natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 1:for the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Opomba 1:V smislu točke 3A002.d „generatorji sintetiziranih frekvenčnih signalov“ vsebujejo poljubno valovno obliko in poljubne funkcijske generatorje.
Note 2:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Opomba 2:Predmet nadzora v točki 3A002.d ni oprema, pri kateri se izhodna frekvenca proizvaja bodisi z dodajanjem ali odvzemanjem dveh ali več frekvenc kristalnega oscilatorja bodisi z dodajanjem ali odvzemanjem, ki mu sledi množenje rezultata.
for the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Za namene 3A002.d.1 je „trajanje impulza“ opredeljeno kot časovni interval med prednjo fronto impulza pri 90 % temenske vrednosti in zadnjo fronto impulza pri 10 % temenske vrednosti.
atomic frequency standards being any of the following:
standardi atomskih frekvenc, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
"space qualified";
so „primerni za vesolje“;
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
dolgotrajno stabilnost (staranje) manj kot (boljšo od) 1 x 10–11/mesec; ali
non-"space qualified" and having all of the following:
niso „primerni za vesolje“ in imajo vse naslednje značilnosti:
being a rubidium standard;
rubidijevi frekvenčni standardi;
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
dolgotrajna stabilnost manj kot (boljša od) 1 × 10–11/mesec; in
total power consumption of less than 1 W.
skupna absorbirana moč manj kot 1 W.
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
analogno-digitalni pretvorniki, uporabni v „projektilih“, ki so izdelani v skladu z vojaškimi specifikacijami za bojno opremo;
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
„termične baterije“, izdelane ali prilagojene za „projektile“.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
„Termične baterije“ iz točke 3A102 so baterije za enkratno uporabo, ki kot elektrolit vsebujejo neprevodno neorgansko sol v trdnem stanju.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
V točki 3A102 pomenijo „projektili“ celotne raketne sisteme in neimenovane zrakoplove z možnostjo dosega, večjega od 300 km.
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A201.b niso magneti, ki so posebej izdelani in izvoženi „kot deli“ medicinskih sistemov za slikanje z uporabo jedrske magnetne resonance (NMR).
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
Pojem „kot del“ ne pomeni nujno tudi fizičnega dela iste pošiljke; ločene pošiljke iz različnih virov so dovoljene pod pogojem, da pripadajoči izvozni dokumenti nedvoumno izkazujejo, da so pošiljke dobavljene „kot del“ sistema za slikanje.
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
„izkoristek“ (K), ki je enak ali večji od 0,25; ali
a "peak power" greater than 50 MW.
„temensko moč“ večjo od 50 MW.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A201.c niso pospeševalniki, ki so sestavni deli naprav, ki niso izdelane za namene obsevanja z elektronskimi ali rentgenskimi žarki (npr. elektronska mikroskopija), niti tistih, ki so izdelani za uporabo v medicini.
The "figure of merit" K is defined as:
„Izkoristek“ K je določen kot:
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
„Temenska moč“ = (temenski potencial v voltih) × (vrednost temenskega žarkovnega toka v amperih).
High-current pulse generators as follows:
Visokotokovni impulzni generatorji:
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Opomba:Glede vžigalnikov za detonatorje glej točko 1A007.
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
„čas vzpona“ manjši od 10 μs pri bremenih pod 40 ohmov;
specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
namenjeni za uporabo v razširjenem temperaturnem območju od 223 K (–50 °C) do 373 K (100 °C) ali primerni za uporabo v letalstvu.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V točki 3A229.b.5 je „čas vzpona“ opredeljen kot časovni interval od 10 % do 90 % amplitude toka na uporovnem bremenu.
"pulse transition time" less than 500 ps.
„prehodni čas impulza“, krajši od 500 ps.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
V točki 3A230 je „prehodni čas impulza“ opredeljen kot časovni interval med 10 % in 90 % amplitude napetosti.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Večtočkovni vžigalni sistemi, razen tistih iz točke 1A007:
Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A232 niso detonatorji, ki uporabljajo samo primarne eksplozive, na primer svinčev azid.
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
oprema, izdelana za ionsko implantacijo, in ima katero koli od naslednjih značilnosti:
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energijo žarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto „podlago“ iz polprevodniškega materiala;
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
oprema za nanašanje s kemičnim naparevanjem (CVD) z uporabo plazme:
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
oprema, posebej narejena za opremo iz točke 3B001.e in izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji polprevodniških elementov s kritično dimenzijo 180 nm ali manj;
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3B001.e niso avtomatski robotski sistemi za ravnanje z rezinami, ki niso namenjeni za delovanje v vakuumu.
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
oprema za pozicioniranje in izpostavljanje rezin po sistemu „korak in ponovi“ (neposredni korak na rezini) ali „korak in skeniraj“ (skener) pri obdelavi rezin z uporabo fotooptične metode ali metode z rentgenskimi žarki in ki ima katero koli od naslednjih značilnosti:
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
zmožnost proizvajanja oblike z „minimalno razločljivo potezo“ 180 nm ali manj;
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
„Minimalna razločljiva poteza“ se izračuna po naslednjem obrazcu:
MRF = "minimum resolvable feature size"
MRF = „minimalna razločljiva poteza“
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
tiskarska litografska oprema, s katero se lahko tiska podobe z največ 180 nm;
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
„step and flash“ tiskarska litografska orodja (S-FIL)
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
oprema, izdelana posebej za obdelavo naprav za izdelavo mask ali naprav za obdelavo polprevodniških naprav, ki uporabljajo postopek neposrednega zapisa, in imajo vse naslednje značilnosti:
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
uporablja elektronski žarek z odklonjenim fokusom, ionski ali „laserski“ žarek in
a spot size smaller than 0,2 µm;
točko, manjšo od 0,2 µm;
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
zmožnost izdelave vzorca s potezami, manjšimi od 1 µm; ali
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
površinsko natančnost boljšo od ±0,20 µm (3 sigme);
multi-layer masks with a phase shift layer.
večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi;
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3B001.h niso večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi, narejene za izdelavo spominskih enot, ki jih niso predmet nadzora v točki 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
i. Tiskarske litografske šablone, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaksialni materiali, sestavljeni iz „podlage“ z naloženimi plastmi, pridobljeni z epitaksialno rastjo, iz naslednjih materialov:
Silicon (Si);
silicija (Si);
Germanium (Ge);
germanija (Ge);
Silicon carbide (SiC); or
silicijevega karbida (SiC); ali
"III/V compounds" of gallium or indium.
„III/V spojin“ galija ali indija.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Uporovni materiali in „podlage“, prevlečene z naslednjimi krmiljenimi uporovnimi pastami:
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
vse uporovne paste, optimizirane za tehniko površinske preslikave, skupaj s „siliciranimi“ uporovnimi pastami;
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Tehnike „siliciranja“ so opredeljene kot postopki, ki vključujejo oksidacijo uporovne površine zaradi izboljšanja lastnosti pri mokrem in suhem razvijanju.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
vse uporovne paste za uporabo ali optimizirane za uporabo s tiskarsko litografsko opremo iz podtočke 3B001.f.2, ki uporabljajo termični postopek ali postopek strjevanja s svetlobo.
Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3C003 so samo spojine, v katerih je kovinski, delno kovinski ali nekovinski element neposredno vezan na ogljik iz organskega dela molekule.
Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3C004 niso hidridi, ki vsebujejo 20 molarnih odstotkov ali več inertnih plinov ali vodika.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Substrati“ silicijevega karbida (SiC), galijevega nitrida (GaN), aluminijevega nitrida (AlN) ali aluminijevega galijevega nitrida (AlGaN) ali ingoti, kosi ali drugi polizdelki teh materialov z odpornostjo več kot 10000 ohm-cm pri 20 °C.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Substrati“ iz točke 3C005 z vsaj eno epitaksialno plast iz silicijevega karbida, galijevega nitrida, aluminijevega nitrida ali aluminijevega galijevega nitrida.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme iz točk od 3A001.b do 3A002.g ali iz točke 3B.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Programska oprema“, ki je posebej napisana za „uporabo“ opreme iz točk 3B001.a do f. ali opreme iz točke 3B002.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
„Na fiziki temelječa“ simulacijska „programska oprema“, posebej zasnovana za „razvoj“ postopkov litografije, jedkanja ali nanašanja pri prevajanju maskirnih vzorcev v specifične topografske vzorce v vodniških, dielektričnih ali polprevodniških materialih.
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Izraz „na fiziki temelječa“ v točki 3D003 pomeni uporabo izračunov za ugotavljanje zaporedja fizičnih vzrokov in posledic na osnovi fizičnih lastnosti (npr. temperature, tlaka, difuzijskih konstant in lastnosti polprevodniških materialov).
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Opomba:Knjižnice, atributi oblik ali sorodni podatki za snovanje polprevodniških elementov se pojmujejo kot „tehnologija“.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
„Programska oprema“, izdelana posebej za „razvoj“ opreme iz točke od 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„Programska oprema“, posebej izdelana ali prirejena za „uporabo“ opreme iz točke 3A101.b.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
„Tehnologija“, ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ opreme ali materialov iz točk 3A, 3B ali 3C;
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Opomba 1:Predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za „proizvodnjo“ opreme ali komponente, ki jih niso predmet nadzora točke 3A003.
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Opomba 2:Predmet nadzora v točki 3E001 ni „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ integriranih vezjih, ki so predmet nadzora točk od 3A001.a.3 do 3A001.a.12 in imajo obe naslednji značilnosti:
using "technology" of 0,5 μm or more; and
uporabljajo „tehnologijo“ 0,5 μm ali več; in
not incorporating "multi-layer structures".
ne vključujejo „večplastnih struktur“.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
„Večplastne strukture“ ne vključujejo naprav, ki so sestavljene iz največ treh kovinskih plasti in treh plasti polisilicija.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Tehnologija“ v skladu s Splošno opombo o tehnologiji, razen tiste iz točke 3E001, za „razvoj“ ali „proizvodnjo“„mikroprocesorskih mikrovezij“, „mikroračunalniških mikrovezij“ in jedra mikrokrmilniškega mikrovezja z aritmetično logično enoto z 32-bitno širino dostopa ali več in ima katero koli od naslednjih značilnosti:.
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
„vektorska procesna enota“, izdelana za izvajanje več kot dveh izračunov vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil) simultano;
A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
„Vektorska procesna enota“ je element procesorja z vgrajenimi ukazi, ki izvajajo večkratne izračune vektorjev s premično vejico (enorazsežno polje 32-bitnih ali večjih števil), simultano in imajo vsaj eno vektorsko aritmetično logično enoto.
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
izdelana je za izračunavanje več kot štirih rezultatov 16-bitnega množenja v nepremični vejici na cikel (npr. digitalna manipulacija analognih informacij, ki je bila pred tem pretvorjena v digitalno obliko, znana tudi kot digitalna „obdelava signalov“).
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3E002.c ni tehnologija za multimedijske razširitve.
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Opomba 1:Predmet nadzora v točki 3E002 ni „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“ mikroprocesnih jeder, ki imajo obe naslednji značilnosti:
using "technology" at or above 0,130 µm; and
uporabljajo „tehnologijo“ 0,130 µm ali več; in
incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
vključujejo večplastne strukture z največ petimi kovinskimi plastmi.
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Opomba 2:Točka 3E002 zajema „tehnologijo“ za procesorje digitalnih signalov in procesorje digitalnih nizov.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Druga „tehnologija“ za „razvoj“ ali „proizvodnjo“:
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3E003.b ni tehnologija za tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), ki delujejo na frekvencah, nižjih od 31,8 GHz in heter-bipolarne tranzistorje (HBT), ki delujejo na frekvencah, nižjih kot 31,8 GHz.
"superconductive" electronic devices;
„superprevodniških“ elektronskih naprav;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
„Tehnologija“, ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za „uporabo“ opreme ali „programske opreme“ iz točke 3A001.a.1, 3A001.a.2, 3A102 ali 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
„Tehnologija“, ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za „razvoj“„programske opreme“ iz točke 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
„Tehnologija“, ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za „uporabo“ opreme iz točk 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201 in 3A225 do 3A233.
Note 1:computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Opomba 1:Računalnike, računalniško opremo in „programsko opremo“, povezano z izvajanjem telekomunikacijskih funkcij ali funkcij „lokalnega omrežja“, je treba obravnavati v primerjavi z delovnimi značilnostmi Skupine 5, del 1 (Telekomunikacije).
Note 2:control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Opomba 2:Krmilne enote, ki neposredno medsebojno povezujejo vodila ali kanale osrednjih procesnih enot, „glavni pomnilnik“ ali krmilniki diskov ne veljajo za telekomunikacijsko opremo, opisano v Skupini 5, del 1 (Telekomunikacije).
N.B.:for the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Napotilo:Glede nadzornega statusa „programske opreme“, izdelane posebej za paketno preklapljanje, glej točko 5D001.
Note 3:computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Opomba 3:Računalnike, računalniško opremo in „programsko opremo“ za izvajanje kriptografskih in kriptoanalitičnih funkcij z izvajanjem funkcij varnosti na več ravneh z ugotovljivostjo ali funkcijami izolacije ugotovljivega uporabnika ali tiste ki, omejujejo elektromagnetno kompatibilnost (EMC), je treba prav tako obravnavati v primerjavi z delovnimi značilnostmi iz Skupine 5, del 2 („Informacijska varnost“).
Electronic computers and related equipment having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektronski računalniki in sorodna oprema, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti, ter „elektronski sklopi“ in posebej izdelane komponente zanje:
specially designed to have any of the following:
posebej izdelani, da imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
primernost za delovanje pri temperaturah okolja pod 228 K (–45 °C) ali nad 358 K (85 °C); ali
Note:4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Opomba:Predmet nadzora v točki 4A00.a.1 se ne uporablja za računalnike, izdelane posebej za osebne avtomobile ali naprave za železniške vlake.
having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
z značilnostmi ali zmožnostmi izvajanja funkcij, ki presegajo meje iz Skupine 5, del 2 („Informacijska varnost“).
Note:4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Opomba:Predmet nadzora v točki 4A001.b niso elektronski računalniki in računalniška oprema, kadar spremljajo uporabnika za njegovo osebno uporabo.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
„Digitalni računalniki“, „elektronski sklopi“ in sorodna oprema ter posebej izdelane komponente zanje:
’vector processors’;
„vektorske procesorje“;
equipment designed for "image enhancement";
opremo za „izboljšavo slike“;
equipment designed for "signal processing".
opremo za „obdelavo signala“.
Note 2:the control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Opomba 2:Nadzorni status „digitalnih računalnikov“ in sorodne opreme, opisanih v točki 4A003, je določen z nadzornim statusom druge opreme ali sistemov, pod pogojem: