natgillin/translations-raw huggingface dataset:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
navrhnuté ako Fresnelove, mozaikové (fly-eye), pásikové, hranolové alebo difrakčné optické prvky;
c.
vyrobené z bórokremičitých skiel s koeficientom lineárnej tepelnej rozťažnosti viac ako 2,5 x 10–6 /K pri 25 °C alebo
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
röntgenové optické prvky s vlastnosťami vnútorných zrkadiel (napr. rúrkové zrkadlá).
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Pre ‚asférické optické prvky‘ osobitne navrhnuté pre litografické zariadenia pozri v 3B001.
a.
„Lasery“, iné ako uvedené v 0B001.g)5 alebo 0B001.h)6, súčasti a optické zariadenia:
Silicon (Si);
POZRI TIEŽ 6A205.
b.
Medzi pulzné „lasery“ patria aj tie, ktoré pracujú v režime so stálou vlnou (CW) so superponovanými impulzmi.
Germanium (Ge);
Excimerové, polovodičové, chemické lasery, CO a CO2 lasery a ‚neopakovane pulzujúce‘ „lasery“ s neodýmovým sklom sú uvedené iba v 6A005.d).
c.
‚Neopakovane pulzujúce‘ sú „lasery“, ktoré produkujú buď jediný výstupný impulz, alebo pri ktorých časový interval medzi impulzmi presahuje jednu minútu.
Silicon carbide (SiC); or
005 zahŕňa aj vláknové „lasery“.
d.
Kontrolný status „laserov“ využívajúcich frekvenčnú konverziu (t. j. zmenu vlnovej dĺžky) iným spôsobom ako čerpaním energie jedného „laseru“ druhým sa určuje pomocou kontrolných parametrov rovnako pre výstup zdrojového „laseru“, ako aj pre optický výstup s konvertovanou frekvenciou.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Poznámka 5:
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
005 sa nevzťahuje na tieto „lasery“:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
rubínový s výstupnou energiou menej ako 20 J;
a.
dusíkový;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
kryptónový.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
V 6A005 je ‚energetická efektívnosť‘ vymedzená ako pomer medzi výstupným výkonom „lasera“ (alebo „priemerným výstupným výkonom“) a celkovým elektrickým príkonom potrebným na prevádzku „lasera“ vrátane dodávky/úpravy energie a tepelnej úpravy/výmenníka tepla.
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
ne-„laditeľné lasery“ so stálou vlnou (CW), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
b.
výstupná vlnová dĺžka menej ako 150 nm a výstupný výkon viac ako 1 W;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
výstupná vlnová dĺžka 150 nm alebo viac, ale najviac 510 nm, a výstupný výkon viac ako 30 W;
d.
2 sa nevzťahuje na argónové „lasery“ s výstupným výkonom 50 W alebo menej.
All resists optimised for surface imaging technologies;
výstupná vlnová dĺžka viac ako 510 nm, ale najviac 540 nm, a niektorá z týchto vlastností:
e.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 50 W alebo
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 150 W;
Organo-inorganic compounds as follows:
výstupná vlnová dĺžka viac ako 540 nm, ale najviac 800 nm, a výstupný výkon viac ako 30 W;
a.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 800 nm, ale najviac 975 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a výstupný výkon viac ako 80 W;
b.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 975 nm, ale najviac 1150 nm, a niektorá z týchto vlastností:
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 200 W alebo
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
‚energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a výstupný výkon vyšší ako 500 W alebo
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
výstupný výkon viac ako 2 kW;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
sa nevzťahuje na priemyselné „lasery“ s viacnásobným transverzálnym režimom, výstupným výkonom vyšším ako 2 kW a nepresahujúcim 6 kW a celkovou hmotnosťou vyššou ako 1200 kg.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Na účely tejto poznámky celková hmotnosť zahŕňa všetky zložky potrebné na prevádzku „lasera“, napr. „laser“, zdroj energie, výmenník tepla, nezahŕňa však vonkajšiu optiku na úpravu a/alebo aplikáciu lúča.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
sa nevzťahuje na priemyselné „lasery“ s viacnásobným transverzálnym režimom, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
výstupný výkon vyšší ako 500 W, ale nepresahujúci 1 kW, so všetkými týmito vlastnosťami:
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
výsledný parameter lúča (BPP) presahujúci 0,7 mm•mrad a
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
‚jas‘ nepresahujúci 1 024 W/(mm• mrad)2;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
výstupný výkon vyšší ako 1 kW, ale nepresahujúci 1,6 kW a BPP viac ako 1,25 mm•mrad;
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
výstupný výkon vyšší ako 1,6 kW, ale nepresahujúci 2,5 kW a BPP viac ako 1,7 mm•mrad;
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
výstupný výkon vyšší ako 2,5 kW, ale nepresahujúci 3,3 kW a BPP viac ako 2,5 mm•mrad;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstupný výkon vyšší ako 3,3 kW, ale nepresahujúci 4 kW a BPP viac ako 3,5 mm•mrad;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
výstupný výkon vyšší ako 4 kW, ale nepresahujúci 5 kW a BPP viac ako 5 mm•mrad;
001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
výstupný výkon vyšší ako 5 kW, ale nepresahujúci 6 kW a BPP viac ako 7,2 mm•mrad;
001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
výstupný výkon vyšší ako 6 kW, ale nepresahujúci 8 kW a BPP viac ako 12 mm•mrad alebo
Using "technology" at or above 0.130 μm; and
výstupný výkon vyšší ako 8 kW, ale nepresahujúci 10 kW a BPP viac ako 24 mm•mrad.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1150 nm, ale najviac 1555 nm, a niektorá z týchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
jednoduchý transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 50 W alebo
a.
viacnásobný transverzálny režim a výstupný výkon viac ako 80 W, alebo
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1555 nm a výstupný výkon viac ako 1 W;
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
ne-„laditeľné“ „pulzné lasery“ vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
b.
výstupná vlnová dĺžka menej ako 150 nm a niektorá z týchto vlastností:
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
výstupná energia viac ako 50 mJ/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 1 W alebo
c.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 1 W;
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
výstupná vlnová dĺžka 150 nm alebo viac, ale najviac 510 nm, a niektorá z týchto vlastností:
c. does not control "technology" for multimedia extensions.
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 30 W alebo
002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 30 W;
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
sa nevzťahuje na argónové „lasery“ s „priemerným výstupným výkonom“ 50 W alebo menej.
002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W alebo
a.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W; alebo
Vacuum microelectronic devices;
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 150 W alebo
b.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 150 W;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
výstupná vlnová dĺžka viac ako 540 nm, ale najviac 800 nm, a niektorá z týchto vlastností:
b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
„doba trvania impulzu“ menej ako 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
c.
výstupná energia viac ako 0 005 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 5 GW alebo
"Superconductive" electronic devices;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W; alebo
d.
„doba trvania impulzu“ najmenej 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
Substrates of films of diamond for electronic components.
výstupná energia viac ako 1,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 30 W alebo
e.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 30 W;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W;
f.
„doba trvania impulzu“ rovná alebo väčšia ako 1 ps, ale nie väčšia ako 1 μs, a niektorá z týchto vlastností:
Substrates of silicon carbide for electronic components;
výstupná energia viac ako 0,5 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W;
g.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W; alebo
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W alebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
„doba trvania impulzu“ viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
výstupná energia viac ako 2 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 50 W;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 50 W alebo
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 80 W
CATEGORY 4 —
výstupná vlnová dĺžka viac ako 975 nm, ale najviac 1 150 nm, a niektorá z týchto vlastností:
COMPUTERS
„doba trvania impulzu“ menej ako 1 ps a niektorá z týchto vlastností:
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstupný „špičkový výkon“ viac ako 2 GW/impulz;
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 10 W; alebo
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
výstupná energia viac ako 0 002 J/impulz;
Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
„doba trvania impulzu“ sa rovná alebo je väčšia ako 1 ps, ale je kratšia ako 1 ns, a niektorá z týchto vlastností:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
výstupný „špičkový výkon“ viac ako 5 GW/impulz;
SEE ALSO 4A101.
výstupná energia viac ako 0,1 J/impulz;
a.
„doba trvania impulzu“ rovná alebo väčšia ako 1 ns, ale nie väčšia ako 1 μs, a niektorá z týchto vlastností:
Specially designed to have any of the following:
výstup charakteru jednoduchého transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
„špičkový výkon“ viac ako 100 MW;
a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 20 W konštrukčne obmedzený na maximálnu frekvenciu opakovania impulzov 1 kHz alebo menej;
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
‚energetická efektívnosť‘ vyššia ako 12 %, „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 100 W a schopné prevádzky pri frekvencii opakovania impulzov vyššej ako 1 kHz;
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
„priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 150 W a schopné prevádzky pri frekvencii opakovania impulzov vyššej ako 1 kHz alebo
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
výstupná energia viac ako 2 J/impulz alebo
Single Event Upset 1 × 10–8 Error/bit/day;
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a niektorá z týchto vlastností:
a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
„špičkový výkon“ viac ako 400 MW;
b.
‚energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 500 W;
Not used.
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 2 kW alebo
'Vector processors';
„špičkový výkon“ viac ako 500 kW;
Array processors;
‚energetická efektívnosť‘ vyššia ako 12 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 100 W; alebo
Digital signal processors;
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 150 W alebo
Logic processors;
„špičkový výkon“ viac ako 1 MW;
Equipment designed for "image enhancement";
‚energetická efektívnosť‘ vyššia ako 18 % a „priemerný výstupný výkon“ vyšší ako 500 W alebo
Equipment designed for "signal processing".
„priemerný výstupný výkon“ viac ako 2 kW
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1150 nm, ale najviac 1555 nm, a niektorá z týchto vlastností:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
„doba trvania impulzu“ nie viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
„doba trvania impulzu“ viac ako 1 μs a niektorá z týchto vlastností:
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
výstup charakteru viacnásobného transverzálneho režimu a „priemerný výstupný výkon“ viac ako 80 W alebo
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1555 nm a niektorá z týchto vlastností:
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
výstupná energia viac ako 100 mJ/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 1 W alebo
b.
„laditeľné“ „lasery“ vyznačujúce sa niektorými z týchto parametrov:
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 8.0 Weighted TeraFLOPS (WT);
výstupná vlnová dĺžka menej ako 600 nm a niektorá z týchto vlastností:
c.
priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 1 W;
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
1 sa nevzťahuje na lasery na báze farbív ani na iné kvapalinové lasery s multimodálnym výstupom, vlnovou dĺžkou najmenej 150 nm, najviac však 600 nm, a so všetkými týmito vlastnosťami:
c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
výstupná energia menej ako 1,5 J/impulz alebo „špičkový výkon“ menej ako 20 W a
It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
priemerný výkon alebo CW výkon menej ako 20 W.
c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
výstupná vlnová dĺžka 600 nm alebo viac, ale najviac 1400 nm, a niektorá z týchto vlastností:
e.
výstupná energia viac ako 1 J/impulz a „špičkový výkon“ viac ako 20 W alebo
Equipment performing analogue-to-digital conversions exceeding the limits specified in 3A001.a.5.;
priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 20 W; alebo
f.
výstupná vlnová dĺžka viac ako 1400 nm a niektorá z týchto vlastností:
Not used;
iné „lasery“ neuvedené v 6A005.a), 6A005.b) ani v 6A005.c):
g.
polovodičové „lasery“:
Equipment specially designed for aggregating the performance of "digital computers" by providing external interconnections which allows communications at unidirectional data rates exceeding 2,0 Gbyte/s per link.
1 zahŕňa polovodičové „lasery“ s optickými výstupnými konektormi (napr. ohybné prívody z optických vlákien).
g. does not control internal interconnection equipment (e.g. backplanes, buses), passive interconnection equipment, "network access controllers" or "communications channel controllers".
Kontrolný status polovodičových „laserov“ osobitne navrhnutých pre iné zariadenia sa určuje kontrolným statusom týchto iných zariadení.
Computers as follows and specially designed related equipment, "electronic assemblies" and components therefor:
samostatné polovodičové „lasery“ s jednoduchým transverzálnym režimom, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
a.
vlnová dĺžka 1510 nm alebo menej a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 1,5 W alebo
"Systolic array computers";
vlnová dĺžka viac ako 1510 nm a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 500 mW;
b.
samostatné polovodičové „lasery“ s viacnásobným transverzálnym režimom, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
"Neural computers";
vlnová dĺžka menej ako 1400 nm a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 15 W;
c.
vlnová dĺžka najmenej 1400 nm a menej ako 1900 nm a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 2,5 W alebo
"Optical computers".
vlnová dĺžka 1900 nm alebo viac a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 1 W;
Systems, equipment, and components therefor, specially designed or modified for the generation, operation or delivery of, or communication with, "intrusion software".
samostatné polovodičové „laserové“ ‚tyče‘ vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Analogue computers, "digital computers" or digital differential analysers, other than those specified in 4A001.a.1., which are ruggedized and designed or modified for use in space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
vlnová dĺžka menej ako 1400 nm a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 100 W;
"Hybrid computers" specially designed for modelling, simulation or design integration of space launch vehicles specified in 9A004 or sounding rockets specified in 9A104.
vlnová dĺžka najmenej 1400 nm a menej ako 1900 nm a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 25 W alebo
This control only applies when the equipment is supplied with "software" specified in 7D103 or 9D103.
vlnová dĺžka 1900 nm alebo viac a priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 10 W;
The control status of "software" for equipment described in other Categories is dealt with in the appropriate Category.
polovodičové „laserové“ ‚skupinové polia‘ (dvojrozmerné polia), ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
"Software" as follows:
vlnová dĺžka menej ako 1400 nm a ktorákoľvek z týchto vlastností:
a.
celkový priemerný alebo CW výstupný výkon menej ako 3 kW a priemerná alebo CW výstupná ‚hustota výkonu‘ viac ako 500 W/cm2;
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment or "software" specified in 4A001 to 4A004, or 4D.
celkový priemerný alebo CW výstupný výkon väčší ako 3 kW, ale menší alebo rovný 5 kW, a priemerná alebo CW výstupná ‚hustota výkonu‘ viac ako 350 W/cm2;
b.
celkový priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 5 kW;
"Software", other than that specified in 4D001.a., specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment as follows:
špičková impulzná 'hustota výkonu' viac ako 2500 W/cm2 alebo
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 1,0 Weighted TeraFLOPS (WT);
priestorovo koherentný celkový priemerný alebo CW výstupný výkon viac ako 150 W;
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit in 4D001.b.1.
vlnová dĺžka rovná alebo vyššia ako 1400 nm, ale menšia ako 1900 nm, a ktorákoľvek z týchto vlastností: