natgillin/translations-raw huggingface dataset:
“Technology” for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
„Technológia“ pre jednostupňovú cementáciu v prášku v uzavretých nádobách pevných nosných plôch sa neriadi podľa kategórie 2.
‘Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
„Polyméry“: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyuretány.
‘Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g. calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
„Modifikovaný oxid zirkoničitý“ sa vzťahuje na prímesi iných oxidov kovov (napr. oxidy vápnika, horčíka, ytria, hafnia a kovov vzácnych zemín) do oxidu zirkoničitého na stabilizáciu určitých kryštalografických fáz a fázových kompozícií.
‘Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
„Zliatiny titánu“ sa vzťahujú iba na kozmické zliatiny s medzou pevnosti v ťahu najmenej 900 MPA meranou pri 293 K (20 °C).
‘Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
„Sklá s nízkou rozťažnosťou“ sú sklá s koeficientom tepelnej rozťažnosti najviac 1 × 10–7 K–1 meraným pri 293K (20 °C).
‘Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
„Dielektrické vrstvy“ sú povlaky zostavené z viacerých vrstiev izolačných materiálov, v ktorých sa interferenčné vlastnosti navrhnutého materiálu zloženého z materiálov s rôznymi indexmi lomu využívajú na odrážanie, prenášanie alebo absorbovanie pásem s rôznou vlnovou dĺžkou.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal “composite” layers.
Dielektrické vrstvy znamenajú viac ako štyri dielektrické vrstvy alebo vrstvy dielektrického/kovového „kompozitného materiálu“.
‘Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
„Spekaný karbid volfrámu“ nezahŕňa materiály rezacích nožov a tvárniacich nástrojov pozostávajúcich z karbidu volfrámu/(kobaltu, niklu), karbidu titánu/(kobaltu, niklu), karbidu chrómu/niklu- chrómu a karbidu chrómu/niklu.
“Technology” specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
„Technológia“ osobitne navrhnutá na nanášanie diamantového uhlíka na ľubovoľný z nasledovných predmetov sa neriadi podľa tohto bodu:
‘Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
„Karbid kremíka“ nezahŕňa materiály pre rezné a tvárniace nástroje.
Table — Deposition Techniques — Technical Note
Tabuľka – Techniky pokovovania – Poznámky
a. Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, “composite”, dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) je proces prekrývacieho povliekania alebo proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa na zahriaty substrát nanáša kov, zliatina, „kompozitný materiál“, dielektrikum alebo keramika.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or “laser” irradiation.
Energiu potrebnú pre tento proces rozkladu alebo chemickej reakcie môže dodať teplo substrátu, plazmovo-tlejivý výboj alebo ožarovanie „laserom“.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
CVD zahŕňa tieto procesy: vylučovanie mimo uzavretých nádob s riadeným tokom plynu, pulzačné CVD, tepelné vylučovanie s riadenou tvorbou kryštalizačných centier (CNTD) a procesy CVD zosilnené plazmou alebo za pomoci plazmy.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Uzatvorená nádoba znamená substrát ponorený do práškovej zmesi.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Plynové reaktanty používané v procesoch mimo uzatvorených nádob vznikajú použitím rovnakých základných reakcií a parametrov ako v prípade procesu cementovania v prášku v uzavretých nádobách, okrem toho, že substrát, ktorý sa má povliekať nie je v styku s práškovou zmesou.
b. Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporise the coating material.
Fyzikálne pokovovanie zrážaním kovových pár pomocou tepelného odparovania (TE-PVD) je proces prekrývacieho povliekania prebiehajúci vo vákuu pri tlaku menej ako 0,1 Pa, pričom sa používa zdroj tepelnej energie na odparenie povliekacieho materiálu.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesise compound coatings is an ordinary modification of the process.
Pridávanie plynov do vákuovej komory počas procesu povliekania za účelom syntetizácie zložených povlakov predstavuje bežnú modifikáciu daného procesu.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating’s deposition is also a common modification in this technique.
Používanie iónových alebo elektrónových lúčov alebo plazmy na aktivovanie alebo podporu vylučovania povlaku predstavuje taktiež bežnú modifikáciu tejto techniky.
“Laser” Vaporisation uses either pulsed or continuous wave “laser” beams to vaporise the material which forms the coating;
„Laserové“ odparovanie využíva „laserové“ lúče s pulzujúcou alebo stálou vlnou na odparovanie materiálu, ktorý tvorí povlak.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionised plasma.
Riadený pohyb iskrenia eroduje povrch katódy, čím vzniká vysoko ionizovaná plazma.
Substrate biasing is used for non-line-of-sight deposition.
Predmagnetizácia substrátu sa používa na nepriamočiare vylučovanie.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Táto definícia nezahŕňa náhodné vylučovanie pomocou katódového oblúka na nepredmagnetizované substráty.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Pokovovanie iónmi je zvláštna modifikácia všeobecného procesu TE-PVD, pri ktorom sa na ionizovanie zložky, ktorá sa má naniesť, používa plazma alebo zdroj iónov, a na substrát sa privedie záporné predpätie (predmagnetizácia) tak, aby sa umožnila extrakcia zložky z plazmy.
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Cementovanie v prášku v uzavretých nádobách je proces povliekania modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povlaku, pri ktorom sa substrát ponorí do práškovej zmesi (uzatvorená nádoba), ktorá pozostáva z:
An inert powder, most frequently alumina.
inertného prášoku najčastejšie oxidu hlinitého.
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plazmové striekanie je proces prekrývacieho povliekania, v ktorom pištoľ (rozprašovací horák), ktorá vytvára a riadi plazmu, prijíma práškové alebo drôtové povlakové materiály, taví ich a ženie smerom k substrátu, na ktorom sa vytvorí jednotne viazaný povlak.
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Pod pojmom pri nízkom tlaku sa rozumie pri tlaku nižšom, než je atmosférický tlak prostredia.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Pod pojmom pri vysokej rýchlosti sa rozumie rýchlosť plynu na výstupe z dýzy vyššia ako 750 m/s počítaná pri 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Vylučovanie zo suspenzie je proces povliekania s modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povliekania, pri ktorom sa kovový alebo keramický prášok s organickým spojivom suspenduje do kvapaliny a na substrát sa nanáša buď striekaním, namáčaním alebo natieraním, s následným sušením na vzduchu alebo v peci a tepelným spracovaním tak, aby sa dosiahol požadovaný povlak.
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Vylučovanie naprašovaním je proces prekrývacieho povliekania založený na prenose hybnosti, pri ktorom sú kladné ióny urýchľované elektrickým poľom smerom k povrchu terča (povliekací materiál).
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Tabuľka sa týka iba vylučovania pomocou triódy, magnetrónu alebo reaktívneho napracovania, ktoré sa používa na zvýšenie priľnavosti povlaku a rýchlosti tvorby nánosov a na vylučovanie naprašovaním zvýšené rádiovou frekvenciou (RF) používané na odparovanie nekovových povliekacích materiálov.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Lúče iónov s nízkou energiou (menej ako 5 keV) sa môžu použiť na aktiváciu vylučovania.
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Implantovanie iónov je proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa prvok, ktorý sa má zlievať, ionizuje, urýchli prostredníctvom gradientu potenciálu a implantuje sa do oblasti povrchu substrátu.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Stav kontroly zariadení a súčastí popísaných v 3A001 alebo 3A002 okrem zariadení a súčastí popísaných v 3A001.a)3 až 3A001.a)10 alebo 3A001.a)12, ktoré sú osobitne navrhnuté pre iné zariadenia alebo ktoré majú rovnaké funkčné vlastnosti ako iné zariadenia, sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Stav kontroly integrovaných obvodov popísaných v 3A001.a)3 až 3A001.a)9 alebo 3A001.a)12, ktoré sú nemenne naprogramované alebo navrhnuté pre zvláštnu funkciu v iných zariadeniach, sa určuje stavom kontroly týchto iných zariadení.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Ak výrobca alebo žiadateľ nevie určiť stav kontroly iných zariadení, potom sa stav kontroly integrovaných obvodov určuje v 3A001.a)3 až 3A001.a)9 a 3A001.a)12.
a. General purpose integrated circuits, as follows:
Univerzálne integrované obvody:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Pri hodnotení stavu kontroly polovodičových plátkov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a).
Integrated circuits include the following types:
Integrované obvody zahŕňajú nasledovné typy:
“Monolithic integrated circuits”;
„monolitické integrované obvody“,
“Hybrid integrated circuits”;
„hybridné integrované obvody“,
“Multichip integrated circuits”;
„mnohočipové integrované obvody“,
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„vrstvové integrované obvody“ vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre,
“Optical integrated circuits”.
„optické integrované obvody“.
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
celkovej dávke najmenej 5 × 103 Gy (kremík);
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
veľkosti dávky najmenej 5 × 106 Gy (kremík)/s alebo
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
pôsobeniu (integrovanému toku) neutrónov (ekvivalentnému 1 MeV) najmenej 5 × 1013 n/cm2 na kremík alebo jeho ekvivalentu pre iné materiály.
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
sa nevzťahuje na štruktúry zložené z kovu, izolantu a polovodivého materiálu (MIS).
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroobvody mikroradiča, integrované pamäťové obvody vyrobené zo zlúčeninového polovodiča, analógovo-číslicové prevodníky, číslicovo-analógové prevodníky, elektrooptické alebo „optické integrované obvody“ konštruované na „spracovanie signálu“, užívateľom programovateľné logické obvody, zákaznícke integrované obvody, u ktorých sú neznáme buď funkcia alebo stav kontroly zariadenia, v ktorom sa integrovaný obvod bude používať, procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), elektricky vymazateľné programovateľné permanentné pamäte (EEPROM), flash pamäte alebo statické pamäte s priamym prístupom (SRAM), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
určené na prevádzku pri teplote prostredia nad 398K (125 °C);
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
určené na prevádzku pri teplote prostredia menej ako 218 K (– 55 °C) alebo
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
určené na prevádzku v celom rozsahu teplôt prostredia 218 K (– 55 °C) až 398 K (125 °C).
a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
2 sa nevzťahuje na integrované obvody pre použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch.
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroobvody mikroradiča vyrobené zo zlúčeninového polovodiča a pracujú s taktovacím kmitočtom procesora presahujúcim 40 MHz.
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
3 zahŕňa procesory na spracovanie digitálneho signálu, procesory s digitálnou maticou a digitálne koprocesory.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Integrované obvody s analógovo-číslicovým prevodníkom (ADC) a číslicovo-analógovým prevodníkom (DAC):
a. ADCs having any of the following:
ADC vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
SEE ALSO 3A101
POZRI TIEŽ 3A101.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
rozlíšenie 10 bitov alebo viac, ale menej ako 12 bitov, s výkonom viac ako 300 miliónov slov za sekundu;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
rozlíšenie 12 bitov s výkonom viac ako 200 miliónov slov za sekundu;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
rozlíšenie viac ako 12 bitov, ale menej ako 14 bitov s výkonom viac ako 125 miliónov slov za sekundu, alebo
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
rozlíšenie viac ako 14 bitov s výkonom viac ako 20 miliónov slov za sekundu.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Počet bitov vo výstupnom slove sa rovná rozlíšeniu ADC.
For ‘multiple channel ADCs’, the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Pri „viackanálových ADC“ sa výstupy neagregujú a výkon sa uvádza ako maximálny výkon ktoréhokoľvek z kanálov.
For ‘interleaved ADCs’ or for ‘multiple channel ADCs’ that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Pri „integračných ADC“ alebo pri „viackanálových ADC“, ktoré fungujú s medziprevodom, sa výstupy agregujú a výkon sa uvádza ako maximálny kombinovaný celkový výkon.
‘Multiple channel ADCs’ are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
„Viackanálové ADC“ sú zariadenia, v ktorých je integrovaný viac než jeden ADC tak, že každý z týchto ADC má samostatný analógový vstup.
‘Interleaved ADCs’ are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
„Integračné ADC“ sú zariadenia s viacerými jednotlivými ADC, ktoré vzorkujú rovnaký analógový vstup v rôznom čase tak, že po agregovaní výstupov sa analógový vstup efektívne prevzorkoval a konvertoval pri vyššej rýchlosti vzorkovania.
b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
Číslicovo analógové prevodníky (DAC) vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
A resolution of 10 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of 3500 MSPS or greater; or
rozlíšenie 10 bitov alebo viac s „upravenou rýchlosťou vzorkovania“ na úrovni 3500 MSPS alebo viac;
A resolution of 12 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
rozlíšenie 12 bitov alebo viac s „upravenou rýchlosťou vzorkovania“ na úrovni 1250 MSPS alebo viac a vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
a. A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
čas ustálenia menej ako 9 ns až do 0,024 % celkového pásma zo škály celkového pásma alebo
b. A ‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
SFDR (Spurious-Free Dynamic Range, dynamická škála bez rušivých zložiek) vyššie než 68 dBc (nosič) pri syntéze celopásmového analógového signálu 100 MHz alebo najvyššia celopásmová frekvencia analógového signálu pod 100 MHz.
‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
SFDR je pomer hodnoty RMS frekvencie nosiča (maximálna zložka signálu) na vstupe DAC a hodnoty RMS najbližšej najväčšej zvukovej alebo harmonickej zložky na jeho výstupe.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
SFDR sa určuje priamo z tabuľky špecifikácií alebo z charakterizačných grafov SFDR/frekvencia.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Signál sa nazýva celopásmovým vtedy, ak je jeho amplitúda väčšia ako – 3 dBfs (úplný rozsah).
‘Adjusted update rate’ for DACs:
„Upravená rýchlosť vzorkovania“ pre DAC:
For conventional (non-interpolating) DACs, the ‘adjusted update rate’ is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
pri konvenčných DAC (bez interpolácie) je „upravená rýchlosť vzorkovania“ rýchlosť, prio ktorej sa digitálny signál konvertuje na analógový signál a výstupné analógové hodnoty sa menia prostredníctvom DAC.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Ak je možné intepoláciu obísť (faktor interpolácie sa rovná jednej), DAC sa považuje za konvenčný DAC (bez interpolácie);
For interpolating DACs (oversampling DACs), the ‘adjusted update rate’ is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
pri DAC s interpoláciou (prevzorkovacie DAC) je „upravená rýchlosť vzorkovania“ rýchlosť vzorkovania DAC delená najmenším faktorom interpolácie.
For interpolating DACs, the ‘adjusted update rate’ may be referred to by different terms including:
Pri uvedených DAC sa môže „upravená rýchlosť vzorkovania“ nazývať aj:
input data rate
rýchlosť vstupu údajov,
input word rate
ýchlosť vstupu slov,
input sample rate
rýchlosť vstupu vzoriek,
maximum total input bus rate
maximálna rýchlosť vstupu po zbernici,
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
maximálna rýchlosť pri vstupe z DAC do hodín.
Electro-optical and “optical integrated circuits”, designed for “signal processing” and having all of the following:
Elektrooptické a „optické integrované obvody“ určené na „spracovanie signálu“, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
a. One or more than one internal “laser” diode;
najmenej jedna dióda s vnútorným „laserom“;
b. One or more than one internal light detecting element; and
najmenej jeden vnútorný prvok na detekciu svetla a
c. Optical waveguides;
optické vlnovody.
‘Field programmable logic devices’ having either of the following:
„Logické zariadenia programovateľné u zákazníka“, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
a. A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
maximálny počet digitálnych vstupov/výstupov vyšší ako 200 alebo
b. A system gate count of greater than 230000;
systém s počtom hradiel viac ako 230000.
a.7. includes:
7 zahŕňa:
‘Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
„Logické zariadenia programovateľné u zákazníka“ sú známe aj ako hradlá programovateľné u zákazníka alebo logické polia programovateľné u zákazníka.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Maximálny počet digitálnych vstupov/výstupov v 3A001a)7.a) je označovaný aj ako maximálne užívateľské vstupy/výstupy alebo maximálne dostupné vstupy/výstupy podľa toho, či je integrovaný obvod v púzdre alebo či je čip obnažený.
Neural network integrated circuits;
Integrované obvody s neurónovou sieťou.
a. More than 1500 terminals;
viac ako 1500 vývodov;