natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
sposobnost sproščanja lastne energije v manj kot 15 μs;
Having an output greater than 100 A;
izhodna jakost, ki je večja od 100 A;
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
"čas vzpona" manjši od 10 μs pri bremenih pod 40 ohmov;
Weight less than 25 kg; and
tehtajo manj kot 25 kg; in
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
namenjeni za uporabo v razširjenem temperaturnem območjuod 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) ali primerni za uporabo v letalstvu.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V točki 3A229.b.5 je "čas vzpona" opredeljen kot časovni interval od 10 % do 90 % amplitude toka na uporovnem bremenu.
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Hitri impulzni generatorji, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
izhodno napetost nad 6 V na uporovnem bremenu, manjšim od 55 omov; in
'Pulse transition time' less than 500 ps.
"prehodni čas impulza", krajši od 500 ps.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
masni spektrometri s tlilno razelektritvijo (GDMS);
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
masni spektrometri za obstreljevanje z elektroni, ki imajo komoro z viri, izdelano iz materialov, odpornih proti UF6, ali pa je komora s takšnimi materiali prevlečena ali prekrita;
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
oprema, izdelana za ionsko implantacijo, ki ima katerokoli od naslednjih značilnosti:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
energijo žarka (pospeševalna napetost) več kot 1 MeV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
posebej izdelana in optimizirana za delovanje pri energiji žarka (pospeševalni napetosti) manj kot 2 keV;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energijo žarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergijsko implantacijo s kisikom v ogreto "podlago" iz polprevodniškega materiala;
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
je izdelana za generiranje manj kot 0,04 delcev/cm2 z izmerljivo velikostjo delcev, večjih od 0,12 μm v premeru;
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
oprema, delujoča na način od kasete do kasete in z uravnavanjem obremenitve, in je izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji polprevodniških elementov s kritično dimenzijo 180 nm ali manj;
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
valovna dolžina svetlobnega vira manjša kot 245 nm; ali
MRF = an exposure light source wavelength in nm
MRF = valovna dolžina svetlobnega vira v nm
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
oprema, izdelana posebej za obdelavo naprav za izdelavo mask ali naprav za obdelavo polprevodniških naprav, ki uporabljajo elektronski žarek z odklonjenim fokusom, ionski ali "laserski" žarek in ki imajo katerokoli od naslednjih značilnosti:
A spot size smaller than 0,2 μm;
točko, manjšo od 0.2 μm;
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
površinsko natančnost boljšo od ± 0.20 μm (3 sigme);
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
III/V spojine so polikristalni ali binarni ali kompleksni monokristalni izdelki, ki vsebujejo elemente iz skupin IIIA in VA Mendelejevega periodnega sistema kemičnih elementov (galijev arzenid, galij-aluminijev arzenid, indijev fosfid itd.).
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Uporovni materiali in "podlage", prevlečene s krmiljenimi uporovnimi pastami:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
pozitivne uporovne paste za polprevodniško litografijo, posebej prirejene (optimizirane) za uporabo pri valovnih dolžinah pod 350 nm;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
vse uporovne paste za uporabo z elektronskimi ali ionskimi žarki, z občutljivostjo 0,01 (mikrokulomba) μcoulomb/mm2 ali boljšo;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
vse uporovne paste za uporabo z rentgenskimi žarki, z občutljivostjo 2,5 mJ/mm2 ali boljšo;
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
vse uporovne paste, optimizirane za tehniko površinske preslikave, skupaj s "siliciranimi" uporovnimi pastami.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Tehnike 'siliciranja' so opredeljene kot postopki, ki vključujejo oksidacijo uporovne površine zaradi izboljšanja lastnosti pri mokrem in suhem razvijanju.
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organsko-kovinske spojine aluminija, galija ali indija, katerih čistota (kovinske osnove) je več kot 99,999 %;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
organsko-arzenove, organsko-antimonove in organsko-fosforjeve spojine, katerih čistota (anorganske osnove) je več kot 99,999 %.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Hidridi fosforja, arzena ali antimona, katerih čistota je več kot 99,999 %, tudi če so razredčeni v inertnih plinih ali vodiku.
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
"Programska oprema", ki je posebej napisana za "uporabo" česarkoli od naslednjega:
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Na fiziki temelječa simulacijska "programska oprema", posebej zasnovana za "razvoj" postopkov litografije, jedkanja ali nanašanja pri prevajanju maskirnih vzorcev v specifične topografske vzorce v vodniških, dielektričnih ali polprevodniških materialih.
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Izraz "na fiziki temelječa" v točki 3D003 pomeni uporabo izračunov za ugotavljanje zaporedja fizičnih vzrokov in posledic na osnovi fizičnih lastnosti (npr. temperature, tlaka, difuzijskih konstant in lastnosti polprevodniških materialov).
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Opomba: Knjižnice, atributi oblik ali sorodni podatki za snovanje polprevodniških elementov se pojmujejo kot "tehnologija".
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Opomba 2: Točka 3E001 ne ureja "tehnologije" za "razvoj" ali "proizvodnjo" integriranih vezjih, ki so določena v točkah od 3A001.a.3 do 3A001.a.12 in imajo obe naslednji značilnosti:
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
uporabljajo "tehnologijo" 0,5 μm ali več, in
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Izraz 'večplastne strukture' ne vključuje naprav, ki so sestavljene iz največ treh kovinskih plasti in treh plasti polisilicija.
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
"Tehnologija" v skladu s Splošno opombo o tehnologiji, razen tiste iz točke 3E001, za "razvoj" ali "proizvodnjo""mikroprocesorskih mikrovezij", "mikroračunalniških mikrovezij" in mikrokrmilniških mikrovezij s "kompozitno teoretično zmogljivostjo" ("CTP") 530 milijonov teoretičnih operacij na sekundo (Mtops) ali več in aritmetično logično enoto z 32-bitno širino dostopa ali več.
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
heterostrukturni polprevodniški elementi, kot so na primer tranzistorji z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), heterobipolarni tranzistorji (HBT), elementi s kvantnimi potencialnimi jamami in elementi s superkristalno mrežo;
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Opomba: Točka 3E003.b ne ureja tehnologije za tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), ki delujejo na frekvencah, nižjih od 31,8 GHz in heter-bipolarne tranzistorje (HBT), ki delujejo na frekvencah, nižjih kot 31,8 GHz.
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
vakuumskih elektronk, ki delujejo na frekvencah 31,8 GHz ali višje.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Tehnologija", ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za "razvoj""programske opreme" iz točke 3D101.
Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Opomba 2: Krmilne enote, ki neposredno medsebojno povezujejo vodila ali kanale osrednjih procesnih enot, "glavni pomnilnik" ali krmilniki diskov ne veljajo za telekomunikacijsko opremo, opisano v Skupini 5, del 1 (Telekomunikacije).
Error detection or correction algorithms in "main storage";
če za odkrivanje ali popravljanje napak uporabljajo algoritme v "glavnem pomnilniku";
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0.75 Weighted TeraFLOPS (WT);
"digitalni računalniki" s "korigirano največjo zmogljivostjo" ("APP") več kot 0,75 utežnega teraFLOPS (WT);
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4A003.b.;
"elektronski sklopi", izdelani ali prirejeni posebej za izboljšanje zmogljivosti s kopičenjem "procesorjev", tako da "APP" presega mejo iz točke 4A003.b;
It does not apply to "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
Ne uporablja se za "elektronske sklope", ki so po svoji naravi namenjeni za uporabo z računalniško opremo iz točke 4A003.e.
Note 2: 4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit of 4A003.b.
Opomba 2: Točka 4A003.c ne ureja "elektronskih sklopov", izdelanih posebej za izdelke ali družine izdelkov, katerih maksimalna konfiguracija ne presega meje iz točke 4A003.b.
Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits in 3A001.a.5.;
oprema za izvajanje analogno-digitalnih pretvorb, ki presegajo omejitve iz točke 3A001.a.5;
"Technology" according to the General Technology Note, for the "development", "production" or "use" of equipment or "software" specified in 4A or 4D.
"izračunski element" (tipično aritmetična logična enota)
"Technology", other than that specified in 4E001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of:
FP premična vejica NV nepremična vejica
Technical note on "Composite Theoretical Performance" ("CTP")
XOR ekskluzivni OR
Abbreviations used in this Technical Note
Okrajšave v tej tehnični opombi.
XOR exclusive OR
"CTP"
"composite theoretical performance" (multiple "CEs")
R stopnja kalkulacijske učinkovitosti
R effective calculating rate
WL dolžina besede
Outline of "CTP" calculation method
Opis metode izračuna "CTP"
"CTP" is a measure of computational performance given in Mtops.
"CTP" je mera za izračunsko zmogljivost, prikazana v Mtops.
In calculating the "CTP" of an aggregation of "CEs" the following three steps are required:
Pri izračunavanju "CTP" skupka izračunskih elementov je treba uporabiti naslednje tri korake:
Calculate the effective calculating rate R for each "CE";
izračun stopnje kalkulacijske učinkovitosti R za vsak izračunski element "CE";
Apply the word length adjustment (L) to the effective calculating rate (R), resulting in a Theoretical Performance (TP) for each "CE";
prilagoditev dolžine besed (L) stopnji kalkulacijske učinkovitosti (R), kar prikaže teoretično zmogljivost (TP) za vsak izračunski element "CE";
If there is more than one "CE", combine the TPs, resulting in a "CTP" for the aggregation.
če obstaja več izračunskih elementov "CE", se kombinirajo teoretične zmogljivosti, kar prikaže sestavljene teoretične zmogljivosti "CTP".
Note 1: For aggregations of multiple "CEs" which have both shared and unshared memory subsystems, the calculation of "CTP" is completed hierarchically, in two steps: first, aggregate the groups of "CEs" sharing memory; second, calculate the "CTP" of the groups using the calculation method for multiple "CEs" not sharing memory.
Opomba 1: Pri skupkih več izračunskih elementov, ki imajo skupne in ločene spominske podsisteme, se izračun "CTP" izvaja hierarhično v dveh korakih: najprej se sestavijo skupine izračunskih elementov, ki imajo skupen spomin; nato se izračuna "CTP" skupin z uporabo izračunske metode za večkratne izračunske elemente z ločenimi spomini.
Note 2:"CEs" that are limited to input/output and peripheral functions (e.g., disk drive, communication and video display controllers) are not aggregated into the "CTP" calculation.
Opomba 2: Izračunski elementi, katerih funkcije so omejene na vhodne, izhodne in periferne (npr. diskovni pogon, krmilniki komunikacijskih in video prikazovalnikov), v izračunu "CTP"-ja ne upoštevamo.
TECHNICAL NOTE ON "CTP"
TEHNIČNA OPOMBA O ("CTP")
The following table shows the method of calculating the Effective Calculating Rate R for each "CE":
Naslednja tabela prikazuje metodo za izračun dejanske izračunane hitrosti R za vsak izračunski element "CE":
Step 1: The effective calculating rate R
Korak 1: Dejansko izračunana hitrost R
For "CEs" Implementing:
Za izračunske elemente "CE":
Note: Every "CE" must be evaluated independently.
Opomba: Vsak "CE" se obravnava posebej
Effective calculating Rate, R
Dejansko izračunana hitrost R
XP only
samo XP
If neither add nor multiply is implemented use the fastest available arithmetic operation as follows:
če ni uporabljen niti seštevek niti zmnožek, uporabite najhitrejšo razpoložljivo aritmetično operacijo:
See Notes X & Z
glejte opombi X in Z
FP only
samo FP
See Notes X & Y
glejte opombi X in Y
Both FP and XP (R)
Oba FP in XP (R)
Calculate both Rxp, Rfp
Izračunaj oboje Rxp, Rfp
Where tlog is the execute time of the XOR, or for logic hardware not implementing the XOR, the fastest simple logic operation.
pri čemer je tlog izvajalni čas XOR oziroma najhitrejša preprosta logična operacija pri logični strojni opremi, ki ne uporablja XOR
Where R' is the number of results per second, WL is the number of bits upon which the logic operation occurs, and 64 is a factor to normalise to a 64 bit operation.
R' je število rezultatov na sekundo, WLje število bitov, na katerih poteka logična operacija, 64 pa je faktor prevedbe na 64-bitno operacijo
Note W: For a pipelined "CE" capable of executing up to one arithmetic or logic operation every clock cycle after the pipeline is full, a pipelined rate can be established.
Opomba W: Za cevovodni "CE" z zmožnostjo izvajanja do ene aritmetične ali logične operacije v enem taktu, potem ko je cevovod poln, je mogoče določiti hitrost obdelave.
The effective calculating rate (R) for such a "CE" is the faster of the pipelined rate or non-pipelined execution rate.
Dejanska izračunana hitrost (R) za takšen "CE" je večja od cevovodne hitrosti ali necevovodne izvajalne hitrosti.
Note X: For a "CE" which performs multiple operations of a specific type in a single cycle (e.g., two additions per cycle or two identical logic operations per cycle), the execution time t is given by:
Opomba X: Pri "CE", ki izvaja večkratne posebne operacije znotraj enega takta (npr. dva seštevka v taktu ali dve enaki logični operaciji v taktu), se izvajalni čas t izračuna po formuli:
t =cycle time
t = čas takta
the number of identical operations per machine cycle
število enakih operacij v strojnem taktu
"CEs" which perform different types of arithmetic or logic operations in a single machine cycle are to be treated as multiple separate "CEs" performing simultaneously (e.g., a "CE" performing an addition and a multiplication in one cycle is to be treated as two "CEs", the first performing an addition in one cycle and the second performing a multiplication in one cycle).
Izračunski elementi "CE", ki izvajajo različne aritmetične ali logične operacije v enem strojnem taktu, se obravnavajo kot večkratni ločeni "CE", ki simultano izvajajo operacije (npr. "CE", ki izvaja eno seštevanje in eno množenje v enem taktu, se obravnava kot dva "CE", prvi izvaja seštevanje v enem taktu, drugi pa množenje v enem taktu).
If a single "CE" has both scalar function and vector function, use the shorter execution time value.
Če ima en "CE" skalarno in vektorsko funkcijo, se vzame krajši izvajalni čas.
Note Y: For the "CE" that does not implement FP add or FP multiply, but that performs FP divide:
Opomba Y: Pri "CE", ki ne uporablja seštevanja s FP ali množenja s FP, temveč deljenje s FP:
If the "CE" implements FP reciprocal but not FP add, FP multiply or FP divide, then
Če "CE" uporablja recipročnost s FP, ne pa seštevanja, množenja ali deljenja s FP, je formula:
If none of the specified instructions is implemented, the effective FP rate is 0.
Če se ne izvaja noben navedeni ukaz, je dejanska hitrost FP enaka 0.
Note Z: In simple logic operations, a single instruction performs a single logic manipulation of no more than two operands of given lengths.
Opomba Z: Pri preprostih logičnih operacijah izvede posamezen ukaz posamezno logično manipulacijo največ dveh operandov dane dolžine.
In complex logic operations, a single instruction performs multiple logic manipulations to produce one or more results from two or more operands.
Pri kompleksnih logičnih operacijah izvede posamezen ukaz večkratne logične manipulacije, iz katerih izhaja eden ali več rezultatov dveh ali več operandov.
Rates should be calculated for all supported operand lengths considering both pipelined operations (if supported), and non-pipelined operations using the fastest executing instruction for each operand length based on:
Hitrosti se izračunajo za vse privzete dolžine operandov, z upoštevanjem cevovodnih operacij (če so privzete), pa tudi necevovodnih operacij, z uporabo najhitrejšega ukaza za vsako dolžino operanda na podlagi:
Pipelined or register-to-register operations.
cevovodne operacije ali operacije tipa register-register.
Exclude extraordinarily short execution times generated for operations on a predetermined operand or operands (for example, multiplication by 0 or 1).
Izključijo se izjemno kratki izvajalni časi za operacije na vnaprej določenemu operandu ali operandih (na primer množenje z 0 ali z 1).
If no register-to-register operations are implemented, continue with (2).
Če operacije register-register niso uporabljene, nadaljujte z (2).
The faster of register-to-memory or memory-to-register operations; if these also do not exist, then continue with (3).
hitrejša od operacij register-spomin ali spomin-register; če tudi teh operacij ni, nadaljujte s (3).
Memory-to-memory.
pomnilnik-pomnilnik.
In each case above, use the shortest execution time certified by the manufacturer.
V vsakem od gornjih primerov uporabite najkrajši izvajalničas, ki ga potrjuje proizvajalec.
Step 2: TP for each supported operand length WL
Korak 2: TP za vsako privzeto dolžino operanda WL
Adjust the effective rate R (or R') by the word length adjustment L as follows:
Nastavite dejansko hitrost R (ali R') z nastavitvijo dolžine besede L:
where L = (1/3 + WL/96)
pri čemer je L = (1/3 + WL/96)
Note: The word length WL used in these calculations is the operand length in bits.
Opomba: Dolžina besede WL, ki se uporablja v teh izračunih, je dolžina operanda v bitih.
(If an operation uses operands of different lengths, select the largest word length.)
(Če operacija uporablja operande različnih dolžin, izberite največjo dolžino.)
The combination of a mantissa ALU and an exponent ALU of a floating point processor or unit is considered to be one "CE" with a Word Length (WL) equal to the number of bits in the data representation (typically 32 or 64) for purposes of the "CTP" calculation.
Pri izračunu "STP" se šteje, da je kombinacija decimalnega dela in eksponenta ALU v procesorjih ali enotah s premično vejico "CE" z dolžino besede (WL) enaka številu bitov v podatkovni predstavitvi (navadno 32 ali 64).
This adjustment is not applied to specialized logic processors which do not use XOR instructions.
Ta prilagoditev se ne uporablja za namenske logične procesorje, ki ne uporabljajo ukazov XOR.
In this case TP = R.
V tem primeru je TP enaka R.
Select the maximum resulting value of TP for:
Izberite maksimalno izračunano vrednost TP za:
Each combined FP and XP "CE" (R);
vsak "CE" (R) s kombinacijo FP in XP;
Each simple logic processor not implementing any of the specified arithmetic operations; and
vsak preprost logični procesor brez katere koli posebne aritmetične operacije; in
Each special logic processor not using any of the specified arithmetic or logic operations.
vsak poseben logični procesor brez katere koli posebne aritmetične ali logične operacije.
Step 3: "CTP" for aggregations of "CEs", including CPUs
Korak 3: "CTP" za skupke izračunskih elementov "CE", skupaj s CPU
For a CPU with a single "CE",
Za CPU z enim "CE",
(for "CEs" performing both fixed and floating point operations
(za "CE"-je, ki uporabljajo nepremično, pa tudi premično vejico
TP = max (TPfp, TPxp)
TP = max (Tfp, TPxp))
"CTP" for aggregations of multiple "CEs" operating simultaneously is calculated as follows:
"CTP" za skupke večkratnih "CE", ki delujejo simultano, se izračuna:
Note 1: For aggregations that do not allow all of the "CEs" to run simultaneously, the possible combination of "CEs" that provides the largest "CTP" should be used.
Opomba 1: Pri skupkih, ki ne dopuščajo hkratnega delovanja vseh "CE", se uporablja tista kombinacija "CE", ki zagotavlja največjo "CTP".
The TP of each contributing "CE" is to be calculated at its maximum value theoretically possible before the "CTP" of the combination is derived.
TP vsakega izmed sodelujočih "CE" se izračuna pri največji teoretično možni vrednosti, pred izračunom "CTP"-ja kombinacije.