natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
prenosné alebo mobilné rádiotelefóny na civilné použitie (napr. na použitie v komerčných civilných celulárnych rádiokomunikačných systémoch), ktoré nie sú schopné zasielať šifrované údaje priamo inému rádiotelefónu alebo zariadeniu [inému ako je zariadenie rádiovej prístupovej siete (RAN)], ani zasielať šifrované údaje cez zariadenia RAN [napr. cez riadiacu jednotku rádiovej siete (RNC) alebo riadiacu jednotku základňovej stanice (BSC)];
e.
bezšnúrové telefónne zariadenia neschopné šifrovania bez medzifáz, ak maximálny efektívny dosah nezosilnenej bezšnúrovej činnosti (t. j. jediný nereléový skok medzi koncovou a domácou základňovou stanicou) je podľa špecifikácie výrobcu menej ako 400 m;
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz;
prenosné alebo mobilné rádiotelefóny a podobné klientske bezdrôtové zariadenia na civilné použitie, v ktorých sú implementované iba zverejnené alebo komerčné kryptografické normy (s výnimkou protipirátskych funkcií, ktoré môžu byť nezverejnené) a ktoré tiež spĺňajú ustanovenia bodov a)2 až a)4 poznámky o kryptografii (poznámka 3 v kategórii 5, časti 2) a ktoré boli zákazkovo upravené pre osobitné aplikácie civilného sektoru s vlastnosťami, ktoré neovplyvňujú kryptografické funkcie pôvodných neupravených prístrojov;
f.
bezdrôtové zariadenia „osobnej siete“, v ktorých sú implementované iba zverejnené alebo komerčné kryptografické normy a v ktorých je šifrovacia schopnosť obmedzená na menovitý prevádzkový rozsah, ktorý nie je väčší ako 30 metrov podľa špecifikácií výrobcu, alebo nie je väčší ako 100 metrov podľa špecifikácií výrobcu pre zariadenie, ktoré nie je schopné prepojiť navzájom viac než sedem prístrojov;
Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesized frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 90 GHz; or
zariadenia, ktoré nemajú žiadnu z funkcií uvedených v 5A002.a)2, 5A002.a)4., 5A002.a)7., 5A002.a)8 alebo 5A002.b) a spĺňajú všetky tieto podmienky:
g.
celá šifrovacia schopnosť stanovená v bode 5A002.a) spĺňa nasledujúce podmienky:
Less than 1 ms within the synthesized frequency range exceeding 90 GHz;
nemožno ju použiť alebo
For general purpose "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
možno ju sprístupniť len „aktiváciou šifrovania“ a
c.
Pre zariadenia, ktoré prešli „aktiváciou šifrovania“, pozri bod 5A002.a).
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Pozri tiež 5A002.b), 5D002.d) a 5E002.b).
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
zariadenia rádiovej prístupovej siete (RAN) mobilných telekomunikácií konštruované na civilné použitie, ktoré tiež spĺňajú ustanovenia písmen a)2 až a)4 poznámky o kryptografii (poznámka 3 v kategórii 5, časti 2), pričom majú výstupný RF výkon obmedzený na 0,1 W (20 dBm) alebo menej a 16 alebo menej súbežných používateľov;
a.
smerovače, spínače alebo relé, v ktorých je funkcia „bezpečnosť informácií“ obmedzená na úlohy spojené s „prevádzkou, správou alebo údržbou“ (OAM), pri ktorých sa používajú iba zverejnené alebo komerčné kryptografické normy, alebo
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
počítačové vybavenie alebo servery na všeobecné účely, kde funkcia „bezpečnosť informácií“ spĺňa všetky tieto podmienky:
b.
používa iba zverejnené alebo komerčné kryptografické normy a
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
má niektorú z týchto vlastností:
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB;
je neoddeliteľnou súčasťou CPU, ktorá spĺňa ustanovenia poznámky 3 ku kategórii 5 – časti 2;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
je neoddeliteľnou súčasťou operačného systému, ktorý nie je uvedený v 5D002 alebo
A bandwidth greater than 250 MHz; or
je obmedzená na „OAM“ zariadenia.
A dispersive delay of more than 10 μs; or
Skúšobné, kontrolné a „výrobné“ zariadenia „informačnej bezpečnosti“:
c.
zariadenia osobitne navrhnuté na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení uvedených v 5A002 alebo 5B002.b);
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
meracie zariadenia osobitne navrhnuté na vyhodnocovanie a overovanie platnosti funkcií „informačnej bezpečnosti“ zariadení uvedených v 5A002 alebo „softvéru“ uvedeného v 5D002.a) alebo 5D002.c).
A 'frequency side-lobe rejection' exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
„softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „vývoj“, „výrobu“ alebo „používanie“ zariadení uvedených v 5A002 alebo „softvér“ uvedený v 5D002.c);
'Frequency side-lobe rejection' is the maximum rejection value specified in data sheet.
„softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na podporu „technológie“ uvedenej v 5E002;
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
špecifický „softvér“:
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
„softvér“ vyznačujúci sa vlastnosťami zariadení uvedených v 5A002 alebo vykonávajúci alebo simulujúci ich funkcie;
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
„softvér“ na certifikovanie „softvéru“ uvedeného v 5D002.c)1;
d.
sa nevzťahuje na „softvér“ obmedzený na úlohy „OAM“, pri ktorých sa používajú iba zverejnené alebo komerčné kryptografické normy.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
„softvér“ navrhnutý alebo upravený, tak, aby sa „aktiváciou šifrovania“ určitej položky dosiahli alebo prekročili kontrolované úrovne funkčnosti stanovené v 5A002.a), ktoré by sa inak nedali dosiahnuť.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
„technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii na „vývoj“, „výrobu“ alebo „používanie“ zariadení uvedených v 5A002 a 5B002, alebo „softvér“ uvedený v 5D002.a) alebo 5D002.c);
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
„technológia“, ktorá umožňuje, aby sa „aktiváciou šifrovania“ určitej položky dosiahli alebo prekročili kontrolované úrovne funkčnosti stanovené v 5A002.a), ktoré by sa inak nedali dosiahnuť.
e.
Do 5E002 patria aj technické údaje týkajúce sa „bezpečnosti informácií“, vyplývajúce z postupov, ktorých cieľom je vyhodnotiť alebo stanoviť vykonávanie funkcií, vlastností alebo techník uvedených v kategórii 5 – časti 2.
High energy devices as follows:
KATEGÓRIA 6 –
'Cells' as follows:
SNÍMAČE A LASERY
a.
Akustické systémy, zariadenia a ich súčasti:
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
námorné akustické systémy, zariadenia a osobitne navrhnuté súčasti:
b.
aktívne (vysielacie alebo vysielacie a prijímacie) systémy, zariadenia a ich osobitne navrhnuté súčasti:
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 300 Wh/kg at 20 °C;
1 sa nevzťahuje na tieto zariadenia:
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
hĺbkové sonary pracujúce vertikálne pod prístrojom bez snímacej funkcie prekračujúcej hodnotu ±20° a obmedzené na meranie hĺbky vody, vzdialenosti ponorených alebo v zemi uložených objektov alebo vyhľadávanie rýb;
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
akustické majáky:
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
akustické núdzové majáky;
It is the basic building block of a battery.
bzučiaky osobitne navrhnuté na premiestňovanie alebo návrat do polohy pod vodou.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
zariadenia na akustický prieskum morského dna:
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
prieskumné zariadenia na povrchových plavidlách navrhnuté na topografické mapovanie morského dna a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
navrhnuté na merania pod uhlom viac ako 20° od zvislice;
High energy storage capacitors as follows:
navrhnuté na merania topografie morského dna v hĺbke viac ako 600 m pod vodnou hladinou;
N.B
‚rozlíšenie oziev‘ menej ako 2 a
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
‚zvýšenie‘ hĺbkovej presnosti prostredníctvom kompenzácie pre všetky tieto aspekty:
a.
pohyb akustického snímača;
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
rýchlosť šírenia zvuku vo vode od snímača na dno a späť;
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
rýchlosť zvuku na snímači;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
‚Rozlíšenie oziev‘ je podiel šírky riadku (v stupňoch) a maximálneho počtu oziev na riadok.
A total energy equal to or more than 25 kJ;
‚Zvýšenie‘ zahŕňa schopnosť kompenzácie externými prostriedkami.
b.
zariadenia na prieskum pod vodou, navrhnuté na topografické mapovanie morského dna a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Tlakový rozsah akustického snímača určuje hĺbkové zatriedenie zariadení uvedených v 6A001.a)1.a)2.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
majúce všetky tieto vlastnosti:
A total energy equal to or more than 100 J; and
navrhnuté alebo upravené na prácu v hĺbke presahujúcej 300 m a
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
‚frekvencia oziev‘ vyššia ako 3 800 m/s alebo
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
‚Frekvencia oziev‘ je súčin maximálnej rýchlosti (m/s), pri ktorej môže snímač pracovať, a maximálneho počtu oziev na riadok pri predpokladanom 100 % pokrytí.
SEE ALSO 3A201.b.
Pri systémoch, ktoré produkujú ozveny v dvoch smeroch (3D sonary), by sa mala použiť maximálna ‚frekvencia oziev‘ v ktoromkoľvek smere.
e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
prieskumné zariadenia neuvedené 6A001.a)1.a)2.a), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
navrhnuté na merania pod uhlom viac ako 20° od zvislice;
b.
prevádzková frekvencia pod 350 kHz alebo
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
navrhnuté na merania topografie morského dna v rozsahu viac než 200 m od akustického snímača a
c.
‚zvýšenie‘ hĺbkovej presnosti prostredníctvom kompenzácie pre všetky tieto aspekty:
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
pohyb akustického snímača;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
rýchlosť šírenia zvuku vo vode od snímača na dno a späť a
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
rýchlosť zvuku na snímači;
f.
sonar na bočné snímanie (SSS) alebo sonar so syntetickou apertúrou (SAS), navrhnuté na zobrazovanie morského dna a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
navrhnuté alebo upravené na prácu v hĺbke presahujúcej 500 m;
g.
‚miera pokrytia plochy‘ vyššia ako 570 m2/s pri práci v maximálnom rozsahu, v ktorom môže pracovať s ‚pozdĺžnym rozlíšením dráhy‘ menej ako 15 cm a
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
‚priečne rozlíšenie dráhy‘ menej ako 15 cm;
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
‚Miera pokrytia plochy‘ (m2/s)n je dvojnásobok súčinu maximálneho rozsahu snímača (m) a maximálnej rýchlosti (m/s), pri ktorej môže snímač pracovať v tomto rozsahu.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
‚Pozdĺžne rozlíšenie dráhy‘ (cm) – len pre SSS – je súčin azimutu (v horizontálnej rovine) rozpätia lúčov (v stupňoch), maximálneho rozsahu snímača (m) a konštanty 0,873.
a.
‚Priečne rozlíšenie dráhy‘ (cm) je dané podielom čísla 75 a frekvenčného rozsahu (šírky pásma) signálu (kHz).
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
systémy alebo vysielacie a prijímacie sústavy určené na detekciu alebo lokalizáciu objektov, vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
b.
vysielacia frekvencia menej ako 10 kHz;
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
hladina akustického tlaku viac ako 224 dB (referenčná hodnota 1 μPa v hĺbke 1 m) pre zariadenia s pracovnou frekvenciou v pásme 10 kHz až 24 kHz vrátane;
g. includes:
hladina akustického tlaku viac ako 235 dB (referenčná hodnota 1 μPa v hĺbke 1 m) pre zariadenia s pracovnou frekvenciou v pásme 24 kHz až 30 kHz;
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
vytvárajú lúče menej ako 1° k ľubovoľnej osi a majú pracovnú frekvenciu menej ako 100 kHz;
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
sú navrhnuté tak, aby pracovali v jednoznačnom zobrazovacom rozsahu presahujúcom 5 120 m alebo
Light Triggering Thyristors (LTTs)
sú navrhnuté tak, aby pri normálnej prevádzke vydržali tlak v hĺbkach viac ako 1000 m, a sú vybavené prevodníkmi, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
dynamická kompenzácia tlaku alebo
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
ako prevodníkový prvok obsahujú inú látku ako zirkoničito-titaničitan olovnatý;
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
akustické projektory vrátane prevodníkov obsahujúce piezoelektrické, magnetostrikčné, elektrostrikčné, elektrodynamické alebo hydraulické prvky, ktoré fungujú samostatne alebo v navrhnutej kombinácii a vyznačujú sa niektorou z týchto vlastností:
Solidtrons
Kontrolný status akustických projektorov vrátane prevodníkov osobitne navrhnutých pre ostatné zariadenia neuvedené v 6A001 sa určuje kontrolným statusom týchto ostatných zariadení.
g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
sa nevzťahuje na elektronické zdroje, ktoré usmerňujú zvuk iba vertikálne, ani na mechanické (napr. striekacie pištole alebo parné nárazové pištole) alebo chemické (napr. výbušné) zdroje.
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
Piezoelektrické prvky uvedené 6A001.a)1.c) zahŕňajú prvky vyrobené z monokryštálov rastúcich v tuhom roztoku oxidu horečnato-triolovnato-diniobičného/oxidu olovnato-titaničitého [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, alebo PMN-PT], alebo z monokryštálov rastúcich v tuhom roztoku oxidu indio-niobično-diolovnatého/oxidu horečnato-triolovnato-diniobičného/oxidu olovnato-titaničitého [Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, alebo PIN-PMN-PT].
h.
pracujú pri frekvenciách pod 10 kHz a vyznačujú sa niektorou z týchto vlastností:
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
nie sú určené na nepretržitú prevádzku so 100 % pracovným cyklom a majú vyžarovanú ‚úroveň voľného zdrojového poľa (SLRMS)‘ viac ako (10 log (F) + 169,77) dB (referenčná hodnota 1 μPa v hĺbke 1 m), kde f je frekvencia maximálnej odozvy vysielacieho napätia (TVR) v hertzoch menej ako 10 kHz, alebo
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
sú určené na nepretržitú prevádzku so 100 % pracovným cyklom a majú vyžarovanú ‚úroveň voľného zdrojového poľa (SLRMS)‘ pri 100 %-nom pracovnom cykle viac ako (10 log (F) + 159,77) dB (referenčná hodnota 1 μPa v hĺbke 1 m), kde f je frekvencia maximálnej odozvy vysielacieho napätia (TVR) v hertzoch menej ako 10 kHz, alebo
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
‚Úroveň voľného zdrojového poľa (SLRMS)‘ je definovaná pozdĺž osi maximálnej odozvy a v diaľkovom poli akustického projektoru.
Continuous current greater than 1 A.
Možno ju vypočítať z maximálnej odozvy vysielacieho napätia pomocou tejto rovnice: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) dB (referenčná hodnota 1 μPa na 1 m), kde SLRMS je úroveň zdroja, TVR je maximálna odozva vysielacieho napätia a VRMS je prevádzkové napätie projektora.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
potlačenie postranných slučiek nad 22 dB;
h. includes:
akustické systémy a zariadenia navrhnuté na určovanie polohy hladinových plavidiel alebo ponorných plavidiel, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti, a súčasti osobitne pre ne navrhnuté:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
detekčný rozsah nad 1000 m a
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
presnosť určovania polohy menej ako 10 m rms (efektívna hodnota) meraná v rozsahu 1000 m;
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
zahŕňa:
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
zariadenia používajúce koherentné „spracovanie signálu“ medzi dvoma alebo viacerými majákmi a hydrofónnou jednotkou, ktorá sa nachádza na palube hladinového plavidla alebo ponorného plavidla;
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
zariadenia schopné automaticky korigovať chyby rýchlosti šírenia zvuku pri výpočte určitého bodu.
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
aktívne samostatné sonary osobitne navrhnuté alebo upravené na detekciu, lokalizáciu a automatickú klasifikáciu plavcov alebo potápačov, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti, a ich osobitne navrhnuté vysielacie a prijímacie akustické polia:
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
detekčný rozsah nad 530 m;
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
presnosť určovania polohy menej ako 15 m rms (efektívna hodnota) meraná v rozsahu 530 m a
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
šírka pásma prenášaného signálneho impulzu nad 3 kHz;
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
Pre systémy na detekciu potápačov osobitne navrhnuté alebo upravené na vojenské použitie pozri kontroly vojenských tovarov.
PiN Diodes
Na účely 6A001.a)1.e), ak sa pre rôzne prostredia stanovia viaceré detekčné rozsahy, použije sa najširší detekčný rozsah.
Schottky Diodes
pasívne systémy, zariadenia a ich osobitne navrhnuté súčasti:
h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
hydrofóny vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Kontrolný status hydrofónov osobitne navrhnutých pre iné zariadenia sa určuje kontrolným statusom týchto iných zariadení.
General purpose electronic equipment as follows:
Hydrofóny pozostávajú z jednej alebo viacerých snímacích prvkov, ktoré vytvárajú jednotný akustický výstupný kanál.
a.
Tie, ktoré obsahujú viaceré prvky, môžu byť uvedené ako skupina hydrofónov.
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
obsahujú spojité pružné snímacie prvky;
Waveform digitisers and transient recorders, having all of the following:
obsahujú pružné systémy diskrétnych snímacích prvkov s priemerom alebo dĺžkou menej ako 20 mm a s odstupom medzi jednotlivými prvkami menej ako 20 mm;
a.
sú vybavené niektorým z týchto snímacích prvkov:
Digitising rate equal to or more than200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more;
optické vlákna;
b.
‚piezoelektrické polymérové filmy‘ iné ako polyvinylidénfluorid (PVDF) a jeho kopolyméry [P(VDF-TrFE) a P(VDF-TFE)];
A 'continuous throughput' of 2 Gbit/s or more; and
„pružné piezoelektrické kompozitné materiály“;
c.
piezoelektrické monokryštály rastúce v tuhom roztoku oxidu horečnato-triolovnato-diniobičného/oxidu olovnato-titaničitého [t. j.
Triggered acquisition of transients or aperiodic signals
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, alebo PMN-PT] alebo
For those instruments with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
piezoelektrické monokryštály rastúce v tuhom roztoku indito-niobično-diolovnatého/oxiduhorečnato-triolovnato-diniobičného/oxidu olovnato-titaničitého [t. j.
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, alebo PIN-PMN-PT];
For the purposes of 3A002.a.5.c., acquisition can be triggered internally or externally.
‚citlivosť hydrofónu‘ lepšia ako –180 dB v ľubovoľnej hĺbke bez kompenzácie zrýchlenia;
Digital instrumentation data recorder systems using magnetic disk storage technique and having all of the following, and specially designed digital recorders therefor:
navrhnuté na prevádzku v hĺbkach viac ako 35 m s kompenzáciou zrýchlenia alebo
a.
navrhnuté na prevádzku v hĺbkach viac ako 1000 m;
Digitised instrumentation data rate equal to or more than 100 million samples per second at a resolution of 8 bit or more; and
Snímacie prvky ‚piezoelektrického polymérového filmu‘ sú zložené z polarizovaného polymérového filmu, ktorý je natiahnutý a pripojený k podpornému rámu alebo cievke (vretenu).
b.
Snímacie prvky ‚pružných piezoelektrických kompozitných materiálov‘ sú zložené z piezoelektrických keramických zložiek alebo vlákien kombinovaných s elektricky izolačnou akusticky transparentnou gumou, polymérom alebo epoxidovou zlúčeninou, kde zlúčenina je neoddeliteľnou súčasťou snímacích prvkov.
A 'continuous throughput' of 1 Gbit/s or more;
‚Citlivosť hydrofónu‘ je definovaná ako dvadsaťnásobok logaritmu so základom 10 pomeru rms výstupného napätia a referenčnej hodnoty 1 V rms, ak je hydrofónny snímač bez predradeného zosilňovača umiestnený v akustickom poli s rovinnými vlnami a rms tlakom 1 μPa.
Digital instrumentation data recorder systems can be configured either with a digitiser integrated within or outside the digital recorder.
Napríklad hydrofón s citlivosťou –160 dB (referenčná hodnota 1 V na 1 μPa) vydá v takomto poli výstupné napätie 10–8 V, kým hydrofón s citlivosťou –180 dB vydá iba 10–9 V. Možno teda povedať, že –160 dB je lepšie ako –180 dB.
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
vlečné sústavy akustických hydrofónov vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností: