natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
oprema, posebej narejena za opremo, ki jo ureja točka 3B001.e. in je izdelana v skladu s specifikacijami proizvajalca ali prirejena za uporabo v proizvodnji polprevodniških naprav s kritično dimenzijo 180 nm ali manj;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
večkomorni centralni sistemi z avtomatskim polnjenjem za obdelavo rezin, ki imajo vse naslednje značilnosti:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
vmesniki za polnjenje in praznjenje rezin, na katere je treba priključiti več kakor dve napravi za obdelavo polprevodnikov; in
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
izdelani so za oblikovanje integralnega sistema v vakuumskem okolju za sekvenčno multiplo obdelavo rezin.
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Opomba: Točka 3B001.e ne ureja avtomatskih robotskih sistemov za obdelavo rezin, ki niso namenjeni za delovanje v vakuumu.
Lithography equipment, as follows:
litografska oprema:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
oprema za razporejanje in izpostavljanje rezin v enem ali ponavljajočih se korakih, ki uporablja fotooptične metode ali metode z rentgenskimi žarki in ki ima katero koli od naslednjih značilnosti:
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
vir svetlobe valovne dolžine manj kakor 350 nm; ali
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
zmožnost proizvajanja oblike z 'minimalno razločljivo potezo' 0,35 mikrometra ali manj;
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
'Minimalna razločljiva poteza' se izračuna po naslednjem obrazcu:
numerical aperture
številčna reža
where the K factor = 0,7
pri čemer je faktor K = 0,7
MRF = minimum resolvable feature size
MRF = minimalna razločljiva poteza
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
oprema, izdelana posebej za obdelavo naprav za izdelavo mask ali naprav za obdelavo polprevodniških naprav, ki uporabljajo elektronski žarek z odklonjenim fokusom, ionski ali "laserski" žarek in ki imajo katero koli od naslednjih značilnosti:
A spot size smaller than 0,2 μm;
točko, manjšo od 0,2 μm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
zmožnost izdelave vzorca s potezami, manjšimi od 1 μm; ali
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
površinsko natančnost boljšo od ± 0,20 μm (3 sigme);
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
maske in mrežice, izdelane za integrirana vezja iz točke 3A001;
Multi-layer masks with a phase shift layer.
večplastne maske s faznimi premičnimi plastmi.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Opomba: Točka 3B001.h ne ureja večplastnih mask s faznimi premičnimi plastmi, narejenih za izdelavo spominskih enot, ki jih točka 3A001 ne ureja.
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Oprema za testiranje, "krmiljena s shranjenim programom", izdelana posebej za testiranje izdelanih in neizdelanih polprevodniških naprav in posebej zanjo izdelane komponente in pribor:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
za testiranje parametrov S tranzistorskih naprav pri frekvencah nad 31,8 GHz;
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
za testiranje integriranih vezij z zmožnostjo izvajanja funkcionalnih preizkusov pri 'hitrosti vzorčenja' več kakor 667 MHz;
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Opomba: Točka 3B002.b ne ureja opreme, izdelane posebej za testiranje:
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
"elektronskih sklopov" in razreda "elektronskih sklopov" za domačo rabo in prosti čas;
Uncontrolled electronic components, "electronic assemblies" or integrated circuits;
nekrmiljenih elektronskih komponent, "elektronskih sklopov" ali integriranih vezij;
Memories.
spominov.
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Za namen te točke je 'hitrost vzorčenja' opredeljena kot maksimalna frekvenca digitalnih operacij testne naprave.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Zato je to ekvivalent največji podatkovni hitrosti prenosa, ki jo lahko zagotavlja testna naprava v nemultipleksnem načinu.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Nanaša se tudi na hitrost testnega postopka, največjo digitalno frekvenco in največjo digitalno hitrost.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
za testiranje mikrovalovnih integriranih vezij iz točke 3A001.b.2.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaksialni materiali, sestavljeni iz "podlage" z naloženimi plastmi, pridobljeni z epitaksialno rastjo, iz naslednjih materialov:
Silicon;
silicija;
Germanium;
germanija;
III/V compounds of gallium or indium.
III/V spojin galija ali indija.
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
III/V spojine so polikristalni ali binarni oziroma kompleksni monokristalni proizvodi, ki vsebujejo elemente iz skupin IIIA in VA Mendelejevega periodnega sistema kemičnih elementov (galijev arzenid, galij-aluminijev arzenid, indijev fosfid itd.).
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Uporniški materiali in "podlage", prevlečene s krmiljenimi uporniki:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
pozitivni uporniki za polprevodniško litografijo, ki so posebej prirejeni za uporabo na valovnih dolžinah pod 350 nm;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
vsi uporniki za uporabo z elektronskimi ali ionskimi žarki, z občutljivostjo 0,01 mikrokolumba/mm2 ali boljšo;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
vsi uporabniki za uporabo z rentgenskimi žarki, z občutljivostjo 2,5 mJ/mm2 ali boljšo;
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
vsi uporniki, prirejeni za tehniko površinske preslikave, skupaj s 'siliciranimi' uporniki.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Tehnike 'siliciranja' so opredeljene kot postopki, ki vključujejo oksidacijo površine upornika zaradi izboljšanja lastnosti pri mokri in suhi obdelavi.
Organo-inorganic compounds, as follows:
Organsko-anorganske spojine:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organsko-kovinske spojine aluminija, galija ali indija, katerih čistota (kovinske osnove) je več kakor 99,999 %;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
organsko-arzenove, organsko-antimonove in organsko-fosforjeve spojine, katerih čistota (anorganske osnove) je več kakor 99,999 %.
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Opomba: Točka 3C003 ureja samo spojine, v katerih je kovinski, delno kovinski ali nekovinski element neposredno vezan na ogljik iz organskega dela molekule.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Hidridi fosforja, arzena ali antimona, katerih čistota je več kakor 99,999 %, tudi če so razredčeni v nevtralnih plinih ali vodiku.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Opomba: Točka 3C004 ne ureja hidridov, ki vsebujejo 20 molarnih odstotkov ali več inertnih plinov ali vodika.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
"Programska oprema", izdelana posebej za "razvoj" ali "proizvodnjo" opreme iz točk od 3A001.b do 3A002.g ali iz točke 3B.
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
"Programska oprema", ki je posebej napisana za "uporabo" česar koli od naslednjega:
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
opreme iz točk 3B001.a do f; ali
Equipment specified in 3B002.
opreme iz točke 3B002.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Na fiziki temelječa simulacijska programska oprema, posebej napisana za "razvoj" postopkov litografije, jedkanja in nanašanja pri prevajanju maskirnih vzorcev v specifične topografske vzorce v vodniških, dielektričnih ali polprevodniških materialih.
'Physics-based' in 3.D.3. means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Izraz "na fiziki temelječa" v točki 3D003 pomeni uporabo izračunov za določanje zaporedja fizičnih dogodkov vzroka in učinka na osnovi fizičnih lastnosti (npr. temperature, pritiska, difuzijskih konstant in lastnosti polprevodniških materialov).
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Opomba: Knjižnice, atributi oblik ali sorodni podatki za proizvodnjo polprevodniških naprav se pojmujejo kot "tehnologija".
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Programska oprema", izdelana posebej za "razvoj" opreme iz točke od 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"Programska oprema", posebej izdelana ali prirejena za "uporabo" opreme iz točke 3A101.b.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
"Tehnologija", ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za "razvoj" ali "proizvodnjo" opreme ali materialov iz točk 3A, 3B ali 3C;
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Opomba 1: Točka 3E001 ne ureja "tehnologije" za "proizvodnjo" opreme ali komponent, ki jih ureja točka 3A003.
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Opomba 2: Točka 3E001 ne ureja "tehnologije" za "razvoj" ali "proizvodnjo" integriranih vezjih, ki so določena v točkah 3A001.a.3 do 3A001.a.12 in imajo obe naslednji značilnosti:
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
uporabljajo "tehnologijo" 0,5 μm ali več in
Not incorporating 'multi-layer structures'.
ne vključujejo 'večplastnih struktur'.
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Izraz 'večplastna struktura' ne vključuje naprav, ki so sestavljene iz največ treh kovinskih plasti in treh plasti polisilicija.
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
"Tehnologija" v skladu s Splošno opombo o tehnologiji, razen tiste iz točke 3E001, za "razvoj" ali "proizvodnjo""mikroprocesorskih mikrovezij", "mikroračunalniških mikrovezij" in mikrokrmilniških mikrovezij s "sestavljeno teoretično zmogljivostjo" ("STZ") 530 milijonov teoretičnih operacij na sekundo (Mtops) ali več in aritmetično logično enoto z 32-bitno širino dostopa ali več.
Note: Decontrol note 2 to 3E001 also applies to 3E002.
Opomba: Opomba 2 o izvzetju iz nadzora k 3E001 se uporablja tudi za točko 3E002.
Other "technology" for the "development" or "production" of:
Druga "tehnologija" za "razvoj" ali "proizvodnjo":
Vacuum microelectronic devices;
vakuumskih mikroelektronskih naprav;
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
elementov z raznovrstnimi polprevodniškimi sktrukturami, kakor so na primer tranzistorji z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), hetero-bipolarni tranzistorji (HBT), elementi s kvantnimi potencialnimi jamami in elementi s superkristalno mrežo;
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Opomba: Točka 3E003.b ne ureja tehnologije za tranzistorje z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), ki delujejo na frekvencah, nižjih od 31,8 GHz in hetero-bipolarne tranzistorje (HBT), ki delujejo na frekvencah, nižjih kot 31,8 GHz.
"Superconductive" electronic devices;
"superprevodniških" elektronskih naprav;
Substrates of films of diamond for electronic components;
podlag z diamantnimi filmi za elektronske komponente;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
podlag iz silicija na izolatorju (SOI) za integrirana vezja, pri katerih je izolator silicijev dioksid;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
podlag iz silicijevega karbida za elektronske komponente;
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
Vakuumske elektronke, ki delujejo na frekvencah 31,8 GHz ali višje.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
"Tehnologija", ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za "uporabo" opreme ali "programske opreme" iz točke 3A001.a.1 ali 2, 3A101 ali 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Tehnologija", ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za "razvoj""programske opreme" iz točke 1D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
"Tehnologija", ki je v skladu s Splošno opombo o tehnologiji namenjena za "uporabo" opreme iz točk 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225 do 3A233.
CATEGORY 4
SKUPINA 4
COMPUTERS
RAČUNALNIKI
Note 1: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Opomba 1: Računalnike, računalniško opremo in "programsko opremo", povezano z izvajanjem telekomunikacijskih funkcij ali funkcij "lokalnega omrežja", je treba obravnavati v primerjavi z delovnimi značilnostmi Skupine 5, del 1 (Telekomunikacije).
Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Opomba 2: Krmilne enote, ki neposredno medsebojno povezujejo vodila ali kanale osrednjih procesnih enot, "glavni shranjevalniki" ali krmilniki diskov ne veljajo za telekomunikacijsko opremo, opisano v Skupini 5, del 1 (Telekomunikacije).
N.B.: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
NAPOTILO: Glede nadzornega statusa "programske opreme", izdelane posebej za paketno preklapljanje, glej točko 5D001.
Note 3: Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Opomba 3: Računalnike, računalniško opremo in "programsko opremo" za izvajanje kriptografskih in kriptoanalitičnih funkcij z izvajanjem funkcij varnosti na več ravneh z ugotovljivostjo ali funkcijami izolacije ugotovljivega uporabnika ali tiste ki, omejujejo elektromagnetno kompatibilnost (EMC), je treba prav tako obravnavati v primerjavi z delovnimi značilnostmi iz Skupine 5, del 2 ("Informacijska varnost").
Electronic computers and related equipment, as follows, and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektronski računalniki in sorodna oprema in "elektronski sklopi" ter posebej izdelane komponente zanje:
N.B.: SEE ALSO 4A101.
NAPOTILO: GLEJ TUDI 4A101.
Specially designed to have any of the following characteristics:
posebej izdelani, da imajo katero koli izmed naslednjih značilnosti:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C);
primernost za delovanje pri temperaturah okolja pod 228 K (– 45 °C) ali nad 358 K (85 °C);
Note: 4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Opomba: Točka 4A00.a.1 se ne uporablja za računalnike, izdelane posebej za osebne avtomobile ali naprave za železniške vlake.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
utrjenost proti sevanju, tako da prenesejo naslednje doze:
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
skupno dozo 5 × 103 Gy (silicij);
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
določeno stalno dozo 5 × 106 Gy (silicij)/s; ali
Single Event Upset 1 × 10–7 Error/bit/day;
posamezne sunke 1 × 10–7 napak/bit/dan;
Having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
z značilnostmi ali zmožnostmi izvajanja funkcij, ki presegajo meje iz Skupine 5, del 2 ("Informacijska varnost").
Note: 4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Opomba: Točka 4A001.b ne ureja elektronskih računalnikov in računalniške opreme, kadar spremljajo uporabnika za njegovo osebno uporabo.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
"Digitalni računalniki", "elektronski sklopi" in sorodna oprema ter posebej izdelane komponente zanje:
Note 1: 4A003 includes the following:
Opomba 1: Točka 4A003 zajema:
Vector processors;
vektorske procesorje;
Array processors;
matrične procesorje;
Digital signal processors;
procesorje digitalnih signalov;
Logic processors;
logične procesorje;
Equipment designed for "image enhancement";
opremo za "izboljšavo slike";
Equipment designed for "signal processing".
opremo za "obdelavo signala".
Note 2: The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Opomba 2: Nadzorni status "digitalnih računalnikov" in sorodne opreme, opisanih v točki 4A003, je določen z nadzornim statusom druge opreme ali sistemov, pod pogojem:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
da so "digitalni računalniki" ali sorodna oprema bistveni za delovanje druge opreme ali sistemov;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
da "digitalni računalniki" in sorodna oprema niso "osnovni element" druge opreme ali sistemov; in
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
NAPOTILO 1: Nadzorni status opreme za "obdelavo signalov" ali "izboljšave slike", ki je posebej izdelana za drugo opremo, katerih funkcija je omejena na funkcije, dovoljene drugi opremi, je določen z nadzornim statusom druge opreme, tudi če presega kriterije "osnovnega elementa".
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
NAPOTILO 2: Glede nadzornega statusa "digitalnih računalnikov" in sorodne opreme za telekomunikacijsko opremo glej Skupino 5, del 1 (Telekomunikacije).
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
da je "tehnologija" za "digitalne računalnike" in sorodna oprema opisana v točki 4E.
Designed or modified for "fault tolerance";
Izdelani ali prirejeni za "toleranco napak".
Note: For the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Opomba: V smislu točke 4A003.a "digitalni računalniki" in sorodna oprema ne veljajo kot izdelani ali prirejeni za "toleranco napak":
Error detection or correction algorithms in "main storage";
če za odkrivanje ali popravljanje napak uporabljajo algoritme v "glavnem shranjevalniku";
The interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
če uporabljajo medsebojno povezavo dveh "digitalnih računalnikov", tako da lahko takrat, ko odpove osrednja procesna enota, nadaljuje delovanje sistema mirujoča, vendar zrcalna osrednja procesna enota;
The interconnection of two central processing units by data channels or by use of shared storage to permit one central processing unit to perform other work until the second central processing unit fails, at which time the first central processing unit takes over in order to continue the system's functioning; or
če uporabljajo medsebojno povezavo dveh osrednjih procesnih enot z uporabo podatkovnih kanalov ali deljenega shranjevanja, kar omogoča eni osrednji procesni enoti izvajanje drugih opravil v času, ko druga procesna enota ne deluje, med tem časom pa prva procesna enota omogoča delovanje sistema; ali
The synchronisation of two central processing units by "software" so that one central processing unit recognises when the other central processing unit fails and recovers tasks from the failing unit.
če zagotavlja sinhronizacijo dveh osrednjih procesnih enot "programska oprema", pri čemer ena osrednja procesna enota zazna okvaro druge in obudi ukaze okvarjene enote.
"Digital computers" having a "composite theoretical performance" ("CTP") exceeding 190000 million theoretical operations per second (Mtops);
"digitalni računalniki" s "sestavljeno teoretično zmogljivostjo" ("STZ") več kakor 190000 milijonov teoretičnih operacij na sekundo (Mtops);