natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
Na účely 3B001.e) sú ,zariadenia na spracovanie polovodičov‘ modulárne nástroje, ktoré zabezpečujú fyzické procesy vo výrobe polovodičov, ktoré sú funkčne rozdielne, ako napr. nanášanie, implantovanie alebo tepelné spracovanie.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Na účely 3B001.e) ,sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov‘ znamená schopnosť spracovať každý plátok čipu v rôznom ,zariadení na spracovanie polovodičov‘, ako napr. prenosom každého plátku čipu z jedného zariadenia na druhé a tretie prostredníctvom viackomorových systémov na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním.
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
litografické zariadenia:
Diamond-like carbon
zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
má zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 193 nm alebo
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou ,minimálneho rozlíšiteľného znaku’ (MRF) 45 nm alebo menej;
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Veľkosť ,minimálneho rozlíšiteľného znaku‘ (MRF) sa vypočíta podľa tohto vzorca:
Refractory metals and alloys (8)
vlnová dĺžka expozičného svetelného zdroja v nm
Oxides
faktor K
D. Plasma spraying
číselná apertúra
Abradable Nickel-Graphite
kde faktor K = 0,35.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
tlačiarenské litografické zariadenia schopné vytvoriť detaily veľkosti 45 nm alebo menej;
E. Slurry Deposition
nástroje na horúcu razbu,
Fused silicides
litografické nástroje na tlač v nanorozmeroch,
Fused aluminides except for resistance heating elements
tlačiarenské litografické nástroje „step and flash“ (S-FIL).
F. Sputter Deposition
Zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Noble metal modified aluminides (3)
vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč a
Platinum
veľkosť bodu s plnou šírkou v polovici maxima (FWHM) menej ako 65 nm a umiestnenie obrazca menšieho ako 17 nm (stredná hodnota + 3 sigma) alebo
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
chyba prekrytia druhej vrstvy menej ako 23 nm (stredná hodnota + 3 sigma) na maske; 3B001.f) pokračovanie
Dielectic layers (15)
zariadenia navrhnuté na spracovanie zariadení s použitím priamym zapisovacích metód, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
G. Ion Implantation
vychýlený zaostrený elektrónový lúč a
High temperature bearing steels
minimálny rozmer lúča 15 nm alebo menší alebo
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
chyba prekrytia menej ako 27 nm (stredná hodnota + 3 sigma);
Cemented tungsten carbide (16)
masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - NOTES
viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu, neuvedené v 3B001.g) a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
vyhotovené na „predliskoch substrátu“ zo skla s dvojlomom menším ako 7 nm/cm alebo
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
určené na použitie pre litografické zariadenia so zdrojom svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm;
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
3B001.h) sa nevzťahuje na viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových prístrojov, na ktoré sa nevzťahuje 3A001.
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
tlačiarenské litografické šablóny určené pre integrované obvody uvedené v 3A001.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Skúšobné zariadenia osobitne navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
na skúšanie S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
a.
na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených v 3A001.b)2.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo „substrátu“, na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy niektorého z týchto materiálov:
b.
kremík (Si);
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
germánium (Ge);
c.
karbid kremíka (SiC) alebo
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
„zlúčeniny III/V“ gália alebo india.
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
3C001.d) sa nevzťahuje na „substrát“ s jednou alebo viacerými epitaxiálnymi vrstvami typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP alebo InGaAlP, nezávisle od sekvencie prvkov, s výnimkou prípadu, keď je epitaxiálna vrstva typu P medzi vrstvami typu N.
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Odolné materiály a „substráty“ potiahnuté týmito odolnými materiálmi:
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
odolné materiály dimenzované na polovodičovú litografiu:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm, ale najmenej 15 nm;
Category 2 does not include "technology" for single-step pack cementation of solid airfoils.
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 15 nm, ale najmenej 1 nm;
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi s citlivosťou 0,01 μcoulomb/mm2 alebo lepšou;
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania;
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami uvedenými v 3B001.f)2, ktoré používajú buď tepelné, alebo svetelné postupy.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Organicko-anorganické zlúčeniny:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10-7 K-1 or less measured at 293 K (20 °C).
organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99999 %;
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99999 %.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
3C003 sa vzťahuje iba na zlúčeniny, ktorých kovový, čiastočne kovový alebo nekovový prvok je priamo viazaný na uhlík organickej časti molekuly.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Hydridy fosforu, arzénu alebo antimónu s čistotou viac ako 99999 %, a to aj zriedené v inertných plynoch alebo vo vodíku.
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
3C004 sa nevzťahuje na hydridy obsahujúce najmenej 20 % mólových inertných plynov alebo vodíka.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Polovodičové „substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN) alebo ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
„Substráty“ uvedené v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
„Softvér“ zvlášť navrhnutý na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.b až 3A002.h alebo 3B.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ vybavenia uvedeného v 3B001.a) až f), 3B002 alebo 3A225.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Simulačný ‚fyzikálne založený‘„softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
a.
,Fyzikálne založený‘ v 3D003 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznych veličín a vlastností polovodičových materiálov).
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Knižnice, konštrukčné atribúty alebo súvisiace údaje na navrhovanie polovodičových zariadení alebo integrovaných obvodov sa považujú za „technológiu“.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ tovarov uvedených v 3A003.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „používanie“ zariadení uvedených v 3A101.b).
N.B.1.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení alebo materiálov uvedených v bodoch 3A, 3B alebo 3C.
N.B.2.
3E001 sa nevzťahuje na „technológiu“ pre zariadenia alebo súčastí podľa 3A003.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
3E001 sa nevzťahuje na „technológiu“ pre integrované obvody uvedené v bodoch 3A001.a)3 až 3A001.a)12, vyznačujúcich sa všetkými týmito charakteristikami:
N.B.3.
používajú „technológiu“ s rozlíšením 0 130 μm alebo viac a
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
zahŕňajú viacvrstvové štruktúry s troma alebo viacerými vrstvami kovu.
b.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii, iná ako uvedená v 3E001, určená na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadra „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ alebo mikroobvodu mikroradiča s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac a ktorékoľvek z týchto vlastností alebo charakteristík:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
,vektorová procesorová jednotka‘ navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
,Vektorová procesorová jednotka‘ je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) s najmenej jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou a vektorovými registrami, každý s najmenej 32 prvkami.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 64-bitových alebo väčších výsledkov operácií s pohyblivou rádovou čiarkou počas jedného cyklu alebo
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
navrhnutá na získanie viac ako ôsmich 16-bitových výsledkov násobenia a sčítavania s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako digitálne „spracovanie signálu“).
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
3E002 sa nevzťahuje na „technológiu“ multimediálnych rozšírení.
Specific TE-PVD processes are as follows:
3E002 sa nevzťahuje na „technológie“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadier mikroprocesorov, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
3E002 zahŕňa „technológiu“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ procesorov digitálneho signálu a procesory digitálneho poľa.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Ostatné „technológie“ na „vývoj“ alebo „výrobu“:
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
3E003.b) sa nevzťahuje na „technológiu“ pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz, a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory (HBT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
„supravodivých“ elektronických zariadení;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
substrátov filmov z diamantu pre elektronické súčasti;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
substrátov kremíka na izolátore (SOI) pre integrované obvody, v ktorých je izolátorom oxid kremičitý;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení alebo „softvéru“ uvedeného v 3A001.a)1 alebo 2, 3A101, 3A102 alebo 3D101.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky o technológii na „vývoj“„softvéru“ uvedeného v 3D101.
An activator (normally a halide salt); and
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.e)2., 3A001.e)3., 3A001.g), 3A201, 3A225 až 3A234.
An inert powder, most frequently alumina.
„Technológia“ vo forme kódexov alebo kľúčov na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
KATEGÓRIA 4 – POČÍTAČE
d.
Počítače, príbuzné zariadenia a „softvér“ vykonávajúce telekomunikačné funkcie alebo funkcie „miestnej siete“ sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 1 (Telekomunikácie).
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Riadiace jednotky, ktoré priamo prepájajú zbernice alebo kanály základných jednotiek počítača; „operačná pamäť“ ani riadiace jednotky diskovej pamäte sa nepovažujú za telekomunikačné zariadenia popísané v kategórii 5, časti 1 (Telekomunikácie).
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Pokiaľ ide o stav kontroly „softvéru“ osobitne určeného na prepájanie paketov, pozri 5D001.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Elektronické počítače a súvisiace zariadenia, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti, „elektronické montážne celky“ a ich osobitne navrhnuté súčasti:
e.
osobitne navrhnuté tak, aby sa vyznačovali niektorou z týchto vlastností:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
dimenzované na prevádzku pri teplote prostredia nižšej ako 228 K (–45 °C) alebo vyššej ako 358 K (85 °C), alebo
f.
4A001.a)1 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v civilných automobiloch, železničných vlakoch alebo „civilných lietadlách“.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
s odolnosťou proti žiareniu tak, aby prekračovali všetky tieto špecifikácie:
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
5 × 103 Gy (kremík);
g.
5 × 106 Gy (kremík)/s alebo
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
5 × 10–8 chyba/bit/deň;
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
4A001.a)2 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v „civilných lietadlách“.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
nepoužíva sa.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
„Digitálne počítače“, „elektronické montážne celky“ a ich príbuzné zariadenia a ich osobitne navrhnuté súčasti:
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
4A003 zahŕňa:
Electronic items as follows:
‚vektorové procesory‘,
Integrated circuits include the following types:
zariadenia určené na „zosilnenie obrazu“.
"Monolithic integrated circuits";
Stav kontroly „digitálnych počítačov“ a príbuzných zariadení opísaný v 4A003 sa určuje podľa stavu kontroly ostatných zariadení alebo systémov pod podmienkou, že:
"Hybrid integrated circuits";
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia sú rozhodujúce pre chod ostatných zariadení alebo systémov;
"Multichip integrated circuits";
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia nie sú „základným prvkom“ ostatných zariadení alebo systémov a
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Stav kontroly zariadení na „spracovanie signálu“ alebo na „zosilnenie obrazu“ osobitne navrhnutého pre iné zariadenia s funkciami obmedzenými na funkcie požadované pre iné zariadenia sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení aj vtedy, ak prekračuje kritérium „základného prvku“.
"Optical integrated circuits";
Pre stav kontroly „digitálnych počítačov“ alebo príbuzných zariadení pre telekomunikačné zariadenie pozri kategóriu 5, časť 1 (Telekomunikácie).
"Three dimensional integrated circuits";
„Technológia“ pre „digitálne počítače“ a príbuzné zariadenia sa riadi bodom 4E.
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
„digitálne počítače“ s „nastaveným špičkovým výkonom“ (APP) vyšším ako 16 vážených teraflopov (WT);
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
„elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregáciou procesorov tak, že „APP“ agregácie prekročí limit uvedený v 4A003.b);
a.
4A003.c) sa vzťahuje iba na „elektronické montážne celky“ a programovateľné vzájomné prepojenia neprekračujúce limit uvedený v 4A003.b), ak sa expedujú ako neintegrované „elektronické montážne celky“.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
4A003.c) sa nevzťahuje na „elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté pre určitý produkt alebo skupinu produktov, ktorých maximálna konfigurácia neprekračuje limit uvedený v 4A003.b).