natgillin/translations-raw huggingface dataset:
For the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Za namene 3A002.d.1. je "trajanje pulza" opredeljeno kot časovni interval med sprednjo mejo pulza pri vrednosti 90 % maksimalne moči in zadnjo mejo pulza pri vrednosti 10 % maksimalne moči.
Note: 3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Opomba: Točka 3A002.d ne ureja opreme, pri kateri se izhodna frekvenca proizvaja bodisi z dodajanjem ali odvzemanjem dveh ali več frekvenc kristalnega oscilatorja bodisi z dodajanjem ali odvzemanjem, ki mu sledi množenje rezultata.
Network analysers with a maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz;
omrežni analizatorji z maksimalno delovno frekvenco nad 43,5 GHz;
Microwave test receivers having all of the following:
mikrovalovni testni sprejemniki, ki imajo obe naslednji značilnosti:
A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
maksimalno delovno frekvenco več kakor 43,5 GHz; in
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
zmožnost hkratnega merjenja amplitude in faze;
Atomic frequency standards having any of the following:
standardi atomskih frekvenc, ki imajo eno od naslednjih značilnosti:
Long-term stability (aging) less (better) than 1 × 10– 11/month; or
dolgotrajno stabilnost (staranje) manj kakor (boljšo od) 1 × 10– 11/mesec; ali
Being "space qualified".
so "primerni za vesolje".
Note: 3A002.g.1. does not control non-"space qualified" rubidium standards.
Opomba: Točka 3A002.g.1 ne ureja rubidijevih frekvenčnih norm, ki niso"primerni za vesolje".
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Sistemi za toplotni nadzor s pršilnim hlajenjem, ki uporabljajo zaprti krog za ravnanje s tekočino in opremo za ponovno obdelavo v zatesnjenem ohišju, kjer se dielektrična tekočina razpršuje na elektronske komponente s posebnimi pršilnimi šobami, ki so narejene tako, da vzdržujejo elektronske komponente v okviru njihovega temperaturnega razpona, in posebej izdelane komponente zanje:
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
Elektronska oprema, naprave in komponente, razen tistih iz točke 3A001:
Analog to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
analogno-digitalni pretvorniki, uporabni v "projektilih", ki so izdelani v skladu z vojaškimi specifikacijami za bojno opremo;
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
pospeševalniki z zmožnostjo sproščanja elektromagnetnega sevanja, ki ga ustvarja zavorno sevanje pospešenih elektronov z 2 MeV ali več in sistemi, ki vsebujejo te pospeševalnike.
Note: 3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Opomba: Točka 3A101.b ne določa opreme, izdelane posebej za medicinsko uporabo.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
Elektronske komponente, razen tistih iz točke 3A001:
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
kondenzatorji, ki imajo eno od naslednjih skupin značilnosti:
Voltage rating greater than 1,4 kV;
nazivno napetost nad 1,4 kV;
Energy storage greater than 10 J;
količino akumulirane energije nad 10 J;
Capacitance greater than 0,5 μF; and
kapacitivnost nad 0,5 μF; in
Series inductance less than 50 nH; or
zaporedno induktivnost, manjšo od 50 nH; ali
Voltage rating greater than 750 V;
nazivno napetost nad 750 V;
Capacitance greater than 0,25 μF; and
kapacitivnost nad 0,25 μF; in
Series inductance less than 10 nH;
zaporedno induktivnost, manjšo od 10 nH;
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
superprevodniški solenoidni elektromagneti, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
zmožnost ustvarjanja magnetnih polj, večjih od 2 T;
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
razmerje med njihovo dolžino in notranjim premerom je večje od 2;
Inner diameter greater than 300 mm; and
notranji premer, večji od 300 mm; in
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
enakomernost magnetnega polja, boljša od 1 % vzdolž osrednjih 50 % notranje prostornine.
Note: 3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Opomba: Točka 3A201.b ne ureja magnetov, ki so posebej izdelani in izvoženi 'kot deli' medicinskih sistemov za slikanje z uporabo jedrske magnetne resonance ("NMR").
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
Pojem 'kot del' ne pomeni nujno tudi fizičnega dela iste pošiljke; ločene pošiljke iz različnih virov so dovoljene pod pogojem, da pripadajoči izvozni dokumenti nedvoumno izkazujejo, da so pošiljke dobavljene ’kot del’ celotnega sistema za slikanje.
Flash X ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
generatorji rentgenskih žarkov ali impulzni pospeševalniki elektronov, ki imajo eno od naslednjih skupin značilnosti:
An accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
maksimalno energijo pospešenih elektronov, ki je enaka ali večja od 500 MeV, toda manjša kakor 25 MeV; in
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
'izkoristek' (K), ki je enak ali večji od 0,25; ali
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
maksimalno energijo elektronov, ki je enaka ali večja od 25 MeV; in
A 'peak power' greater than 50 MW.
'maksimalno moč' nad 50 MW.
Note: 3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Opomba: Točka 3A201.c ne ureja pospeševalnikov, sestavnih delov naprav, ki niso izdelane za obsevanje z elektronskimi ali rentgenskimi žarki (npr. elektronska mikroskopija), niti tistih, ki so izdelani za uporabo v medicini.
The 'figure of merit' K is defined as:
'Izkoristek' K je določen kot:
V is the peak electron energy in million electron volts.
V je maksimalna energija elektronov v milijonih elektron voltov.
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Če je trajanje impulza snopa pospeševalnika enako ali manjše od 1 μs, potem je Q celotni pospešeni naboj v kulonih.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Če je trajanje impulza snopa pospeševalnika večje od1 μs, potem je Q maksimalni pospešeni naboj v 1 μs.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q je enak integralu i glede na t, v manj kakor 1 μs ali v času trajanja impulza snopa (Q = ∫ idt), pri čemer je i žarkovni tok v amperih in t čas v sekundah.
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
'Maksimalna moč' = (vrednost maksimalnega potenciala v voltih) × (vrednost maksimalnega žarkovnega toka v amperih).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
V strojih, ki temeljijo na pospeševanju mikrovalov, je čas trajanja impulza snopa krajši od 1 μs oziroma trajanje zaporednih snopov, ki izhajajo iz posameznega mikrovalovnega impulza modulatorja.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
V strojih, ki temeljijo na pospeševanju mikrovalov, je vrednost maksimalnega žarkovnega toka povprečni tok, dosežen v času trajanja zaporednih snopov.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Frekvenčni pretvorniki ali generatorji, razen tistih, ki so določeni v točki 0B001.b.13, in ki imajo vse naslednje značilnosti:
Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
večfazni izhod, ki omogoča moč 40 W ali več;
Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
sposobnost delovanja v frekvenčnem območju od 600 do 2000 Hz;
Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
skupno harmonično popačenje, boljše (manjše) od 10 %; in
Frequency control better (less) than 0,1 %.
regulacijo frekvence, boljšo (manjšo) od 0,1 %.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
Frekvenčni pretvorniki iz točke 3A225 so poznani tudi pod imenom konverterji ali inverterji.
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Močnostni enosmerni napajalniki, razen tistih, ki so določeni v točki 0B001.j.6, in ki imajo obe naslednji značilnosti:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
sposobnost neprekinjenega proizvajanja toka jakosti 500 A ali več, v časovnem obdobju osmih ur, z napetostjo 100 V ali več; in
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
stabilnost toka ali napetosti, boljšo od 0,1 %, v časovnem obdobju osmih ur.
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Visokonapetostni enosmerni napajalniki, razen tistih, ki so določeni v točki 0B001.j.6, in ki imajo obe naslednji značilnosti:
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
sposobnost neprekinjenega proizvajanja toka jakosti 1 A ali več, v časovnem obdobju osmih ur, z napetostjo 20 kV ali več; in
Switching devices, as follows:
Preklopne naprave:
Cold cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
elektronke s hladno katodo, polnjene s plinom ali brez, ki delujejo podobno kakor iskrilo in imajo vse naslednje značilnosti:
Containing three or more electrodes;
vsebujejo tri elektrode ali več;
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
maksimalno vrednost anodne napetosti, ki je enaka ali večja od 2,5 kV;
Anode peak current rating of 100 A or more 100 A; and
maksimalno vrednost anodnega toka, ki je enaka ali večja od 100 A; in
Anode delay time of 10 μs or less;
zakasnitveni čas na anodi, ki je enak ali krajši od 10 μs;
Note: 3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Opomba: Točka 3A228 vključuje plinske kritronske in vakuumske spritronske elektronke.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
prožilno vezana iskrila, ki imajo obe naslednji značilnosti:
An anode delay time of 15 μs or less; and
zakasnitveni čas na anodi, ki je enak ali krajši od 15 μs; in
Rated for a peak current of 500 A or more;
maksimalno vrednost anodnega toka, ki je enaka ali večja od 500 A;
Modules or assemblies with a fast switching function having all of the following characteristics:
moduli ali sklopi za hitro preklapljanje, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
maksimalno vrednost anodne napetosti, ki je večja od 2 kV;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
maksimalno vrednost anodnega toka, ki je enaka ali večja od 500 A; in
Turn on time of 1 μs or less.
vklopni čas, ki je enak ali krajši od 1 μs.
Firing sets and equivalent high current pulse generators as follows:
Vžigalni kompleti in enakovredni generatorji impulzov z visokotokovno jakostjo:
N.B.: SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
NAPOTILO: GLEJ TUDI NADZOR VOJAŠKEGA BLAGA.
Explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
vžigalni sistemi za detonatorje, ki so izdelani tako, da sprožijo krmiljene detonatorje, določene v točki 3A232;
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
modularni električno-impulzni generatorji ("pulzerji"), ki imajo vse naslednje značilnosti:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
izdelani so kot prenosni, mobilni ali kot robustni in odporni na izredne razmere;
Enclosed in a dust tight enclosure;
so v zaprtem ohišju, ki preprečuje vstop prašnim delcem;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
imajo sposobnost sproščanja lastne energije v manj kakor 15 μs;
Having an output greater than 100 A;
imajo izhodno jakost, ki je večja od 100 A;
Having a 'rise time' of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
'čas naraščanja toka', manjši od 10 μs, ko je v tokokrog vključen tudi upor, ki ima upornost, manjšo od 40 omov;
No dimension greater than 254 mm;
nobena njihova mera ne presega 254 mm;
Weight less than 25 kg; and
tehtajo manj kakor 25 kg; in
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
namenjeni so za uporabo v razširjenem temperaturnem območju, in to od 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) ali primerni za uporabo v zračnih plovilih.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V točki 3A229.b.5 je 'časovni porast' opredeljen kot časovni interval od 10 % do 90 % amplitude toka, ko je v tokokrog vključen tudi upor.
High-speed pulse generators having both of the following characteristics:
Hitri generatorji impulzov, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
izhodno napetost nad 6 V, ko je v tokokrog vključen tudi upor, ki ima upornost manjšo od 55 omov; in
'Pulse transition time' less than 500 ps.
'čas prehoda impulza', ki je krajši od 500 ps.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
V točki 3A230 je 'čas prehoda impulza' opredeljen kot časovni interval med 10 % in 90 % amplitude napetosti.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Nevtronski generatorski sistemi, vključno z elektronkami, ki imajo obe naslednji značilnosti:
Designed for operation without an external vacuum system; and
izdelani so za delovanje brez prisotnosti zunanjega vakuumskega sistema; in
Utilizing electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
izkoriščajo elektrostatični pospešek za sprožanje jedrske reakcije med tritijem in devterijem.
Detonators and multipoint initiation systems, as follows:
Detonatorji in večtočkovni vžigalni sistemi:
Electrically driven explosive detonators, as follows:
električno krmiljeni detonatorji:
Exploding bridge (EB);
mostični vžigalnik (EB);
Exploding bridge wire (EBW);
mostični vžigalnik z žico (EBW);
Slapper;
vžigalnik "slapper";
Exploding foil initiators (EFI);
vžigalnik s folijo (EFI);
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
naprave, ki uporabljajo en sam detonator ali več, ki so izdelane za praktično istočasni vžig večjih eksplozivnih površin (več kakor 5000 mm2 z enim samim vžigalnim signalom, pri čemer je maksimalno časovno odstopanje od prvotnega vžigalnega signala na celotni površini manjše od 2,5 μs.
Note: 3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Opomba: Točka 3A232 ne ureja detonatorjev, ki uporabljajo samo inicialne eksplozive, kakor na primer svinčev azid.
In 3A232 the detonators of concern all utilise a small electrical conductor (bridge, bridge wire or foil) that explosively vapourises when a fast, high-current electrical pulse is passed through it.
Detonatorji, ki so navedeni v točki 3A232, izkoriščajo majhen električni vodnik (most, žico za premoščanje ali folijo), ki se eksplozivno uparja, ko skoznje steče električni visoko-tokovni impulz.
In nonslapper types, the exploding conductor starts a chemical detonation in a contacting high-explosive material such as PETN (Pentaerythritoltetranitrate).
V vseh vrstah detonatorjev, razen "slapper" vžigalnikov, sproži kemično detonacijo eksplozivni vodnik, ko pride v stik z močno eksplozivnim materialom, kakor je na primer PETN (pentaeritritol-tetranitrat).
In slapper detonators, the explosive vapourisation of the electrical conductor drives a flyer or slapper across a gap and the impact of the slapper on an explosive starts a chemical detonation.
Posebno udarjalo povzroči pri "slapper" detonatorjih eksplozivno uparjanje električnega vodnika, ko udari na eksploziv in s tem povzroči kemično detonacijo.
The slapper in some designs is driven by a magnetic force.
V nekaterih primerih požene navedeno udarjalo magnetna sila.
The term exploding foil detonator may refer to either an EB or a slapper-type detonator.
Izraz "vžigalnik s folijo" se lahko nanaša na mostiščni vžigalnik, pa tudi na "slapper" vžigalnik.
Also, the word initiator is sometimes used in place of the word detonator.
Prav tako se lahko pojem "vžigalnik" včasih uporablja namesto besede "detonator".
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Masni spektrometri, razen tistih, ki so določeni v točki 0B002.g, ki so zmožni merjenja ionov z atomsko maso 230 ali več, z ločljivostjo, ki je boljša od dveh delov v 230, in ionski viri zanje:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
masni spektrometri z induktivno sklopljeno plazmo (ICP/MS);
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
masni spektrometri z žarilnim praznjenjem (GDMS);
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
masni spektrometri s termično ionizacijo (TIMS);
Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
masni spektrometri za obstreljevanje z elektroni, ki imajo komoro z viri izdelano iz materialov, odpornih proti UF6, ali pa je komora s takšnimi materiali prevlečena ali prekrita;
Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
masni spektrometri z molekularnim snopom, ki imajo eno od naslednjih značilnosti:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
komora z viri je izdelana iz nerjavnega jekla ali molibdena ali je prevlečena ali prekrita z njima in opremljena s hladilno pastjo, ki omogoča ohlajanje do temperature 193 K (– 80 °C) ali manj; ali
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
komora z viri je izdelana iz materialov, ki so odporni na UF6, ali je prevlečena ali prekrita z njimi;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
masni spektrometri, opremljeni z ionskim virom, ki omogoča mikrofluoriranje, in izdelani za aktinoide ali fluoride aktinoidov.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Oprema za proizvodnjo ali preizkušanje polprevodniških naprav ali materialov in posebej izdelane komponente in pribor zanjo:
Equipment designed for epitaxial growth, as follows:
oprema za epitaksialno rast:
Equipment capable of producing any of the following:
oprema z možnostjo proizvajanja katere koli izmed naslednjih stvari:
A silicon layer with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 200 mm or more; or
silicijeve plasti enakomerne debeline do manj kakor ± 2,5 % na razdalji 200 mm ali več; ali
A layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
plasti katerega koli materiala razen silicija enakomerne debeline do manj kakor ± 2,5 % na razdalji 75 mm ali več;
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
reaktorji za nanašanje kovin s kemičnim naparjevanjem (MOCVD), izdelani posebej za razvoj kristalov sestavljenih polprevodnikov z uporabo kemične reakcije med materiali iz točke 3C003 ali 3C004;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
oprema za epitaksijsko rast z molekularnim snopom, ki uporablja plinske ali trdne vire.
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
oprema, izdelana za implantacijo ionov, ki ima katero koli od naslednjih značilnosti:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
energijo žarka (napetost pospeševanja) več kakor 1 MeV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
izdelana in prirejena je za delovanje pri energiji žarka (napetosti pospeševanja) manj kakor 2 keV;
Direct write capability; or
zmožnost neposrednega zapisa; ali
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energijo žarka 65 keV ali več in žarkovni tok 45 mA ali več za visokoenergetsko oksidacijo v ogreto "podlago" iz polprevodniškega materiala;
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
oprema za suho jedkanje z uporabo anizotropske plazme:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
oprema, delujoča na način "od kasete do kasete" in z uravnavanjem obremenitve, in ki ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
je izdelana ali prirejena za proizvodnjo kritičnih dimenzij 0,3 μm ali manj z natančnostjo ± 5 % za razpršenost 3 sigma; ali
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
je izdelana za generiranje manj kakor 0,04 delcev/cm2 z izmerljivo velikostjo delcev, večjih od 0,1 μm v premeru;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
oprema, izdelana posebej za opremo iz točke 3B001.e, ki ima katero koli od naslednjih značilnosti:
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
je izdelana za generiranje manj kakor 0,04 delcev/cm2 z izmerljivo velikostjo delcev, večjih od 0,1 μm v premeru;
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
oprema za nanašanje CVD z uporabo plazme:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
oprema, delujoča na način "od kasete do kasete" in z uravnavanjem obremenitve, in je izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji polprevodniških naprav s kritično dimenzijo 180 nm ali manj;