natgillin/translations-raw huggingface dataset:
a.
Q sa rovná integrálu i vzhľadom na t, za dobu 1 μs alebo za dobu trvania impulzu lúča (podľa toho, ktorá z nich je kratšia) (Q = ∫ idt), pričom i je prúd lúča v ampéroch a t je čas v sekundách.
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
'Špičkový výkon' = (špičkové napätie vo voltoch) × (špičkový prúd lúča v ampéroch).
b.
V prístrojoch na báze mikrovlnných urýchľovacích kavýt je doba trvania impulzu lúča 1 μs alebo doba trvania paketu zvrstvených zväzkov (podľa toho, ktorá z nich je kratšia), ktorý je výsledkom jedného mikrovlnného impulzu modulátora.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
V strojoch na báze mikrovlnových urýchľovacích kavýt je špičkový prúd lúča priemerný prúd za dobu trvania paketu zvrstvených lúčov.
2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
Meniče alebo generátory frekvencie, iné ako uvedené v 0B001.b)13, použiteľné ako motorové pohony s variabilnou alebo stálou frekvenciou, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
"Softvér" osobitne navrhnutý na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčného meniča alebo generátora, aby spĺňali charakteristiky 3A225, sa uvádza v 3D225.
2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
"Technológia" vo forme kódexov alebo kľúčov na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčného meniča alebo generátora, aby spĺňali charakteristiky 3A225, sa uvádza v 3E225.
2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
viacfázový výstup schopný poskytovať výkon najmenej 40 W;
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
pracuje pri frekvencii najmenej 600 Hz a
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
regulácia frekvencie lepšia (menšia) ako 0,2 %.
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
3A225 sa nevzťahuje na meniče alebo generátory frekvencie, ak majú obmedzenia hardvéru, "softvéru" alebo "technológie", ktoré limitujú výkonnosť väčšmi, než sa uvádza vyššie, za predpokladu, že spĺňajú ktorúkoľvek z týchto podmienok:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
musia sa vrátiť k pôvodnému výrobcovi, aby vykonal zlepšenia alebo znížil obmedzenia;
SEE ALSO 9D004.
vyžadujú si "softvér" uvedený v 3D225 s cieľom zvýšiť alebo znížiť výkonnosť, aby spĺňali charakteristiky 3A225 alebo
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
vyžadujú si "technológiu" vo forme kľúčov alebo kódov, ako sa uvádza v 3E225 s cieľom zvýšiť alebo znížiť výkonnosť, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
Meniče frekvencie uvedené v 3A225 sú známe aj pod názvom konvertory alebo invertory.
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
Meniče frekvencie uvedené v 3A225 možno uvádzať na trh ako generátory, elektronické skúšobné zariadenia, sieťové adaptéry AC, motorové pohony s premenlivou rýchlosťou, pohonné jednotky s premenlivou rýchlosťou (VSDs), pohonné jednotky s nastaviteľnou frekvenciou (AFDs) alebo pohonné jednotky s nastaviteľnou rýchlosťou (ASDs).
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Vysokovýkonné zdroje jednosmerného prúdu okrem druhov uvedených v 0B001.j)6, ktoré majú obe tieto vlastnosti:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
počas 8 hodín sú schopné nepretržite vytvárať najmenej 100 V s prúdovým výstupom najmenej 500 A a
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
počas 8 hodín majú stabilitu prúdu alebo napätia lepšiu ako 0,1 %.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Vysokonapäťové zdroje jednosmerného prúdu okrem druhov uvedených v 0B001.j)5, ktoré majú obe tieto vlastnosti:
Other "technology", as follows:
počas 8 hodín sú schopné nepretržite vytvárať najmenej 20 kV s prúdovým výstupom najmenej 1 A a
a.
Spínacie zariadenia:
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
elektrónky so studenou katódou, plnené alebo neplnené plynom, pracujúce podobne ako iskrisko, vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
b.
obsahujú tri alebo viac elektród;
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
anódové špičkové menovité napätie 2,5 kV alebo viac;
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
anódový špičkový menovitý prúd 100 A alebo viac a
a.
oneskorenie anódy najviac 10 μs;
"Superplastic forming";
3A228 zahŕňa plynové krytrónové elektrónky alebo vákuové sprytrónové elektrónky.
"Diffusion bonding"; or
oneskorenie anódy 15 μs alebo menej a
c.
dimenzované na špičkový prúd 500 A alebo viac.
"Direct-acting hydraulic pressing";
moduly alebo montážne celky s rýchlou spínacou funkciou, iné ako uvedené v 3A001.g) alebo 3A001.h), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
špičkové anódové menovité napätie vyššie ako 2 kV;
a.
anódový špičkový menovitý prúd 500 A alebo viac a
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
spínacia doba najviac 1 μs.
Surface preparation;
Impulzné generátory s vysokým prúdom:
Strain rate;
odpaľovacie súpravy pre detonátory (iniciačné systémy, odpaľovacie súpravy) vrátane elektronicky, výbuchom a opticky iniciovaných odpaľovacích súprav, iné ako uvedené v 1A007.a), konštruované na iniciáciu detonátorov s viacnásobným ovládaním, uvedených v 1A007.b);
Temperature;
generátory modulárnych elektrických impulzov (impulzové generátory), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Pressure;
konštruované na prenosné alebo mobilné použitie, alebo na použitie v sťažených podmienkach;
b.
schopné dodať energiu za menej ako 15 μs pri zaťažení menšom ako 40 ohmov;
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
výkon vyšší ako 100 A;
c.
žiadny rozmer nepresahuje 30 cm;
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
hmotnosť menej ako 30 kg a
Cycle time;
určené na použitie v rozšírenom tepelnom rozmedzí od 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) alebo určené ako vhodné na vesmírne použitie;
d.
Do 3A229.b) patria aj xenónové zábleskové budiace elektrónky.
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
mikrodetonačné jednotky, ktoré majú obidve tieto vlastnosti:
c.
žiadny rozmer nepresahuje 35 mm;
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
špičkové napätie vo vypnutom stave 1 kV alebo viac a
d.
kapacitancia najmenej 100 nF.
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
Vysokorýchlostné impulzné generátory a ich 'tvarovače impulzov', vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
e.
výstupné napätie vyššie ako 6 V do odporovej záťaže menšej ako 55 ohmov a
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
'doba prechodu impulzu' menej ako 500 ps.
f.
V 3A230 je 'doba prechodu impulzu' definovaná ako časový interval medzi 10 % a 90 % amplitúdy napätia.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
'Tvarovače impulzov' sú siete na tvorbu impulzov dimenzované na schopnosť zachytiť skokové napätie a premeniť ho na impulzy do rôznych foriem, ktoré môžu zahŕňať pravouhlé, trojuholníkové, skokové, impulzové, exponenciálne alebo monocyklické typy.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
'Tvarovače impulzov' môžu byť neoddeliteľnou súčasťou generátora impulzov, môžu byť modulmi pripojiteľnými na prístroj alebo môžu byť externe pripojeným prístrojom.
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Systémy generátorov neutrónov vrátane elektrónok, vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
navrhnuté na prevádzku bez systému externého vákua a
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
používajúce niektorý z týchto procesov:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
elektrostatické urýchľovanie na indukovanie nukleárnej reakcie trícium-deutérium alebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
elektrostatické urýchľovanie na indukovanie nukleárnej reakcie deuterium-deuterium a výkon 3 × 109 neutrónov/s alebo väčší.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
Viacbodové iniciačné (spúšťacie) systémy, iné ako uvedené v 1A007:
Table
Pre detonátory pozri 1A007.b).
Deposition techniques
sústavy používajúce jeden alebo viacero detonátorov konštruovaných tak, aby takmer súčasne iniciovali výbušný povrch väčší ako 5000 mm2 z jedného zapaľovacieho signálu, pričom časovanie iniciácie sa rozšíri po celom povrchu za menej ako 2,5 μs.
Coating Process (1) [3]
3A232 sa nevzťahuje na detonátory používajúce iba traskaviny, ako napríklad azid olovnatý (AO).
Substrate
Hmotnostné spektrometre, iné ako uvedené v 0B002.g), schopné merať ióny s atómovými jednotkami hmotnosti (jednotkami pomernej atómovej hmotnosti) 230 alebo vyššími, vyznačujúce sa rozlišovacou schopnosťou lepšou ako 2 diely z 230, a ich zdroje iónov:
Resultant Coating
hmotnostné spektrometre s indukčne viazanou plazmou (ICP/MS);
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
hmotnostné spektrometre s tlejivým výbojom (GDMS);
"Superalloys"
hmotnostné spektrometre s tepelnou ionizáciou (TIMS);
Aluminides for internal passages
hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním, vyznačujúce sa niektorou s týchto vlastností:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
má prívodný systém molekulárnych lúčov, ktoré vložia do molekuly kolimované svetlo analyzovaných molekúl do oblasti zdroja iónov, kde sa molekuly ionizujú elektrónovým lúčom, a
Silicides
má jeden alebo viacero 'vymrazovačov', ktoré môžu byť vychladené na teplotu 193 K (– 80 °C).
Carbides
nepoužíva sa;
Dielectric layers (15)
hmotnostné spektrometre so zdrojom iónov na mikrofluoráciu, určené pre aktinidy alebo fluoridaktinidy.
Diamond
Hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním v 3A233.d) sú známe aj ako hmotnostné spektrometre s dopadom elektrónov alebo hmotnostné spektrometre s elektrónovou ionizáciou.
Diamond-like carbon (17)
V bode 3A233.d)2 'vymrazovač' je zariadenie, ktoré zachytáva molekuly plynu ich kondenzáciou alebo zmrazením na studených povrchoch.
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
Na účely 3A233.d)2 sa plynová héliová kryogénna výveva s uzavretým cyklom nepokladá za 'vymrazovač'.
Refractory metals
Páskové vodiče zabezpečujúce nízkoindukčný prívod k detonátorom s týmito charakteristikami:
Mixtures thereof (4)
menovité napätie viac ako 2 kV; a
Aluminides
induktancia nižšia ako 20 nH.
Alloyed aluminides (2)
Zariadenie na výrobu polovodičových prístrojov alebo materiálov a ich osobitne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
Boron nitride
zariadenie konštruované na epitaxiálny rast:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
zariadenie schopné vytvárať vrstvu z iného ako silikónového materiálu s homogénnou hrúbkou v rozmedzí menšom ako ± 2,5 % na vzdialenosť najmenej 75 mm alebo viac;
Tungsten
3B001.a)1 zahŕňa zariadenie pre epitaxiu atómovou vrstvou (ALE).
Molybdenum and Molybdenum alloys
reaktory na organické chemické vylučovanie kovov z plynnej fázy (MOCVD), navrhnuté na epitaxiálny rast zlúčeninových polovodičových materiálov pozostávajúcich z dvoch alebo viacerých z týchto prvkov: hliník, gálium, indium, arzén, fosfor, antimón alebo dusík;
Beryllium and Beryllium alloys
zariadenia na epitaxiálny rast pomocou molekulového lúča s použitím plynných alebo tuhých zdrojov;
Sensor window materials (9)
zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie vodíka, deutéria alebo hélia;
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
schopnosť priameho zápisu;
Alloyed silicides
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho "substrátu" z polovodičového materiálu, alebo
Modified zirconia (12)
navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie kremíka do "substrátu" polovodičového materiálu zohriateho na najmenej 600 °C;
Corrosion resistant steel (7)
nepoužíva sa;
Borides
viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Beryllium
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve funkčne rozdielne 'zariadenia na spracovanie polovodičov' uvedené v 3B001.a)1, 3B001.a)2, 3B001.a)3 alebo 3B001.b) a
Titanium alloys (13)
navrhnuté tak, aby vytvorili integrovaný systém vo vákuu určený na 'sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov';
Nitrides
3B001.e) sa nevzťahuje na automatizované robotizované systémy na manipuláciu s plátkami čipov osobitne navrhnuté na paralelné spracovávanie plátkov čipov.
B.2.
Na účely 3B001.e) sú 'zariadenia na spracovanie polovodičov' modulárne nástroje, ktoré zabezpečujú fyzické procesy vo výrobe polovodičov, ktoré sú funkčne rozdielne, ako napr. nanášanie, implantovanie alebo tepelné spracovanie.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
Na účely 3B001.e) 'sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov' znamená schopnosť spracovať každý plátok čipu v rôznom 'zariadení na spracovanie polovodičov', ako napr. prenosom každého plátku čipu z jedného zariadenia na druhé a tretie prostredníctvom viackomorových systémov na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
litografické zariadenia:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
má zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 193 nm alebo
Diamond-like carbon
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou 'minimálneho rozlíšiteľného znaku' (MRF) 45 nm alebo menej;
B.4.
Veľkosť 'minimálneho rozlíšiteľného znaku' (MRF) sa vypočíta podľa tohto vzorca:
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
vlnová dĺžka expozičného svetelného zdroja v nm
Polymers (11) and Organic "matrix""composites"
faktor K
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
číselná apertúra
Refractory metals and alloys (8)
kde faktor K = 0,35.
Oxides
tlačiarenské litografické zariadenia schopné vytvoriť detaily veľkosti 45 nm alebo menej;
D. Plasma spraying
3B001.f)2 zahŕňa:
Abradable Nickel-Graphite
mikrokontaktné tlačiarenské nástroje,
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
nástroje na horúcu razbu,
Abradable Al-Si-Polyester
litografické nástroje na tlač v nanorozmeroch,
Aluminium alloys (6)
tlačiarenské litografické nástroje "step and flash" (S-FIL).
E. Slurry Deposition
Zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Fused silicides
vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo "laserový" lúč a
Fused aluminides except for resistance heating elements
veľkosť bodu s plnou šírkou v polovici maxima (FWHM) menej ako 65 nm a umiestnenie obrazca menšieho ako 17 nm (stredná hodnota + 3 sigma) alebo
F. Sputter Deposition
chyba prekrytia druhej vrstvy menej ako 23 nm (stredná hodnota + 3 sigma) na maske;
Noble metal modified aluminides (3)
zariadenia navrhnuté na spracovanie zariadení s použitím priamym zapisovacích metód, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Platinum
vychýlený zaostrený elektrónový lúč a
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
minimálny rozmer lúča 15 nm alebo menší alebo
Dielectic layers (15)
chyba prekrytia menej ako 27 nm (stredná hodnota + 3 sigma);
G. Ion Implantation
masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
High temperature bearing steels
viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu, neuvedené v 3B001.g) a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
vyhotovené na "predliskoch substrátu" zo skla s dvojlomom menším ako 7 nm/cm alebo
Cemented tungsten carbide (16)
určené na použitie pre litografické zariadenia so zdrojom svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm;
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
3B001.h) sa nevzťahuje na viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových prístrojov, na ktoré sa nevzťahuje 3A001.
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
tlačiarenské litografické šablóny určené pre integrované obvody uvedené v 3A001.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Skúšobné zariadenia osobitne navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
na skúšanie S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených v 3A001.b)2.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo "substrátu", na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy niektorého z týchto materiálov:
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
kremík (Si);
a.
germánium (Ge);
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
karbid kremíka (SiC) alebo
b.
"zlúčeniny III/V" gália alebo india.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
3C001.d) sa nevzťahuje na "substrát" s jednou alebo viacerými epitaxiálnymi vrstvami typu P zGaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP alebo InGaAlP, nezávisle od sekvencie prvkov, s výnimkou prípadu, keď je epitaxiálna vrstva typu P medzi vrstvami typu N.
c.
Odolné materiály a "substráty" potiahnuté týmito odolnými materiálmi:
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
odolné materiály dimenzované na polovodičovú litografiu:
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm, ale najmenej 15 nm;
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 15 nm, ale najmenej 1 nm;
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi s citlivosťou 0,01 μcoulomb/mm2 alebo lepšou;
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania;
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami uvedenými v 3B001.f)2, ktoré používajú buď tepelné, alebo svetelné postupy.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Organicko-anorganické zlúčeniny:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99,999 %;
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99,999 %.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
3C003 sa vzťahuje iba na zlúčeniny, ktorých kovový, čiastočne kovový alebo nekovový prvok je priamo viazaný na uhlík organickej časti molekuly.