natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Anode peak current rating of 100 A or more; and
anódový špičkový menovitý prúd 100 A alebo viac a
Anode delay time of 10 μs or less;
oneskorenie anódy najviac 10 μs.
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
228 zahŕňa plynové krytrónové elektrónky alebo vákuové sprytrónové elektrónky.
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
Iskriská so spúšťou vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Moduly alebo montážne celky s rýchlou spínacou funkciou, ktoré nie sú uvedené v 3A001.g) alebo 3A001.h) a ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
Anode peak current rating of 500 A or more; and
anódový špičkový menovitý prúd 500 A alebo viac a
Turn-on time of 1 μs or less.
spínacia doba najviac 1 μs.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Pre zapaľovacie sústavy s explozívnym detonátorom pozri 1A007.a).
a. Not used;
nepoužíva sa;
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Generátory modulárnych elektrických impulzov (impulzové generátory) vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
sú konštruované na prenosné, mobilné alebo robustné použitie;
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
majú „dobu nábehu“ kratšiu ako 10 μs zo zaťaženia menšieho ako 40 ohmov;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
sú určené na použitie v rozšírenom tepelnom rozmedzí od 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) alebo sú určené ako vhodné na vesmírne použitie.
‘rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V 3A229.b)5 je „doba nábehu“ definovaná ako časový interval od 10 % do 90 % prúdovej amplitúdy pri budení odporovej záťaže.
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
výstupné napätie vyššie ako 6 V do odporovej záťaže menšej ako 55 ohmov a
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
„doba prechodu impulzu“ menej ako 500 ps.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
V 3A230 je „doba prechodu impulzu“ definovaná ako časový interval medzi 10 % a 90 % amplitúdy napätia.
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
navrhnuté na prevádzku bez systému externého vákua a
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
na indukovanie nukleárnej reakcie trícium – deutérium využívajú elektrostatické urýchľovanie.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Viacbodové iniciačné (spúšťacie) systémy, iné ako uvedené v 1A007: Dôležité upozornenie:
See 1A007.b. for detonators.
Pre detonátory pozri 1A007.b).
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
sústavy používajúce jeden alebo viacero detonátorov konštruovaných tak, aby takmer súčasne iniciovali výbušný povrch väčší ako 5000 mm2 z jedného zapaľovacieho signálu, pričom časovanie iniciácie sa rozšíri po celom povrchu za menej ako 2,5 μs.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Podľa 3A232 sa neriadia detonátory používajúce iba traskaviny, ako napríklad azid olovnatý (AO).
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Hmotnostné spektrometre okrem uvedených v 0B002.g), schopné merať ióny s atómovými jednotkami hmotnosti (jednotkami pomernej atómovej hmotnosti) 230 alebo vyššími, vyznačujúce sa rozlišovacou schopnosťou lepšou ako 2 diely z 230, a ich zdroje iónov:
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
hmotnostné spektrometre s indukčne viazanou plazmou (ICP/MS);
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
hmotnostné spektrometre s tlejivkovým výbojom (GDMS);
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
hmotnostné spektrometre s tepelnou ionizáciou (TIMS);
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním, ktoré majú komoru žiariča skonštruovanú z materiálov odolných voči UF6, nimi vystlatú alebo oplátovanú;
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
hmotnostné spektrometre s molekulovým lúčom vyznačujúce sa niektorou s týchto vlastností:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
komora žiariča je skonštruovaná z nehrdzavejúcej ocele alebo molybdénu, nimi vystlaná alebo oplátovaná, a je vybavená vymrazovacou jednotkou schopnou ochladzovať na teplotu do 193 K (– 80 °C) alebo
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
hmotnostné spektrometre so zdrojom iónov na mikrofluoráciu určenými pre aktinidy alebo fluoridaktinidy.
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Zariadenia navrhnuté na epitaxiálny rast:
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
1 zahŕňa zariadenie pre epitaxiu atómovou vrstvou (ALE).
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
reaktory na organické chemické vylučovanie kovov z plynnej fázy (MOCVD) osobitne navrhnuté na rast zlúčeninových polovodičových kryštálov chemickou reakciou medzi materiálmi uvedenými v 3C003 alebo 3C004;
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho „substrátu“ z polovodičového materiálu.
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
Zariadenia na suché leptanie anizotropnou plazmou, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
navrhnuté alebo optimalizované na tvorbu kritického rozmeru najviac 65 nm a
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
vnútrovrstvová nerovnomernosť rovnajúca sa alebo menšia ako 10 % 3σ nameraná s vylúčením okraja menším ako 2 mm.
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Zariadenia na chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) zosilnené plazmou:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
zariadenia fungujúce systémom z kazety do kazety a s blokovacími zariadeniami a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe polovodičových prístrojov s kritickými rozmermi 65 nm alebo menej;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Zariadenie osobitne navrhnuté pre zariadenie špecifikované v 3B001.e) a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe polovodičových prístrojov s kritickými rozmermi 65 nm alebo menej.
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
Viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve funkčne rozdielne „zariadenia na spracovanie polovodičov“ uvedené v 3B001.a, 3B001.b), 3B001.c) alebo 3B001.d) a
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
sú navrhnuté tak, aby vytvorili integrovaný systém vo vákuu určený na „sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov“.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Podľa 3B001.e) sa neriadia automatizované robotizované systémy na manipuláciu s plátkami čipov osobitne navrhnuté na paralelné spracovávanie plátkov čipov.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
Na účely 3B001.e), „zariadenie na spracovanie polovodičov“ znamená modulárne nástroje, ktoré zabezpečujú fyzické procesy vo výrobe polovodičov, ktoré sú funkčne rozdielne, ako napr. uloženie, leptanie, implantovanie alebo tepelné spracovanie.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
Na účely 3B001.e) „sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov“ znamená schopnosť spracovať každý plátok čipu v rôznom „zariadení na spracovanie polovodičov“, ako napr. prenosom každého plátku čipu z jedného zariadenia na druhé a tretie prostredníctvom viackomorových systémov na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním.
f. Lithography equipment as follows:
Litografické zariadenia:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
Zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm alebo
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou „minimálneho rozlíšiteľného znaku (MRF – Minimum Resolvable Feature)“ 95 nm alebo menej.
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
Veľkosť „minimálneho rozlíšiteľného znaku“ (MRF) sa vypočíta podľa tohto vzorca:
MRF =an exposure light source wavelength in nm
MRF =vlnová dĺžka expozičného svetelného zdroja v nm
where the K factor = 0,35
kde faktor K = 0,35,
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
Tlačiarenské litografické zariadenia schopné vytvoriť detaily veľkosti 95 nm alebo menej.
f.2. includes:
2 zahŕňa:
Micro contact printing tools
mikrokontaktné tlačiarenské nástroje,
Hot embossing tools
nástroje na horúcu razbu,
Nano-imprint lithography tools
litografické nástroje na tlač v nanorozmeroch,
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
tlačiarenské litografické nástroje „step and flash“ (SFIL).
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
používajú vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč a
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 μm alebo
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
presnosť prekryvu lepšia ako ± 0,20 μm (3 sigma).
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001. h) Viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu. Poznámka:
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
na skúšanie parametrov S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených v 3A001.b)2.
b. Germanium (Ge);
kremík (Si);
c. Silicon carbide (SiC); or
germánium (Ge);
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
karbid kremíka (SiC) alebo
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
002 Odolné materiály a „substráty“ potiahnuté týmito odolnými materiálmi:
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu osobitne upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm;
e. All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s röntgenovými lúčmi s citlivosťou najmenej 2,5 mJ/mm2; d) všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania vrátane „silylovaných“ odolných materiálov. Technická poznámka: Techniky „silylácie“ sú vymedzené ako procesy zahŕňajúce v sebe oxidáciu povrchu odolných materiálov na zvýšenie výkonu pri mokrom ako aj suchom vyvíjaní.
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
003 Organicko-anorganické zlúčeniny:
003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99,999 %. Poznámka: Podľa 3C003 sa riadia iba zlúčeniny, ktorých kovový, čiastočne kovový alebo nekovový prvok je priamo viazaný na uhlík organickej časti molekuly.
004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Podľa 3C004 sa neriadia hydridy obsahujúce najmenej 20 % mólových inertných plynov alebo vodíka.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) “substrates”, or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN), alebo ich ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Substráty“ uvedené v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
“Software” specially designed for the “development” or “production” of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.b) až 3A002.g) alebo 3B.
“Software” specially designed for the “use” of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ vybavenia uvedeného v 3B001.a) až f) alebo 3B002.
‘Physics-based’ simulation “software” specially designed for the “development” of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Simulačný „fyzikálne založený“„softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
‘Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g. temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
„Fyzikálne založený“ v 3D003 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznych veličín a vlastností polovodičových materiálov).
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as “technology”.
Knižnice, konštrukčné atribúty alebo súvisiace údaje na navrhovanie polovodičových zariadení alebo integrovaných obvodov sa považujú za „technológiu“.
“Software” specially designed for the “development” of the equipment specified in 3A003.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ tovarov uvedených v 3A003.
“Software” specially designed or modified for the “use” of equipment specified in 3A101.b.
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „používanie“ zariadení uvedených v 3A101.b).
“Technology” according to the General Technology Note for the “development” or “production” of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „vývoj“ alebo výrobu zariadení alebo materiálov uvedených v bodoch 3A, 3B alebo 3C.
001 does not control “technology” for the “production” of equipment or components controlled by 3A003.
Podľa 3E001 sa neriadi „technológia“ pre „výrobu“ vybavenia alebo súčastí, ktoré sa riadia podľa 3A003.
001 does not control “technology” for the “development” or “production” of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Podľa 3E001 sa neriadi „technológia“ pre „vývoj“ alebo „výrobu“ integrovaných obvodov uvedených v bodoch 3A001.a)3 až 3A.001.a)12, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Using “technology” at or above 0,130 μm; and
používajú „technológiu“ pri 0,130 μm alebo viac a
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
zahŕňajú „viacvrstvové štruktúry“ s tromi alebo viacerými vrstvami kovu.
“Technology” according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the “development” or “production” of a “microprocessor microcircuit”, “microcomputer microcircuit” or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Technológia“ podľa poznámky k všeobecnej technológii okrem technológie uvedenej v 3E001, ktorá je určená na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadra „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ alebo mikroobvodu mikroradiča s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac a ktorékoľvek z týchto vlastností:
a. A ‘vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
„vektorová procesorová jednotka“ navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);
A ‘vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
„Vektorová procesorová jednotka“ je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) s najmenej jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou.
b. Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
navrhnutá na získanie viac ako dvoch 64-bitových alebo väčších výsledkov operácií s pohyblivou rádovou čiarkou počas jedného cyklu alebo
c. Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital “signal processing”).
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 16-bitových výsledkov násobenia a sčítavania s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako digitálne „spracovanie signálu“).
c. does not control “technology” for multimedia extensions.
Podľa 3E002.c) sa neriadi „technológia“ multimediálnych rozšírení.
002 does not control “technology” for the “development” or “production” of micro-processor cores, having all of the following:
Podľa 3E002 sa neriadi „technológia“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadier mikroprocesorov, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
002 includes “technology” for digital signal processors and digital array processors.
002 zahŕňa „technológiu“ na procesory digitálneho signálu a procesory digitálneho poľa.
Other “technology” for the “development” or “production” of the following:
Ostatné „technológie“ pre „vývoj“ alebo „výrobu“:
a. Vacuum microelectronic devices;
vákuových mikroelektronických zariadení;
b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
b. does not control “technology” for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Podľa 3E003.b) sa neriadi „technológia“ pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31.8GHz a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory, ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31.8GHz.
c. “Superconductive” electronic devices;
„supravodivých“ elektronických zariadení;
d. Substrates of films of diamond for electronic components.
substrátov filmov z diamantu pre elektronické súčasti;
e. Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
substrátov kremíka na izolátore (SOI) pre integrované obvody, v ktorých je izolátorom oxid kremičitý;
f. Substrates of silicon carbide for electronic components;
substrátov karbidu kremíka pre elektronické súčasti;
g. Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
elektronických elektrónok, ktoré pracujú pri frekvenciách najmenej 31,8 GHz.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment or “software” specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení alebo „softvéru“ uvedeného v 3A001.a)1 alebo 2, 3A101, 3A102 alebo 3D101.
“Technology” according to the General Technology Note for the “development” of “software” specified in 3D101.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky o technológii pre „vývoj“„softvéru“ uvedeného v 3D101.
“Technology” according to the General Technology Note for the “use” of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.e)2, 3A001.e)3, 3A001.g), 3A201, 3A225 až 3A233.