natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Toxic gas monitoring systems, other than those specified in 1A004, as follows; and dedicated detectors therefor:
Nadzorni sistemi za toksične pline, razen tistih iz točke 1A004, in pripadajoči detektorji:
Designed for continuous operation and usable for the detection of chemical warfare agents or chemicals specified in 1C350, at concentrations of less than 0,3 mg/m3; or
izdelani za neprekinjeno delovanje in uporabni za odkrivanje kemičnih bojnih strupov ali kemikalij, naštetih v točki 1C350, pri koncentracijah, manjših od 0,3 mg/m3ali
or P4 (BL3, BL4, L3, L4) containment levels are as specified in the WHO Laboratory Biosafety manual (3rd edition Geneva 2004).
ali P4 (BL3, BL4, L3, L4) so nivoji biološke vsebnosti, opredeljeni v WHO Laboratory Biosafety Manual (3. izdaja, Ženeva, 2004).
Fermenters capable of cultivation of pathogenic "microorganisms", viruses or capable of toxin production, without the propagation of aerosols, and having a total capacity of 20 litres or more;
kvasila z zmožnostjo vzgoje patogenih "mikroorganizmov", virusov ali z zmožnostjo proizvajanja toksinov brez aerosolske vzpodbude, s kapaciteto 20 litrov ali več;
One or more sealing joints within the steam containment area; and
eno ali več tesnilnih mest v predelu s paro in
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures, without the propagation of aerosols, having all of the following characteristics:
oprema za prečno (tangentno) filtracijo, z zmožnostjo separacije patogenih mikroorganizmov, virusov, toksinov ali celičnih kultur brez širjenja aerosolov, ki ima vse naslednje značilnosti:
A total filtration area equal to or greater than 1 m2; and
skupno filtrirno površino enako ali večjo od 1 m2in
Capable of being sterilised or disinfected in-situ; or
ima možnost sterilizacije ali dezinfekcije na kraju samem ali
Using disposable or single-use filtration components;
uporabljajo komponente za filtracijo za kratko ali enkratno uporabo;
In 2B352.d.1.b. sterlised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents.
V točki 2B352(d)1(b) sterilizacija pomeni odstranitev vseh mikrobov, sposobnih za preživetje, iz opreme z uporabo bodisi fizičnih (npr. para) ali kemičnih agensov.
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Komponente za prečno (tangentno) filtracijo (npr. moduli, elementi, kasete, vložki, enote ali plošče) s filtrirno površino enako ali večjo od 0,2 m2 za vsako komponento in izdelane za prečno (tangentno) filtracijo iz točke 2B352.d;
Note:2B352.d. does not control reverse osmosis equipment, as specified by the manufacturer.
Opomba:Predmet nadzora točke 2B352.d ni oprema za reverzno osmozo, kot jo določa proizvajalec
Note:2B352.f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
Opomba:Predmet nadzora točke 2B352(f)1 niso zaščitne obleke z aparati za samostojno dihanje.
Note:In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
Opomba:Izolatorji iz točke 2B352(f)2 vključujejo upogljive izolatorje, suhe komore, anaerobične komore, rokavične komore in laminarne varovalne pokrove (zaprte z vertikalnim tokom).
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater.
komore, izdelane za testiranje ustreznosti razpršil s patogenimi "mikroorganizmi", virusi ali "toksini", s kapaciteto 1 m3 ali več.
See 2D001 for "software" for items specified in 2B002.
Za "programsko opremo" za blago iz točke 2B002 glej točko 2D001.
N.B.:SEE ALSO 9D004.
Opomba:GLEJ TUDI TOČKO 9D004.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
"Programska oprema", razen tiste iz točke 1D003, posebej izdelana za "uporabo" opreme iz točke 2B351.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
"Tehnologija", ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za "proizvodnjo" opreme iz točk 2A ali 2B.
"Diffusion bonding"; or
za "difuzijsko spajanje"ali
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
"tehnologija" za "razvoj""programske opreme" za vgradnjo v sisteme za izboljšan nadzor delavniških sistemov prek "numeričnih krmilnih" enot;
Note:The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Opomba:Tabela in tehnična opomba sledita točki 2E301.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B232, 2D201 or 2D202.
"Tehnologija", ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji, namenjena za "uporabo" opreme ali "programske opreme" iz točke 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007(b), 2B007(c), 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 do 2B232, 2D201 ali 2D202.
Chemical Vapour Deposition (CVD)
nanašanje s pomočjo kemičnih hlapov (CVD)
Ceramics (19) and Low- expansion glasses (14)
keramični materiali (19) in stekla z majhnim raztezkom (14)
Alloyed aluminides (2)
zliti aluminidi (2)
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
utrjeni volframov karbidi (16), silicijev karbid (18)
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Termično izgorevanje Fizično nanašanje s Postopki nanašanja (TE-PVD)
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
utrjeni volframov karbidi (16), silicijev karbid
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Fizično plinski postopki nanašanja (PVD): lasersko oslojevanje
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Fizično plinski postopki nanašanja (PVD): naboja preko katodnega loka
Polymers (11) and
polimeri (11) in organski "matriks"-"kompoziti"
Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Utrjevanje z zasipanjem (o cementaciji brez zasipanja glej točko A) (10)
Organic "matrix""composites" Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
ogljiko-ogljikovi, keramični in kovinski "matriks"-"kompoziti"
Abradable Nickel-Graphite Abradable materials
brusni nikelj-grafit
containing Ni-Cr-Al
brusni materiali, ki vsebujejo Ni-Cr-Al
Sputter Deposition
Nanašanje z brizganjem F. (nadaljevanje)
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
keramični materiali in stekla z majhnim raztezkom (14)
Additions of Chromium Tantalum orNiobium (Columbium)
dodatki kroma tantala ali niobija (kolombij)
Cemented tungsten carbide (16)
utrjeni volframov karbidi (16),
Table — Deposition techniques — Notes
TABELA – TEHNIKE NANAŠANJA – OPOMBE
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
’MCrAlX’ se nanaša na nanose zlitin, pri kateri označuje črka M kobalt, železo, nikelj ali njihovo kombinacijo, črka X pa hafnij, itrij, silicij, tantal v kakršni koli količini ali druge namerne dodatke v količini več kot 0,01 ut. %, v različnih razmerjih in kombinacijah, razen:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
CoCrAlY – nanosi, ki vsebujejo manj od 22 do 24 ut. % kroma, 10 do 12 ut. % aluminija in 0,5 do 0,7 ut. % itrija, ali
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Izraz ’aluminijeve zlitine’ se nanaša na zlitine s mejno natezno trdnostjo 190 MPa ali več, merjeno pri 293 K (20 °C).
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
’Utrjene kovine in zlitine’ vključujejo naslednje kovine in njihove zlitine: niobij (kolumbij), molbiden, volfram in tantal.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
’Senzorski materiali’: aluminijev oksid, silicij, germanij, cinkov sulfid, cinkov selenid, galijev arzenid, diamant, galijev fosfid, safir in naslednji kovinski halidi: senzorski materiali premera več kot 40 mm za cirkonijev fluorid in hafnijev fluorid.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
’Polimeri’: poliamidi, poliestri, polisulfidi, polikarbonati in poliuretani.
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Izraz ”titanove zlitine” se nanaša na zrakoplovne zlitine s mejno napetostno trdnostjo 900 MPa ali več, merjeno pri 293 K (20 °C).
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
’Steklo z majhno razteznostjo’ se nanaša na stekla s koeficientom toplotnega raztezanja 1 × 10–7 K-1 ali manj, merjeno pri 293 K (20 °C).
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
postopki, našteti v stolpcu 1 tabele, so opredeljeni na naslednji način:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
opomba 1:cvd vključuje naslednje postopke: nanašanje prek direktnega plinskega curka, nanašanje (elementarno nadzirane) s pomočjo termične energije, s plazmo vzbujeni ali s plazmo gnani postopki nanašanja.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
opomba 2:zasipanje pomeni potopitev podlage v mešanico prahov.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
fizično plinsko nanašanje prek termičnega izgorevanja (thermal evaporation-physical vapour deposition, te-pvd) je postopek nanašanja prevleke na površino, ki poteka v vakuumu pod tlakom manj kot 0,1 pa in pri katerem vir toplotne energije služi za izhlapevanje nanosnega materiala.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
dodajanje plinov v vakuumsko komoro med postopkom nanašanja za sintetiziranje sestavljenega nanosa je običajna modifikacija tega postopka.
Specific TE-PVD processes are as follows:
posamezni postopki te-pvd so:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
fizično plinsko nanašanje s pomočjo elektronskega žarka, ki za segrevanje in izhlapevanje materiala, oblikujočega nanos, izkorišča elektronski žarek;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
utrjevanje je površinska modifikacija ali površinska plast, kjer je substrat potopljen v mešanico prahov, ki sestoji iz:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
substrat in mešanica prahov sta v retorti, ogreti na temperaturo med 1030 k (757 °c) in 1375 k (1102 °c), za čas, ki zadošča za nanos prevleke.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
opomba 1:nizkotlačna plazma pomeni plazmo tlaka, nižjega od atmosferskega.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
opomba 2:plazma velike hitrosti se nanaša na hitrosti plina iz dulca prek 750 m/s, računano pri 293 k (20 c) in pri 0,1 mpa.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
redko nanašanje je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine ali postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem se kovinski ali keramični prah z organskim vezivom suspendira v tekočino in se nato nanese na podlago bodisi z razprševanjem, kopeljo ali barvanjem, čemur sledi sušenje v pečici in toplotna obdelava, potrebna za to, da se želeni nanos obdrži.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
opomba 1:tabela se nanaša samo na triodno, magnetronsko ali reakcijsko nanašanje z brizganjem, ki se uporablja za zvišanje sprejemljivosti nanosa in nivoja, in na povečano nanašanje z brizganjem z uporabo radijskih frekvenc (rf), ki se uporablja za omogočanje uparjevanja nekovinskih nanosnih materialov.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
opomba 2:za sprožitev nanašanja se lahko uporabljajo nizkoenergijski ionski žarki (manj kot 5 kev).
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Opomba 1:Nadzorni status opreme, naprav in komponent, opisanih v točkah 3A001 ali 3A002 (razen tistih iz točk od 3A001(a)3 do 3A001(a)10 ali iz točke 3A001(a)12), ki so posebej izdelane za drugo opremo in imajo iste funkcionalne značilnosti kakor druga oprema, je določen z nadzornim statusom druge opreme.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Opomba 2:Nadzorni status integriranih vezij iz točk od 3A001(a)3 do 3A001(a)9 ali iz točke 3A001(a)12, ki so nespremenljivo programirana ali izdelana za specifično funkcijo za drugo opremo, je določen z nadzornim statusom druge opreme.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Opomba:Če proizvajalec ali uporabnik ne more določiti nadzornega statusa druge opreme, je nadzorni status integriranih vezij določen v točkah od 3A001(a)3 do 3A001(a)9 in v točki 3A001(a)12.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Opomba 1:Nadzorni status rezin (obdelanih ali neobdelanih) z določeno funkcijo se določa v skladu s parametri iz točke 3A001(a)
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"integrirana vezja na filmu", vključno z integriranimi vezji tipa silicij na safirju;
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
integrirana vezja, izdelana ali označena kot odporna proti sevanju, ki lahko prenesejo:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
skupno dozo 5 × 103 Gy (silicij) ali več
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
določeno stalno dozo 5 × 106 Gy (silicij)/s ali več ali
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Opomba:3A001(a)1(c) se ne uporablja za strukture kovina-izolator-polprevodnik (MIS – Metal Insulator Semiconductor)
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"mikroprocesorska mikrovezja", "mikroračunalniška mikrovezja", mikrokrmilniška mikrovezja, pomnilniška integrirana vezja, izdelana iz sestavljenih polprevodnikov, analogno-digitalni pretvorniki, digitalno-analogni pretvorniki, elektro-optična ali "optična integrirana vezja", izdelana za "obdelavo signalov", logična vezja s programirljivim poljem, naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali je neznan nadzorni status opreme, v kateri bodo ta vezja uporabljena, procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT), električni izbrisljivi in programirljivi bralni pomnilniki (EPROM), bliskovni spomini ali statični vpisovalno/bralni pomnilniki (SRAM), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
so naznačeni za delovanje pri temperaturi okolja pod 218 K (–55 °C) ali
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
so naznačeni za delovanje na celotnem temperaturnem območju okolja od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C).
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Opomba:Točka 3A001(a)2. se ne uporablja za integrirana vezja za civilne avtomobile ali železniške aplikacije.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Opomba:Točka 3A001(a)3 vključuje procesorje digitalnih signalov, procesorje digitalnih nizov in digitalne koprocesorje.
ALSO 3A101
Opomba:GLEJ TUDI TOČKO 3A101
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
razločljivost 12 bitov z izhodno hitrostjo več kot 105 milijonov besed na sekundo;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
več kot 12-bitna razločljivost, vendar enaka ali pod 14 bitov z izhodno hitrostjo več kot 10 milijonov besed na sekundo; ali
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
več kot 14-bitna razločljivost z izhodno hitrostjo več kot 2,5 milijona besed na sekundo;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
digitalno-analogni pretvorniki z razločljivostjo 12 bitov ali več in s "časom umirjanja" manj kot 10 ns;
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
elektrooptična in "optična integrirana vezja", zasnovana za "obdelavo signalov", ki imajo vse naslednje značilnosti:
One or more than one internal light detecting element; and
enega ali več notranjih elementov za zaznavanje svetlobe in
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
’logična vezja s programirljivim poljem’, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Najvišje število digitalnih vhodnih/izhodnih podatkov je višje kot 200 ali
A system gate count of greater than 230000;
Število vrat sistema je višje kot 230000;
Note:3A001.a.7. includes:
Opomba:Točka 3A001(a)7 zajema:
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
enostavni programirljivi logični element (SPLD – Simple Programmable Logic Devices),
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
kompleksni programirljivi logični element (CPLD – Complex Programmable Logic Devices),
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
programirljiva mreža vrat (FPGA – Field Programmable Gate Arrays),
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
programirljiva mreža logičnih nizov (FPLA – Field Programmable Logic Arrays),
Field Programmable Interconnects (FPICs)
programirljiva mreža medpovezav (FPIC – Field Programmable Interconnects).
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
’Programljiva logična vezja’ so znana tudi kot programirljive mreže vrat ali programirljive logične mreže.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Najvišje število digitalnih vhodnih/izhodnih podatkov iz točke 3A001(a)7(a) je znano tudi kot najvišje število podatkov, ki jih uporabnik vnese ali sprejme ali najvišje število razpoložljivih vstopnih/izstopnih podatkov, ne glede na to, ali je integrirano vezje v ohišju ali brez njega.
More than 1500 terminals;
več kot 1500 priključkov;
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
tipična "propagacijska zakasnitev osnovnih vrat" manj kot 0,02 ns ali
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
digitalna integrirana vezja, razen opisanih v točkah od 3A001(a)3 do 3A001(a)10 in v točki 3A001(a)12, na podlagi katerega koli sestavljenega polprevodnika in ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentno število vrat nad 3000 (2-vhodnih vrat) ali
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT – Fast Fourier Transform) in naznačenim izvajalnim časom kompleksne FFT z N točkami manjši od (N log2 N)/20480 ms, pri čemer je N število točk;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Če je N enako 1024 točk, dobimo s formulo v točki 3A001(a)12 izvajalni čas 500 µs.
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Opomba 1:Točka 3A001(b)1 se ne nanaša na elektronke, izdelane ali naznačene za delovanje v katerem koli frekvenčnem pasu, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Does not exceed 31,8 GHz; and
ne presega 31,8 GHz in
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Opomba 2:3A001(b)1 se ne nanaša na elektronke, ki niso "primerne za vesolje" in imajo vse naslednje značilnosti:
An average output power equal to or less than 50 W; and
povprečna izhodna moč je enaka ali manjša od 50 W in
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
so izdelane ali naznačene za kateri koli frekvenčni pas, ki ima vse naslednje značilnosti:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
presega 31,8 GHz, vendar ne presega 43,5 GHz in
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
elektronke, ki delujejo na frekvencah, višjih od 31,8 GHz;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
elektronke, ki imajo katodni grelni element z vklopnim časom do naznačene moči RF manj kot 3 sekunde;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
polžaste (’helix’) elektronke ali njihove izvedenke, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti: