natgillin/translations-raw huggingface dataset:
A deflected focused electron beam; and
uhlová „presnosť“ 10 μrad (mikroradiánov) alebo menej (lepšia);
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
zariadenie na nastavenie rezonátora, ktoré má šírku pásma 100 Hz alebo viac a „presnosť“ 10 μrad alebo menej (lepšiu);
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
kardany vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
g.
maximálne natočenie viac ako 5o;
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
šírka pásma 100 Hz alebo viac;
h.
chyby uhlového zamerania 200 μrad (mikroradiánov) alebo menej a
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
majúce niektorú z týchto vlastností:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
priemer alebo dĺžka hlavnej osi viac ako 0,15 m, ale najviac 1 m, a schopné uhlového zrýchlenia viac ako 2 rad (radiány)/s2, alebo
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
priemer alebo dĺžka hlavnej osi viac ako 1 m a schopné uhlového zrýchlenia viac ako 0,5 rad (radiány)/s2;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
,asférické optické prvky‘ vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
i.
najväčší rozmer optickej apertúry viac ako 400 mm;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
drsnosť povrchu menej ako 1 nm (rms) pre vzorkovacie dĺžky rovné alebo väčšie ako 1 mm a
j.
absolútna veľkosť koeficientu lineárnej tepelnej rozťažnosti menej ako 3 × 10–6/K pri 25 °C.
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
,Asférický optický prvok‘ je ľubovoľný prvok používaný v optickom systéme, ktorého zobrazovací povrch alebo povrchy sú navrhnuté tak, aby sa odchyľovali od tvaru ideálnej gule,
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
Od výrobcov sa nevyžaduje, aby merali drsnosť povrchu uvedenú v 6A004.e)2, ak optický prvok nebol navrhnutý ani vyrobený s úmyslom spĺňať alebo prekračovať kontrolný parameter.
Compliant with SEMI Standard P37.
6A004.e) sa nevzťahuje na ,asférické optické prvky‘ s niektorou z týchto vlastností:
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
najväčší rozmer optickej apertúry menej ako 1 m a pomer ohniskovej vzdialenosti k apertúre rovný alebo väčší ako 4,5:1;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
najväčší rozmer optickej apertúry rovný alebo väčší ako 1 m a pomer ohniskovej vzdialenosti k apertúre rovný alebo väčší ako 7:1;
a.
navrhnuté ako Fresnelove, mozaikové (fly-eye), pásikové, hranolové alebo difrakčné optické prvky;
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
vyrobené z bórokremičitých skiel s koeficientom lineárnej tepelnej rozťažnosti viac ako 2,5 × 10–6 /K pri 25 °C, alebo
c.
röntgenové optické prvky s vlastnosťami vnútorných zrkadiel (napr. rúrkové zrkadlá).
For testing items specified in 3A001.b.2.
Pre ,asférické optické prvky‘ osobitne navrhnuté pre litografické zariadenia pozri v 3B001.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
zariadenia na meranie dynamickej čelnej vlny so všetkými týmito vlastnosťami:
a.
,obnovovacie frekvencie‘ najmenej 1 kHz a
Silicon (Si);
Presnosť čelnej vlny sa rovná alebo je menšia (lepšia) ako λ/20 pri projektovanej vlnovej dĺžke.
b.
Na účely 6A004.f) je ,obnovovacia frekvencia‘ frekvencia, pri ktorej sú všetky „aktívne pixle“ v sústave s ohniskovou rovinou“ integrované na účely záznamu snímok zobrazovaných čelnou senzorovou optikou.
Germanium (Ge);
„Lasery“, iné ako uvedené v 0B001.g)5 alebo 0B001.h)6, súčasti a optické zariadenia:
c.
POZRI TIEŽ 6A205.
Silicon carbide (SiC); or
Medzi pulzné „lasery“ patria aj tie, ktoré pracujú v režime so stálou vlnou (CW) so superponovanými impulzmi.
d.
Excimerové, polovodičové, chemické lasery, CO a CO2 lasery a ,neopakovane pulzujúce‘ „lasery“ s neodýmovým sklom sú uvedené iba v 6A005.d).
"III/V compounds" of gallium or indium.
,Neopakovane pulzujúce‘ sú „lasery“, ktoré produkujú buď jediný výstupný impulz, alebo pri ktorých časový interval medzi impulzmi presahuje jednu minútu.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
6A005 zahŕňa aj vláknové „lasery“.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Kontrolný status „laserov“ využívajúcich frekvenčnú konverziu (t. j. zmenu vlnovej dĺžky) iným spôsobom ako čerpaním energie jedného „laseru“ druhým sa určuje pomocou kontrolných parametrov rovnako pre výstup zdrojového „laseru“, ako aj pre optický výstup s konvertovanou frekvenciou.
a.
Poznámka 5:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
6A005 sa nevzťahuje na tieto „lasery“:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
rubínový s výstupnou energiou menej ako 20 J;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
dusíkový;
b.
kryptónový.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
V 6A005 je ,energetická efektívnosť‘ vymedzená ako pomer medzi výstupným výkonom „lasera“ (alebo „priemerným výstupným výkonom“) a celkovým elektrickým príkonom potrebným na prevádzku „lasera“ vrátane dodávky/úpravy energie a tepelnej úpravy/výmenníka tepla.
d.
ne-„laditeľné lasery“ so stálou vlnou (CW), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
All resists optimised for surface imaging technologies;
výstupná vlnová dĺžka menej ako 150 nm a výstupný výkon viac ako 1 W;
e.
výstupná vlnová dĺžka 150 nm alebo viac, ale najviac 510 nm, a výstupný výkon viac ako 30 W;
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
6A005.a)2 sa nevzťahuje na argónové „lasery“ s výstupným výkonom 50 W alebo menej.
Organo-inorganic compounds as follows:
výstupná vlnová dĺžka viac ako 510 nm, ale najviac 540 nm, a niektorá z týchto vlastností:
a.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 50 W, alebo
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 150 W;
b.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 540 nm, ale najviac 800 nm, a výstupný výkon viac ako 30 W;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 800 nm, ale najviac 975 nm, a niektorá z týchto vlastností:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 80 W;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 975 nm, ale najviac 1150 nm, a niektorá z týchto vlastností:
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 500 W, alebo
High resistivity materials as follows:
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
a.
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a výstupný výkon vyšší ako 500 W, alebo
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
výstupný výkon viac ako 2 kW;
b.
6A005.a)6.b) sa nevzťahuje na priemyselné „lasery“ s viacnásobným transverzálnym režimom, výstupným výkonom vyšším ako 2 kW a nepresahujúcim 6 kW a celkovou hmotnosťou vyššou ako 1200 kg.
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
Na účely tejto poznámky celková hmotnosť zahŕňa všetky zložky potrebné na prevádzku „lasera“, napr. „laser“, zdroj energie, výmenník tepla, nezahŕňa však vonkajšiu optiku na úpravu alebo aplikáciu lúča.
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
6A005.a)6.b) sa nevzťahuje na priemyselné „lasery“ s viacnásobným transverzálnym režimom, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
výstupný výkon vyšší ako 500 W, ale nepresahujúci 1 kW, so všetkými týmito vlastnosťami:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
výsledný parameter lúča (BPP) presahujúci 0,7 mm•mrad a
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
,jas‘ nepresahujúci 1024 W/(mm• mrad)2;
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
výstupný výkon vyšší ako 1 kW, ale nepresahujúci 1,6 kW a BPP viac ako 1,25 mm•mrad;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
výstupný výkon vyšší ako 1,6 kW, ale nepresahujúci 2,5 kW a BPP viac ako 1,7 mm•mrad;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
výstupný výkon vyšší ako 2,5 kW, ale nepresahujúci 3,3 kW a BPP viac ako 2,5 mm•mrad;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
výstupný výkon vyšší ako 3,3 kW, ale nepresahujúci 4 kW a BPP viac ako 3,5 mm•mrad;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupný výkon vyšší ako 4 kW, ale nepresahujúci 5 kW a BPP viac ako 5 mm•mrad;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
výstupný výkon vyšší ako 5 kW, ale nepresahujúci 6 kW a BPP viac ako 7,2 mm•mrad;
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
výstupný výkon vyšší ako 6 kW, ale nepresahujúci 8 kW a BPP viac ako 12 mm•mrad, alebo
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
výstupný výkon vyšší ako 8 kW, ale nepresahujúci 10 kW a BPP viac ako 24 mm•mrad.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
Na účely 6A005.a)6.b) Na účely poznámky 2.a) ,jas‘ je definovaný ako výstupný výkon „lasera“ vydelený druhou mocninou výsledného parametra lúča (BPP), t. j. (výstupný výkon)/BPP2.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1150 nm, ale najviac 1555 nm, a niektorá z týchto vlastností:
3E001 does not control 'Process Design Kits' ('PDKs') unless they include libraries implementing functions or technologies for items specified in 3A001.
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 50 W, alebo
A 'Process Design Kit' ('PDK') is a software tool provided by a semiconductor manufacturer to ensure that the required design practices and rules are taken into account in order to successfully produce a specific integrated circuit design in a specific semiconductor process, in accordance with technological and manufacturing constraints (each semiconductor manufacturing process has its particular 'PDK').
viacnásobný transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 80 W,
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1555 nm, ale najviac 1850 nm, a výstupný výkon viac ako 1 W;
a.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1850 nm, ale najviac 2100 nm, a niektorá z týchto vlastností:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 1 W, alebo
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 120 W, alebo
b.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 2100 nm a výstupný výkon viac ako 1 W;
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
ne-„laditeľné“ „pulzné lasery“ vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
c.
výstupná vlnová dĺžka menej ako 150 nm a niektorá z týchto vlastností:
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
výstupná energia viac ako 50 mJ/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 1 W, alebo
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 1 W,
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
výstupná vlnová dĺžka 150 nm alebo viac, ale najviac 510 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 30 W, alebo
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 30 W;
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
6A005.b)2.b) sa nevzťahuje na argónové „lasery“ s „priemerným výstupným výkonom“ 50 W alebo menej.
a.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
Vacuum microelectronic devices;
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W, alebo
b.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W, alebo
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 150 W, alebo
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 150 W;
c.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 540 nm, ale najviac 800 nm, a niektorá z týchto vlastností:
"Superconductive" electronic devices;
„doba trvania impulzu“ menej ako 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
d.
výstupná energia viac ako 0 005 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 5 GW, alebo
Substrates of films of diamond for electronic components.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W, alebo
e.
„doba trvania impulzu“ najmenej 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 30 W, alebo
f.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 30 W;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W;
g.
„doba trvania impulzu“ rovná alebo väčšia ako 1 ps, ale nie väčšia ako 1 μs, a niektorá z týchto vlastností:
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
výstupná energia viac ako 0,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W; alebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W, alebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
„doba trvania impulzu“ viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupná energia viac ako 2 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W
CATEGORY 4 — COMPUTERS
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W, alebo
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 80 W
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, 'main storage' or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
„doba trvania impulzu“ menej ako 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
výstupný „špičkový výkon“ viac ako 2 GW/impulz;
'Main storage' is the primary storage for data or instructions for rapid access by a central processing unit.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 30 W, alebo
It consists of the internal storage of a "digital computer" and any hierarchical extension thereto, such as cache storage or non-sequentially accessed extended storage.
výstupná energia viac ako 0,002 J/impulz;
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
„doba trvania impulzu“ sa rovná alebo je väčšia ako 1 ps, ale je kratšia ako 1 ns, a niektorá z týchto vlastností:
SEE ALSO 4A101.
výstupný „špičkový výkon“ viac ako 5 GW/impulz;
a.
výstupná energia viac ako 0,1 J/impulz;
Specially designed to have any of the following:
„doba trvania impulzu“ rovná alebo väčšia ako 1 ns, ale nie väčšia ako 1 μs, a niektorá z týchto vlastností:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft” applications.
„špičkový výkon“ viac ako 100 MW;
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W konštrukčne obmedzený na maximálnu frekvenciu opakovania impulzov 1 kHz alebo menej;
Total Dose
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 12 %, „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 100 W a schopné prevádzky pri frekvencii opakovania impulzov vyššej ako 1 kHz;
5 × 103 Gy (silicon);
„priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 150 W a schopné prevádzky pri frekvencii opakovania impulzov vyššej ako 1 kHz, alebo
Dose Rate Upset
výstupná energia viac ako 2 J/impulz, alebo
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
Single Event Upset
„špičkový výkon“ viac ako 400 MW;
1 × 10–8 Error/bit/day;
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 500 W;
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 2 kW, alebo
b.
výstupná energia viac ako 4 J/impulz, alebo
Not used.
„doba trvania impulzu“ viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
„špičkový výkon“ viac ako 500 kW;
4A003 includes the following:
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 12 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 100 W, alebo
'Vector processors';
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 150 W, alebo
Array processors;
„špičkový výkon“ viac ako 1 MW;
Digital signal processors;
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 500 W, alebo
Logic processors;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 2 kW;
Equipment designed for "image enhancement".
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1150 nm, ale najviac 1555 nm, a niektorá z týchto vlastností:
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
„doba trvania impulzu“ nie viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W, alebo
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
výstupná energia viac ako 2 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W;
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 80 W
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1555 nm, ale najviac 1850 nm, a niektorá z týchto vlastností:
b.
výstupná energia viac ako 100 mJ/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 1 W, alebo
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 29 Weighted TeraFLOPS (WT);
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1850 nm, ale najviac 2100 nm, a niektorá z týchto vlastností:
c.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
výstupná energia viac ako 100 mJ/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 1 W, alebo
4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 1 W, alebo