natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Distillation or absorption columns of internal diameter greater than 0,1 m; and liquid distributers, vapour distributers or liquid collectors designed for such distillation or absorbtion columns, where all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
destilacijski ali absorpcijski stolpi z notranjim premerom več kot 0,1 m; ter tekočinski ločevalniki, parni ločevalniki ali tekočinski zbiralniki, načrtovani za take destilacijske ali absorpcijske stolpe pri katerih so vse površine, prihajajoče v neposredni stik z reagentom, iz katerega koli od naslednjih materialov:
Alloys with more than 25 % nickel and 20 % chromium by weight; or
zlitin z več kot 25 ut. % niklja in 20 ut. % kroma; ali
Valves with nominal sizes greater than 10 mm and casings (valve bodies) or preformed casing liners designed for such valves, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed or contained are made from any of the following materials:
Ventili nominalnih velikosti nad 10 mm in ohišja (telesa ventilov) ali predoblikovane zamenljive puše, izdelane za take ventile, pri katerih so vse površine, prihajajoče v neposredni stik z reagentom, iz katerega koli od naslednjih materialov:
i. Multiple-seal, and seal-less pumps, with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 0,6 m3/hour, or vacuum pumps with manufacturer's specified maximum flow-rate greater than 5 m3/hour (under standard temperature (273 K (0 °C)) and pressure (101,3 kPa) conditions); and casings (pump bodies), preformed casing liners, impellers, rotors or jet pump nozzles designed for such pumps, in which all surfaces that come in direct contact with the chemical(s) being processed are made from any of the following materials:
i. večkratno tesnjene in netesnjene črpalke, katerih maksimalni pretok je po proizvajalčevi specifikaciji večji od 0,6 m3/uro, ali vakuumske črpalke z maksimalnim pretokom po proizvajalčevi specifikaciji, večjim od 5 m3/uro (pri standardni temperaturi (273 K (0 °C)) in standardnem tlaku (101,3 kPa)); in puše (ohišja črpalk), predoblikovalne zamenljive puše, mešalna kolesa, rotorji ali šobe brizgalnih črpalk, načrtovani za take črpalke, pri katerih so vse površine, ki prihajajo v neposredni stik z reagentom, iz katerega koli od naslednjih materialov:
Flow rate exceeding 100 litres per hour;
pretočnost več kot 100 litrov na uro;
One or more sealing joints within the steam containment area; and
eno ali več tesnilnih mest v predelu s paro; in
Centrifugal separators include decanters.
Centrifugalni separatorji vključujejo usedlinske posode.
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
Komponente za prečno (tangentno) filtracijo (npr. moduli, elementi, kasete, vložki, enote ali plošče) s filtrirno površino enako ali večjo od 0,2 m2 za vsako komponento in izdelane za prečno (tangentno) filtracijo iz točke 2B352.d.;
Steam sterilisable freeze drying equipment with a condenser capacity exceeding 10 kg of ice in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
oprema za sterilizacijo na osnovi zmrzovanja suhe pare, s kapaciteto kondenzatorja več kot 10 kg ledu v 24 urah in manj kot 1000 kg ledu v 24 urah;
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
"tehnologija" za "razvoj" interaktivnih grafičnih enot kot integriranega dela v "numeričnih krmilnih" enotah za pripravo ali predelavo delov programov;
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
"tehnologija" za "razvoj" ali "proizvodnjo" hidravličnih preoblikovanih strojev in orodij zanje, ki se uporabljajo pri proizvodnji letalskih konstrukcij;
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
"tehnologija" za "razvoj" postprocesorjev za izdelavo programov za krmiljenje obdelovalnih strojev (npr. programi za izdelavo) iz konstrukcijskih podatkov znotraj "numeričnih krmilnih" enot;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
"tehnologija" za "razvoj""programske opreme" za vgradnjo v sisteme za izboljšan nadzor delavniških sistemov prek "numeričnih krmilnih enot";
Deposition techniques
Tehnike nanašanja
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporisation
Fizično plinski postopki nanašanja (PVD); lasersko oslojevanje
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Fizično plinski postopki nanašanja (PVD): praznjenje naboja preko katodnega loka
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Izraz 'njihove mešanice' vključuje nefiltrirane materiale, stopenjske zlitine, dodatne nanose in večstopenjske nanose in dobijo se z enim ali več postopki nanašanja prevleke, naštetih v tabeli.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 weight percent in various proportions and combinations, except:
'MCrAlX' se nanaša na nanose zlitin, pri kateri označuje črka M kobalt, železo, nikelj ali njihovo kombinacijo, črka X pa hafnij, itrij, silicij, tantal v kakršni koli količini ali druge namerne dodatke v količini več kot 0,01 ut. %, v različnih razmerjih in kombinacijah, razen:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 weight percent of chromium, less than 7 weight percent of aluminium and less than 2 weight percent of yttrium;
CoCrAlY – nanosi, ki vsebujejo manj kot 22 ut. % kroma, manj kot 7 ut. % aluminija in manj kot 2 ut. % itrija;
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Izraz 'aluminijeve zlitine' se nanaša na zlitine z mejno natezno trdnostjo 190 MPa ali več, merjeno pri 293 K (20 °C).
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
'Senzorski materiali': aluminijev oksid, silikon, germanij, cinkov sulfid, cinkov selenid, galijev arzenid, diamant, galijev fosfid, safir in naslednji kovinski halidi: senzorski materiali premera več kot 40 mm za cirkonijev fluorid in hafnijev fluorid.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
'Polimeri': poliamidi, poliesteri, polisulfidi, polikarbonati in poliuretani.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Izraz 'titanove zlitine' se nanaša na zrakoplovne zlitine z mejno napetostno trdnostjo 900 MPa ali več, merjeno pri 293 K (20 °C).
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Dielektrični nanosi se nanašajo na tiste z več kot štirimi dielektričnimi plastmi ali dielektričnimi/kovinskimi "kompozitnimi" plastmi.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
'Utrjen volframov karbid' ne vključuje strojnega orodja za odrezavanje in obdelovanje na osnovi volframovega karbida/(kobalta, niklja), titanovega karbida/(kobalta, niklja), kromovega karbida/nikelj-kroma in kromovega karbida/niklja.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Fizično plinsko nanašanje prek termičnega izgorevanja (Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition, TE-PVD) je postopek nanašanja prevleke na površino, ki poteka v vakuumu pod tlakom manj kot 0,1 Pa in pri katerem vir toplotne energije služi za izhlapevanje nanosnega materiala.
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
NAPOTILO 2: Za sprožitev nanašanja se lahko uporabljajo nizkoenergijski ionski žarki (manj kot 5 keV).
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Ionska implantacija je postopek nanašanja prevleke zaradi spreminjanja površine, pri katerem se element, predviden za zlitino, ionizira, pospešuje skozi potencialni padec in vsadi v površino podlage.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Če je integrirano vezje "mikroračunalniško mikrovezje" na podlagi silicija ali mikrokrmilniško mikrovezje, opisano v točki 3A001.a.3, in če je dolžina operandove besede (podatkov) 8 bitov ali manj, je nadzorni status integriranega vezja določen v točki 3A001.a.3.
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Opomba 1: Nadzorni status rezin (obdelanih ali neobdelanih) z določeno funkcijo se določa v skladu s parametri iz točke 3A001.a.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"plastna integrirana vezja na filmu", vključno z integriranimi vezji tipa "silicij na safirju";
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
fluenco (integrirani tok) nevtronov (ekvivalent 1 MeV) 5 × 1013 n/cm2 ali več za siliciju ali njegove ekvivalentne vrednosti za druge materiale;
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Opomba: 3A001.a.1.c. se ne uporablja za strukture kovina-izolator-polprevodnik (MIS – Metal Insulator Semiconductor)
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"mikroprocesorska mikrovezja", "mikroračunalniška mikrovezja", mikrokrmilniška mikrovezja, pomnilniška integrirana vezja, izdelana iz sestavljenih polprevodnikov, analogno-digitalni pretvorniki, digitalno-analogni pretvorniki, elektro-optična ali "optična integrirana vezja", izdelana za "obdelavo signalov", logična vezja s programirljivim poljem, nevronskomrežna integrirana vezja, naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali je neznan nadzorni status opreme, v kateri bodo ta vezja uporabljena, procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT), električni izbrisljivi in programirljivi bralni pomnilniki (EPROM), bliskovni spomini ali statični vpisovalno/bralni pomnilniki (SRAM), ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
so naznačeni za delovanje pri temperaturi okolja nad 398 K (125 °C);
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
so naznačeni za delovanje pri temperaturi okolja pod 218 K (–55 °C); ali
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
so naznačeni za delovanje na celotnem temperaturnem območju okolja od 218 K (–55 °C) do 398 K (125 °C).
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Opomba: Točka 3A001.a.2. se ne uporablja za integrirana vezja za civilne avtomobile ali železniške aplikacije.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
"mikroprocesorska mikrovezja", "mikroračunalniška mikrovezja" in mikrokrmilniška mikrovezja, izdelana iz sestavljenega polprevodnika in delujejo na urni frekvenci, večji od 40 MHz;
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
pomnilniška integrirana vezja, izdelana iz sestavljenega polprevodnika;
Analogue-to-digital converters having any of the following:
analogno-digitalni pretvorniki, ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
razločljivost 8 bitov ali več, vendar manj kot 10 bitov, z izhodno hitrostjo več kot 500 milijonov besed na sekundo;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
razločljivost 10 bitov ali več, vendar manj kot 12 bitov, z izhodno hitrostjo več kot 200 milijonov besed na sekundo;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 50 million words per second;
razločljivost 12 bitov z izhodno hitrostjo več kot 50 milijonov besed na sekundo;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 5 million words per second; or;
več kot 12-bitna razločljivost, vendar enaka ali pod 14 bitov z izhodno hitrostjo več kot 5 milijonov besed na sekundo; ali
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 1 million words per second;
več kot 14-bitna razločljivost z izhodno hitrostjo več kot 1 milijon besed na sekundo;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
digitalno-analogni pretvorniki z razločljivostjo 12 bitov ali več in s "časom umirjanja" manj kot 10 ns;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
razločljivost n bitov ustreza kvantizaciji 2n stopenj.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Izhodna hitrost pomeni najvišjo izhodno hitrost pretvornika ne glede na obliko ali nadvzorčenje.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Trgovci lahko kot izhodno hitrost uporabijo tudi frekvenco vzorčenja, hitrost pretvorbe ali hitrost propustnosti.
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Za merjenje izhodne hitrosti se razume, da je ena izhodna beseda na sekundo enaka enemu hertzu ali enemu vzorcu na sekundo.
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
elektrooptična in "optična integrirana vezja", zasnovana za "obdelavo signalov", ki imajo vse naslednje značilnosti:
Optical waveguides;
optične valovode;
Field programmable logic devices having any of the following:
logična vezja s programirljivim poljem, ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
ekvivalentno uporabno število vrat 30000 ali več (2– vhodnih vrat);
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
tipična "propagacijska zakasnitev osnovnih vrat" manj kot 0,1 ns; ali
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
delovno frekvenco več kot 133 MHz;
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
enostavni programirljivi logični element (SPLD - Simple Programmable Logic Devices),
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
kompleksni programirljivi logični element (CPLD - Complex Programmable Logic Devices ),
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
programirljiva mreža vrat (FPGA - Field Programmable Gate Arrays),
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
(FPIC - Field Programmable Interconnects). NAPOTILO: Programljiva logična vezja so znana tudi kot programirljive mreže vrat ali programirljive logične mreže.
Neural network integrated circuits;
nevronskomrežna integrirana vezja;
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
naročniška integrirana vezja, katerih funkcija je neznana ali pa je proizvajalcu neznan nadzorni status opreme, v kateri se bodo uporabila ta integrirana vezja, ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
More than 1000 terminals;
več kot 1000 priključkov;
An operating frequency exceeding 3 GHz;
delovno frekvenco več kot 3 GHz;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
digitalna integrirana vezja, razen opisanih v točkah od 3A001.a.3 do 3A001.a.10 in v točki 3A001.a.12, na podlagi kateregakoli sestavljenega polprevodnika in ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentno število vrat nad 3000 (2-vhodnih vrat); ali
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
delovno frekvenco več kot 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
procesorji s hitro Fourierevo transformacijo (FFT - Fast Fourier Transform ) in naznačenim izvajalnim časom kompleksne FFT z N točkami manjši od (N log2 N)/20480 ms, pri čemer je N število točk;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Če je N enako 1024 točk, dobimo s formulo v točki 3A001.a.12 izvajalni čas 500 μs.
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
vakuumske elektronke in katode:
Note 1: 3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
Opomba 1: Točka 3A001.b.1 se ne nanaša na elektronke, izdelane ali naznačene za delovanje v kateremkoli frekvenčnem pasu, ki ima vse naslednje lastnosti:
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
je "dodeljeno po ITU" za radiokomunikacijske storitve, ne pa za radiolokacijo.
Note 2: 3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes which meet all of the following characteristics:
Opomba 2: 3A001.b.1. se ne nanaša na elektronke, ki niso "primerni za vesolje" in imajo vse naslednje lastnosti:
An average output power equal to or less than 50 W; and
povprečna izhodna moč je enaka ali manjša od 50 W; in
Designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
so izdelane ali naznačene za katerikoli frekvenčni pas, ki ima vse naslednje lastnosti:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
presega 31,8 GHz, vendar ne presega 43,5 GHz; in
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
elektronke na potujoče valove, impulzne ali zvezne valove:
Operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
ki delujejo na frekvencah, višjih od 31,8 GHz;
Having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
ki imajo katodni grelni element z vklopnim časom do naznačene moči RF manj kot 3 sekunde;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektronke s sklopljeno votlino ali njihove izvedenke z "delno pasovno širino" večjo od 7 %, ali s temensko močjo, večjo od 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, with any of the following characteristics:
polžaste ("helix") elektronke ali njihove izvedenke, ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
njihova "trenutna pasovna širina" je več kot oktava, povprečna moč (izražena v kW), pomnožena s frekvenco (izraženo v GHz), pa več kot 0,5;
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
njihova "trenutna pasovna širina" je ena oktava ali manj, povprečna moč (izražena v kW), pomnožena s frekvenco (izraženo v Ghz), pa več kakor 1; ali
Being "space qualified";
so "primerni za vesolje";
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
impregnirane katode, izdelane za elektronke, ki neprekinjeno oddajajo gostoto toka več kot 5 A/cm2 v naznačenih pogojih delovanja;
Microwave monolithic integrated circuits (MMIC) power amplifiers having any of the following:
močnostni ojačevalniki z mikrovalovnimi monolitnimi integriranimi vezji (MMIC - Microwave Monolithic Integrated Circuits ), ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 3,2 GHz do vključno 6 GHz in s povprečno izhodno močjo, večjo od 4W (36 dBm), z "delno pasovno širino", večjo kot 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 6 GHz do vključno 16 GHz in s povprečno izhodno močjo večjo, od 1W (30 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 16 GHz do vključno 31,8 GHz in s povprečno izhodno močjo, večjo od 0,8 W (29 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
naznačeni za delovanje pri frekvencah, večjih kot 31,8 GHz do vključno 37,5 GHz;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
naznačeni za obratovanje pri frekvencah, večjih kot 37,5 GHz do vključno 43,5 GHz in s povprečno izhodno močjo, večjo od 0,25 W (24 dBm), z "delno pasovno širino" večjo kot 10 %; ali
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz.
naznačeni za delovanje pri frekvencah, večjih od 43,5 GHz.
Note 1: 3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Opomba 1: Točka 3A001.b.2 ne ureja opreme za radiodifuzijske satelite, izdelane ali naznačene za delovanje v frekvenčnem območju od 40,5 GHz do 42,5 GHz.