natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
digitalni videosnemalniki z magnetnim trakom, pri katerih prenosna hitrost digitalnega vmesnika presega 360 Mbit/s;
Note:3A002.a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A002(a)2 niso digitalni videosnemalniki z magnetnim trakom, ki so izdelani posebej za snemanje signala z uporabo formata signala, ki lahko vključuje komprimirani format signala, ki ga standardizirajo ali priporočajo ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ali IEEE za potrebe civilne televizije.
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having any of the following:
digitalni merilni snemalniki podatkov z magnetnim trakom, ki uporabljajo tehniko zapisovanja s poševnimi sledmi ali tehniko zapisovanja z nepremičnimi glavami in ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
maksimalno hitrost prenosa digitalnih podatkov večjo kot 175 Mbitov/s ali
Note:3A002.a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A002(a)3 niso analogni snemalniki z magnetnim trakom, opremljeni z elektroniko za pretvorbo HDDR in narejeni samo za snemanje digitalnih podatkov.
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
oprema s prenosno hitrostjo digitalnega vmesnika večjo kot 175 Mbitov/s, in izdelana tako, da spremeni digitalne video snemalnike z magnetnim trakom v digitalne merilne snemalnike podatkov;
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
naprave za digitizacijo valovnih oblik in snemalniki prehodnih pojavov, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
hitrost digitizacije enako ali večjo od 200 milijonov vzorcev na sekundo in razločljivost 10 bitov ali več in
A ’continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
’zvezni pretok’ 2 Gbitov na sekundo ali več;
For those instruments with a parallel bus architecture, the ’continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Pri instrumentih z vzporednim vodilom je hitrost ’zveznega pretoka’ zmnožek najvišje hitrosti prenosa besed in števila bitov v besedi.
’Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
’Zvezni pretok’ pomeni največjo podatkovno hitrost, ki jo lahko instrument vnese v masovni pomnilnik, ne da bi se pri tem izgubili podatki pri stalni hitrosti vzorčenja in analogno-digitalni pretvorbi.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having all of the following:
digitalni merilni snemalniki podatkov, ki uporabljajo tehniko shranjevanja na magnetni disk in imajo vse naslednje značilnosti:
Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
hitrost digitizacije enako ali večjo od 100 milijonov vzorcev na sekundo in razločljivost 8 bitov ali več in
A ’continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
’zvezni pretok’ 1 Gbitov na sekundo ali več;
Note:The control status of "signal analysers", signal generators, network analysers, and microwave test receivers as stand-alone instruments is determined by 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., and 3A002.f., respectively.
Opomba:Nadzorni status "analizatorjev signalov", generatorjev signalov, omrežnih analizatorjev in mikrovalovnih preskušalnih sprejemnikov kot samostojnih instrumentov je določen v točkah 3A002(c), 3A002(d), 3A002(e) in 3A002(f)
Radio-frequency "signal analysers" as follows:
"analizatorji signalov" radijskih frekvenc:
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz and having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz;
"analizatorji signalov" z zmožnostjo analiziranja frekvenc nad 31,8 GHz, vendar ne več kot 37,5 GHz, in s pasovno širino 3 db nad 10 MHz;
"Signal analysers" capable of analysing frequencies exceeding 43,5 GHz;
"analizatorji signalov" z zmožnostjo analiziranja frekvenc nad 43,5 GHz;
Note:3A002.c.3. does not control those "dynamic signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A002(c)3 niso tisti "dinamični analizatorji signalov", ki uporabljajo samo filtre za filtriranje pasovnih širin po konstantnem odstotku (znanih tudi kot oktavni ali trenutni oktavni filtri).
Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
generatorji sintetiziranih frekvenčnih signalov, ki proizvajajo izhodne frekvence, katerih točnost ter kratkotrajna in dolgotrajna stabilnost so krmiljeni in ki izhajajo iz notranjega glavnega referenčnega oscilatorja ali jih ta uravnava, ter imajo katerokoli izmed naslednjih značilnosti:
A maximum synthesised frequency exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz and rated to generate a ’pulse duration’ of less than 100 ns;
maksimalna sintetizirana frekvenca presega 31,8 GHz, vendar ne presega 43,5 GHz in so naznačeni za generiranje trajanja impulza krajše od 100 ns;
A "frequency switching time" from one selected frequency to another as specified by any of the following:
"čas preklopa frekvence" z ene izbrane frekvence na drugo, kot je določeno v kateri koli od naslednjih točk:
Less than 312 ps;
manj kot 312 ps;
Less than 100 µs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
manj kot 100 µs za katero koli spremembo frekvence, ki je večja od 1,6 GHz znotraj sintetiziranega frekvenčnega območja, ki je večji od 3,2 GHz, vendar manjši od 10,6 GHz;
Less than 250 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
manj kot 250 µs za katero koli spremembo frekvence, ki je večja od 550 MHz znotraj sintetiziranega frekvenčnega območja, ki je večji od 31,8 GHz, vendar manjši od 10,6 GHz;
Less than 500 µs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
manj kot 500 µs za katero koli spremembo frekvence, ki je večja od 550 MHz znotraj sintetiziranega frekvenčnega območja, ki je večji od 31,8 GHz, vendar manjši od 43,5 GHz ali
Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz; or
manj kot 1 ms znotraj sintetiziranega frekvenčnega obsega, ki presega 43,5 GHz ali
A maximum synthesised frequency exceeding 3,2 GHz and having all of the following:
Maksimalna sintetizirana frekvenca presega 3,2 GHz in ima vse naslednje značilnosti:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126 + 20log10F — 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
šum posamezne faze stranskega pasu (SSB), izražen v dBc/Hz, je boljši od -(126 + 20log10F – 20log10f) pri 10 Hz < F < 10 kHz in
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114 + 20log10F — 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
šum posamezne faze stranskega pasu (SSB), izražen v dBc/Hz, je boljši od -(114 + 20log10F – 20log10f) pri 10 Hz < F < 500 kHz
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
V točki 3A001(b)10 je F regulacijsko odstopanje od delovne frekvence v Hz in f delovna frekvenca v MHz.
Note 1.:For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Opomba 1:V smislu točke 3A002(d) generatorji sintetiziranih frekvenčnih signalov vsebujejo poljubno valovno obliko in poljubne funkcijske generatorje.
Note 2.:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Opomba 2:Predmet nadzora v točki 3A002(d) ni oprema, pri kateri se izhodna frekvenca proizvaja bodisi z dodajanjem ali odvzemanjem dveh ali več frekvenc kristalnega oscilatorja bodisi z dodajanjem ali odvzemanjem, ki mu sledi množenje rezultata.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g., GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Poljubna valovna oblika in poljubni funkcijski generatorji so navadno določeni s stopnjo vzorcev (npr. Gvzorec/s), ki se pretvori v RF s faktorjem nyquist dve.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Tako ima poljubna valovna oblika 1 Gvzorec/s neposredno izhodno zmogljivost 500 MHz.
Or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Ko se uporablja nadvzorčenje, pa je največja neposredna izhodna zmogljivost sorazmerno nižja.
For the purposes of 3A002.d.1., ’pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Za namene 3A002(d)1 je ’trajanje impulza’ opredeljeno kot časovni interval med prednjo fronto impulza pri 90 % temenske vrednosti in zadnjo fronto impulza pri 10 % temenske vrednosti.
A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
maksimalno delovno frekvenco več kot 43,5 GHz in
Atomic frequency standards being any of the following:
standardi atomskih frekvenc, ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
"Space-qualified";
so "primerni za vesolje";
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; or
niso rubidijevi frekvenčni standardi, z dolgotrajno stabilnostjo manj kot (boljšo od) 1 × 10 –11/mesec ali
Non-"space-qualified" and having all of the following:
niso "primerni za vesolje" in imajo vse naslednje značilnosti:
Being a rubidium standard;
rubidijevi frekvenčni standardi,
Long-term stability less (better) than 1 × 10-11/month; and
dolgotrajna stabilnost manj kot (boljša od) 1 × 10–11/mesec in
Total power consumption of less than 1 W.
skupna absorbirana moč manj kot 1 W.
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
analogno-digitalni pretvorniki, uporabni v "projektilih", ki so izdelani v skladu z vojaškimi specifikacijami za bojno opremo;
Note:3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Opomba:Točka 3A101(b) ne določa opreme, izdelane posebej za medicinsko uporabo.
Capacitance greater than 0,5 µF; and
kapacitivnost večjo od 0,5 µF in
Series inductance less than 50 nH; or
zaporedno induktivnost manjšo od 50 nH ali
Capacitance greater than 0,25 µF; and
kapacitivnost večjo od 0,25 µF in
Inner diameter greater than 300 mm; and
notranji premer večji od 300 mm in
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported ’as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A201.b niso magneti, ki so posebej izdelani in izvoženi ’kot deli’ medicinskih sistemov za slikanje z uporabo jedrske magnetne resonance (NMR).
The phrase ’as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ’as part of’ the imaging systems.
Pojem ’kot del’ ne pomeni nujno tudi fizičnega dela iste pošiljke; ločene pošiljke iz različnih virov so dovoljene pod pogojem, da pripadajoči izvozni dokumenti nedvoumno izkazujejo, da so pošiljke dobavljene ’kot del’ sistema za slikanje.
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
generatorji rentgenskih žarkov ali impulzni pospeševalniki elektronov, ki imajo eno od naslednjih skupin značilnosti:
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
temensko energijo elektronov pospeševalnika, enako ali večjo od 500 MeV, toda manjšo kot 25 MeV, in
With a ’figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
’izkoristek’ (K), ki je enak ali večji od 0,25, ali
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
temensko energijo elektronov pospeševalnika enako ali večjo od 25 MeV in
A ’peak power’ greater than 50 MW.
’temensko moč’ večjo od 50 MW.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
Opomba:Predmet nadzora v točki 3A201.c niso pospeševalniki, ki so sestavni deli naprav, ki niso izdelane za namene obsevanja z elektronskimi ali rentgenskimi žarki (npr. elektronska mikroskopija), niti tistih, ki so izdelani za uporabo v medicini.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 µs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Če je trajanje impulza snopa pospeševalnika enako ali krajše od 1 µs, potem je Q celotni pospešeni naboj v Coulombih.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 µs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 µs.
Če je trajanje impulza snopa pospeševalnika daljše od 1 µs, potem je Q maksimalni pospešeni naboj v 1 µs.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 µs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q je enak integralu i glede na t v času pod 1 µs ali v času trajanja impulza snopa (Q = ∫ idt), pri čemer je i žarkovni tok v amperih in t čas v sekundah.
’Peak power’ = (peak potential in volts) x (peak beam current in amperes).
’Temenska moč’ = (temenski potencial v voltih) × (vrednost temenskega žarkovnega toka v amperih).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
V napravah, ki temeljijo na vdolbinah za pospeševanje mikrovalov, je čas trajanja impulza snopa krajši od 1 µs oziroma od trajanja žarkovnih snopov, ki izhajajo iz enega impulza mikrovalovnega modulatorja.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Frekvenčni pretvorniki ali generatorji, razen tistih, določenih v točki 0B001(b)13, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
celotno harmonično popačenje boljše (manjše) od 10 % in
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Močnostni enosmerni napajalniki, razen tistih, ki so določeni v točki 0B001.j.6, in ki imajo obe naslednji značilnosti:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
v časovnem obdobju osmih (8) ur sposobnost neprekinjenega proizvajanja izhodnega toka jakosti 500 A ali več z napetostjo 100 V ali več in
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
v časovnem obdobju osmih (8) ur tokovno ali napetostno stabilnost boljšo od 0,1 %.
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Visokonapetostni enosmerni napajalniki, razen tistih iz točke 0B001(j)5, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
v časovnem obdobju osmih (8) ur sposobnost neprekinjenega proizvajanja toka jakosti 1 A ali več z napetostjo 20 kV ali več in
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
elektronke s hladno katodo, polnjene s plinom ali brez, ki delujejo podobno kot iskrilo in imajo vse naslednje značilnosti:
Anode peak current rating of 100 A or more; and
naznačeni anodni temenski tok, ki je enak ali večji od 100 A; in
Anode delay time of 10 µs or less;
zakasnitveni čas na anodi, ki je enak ali krajši od 10 µs;
An anode delay time of 15 µs or less; and
zakasnitveni čas na anodi, ki je enak ali krajši od 15 µs; in
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
moduli ali sestavi za funkcijo hitrega preklapljanja, razen tiste iz točke 3A001(g), ki imajo vse naslednje značilnosti:
Anode peak current rating of 500 A or more; and
naznačeni anodni temenski tok, ki je enak ali večji od 500 A in
Turn-on time of 1 µs or less.
vklopni čas, ki je enak ali krajši od 1 µs.
1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Opomba:Glede vžigalnikov za detonatorje glej točko 1A007.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
modularni električni impulzni generatorji (pulzerji), ki imajo vse naslednje značilnosti:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
izdelani za prenosno, mobilno ali robustno uporabo;
Enclosed in a dust-tight enclosure;
zaprti v prahotesnem ohišju;
Capable of delivering their energy in less than 15 µs;
sposobnost sproščanja lastne energije v manj kot 15 µs;
Having a ’rise time’ of less than 10 µs into loads of less than 40 ohms;
’čas vzpona’ manjši od 10 µs pri bremenih pod 40 ohmov;
Weight less than 25 kg; and
tehtajo manj kot 25 kg in
Specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
namenjeni za uporabo v razširjenem temperaturnem območju od 223 K (–50 °C) do 373 K (100 °C) ali primerni za uporabo v letalstvu.
’rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V točki 3A229(b)5 je ’čas vzpona’ opredeljen kot časovni interval od 10 % do 90 % amplitude toka na uporovnem bremenu.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
izhodno napetost nad 6 V na uporovnem bremenu, manjšim od 55 omov, in
’Pulse transition time’ less than 500 ps.
’prehodni čas impulza’, krajši od 500 ps.
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Opomba:Za detonatorje glej točko 1A007(b)
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 µs.
naprave, ki uporabljajo en detonator ali več detonatorjev, ki so izdelane za skoraj hkratni vžig eksplozivne površine, večje kot 5000 mm2, z enim samim vžigalnim signalom, pri čemer je časovno odstopanje vžiga na celotni površini manjše od 2,5 µs.
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
komora z viri je izdelana iz nerjavnega jekla ali molibdena ali je prevlečena ali prekrita z njima in opremljena s hladilno pastjo, ki omogoča ohlajanje do temperature 193 K (–80 °C) ali manj, ali
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Oprema za proizvodnjo polprevodniških elementov ali materialov in posebej izdelane komponente in pribor zanjo:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
oprema za epitaksialno rast:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
oprema z možnostjo proizvajanja plasti kateregakoli materiala razen silicija enakomerne debeline do manj kot ±2,5 % na razdalji 75 mm ali več;
Note:3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Opomba:Točka 3B001(a). zajema tudi opremo za epitaksijo atomske plasti (ALE).
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
reaktorji za nanašanje kovin s kemičnim naparjevanjem (MOCVD), izdelani posebej za rast kristalov sestavljenih polprevodnikov z uporabo kemične reakcije med materiali iz točke 3C003 ali 3C004;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
oprema, izdelana za ionsko implantacijo, in ima katerokoli od naslednjih značilnosti:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
energijo žarka (pospeševalna napetost) več kot 1MeV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
posebej izdelana in optimizirana za delovanje pri energiji žarka (pospeševalni napetosti) manj kot 2 keV
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energijožarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto "podlago" iz polprevodniškega materiala;
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
oprema za suho jedkanje z uporabo anizotropne plazme:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
je izdelana ali optimizirana za proizvodnjo kritičnih dimenzij 180 nm ali manj z natančnostjo ±5 % za razpršenost 3 sigma ali
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
je izdelana za generiranje manj kot 0,04 delcev/cm2 z izmerljivo velikostjo delcev, večjih od 0,1 µm v premeru;
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
oprema za nanašanje s kemičnim naparjevanjem (CVD) z uporabo plazme:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
oprema, posebej narejena za opremo iz točke 3B001(e), in izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji polprevodniških elementov s kritično dimenzijo 180 nm ali manj;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
večkomorni centralni sistemi z avtomatskim polnjenjem za ravnanje z rezinami, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
vmesniki za vnos in iznos rezin, na katere je treba priključiti več kot dve napravi za obdelavo polprevodnikov in
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Opomba:Predmet nadzora v točki 3B001(e) niso avtomatski robotski sistemi za ravnanje z rezinami, ki niso namenjeni za delovanje v vakuumu.
Lithography equipment as follows:
litografska oprema:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
oprema za pozicioniranje in izpostavljanje rezin po sistemu ’korak in ponovi’ (neposredni korak na rezini) ali ’korak in skeniraj’ (skener) pri obdelavi rezin z uporabo fotooptične metode ali metode z rentgenskimi žarki in ki ima katerokoli od naslednjih značilnosti:
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
valovna dolžina svetlobnega vira manjša kot 245 nm ali