natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Cross (tangential) flow filtration equipment capable of separation of pathogenic micro-organisms, viruses, toxins or cell cultures having all of the following characteristics:
regulácia frekvencie lepšia (menšia) ako 0,2 %.
a.
225 sa nevzťahuje na meniče alebo generátory frekvencie, ak majú hardvérové, „softvérové“ alebo „technologické“ obmedzenia, ktoré limitujú výkonnosť väčšmi, než sa uvádza vyššie, za predpokladu, že spĺňajú ktorúkoľvek z týchto podmienok:
A total filtration area equal to or greater than 1 m2; and
musia sa vrátiť k pôvodnému výrobcovi, aby vykonal zlepšenia alebo znížil obmedzenia;
b.
vyžadujú si „softvér“ uvedený v 3D225 s cieľom zvýšiť alebo znížiť výkonnosť, aby spĺňali charakteristiky 3A225 alebo
Having any of the following characteristics:
vyžadujú si „softvér“ vo forme kľúčov alebo kódov, ako sa uvádza v 3D225 s cieľom zvýšiť alebo znížiť výkonnosť, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
Capable of being sterilised or disinfected in-situ; or
Meniče frekvencie uvedené v 3A225 sú známe aj pod názvom konvertory alebo invertory.
Using disposable or single-use filtration components;
Meniče frekvencie uvedené v 3A225 možno uvádzať na trh ako generátory, elektronické skúšobné zariadenia, sieťové adaptéry AC, motorové pohony s premenlivou rýchlosťou, pohonné jednotky s premenlivou rýchlosťou (VSDs), pohonné jednotky s nastaviteľnou frekvenciou (AFDs) alebo pohonné jednotky s nastaviteľnou rýchlosťou (ASDs).
In 2B352.d.1.b. sterlised denotes the elimination of all viable microbes from the equipment through the use of either physical (e.g. steam) or chemical agents.
počas 8 hodín majú stabilitu prúdu alebo napätia lepšiu ako 0,1 %.
Disinfected denotes the destruction of potential microbial infectivity in the equipment through the use of chemical agents with a germicidal effect.
Spínacie zariadenia:
Disinfection and sterilisation are distinct from sanitisation, the latter referring to cleaning procedures designed to lower the microbial content of equipment without necessarily achieving elimination of all microbial infectivity or viability.
elektrónky so studenou katódou, plnené alebo neplnené plynom, pracujúce podobne ako iskrisko, vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
d. does not control reverse osmosis equipment, as specified by the manufacturer.
obsahujú tri alebo viac elektród;
Cross (tangential) flow filtration components (e.g. modules, elements, cassettes, cartridges, units or plates) with filtration area equal to or greater than 0,2 m2 for each component and designed for use in cross (tangential) flow filtration equipment specified in 2B352.d.;
anódové špičkové menovité napätie 2,5 kV alebo viac;
e.
anódový špičkový menovitý prúd 100 A alebo viac a
Steam sterilisable freeze drying equipment with a condenser capacity exceeding 10 kg of ice in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
oneskorenie anódy najviac 10 μs;
f.
228 zahŕňa plynové krytrónové elektrónky alebo vákuové sprytrónové elektrónky.
Protective and containment equipment, as follows:
iskriská so spúšťou vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
oneskorenie anódy 15 μs alebo menej a
f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
dimenzované na špičkový prúd najmenej 500 A.
Class III biological safety cabinets or isolators with similar performance standards;
moduly alebo montážne celky s rýchlou spínacou funkciou, iné ako uvedené v 3A001.g) alebo 3A001.h), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
špičkové anódové menovité napätie vyššie ako 2 kV;
g.
anódový špičkový menovitý prúd 500 A alebo viac a
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater;
spínacia doba najviac 1 μs.
h.
Impulzné generátory s vysokým prúdom:
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic microorganisms having all of the following:
odpaľovacie súpravy pre detonátory (iniciačné systémy, odpaľovacie súpravy) vrátane elektronicky, výbuchom a opticky iniciovaných odpaľovacích súprav, iné ako uvedené v 1A007.a), konštruované na iniciáciu detonátorov s viacnásobným ovládaním, uvedených v 1A007.b);
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
generátory modulárnych elektrických impulzov (impulzové generátory), vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
konštruované na prenosné alebo mobilné použitie, alebo na použitie v sťažených podmienkach;
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
schopné dodať energiu za menej ako 15 μs pri zaťažení menšom ako 40 ohmov;
None.
výkon vyšší ako 100 A;
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
žiadny rozmer nepresahuje 30 cm;
a.
hmotnosť menej ako 30 kg a
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
určené na použitie v rozšírenom tepelnom rozmedzí od 223 K (–50 °C) do 373 K (100 °C) alebo určené ako vhodné na vesmírne použitie;
b.
Do 3A229.b) patria aj xenónové zábleskové budiace elektrónky.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
mikrodetonačné jednotky, ktoré majú obidve tieto vlastnosti:
001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
žiadny rozmer nepresahuje 35 mm;
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
špičkové napätie vo vypnutom stave 1 kV alebo viac a
002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
kapacitancia najmenej 100 nF.
002 does not control "software" for items specified in 2B002.
Vysokorýchlostné impulzné generátory a ich ‚tvarovače impulzov‘, vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
výstupné napätie vyššie ako 6 V do odporovej záťaže menšej ako 55 ohmov a
002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified by Category 2.
‚doba prechodu impulzu‘ menej ako 500 ps.
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
V 3A230 je ‚doba prechodu impulzu’ definovaná ako časový interval medzi 10 % a 90 % amplitúdy napätia.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
‚Tvarovače impulzov‘ sú siete na tvorbu impulzov dimenzované na schopnosť zachytiť skokové napätie a premeniť ho na impulzy do rôznych foriem, ktoré môžu zahŕňať pravouhlé, trojuholníkové, skokové, impulzové, exponenciálne alebo monocyklické typy.
SEE ALSO 9D004.
‚Tvarovače impulzov‘ môžu byť neoddeliteľnou súčasťou generátora impulzov, môžu byť modulmi pripojiteľnými na prístroj alebo môžu byť externe pripojeným prístrojom.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
Systémy generátorov neutrónov vrátane elektrónok, vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
navrhnuté na prevádzku bez systému externého vákua a
202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
používajúce niektorý z týchto procesov:
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
elektrostatické urýchľovanie na indukovanie nukleárnej reakcie trícium-deutérium alebo
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
elektrostatické urýchľovanie na indukovanie nukleárnej reakcie deutérium-deutérium a výkon 3 × 109 neutrónov/s alebo väčší.
001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
Viacbodové iniciačné (spúšťacie) systémy, iné ako uvedené v 1A007:
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Pre detonátory pozri 1A007.b).
Other "technology", as follows:
sústavy používajúce jeden alebo viacero detonátorov konštruovaných tak, aby takmer súčasne iniciovali výbušný povrch väčší ako 5000 mm2 z jedného zapaľovacieho signálu, pričom časovanie iniciácie sa rozšíri po celom povrchu za menej ako 2,5 μs.
a.
232 sa nevzťahuje na detonátory používajúce iba traskaviny, ako napríklad azid olovnatý (AO).
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
Hmotnostné spektrometre, iné ako uvedené v 0B002.g), schopné merať ióny s atómovými jednotkami hmotnosti (jednotkami pomernej atómovej hmotnosti) 230 alebo vyššími, vyznačujúce sa rozlišovacou schopnosťou lepšou ako 2 diely z 230, a ich zdroje iónov:
b.
hmotnostné spektrometre s indukčne viazanou plazmou (ICP/MS);
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
hmotnostné spektrometre s tlejivým výbojom (GDMS);
a.
hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním, vyznačujúce sa niektorou s týchto vlastností:
"Superplastic forming";
má prívodný systém molekulárnych lúčov, ktoré vložia do molekuly kolimované svetlo analyzovaných molekúl do oblasti zdroja iónov, kde sa molekuly ionizujú elektrónovým lúčom, a
b.
má jeden alebo viacero ‚vymrazovačov‘, ktoré môžu byť vychladené na teplotu 193 K (–80 °C).
"Diffusion bonding"; or
nepoužíva sa;
c.
hmotnostné spektrometre so zdrojom iónov na mikrofluoráciu, určené pre aktinidy alebo fluoridaktinidy.
"Direct-acting hydraulic pressing";
Hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním v 3A233.d) sú známe aj ako hmotnostné spektrometre s dopadom elektrónov alebo hmotnostné spektrometre s elektrónovou ionizáciou.
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
V bode 3A233.d)2 ‚vymrazovač‘ je zariadenie, ktoré zachytáva molekuly plynu ich kondenzáciou alebo zmrazením na studených povrchoch.
a.
Na účely 3A233.d)2 sa plynová héliová kryogénna výveva s uzavretým cyklom nepokladá za ‚vymrazovač‘.
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Páskové vodiče zabezpečujúce nízkoindukčný prívod k detonátorom s týmito charakteristikami:
Surface preparation;
menovité napätie viac ako 2 kV; a
Strain rate;
induktancia nižšia ako 20 nH.
Temperature;
Zariadenie na výrobu polovodičových prístrojov alebo materiálov a ich osobitne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
Pressure;
zariadenie konštruované na epitaxiálny rast:
b.
zariadenie schopné vytvárať vrstvu z iného ako silikónového materiálu s homogénnou hrúbkou v rozmedzí menšom ako ± 2,5 % na vzdialenosť najmenej 75 mm alebo viac;
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
1 zahŕňa zariadenie pre epitaxiu atómovou vrstvou (ALE).
c.
reaktory na organické chemické vylučovanie kovov z plynnej fázy (MOCVD), navrhnuté na epitaxiálny rast zlúčeninových polovodičových materiálov pozostávajúcich z dvoch alebo viacerých z týchto prvkov: hliník, gálium, indium, arzén, fosfor, antimón alebo dusík;
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
zariadenia na epitaxiálny rast pomocou molekulového lúča s použitím plynných alebo tuhých zdrojov;
Cycle time;
zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
d.
navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie vodíka, deutéria alebo hélia;
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
schopnosť priameho zápisu;
c.
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho „substrátu“ z polovodičového materiálu, alebo
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča 20 keV alebo viac a lúčovým prúdom 10 mA alebo viac pre implantovanie kremíka do „substrátu“ polovodičového materiálu zohriateho na najmenej 600 °C;
d.
zariadenia na suché leptanie anizotropnou plazmou, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
navrhnuté alebo optimalizované na tvorbu kritického rozmeru najviac 65 nm a
e.
vnútrovrstvová nerovnomernosť rovnajúca sa alebo menšia ako 10 % 3σ nameraná s vylúčením okraja menším ako 2 mm;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
nepoužíva sa;
f.
viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve funkčne rozdielne ‚zariadenia na spracovanie polovodičov‘ uvedené v 3B001.a), 3B001.b) alebo 3B001.c), a
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
navrhnuté tak, aby vytvorili integrovaný systém vo vákuu určený na ‚sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov‘;
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
sa nevzťahuje na automatizované robotizované systémy na manipuláciu s plátkami čipov osobitne navrhnuté na paralelné spracovávanie plátkov čipov.
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
Na účely 3B001.e) sú ‚zariadenia na spracovanie polovodičov‘ modulárne nástroje, ktoré zabezpečujú fyzické procesy vo výrobe polovodičov, ktoré sú funkčne rozdielne, ako napr. nanášanie, leptanie, implantovanie alebo tepelné spracovanie.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
Na účely 3B001.e) ‚sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov‘ znamená schopnosť spracovať každý plátok čipu v rôznom ‚zariadení na spracovanie polovodičov‘, ako napr. prenosom každého plátku čipu z jedného zariadenia na druhé a tretie prostredníctvom viackomorových systémov na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
litografické zariadenia:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
má zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 193 nm alebo
Table
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku‘ (MRF) 45 nm alebo menej;
Deposition Techniques
Veľkosť ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku‘ (MRF) sa vypočíta podľa tohto vzorca:
Coating Process (1) [3]
vlnová dĺžka expozičného svetelného zdroja v nm
Substrate
× faktor K
Resultant Coating
číselná apertúra
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
kde faktor K = 0,35.
"Superalloys"
tlačiarenské litografické zariadenia schopné vytvoriť detaily veľkosti 45 nm alebo menej;
Aluminides for internal passages
2 zahŕňa:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
mikrokontaktné tlačiarenské nástroje,
Silicides
nástroje na horúcu razbu,
Carbides
litografické nástroje na tlač v nanorozmeroch,
Dielectric layers (15)
tlačiarenské litografické nástroje „step and flash“ (S-FIL).
Diamond
zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek alebo spracovanie polovodičovom zariadení s použitím priamym zapisovacích metód, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Diamond-like carbon (17)
používajú vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč; a
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
veľkosť bodu menej ako 0,2 μm;
Refractory metals
schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 μm alebo
Mixtures thereof (4)
presnosť prekryvu lepšia ako ± 0,20 μm (3 sigma);
Aluminides
masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
Alloyed aluminides (2)
viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu, neuvedené v 3B001.g) a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Boron nitride
vyhotovené na „predliskoch substrátu“ zo skla s dvojlomom menším ako 7 nm/cm alebo
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
určené na použitie pre litografické zariadenia so zdrojom svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm;
Tungsten
sa nevzťahuje na viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových prístrojov, na ktoré sa nevzťahuje 3A001.
Molybdenum and Molybdenum alloys
tlačiarenské litografické šablóny určené pre integrované obvody uvedené v 3A001.
Beryllium and Beryllium alloys
Skúšobné zariadenia osobitne navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
Sensor window materials (9)
na skúšanie S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených v 3A001.b)2.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo „substrátu“, na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy niektorého z týchto materiálov:
Alloyed silicides
kremík (Si);
Modified zirconia (12)
germánium (Ge);
Corrosion resistant steel (7)
karbid kremíka (SiC) alebo
Borides
„zlúčeniny III/V“ gália alebo india.
Beryllium
sa nevzťahuje na „substrát“ s jednou alebo viacerými epitaxiálnymi vrstvami typu P zGaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP alebo InGaAlP, nezávisle od sekvencie prvkov, s výnimkou prípadu, keď je epitaxiálna vrstva typu P medzi vrstvami typu N.
Titanium alloys (13)
Odolné materiály a „substráty“ potiahnuté týmito odolnými materiálmi:
Nitrides
odolné materiály dimenzované na polovodičovú litografiu:
B.2.
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm, ale najmenej 15 nm;
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
pozitívne odolné materiály upravené (optimalizované) na použitie pri vlnových dĺžkach menej ako 15 nm, ale najmenej 1 nm;
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi s citlivosťou najmenej 0,01 μcoulomb/mm2;
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania;
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami uvedenými v 3B001.f)2, ktoré používajú buď tepelné, alebo svetelné postupy.
Diamond-like carbon
Organicko-anorganické zlúčeniny:
B.4.
organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99,999 %;
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99,999 %.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
003 sa vzťahuje iba na zlúčeniny, ktorých kovový, čiastočne kovový alebo nekovový prvok je priamo viazaný na uhlík organickej časti molekuly.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Hydridy fosforu, arzénu alebo antimónu s čistotou viac ako 99,999 %, a to aj zriedené v inertných plynoch alebo vo vodíku.
Refractory metals and alloys (8)
004 sa nevzťahuje na hydridy obsahujúce najmenej 20 % mólových inertných plynov alebo vodíka.
Oxides
Polovodičové „substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN) alebo ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
D. Plasma spraying
„Substráty“ uvedené v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
Abradable Nickel-Graphite
Softvér osobitne navrhnutý na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.b) až 3A002.g) alebo 3B.
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ vybavenia uvedeného v 3B001.a) až f), 3B002 alebo 3A225.
Abradable Al-Si-Polyester
Simulačný ‚fyzikálne založený‘ „softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
Aluminium alloys (6)
‚Fyzikálne založený‘ v 3D003 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznych veličín a vlastností polovodičových materiálov).
E. Slurry Deposition
Knižnice, konštrukčné atribúty alebo súvisiace údaje na navrhovanie polovodičových zariadení alebo integrovaných obvodov sa považujú za „technológiu“.
Fused silicides
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ tovarov uvedených v 3A003.
Fused aluminides except for resistance heating elements
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „používanie“ zariadení uvedených v 3A101.b).
F. Sputter Deposition
„Softvér“ osobitne navrhnutý na zvýšenie alebo zníženie výkonnosti frekvenčných meničov alebo generátorov, aby spĺňali charakteristiky 3A225.
Noble metal modified aluminides (3)
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení alebo materiálov uvedených v bodoch 3A, 3B alebo 3C.
Platinum
001 sa nevzťahuje na „technológiu“ na „výrobu“ zariadenia alebo súčastí, na ktorú sa vzťahuje 3A003.
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
001 sa nevzťahuje na „technológiu“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ integrovaných obvodov uvedených v bodoch 3A001.a)3 až 3A001.a)12, vyznačujúcich sa všetkými týmito charakteristikami:
Dielectic layers (15)
používajú „technológiu“ s rozlíšením 0,130 μm alebo viac a