti nanosa in nivoja, in na povečano nanašanje z brizganjem z uporabo radijskih frekvenc (RF), ki se uporablja za omogočanje uparjevanja nekovinskih nanosnih materialov.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Za sprožitev nanašanja se lahko uporabljajo nizkoenergijski ionski žarki (manj kot 5 keV).
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ionska implantacija je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine, pri katerem se element, predviden za zlitino, ionizira, pospešuje skozi potencialni padec in vsadi v površino podlage.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Nadzorni status opreme, naprav in komponent, opisanih v točkah 3A001 ali 3A002 (razen tistih iz točk od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(10) ali iz točke 3A001(a)(12)), ki so posebej izdelane za drugo opremo in imajo iste funkcionalne značilnosti kakor druga oprema, je določen z nadzornim statusom druge opreme.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Nadzorni status integriranih vezij iz točk od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(9) ali iz točke 3A001(a)(12), ki so nespremenljivo programirana ali izdelana za specifično funkcijo za drugo opremo, je določen z nadzornim statusom druge opreme.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Če proizvajalec ali uporabnik ne more določiti nadzornega statusa druge opreme, je nadzorni status integriranih vezij določen v točkah od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(9) in v točki 3A001(a)(12).
a. General purpose integrated circuits, as follows:
integrirana vezja za splošno rabo:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Nadzorni status rezin (obdelanih ali neobdelanih) z določeno funkcijo se določa v skladu s parametri iz točke 3A001(a)
Integrated circuits include the following types:
Integrirana vezja vključujejo naslednje tipe:
“Monolithic integrated circuits”;
„monolitna integrirana vezja“;
“Hybrid integrated circuits”;
„hibridna integrirana vezja“;
“Multichip integrated circuits”;
„veččipna integrirana vezja“;
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„integrirana vezja na filmu“,vključno z integriranimi vezji tipa silicij na safirju;
“Optical integrated circuits”.
„optična integrirana vezja“.
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
skupno dozo 5 × 103 Gy (silicij) ali več
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
določeno stalno dozo 5 × 106 Gy (silicij)/s ali več ali
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
fluenco (integrirani tok) nevtronov (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 ali več za siliciju ali njegove ekvivalentne vrednosti za druge materiale;
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
001(a)(1)(c) se ne uporablja za strukture kovina-izolator-polprevodnik (MIS – Metal Insulator Semiconductor)
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„mikroprocesorska mikrovezja“, „mikroračunalniška mikrovezja“, mikrokrmilniška mikrovezja, pomnilniška integrirana vezja, izdelana iz sestavljenih polprevodnikov, analogno-digitalni pretvorniki, digitalno-analogni pretvorniki, elektro-optična ali „optična integrirana vezja“, izdelana za „obdelavo signalov“, logična vezja s programirljivim poljem, naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali je neznan nadzorni status opreme, v kateri bodo ta vezja uporabljena, procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT), električni izbrisljivi in programirljivi bralni pomnilniki (EPROM), bliskovni spomini ali statični vpisovalno/bralni pomnilniki (SRAM), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
so označeni za delovanje pri temperaturi okolja nad 398 K (125 °C);
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
so označeni za delovanje pri temperaturi okolja pod 218 K (– 55 °C) ali
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
so označeni za delovanje na celotnem temperaturnem območju okolja od 218 K (– 55 °C) do 398 K (125 °C).
a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Točka 3A001(a)(2) se ne uporablja za integrirana vezja za civilne avtomobile ali železniške aplikacije.
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„mikroprocesorska mikrovezja“, „mikroračunalniška mikrovezja“ in mikrokrmilniška mikrovezja, izdelana iz sestavljenega polprevodnika in delujejo na urni frekvenci, večji od 40 MHz;
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Točka 3A001(a)(3) vključuje procesorje digitalnih signalov, procesorje digitalnih nizov in digitalne koprocesorje.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
integrirana vezja analogno-digitalnih pretvornikov (AD-pretvorniki) in digitalno-analognih pretvornikov (DA-pretvorniki):
a. ADCs having any of the following:
AD-pretvorniki, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
SEE ALSO 3A101
GLEJ TUDI TOČKO 3A101;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
razločljivost 10 bitov ali več, vendar manj kot 12 bitov, z izhodno hitrostjo več kot 300 milijonov besed na sekundo;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
razločljivost 12 bitov z izhodno hitrostjo več kot 200 milijonov besed na sekundo;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
več kot 12-bitna razločljivost, vendar enaka ali pod 14 bitov z izhodno hitrostjo več kot 125 milijonov besed na sekundo, ali
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
več kot 14-bitna razločljivost z izhodno hitrostjo več kot 20 milijona besed na sekundo;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Razločljivost n bitov ustreza kvantizaciji 2n stopenj.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Število bitov izhodne besede je enako razločljivosti AD- pretvornikov.
For ‘multiple channel ADCs’, the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Pri večkanalnih AD-pretvornikih se izhodne hitrosti ne seštevajo, ampak je izhodna hitrost enaka najvišji izhodni hitrosti katerega koli posameznega kanala.
For ‘interleaved ADCs’ or for ‘multiple channel ADCs’ that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Pri AD-pretvornikih s porazdeljenim sistemom („interleaved ADCs“) ali pri večkanalnih AD-pretvornikih, pri katerih je mogoče porazdeljeno delovanje, se izhodne hitrosti seštevajo in izhodna hitrost je enaka najvišji kombinirani skupni izhodni hitrosti vseh izhodnih hitrosti.
‘Multiple channel ADCs’ are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
Večkanalni AD-pretvorniki so naprave, ki združujejo več kot en AD-pretvornik in so oblikovane tako, da ima vsak AD-pretvornik ločen vhodni analogni signal.
‘Interleaved ADCs’ are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
D-pretvorniki s porazdeljenim sistemom so naprave, ki imajo več enot AD-pretvornikov, ki vzorčijo isti vhodni analogni signal ob različnem času, tako da je po seštetju izhodnih signalov vhodni analogni signal učinkovito vzorčen in pretvorjen pri višji hitrosti vzorčenja.
b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
DA-pretvorniki, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
A resolution of 10 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of 3500 MSPS or greater; or
razločljivost 10 bitov ali več s prilagojeno stopnjo posodabljanja 3500 MSPS ali več ali
A resolution of 12 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
razločljivost 12 bitov ali več s prilagojeno stopnjo posodabljanja 1250 MSPS ali več in s katero koli od naslednjih značilnosti:
a. A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
čas umirjanja s stopnje polnega obsega na 0,024 % polnega obsega je manj kot 9 ns ali
b. A ‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
dinamično območje brez motenj („Spurious Free Dynamic Range“ – SFDR) je večje od 68 dBc (nosilec), kadar se sintetizira analogni signal v polnem obsegu s frekvenco 100 MHz ali analogni signal v polnem obsegu z najvišjo frekvenco, ki je opredeljena pod 100 MHz.
‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
Dinamično območje brez motenj (SFDR) je razmerje med RMS-vrednostjo nosilne frekvence (najmočnejša signalna komponenta) na vhodu DA-pretvornika in RMS-vrednostjo naslednje najmočnejše šumne komponente ali komponente harmoničnega popačenja na izhodu.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
SFDR se določi neposredno iz tabele specifikacij ali iz shem značilnosti SFDR glede na frekvenco.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Signal ima polni obseg, kadar je njegova amplituda večja kot –3 dBfs (polni obseg).
‘Adjusted update rate’ for DACs:
Prilagojena stopnja posodabljanja pri DA-pretvornikih:
For conventional (non-interpolating) DACs, the ‘adjusted update rate’ is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Pri konvencionalnih DA-pretvornikih (brez interpoliranja) je prilagojena stopnja posodabljanja enaka stopnji pretvarjanja digitalnega signala v analogni signal in stopnji, po kateri DA-pretvornik spreminja izhodne analogne vrednosti.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Pri DA-pretvornikih, pri katerih je mogoče zaobiti interpolacijo (faktor interpolacije je enak ena), je treba DA-pretvornike obravnavati kot konvencionalne DA-pretvornike (brez interpoliranja).
For interpolating DACs (oversampling DACs), the ‘adjusted update rate’ is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Pri DA-pretvornikih z interpoliranjem (DA-pretvornikih z nadvzorčenjem) je prilagojena stopnja posodabljanja enaka količniku stopnje posodabljanja DA-pretvornika in najmanjšega faktorja interpolacije.
For interpolating DACs, the ‘adjusted update rate’ may be referred to by different terms including:
Pri DA-pretvornikih z interpoliranjem se lahko prilagojena stopnja posodabljanja nanaša na različne pojme, vključno z naslednjimi:
input data rate
stopnja prenosa vhodnih podatkov,
input word rate
stopnja prenosa vhodnih besed,
input sample rate
stopnja prenosa vhodnih vzorcev,
maximum total input bus rate
največja skupna stopnja prenosa vhodnih vodil,
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
največja urna stopnja DA-pretvornika pri vhodni uri DA-pretvornika.
Electro-optical and “optical integrated circuits”, designed for “signal processing” and having all of the following:
elektrooptična in „optična integrirana vezja“, zasnovana za „obdelavo signalov“, ki imajo vse naslednje značilnosti:
a. One or more than one internal “laser” diode;
eno ali več notranjih „laserskih“ diod;
b. One or more than one internal light detecting element; and
enega ali več notranjih elementov za zaznavanje svetlobe in
c. Optical waveguides;
optični valovod;
‘Field programmable logic devices’ having either of the following:
‚logična vezja s programirljivim poljem‘, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
a. A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Najvišje število digitalnih vhodnih/izhodnih podatkov je višje kot 200 ali
b. A system gate count of greater than 230000;
Število vrat sistema je višje kot 230000;
a.7. includes:
Točka 3A001(a)7 zajema:
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
kompleksni programirljivi logični element (CPLD - Complex Programmable Logic Devices),
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
programirljiva mreža logičnih nizov (FPLA - Field Programmable Logic Arrays),
Field Programmable Interconnects (FPICs)
programirljiva mreža medpovezav (FPIC - Field Programmable Interconnects).
‘Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
‚Programljiva logična vezja‘ so znana tudi kot programirljive mreže vrat ali programirljive logične mreže
a. More than 1500 terminals;
več kot 1500 priključkov;