natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
elektronske s hladno katodo, polnjene s plinom ali brez, ki delujejo podobno kot iskrilo in imajo vse naslednje značilnosti:
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
označeno anodno temensko napetost, ki je enaka ali večja od 2,5 kV;
Anode peak current rating of 100 A or more; and
označeni anodni temenski tok, ki je enak ali večji od 100 A in
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Točka 3A228 vključuje plinske kritronske in vakuumske spritronske elektronske.
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
prožena iskrila, ki imajo obe naslednji značilnosti:
An anode delay time of 15 μs or less; and
zakasnitveni čas na anodi, ki je enak ali krajši od 15 μs in
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
moduli ali sestavi za funkcijo hitrega preklapljanja, razen tiste iz točke 3A001(g) ali 3A001(h), ki imajo vse naslednje značilnosti:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
označeno anodno temensko napetost, ki je večja od 2 kV;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
označeni anodni temenski tok, ki je enak ali večji od 500 A in
Turn-on time of 1 μs or less.
vklopni čas, ki je enak ali krajši od 1 μs.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Glede vžigalnikov za detonatorje glej točko 1A007.
a. Not used;
se ne uporablja;
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
modularni električni impulzni generatorji (pulzerji), ki imajo vse naslednje značilnosti:
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
‚čas vzpona‘ manjši od 10 μs pri bremenih pod 40 ohmov;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
namenjeni za uporabo v razširjenem temperaturnem območju od 223 K (–50 °C) do 373 K (100 °C) ali primerni za uporabo v letalstvu.
‘rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V točki 3A229(b)(5) je ‚čas vzpona‘ opredeljen kot časovni interval od 10 % do 90 % amplitude toka na uporovnem bremenu.
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
izhodno napetost nad 6 V na uporovnem bremenu, manjšim od 55 omov, in
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
‚prehodni čas impulza‘, krajši od 500 ps.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
V točki 3A230 je ‚prehodni čas impulza‘ opredeljen kot časovni interval med 10 % in 90 % amplitude napetosti.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Nevtronski generatorski sistemi, vključno z elektronskami, ki imajo obe naslednji značilnosti:
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
izdelani so za delovanje brez prisotnosti zunanjega vakuumskega sistema in
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
izkoriščajo elektrostatični pospešek za sprožanje jedrske reakcije med tritijem in devterijem.
See 1A007.b. for detonators.
Za detonatorje glej točko 1A007(b)
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
naprave, ki uporabljajo en detonator ali več detonatorjev, ki so izdelane za skoraj hkratni vžig eksplozivne površine, večje kot 5000 mm2, z enim samim vžigalnim signalom, pri čemer je časovno odstopanje vžiga na celotni površini manjše od 2,5 μs.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Predmet nadzora v točki 3A232 niso detonatorji, ki uporabljajo samo primarne eksplozive, na primer svinčev azid.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Masni spektrometri, razen tistih iz točke 0B002(g), ki so zmožni merjenja ionov z atomsko maso 230 ali več, z razločljivostjo, ki je boljša od dveh delov v 230, in ionski viri zanje:
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
masni spektrometri z induktivno sklopljeno plazmo (ICP/MS);
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
masni spektrometri s tlilno razelektritvijo (GDMS);
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
masni spektrometri s termično ionizacijo (TIMS);
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
masni spektrometri za obstreljevanje z elektroni, ki imajo komoro z viri, izdelano iz materialov, odpornih proti UF6, ali pa je komora s takšnimi materiali prevlečena ali prekrita;
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
masni spektrometri z molekularnim snopom, ki imajo eno od naslednjih značilnosti:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
komora z viri je izdelana iz nerjavnega jekla ali molibdena ali je prevlečena ali prekrita z njima in opremljena s hladilno pastjo, ki omogoča ohlajanje do temperature 193 K (–80 °C) ali manj, ali
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
masni spektrometri, opremljeni z ionskim virom, ki omogoča mikrofluoriranje, in izdelani za aktinoide ali fluoride aktinoidov.
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
oprema za epitaksialno rast:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
oprema z možnostjo proizvajanja plasti katerega koli materiala razen silicija enakomerne debeline do manj kot ± 2,5 % na razdalji 75 mm ali več;
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Točka 3B001(a) zajema tudi opremo za epitaksijo atomske plasti (ALE).
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
oprema, izdelana za ionsko implantacijo, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Direct write capability; or
zmožnost neposrednega zapisa ali
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
energijo žarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto „podlago“ iz polprevodniškega materiala;
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
oprema za suho jedkanje z uporabo anizotropne plazme, ki ima obe naslednji značilnosti:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
izdelana ali optimizirana je za proizvodnjo kritičnih dimenzij 65 nm ali manj in
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
neskladnost znotraj rezine je enaka ali manjša od 10 % 3σ, merjeno brez roba širine 2 mm ali manj;
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
oprema za nanašanje s kemičnim naparjevanjem (CVD) z uporabo plazme:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
oprema, delujoča na način od kasete do kasete in z uravnavanjem obremenitve, in je izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji polprevodniških elementov s kritično dimenzijo 65 nm ali manj;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
oprema, posebej narejena za opremo iz točke 3B001(e), in izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji polprevodniških elementov s kritično dimenzijo 65 nm ali manj;
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
večkomorni centralni sistemi z avtomatskim polnjenjem za ravnanje z rezinami, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
imajo vmesnike za vnos in iznos rezin, na katere je treba priključiti več kot dve za to zasnovani in funkcionalno različni ‚polprevodni procesni orodji‘ iz točk 3B001(a), 3B001(b), 3B001(c) ali 3B001(d), in
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
izdelani so za oblikovanje integriranega sistema v vakuumskem okolju za ‚sekvenčno večkratno obdelavo rezin‘.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Predmet nadzora v točki 3B001(e) niso avtomatski robotski sistemi za ravnanje z rezinami, posebej zasnovani za vzporedno obdelavo rezin.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Za namene točke 3B001(e) ‚polprevodno procesno orodje‘ pomeni modularna orodja, ki omogočajo fizične postopke za proizvodnjo polprevodnikov, ki so funkcionalno različni, kot so nanašanje, jedkanje, implantacija ali termična obdelava.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Za namene točke 3B001(e) ‚sekvenčna večkratna obdelava rezin‘ pomeni zmogljivost obdelave vsake rezine v drugem ‚polprevodnem procesnem orodju‘, na primer prenos vsake rezine od enega orodja do drugega in tretjega z večkomornimi centralnimi sistemi z avtomatskim polnjenjem za ravnanje z rezinami.
f. Lithography equipment as follows:
litografska oprema:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
oprema za pozicioniranje in izpostavljanje rezin po sistemu ‚korak in ponovi‘ (neposredni korak na rezini) ali ‚korak in skeniraj‘ (skener) pri obdelavi rezin z uporabo fotooptične metode ali metode z rentgenskimi žarki in ki ima katero koli od naslednjih značilnosti:
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
valovna dolžina svetlobnega vira, manjša kot 245 nm ali
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
zmožnost proizvajanja oblike z ‚minimalno razločljivo potezo‘ (Minimum Resolvable Feature size – MRF) 95 nm ali manj;
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
‚Minimalna razločljiva poteza‘ (MRF) se izračuna po naslednji enačbi:
MRF =an exposure light source wavelength in nm
MRF =valovna dolžina svetlobnega vira v nm
where the K factor = 0,35
pri čemer je faktor K = 0,35
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
tiskarska litografska oprema, s katero se lahko tiska podobe z največ 95 nm;
f.2. includes:
Točka 3B001(f)(2) zajema:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
‚step and flash‘ tiskarska litografska orodja (S-FIL)
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
uporablja elektronski žarek z odklonjenim fokusom, ionski ali „laserski“ žarek in
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
zmožnost izdelave vzorca s potezami, manjšimi od 1 μm ali
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
maske in mrežice, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001; (h) večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi; Opomba:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
preizkuševalna oprema, izdelana posebej za preizkušanje izdelanih ali neizdelanih polprevodniških naprav in posebej zanjo izdelane komponente in pribor:
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
za preizkušanje parametrov S tranzistorskih naprav pri frekvencah nad 31,8 GHz;
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
za preizkušanje mikrovalovnih integriranih vezij iz točke 3A001(b)(2).
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaksialni materiali, sestavljeni iz „podlage“ z naloženimi plastmi, pridobljeni z epitaksialno rastjo, iz naslednjih materialov:
a. Silicon (Si);
silicija (Si);
b. Germanium (Ge);
germanija (Ge);
c. Silicon carbide (SiC); or
silicijevega karbida (SiC) ali
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
„III/V spojin“ galija ali indija.
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
Uporovni materiali in „podlage“, prevlečene z naslednjimi krmiljenimi uporovnimi pastami:
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
pozitivne uporovne paste za polprevodniško litografijo, posebej prirejene (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 245 nm;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
vse uporovne paste za uporabo z elektronskimi ali ionskimi žarki, z občutljivostjo 0,01 (mikrokulomba) μcoulomb /mm2 ali boljšo;
c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
vse uporovne paste za uporabo z rentgenskimi žarki, z občutljivostjo 2,5 mJ/mm2 ali boljšo;
d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
vse uporovne paste, optimizirane za tehniko površinske preslikave, skupaj s ‚siliciranimi‘ uporovnimi pastami;
‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Tehnike ‚siliciranja‘ so opredeljene kot postopki, ki vključujejo oksidacijo uporovne površine zaradi izboljšanja lastnosti pri mokrem in suhem razvijanju.
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
vse uporovne paste za uporabo ali optimizirane za uporabo s tiskarsko litografsko opremo iz podtočke 3B001(f)(2), ki uporabljajo termični postopek ali postopek strjevanja s svetlobo.
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organsko-kovinske spojine aluminija, galija ali indija, katerih čistota (kovinske osnove) je več kot 99,999 %;
b. Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
organsko-arzenove, organsko-antimonove in organsko-fosforjeve spojine, katerih čistota (anorganske osnove) je več kot 99,999 %.
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Predmet nadzora v točki 3C003 so samo spojine, v katerih je kovinski, delno kovinski ali nekovinski element neposredno vezan na ogljik iz organskega dela molekule.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Hidridi fosforja, arzena ali antimona, katerih čistota je boljša od 99,999 %, tudi če so razredčeni v inertnih plinih ali vodiku.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Predmet nadzora v točki 3C004 niso hidridi, ki vsebujejo 20 molarnih odstotkov ali več inertnih plinov ali vodika.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Substrati“ silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) ali ingoti, kosi ali drugi polizdelki teh materialov z odpornostjo več kot 10000 ohm-cm pri 20 °C.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Substrati“ iz točke 3C005 z vsaj eno epitaksialno plast iz silicijevega karbida, galijevega nitrida, aluminijevega nitrida ali aluminijevega galijevega nitrida.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme iz točk od 3A001(b) do 3A002(g) ali iz točke 3B
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Programska oprema“, ki je posebej izdelana za „uporabo“ opreme iz točk 3B001(a) do (f) ali 3B002.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
‚Na fiziki temelječa‘ simulacijska „programska oprema“, posebej zasnovana za „razvoj“ postopkov litografije, jedkanja ali nanašanja pri prevajanju maskirnih vzorcev v specifične topografske vzorce v vodniških, dielektričnih ali polprevodniških materialih.
‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Izraz ‚na fiziki temelječa‘ v točki 3D003 pomeni uporabo izračunov za ugotavljanje zaporedja fizičnih vzrokov in posledic na osnovi fizičnih lastnosti (npr. temperature, tlaka, difuzijskih konstant in lastnosti polprevodniških materialov).
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as “technology”.
Knjižnice, atributi oblik ali sorodni podatki za snovanje polprevodniških elementov se pojmujejo kot „tehnologija“.
“Software” specially designed for the “development” of the equipment specified in 3A003.
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ opreme iz točke od 3A003.
“Software” specially designed or modified for the “use” of equipment specified in 3A101.b.
„Programska oprema“, posebej izdelana ali prirejena za „uporabo“ opreme iz točke 3A101(b)
“Technology” according to the General Technology Note for the “development” or “production” of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
„Tehnologija“, ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme ali materialov iz točk 3A, 3B ali 3C;
001 does not control “technology” for the “production” of equipment or components controlled by 3A003.
Predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za „proizvodnjo“ opreme ali komponente, ki so predmet nadzora točke 3A003.
001 does not control “technology” for the “development” or “production” of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ integriranih vezjih, ki so predmet nadzora točk od 3A001(a)(3) do 3A001(a)(12) in imajo obe naslednji značilnosti:
Using “technology” at or above 0,130 μm; and
uporabljajo „tehnologijo“ 0,130 μm ali več in
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
vključujejo večplastne strukture z največ tremi kovinskimi plastmi.
“Technology” according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the “development” or “production” of a “microprocessor microcircuit”, “microcomputer microcircuit” or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Tehnologija“ v skladu s Splošno opombo o tehnologiji, razen tiste iz točke 3E001, za „razvoj“ ali „proizvodnjo“„mikroprocesorskih mikrovezij“, „mikroračunalniških mikrovezij“ in jedra mikrokrmilniškega mikrovezja z aritmetično logično enoto z 32-bitno širino dostopa ali več in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
a. A ‘vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
‚vektorska procesna enota‘, izdelana za izvajanje več kot dveh izračunov vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil) simultano;
A ‘vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
‚Vektorska procesna enota‘ je element procesorja z vgrajenimi ukazi, ki izvajajo večkratne izračune vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil), simultano in imajo vsaj eno vektorsko aritmetično logično enoto.
b. Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
izdelana je za izračunavanje več kot dveh rezultatov 64-bitne ali večje operacije v plavajoči vejici na cikel ali
c. Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital “signal processing”).
izdelana je za izračunavanje več kot štirih rezultatov 16-bitnega množenja v nepremični vejici na cikel (npr. digitalna manipulacija analognih informacij, ki je bila pred tem pretvorjena v digitalno obliko, znana tudi kot digitalna „obdelava signalov“).
c. does not control “technology” for multimedia extensions.
Predmet nadzora v točki 3E002(c) ni „tehnologija“ za multimedijske razširitve.
002 does not control “technology” for the “development” or “production” of micro-processor cores, having all of the following:
Predmet nadzora v točki 3E002 ni „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ mikroprocesnih jeder, ki imajo obe naslednji značilnosti:
002 includes “technology” for digital signal processors and digital array processors.
Točka 3E002 zajema „tehnologijo“ za procesorje digitalnih signalov in procesorje digitalnih nizov.
Other “technology” for the “development” or “production” of the following:
Druga „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“:
a. Vacuum microelectronic devices;
vakuumskih mikroelektronskih naprav;
b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
heterostrukturnih polprevodniških elementov, kot so na primer tranzistorji z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), heterobipolarni tranzistorji (HBT), elementi s kvantnimi potencialnimi jamami in elementi s superkristalno mrežo;
b. does not control “technology” for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Predmet nadzora v točki 3E003(b) ni „tehnologija“ za tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), ki delujejo na frekvencah, nižjih od 31,8 GHz in heter-bipolarne tranzistorje (HBT), ki delujejo na frekvencah, nižjih kot 31,8 GHz.