natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
sú osobitne navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča (urýchľovacím napätím) menej ako 2 keV;
Direct write capability; or
schopnosť priameho zápisu alebo
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho „substrátu“ z polovodičového materiálu.
Anisotropic plasma dry etching equipment as follows:
Zariadenia na suché leptanie anizotropnou plazmou:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
navrhnuté alebo optimalizované na tvorbu kritického rozmeru najviac 180 nm s presnosťou 3 sigma ±5 % alebo
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 µm in diameter;
navrhnuté na generovanie menej ako 0,04 častice/cm2 pri merateľnej veľkosti častíc s priemerom viac ako 0,1 μm;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
zariadenia osobitne navrhnuté pre zariadenia uvedené v 3B001.e. a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
Zariadenia na chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) zosilnené plazmou:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zariadenia fungujúce systémom z kazety do kazety a s blokovacími zariadeniami a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe polovodičových prístrojov s kritickými rozmerni 180 nm alebo menej;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Zariadenie osobitne navrhnuté pre zariadenie špecifikované v 3B001.e. a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe polovodičových prístrojov s kritickými rozmermi 180 nm alebo menej;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve zariadenia na spracovanie polovodičov a
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Poznámka:Podľa 3B001.e. sa neriadia automatizované robotizované systémy na manipuláciu s plátkami čipov, ktoré nie sú navrhnuté na prevádzku vo vákuu.
Lithography equipment as follows:
Litografické zariadenia:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
A light source wavelength shorter than 245 nm; or
zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm alebo
Capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature size’ of 180 nm or less;
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku’ 180 nm alebo menej;
The ’minimum resolvable feature size’ is calculated by the following formula:
Veľkosť ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku’ sa vypočíta podľa tohto vzorca:
MRF = an exposure light source wavelength in nm
MRF = vlnová dĺžka expozičného svetelného zdroja v nm
MRF = ’minimum resolvable feature size’
MRF = ‚veľkosť minimálneho rozlíšiteľného znaku’
Imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
Tlačiarenské litografické zariadenia schopné vytvoriť detaily veľkosti 180 nm alebo menej;
Micro contact printing tools
mikrokontaktné tlačiarenské nástroje
Hot embossing tools
nástroje na horúcu razbu
Nano-imprint lithography tools
litografické nástroje na tlač v nanorozmeroch
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
tlačiarenské litografické nástroje „step and flash“ (SFIL)
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
Zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek alebo spracovanie polovodičovom zariadení s použitím priamym zapisovacích metód, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
používajú vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč a
A spot size smaller than 0,2 µm;
veľkosť bodu menej ako 0,2 µm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 µm alebo
An overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
presnosť prekryvu lepšia ako ±0,20 µm (3 sigma);
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
Multi-layer masks with a phase shift layer;
Viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu;
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Poznámka:Podľa 3B001.h. sa neriadia viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových zariadení, ktoré sa neriadia podľa 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
i. Tlačiarenské litografické šablóny určené pre integrované obvody uvedené v 3A001.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Skúšobné zariadenia osobitne navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
Silicon carbide (SiC); or
karbid kremíka (SiC); alebo
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu osobitne upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi s citlivosťou najmenej 0,01 µcoulomb/mm2;
All resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists;
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania vrátane ‚silylovaných’ odolných materiálov.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami uvedenými v 3B001.f.2, ktoré používajú buď tepelné alebo svetelné postupy.
Organo-inorganic compounds as follows:
Organicko-anorganické zlúčeniny:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99,999 %;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99,999 %.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníku-gália (AlGaN), alebo ich ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Substráty“ uvedené v 3C005 s aspoň jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníku-gália.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.b. až 3A002.g. alebo 3B.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ vybavenia uvedeného v 3B001.a až f. alebo 3B002.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Simulačný ‚fyzikálne založený’„softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
‚Fyzikálne založený’ v 3D003 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznzch veličín a vlastností polovodičových materiálov).
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ tovarov uvedených v3A003
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Poznámka 2:Podľa 3E001 sa neriadi „technológia“ pre „vývoj“ alebo „výrobu“ integrovaných obvodov uvedených v bodoch 3A001.a.3. až 3A.001.a.12., ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Using "technology" of 0,5 µm or more; and
využívajú „technológiu“ 0,5 µm alebo viac a
Not incorporating ’multi-layer structures’.
nezahŕňajú ‚viacvrstvové štruktúry’.
’Multi-layer structures’ do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Pojem ‚viacvrstvové štruktúry’ nezahŕňa zariadenia pozostávajúce z maximálne troch kovových vrstiev a troch polysilikónových vrstiev.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Technológia“ podľa poznámky k všeobecnej technológii okrem technológie uvedenej v 3E001, ktorá je určená na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadra „mikroprocesorového mikroobvodu“, „mikropočítačového mikroobvodu“ alebo mikroobvodu mikroradiča s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac a ktorékoľvek z týchto vlastností:
A ’vector processor unit’ designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
‚vektorová procesorová jednotka’ navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);
A ’vector processor unit’ is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
‚Vektorová procesorová jednotka’ je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) s najmenej jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou.
Designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
navrhnutá na získanie viac ako dvoch 64-bitových alebo väčších výsledkov operácií s pohyblivou rádovou čiarkou počas jedného cyklu; alebo
Designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 16-bitových výsledkov násobenia a sčítavania s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako digitálne „spracovanie signálu“).
Using "technology" at or above 0,130 µm; and
používajú „technológiu“ pri 0,130 µm alebo viac; a
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
obsahujú viacvrstvové štruktúry, ktoré majú päť alebo menej kovových vrstiev.
Note:3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Poznámka:Podľa 3E003.b. sa neriadi „technológia“ pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory, ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31,8 GHz.
"Superconductive" electronic devices;
„supravodivých“ elektronických zariadení;
Substrates of films of diamond for electronic components.
substrátov filmov z diamantu pre elektronické súčasti;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení alebo „softvéru“ uvedeného v 3A001.a.1. alebo 2., 3A101, 3A102 alebo 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky o technológii pre „vývoj“„softvéru“ uvedeného v 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A233.
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „používanie“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 až 3A233.
Note 1:Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Poznámka 1:Počítače, príbuzné zariadenia a „softvér“ vykonávajúce telekomunikačné funkcie alebo funkcie „miestnej siete“ sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 1 (Telekomunikácie).
Note 2:Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Poznámka 2:Riadiace jednotky, ktoré priamo prepájajú zbernice alebo kanály základných jednotiek počítača; „operačná pamäť“ ani riadiace jednotky diskovej pamäte sa nepovažujú za telekomunikačné zariadenia popísané v kategórii 5, časť 1 (Telekomunikácie).
N.B.:For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Dôležité upozornenie:Pre stav kontroly „softvéru“ osobitne určeného pre prepojovanie paketov pozri 5D001.
Note 3:Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Poznámka 3:Počítače, príbuzné zariadenia a „softvér“ vykonávajúci kryptografické, kryptoanalytické, overiteľné funkcie s viacstupňovou bezpečnosťou, funkcie s overiteľnou ochranou (izoláciou) používateľa alebo ktoré obmedzujú elektromagnetickú kompatibilitu (EMC), sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 2 („Ochrana informácií“).
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektronické počítače a súvisiace zariadenia, ktoré majú všetky nasledujúce vlastnosti, „elektronické montážne celky“ a ich osobitne navrhnuté súčasti:
N.B.:SEE ALSO 4A101.
Dôležité upozornenie:Pozri tiež 4A101.
Specially designed to have any of the following:
osobitne navrhnuté tak, aby sa vyznačovali niektorou z týchto vlastností:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (–45 °C) or above 358 K (85 °C); or
dimenzované pre prevádzku pri teplote prostredia nižšej ako 228 K (–45 °C) alebo vyššej ako 358 K (85 °C);
Note:4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Poznámka:Podľa 4A001.a.1. sa neriadia počítače osobitne určené na použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
s odolnosťou voči žiareniu tak, aby prekračovali všetky tieto špecifikácie:
Single Event Upset 1 × 10-7 Error/bit/day;
jednorazové narušenie (SEU) 1 × 10–7 chyba/bit/deň;
Having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
ktoré majú vlastnosti alebo vykonávajú funkcie nad rámec limitov uvedených v kategórii 5, časť 2 („Ochrana informácií“).
Note:4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user’s personal use.
Poznámka:Podľa 4A001.b. sa neriadia elektronické počítače a príbuzné zariadenia, keď sa nachádzajú u užívateľa na jeho osobné použitie.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
„Digitálne počítače“, „elektronické montážne celky“ a ich príbuzné zariadenia a ich osobitne navrhnuté súčasti:
’Vector processors’;
‚vektorové procesory’;
Array processors;
procesory poľa;
Equipment designed for "image enhancement";
zariadenia určené na „zlepšenie obrazu“;,
Equipment designed for "signal processing".
zariadenia určené na „spracovanie signálu“.
Note 2:The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Poznámka 2:Stav kontroly „digitálnych počítačov“ a príbuzných zariadení opísaný v 4A003 sa určuje podľa stavu kontroly ostatných zariadení alebo systémov pod podmienkou, že:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia sú rozhodujúce pre chod ostatných zariadení alebo systémov;
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
„digitálne počítače“ alebo príbuzné zariadenia nie sú „základným prvkom“ ostatných zariadení alebo systémov a
1:The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
Dôležité upozornenie 1:Stav kontroly zariadení na „spracovanie signálu“ alebo na „zlepšenie obrazu“ osobitne navrhnutého pre iné zariadenia s funkciami obmedzenými na funkcie požadované pre iné zariadenia sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení aj vtedy, ak prekračuje kritérium „základného prvku“.
2:For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Dôležité upozornenie 2:Pre Stav kontroly „digitálnych počítačov“ alebo príbuzných zariadení pre telekomunikačné zariadenie pozri kategóriu 5, časť 1 (Telekomunikácie).
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
„Technológia“ pre „digitálne počítače“ a príbuzné zariadenia sa riadi bodom 4E.
Note:For the purposes of 4A003.a., "digital computers" and related equipment are not considered to be designed or modified for "fault tolerance" if they utilise any of the following:
Poznámka:Na účely bodu 4A003.a. sa „digitálne počítače“ a príbuzné zariadenia nepovažujú za navrhnuté alebo upravené na „odolnosť voči poruchám“, ak využívajú niektorú z týchto možností:
Error detection or correction algorithms in "main storage";
algoritmy na zisťovanie chyby alebo korekčné algoritmy v „operačnej pamäti“,
The interconnection of two "digital computers" so that, if the active central processing unit fails, an idling but mirroring central processing unit can continue the system's functioning;
vzájomné prepojenie dvoch „digitálnych počítačov“ tak, že v prípade zlyhania aktívnej základnej jednotky môže naprázdno bežiaca, avšak zrkadliaca základná jednotka pokračovať v činnosti systému,
The interconnection of two central processing units by data channels or by using shared storage to permit one central processing unit to perform other work until the second central processing unit fails, at which time the first central processing unit takes over in order to continue the system's functioning; or
vzájomné prepojenie dvoch základných jednotiek dátovými kanálmi alebo pomocou spoločne používanej pamäte, čo umožní jednej hlavnej jednotke vykonávať inú prácu až dovtedy, kým nezlyhá druhá základná jednotka – v tomto čase prvá základná jednotka preberie fungovanie tak, že zabezpečí pokračovanie činnosti systému alebo
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 0,75 Weighted TeraFLOPS (WT);
„digitálne počítače“ s „nastaveným špičkovým výkonom“ („APP“) vyšším ako 0,75 vážených teraflopov (WT);
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
„elektronické montážke celky“ osobitne navrhnuté alebo upravené na zvýšenie výkonu agregáciou procesorov tak, že „APP“ agregácie prekročí limit uvedený v 4A003.b.;
Note 1:4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
Poznámka 1:Podľa 4A003.c. sa riadia iba „elektronické montážne celky“ a programovateľné vzájomné prepojenia neprekračujúce limit uvedený v 4A003.b., ak sa expedujú ako neintegrované „elektronické montážne celky“.
It does not control "electronic assemblies" inherently limited by nature of their design for use as related equipment specified in 4A003.e.
Neriadia sa ním „elektronické montážne celky“ už inherentne limitované povahou ich konštrukcie na použitie ako príbuzné zariadenia uvedené v 4A003.e.