natgillin/translations-raw huggingface dataset:
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
osobitné podporné súčasti pre optické snímače:
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
kryochladiče „vhodné na vesmírne použitie“,
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
kryochladiče, ktoré nie sú „vhodné na vesmírne použitie“, s teplotou chladiaceho zdroja menej ako 218 K (–55 °C):
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
typ s uzatvoreným okruhom so špecifikovanou strednou dobou do prvej poruchy (MTTF) alebo strednou dobou bezporuchovej prevádzky (MTBF) viac ako 2500 hodín;
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics: a.
Joule-Thomsonove (JT) samoregulačné minichladiče s vyvŕtanými otvormi (vonkajšieho) priemeru menej ako 8 mm;
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
vlákna na optické snímanie osobitne vyrobené buď zložením alebo štruktúrou, alebo upravené potiahnutím tak, aby boli citlivé akusticky, tepelne, inerciálne, elektromagneticky alebo voči jadrovému žiareniu;
b.
3 sa nevzťahuje na zapuzdrené vlákna na optické snímanie osobitne navrhnuté na snímanie vrtných otvorov.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
nepoužíva sa.
Switching devices, as follows:
Kamery, systémy alebo zariadenia a ich súčasti:
a.
POZRI TIEŽ 6A203.
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
Pre televízne a filmové fotografické statické kamery osobitne navrhnuté alebo upravené na použitie pod hladinou pozri tiež 8A002.d)1 a 8A002.e).
Containing three or more electrodes;
Prístrojové kamery a ich osobitne navrhnuté súčasti:
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Prístrojové kamery uvedené v 6A003.a)3 až 6A003.a)5 s modulárnymi štruktúrami sa majú hodnotiť podľa svojho maximálneho výkonu pri použití výmenných častí, ktoré sú k dispozícii podľa špecifikácií výrobcu kamery.
Anode peak current rating of 100 A or more; and
vysokorýchlostné filmové kamery používajúce ľubovoľný formát filmu 8 mm až 16 mm vrátane, v ktorých sa film plynulo posúva počas celej doby záznamu a ktoré sú schopné zaznamenávať rýchlosťou viac ako 13150 okienok/s;
Anode delay time of 10 μs or less;
1 sa nevzťahuje na filmové kamery navrhnuté na civilné účely.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
mechanické vysokorýchlostné kamery, v ktorých sa film nepohybuje a ktoré sú schopné zaznamenávať rýchlosťami viac ako 1000000 okienok/s pri plnej výške okienka 35 mm filmu alebo úmerne vyššími rýchlosťami pri menších výškach okienok alebo úmerne nižšími rýchlosťami pri väčších výškach okienok;
b.
kamery s mechanickým alebo elektronickým bleskom:
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
kamery s mechanickým alebo elektronickým bleskom s rýchlosťou zápisu viac ako 10 mm/μs;
An anode delay time of 15 μs or less; and
kamery s elektronickým bleskom s časovým rozlíšením lepším ako 50 ns;
Rated for a peak current of 500 A or more;
kamery s elektronickým nastavovaním obrazu s rýchlosťou viac ako 1000000 okienok/s;
c.
elektronické kamery vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
rýchlosť elektronickej uzávierky (hradlový výkon) menej ako 1 μs na celé okienko a
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
doba čítania z pamäte umožňujúca rýchlosť nastavovania obrazu viac ako 125 celých okienok za sekundu;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
výmenné časti vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Turn-on time of 1 μs or less.
osobitne navrhnuté pre prístrojové kamery, ktoré majú modulárne štruktúry a sú uvedené v 6A003.a) a
High-current pulse generators as follows:
umožňujú týmto kamerám dosahovať vlastnosti uvedené v 6A003.a)3, 6A003.a)4 alebo 6A003.a)5 podľa špecifikácií výrobcu;
a.
zobrazovacie kamery:
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
sa nevzťahuje na televízne kamery ani videokamery osobitne navrhnuté pre televízne vysielanie.
b.
Videokamery vybavené polovodičovými snímačmi, s maximálnou odozvou v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 10 nm ale najviac 30000 nm, vyznačujúce sa niektorým z týchto parametrov:
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
majúce niektorú z týchto vlastností:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
viac ako 4 x 106 „aktívnych pixelov“ na polovodičové pole pre monochromatické (čiernobiele) kamery;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
viac ako 4 x 106 „aktívnych pixlov“ na polovodičové pole pre farebné kamery obsahujúce tri polovodičové polia alebo
Having an output greater than 100 A;
viac ako 12 x 106 „aktívnych pixlov“ pre farebné kamery s polovodičovým poľom, ktoré majú jedno polovodičové pole a
No dimension greater than 30 cm;
optické zrkadlá uvedené v 6A004.a);
Weight less than 30 kg; and
optické kontrolné zariadenia uvedené v 6A004.d) alebo
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
schopnosť vyložiť interne generované ‚sledovacie údaje kamery‘;
b. includes xenon flash-lamp drivers.
Na účely tejto položky sa digitálne videokamery majú hodnotiť podľa maximálneho počtu ‚aktívnych pixlov’ používaných na zachytenie pohyblivých obrazov.
c.
Na účely tejto položky sú ‚sledovacie údaje kamery‘ informácie nevyhnutné na určenie čiary orientácie hľadáčika s ohľadom na zem.
Micro-firing units having all of the following characteristics:
To zahŕňa: 1) horizontálny uhol, ktorý čiara hľadáčika vytvára vo vzťahu k smeru zemského magnetického poľa a 2) vertikálny uhol medzi čiarou hľadáčika kamery a zemským horizontom.
No dimension greater than 35 mm;
Snímacie kamery a snímacie kamerové systémy vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
maximálna odozva v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 10 nm, ale najviac 30000 nm;
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
polia s lineárnym detektorom s viac ako 8192 prvkami na pole a
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
mechanické snímanie v jednom smere;
a.
2 sa nevzťahuje na snímacie kamery a snímacie kamerové systémy osobitne navrhnuté pre ktorýkoľvek z týchto výrobkov:
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
priemyselné alebo civilné kopírovacie zariadenia;
b.
obrazové skenery osobitne navrhnuté na civilné, stacionárne skenovacie aplikácie skenujúce zblízka (napr. reprodukcia obrázkov alebo tlače uvedených v dokumentoch, umeleckých dielach alebo fotografiách); alebo
'Pulse transition time' less than 500 ps.
zdravotnícke prístroje.
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
zobrazovacie kamery vybavené elektrónkami na zosilnenie jasu obrazu, uvedené v 6A002.a)2.a) alebo 6A002.a)2.b);
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
zobrazovacie kamery vybavené „sústavami s ohniskovou rovinou“ vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
sú vybavené „sústavami s ohniskovou rovinou“ uvedenými v 6A002.a)3.a) až 6A002.a)3.e);
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
sú vybavené „sústavami s ohniskovou rovinou“ uvedenými v 6A002.a)3.f) alebo
a.
sú vybavené „sústavami s ohniskovou rovinou“, uvedenými v 6A002.a)3.g);
Designed for operation without an external vacuum system; and
Zobrazovacie kamery uvedené v 6A003.b)4 obsahujú „sústavy s ohniskovou rovinou“ v kombinácii s elektronikou na dostatočné „spracovanie signálu“, ktorá prekračuje dobu čítania integrovaných obvodov, aby minimálne umožnený výstup analógového alebo digitálneho signálu, ak je dodaná elektrická energia.
b.
sa nevzťahuje na zobrazovacie kamery vybavené lineárnymi „sústavami s ohniskovou rovinou“ s najviac 12 prvkami, ktoré v rámci daného prvku nepoužívajú časové oneskorenie a integráciu a sú navrhnuté na niektorý z týchto účelov:
Utilizing any of the following:
priemyselné zariadenia používané na kontrolu alebo monitorovanie tepelných tokov v budovách, zariadeniach alebo priemyselných procesoch;
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
zariadenia osobitne navrhnuté na laboratórne použitie alebo
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
sa nevzťahuje na zobrazovacie kamery s niektorou z týchto vlastností:
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
maximálna obnovovacia frekvencia rovná alebo nižšia ako 9 Hz;
See 1A007.b. for detonators.
minimálne horizontálne alebo vertikálne ‚okamžité zorné pole (IFOV)‘ najmenej 10 mrad/pixel (miliradiánov/pixel);
b.
obsahujú šošovku s pevnou ohniskovou vzdialenosťou, ktorá nie je navrhnutá ako odnímateľná;
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
nie sú vybavené obrazovkou na ‚priame pozorovanie‘ a
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
nie sú vybavené zariadením na získavanie viditeľných záberov snímaného zorného poľa alebo
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
kamera je určená na jednotlivé aplikácie a navrhnutá tak, aby nemohla byť modifikovaná užívateľom, alebo
a.
kamera je osobitne určená na montáž do civilného osobného pozemného vozidla a vyznačuje sa všetkými týmito vlastnosťami:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
umiestnenie a konfigurácia kamery vo vozidle majú iba pomáhať vodičovi pri bezpečnej prevádzke vozidla;
b.
kamera funguje, iba keď je namontovaná:
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
v pozemnom vozidle civilného cestujúceho, pre ktoré bola určená a vozidlo váži menej ako 4,500 kg (brutto hmotnosť vozidla) alebo
c.
v osobitne určenom autorizovanom skúšobnom testovacom zariadení a
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý zabraňuje kamere vo fungovaní, ak je odstránená z vozidla, pre ktoré bola určená.
d.
‚Horizontálne IFOV‘ = horizontálne zorné pole (FOV)/počet horizontálnych snímacích prvkov
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
‚Vertikálne IFOV‘ = vertikálne zorné pole (FOV)/počet vertikálnych snímacích prvkov.
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
sa nevzťahuje na zobrazovacie kamery, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
kamera je špeciálne navrhnutá na montáž ako zabudovaná súčasť interiérového systému alebo vybavenia na elektrickú zásuvku a svojou konštrukciou je obmedzená na jeden druh nasledujúcich aplikácií:
e.
monitorovanie priemyselného procesu, kontrola kvality alebo analýza vlastností materiálu;
Not used;
laboratórne vybavenie osobitne určené na vedecký výskum;
f.
zariadenia na zisťovanie finančných podvodov a
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
v systémoch a zariadeniach, pre ktoré bola určená, alebo
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
v špeciálne navrhnutých a autorizovaných údržbárskych zariadeniach a
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý znemožní fungovanie kamery po jej odstránení zo systémov a zariadení, pre ktoré bola určená;
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
ak je kamera je osobitne určená na montáž do civilného osobného pozemného vozidla alebo do prevozných lodí na prepravu cestujúcich a vozidiel a vyznačuje sa všetkými týmito vlastnosťami:
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
umiestnenie a konfigurácia kamery vo vozidle alebo prevoznej lodi majú iba pomáhať vodičovi alebo obsluhe pri bezpečnej prevádzke vozidla alebo prevoznej lode;
a.
v civilnom osobnom pozemnom vozidle, pre ktoré bola určená a vozidlo váži menej ako 4 500 kg (brutto hmotnosť vozidla);
Voltage rating greater than 2 kV; and
v prevoznej lodi pre cestujúcich a automobily, pre ktoré bola určená a ktorá má celkovú dĺžku (LOA) najmenej 65 m, alebo
b.
v osobitne určenom autorizovanom údržbárskom skúšobnom zariadení a
Inductance of less than 20 nH.
je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý zabraňuje kamere vo fungovaní, ak je odstránená z vozidla, pre ktoré bola určená;
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
je konštrukčne obmedzená tak, aby mala maximálnu „citlivosť na žiarenie“ 10 mA/W alebo menej pre vlnové dĺžky nad 760 nm, a má všetky tieto vlastnosti:
a.
sú vybavené mechanizmom obmedzenia odozvy, ktorý je navrhnutý tak aby sa nedal odstrániť alebo pozmeniť
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý znemožní fungovanie kamery po odstránení mechanizmu obmedzenia odozvy, a
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
nie je osobitne navrhnutá alebo upravená na použitie pod vodou alebo
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
nie je vybavená obrazovkou na ‚priame pozorovanie‘ alebo elektronické zobrazovanie;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
nemá žiadne zariadenie na výstup viditeľného obrazu z pozorovaného zorného poľa;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
„sústava s ohniskovou rovinou“ je funkčná, iba ak je namontovaná v kamere, pre ktorú bola určená, a
b.
„sústava s ohniskovou rovinou“ je vybavená aktívnym mechanizmom, ktorý ju natrvalo znefunkční, ak sa odstráni z kamery, pre ktorú bola určená;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
zobrazovacie kamery, ktoré sú vybavené detektormi v pevnej fáze uvedenými v 6A002.a)1.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
Optické zariadenia a ich súčasti:
Direct write capability;
optické zrkadlá (reflektory):
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
Na účely 6A 004.a) sa prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) meria podľa normy ISO 21254-1:2011.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Pre optické zrkadlá osobitne navrhnuté pre litografické zariadenia pozri 3B001.
c.
„deformovateľné zrkadlá“ majúce aktívnu optickú apertúru viac ako 10 mm, vyznačujúce sa niektorou z nasledujúcich charakteristík, a ich osobitne navrhnuté súčasti;
Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
majúce všetko ďalej uvedené:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
mechanická rezonančná frekvencia najmenej 750 Hz a
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
viac ako 200 aktuátorov alebo
d.
prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) je niektorá z týchto:
Not used;
vyššia ako 1 kW/cm2 pri použití „CW lasera“ alebo
e.
vyššia ako 2 J/cm2 pri použití 20 ns „laserových“ impulzov s frekvenciou 20 Hz;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
ľahké monolitické zrkadlá s priemernou „ekvivalentnou hustotou“ menej ako 30 kg/m2 a celkovou hmotnosťou viac ako 10 kg;
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
konštrukcie z ľahkých „kompozitných“ alebo penových zrkadlových štruktúr, ktoré majú priemernú „ekvivalentnú hustotu“ menej ako 30 kg/m2 a celkovú hmotnosť viac ako 2 kg;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
zrkadlá osobitne navrhnuté pre stupne zrkadiel na usmerňovanie lúčov uvedených v 6A004.d)2.a), s rovinnosťou λ/10 alebo lepšou (λ sa rovná 633 nm), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
priemer alebo dĺžka hlavnej osi je najmenej 100 mm; alebo
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
majú všetko ďalej uvedené:
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
priemer alebo dĺžka hlavnej osi je väčší ako 50 mm ale menší ako 100 mm a
f.
prahová hodnota laserom vyvolaného poškodenia (LIDT) je niektorá z týchto:
Lithography equipment as follows:
vyššia ako 10 kW/cm2 pri použití „CW lasera“ alebo
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
vyššia ako 20 J/cm2 pri použití 20 ns „laserových“ impulzov s frekvenciou 20 Hz;
a.
optické súčasti vyrobené zo selenidu zinku (ZnSe) alebo zo sulfidu zinku (ZnS) s prenosom v rozsahu vlnovej dĺžky viac ako 3000 nm, ale najviac 25000 nm, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto vlastností:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
majú objem viac ako 100 cm3 alebo
b.
majú priemer alebo dĺžku hlavnej osi viac ako 80 mm a hrúbku (hĺbku) viac ako 20 mm;
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
súčasti pre optické systémy „vhodné na vesmírne použitie“:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
súčasti odľahčené na viac ako 20 % „ekvivalentnej hustoty“ v porovnaní s jednoliatym predliatkom rovnakej apertúry a hrúbky;
× K factor
segmenty alebo sústavy zrkadiel navrhnuté na montáž v priestore do optického systému so zbernou apertúrou rovnou alebo väčšou, ako má jedno optické zariadenie s priemerom 1 m;
numerical aperture
súčasti vyrobené zo „zložených“ materiálov s koeficientom lineárnej tepelnej rozťažnosti rovným alebo menším ako 5 x 10–6 v každom smere súradníc;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
zariadenie osobitne navrhnuté tak, aby si zachovalo povrchový tvar alebo orientáciu súčastí „vhodných na vesmírne použitie“ uvedených v 6A004.c)1 alebo 6A004.c)3;
f.2. includes:
zariadenie na smerovanie, sledovanie, stabilizáciu alebo na nastavenie rezonátora:
Micro contact printing tools
stupne zrkadiel na smerovanie lúčov určené na upevnenie zrkadiel s priemerom alebo dĺžkou hlavnej osi viac ako 50 mm a vyznačujúce sa všetkými nasledujúcimi vlastnosťami, a ich osobitne navrhnuté elektronické ovládacie príslušenstvo:
Hot embossing tools
maximálny uhlový posuv ±26 mrad alebo viac;
Nano-imprint lithography tools
mechanická rezonančná frekvencia najmenej 500 Hz a
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
uhlová presnosť 10 μrad (mikroradiánov) alebo menej;
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
zariadenie na nastavenie rezonátora, ktoré má šírku pásma 100 Hz alebo viac a presnosť 10 μrad alebo menej;
a.
kardany vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
maximálne natočenie viac ako 5°;
A spot size smaller than 0,2 μm;
šírka pásma 100 Hz alebo viac;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
chyby uhlového zamerania 200 μrad (mikroradiánov) alebo menej a
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
majúce niektorú z týchto vlastností:
g.
priemer alebo dĺžka hlavnej osi viac ako 0,15 m, ale najviac 1 m, a schopné uhlového zrýchlenia viac ako 2 rad (radiány)/s2 alebo
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
priemer alebo dĺžka hlavnej osi viac ako 1 m a schopné uhlového zrýchlenia viac ako 0,5 rad (radiány)/s2;
h.
‚asférické optické prvky‘ vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
najväčší rozmer optickej apertúry viac ako 400 mm;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
drsnosť povrchu menej ako 1 nm (rms) pre vzorkovacie dĺžky rovné alebo väčšie ako 1 mm a
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
absolútna veľkosť koeficientu lineárnej tepelnej rozťažnosti menej ako 3 x 10–6/K pri 25 °C.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
‚Asférický optický prvok‘ je ľubovoľný prvok používaný v optickom systéme, ktorého zobrazovací povrch alebo povrchy sú navrhnuté tak, aby sa odchyľovali od tvaru ideálnej gule,
i.
Od výrobcov sa nevyžaduje, aby merali drsnosť povrchu uvedenú v 6A004.e)2, ak optický prvok nebol navrhnutý ani vyrobený s úmyslom spĺňať alebo prekračovať kontrolný parameter.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
sa nevzťahuje na ‚asférické optické prvky‘ s niektorou z týchto vlastností:
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
najväčší rozmer optickej apertúry menej ako 1 m a pomer ohniskovej vzdialenosti k apertúre rovný alebo väčší ako 4,5:1;
a.
najväčší rozmer optickej apertúry rovný alebo väčší ako 1 m a pomer ohniskovej vzdialenosti k apertúre rovný alebo väčší ako 7:1;