natgillin/translations-raw huggingface dataset:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10– 7 K– 1 or less measured at 293 K (20 °C).
Hydridy fosforu, arzénu alebo antimónu s čistotou viac ako 99,999 %, a to aj zriedené v inertných plynoch alebo vo vodíku.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
3C004 sa nevzťahuje na hydridy obsahujúce najmenej 20 % mólových inertných plynov alebo vodíka.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Polovodičové "substráty" karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN) alebo ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
"Substráty" uvedené v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
"Softvér" osobitne navrhnutý na "vývoj" alebo "výrobu" zariadení uvedených v bodoch 3A001.b) až 3A002.h) alebo 3B.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
"Softvér" osobitne navrhnutý na "používanie" vybavenia uvedeného v 3B001.a) až f), 3B002 alebo 3A225.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Simulačný 'fyzikálne založený' "softvér" osobitne navrhnutý na "vývoj" litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
'Fyzikálne založený' v 3D003 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznych veličín a vlastností polovodičových materiálov).
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
Knižnice, konštrukčné atribúty alebo súvisiace údaje na navrhovanie polovodičových zariadení alebo integrovaných obvodov sa považujú za "technológiu".
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
"Softvér" osobitne navrhnutý na "vývoj" zariadení uvedených v 3A003.
a.
"Softvér" osobitne navrhnutý alebo upravený na "používanie" zariadení uvedených v 3A101.b).
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
"Softvér" osobitne navrhnutý na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky k technológii na "vývoj" alebo "výrobu" zariadení alebo materiálov uvedených v bodoch 3A, 3B alebo 3C.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
3E001 sa nevzťahuje na "technológiu" na "výrobu" vybavenia alebo súčastí podľa 3A003.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
3E001 sa nevzťahuje na "technológiu" na "vývoj" alebo "výrobu" integrovaných obvodov uvedených v bodoch 3A001.a)3 až 3A001.a)12, vyznačujúcich sa všetkými týmito charakteristikami:
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
používajú "technológiu" s rozlíšením 0,130 μm alebo viac a
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
zahŕňajú viacvrstvové štruktúry s troma alebo viacerými vrstvami kovu.
b.
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky k technológii, iná ako uvedená v 3E001, určená na "vývoj" alebo "výrobu" jadra "mikroprocesorového mikroobvodu", "mikropočítačového mikroobvodu" alebo mikroobvodu mikroradiča s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac a ktorékoľvek z týchto vlastností alebo charakteristík:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
'vektorová procesorová jednotka' navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
'Vektorová procesorová jednotka' je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) s najmenej jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou a vektorovými registrami, každý s najmenej 32 prvkami.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 64-bitových alebo väčších výsledkov operácií s pohyblivou rádovou čiarkou počas jedného cyklu, alebo
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
navrhnutá na získanie viac ako ôsmich 16-bitových výsledkov násobenia a sčítavania s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako digitálne "spracovanie signálu").
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
3E002 sa nevzťahuje na "technológiu" multimediálnych rozšírení.
Specific TE-PVD processes are as follows:
3E002 sa nevzťahuje na "technológie" na "vývoj" alebo "výrobu" jadier mikroprocesorov, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
obsahujú viacvrstvové štruktúry, ktoré majú päť alebo menej kovových vrstiev.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
3E002 zahŕňa "technológiu" na procesory digitálneho signálu a procesory digitálneho poľa.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Ostatné "technológie" na "vývoj" alebo "výrobu":
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
vákuových mikroelektronických zariadení;
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
3E003.b) sa nevzťahuje na "technológiu" pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz, a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory (HBT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
"supravodivých" elektronických zariadení;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
substrátov filmov z diamantu pre elektronické súčasti;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
substrátov kremíka na izolátore (SOI) pre integrované obvody, v ktorých je izolátorom oxid kremičitý;
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
substrátov karbidu kremíka pre elektronické súčasti;
c.
elektronických elektrónok, ktoré pracujú pri frekvenciách najmenej 31,8 GHz.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky k technológii pre "používanie" zariadení alebo "softvéru" uvedeného v 3A001.a)1 alebo 2, 3A101, 3A102 alebo 3D101.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky o technológii na "vývoj" "softvéru" uvedeného v 3D101.
An activator (normally a halide salt); and
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky k technológii pre "používanie" zariadení uvedených v bodoch 3A001.e)2., 3A001.e)3., 3A001.g), 3A201, 3A225 až 3A234.
An inert powder, most frequently alumina.
"Technológia" vo forme kódexov alebo kľúčov na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
KATEGÓRIA 4 – POČÍTAČE
d.
Počítače, príbuzné zariadenia a "softvér" vykonávajúce telekomunikačné funkcie alebo funkcie "miestnej siete" sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 1 (Telekomunikácie).
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Riadiace jednotky, ktoré priamo prepájajú zbernice alebo kanály základných jednotiek počítača; "operačná pamäť" ani riadiace jednotky diskovej pamäte sa nepovažujú za telekomunikačné zariadenia popísané v kategórii 5, časti 1 (Telekomunikácie).
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Pre stav kontroly "softvéru" osobitne určeného pre prepojovanie paketov pozri 5D001.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Elektronické počítače a súvisiace zariadenia, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti, "elektronické montážne celky" a ich osobitne navrhnuté súčasti:
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
POZRI TIEŽ 4A101.
e.
osobitne navrhnuté tak, aby sa vyznačovali niektorou z týchto vlastností:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
dimenzované na prevádzku pri teplote prostredia nižšej ako 228 K (– 45 °C) alebo vyššej ako 358 K (85 °C) alebo
f.
4A001.a)1 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v civilných automobiloch, železničných vlakoch alebo "civilných lietadlách".
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
s odolnosťou voči žiareniu tak, aby prekračovali všetky tieto špecifikácie:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
celková dávka
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
5 × 103 Gy (kremík);
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
miera narušenia dávkou
g.
5 × 106 Gy (kremík)/s alebo
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
jednorazové narušenie (SEU)
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
1 × 10– 8 chyba/bit/deň;
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
4A001.a)2 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v "civilných lietadlách".
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
nepoužíva sa.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
"Digitálne počítače", "elektronické montážne celky" a ich príbuzné zariadenia a ich osobitne navrhnuté súčasti:
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
4A003 zahŕňa:
Electronic items as follows:
'vektorové procesory',
a.
procesory poľa,
General purpose integrated circuits, as follows:
procesory na spracovanie digitálnych signálov,
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
logické procesory,
Integrated circuits include the following types:
zariadenia určené na "zosilnenie obrazu".
"Monolithic integrated circuits";
Stav kontroly "digitálnych počítačov" a príbuzných zariadení opísaný v 4A003 sa určuje podľa stavu kontroly ostatných zariadení alebo systémov pod podmienkou, že:
"Hybrid integrated circuits";
"digitálne počítače" alebo príbuzné zariadenia sú rozhodujúce pre chod ostatných zariadení alebo systémov;
"Multichip integrated circuits";
"digitálne počítače" alebo príbuzné zariadenia nie sú "základným prvkom" ostatných zariadení alebo systémov a
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Stav kontroly zariadení na "spracovanie signálu" alebo na "zosilnenie obrazu" osobitne navrhnutého pre iné zariadenia s funkciami obmedzenými na funkcie požadované pre iné zariadenia sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení aj vtedy, ak prekračuje kritérium "základného prvku".
"Optical integrated circuits";
Pre stav kontroly "digitálnych počítačov" alebo príbuzných zariadení pre telekomunikačné zariadenie pozri kategóriu 5, časť 1 (Telekomunikácie).
"Three dimensional integrated circuits".
"Technológia" pre "digitálne počítače" a príbuzné zariadenia sa riadi bodom 4E.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
"digitálne počítače" s "nastaveným špičkovým výkonom" (APP) vyšším ako 12,5 vážených teraflopov (WT);
a.
"elektronické montážne celky" osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregáciou procesorov tak, že "APP" agregácie prekročí limit uvedený v 4A003.b);
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
4A003.c) sa vzťahuje iba na "elektronické montážne celky" a programovateľné vzájomné prepojenia neprekračujúce limit uvedený v 4A003.b), ak sa expedujú ako neintegrované "elektronické montážne celky".
b.
4A003.c) sa nevzťahuje na "elektronické montážne celky" osobitne navrhnuté pre určitý produkt alebo skupinu produktov, ktorých maximálna konfigurácia neprekračuje limit uvedený v 4A003.b).
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Pre "elektronické montážne celky", moduly alebo zariadenia vykonávajúce analógovo-digitálne konverzie, pozri 3A002.h).
c.
zariadenia osobitne navrhnuté na zabezpečenie súhrnného výkonu "digitálnych počítačov" prostredníctvom externých prepojení, ktoré umožňujú komunikáciu s jednosmernou rýchlosťou prenosu dát viac ako 2,0 Gbyte/s pre jedno spojenie.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
4A003.g) sa nevzťahuje na zariadenia na vzájomné interné prepojenie (napr. prepojovacie roviny, zbernice), zariadenia na pasívne vzájomné prepojenie, "riadiace jednotky prístupu do siete" alebo "regulátory komunikačného kanála".
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Počítače a osobitne navrhnuté príbuzné zariadenia, "elektronické montážne celky" a ich súčasti:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"počítače so systolickým poľom";
a.
"neurónové počítače";
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
"optické počítače".
b.
Systémy, zariadenia a súčasti osobitne navrhnuté alebo upravené na výrobu, prevádzku alebo dopravenie "narušiteľského softvéru" alebo na komunikáciu s ním.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Analógové počítače, "digitálne počítače" alebo digitálne diferenciálne analyzátory, iné ako uvedené v 4A001.a)1, mechanicky spevnené a navrhnuté alebo upravené na používanie kozmických nosných raketách uvedených v 9A004 alebo sondážnych raketách uvedených v 9A104.
c.
"Hybridné počítače" osobitne navrhnuté na modelovanie, simuláciu alebo projektovú integráciu kozmických nosných rakiet uvedených v 9A004 alebo sondážnych rakiet uvedených v 9A104.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
Táto kontrola sa uplatňuje iba vtedy, ak sa zariadenia dodávajú so "softvérom" uvedeným v 7D103 alebo 9D103.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Stav kontroly "softvéru" pre zariadenia opísané v iných kategóriách je uvedený v príslušnej kategórii.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Nasledujúci "softvér":
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
"Softvér" osobitne navrhnutý alebo upravený na "vývoj" alebo "výrobu" zariadení alebo "softvéru" uvedených v bodoch 4A001 až 4A004 alebo 4D.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
"Softvér", iný ako uvedený v 4D001.a), osobitne navrhnutý alebo upravený na "vývoj" alebo "výrobu" týchto zariadení:
a.
"digitálne počítače" s "nastaveným špičkovým výkonom" (APP) vyšším ako 6,0 vážených teraflopov (WT);
ADCs having any of the following:
"elektronické montážne celky" osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregovaním procesorov tak, aby agregovaný "APP" prekračoval limit uvedený v 4D001.b)1.
SEE ALSO 3A101
"Softvér" osobitne navrhnutý alebo upravený na výrobu, prevádzku alebo dopravenie "narušiteľského softvéru" alebo na komunikáciu s ním.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1000 million words per second;
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky k technológii na "vývoj", "výrobu" alebo "použitie" zariadení alebo "softvéru" uvedených v bodoch 4A alebo 4D.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
"technológia", iná ako uvedená v 4E001.a), osobitne navrhnutá alebo upravená na "vývoj" alebo "výrobu" týchto zariadení:
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
"elektronické montážne celky" osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregovaním procesorov tak, aby agregovaný "APP" prekračoval limit uvedený v 4E001.b)1.
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 million words per second; or
"technológia" na "vývoj" alebo "výrobu" "narušiteľského softvéru".
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 million words per second;
TECHNICKÁ POZNÁMKA K "NASTAVENÉMU ŠPIČKOVÉMU VÝKONU" (APP)
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
"APP" je nastavená špičková rýchlosť, ktorou "digitálne počítače" vykonávajú 64-bitové alebo väčšie sčitovania alebo násobenia s pohyblivou rádovou čiarkou.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
"APP" sa vyjadruje vo vážených teraflopoch (WT), v jednotkách 1012 nastavených operácií s pohyblivou rádovou čiarkou za sekundu.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Skratky používané v tejto technickej poznámke
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
n počet procesorov v "digitálnom počítači"
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
i číslo procesora (i,… n)
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
čas cyklu procesora (ti = 1/Fi)
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
frekvencia procesora
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
výpočtová rýchlosť s pohyblivou rádovou čiarkou
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
koeficient úpravy podľa architektúry.