natgillin/translations-raw huggingface dataset:
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Utrjen volframov karbid’ ne vključuje strojnega orodja za odrezavanje in obdelovanje na osnovi volframovega karbida/(kobalta, niklja), titanovega karbida/(kobalta, niklja), kromovega karbida/nikelj-kroma in kromovega karbida/niklja.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
’Silicijev karbid’ ne vključuje materialov za orodje za rezanje in oblikovanje.
chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Kemijski postopek nanašanja (Chemical Vapour Deposition, CVD) je postopek nanašanja dodatnih nanosov ali modifikacije osnovnega materiala, kjer so osnova nanosov kovine, zlitine, "kompozita", dielektričnega ali keramičnega materiala na razgreto podlago.
1:CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Napotilo 1:CVD vključuje naslednje postopke: nanašanje prek direktnega plinskega curka, nanašanje (elementarno nadzirane) s pomočjo termične energije, s plazmo vzbujeni ali s plazmo gnani postopki nanašanja.
2:Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Napotilo 2:Zasipanje pomeni potopitev podlage v mešanico prahov.
3:The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Napotilo 3:Reaktanti v plinskem stanju, ki se uporabljajo v postopku brez zasipanja, nastajajo ob uporabi istih osnovnih reakcij in parametrov kakor postopek cementacije z zasipanjem, le da podlaga, ki se prekriva, ni v stiku z mešanico prahov.
thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Fizično plinsko nanašanje prek termičnega izgorevanja (Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition, TE-PVD) je postopek nanašanja prevleke na površino, ki poteka v vakuumu pod tlakom manj kot 0,1 Pa in pri katerem vir toplotne energije služi za izhlapevanje nanosnega materiala.
electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Fizično plinsko nanašanje s pomočjo elektronskega žarka, ki za segrevanje in izhlapevanje materiala, oblikujočega nanos, izkorišča elektronski žarek;
ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
fizično plinsko nanašanje z uporabo elektrouporniškega gretja, ki izkorišča vire elektrouporniškega gretja z zmožnostjo proizvajanja nadzorovanega in enakomernega toka nanosnega materiala;
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
"lasersko" oslojevanje izkorišča bodisi impulzne "laserske" žarke bodisi neprekinjene "laserske" žarke za uparjevanje materiala, ki oblikuje nanos;
cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
nanašanje s katodnim lokom izkorišča sprejemno katodo materiala, ki oblikuje nanos, in ob trenutnem stiku z ozemljeno vžigalno elektrodo pride na površini katode do praznjenja loka.
N.B.:This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Napotilo:Ta opredelitev ne zajema nanašanja z naključnim katodnim lokom z nepolariziranimi podlagami.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Ionsko nanašanje je posebna oblika splošnega postopka TE-PVD, v kateri se za ioniziranje nanosnega materiala izkorišča vir plazme ali vir ionov, in negativni polarizirani material se uporablja za podlage zaradi lažje ekstrakcije nanosnih materialov iz plazme.
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Utrjevanje je površinska modifikacija ali površinska plast, kjer je substrat potopljen v mešanico prahov, ki sestoji iz:
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
nanosnih kovinskih prahov (navadno aluminij, krom, silicij ali njihova kombinacija);
an activator (normally a halide salt); and
aktivatorja (navadno soli halidov); in
an inert powder, most frequently alumina.
inertnega prahu, najpogosteje aluminijev boksit.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substrat in mešanica prahov sta v retorti, ogreti na temperaturo med 1030 K (757 °C) in 1375 K (1102 °C), za čas, ki zadošča za nanos prevleke.
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Pršenje s plazmo je postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem razpršilka oblikuje in krmili plazmo, praškaste ali nitkaste nanosne materiale, jih tali in vrtinči proti podlagi, na kateri se oblikuje integralno povezan nanos.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Napotilo 1:Nizkotlačna plazma pomeni plazmo tlaka, nižjega od atmosferskega.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Napotilo 2:Plazma velike hitrosti se nanaša na hitrosti plina iz dulca prek 750 m/s, računano pri 293 K (20 °C) in pri 0,1 MPa.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Redko nanašanje je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine ali postopek nanašanja prevleke na površino, pri katerem se kovinski ali keramični prah z organskim vezivom suspendira v tekočino in se nato nanese na podlago bodisi z razprševanjem, kopeljo ali barvanjem, čemur sledi sušenje v pečici in toplotna obdelava, potrebna za to, da se želeni nanos obdrži.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Nanašanje z brizganjem je nanašanje prevleke na površino, ki temelji na principu visokega podtlaka in prehoda delcev, kjer so pozitivni ioni pospešeni z elektronskim poljem v smeri sustrata.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Napotilo 1:Tabela se nanaša samo na triodno, magnetronsko ali reakcijsko nanašanje z brizganjem, ki se uporablja za zvišanje sprejemljivosti nanosa in nivoja, in na povečano nanašanje z brizganjem z uporabo radijskih frekvenc (RF), ki se uporablja za omogočanje uparjevanja nekovinskih nanosnih materialov.
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Napotilo 2:Za sprožitev nanašanja se lahko uporabljajo nizkoenergijski ionski žarki (manj kot 5 keV).
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ionska implantacija je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine, pri katerem se element, predviden za zlitino, ionizira, pospešuje skozi potencialni padec in vsadi v površino podlage.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Opomba 1:Nadzorni status opreme, naprav in komponent, opisanih v točkah 3A001 ali 3A002 (razen tistih iz točk od 3A001.a.3 do 3A001.a.10 ali iz točke 3A001.a.12), ki so posebej izdelane za drugo opremo in imajo iste funkcionalne značilnosti kakor druga oprema, je določen z nadzornim statusom druge opreme.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Opomba 2:Nadzorni status integriranih vezij iz točk od 3A001.a.3 do 3A001.a.9 ali iz točke 3A001.a.12, ki so nespremenljivo programirana ali izdelana za specifično funkcijo za drugo opremo, je določen z nadzornim statusom druge opreme.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
NAPOTILO:Če proizvajalec ali uporabnik ne more določiti nadzornega statusa druge opreme, je nadzorni status integriranih vezij določen v točkah od 3A001.a.3 do 3A001.a.9 in v točki 3A001.a.12.
general purpose integrated circuits, as follows:
integrirana vezja za splošno rabo:
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Opomba 1:Nadzorni status rezin (obdelanih ali neobdelanih) z določeno funkcijo se določa v skladu s parametri iz točke 3A001.a.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
Opomba 2:Integrirana vezja vključujejo naslednje tipe:
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
skupno dozo 5 × 103 Gy (silicij) ali več;
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
določeno stalno dozo 5 × 106 Gy (silicij)/s ali več; ali
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
fluenco (integrirani tok) nevtronov (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 ali več za siliciju ali njegove ekvivalentne vrednosti za druge materiale;
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Opomba:3A001.a.1.c. se ne uporablja za strukture kovina-izolator-polprevodnik (MIS – Metal Insulator Semiconductor)
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"mikroprocesorska mikrovezja", "mikroračunalniška mikrovezja", mikrokrmilniška mikrovezja, pomnilniška integrirana vezja, izdelana iz sestavljenih polprevodnikov, analogno-digitalni pretvorniki, digitalno-analogni pretvorniki, elektro-optična ali "optična integrirana vezja", izdelana za "obdelavo signalov", logična vezja s programirljivim poljem, nevronskomrežna integrirana vezja, naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali je neznan nadzorni status opreme, v kateri bodo ta vezja uporabljena, procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT), električni izbrisljivi in programirljivi bralni pomnilniki (EPROM), bliskovni spomini ali statični vpisovalno/bralni pomnilniki (SRAM), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
so naznačeni za delovanje pri temperaturi okolja nad 398 K (125 °C);
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
so naznačeni za delovanje pri temperaturi okolja pod 218 K (–55 °C); ali
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
so naznačeni za delovanje na celotnem temperaturnem območju okolja od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C).
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Opomba:Točka 3A001.a.2. se ne uporablja za integrirana vezja za civilne avtomobile ali železniške aplikacije.
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Opomba:Točka 3A001.a.3 vključuje procesorje digitalnih signalov, procesorje digitalnih nizov in digitalne koprocesorje.
analogue-to-digital converters having any of the following:
analogno-digitalni pretvorniki, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
N.B.:SEE ALSO 3A101
NAPOTILO:GLEJ TUDI TOČKO 3A101.
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
razločljivost 8 bitov ali več, vendar manj kot 10 bitov, z izhodno hitrostjo več kot 500 milijonov besed na sekundo;
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
razločljivost 10 bitov ali več, vendar manj kot 12 bitov, z izhodno hitrostjo več kot 200 milijonov besed na sekundo;
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
razločljivost 12 bitov z izhodno hitrostjo več kot 105 milijonov besed na sekundo;
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
več kot 12-bitna razločljivost, vendar enaka ali pod 14 bitov z izhodno hitrostjo več kot 10 milijonov besed na sekundo; ali
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
več kot 14-bitna razločljivost z izhodno hitrostjo več kot 2,5 milijona besed na sekundo;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
digitalno-analogni pretvorniki z razločljivostjo 12 bitov ali več in s "časom umirjanja" manj kot 10 ns;
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Velikokrat je ta določena v megahertzih (MHz) ali mega vzorcih na sekundo (MSPS).
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
elektrooptična in "optična integrirana vezja", zasnovana za "obdelavo signalov", ki imajo vse naslednje značilnosti:
one or more than one internal "laser" diode;
eno ali več notranjih "laserskih" diod;
one or more than one internal light detecting element; and
enega ali več notranjih elementov za zaznavanje svetlobe; in
optical waveguides;
optični valovod;
field programmable logic devices having any of the following:
logična vezja s programirljivim poljem, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
ekvivalentno uporabno število vrat več kot 30000 (2– vhodnih vrat);
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
tipična "propagacijska zakasnitev osnovnih vrat" manj kot 0,1 ns; ali
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
delovno frekvenco več kot 133 MHz;
Note:3A001.a.7. includes:
Opomba:Točka 3A001.a.7 zajema:
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
enostavni programirljivi logični element (SPLD – Simple Programmable Logic Devices),
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
kompleksni programirljivi logični element (CPLD – Complex Programmable Logic Devices),
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
programirljiva mreža vrat (FPGA – Field Programmable Gate Arrays),
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
(FPIC – Field Programmable Interconnects). NAPOTILO:Programljiva logična vezja so znana tudi kot programirljive mreže vrat ali programirljive logične mreže.
neural network integrated circuits;
nevronskomrežna integrirana vezja;
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali pa je proizvajalcu neznan nadzorni status opreme, v kateri se bodo uporabila ta integrirana vezja, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
more than 1000 terminals;
več kot 1000 priključkov;
an operating frequency exceeding 3 GHz;
delovno frekvenco več kot 3 GHz;
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
digitalna integrirana vezja, razen opisanih v točkah od 3A001.a.3 do 3A001.a.10 in v točki 3A001.a.12, na podlagi katerega koli sestavljenega polprevodnika in ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
an equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentno število vrat nad 3000 (2-vhodnih vrat); ali
a toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
delovno frekvenco več kot 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT – Fast Fourier Transform) in naznačenim izvajalnim časom kompleksne FFT z N točkami manjši od (N log2N)/20480 ms, pri čemer je N število točk;
microwave or millimetre wave components, as follows:
mikrovalovne naprave ali naprave z milimetrskimi valovi:
electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
vakuumske elektronke in katode:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Opomba 1:Točka 3A001.b.1 se ne nanaša na elektronke, izdelane ali naznačene za delovanje v katerem koli frekvenčnem pasu, ki ima vse naslednje lastnosti:
does not exceed 31,8 GHz; and
ne presega 31,8 GHz; in
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
je "dodeljeno po ITU" za radiokomunikacijske storitve, ne pa za radiolokacijo.
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Opomba 2:3A001.b.1. se ne nanaša na elektronke, ki niso "primerni za vesolje" in imajo vse naslednje lastnosti:
an average output power equal to or less than 50 W; and
povprečna izhodna moč je enaka ali manjša od 50 W; in
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
so izdelane ali naznačene za kateri koli frekvenčni pas, ki ima vse naslednje lastnosti:
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
presega 31,8 GHz, vendar ne presega 43,5 GHz; in
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
elektronke na potujoče valove, impulzne ali zvezne valove:
operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
ki delujejo na frekvencah, višjih od 31,8 GHz;
having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
ki imajo katodni grelni element z vklopnim časom do naznačene moči RF manj kot 3 sekunde;
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektronke s sklopljeno votlino ali njihove izvedenke z "delno pasovno širino" večjo od 7 %, ali s temensko močjo, večjo od 2,5 kW;
helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
polžaste ("helix") elektronke ali njihove izvedenke, ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
njihova "trenutna pasovna širina" je več kot oktava, povprečna moč (izražena v kW), pomnožena s frekvenco (izraženo v GHz), pa več kot 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
njihova "trenutna pasovna širina" je ena oktava ali manj, povprečna moč (izražena v kW), pomnožena s frekvenco (izraženo v Ghz), pa več kakor 1; ali
being "space qualified";
so "primerni za vesolje";
crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
ojačevalne elektronke z navzkrižnim poljem in z ojačanjem, večjim od 17 dB;
impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
impregnirane katode, izdelane za elektronke, ki neprekinjeno oddajajo gostoto toka več kot 5 A/cm2 v naznačenih pogojih delovanja;
microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
močnostni ojačevalniki z mikrovalovnimi monolitnimi integriranimi vezji (MMIC – Microwave Monolithic Integrated Circuits), ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 3,2 GHz do vključno 6 GHz in s povprečno izhodno močjo, večjo od 4W (36 dBm), z "delno pasovno širino", večjo kot 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 6 GHz do vključno 16 GHz in s povprečno izhodno močjo večjo, od 1W (30 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 16 GHz do vključno 31,8 GHz in s povprečno izhodno močjo, večjo od 0,8 W (29 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
naznačeni za delovanje pri frekvencah, večjih kot 31,8 GHz do vključno 37,5 GHz;
rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 37,5 GHz do vključno 43,5 GHz in s povprečno izhodno močjo, večjo od 0,25 W (24 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %; ali
rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih od 43,5 GHz.
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Opomba 1:Predmet nadzora točke 3A001.b.2 ni oprema za radiodifuzijske satelite, izdelane ali naznačene za delovanje v frekvenčnem območju od 40,5 GHz do 42,5 GHz.