natgillin/translations-raw huggingface dataset:
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
obsahujú tri alebo viac elektród;
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
anódové špičkové menovité napätie 2,5 kV alebo viac;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
anódový špičkový menovitý prúd 100 A alebo viac a
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
oneskorenie anódy najviac 10 μs;
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
3A228 zahŕňa plynové krytrónové elektrónky alebo vákuové sprytrónové elektrónky.
Other "technology", as follows:
iskriská so spúšťou vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
b.
oneskorenie anódy najviac 15 μs a
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
dimenzované na špičkový prúd 500 A alebo viac.
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
moduly alebo montážne celky s rýchlou spínacou funkciou, iné ako uvedené v 3A001.g) alebo 3A001.h), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
a.
špičkové anódové menovité napätie vyššie ako 2 kV;
"Superplastic forming";
anódový špičkový menovitý prúd 500 A alebo viac a
b.
spínacia doba najviac 1 μs.
"Diffusion bonding"; or
Impulzné generátory s vysokým prúdom:
c.
odpaľovacie súpravy pre detonátory (iniciačné systémy, odpaľovacie súpravy) vrátane elektronicky, výbuchom a opticky iniciovaných odpaľovacích súprav, iné ako uvedené v 1A007.a), konštruované na iniciáciu detonátorov s viacnásobným ovládaním, uvedených v 1A007.b);
'Direct-acting hydraulic pressing';
generátory modulárnych elektrických impulzov (impulzné generátory), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
konštruované na prenosné alebo mobilné použitie, alebo na použitie v sťažených podmienkach;
a.
schopné dodať energiu za menej ako 15 μs pri zaťažení menšom ako 40 ohmov;
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
výkon vyšší ako 100 A;
Surface preparation;
žiadny rozmer nepresahuje 30 cm;
Strain rate;
hmotnosť menej ako 30 kg a
Temperature;
určené na použitie v rozšírenom tepelnom rozmedzí od 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) alebo určené ako vhodné na vesmírne použitie;
Pressure;
Do 3A229.b) patria aj xenónové zábleskové budiace elektrónky.
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
žiadny rozmer nepresahuje 35 mm;
c.
menovité napätie vo vypnutom stave 1 kV alebo viac a
'Direct-acting hydraulic pressing'of aluminium alloys or titanium alloys:
kapacitancia najmenej 100 nF.
Cycle time;
Vysokorýchlostné impulzné generátory a ich ‚tvarovače impulzov‘, vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
d.
výstupné napätie vyššie ako 6 V do odporovej záťaže menšej ako 55 ohmov a
'Hot isostatic densification' of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
‚doba prechodu impulzu‘ menej ako 500 ps.
'Direct-acting hydraulic pressing' is a deformation process which uses a fluid-filled flexible bladder in direct contact with the workpiece.
V 3A230 je ‚doba prechodu impulzu’ definovaná ako časový interval medzi 10 % a 90 % amplitúdy napätia.
'Hot isostatic densification' is a process of pressurising a casting at temperatures exceeding 375 K (102 °C) in a closed cavity through various media (gas, liquid, solid particles, etc.) to create equal force in all directions to reduce or eliminate internal voids in the casting
,Tvarovače impulzov‘ sú siete na tvorbu impulzov dimenzované na schopnosť zachytiť skokové napätie a premeniť ho na impulzy do rôznych foriem, ktoré môžu zahŕňať pravouhlé, trojuholníkové, skokové, impulzové, exponenciálne alebo monocyklické typy. ,Tvarovače impulzov‘ môžu byť neoddeliteľnou súčasťou generátora impulzov, môžu byť modulmi pripojiteľnými na prístroj alebo môžu byť externe pripojeným prístrojom.
c.
Systémy generátorov neutrónov vrátane elektrónok, vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
navrhnuté na prevádzku bez systému externého vákua a
e.
využívajúce niektoré z nasledujúcich postupov:
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
elektrostatické urýchľovanie na indukovanie jadrovej reakcie trícium-deutérium, alebo
f.
elektrostatické urýchľovanie na indukovanie nukleárnej reakcie deuterium-deuterium a výkon 3 × 109 neutrónov/s alebo väčší.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
Viacbodové iniciačné (spúšťacie) systémy, iné ako uvedené v 1A007:
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
Pre detonátory pozri 1A007.b)
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
sústavy používajúce jeden alebo viacero detonátorov konštruovaných tak, aby takmer súčasne iniciovali výbušný povrch väčší ako 5000 mm2 z jedného zapaľovacieho signálu, pričom časovanie iniciácie sa rozšíri po celom povrchu za menej ako 2,5 μs.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
3A232 sa nevzťahuje na detonátory používajúce iba traskaviny, ako napríklad azid olovnatý (AO).
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
Hmotnostné spektrometre, iné ako uvedené v 0B002.g), schopné merať ióny s atómovými jednotkami hmotnosti (jednotkami pomernej atómovej hmotnosti) 230 alebo vyššími, vyznačujúce sa rozlišovacou schopnosťou lepšou ako 2 diely z 230, a ich zdroje iónov:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
hmotnostné spektrometre s indukčne viazanou plazmou (ICP/MS);
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
hmotnostné spektrometre s tlejivým výbojom (GDMS);
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
hmotnostné spektrometre s tepelnou ionizáciou (TIMS);
Table
hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním, vyznačujúce sa niektorou s týchto vlastností:
Deposition techniques
má prívodný systém molekulárnych lúčov, ktoré vložia do molekuly kolimované svetlo analyzovaných molekúl do oblasti zdroja iónov, kde sa molekuly ionizujú elektrónovým lúčom, a
Coating Process (1)
má jeden alebo viacero ,vymrazovačov‘, ktoré môžu byť vychladené na teplotu 193 K (– 80 °C).
Substrate
nepoužíva sa;
Resultant Coating
hmotnostné spektrometre so zdrojom iónov na mikrofluoráciu, určené pre aktinidy alebo fluoridaktinidy.
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
Hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním v 3A233.d) sú známe aj ako hmotnostné spektrometre s dopadom elektrónov alebo hmotnostné spektrometre s elektrónovou ionizáciou.
"Superalloys"
Páskové vodiče zabezpečujúce nízkoindukčný prívod k detonátorom s týmito charakteristikami:
Aluminides for internal passages
menovité napätie viac ako 2 kV a
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
induktancia nižšia ako 20 nH.
Silicides
Zariadenie na výrobu polovodičových prístrojov alebo materiálov a ich osobitne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
Carbides
POZRI TIEŽ 2B226.
Dielectric layers (15)
zariadenie konštruované na epitaxiálny rast:
Diamond
zariadenie schopné vytvárať vrstvu z iného ako silikónového materiálu s homogénnou hrúbkou v rozmedzí menšom ako ± 2,5 % na vzdialenosť najmenej 75 mm alebo viac;
Diamond-like carbon (17)
3B001.a)1 zahŕňa zariadenie pre epitaxiu atómovou vrstvou (ALE).
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
reaktory na organické chemické vylučovanie kovov z plynnej fázy (MOCVD), navrhnuté na epitaxiálny rast zlúčeninových polovodičových materiálov pozostávajúcich z dvoch alebo viacerých z týchto prvkov: hliník, gálium, indium, arzén, fosfor, antimón alebo dusík;
Refractory metals
zariadenia na epitaxiálny rast pomocou molekulového lúča s použitím plynných alebo tuhých zdrojov;
Mixtures thereof (4)
zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
Aluminides
navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie vodíka, deutéria alebo hélia;
Alloyed aluminides (2)
schopnosť priameho zápisu;
Boron nitride
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho „substrátu“ z polovodičového materiálu, alebo
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie kremíka do „substrátu“ polovodičového materiálu zohriateho na najmenej 600 °C;
Tungsten
viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Molybdenum and Molybdenum alloys
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve funkčne rozdielne 'zariadenia na spracovanie polovodičov' uvedené v 3B001.a)1, 3B001.a)2, 3B001.a)3 alebo 3B001.b) a
Beryllium and Beryllium alloys
navrhnuté tak, aby vytvorili integrovaný systém vo vákuu určený na ,sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov‘;
Sensor window materials (9)
3B001.e) sa nevzťahuje na automatizované robotizované systémy na manipuláciu s plátkami čipov osobitne navrhnuté na paralelné spracovávanie plátkov čipov.
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Na účely 3B001.e) sú ,zariadenia na spracovanie polovodičov‘ modulárne nástroje, ktoré zabezpečujú fyzické procesy vo výrobe polovodičov, ktoré sú funkčne rozdielne, ako napr. nanášanie, implantovanie alebo tepelné spracovanie.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Na účely 3B001.e) ,sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov‘ znamená schopnosť spracovať každý plátok čipu v rôznom ,zariadení na spracovanie polovodičov‘, ako napr. prenosom každého plátku čipu z jedného zariadenia na druhé a tretie prostredníctvom viackomorových systémov na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním.
Alloyed silicides
Litografické zariadenia:
Modified zirconia (12)
zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Corrosion resistant steel (7)
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou ,minimálneho rozlíšiteľného znaku’ (MRF) 45 nm alebo menej; Technická poznámka: Veľkosť ,minimálneho rozlíšiteľného znaku‘ (MRF) sa vypočíta podľa tohto vzorca: kde faktor K = 0,35.
Borides
3B001.f)2 zahŕňa:
Beryllium
mikrokontaktné tlačiarenské nástroje,
Titanium alloys (13)
nástroje na horúcu razbu,
Nitrides
litografické nástroje na tlač v nanorozmeroch,
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
tlačiarenské litografické nástroje „step and flash“ (S-FIL).
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč a
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
veľkosť bodu s plnou šírkou v polovici maxima (FWHM) menej ako 65 nm a umiestnenie obrazca menšieho ako 17 nm (stredná hodnota + 3 sigma), alebo
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
chyba prekrytia druhej vrstvy menej ako 23 nm (stredná hodnota + 3 sigma) na maske;
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
zariadenia navrhnuté na spracovanie zariadení s použitím priamym zapisovacích metód, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
vychýlený zaostrený elektrónový lúč a
Refractory metals and alloys (8)
minimálny rozmer lúča 15 nm alebo menší, alebo
Oxides
chyba prekrytia menej ako 27 nm (stredná hodnota + 3 sigma);
D. Plasma spraying
masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
Abradable Nickel-Graphite
viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu, neuvedené v 3B001.g) a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
vyhotovené na „predliskoch substrátu“ zo skla s dvojlomom menším ako 7 nm/cm, alebo
Abradable Al-Si-Polyester
určené na použitie pre litografické zariadenia so zdrojom svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm;
Aluminium alloys (6)
3B001.h) sa nevzťahuje na viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových prístrojov, na ktoré sa nevzťahuje 3A001.
E. Slurry Deposition
tlačiarenské litografické šablóny určené pre integrované obvody uvedené v 3A001.
Fused silicides
„Predlisky substrátu“ pre masky s viacvrstvovou reflekčnou štruktúrou pozostávajúce z molybdénu a kremíka a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Fused aluminides except for resistance heating elements
špeciálne navrhnuté na ,extrémne ultrafialovú‘ (,EUV‘) litografiu a
F. Sputter Deposition
v súlade s normou SEMI P37.
Noble metal modified aluminides (3)
,Extrémne ultrafialove‘ (,EUV‘) označuje vlnové dĺžky elektromagnetického spektra väčšie ako 5 nm a menšie ako 124 nm.
Platinum
Skúšobné zariadenia osobitne navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
na skúšanie S-parametrov položiek uvedených v 3A001.b)3;
High temperature bearing steels
kremík (Si);
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
germánium (Ge);
Cemented tungsten carbide (16)
karbid kremíka (SiC), alebo
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
„zlúčeniny III/V“ gália alebo india.
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
3C001.d) sa nevzťahuje na „substrát“ s jednou alebo viacerými epitaxiálnymi vrstvami typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP alebo InGaAlP, nezávisle od sekvencie prvkov, s výnimkou prípadu, keď je epitaxiálna vrstva typu P medzi vrstvami typu N.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Odolné materiály a „substráty“ potiahnuté týmito odolnými materiálmi:
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
odolné materiály dimenzované na polovodičovú litografiu:
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 193 nm, ale najmenej 15 nm;
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 15 nm, ale najmenej 1 nm;
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi s citlivosťou 0,01 μcoulomb/mm2 alebo lepšou;
a.
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami uvedenými v 3B001.f)2, ktoré používajú buď tepelné, alebo svetelné postupy.
b.
Organicko-anorganické zlúčeniny:
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99,999 %;
c.
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99,999 %.
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
3C003 sa vzťahuje iba na zlúčeniny, ktorých kovový, čiastočne kovový alebo nekovový prvok je priamo viazaný na uhlík organickej časti molekuly.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Hydridy fosforu, arzénu alebo antimónu s čistotou viac ako 99,999 %, a to aj zriedené v inertných plynoch alebo vo vodíku.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
3C004 sa nevzťahuje na hydridy obsahujúce najmenej 20 % mólových inertných plynov alebo vodíka.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
Vysoko rezistívne materiály:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
polovodičové „substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN) alebo ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
polykryštalické „substráty“ alebo polykryštalické keramické „substráty“, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm, s najmenej jednou epitaxiálnou vrstvou kremíka (Si), karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN) na povrchu „substrátu“.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Materiály neuvedené v 3C001 pozostávajúce zo „substrátu“ uvedeného v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
„Softvér“ zvlášť navrhnutý na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.b až 3A002.h alebo 3B.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ tovarov uvedených v 3A003.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „používanie“ vybavenia uvedeného v 3A101.b).
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
„Softvér“ osobitne navrhnutý na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení alebo materiálu uvedeného v bodoch 3 A, 3 B alebo 3C.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
3E001 sa nevzťahuje na „technológiu“ pre zariadenia alebo súčastí podľa 3A003.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
3E001 sa nevzťahuje na „technológiu“ pre integrované obvody uvedené v bodoch 3A001.a)3 až 3A001.a)12, vyznačujúcich sa všetkými týmito charakteristikami:
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
používajú „technológiu“ s rozlíšením 0,130 μm alebo viac a
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
zahŕňajú viacvrstvové štruktúry s troma alebo viacerými vrstvami kovu.
a.
3E001 sa nevzťahuje na ,súbory na tvorbu procesov‘ (,PDK‘), pokiaľ neobsahujú knižnice implementujúce funkcie alebo technológie položiek uvedených v 3A001.
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
,Súbory na tvorbu procesov‘ (,PDK‘) je softvérový nástroj poskytnutý výrobcom polovodičov, ktorý má zabezpečiť, aby boli zohľadnené povinné postupy a pravidlá tvorby procesov v záujme úspešného vytvorenia konkrétneho návrhu integrovaného obvodu v rámci konkrétneho procesu v oblasti polovodičov v súlade s technologickými a výrobnými požiadavkami (každý proces výroby polovodičov má svoj ,PDK‘).
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii, iná ako uvedená v 3E001, určená na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadra „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ alebo mikroobvodu mikroradiča s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac a ktorékoľvek z týchto vlastností alebo charakteristík:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
,vektorová procesorová jednotka‘ navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);