natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
mechanická rezonančná frekvencia najmenej 750 Hz a
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
viac ako 200 aktuátorov alebo
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) je niektorá z týchto:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
vyššia ako 1 kW/cm2 pri použití „CW lasera“ alebo
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
vyššia ako 2 J/cm2 pri použití 20 ns „laserových“ impulzov s frekvenciou 20 Hz;
f.
6A004.a)2. sa nevzťahuje na zrkadlá osobitne navrhnuté na smerovanie slnečného žiarenia pre pozemné heliostatické zariadenia.
Lithography equipment as follows:
konštrukcie z ľahkých „kompozitných“ alebo penových zrkadlových štruktúr, ktoré majú priemernú „ekvivalentnú hustotu“ menej ako 30 kg/m2 a celkovú hmotnosť viac ako 2 kg;
a.
zrkadlá osobitne navrhnuté pre stupne zrkadiel na usmerňovanie lúčov uvedených v 6A004.d)2.a), s rovinnosťou λ/10 alebo lepšou (λ sa rovná 633 nm), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
priemer alebo dĺžka hlavnej osi je najmenej 100 mm alebo
b.
priemer alebo dĺžka hlavnej osi je väčší ako 50 mm ale menší ako 100 mm a
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) je niektorá z týchto:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
vyššia ako 10 kW/cm2 pri použití „CW lasera“alebo
an exposure light source wavelength in nm
vyššia ako 20 J/cm2 pri použití 20 ns „laserových“ impulzov s opakovacou frekvenciou 20 Hz;
K factor
optické súčasti vyrobené zo selenidu zinku (ZnSe) alebo zo sulfidu zinku (ZnS) s prenosom v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 3000 nm, ale najviac 25000 nm, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
numerical aperture
majú objem viac ako 100 cm3alebo
where the K factor = 0,35
majú priemer alebo dĺžku hlavnej osi viac ako 80 mm a hrúbku (hĺbku) viac ako 20 mm;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
súčasti pre optické systémy „vhodné na vesmírne použitie“:
3B001.f.2. includes:
súčasti odľahčené na viac ako 20 % „ekvivalentnej hustoty“ v porovnaní s jednoliatym predliatkom rovnakej apertúry a hrúbky;
Micro contact printing tools
surové substráty, spracované substráty s povrchovými povlakmi (jednovrstvové alebo viacvrstvové, kovové alebo dielektrické, vodivé, polovodivé alebo izolačné) alebo opatrené ochrannými filmami;
Hot embossing tools
segmenty alebo sústavy zrkadiel navrhnuté na montáž v priestore do optického systému so zbernou apertúrou rovnou alebo väčšou, ako má jedno optické zariadenie s priemerom 1 m;
Nano-imprint lithography tools
súčasti vyrobené z „kompozitných“ materiálov s koeficientom lineárnej tepelnej rozťažnosti rovným alebo menším ako 5 × 10–6 v každom smere súradníc;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
optické ovládacie zariadenia:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
zariadenie osobitne navrhnuté tak, aby si zachovalo povrchový tvar alebo orientáciu súčastí „vhodných na vesmírne použitie“ uvedených v 6A004.c)1 alebo 6A004.c)3;
a.
zariadenie na smerovanie, sledovanie, stabilizáciu alebo na nastavenie rezonátora:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
stupne zrkadiel na smerovanie lúčov určené na upevnenie zrkadiel s priemerom alebo dĺžkou hlavnej osi viac ako 50 mm a vyznačujúce sa všetkými nasledujúcimi vlastnosťami, a ich osobitne navrhnuté elektronické ovládacie príslušenstvo:
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
maximálny uhlový posuv ±26 mrad alebo viac;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
mechanická rezonančná frekvencia najmenej 500 Hz a
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
uhlová „presnosť“ 10 μrad (mikroradiánov) alebo menej (lepšia);
a.
zariadenie na nastavenie rezonátora, ktoré má šírku pásma 100 Hz alebo viac a „presnosť“ 10 μrad alebo menej (lepšiu);
A deflected focused electron beam; and
kardany vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
maximálne natočenie viac ako 5o;
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
šírka pásma 100 Hz alebo viac;
g.
chyby uhlového zamerania 200 μrad (mikroradiánov) alebo menej a
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
majúce niektorú z týchto vlastností:
h.
priemer alebo dĺžka hlavnej osi viac ako 0,15 m, ale najviac 1 m, a schopné uhlového zrýchlenia viac ako 2 rad (radiány)/s2alebo
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
priemer alebo dĺžka hlavnej osi viac ako 1 m a schopné uhlového zrýchlenia viac ako 0,5 rad (radiány)/s2;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
‚asférické optické prvky‘ vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
najväčší rozmer optickej apertúry viac ako 400 mm;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
drsnosť povrchu menej ako 1 nm (rms) pre vzorkovacie dĺžky rovné alebo väčšie ako 1 mm a
i.
absolútna veľkosť koeficientu lineárnej tepelnej rozťažnosti menej ako 3 × 10–6/K pri 25 °C.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
,Asférický optický prvok‘ je ľubovoľný prvok používaný v optickom systéme, ktorého zobrazovací povrch alebo povrchy sú navrhnuté tak, aby sa odchyľovali od tvaru ideálnej gule,
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Od výrobcov sa nevyžaduje, aby merali drsnosť povrchu uvedenú v 6A004.e)2, ak optický prvok nebol navrhnutý ani vyrobený s úmyslom spĺňať alebo prekračovať kontrolný parameter.
a.
6A004.e) sa nevzťahuje na ‚asférické optické prvky‘ s niektorou z týchto vlastností:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
najväčší rozmer optickej apertúry menej ako 1 m a pomer ohniskovej vzdialenosti k apertúre rovný alebo väčší ako 4,5:1;
c.
najväčší rozmer optickej apertúry rovný alebo väčší ako 1 m a pomer ohniskovej vzdialenosti k apertúre rovný alebo väčší ako 7:1;
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
navrhnuté ako Fresnelove, mozaikové (fly-eye), pásikové, hranolové alebo difrakčné optické prvky;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
vyrobené z bórokremičitých skiel s koeficientom lineárnej tepelnej rozťažnosti viac ako 2,5 × 10–6 /K pri 25 °C; alebo
a.
röntgenové optické prvky s vlastnosťami vnútorných zrkadiel (napr. rúrkové zrkadlá).
Silicon (Si);
Pre ‚asférické optické prvky‘ osobitne navrhnuté pre litografické zariadenia pozri v 3B001.
b.
„Lasery“, iné ako uvedené v 0B001.g)5 alebo 0B001.h)6, súčasti a optické zariadenia:
Germanium (Ge);
POZRI TIEŽ 6A205.
c.
Medzi pulzné „lasery“ patria aj tie, ktoré pracujú v režime so stálou vlnou (CW) so superponovanými impulzmi.
Silicon carbide (SiC); or
Excimerové, polovodičové, chemické lasery, CO a CO2 lasery a ,neopakovane pulzujúce‘ „lasery“ s neodýmovým sklom sú uvedené iba v 6A005.d).
d.
,Neopakovane pulzujúce‘ sú „lasery“, ktoré produkujú buď jediný výstupný impulz, alebo pri ktorých časový interval medzi impulzmi presahuje jednu minútu.
"III/V compounds" of gallium or indium.
6A005 zahŕňa aj vláknové „lasery“.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Kontrolný status „laserov“ využívajúcich frekvenčnú konverziu (t. j. zmenu vlnovej dĺžky) iným spôsobom ako čerpaním energie jedného „laseru“ druhým sa určuje pomocou kontrolných parametrov rovnako pre výstup zdrojového „laseru“, ako aj pre optický výstup s konvertovanou frekvenciou.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Poznámka5:
a.
6A005 sa nevzťahuje na tieto „lasery“:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
rubínový s výstupnou energiou menej ako 20 J;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
dusíkový;
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
kryptónový.
b.
V 6A005 je ,energetická efektívnosť‘ vymedzená ako pomer medzi výstupným výkonom „lasera“ (alebo „priemerným výstupným výkonom“) a celkovým elektrickým príkonom potrebným na prevádzku „lasera“ vrátane dodávky/úpravy energie a tepelnej úpravy/výmenníka tepla.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
ne-„laditeľné lasery“ so stálou vlnou (CW), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
d.
výstupná vlnová dĺžka menej ako 150 nm a výstupný výkon viac ako 1 W;
All resists optimised for surface imaging technologies;
výstupná vlnová dĺžka 150 nm alebo viac, ale najviac 510 nm, a výstupný výkon viac ako 30 W;
e.
6A005.a)2 sa nevzťahuje na argónové „lasery“ s výstupným výkonom 50 W alebo menej.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 510 nm, ale najviac 540 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Organo-inorganic compounds as follows:
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 50 W alebo
a.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 150 W;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
výstupná vlnová dĺžka viac ako 540 nm, ale najviac 800 nm, a výstupný výkon viac ako 30 W;
b.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 800 nm, ale najviac 975 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 80 W;
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 975 nm, ale najviac 1150 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 500 W alebo
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
‚energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a výstupný výkon vyšší ako 500 W alebo
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
výstupný výkon viac ako 2 kW;
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
6A005.a)6.b) sa nevzťahuje na priemyselné „lasery“ s viacnásobným transverzálnym režimom, výstupným výkonom vyšším ako 2 kW a nepresahujúcim 6 kW a celkovou hmotnosťou vyššou ako 1200 kg.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Na účely tejto poznámky celková hmotnosť zahŕňa všetky zložky potrebné na prevádzku „lasera“, napr. „laser“, zdroj energie, výmenník tepla, nezahŕňa však vonkajšiu optiku na úpravu a/alebo aplikáciu lúča.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
6A005.a)6.b) sa nevzťahuje na priemyselné „lasery“ s viacnásobným transverzálnym režimom, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
výstupný výkon vyšší ako 500 W, ale nepresahujúci 1 kW, so všetkými týmito vlastnosťami:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
výsledný parameter lúča (BPP) presahujúci 0,7 mm•mrad a
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
,jas‘ nepresahujúci 1024 W/(mm• mrad)2;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
výstupný výkon vyšší ako 1 kW, ale nepresahujúci 1,6 kW a BPP viac ako 1,25 mm•mrad;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupný výkon vyšší ako 1,6 kW, ale nepresahujúci 2,5 kW a BPP viac ako 1,7 mm•mrad;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
výstupný výkon vyšší ako 2,5 kW, ale nepresahujúci 3,3 kW a BPP viac ako 2,5 mm•mrad;
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
výstupný výkon vyšší ako 3,3 kW, ale nepresahujúci 4 kW a BPP viac ako 3,5 mm•mrad;
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
výstupný výkon vyšší ako 4 kW, ale nepresahujúci 5 kW a BPP viac ako 5 mm•mrad;
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
výstupný výkon vyšší ako 5 kW, ale nepresahujúci 6 kW a BPP viac ako 7,2 mm•mrad;
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
výstupný výkon vyšší ako 6 kW, ale nepresahujúci 8 kW a BPP viac ako 12 mm•mrad, alebo
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
výstupný výkon vyšší ako 8 kW, ale nepresahujúci 10 kW a BPP viac ako 24 mm•mrad.
a.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1150 nm, ale najviac 1555 nm, a niektorá z týchto vlastností:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 50 W alebo
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
viacnásobný transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 80 W;
b.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1555 nm, ale najviac 1850 nm, a výstupný výkon viac ako 1 W;
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1850 nm, ale najviac 2100 nm, a niektorá z týchto vlastností:
c.
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 1 W alebo
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 120 W;
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 2100 nm a výstupný výkon viac ako 1 W;
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
ne-„laditeľné“„pulzné lasery“ vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
výstupná vlnová dĺžka menej ako 150 nm a niektorá z týchto vlastností:
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
výstupná energia viac ako 50 mJ/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 1 W alebo
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 1 W;
a.
výstupná vlnová dĺžka 150 nm alebo viac, ale najviac 510 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Vacuum microelectronic devices;
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 30 W alebo
b.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 30 W;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
6A005.b)2.b) sa nevzťahuje na argónové „lasery“ s „priemerným výstupným výkonom“ 50 W alebo menej.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
c.
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W alebo
"Superconductive" electronic devices;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W alebo
d.
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 150 W alebo
Substrates of films of diamond for electronic components.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 150 W;
e.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 540 nm, ale najviac 800 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
„doba trvania impulzu“ menej ako 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
f.
výstupná energia viac ako 0 005 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 5 GW alebo
Substrates of silicon carbide for electronic components;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W alebo
g.
„doba trvania impulzu“ najmenej 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 30 W alebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 30 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
„doba trvania impulzu“ rovná alebo väčšia ako 1 ps, ale nie väčšia ako 1 μs, a niektorá z týchto vlastností:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupná energia viac ako 0,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W;
CATEGORY 4 - COMPUTERS
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W alebo
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W alebo
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
„doba trvania impulzu“ viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
výstupná energia viac ako 2 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W alebo
SEE ALSO 4A101.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 80 W
a.
„doba trvania impulzu“ menej ako 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
Specially designed to have any of the following:
výstupný „špičkový výkon“ viac ako 2 GW/impulz;
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
„doba trvania impulzu“ najmenej 1 ps, ale najviac 1 ns, a niektorá z týchto vlastností:
Total Dose
výstupný „špičkový výkon“ viac ako 5 GW/impulz;
5 × 103 Gy (silicon);
výstupná energia viac ako 0,1 J/impulz;
Dose Rate Upset
„doba trvania impulzu“ rovná alebo väčšia ako 1 ns, ale nie väčšia ako 1 μs, a niektorá z týchto vlastností:
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
Single Event Upset
„špičkový výkon“ viac ako 100 MW;
1 × 10– 8 Error/bit/day;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W konštrukčne obmedzený na maximálnu frekvenciu opakovania impulzov 1 kHz alebo menej;
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 12 %, „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 100 W a schopné prevádzky pri frekvencii opakovania impulzov vyššej ako 1 kHz;
b.
„priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 150 W a schopné prevádzky pri frekvencii opakovania impulzov vyššej ako 1 kHz; alebo
Not used.
výstupná energia viac ako 2 J/impulz alebo
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
4A003 includes the following:
„špičkový výkon“ viac ako 400 MW;
'Vector processors';
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 500 W;
Array processors;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 2 kW alebo
Digital signal processors;
výstupná energia viac ako 4 J/impulz alebo
Logic processors;
„doba trvania impulzu“ viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
Equipment designed for "image enhancement".
„špičkový výkon“ viac ako 500 kW;
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
,energetická efektívnosť‘ vyššia ako 12 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 100 W alebo
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 150 W alebo
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
„špičkový výkon“ viac ako 1 MW;