natgillin/translations-raw huggingface dataset:
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
njihova "trenutna pasovna širina" je ena oktava ali manj, povprečna moč (izražena v kW), pomnožena s frekvenco (izraženo v GHz), pa več kot 1 ali
Being "space-qualified";
so "primerni za vesolje";
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
ojačevalne elektronke z navzkrižnim poljem in z ojačanjem, večjim od 17 dB;
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
močnostni ojačevalniki z mikrovalovnimi "monolitnimi integriranimi vezji" (MMIC – Microwave Monolithic Integrated Circuits), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
naznačeni za delovanje pri frekvencah, večjih kot 6 GHz do vključno 16 GHz in s povprečno izhodno močjo večjo od 1 W (30 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
naznačeni so za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 31,8 GHz do vključno 37,5 GHz;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 37,5 GHz do vključno 43,5 GHz in s povprečno izhodno močjo, večjo od 0,25 W (24 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 % ali
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
naznačeni so za delovanje pri frekvencah, večjih od 43,5 GHz;
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Opomba 1:Predmet nadzora točke 3A001(b)2 ni oprema za radiodifuzijske satelite, izdelane ali naznačene za delovanje v frekvenčnem območju od 40,5 GHz do 42,5 GHz.
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Opomba 2:Nadzorni status mikrovalovnih monolitnih integriranih vezij, katerih nominalna delovna frekvenca obsega več kot eno frekvenčno območje, kot določa točka 3A001(b)2(a) do 3A001(b)2(f) se določa glede na prag najnižje povprečne izhodne moči.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Opomba 3:Opombi 1 in 2 v besedilu pri skupini 3 pomenita, da točka 3A001(b)2 ne nadzira mikrovalovnih monolitnih integriranih vezij, če so izdelana posebej za druge namene, npr. telekomunikacije, radarje, avtomobile.
Discrete microwave transistors having any of the following:
diskretni mikrovalovni tranzistorji, ki imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
naznačeni za delovanje pri frekvencah, večjih kot 37,5 GHz do vključno 43,5 GHz in imajo povprečno izhodno moč večjo od 1 W (30 dBm) ali
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Opomba:Nadzorni status tranzistorja, katerega nominalna delovna frekvenca vključuje več kot eno frekvenčno območje, kot določajo točke 3A001(b)3a do 3A001(b)3e, se določa glede na prag najnižje povprečne izhodne moči.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
mikrovalovni polprevodniški ojačevalniki in mikrovalovni sestavi/moduli, ki vsebujejo mikrovalovne polprevodniške ojačevalnike s katero koli izmed naslednjih značilnosti:
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
naznačeni za delovanje pri frekvencah, večjih kot 37,5 GHz do vključno 43,5 GHz in s povprečno izhodno močjo večjo od 1 W (30 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
naznačeni so za delovanje pri frekvencah nad 43,5 GHz ali
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
naznačeni za delovanje pri frekvencah, večjih kot 3,2 GHz in imajo vse naslednje značilnosti:
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
"delno pasovno širino" 5 % ali več in
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
kateri koli dve strani pravokotni druga na drugo z dolžino d (v cm) enako ali manjšo kot 15, deljeno z najnižjo delovno frekvenco v GHz [d ≤ 15 cm × GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
V formuli v točki 3A001(b)4(f)3 se za najnižjo delovno frekvenco (fGHz) uporabi vrednost 3,2 GHz za vse ojačevalnike, ki imajo nominalno delovno območje navzdol do 3,2 GHz in nižje [d ≤ 15cm × GHz/3,2 GHz].
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Opomba:Močnostne ojačevalnike z mikrovalovnimi monolitnimi integriranimi vezji (MMIC) je treba ocenjevati po kriterijih iz točke 3A001(b)2.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Opomba 1:Predmet nadzora točke 3A001(b)4 ni oprema za radiodifuzijske satelite, izdelane ali naznačene za delovanje v frekvenčnem območju od 40,5 do 42,5 GHz.
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Opomba 2:Nadzorni status proizvoda, katerega nominalna delovna frekvenca obsega več kot eno frekvenčno območje, kot določajo točke od 3A001(b)4(a) do 3A001(b)4(e), se določa glede na prag najnižje povprečne izhodne moči.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
elektronsko ali magnetno nastavljivi pasovno prepustni ali pasovno zaporni filtri, ki imajo več kot 5 nastavljivih resonatorjev z zmožnostjo nastavitve v frekvenčnem pasu 1,5: 1 (f max /f min) v manj kot 10 µs in imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
pasovno širino prepustnega frekvenčnega pasu večjo kot 0,5 % centralne frekvence ali
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
pretvorniki in harmonični mešalniki, namenjeni za širjenje frekvenčnega območja opreme, opisane v točkah 3A002(c), 3A002(d), 3A002(e) ali 3A002(f), nad tam navedenimi mejami;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
mikrovalovni močnostni ojačevalniki z elektronkami, določenimi v točki 3A001(b)1, ki imajo vse naslednje značilnosti:
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
povprečna gostota izhodne moči na razmerje mase presega 80W/kg in
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Opomba:Predmet nadzora točke 3A001(b)8 ni oprema, ki je izdelana ali naznačena za delovanje v katerem koli frekvenčnem pasu, "dodeljeno po ITU" za radiokomunikacijske storitve radijske komunikacije, ne pa za radiolokacijo.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Mikrovalovni napajalni moduli (MPM), sestavljeni vsaj iz elektronke za potujoče valove, mikrovalovnega "monolitnega integriranega vezja" in integrirane elektronske napajalne naprave, ki imajo vse od naslednjih značilnosti:
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
’Čas vključitve’ od izključenega stanja do stanja popolnega delovanja je manj kot deset sekund;
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Prostornina je manjša od največje možne napetosti v vatih, pomnožene z 10 cm3/W in
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax.
"Trenutna pasovna širina" je večja od ene oktave (fmax.
> 2fmin.) and having any of the following:
> 2fmin.) in ima katero koli izmed naslednjih značilnosti:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
RF izhodna moč večja od 100 W za frekvence 18 GHz ali manj ali
A frequency greater than 18 GHz;
frekvenca večja od 18 GHz;
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Za izračun prostornine iz točke 3A001(b)9(b) je podan naslednji primer: za največjo možno napetost 20 W je prostornina: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
’Čas vključitve’ v točki 3A001(b)9(a) se nanaša na čas od popolnoma izključenega stanja do popolnega delovanja, tj. vključuje čas ogrevanja MPM.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Oscilatorji in oscilacijski mehanizmi, izdelani za delovanje pod vsemi naslednjimi pogoji:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
šum posamezne faze stranskega pasu (SSB), izražen v dBc/Hz, je boljši od -(126 + 20 log10F – 20 log10f) pri 10 Hz < F < 10kHz in
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
šum posamezne faze stranskega pasu (SSB), izražen v dBc/Hz, je boljši od -(114 + 20 log10F – 20 log10f) pri 10 Hz < F < 500kHz
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
V točki 3A001(b)10 je F regulacijsko odstopanje od delovne frekvence v Hz in f delovna frekvenca v MHz.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
zvočnovalovne naprave in posebej zanje izdelane komponente:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Površinske zvočnovalovne naprave in zvočnovalnovne naprave za površinsko posnemanje (plitvo posnemanje), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
nosilno frekvenco več kot 6 GHz;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
nosilno frekvenco več kot 1 GHz, vendar največ 6 GHz, in katero koli izmed naslednjih značilnosti:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
’dušenje bočne frekvence’ večje kot 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
zmnožek največje časovne zakasnitve in pasovne širine (čas v µs, pomnožen s pasovno širino v MHz) več kot 100;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
pasovno širino, večjo od 250 MHz ali
A dispersive delay of more than 10 µs; or
disperzivno zakasnitev večjo kot 10 µs ali
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
nosilno frekvenco 1 GHz ali manj, ki ima katero koli izmed naslednjih značilnosti:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
’dušenje bočne frekvence’, večje kot 65 dB in s pasovno širino več kot 100 MHz;
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Tehnična opomba:’Dušenje bočne frekvence’ je najvišja vrednost dušenja, določena v varnostnem listu.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Prostorske zvočnovalovne naprave, ki omogočajo neposredno obdelavo signalov frekvenc več kakor 6 Ghz;
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Opomba:Predmet nadzora iz točke 3A001(c) niso zvočnovalovne naprave, ki so omejene na eno-pasovno, nizko prepustno, visoko prepustno filtriranje ali filtriranje frekvenc ali resonančno funkcijo.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
elektronske naprave ali vezja, ki vsebujejo komponente iz "superprevodnih" materialov, od katerih je najmanj en sestavni del posebej izdelan za delovanje pri temperaturah pod "kritično temperaturo", in ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
tokovno preklapljanje za digitalna vezja s "superprevodnimi" vrati, pri katerih je zmnožek zakasnitve na ena vrata (v sekundah) in izgube moči na vrata (v watih) manjši od 10–14 J ali
High energy devices as follows:
visokoenergijske naprave:
’Cells’ as follows:
’Členi’:
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
’Primarni členi’ z ’energijsko gostoto’ več kot 550 Wh/kg pri 20 oC;
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
’Sekundarni členi’ z ’energijsko gostoto’ več kot 250 Wh/kg;
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
V smislu točke 3A001(e)1 se ’energijska gostota’ (Wh/kg) izračuna iz nazivne napetosti, pomnožene z nazivno zmogljivostjo v amper urah (Ah), ta produkt pa se deli z maso v kilogramih.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
V smislu točke 3A001(e)1 je ’člen’ elektrokemična naprava, ki ima pozitivne in negativne elektrode, elektrolit in je vir električne energije.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
V smislu točke 3A001(e)1(a) je ’primarni člen’’člen’, ki se ne polni iz nobenega drugega vira.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
V smislu točke 3A001(e)1(b) je ’sekundarni člen’’člen’, ki se polni iz zunanjega električnega vira.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Opomba:Predmet nadzora točke 3A001(e)1 niso baterije, vključno z enočlenskimi baterijami.
High energy storage capacitors as follows:
visokoenergijski pomnilni kondenzatorji:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Opomba:GLEJ TUDI TOČKO 3A201(a)
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
kondenzatorji s ponavljalno frekvenco, manjšo od 10 Hz (kondenzatorji za enkratno izpraznitev), in imajo vse naslednje značilnosti:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
kondenzatorji s ponavljalno frekvenco, enako ali večjo od 10 Hz (kondenzatorji za večkratno izpraznitev), in imajo vse naslednje značilnosti:
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
"superprevodni" elektromagneti in solenoidi, ki so posebej izdelani tako, da omogočajo popolno polnjenje in izpraznjenje v manj kot eni sekundi in imajo vse naslednje značilnosti:
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Opomba:GLEJ TUDI TOČKO 3A201(b)
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Opomba:Predmet točke 3A001(e)3 niso "superprevodni" elektromagneti ali solenoidi, ki so posebej izdelani za medicinsko opremo za slikanje z uporabo magnetne resonance (Magnetic Resonance Imaging – MRI).
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
energija, oddana med praznjenjem, večja od 10 kJ v prvi sekundi,
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
notranji premer tokovnih navitij, večji od 250 mm in
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Sončne celice, stekleni pokrovi za povezovanje celic (CIC), sončni kolektorji in sončni nizi, ki so "primerni za vesolje", katerih najmanjša povprečna učinkovitost je večja od 20 % pri delovni temperaturi 301 K (28 oC) v okviru simulirane osvetlitve ’AM0’ z obsevanostjo 1367 wattov na kvadratni meter (W/m2);
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Rotacijski dajalniki absolutnega položaja, katerih natančnost je enaka ali nižja (boljša) kot ±1,0 ločne sekunde.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
tiristorske polprevodniške naprave za impulzni preklop napetosti in ’tiristorski moduli’, ki uporabljajo električne, optične ali elektronske preklopne metode z nadzorovanjem sevanja in imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
najvišja stopnja dviga dohodnega toka (di/dt) je višja od 30000 A/μs in napetost je večja od 1100 V ali
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
najvišja stopnja dviga dohodnega toka (di/dt) je višja od 2000 A/μs in ima vse naslednje značilnosti:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
maksimalna napetost v ugasnjenem stanju je enaka ali večja od 3000 V in
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
maksimalni tok je enak ali večji od 3000 A.
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
silicijevi usmerniki (SCR);
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
tiristorji z električnim sprožilcem (ETT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
lahki tiristorji s sprožilcem (LTT)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
integrirani tiristorji z menjajočo smerjo toka (IGCT)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
tiristorji z izklopnim mehanizmom (GTO)
Solidtrons
solidtroni
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Opomba 2:Predmet nadzora točke 3A001(g) niso tiristorske naprave in ’tiristorski moduli’, vgrajeni v opremo za uporabo v civilnem železniškem prometu in "civilnih zrakoplovih".
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
V smislu točke 3A001(g) ’tiristorski modul’ vsebuje eno ali več tiristorskih naprav.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Močnostni polprevodniški stikalni elementi, diode ali ’moduli’, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
kot najvišja temperatura spoja je zanje naznačena temperatura nad 488 K (215 oC);
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
Maksimalna periodična napetost v izključenem stanju (zaporna napetost) je nad 300 V in
Continuous current greater than 1 A.
Stalni tok je nad 1 A.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Opomba 1:Maksimalna periodična blokirna napetost v izključenem stanju iz točke 3A001(h) vključuje napetost med ponorom in izvorom, napetost med kolektorjem in emitorjem, maksimalno periodično reverzno napetost in maksimalno periodično blokirno napetost v izključenem stanju.
Note 2:3A001.h. includes:
Opomba 2:Točka 3A001(h) zajema:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
spojne tranzistorje na poljski pojav (JFET)
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
vertikalne spojne tranzistorje na poljski pojav (JFET)
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
kovinsko oksidne tranzistorje na poljski pojav (MOSFET)
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
difuzne kovinsko oksidne tranzistorje na poljski pojav (DMOSFET)
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
bipolarne tranzistorje z izoliranimi vrati (IGBT)
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronom (HEMT)
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
bipolarne spojne tranzistorje (BJT)
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
tiristorje in silicijeve usmernike (SCR);
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
tiristorje z izklopnim mehanizmom (GTO)
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
emitorje z izklopnim mehanizmom (ETO)
PiN Diodes
diode PIN
Schottky Diodes
Schottky diode
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Opomba 3:Predmet nadzora iz točke 3A001(h) niso kontrolna stikala, diode ali ’moduli’, vgrajeni v opremo za uporabo v civilnem avtomobilskem, železniškem prometu ali zračnem prometu.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Za namene točke 3A001(h) ’moduli’ vsebujejo en ali več močnostnih polprevodniških stikalnih elementov ali diod.
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
oprema za snemanje in posebej zanjo izdelani preskušalni trakovi:
Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
analogni snemalniki z magnetnim trakom, vključno s snemalniki, ki omogočajo snemanje digitalnih signalov (npr. modul za digitalno snemanje z veliko gostoto zapisa – modul HDDR ’high density digital recording’), ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
pasovna širina večja kot 4 MHz na elektronski kanal ali sled;
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
(bazna) napaka časovnega zamika, merjena po ustreznih postopkih Skupine IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ali Združenja EIA (Electronic Industry Association), ki je manjša od ±0,1 µs;
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Opomba:Analogni snemalniki z magnetnim trakom, ki so izdelani posebej za civilne namene video snemanja, ne štejejo za merilne snemalnike.