natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
poskytujú výstupné zobrazovacie údaje v digitálnom formáte a
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
"vhodné na vesmírne použitie" alebo
Anode peak current rating of 500 A or more; and
určené pre vzdušné operácie, používajú iné ako kremíkové detektory a ich IFOV je menej ako 2,5 mrad (miliradiánov);
Turn-on time of 1 μs or less.
6A002.b)1 sa nevzťahuje na "monospektrálne zobrazovacie snímače" s maximálnou odozvou v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 300 nm, ale najviac 900 nm, ktoré obsahujú ktorékoľvek z nasledujúcich detektorov, ktoré nie sú "vhodné na vesmírne použitie", alebo "sústav s ohniskovou rovinou", ktoré nie sú "vhodné na vesmírne použitie":
High-current pulse generators as follows:
zariadenia s viazanými nábojmi (CCD) nenavrhnuté ani neupravené na dosiahnutie 'nábojového násobenia' alebo
a.
zariadenia s doplňujúcou sa štruktúrou kov-oxid-polovodič (CMOS) nenavrhnuté ani neupravené na dosiahnutie 'nábojového násobenia'.
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
zobrazovacie zariadenia 's priamym náhľadom', ktorých súčasťou je niektoré z uvedených:
b.
elektrónky na zosilnenie jasu obrazu uvedené v 6A002.a)2.a) alebo 6A002.a)2.b);
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
"sústavy s ohniskovou rovinou" uvedené v 6A002.a)3 alebo
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
detektory v pevnej fáze uvedené v 6A002.a)1.;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
'Priamy náhľad' sa vzťahuje na zobrazovacie zariadenia, ktoré poskytujú vizuálny obraz ľudskému pozorovateľovi bez konverzie obrazu na elektronický signál zobrazovaný televíznou obrazovkou a ktoré nemôžu zaznamenávať ani uchovávať obraz fotograficky, elektronicky a ani žiadnym iným spôsobom.
Having an output greater than 100 A;
6A002.c) sa nevzťahuje na nasledujúce zariadenia, ktorých súčasťou sú iné fotokatódy ako GaAs alebo GaInAs:
No dimension greater than 30 cm;
poplašné zariadenia signalizujúce vniknutie do priemyselných alebo civilných objektov, systémy riadenia v doprave alebo priemysle alebo počítacie systémy;
Weight less than 30 kg; and
zdravotnícke prístroje;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
priemyselné zariadenia používané na kontrolu, triedenie alebo analýzu vlastností materiálov;
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
plameňové detektory pre priemyselné pece;
c.
zariadenia osobitne navrhnuté na laboratórne použitie.
Micro-firing units having all of the following characteristics:
osobitné podporné súčasti pre optické snímače:
No dimension greater than 35 mm;
kryochladiče "vhodné na vesmírne použitie",
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
kryochladiče, ktoré nie sú "vhodné na vesmírne použitie", s teplotou chladiaceho zdroja menej ako 218 K (–55 °C):
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
typ s uzatvoreným okruhom so špecifikovanou strednou dobou do prvej poruchy (MTTF) alebo strednou dobou bezporuchovej prevádzky (MTBF) viac ako 2500 hodín;
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Joule-Thomsonove (JT) samoregulačné minichladiče s vyvŕtanými otvormi (vonkajšieho) priemeru menej ako 8 mm;
a.
vlákna na optické snímanie osobitne vyrobené buď zložením alebo štruktúrou, alebo upravené potiahnutím tak, aby boli citlivé akusticky, tepelne, inerciálne, elektromagneticky alebo voči jadrovému žiareniu;
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
6A002.d)3 sa nevzťahuje na zapuzdrené vlákna na optické snímanie osobitne navrhnuté na snímanie vrtných otvorov.
b.
nepoužíva sa.
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Kamery, systémy alebo zariadenia a ich súčasti:
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
POZRI TIEŽ 6A203.
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Prístrojové kamery a ich osobitne navrhnuté súčasti:
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
Prístrojové kamery uvedené v 6A003.a)3 až 6A003.a)5 s modulárnymi štruktúrami sa majú hodnotiť podľa svojho maximálneho výkonu pri použití výmenných častí, ktoré sú k dispozícii podľa špecifikácií výrobcu kamery.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
vysokorýchlostné filmové kamery používajúce ľubovoľný formát filmu 8 mm až 16 mm vrátane, v ktorých sa film plynulo posúva počas celej doby záznamu a ktoré sú schopné zaznamenávať rýchlosťou viac ako 13150 okienok/s;
a.
6A003.a)1 sa nevzťahuje na filmové kamery navrhnuté na civilné účely.
Designed for operation without an external vacuum system; and
mechanické vysokorýchlostné kamery, v ktorých sa film nepohybuje a ktoré sú schopné zaznamenávať rýchlosťami viac ako 1000000 okienok/s pri plnej výške okienka 35 mm filmu alebo úmerne vyššími rýchlosťami pri menších výškach okienok alebo úmerne nižšími rýchlosťami pri väčších výškach okienok;
b.
mechanické alebo elektronické kamery s kontinuálnym záznamom (streak cameras):
Utilizing any of the following:
mechanické kamery s kontinuálnym záznamom s rýchlosťou zápisu viac ako 10 mm/ms;
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
elektronické kamery s kontinuálnym záznamom s časovým rozlíšením lepším ako 50 ns;
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
kamery s elektronickým nastavovaním obrazu s rýchlosťou viac ako 1000000 okienok/s;
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
elektronické kamery vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
See 1A007.b. for detonators.
rýchlosť elektronickej uzávierky (hradlový výkon) menej ako 1 μs na celé okienko a
b.
doba čítania z pamäte umožňujúca rýchlosť nastavovania obrazu viac ako 125 celých okienok za sekundu;
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
výmenné časti vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
osobitne navrhnuté pre prístrojové kamery, ktoré majú modulárne štruktúry a sú uvedené v 6A003.a) a
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
umožňujú týmto kamerám dosahovať vlastnosti uvedené v 6A003.a)3, 6A003.a)4 alebo 6A003.a)5 podľa špecifikácií výrobcu;
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
6A003.b) sa nevzťahuje na televízne kamery ani videokamery osobitne navrhnuté pre televízne vysielanie.
b.
Videokamery vybavené polovodičovými snímačmi, s maximálnou odozvou v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 10 nm ale najviac 30000 nm, vyznačujúce sa niektorým z týchto parametrov:
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
majúce niektorú z týchto vlastností:
c.
viac ako 4 × 106 "aktívnych pixelov" na polovodičové pole pre monochromatické (čiernobiele) kamery;
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
viac ako 4 × 106"aktívnych pixlov" na polovodičové pole pre farebné kamery obsahujúce tri polovodičové polia alebo
d.
viac ako 12 × 106"aktívnych pixlov" pre farebné kamery s polovodičovým poľom, ktoré majú jedno polovodičové pole a
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
optické zrkadlá uvedené v 6A004.a);
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
optické kontrolné zariadenia uvedené v 6A004.d) alebo
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
schopnosť vyložiť interne generované 'sledovacie údaje kamery';
e.
Na účely tejto položky sa digitálne videokamery majú hodnotiť podľa maximálneho počtu 'aktívnych pixlov' používaných na zachytenie pohyblivých obrazov.
Not used;
Na účely tejto položky sú 'sledovacie údaje kamery' informácie nevyhnutné na určenie čiary orientácie hľadáčika s ohľadom na zem.
f.
To zahŕňa: 1) horizontálny uhol, ktorý čiara hľadáčika vytvára vo vzťahu k smeru zemského magnetického poľa a 2) vertikálny uhol medzi čiarou hľadáčika kamery a zemským horizontom.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Snímacie kamery a snímacie kamerové systémy vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
maximálna odozva v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 10 nm, ale najviac 30000 nm;
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
polia s lineárnym detektorom s viac ako 8192 prvkami na pole a
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
mechanické snímanie v jednom smere;
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
6A003.b)2 sa nevzťahuje na snímacie kamery a snímacie kamerové systémy osobitne navrhnuté pre ktorýkoľvek z týchto výrobkov:
a.
priemyselné alebo civilné kopírovacie zariadenia;
Voltage rating greater than 2 kV; and
obrazové skenery osobitne navrhnuté na civilné, stacionárne skenovacie aplikácie skenujúce zblízka (napr. reprodukcia obrázkov alebo tlače uvedených v dokumentoch, umeleckých dielach alebo fotografiách); alebo
b Inductance of less than 20 nH.
zdravotnícke prístroje.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
zobrazovacie kamery vybavené elektrónkami na zosilnenie jasu obrazu, uvedené v 6A002.a)2.a) alebo 6A002.a)2.b);
a.
zobrazovacie kamery vybavené "sústavami s ohniskovou rovinou" vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
sú vybavené "sústavami s ohniskovou rovinou" uvedenými v 6A002.a)3.a) až 6A002.a)3.e);
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
sú vybavené "sústavami s ohniskovou rovinou" uvedenými v 6A002.a)3.f) alebo
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
sú vybavené "sústavami s ohniskovou rovinou", uvedenými v 6A002.a)3.g);
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Zobrazovacie kamery uvedené v 6A003.b)4 obsahujú "sústavy s ohniskovou rovinou" v kombinácii s elektronikou na dostatočné "spracovanie signálu", ktorá prekračuje dobu čítania integrovaných obvodov, aby minimálne umožnený výstup analógového alebo digitálneho signálu, ak je dodaná elektrická energia.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
6A003.b)4.a) sa nevzťahuje na zobrazovacie kamery vybavené lineárnymi "sústavami s ohniskovou rovinou" s najviac 12 prvkami, ktoré v rámci daného prvku nepoužívajú časové oneskorenie a integráciu a sú navrhnuté na niektorý z týchto účelov:
b.
priemyselné zariadenia používané na kontrolu alebo monitorovanie tepelných tokov v budovách, zariadeniach alebo priemyselných procesoch;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
zariadenia osobitne navrhnuté na laboratórne použitie alebo
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
6A003.b)4.b) sa nevzťahuje na zobrazovacie kamery s niektorou z týchto vlastností:
Direct write capability;
maximálna obnovovacia frekvencia rovná alebo nižšia ako 9 Hz;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
minimálne horizontálne alebo vertikálne 'okamžité zorné pole (IFOV)' najmenej 10 mrad/pixel (miliradiánov/pixel);
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
obsahujú šošovku s pevnou ohniskovou vzdialenosťou, ktorá nie je navrhnutá ako odnímateľná;
d.
nie sú vybavené obrazovkou na 'priame pozorovanie' a
Not used;
nie sú vybavené zariadením na získavanie viditeľných záberov snímaného zorného poľa alebo
e.
kamera je určená na jednotlivé aplikácie a navrhnutá tak, aby nemohla byť modifikovaná užívateľom, alebo
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
kamera je osobitne určená na montáž do civilného osobného pozemného vozidla a vyznačuje sa všetkými týmito vlastnosťami:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
umiestnenie a konfigurácia kamery vo vozidle majú iba pomáhať vodičovi pri bezpečnej prevádzke vozidla;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
kamera funguje, iba keď je namontovaná:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
v pozemnom vozidle civilného cestujúceho, pre ktoré bola určená a vozidlo váži menej ako 4500 kg (brutto hmotnosť vozidla) alebo
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
v osobitne určenom autorizovanom skúšobnom testovacom zariadení a
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý znemožní fungovanie kamery, ak je odstránená z vozidla, pre ktoré bola určená.
f.
'Horizontálne IFOV' = horizontálne zorné pole (FOV)/počet horizontálnych snímacích prvkov
Lithography equipment as follows:
'Vertikálne IFOV' = vertikálne zorné pole (FOV)/počet vertikálnych snímacích prvkov.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
6A003.b)4.c) sa nevzťahuje na zobrazovacie kamery, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
a.
kamera je špeciálne navrhnutá na montáž ako zabudovaná súčasť interiérového systému alebo vybavenia na elektrickú zásuvku a svojou konštrukciou je obmedzená na jeden druh nasledujúcich aplikácií:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
monitorovanie priemyselného procesu, kontrola kvality alebo analýza vlastností materiálu;
b.
laboratórne vybavenie osobitne určené na vedecký výskum;
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
zariadenia na zisťovanie finančných podvodov a
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
v systémoch a zariadeniach, pre ktoré bola určená, alebo
an exposure light source wavelength in nm
v špeciálne navrhnutých a autorizovaných údržbárskych zariadeniach a
K factor
je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý znemožní fungovanie kamery po jej odstránení zo systémov a zariadení, pre ktoré bola určená;
numerical aperture
ak je kamera je osobitne určená na montáž do civilného osobného pozemného vozidla alebo do prevozných lodí na prepravu cestujúcich a vozidiel a vyznačuje sa všetkými týmito vlastnosťami:
where the K factor = 0,35
umiestnenie a konfigurácia kamery vo vozidle alebo prevoznej lodi majú iba pomáhať vodičovi alebo obsluhe pri bezpečnej prevádzke vozidla alebo prevoznej lode;
3B001.f.2. includes:
v prevoznej lodi pre cestujúcich a automobily, pre ktoré bola určená a ktorá má celkovú dĺžku (LOA) najmenej 65 m, alebo
Micro contact printing tools
v osobitne určenom autorizovanom údržbárskom skúšobnom zariadení a
Nano-imprint lithography tools
je konštrukčne obmedzená tak, aby mala maximálnu "citlivosť na žiarenie" 10 mA/W alebo menej pre vlnové dĺžky nad 760 nm, a má všetky tieto vlastnosti:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
sú vybavené mechanizmom obmedzenia odozvy, ktorý je navrhnutý tak aby sa nedal odstrániť alebo pozmeniť
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý znemožní fungovanie kamery po odstránení mechanizmu obmedzenia odozvy, a
a.
nie je osobitne navrhnutá alebo upravená na použitie pod vodou alebo
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
nie je vybavená obrazovkou na 'priame pozorovanie' alebo elektronické zobrazovanie;
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
nemá žiadne zariadenie na výstup viditeľného obrazu z pozorovaného zorného poľa;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
"sústava s ohniskovou rovinou" je funkčná, iba ak je namontovaná v kamere, pre ktorú bola určená, a
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
"sústava s ohniskovou rovinou" je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý ju natrvalo znefunkční, ak sa odstráni z kamery, pre ktorú bola určená;
a.
zobrazovacie kamery, ktoré sú vybavené detektormi v pevnej fáze uvedenými v 6A002.a)1.
A deflected focused electron beam; and
Optické zariadenia a ich súčasti:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
optické zrkadlá (reflektory):
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Na účely 6A004.a) sa prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) meria podľa normy ISO 21254-1:2011.
g.
Pre optické zrkadlá osobitne navrhnuté pre litografické zariadenia pozri 3B001.
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
"deformovateľné zrkadlá" majúce aktívnu optickú apertúru viac ako 10 mm, vyznačujúce sa niektorou z nasledujúcich charakteristík, a ich osobitne navrhnuté súčasti;
h.
majúce všetko ďalej uvedené:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
mechanická rezonančná frekvencia najmenej 750 Hz a
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
viac ako 200 aktuátorov alebo
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) je niektorá z týchto:
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
vyššia ako 1 kW/cm2 pri použití "CW lasera" alebo
i.
vyššia ako 2 J/cm2 pri použití 20 ns "laserových" impulzov s frekvenciou 20 Hz;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
ľahké monolitické zrkadlá s priemernou "ekvivalentnou hustotou" menej ako 30 kg/m2 a celkovou hmotnosťou viac ako 10 kg;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
6A004.a)2. sa nevzťahuje na zrkadlá osobitne navrhnuté na smerovanie slnečného žiarenia pre pozemné heliostatické zariadenia.
a.
konštrukcie z ľahkých "kompozitných" alebo penových zrkadlových štruktúr, ktoré majú priemernú "ekvivalentnú hustotu" menej ako 30 kg/m2 a celkovú hmotnosť viac ako 2 kg;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
6A004.a)3. sa nevzťahuje na zrkadlá osobitne navrhnuté na smerovanie slnečného žiarenia pre pozemské heliostatické inštalácie zariadení.
c.
zrkadlá osobitne navrhnuté pre stupne zrkadiel na usmerňovanie lúčov uvedených v 6A004.d)2.a), s rovinnosťou λ/10 alebo lepšou (λ sa rovná 633 nm), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
priemer alebo dĺžka hlavnej osi je najmenej 100 mm; alebo
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
majú všetko ďalej uvedené:
a.
priemer alebo dĺžka hlavnej osi je väčší ako 50 mm ale menší ako 100 mm a
Silicon (Si);
prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) je niektorá z týchto:
b.
vyššia ako 10 kW/cm2 pri použití "CW lasera" alebo
Germanium (Ge);
vyššia ako 20 J/cm2 pri použití 20 ns "laserových" impulzov s frekvenciou 20 Hz;
c.
optické súčasti vyrobené zo selenidu zinku (ZnSe) alebo zo sulfidu zinku (ZnS) s prenosom v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 3000 nm, ale najviac 25000 nm, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
Silicon carbide (SiC); or
majú objem viac ako 100 cm3 alebo
d.
majú priemer alebo dĺžku hlavnej osi viac ako 80 mm a hrúbku (hĺbku) viac ako 20 mm;
"III/V compounds" of gallium or indium.
súčasti pre optické systémy "vhodné na vesmírne použitie":
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
súčasti odľahčené na viac ako 20 % "ekvivalentnej hustoty" v porovnaní s jednoliatym predliatkom rovnakej apertúry a hrúbky;
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
surové substráty, spracované substráty s povrchovými povlakmi (jednovrstvové alebo viacvrstvové, kovové alebo dielektrické, vodivé, polovodivé alebo izolačné) alebo opatrené ochrannými filmami;
a.
segmenty alebo sústavy zrkadiel navrhnuté na montáž v priestore do optického systému so zbernou apertúrou rovnou alebo väčšou, ako má jedno optické zariadenie s priemerom 1 m;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
súčasti vyrobené z "kompozitných" materiálov s koeficientom lineárnej tepelnej rozťažnosti rovným alebo menším ako 5 × 10– 6 v každom smere súradníc;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
optické ovládacie zariadenia:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
zariadenie osobitne navrhnuté tak, aby si zachovalo povrchový tvar alebo orientáciu súčastí "vhodných na vesmírne použitie" uvedených v 6A004.c)1 alebo 6A004.c)3;
b.
zariadenie na smerovanie, sledovanie, stabilizáciu alebo na nastavenie rezonátora:
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
stupne zrkadiel na smerovanie lúčov určené na upevnenie zrkadiel s priemerom alebo dĺžkou hlavnej osi viac ako 50 mm a vyznačujúce sa všetkými nasledujúcimi vlastnosťami, a ich osobitne navrhnuté elektronické ovládacie príslušenstvo:
d.
maximálny uhlový posuv ± 26 mrad alebo viac;
All resists optimised for surface imaging technologies;
mechanická rezonančná frekvencia najmenej 500 Hz a
e.
uhlová "presnosť" 10 μrad (mikroradiánov) alebo menej (lepšia);