natgillin/translations-raw huggingface dataset:
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
,Vektorová procesorová jednotka‘ je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) s najmenej jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou a vektorovými registrami, každý s najmenej 32 prvkami.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 64-bitových alebo väčších výsledkov operácií s pohyblivou rádovou čiarkou počas jedného cyklu, alebo
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
navrhnutá na získanie viac ako ôsmich 16-bitových výsledkov násobenia a sčítavania s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako digitálne „spracovanie signálu“).
b.
3E002 sa nevzťahuje na „technológiu“ multimediálnych rozšírení.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
3E002 sa nevzťahuje na „technológie“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadier mikroprocesorov, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
obsahujú viacvrstvové štruktúry, ktoré majú päť alebo menej kovových vrstiev.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
3E002 zahŕňa „technológiu“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ procesorov digitálneho signálu a procesory digitálneho poľa.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Ostatné „technológie“ na „vývoj“ alebo „výrobu“:
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
vákuových mikroelektronických zariadení;
Specific TE-PVD processes are as follows:
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
3E003.b) sa nevzťahuje na „technológiu“ pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz, a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory (HBT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
„supravodivých“ elektronických zariadení;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
substrátov filmov z diamantu pre elektronické súčasti;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
substrátov kremíka na izolátore (SOI) pre integrované obvody, v ktorých je izolátorom oxid kremičitý;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
substrátov karbidu kremíka pre elektronické súčasti;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
elektronických elektrónok, ktoré pracujú pri frekvenciách najmenej 31,8 GHz.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení alebo „softvéru“ uvedeného v 3A001.a)1 alebo 2, 3A101, 3A102 alebo 3D101.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky o technológii na „vývoj“ „softvéru“ uvedeného v 3D101.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.e)2., 3A001.e)3., 3A001.g), 3A201, 3A225 až 3A234.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
„Technológia“ vo forme kódexov alebo kľúčov na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
c.
KATEGÓRIA 4 – POČÍTAČE
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Počítače, príbuzné zariadenia a „softvér“ vykonávajúce telekomunikačné funkcie alebo funkcie „miestnej siete“ sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 1 (Telekomunikácie).
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Riadiace jednotky, ktoré priamo prepájajú zbernice alebo kanály základných jednotiek počítača; ,operačná pamäť‘ ani riadiace jednotky diskovej pamäte sa nepovažujú za telekomunikačné zariadenia popísané v kategórii 5, časti 1 (Telekomunikácie).
An activator (normally a halide salt); and
Pokiaľ ide o stav kontroly „softvéru“ osobitne určeného na prepájanie paketov, pozri 5D001.
An inert powder, most frequently alumina.
,Operačná pamäť‘ je hlavná pamäť pre dáta alebo príkazy na rýchly prístup z centrálnej procesorovej jednotky počítača.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Skladá sa z vnútornej pamäte „digitálneho počítača“ a akéhokoľvek jeho hierarchického rozšírenia, ako je rýchla vyrovnávacia pamäť, alebo nesekvenčne pripojená rozšírená pamäť.
d.
Elektronické počítače a súvisiace zariadenia, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti, „elektronické montážne celky“ a ich osobitne navrhnuté súčasti:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
POZRI TIEŽ 4A101.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
osobitne navrhnuté tak, aby sa vyznačovali niektorou z týchto vlastností:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
dimenzované na prevádzku pri teplote prostredia nižšej ako 228 K (– 45 °C) alebo vyššej ako 358 K (85 °C), alebo
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
4A001.a)1 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v civilných automobiloch, železničných vlakoch alebo „civilných lietadlách“.
e.
s odolnosťou proti žiareniu tak, aby prekračovali všetky tieto špecifikácie:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
celková dávka
f.
5 × 103 Gy (kremík);
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
miera narušenia dávkou
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
5 × 106 Gy (kremík)/s, alebo
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
jednorazové narušenie (SEU)
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
1 × 10–8 chyba/bit/deň;
g.
4A001.a)2 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v „civilných lietadlách“.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
nepoužíva sa;
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
„Digitálne počítače“, „elektronické montážne celky“ a ich príbuzné zariadenia a ich osobitne navrhnuté súčasti:
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
4A003 zahŕňa:
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
‚vektorové procesory‘,
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
procesory poľa,
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
procesory na spracovanie digitálnych signálov,
Electronic items as follows:
logické procesory,
a.
zariadenia určené na „zosilnenie obrazu“.
General purpose integrated circuits, as follows:
Stav kontroly „digitálnych počítačov“ a príbuzných zariadení opísaný v 4A003 sa určuje podľa stavu kontroly ostatných zariadení alebo systémov pod podmienkou, že:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia sú rozhodujúce pre chod ostatných zariadení alebo systémov;
Integrated circuits include the following types:
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia nie sú „základným prvkom“ ostatných zariadení alebo systémov a Pozn.
"Monolithic integrated circuits";
Stav kontroly zariadení na „spracovanie signálu“ alebo na „zosilnenie obrazu“ osobitne navrhnutého pre iné zariadenia s funkciami obmedzenými na funkcie požadované pre iné zariadenia sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení aj vtedy, ak prekračuje kritérium „základného prvku“.
"Hybrid integrated circuits";
Pozn.
"Multichip integrated circuits";
Pre stav kontroly „digitálnych počítačov“ alebo príbuzných zariadení pre telekomunikačné zariadenie pozri kategóriu 5, časť 1 (Telekomunikácie).
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„technológia“ pre „digitálne počítače“ a príbuzné zariadenia sa riadi bodom 4E.
"Optical integrated circuits";
„digitálne počítače“ s „nastaveným špičkovým výkonom“ (APP) vyšším ako 29 vážených teraflopov (WT);
"Three dimensional integrated circuits";
„elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregovaním procesorov tak, aby agregovaný „APP“ prekračoval limit uvedený v 4A003b);
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
4A003.c) sa vzťahuje iba na „elektronické montážne celky“ a programovateľné vzájomné prepojenia neprekračujúce limit uvedený v 4A003.b), ak sa expedujú ako neintegrované „elektronické montážne celky“.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
4A003.c) sa nevzťahuje na „elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté pre určitý produkt alebo skupinu produktov, ktorých maximálna konfigurácia neprekračuje limit uvedený v 4A003.b).
a.
zariadenia osobitne navrhnuté na zabezpečenie súhrnného výkonu „digitálnych počítačov“ prostredníctvom externých prepojení, ktoré umožňujú komunikáciu s jednosmernou rýchlosťou prenosu dát viac ako 2,0 Gbyte/s pre jedno spojenie.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
4A003.g) sa nevzťahuje na zariadenia na vzájomné interné prepojenie (napr. prepojovacie roviny, zbernice), zariadenia na pasívne vzájomné prepojenie, „riadiace jednotky prístupu do siete“ alebo „regulátory komunikačného kanála“.
b.
Počítače a osobitne navrhnuté príbuzné zariadenia, „elektronické montážne celky“ a ich súčasti:
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
„počítače so systolickým poľom“;
c.
„neurónové počítače“;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
„optické počítače“.
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
‚Počítače so systolickým poľom‘ sú počítače, v ktorom môže používateľ dynamicky ovládať tok a modifikáciu údajov na úrovni logického obvodu (hradla).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
‚Neurónove počítače‘ sú výpočtové zariadenia konštruované alebo upravené tak, aby imitovali správanie sa neurónu alebo súboru neurónov, t. j. výpočtové zariadenia, ktoré sa vyznačujú schopnosťou svojho technického vybavenia modulovať hmotnosť a počet prepojení veľkého počtu zložiek výpočtu založených na predchádzajúcich údajoch.
a.
‚Optické počítače‘ sú počítače navrhnuté alebo upravené tak, aby používali na zobrazenie údajov svetlo, a ktorých výpočtové logické prvky sú založené na priamo prepojených optických zariadeniach.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Systémy, zariadenia a súčasti osobitne navrhnuté alebo upravené na výrobu, prevádzku alebo dopravenie „narušiteľského softvéru“ alebo na komunikáciu s ním.
b.
Analógové počítače, „digitálne počítače“ alebo digitálne diferenciálne analyzátory, iné ako uvedené v 4A001.a)1, mechanicky spevnené a navrhnuté alebo upravené na používanie kozmických nosných raketách uvedených v 9A004 alebo sondážnych raketách uvedených v 9A104.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
„Hybridné počítače“ osobitne navrhnuté na modelovanie, simuláciu alebo projektovú integráciu kozmických nosných rakiet uvedených v 9A004 alebo sondážnych rakiet uvedených v 9A104.
c.
Táto kontrola sa uplatňuje iba vtedy, ak sa zariadenia dodávajú so „softvérom“ uvedeným v 7D103 alebo 9D103.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Stav kontroly „softvéru“ pre zariadenia opísané v iných kategóriách je uvedený v príslušnej kategórii.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Nasledujúci „softvér“:
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení alebo „softvéru“ uvedených v bodoch 4A001 až 4A004 alebo 4D.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
„digitálne počítače“ s „nastaveným špičkovým výkonom“ (APP) vyšším ako 15 vážených teraflopov (WT);
ADCs having any of the following:
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na výrobu, prevádzku alebo dopravenie „narušiteľského softvéru“ alebo na komunikáciu s ním.
SEE ALSO 3A101
4D004 sa nevzťahuje na „softvér“ osobitne navrhnutý a obmedzený na poskytovanie aktualizácie alebo modernizácie „softvéru, vyznačujúci sa všetkými týmito vlastnosťami:
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
aktualizácia alebo modernizácia funguje iba so súhlasom vlastníka alebo správcu systému, pre ktorý je určená a
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
po aktualizácii alebo modernizácii už aktualizovaný alebo modernizovaný „softvér“ nie je žiadny z ďalej uvedených:
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
„softvér“ uvedený v 4D004, alebo
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
„narušiteľský softvér“.
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky o technológii pre „vývoj“, „výrobu“ alebo „používanie“ zariadení alebo „softvéru“ uvedeného v 4A alebo v 4D.
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky o technológii, iná ako uvedená v 4E001.a) pre „vývoj“ alebo „výrobu“ týchto zariadení:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
„elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregovaním procesorov tak, aby agregovaný „APP“ prekračoval limit uvedený v 4E001.b)1.
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
„technológia“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ „narušiteľského softvéru“.
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
4E001.a) a 4E001.c) sa nevzťahujú na ‚oznamovanie zraniteľných miest‘ alebo na ‚reakciu na kybernetické incidenty‘.
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
Poznámka 1 neobmedzuje práva príslušného orgánu členského štátu, v ktorom je vývozca usadený, zabezpečovať súlad s 4E001.a) a 4E001.c).
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
‚Oznamovanie zraniteľných miest‘ je proces odhaľovania zraniteľných miest, podávania správ o nich a ich oznamovania v spolupráci s jednotlivcami alebo organizáciami zodpovednými za vykonávanie alebo koordináciu nápravných opatrení na riešenie týchto zraniteľných miest, resp. analýza zraniteľných miest v spolupráci s nimi na uvedený účel.
b.
‚Reakcia na kybernetické incidenty‘ je proces výmeny nevyhnutných informácií o kybernetickom bezpečnostnom incidente s jednotlivcami alebo organizáciami zodpovednými za vykonávanie alebo koordináciu nápravných opatrení na riešenie kybernetického incidentu.
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
TECHNICKÁ POZNÁMKA K „NASTAVENÉMU ŠPIČKOVÉMU VÝKONU“ (APP)
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
„APP“ je nastavená špičková rýchlosť, ktorou „digitálne počítače“ vykonávajú 64-bitové alebo väčšie sčitovania alebo násobenia s pohyblivou rádovou čiarkou.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
„APP“ sa vyjadruje vo vážených teraflopoch (WT), v jednotkách 1012 nastavených operácií s pohyblivou rádovou čiarkou za sekundu.
a.
Skratky používané v tejto technickej poznámke
A settling time less than 9 ns to arrive at or within 0,024 % of full scale from a full scale step; or
n počet procesorov v „digitálnom počítači“
b.
i procesor číslo (i,…n)
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
ti čas cyklu procesora (ti = 1/Fi)
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
frekvencia procesora
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
výpočtová rýchlosť s pohyblivou rádovou čiarkou
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
koeficient nastavenia architektúry
'Adjusted update rate' for DACs:
Náčrt metódy výpočtu „APP“
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Pre každý procesor „i“ sa určí FPOi, čo je najvyšší počet 64-bitových alebo väčších operácií s pohyblivou rádovou čiarkou, ktoré jednotlivé procesory „digitálneho počítača“ vykonajú za cyklus.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Poznámka:
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Pri určovaní FPO sa berú do úvahy len 64-bitové alebo väčšie sčitovania a/alebo násobenia s pohyblivou rádovou čiarkou.
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
Všetky operácie s pohyblivou rádovou čiarkou musia byť vyjadrené v operáciách za cyklus procesora; operácie, ktoré si vyžadujú viacnásobné cykly, sa môžu vyjadriť ako zlomkové výsledky za cyklus.
input data rate
Pri procesoroch, ktoré nie sú schopné výpočtov s pohyblivou rádovou čiarkou 64-bitov alebo viac, sa skutočná výpočtová rýchlosť R rovná nule.
input word rate
Skutočná výpočtová rýchlosť s pohyblivou rádovou čiarkou R pre jednotlivé procesory sa vypočíta ako Ri = FPOi/ti.
input sample rate
Pritom „APP“ sa počíta ako „APP“ = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
maximum total input bus rate
Pri ,vektorových procesoroch‘ je Wi = 0,9.
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
Pri ne-,vektorových procesoroch‘ je Wi = 0,3.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Poznámka 1:
a.
Pri procesoroch, ktoré vykonávajú zložité operácie v cykle, napríklad sčitovanie a násobenie, sa počíta každá operácia.
One or more than one internal "laser" diode;
Poznámka 2:
b.
Pri zreťazenom procesore, ak je reťazenie úplné, sa za efektívnu skutočnú výpočtovú rýchlosť R považuje tá, ktorá je vyššia – zreťazená rýchlosť alebo nezreťazená rýchlosť výpočtu.
One or more than one internal light detecting element; and
Poznámka 3:
c.
Výpočtová rýchlosť R každého prispievajúceho procesora sa vypočíta pri jeho maximálnej teoreticky možnej hodnote skôr, ako sa odvodí „APP“ kombinácia.
Optical waveguides;
Simultánne operácie sa považujú za jestvujúce vtedy, ak výrobca počítača uvádza v manuáli alebo v brožúre priloženej k počítaču súbežné, paralelné alebo simultánne operácie alebo vykonávanie.