natgillin/translations-raw huggingface dataset:
G. Ion Implantation
zahŕňajú viacvrstvové štruktúry s troma alebo viacerými vrstvami kovu.
High temperature bearing steels
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii, iná ako uvedená v 3E001, určená na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadra „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ alebo mikroobvodu mikroradiča s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac a ktorékoľvek z týchto vlastností alebo charakteristík:
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
‚vektorová procesorová jednotka‘ navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);
Cemented tungsten carbide (16)
‚Vektorová procesorová jednotka‘ je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) s najmenej jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 64-bitových alebo väčších výsledkov operácií s pohyblivou rádovou čiarkou počas jedného cyklu, alebo
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 16-bitových výsledkov násobenia a sčítavania s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako digitálne „spracovanie signálu“).
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
sa nevzťahuje na „technológiu“ multimediálnych rozšírení.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
002 sa nevzťahuje na „technológie“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadier mikroprocesorov, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
obsahujú viacvrstvové štruktúry, ktoré majú päť alebo menej kovových vrstiev.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
002 zahŕňa „technológiu“ na procesory digitálneho signálu a procesory digitálneho poľa.
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
Ostatné „technológie“ na „vývoj“ alebo „výrobu“:
a.
vákuových mikroelektronických zariadení;
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
b.
sa nevzťahuje na „technológiu“ pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz, a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory (HBT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
„supravodivých“ elektronických zariadení;
c.
substrátov filmov z diamantu pre elektronické súčasti;
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
substrátov kremíka na izolátore (SOI) pre integrované obvody, v ktorých je izolátorom oxid kremičitý;
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
substrátov karbidu kremíka pre elektronické súčasti;
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
elektronických elektrónok, ktoré pracujú pri frekvenciách najmenej 31,8 GHz.
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení alebo „softvéru“ uvedeného v 3A001.a)1 alebo 2, 3A101, 3A102 alebo 3D101.
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky o technológii na „vývoj“ „softvéru“ uvedeného v 3D101.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.e)2., 3A001.e)3., 3A001.g), 3A201, 3A225 až 3A234.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
„Technológia“ vo forme kódexov alebo kľúčov na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
KATEGÓRIA 4 –
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
POČÍTAČE
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Počítače, príbuzné zariadenia a „softvér“ vykonávajúce telekomunikačné funkcie alebo funkcie „miestnej siete“ sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 1 (Telekomunikácie).
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
Riadiace jednotky, ktoré priamo prepájajú zbernice alebo kanály základných jednotiek počítača; „operačná pamäť“ ani riadiace jednotky diskovej pamäte sa nepovažujú za telekomunikačné zariadenia popísané v kategórii 5, časti 1 (Telekomunikácie).
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Pre stav kontroly „softvéru“ osobitne určeného pre prepojovanie paketov pozri 5D001.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Počítače, príbuzné zariadenia a „softvér“ vykonávajúce kryptografické, kryptoanalytické, overiteľné funkcie s viacstupňovou bezpečnosťou, funkcie s overiteľnou ochranou (izoláciou) používateľa alebo ktoré obmedzujú elektromagnetickú kompatibilitu (EMC), sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 2 (Ochrana informácií).
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Elektronické počítače a súvisiace zariadenia, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti, „elektronické montážne celky“ a ich osobitne navrhnuté súčasti:
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
POZRI TIEŽ 4A101.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
osobitne navrhnuté tak, aby sa vyznačovali niektorou z týchto vlastností:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
dimenzované na prevádzku pri teplote prostredia nižšej ako 228 K (– 45 °C) alebo vyššej ako 358 K (85 °C) alebo
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
1 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v civilných automobiloch, železničných vlakoch alebo „civilných lietadlách“.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
s odolnosťou voči žiareniu tak, aby prekračovali všetky tieto špecifikácie:
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
celková dávka 5 × 103 Gy (kremík);
a.
miera narušenia dávkou 5 × 106 Gy (kremík)/s alebo
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
jednorazové narušenie (SEU) 1 × 10–8 chyba/bit/deň;
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
2 sa nevzťahuje na počítače osobitne určené na použitie v „civilných lietadlách“.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
nepoužíva sa.
N.B.
„Digitálne počítače“, „elektronické montážne celky“ a ich príbuzné zariadenia a ich osobitne navrhnuté súčasti:
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
003 zahŕňa:
N.B.
‚vektorové procesory‘,
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
procesory poľa,
N.B.
procesory na spracovanie digitálnych signálov,
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
logické procesory,
b.
zariadenia určené na „zlepšenie obrazu“,
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
zariadenia určené na „spracovanie signálu“.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Stav kontroly „digitálnych počítačov“ a príbuzných zariadení opísaný v 4A003 sa určuje podľa stavu kontroly ostatných zariadení alebo systémov pod podmienkou, že:
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia sú rozhodujúce pre chod ostatných zariadení alebo systémov;
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia nie sú „základným prvkom“ ostatných zariadení alebo systémov a
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Stav kontroly zariadení na „spracovanie signálu“ alebo na „zlepšenie obrazu“ osobitne navrhnutého pre iné zariadenia s funkciami obmedzenými na funkcie požadované pre iné zariadenia sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení aj vtedy, ak prekračuje kritérium „základného prvku“.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Pre stav kontroly „digitálnych počítačov“ alebo príbuzných zariadení pre telekomunikačné zariadenie pozri kategóriu 5, časť 1 (Telekomunikácie).
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
„Technológia“ pre „digitálne počítače“ a príbuzné zariadenia sa riadi bodom 4E.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
„digitálne počítače“ s „nastaveným špičkovým výkonom“ (APP) vyšším ako 8,0 vážených teraflopov (WT);
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
„elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregáciou procesorov tak, že „APP“ agregácie prekročí limit uvedený v 4A003.b);
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
sa vzťahuje iba na „elektronické montážne celky“ a programovateľné vzájomné prepojenia neprekračujúce limit uvedený v 4A003.b), ak sa expedujú ako neintegrované „elektronické montážne celky“.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Nevzťahuje sa na „elektronické montážne celky“ už inherentne limitované povahou ich konštrukcie na použitie ako príbuzné zariadenia uvedené v 4A003.e).
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
sa nevzťahuje na „elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté pre určitý produkt alebo skupinu produktov, ktorých maximálna konfigurácia neprekračuje limit uvedený v 4A003.b).
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
zariadenia vykonávajúce analógovo-digitálne konverzie, ktoré prekračujú limity uvedené v 3A001.a)5;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
nepoužíva sa;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
zariadenia osobitne navrhnuté na zabezpečenie súhrnného výkonu „digitálnych počítačov“ prostredníctvom externých prepojení, ktoré umožňujú komunikáciu s jednosmernou rýchlosťou prenosu dát viac ako 2,0 Gbyte/s pre jedno spojenie.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
sa nevzťahuje na zariadenia na vzájomné interné prepojenie (napr. prepojovacie roviny, zbernice), zariadenia na pasívne vzájomné prepojenie, „riadiace jednotky sieťového prístupu“ alebo „riadiace jednotky komunikačných kanálov“.
c.
Počítače a osobitne navrhnuté príbuzné zariadenia, „elektronické montážne celky“ a ich súčasti:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
„počítače so systolickým poľom“;
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
„neurónové počítače“;
An activator (normally a halide salt); and
„optické počítače“.
An inert powder, most frequently alumina.
Systémy, zariadenia a súčasti osobitne navrhnuté alebo upravené na výrobu, prevádzku alebo dopravenie „narušiteľského softvéru“ alebo na komunikáciu s ním.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Analógové počítače, „digitálne počítače“ alebo digitálne diferenciálne analyzátory, iné ako uvedené v 4A001.a)1, mechanicky spevnené a navrhnuté alebo upravené na používanie kozmických nosných raketách uvedených v 9A004 alebo sondážnych raketách uvedených v 9A104.
d.
„Hybridné počítače“ osobitne navrhnuté na modelovanie, simuláciu alebo projektovú integráciu kozmických nosných rakiet uvedených v 9A004 alebo sondážnych rakiet uvedených v 9A104.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Táto kontrola sa uplatňuje iba vtedy, ak sa zariadenia dodávajú so „softvérom“ uvedeným v 7D103 alebo 9D103.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Stav kontroly „softvéru“ pre zariadenia opísané v iných kategóriách je uvedený v príslušnej kategórii.
N.B. 1
Nasledujúci „softvér“:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení alebo „softvéru“ uvedených v bodoch 4A001 až 4A004 alebo 4D.
N.B.
„Softvér“, iný ako uvedený v 4D001.a), osobitne navrhnutý alebo upravený na „vývoj“ alebo „výrobu“ týchto zariadení:
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
„digitálne počítače“ s „nastaveným špičkovým výkonom“ (APP) vyšším ako 1,0 vážených teraflopov (WT);
e.
„elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregovaním procesorov tak, aby agregovaný „APP“ prekračoval limit uvedený v 4D001.b)1.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na výrobu, prevádzku alebo dopravenie „narušiteľského softvéru“ alebo na komunikáciu s ním.
f.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii na „vývoj“, „výrobu“ alebo „použitie“ zariadení alebo „softvéru“ uvedených v bodoch 4A alebo 4D.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
„technológia“, iná ako uvedená v 4E001.a), osobitne navrhnutá alebo upravená na „vývoj“ alebo „výrobu“ týchto zariadení:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
„elektronické montážne celky“ osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregovaním procesorov tak, aby agregovaný „APP“ prekračoval limit uvedený v 4E001.b)1.
N.B.
„technológia“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ „narušiteľského softvéru“.
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
TECHNICKÁ POZNÁMKA K „NASTAVENÉMU ŠPIČKOVÉMU VÝKONU“ (APP)
N.B.
„APP“ je nastavená špičková rýchlosť, ktorou „digitálne počítače“ vykonávajú 64-bitové alebo väčšie sčitovania alebo násobenia s pohyblivou rádovou čiarkou.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
„APP“ sa vyjadruje vo vážených teraflopoch (WT), v jednotkách 1012 nastavených operácií s pohyblivou rádovou čiarkou za sekundu.
g.
Skratky používané v tejto technickej poznámke
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
n počet procesorov v „digitálnom počítači“
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
i číslo procesora (i,… n)
CATEGORY 3 —
čas cyklu procesora (ti = 1/Fi)
ELECTRONICS
frekvencia procesora
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
výpočtová rýchlosť s pohyblivou rádovou čiarkou
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
koeficient úpravy podľa architektúry.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
Náčrt metódy výpočtu „APP“
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Pre každý procesor „i“ sa určí FPOi, čo je najvyšší počet 64-bitových alebo väčších operácií s pohyblivou rádovou čiarkou, ktoré jednotlivé procesory „digitálneho počítača“ vykonajú za cyklus.
a.
Poznámka:
General purpose integrated circuits, as follows:
Pri určovaní FPO sa berú do úvahy len 64-bitové alebo väčšie sčitovania a/alebo násobenia s pohyblivou rádovou čiarkou.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Všetky operácie s pohyblivou rádovou čiarkou musia byť vyjadrené v operáciách za cyklus procesora; operácie, ktoré si vyžadujú viacnásobné cykly, sa môžu vyjadriť ako zlomkové výsledky za cyklus.
Integrated circuits include the following types:
Pri procesoroch, ktoré nie sú schopné výpočtov s pohyblivou rádovou čiarkou 64-bitov alebo viac, sa skutočná výpočtová rýchlosť R rovná nule.
"Monolithic integrated circuits";
Skutočná výpočtová rýchlosť s pohyblivou rádovou čiarkou R pre jednotlivé procesory sa vypočíta ako Ri = FPOi/ti.
"Hybrid integrated circuits";
Pritom „APP“ sa počíta ako „APP“ = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
"Multichip integrated circuits";
Pri ‚vektorových procesoroch‘ je Wi = 0,9.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
Pri ne-,vektorových procesoroch‘ je Wi = 0,3.
"Optical integrated circuits";
Poznámka 1:
"Three dimensional integrated circuits".
Pri procesoroch, ktoré vykonávajú zložité operácie v cykle, napríklad sčitovanie a násobenie, sa počíta každá operácia.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Poznámka 2:
a.
Pri zreťazenom procesore, ak je reťazenie úplné, sa za efektívnu skutočnú výpočtovú rýchlosť R považuje tá, ktorá je vyššia – zreťazená rýchlosť alebo nezreťazená rýchlosť výpočtu.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
Poznámka 3:
b.
Výpočtová rýchlosť R každého prispievajúceho procesora sa vypočíta pri jeho maximálnej teoreticky možnej hodnote skôr, ako sa odvodí „APP“ kombinácia.
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Simultánne operácie sa považujú za jestvujúce vtedy, ak výrobca počítača uvádza v manuáli alebo v brožúre priloženej k počítaču súbežné, paralelné alebo simultánne operácie alebo vykonávanie.
c.
Poznámka 4:
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Do výpočtu „APP“ nezahŕňajte procesory, ktoré sú obmedzené na vstupné/výstupné a periférne funkcie (napr. disková jednotka, komunikačné a zobrazovacie jednotky).
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Poznámka 5: