natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
Spekaný karbid volfrámu (16), Karbid kremíka (18)
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Fyzikálne pokovovanie zrážaním kovových pár (PVD): „laserovým“ lúčom
Diamond-like carbon
Diamantovitý uhlík (17)
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Fyzikálne pokovovanie zrážaním kovových pár (PVD): katódovým oblúkovým výbojom
Polymers (11) and
Polyméry (11) a „kompozitné materiály“ s organickou „matricou“
Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
Cementovanie v prášku v uzavretých nádobách (pozri vyššie bod A pre cementovanie v prášku v otvorených nádobách) (10)
Organic "matrix""composites" Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
„Kompozitné materiály“ s „matricou“ uhlík-uhlík, keramickou a kovovou
Abradable Nickel-Graphite Abradable materials
Obrusovateľný nikel-grafit
containing Ni-Cr-Al
Obrusovateľné materiály s obsahom Ni-Cr-Al
Abradable Al-Si-Polyester
Obrusovateľný Al-Si-Polyester
Slurry Deposition
Nanášanie suspenzie
Sputter Deposition
Nanášanie naprašovaním
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
Keramika (19) a sklá s nízkou rozťažnosťou (14)
Additions of Chromium Tantalum orNiobium (Columbium)
Prísady chrómu tantalu alebo nióbu (kolumbia)
Cemented tungsten carbide (16)
Spekaný karbid volfrámu (16),
The term ’noble metal modified aluminide’ coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Pojem povlak ‚aluminidu modifikovaného ušľachtilým kovom’ zahŕňa viacstupňové povliekanie, v rámci ktorého sa ušľachtilý kov alebo ušľachtilé kovy nanášajú inými procesmi povliekania ešte pred nanesením povlaku aluminidu.
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
„MCrRAlX“ sa vzťahuje na povliekaciu zliatinu, kde M znamená kobalt, železo, nikel alebo ich kombinácie a X znamená hafnium, ytrium, kremík, tantal v ľubovoľnom množstve alebo iné zámerné prísady v množstve nad 0,01 % hm. v rôznych pomeroch a kombináciách, okrem:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
povlakov CoCrAlY, ktoré obsahujú menej ako 22 % hm. chrómu, menej ako 7 % hm. hliníka a menej ako 2 % hm. ytria,
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
povlakov CoCrAlY, ktoré obsahujú 22 až 24 % hm. chrómu, 10 až 12 % hm. hliníka a 0,5 až 0,7 % hm. ytria alebo
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Pojem ‚oceľ odolná voči korózii’ sa vzťahuje na ocele radu 300 podľa AISI (Americký inštitút pre železo a oceľ) alebo podľa jej ekvivalentných národných noriem.
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
‚Ťažko taviteľné kovy a zlúčeniny’ zahŕňajú tieto kovy a ich zliatiny: niób (kolumbium), molybdén, volfrám a tantal.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
‚Modifikovaný oxid zirkoničitý’ sa vzťahuje na prímesi iných oxidov kovov (napr. oxidy vápnika, horčíka, ytria, hafnia a kovov vzácnych zemín) do oxidu zirkoničitého na stabilizáciu určitých kryštalografických fáz a fázových kompozícií.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Povlaky predstavujúce tepelnú bariéru vyrobené z oxidu zirkoničitého modifikovaného vápnikom alebo horčíkom cestou zmiešania alebo tavenia sa neriadia týmto bodom.
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
‚Sklá s nízkou rozťažnosťou’ sú sklá s koeficientom tepelnej rozťažnosti najviac 1 × 10–7 K-1 meraným pri 293K (20 °C).
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
‚Spekaný karbid volfrámu’ nezahŕňa materiály rezacích nožov a tvárniacich nástrojov pozostávajúcich z karbidu volfrámu/(kobaltu, niklu), karbidu titánu /(kobaltu, niklu), karbidu chrómu/niklu- chrómu a karbidu chrómu/niklu.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
„Technológia“ osobitne navrhnutá na nanášanie diamantového uhlíka na ľubovoľný z nasledovných predmetov sa neriadi podľa tohto bodu:
Table — Deposition techniques — Technical note
Tabuľka – Techniky pokovovania – Poznámky
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Procesy uvedené v stĺpci 1 tabuľky sú vymedzené takto:
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) je proces prekrývacieho povliekania alebo proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa na zahriaty substrát nanáša kov, zliatina, „kompozitný materiál“, dielektrikum alebo keramika.
includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE 1:CVD zahŕňa tieto procesy: vylučovanie mimo uzavretých nádob s riadeným tokom plynu, pulzačné CVD, tepelné vylučovanie s riadenou tvorbou kryštalizačných centier (CNTD) a procesy CVD zosilnené plazmou alebo za pomoci plazmy.
denotes a substrate immersed in a powder mixture.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE 2:Uzatvorená nádoba znamená substrát ponorený do práškovej zmesi.
gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE 3:Plynové reaktanty používané v procesoch mimo uzatvorených nádob vznikajú použitím rovnakých základných reakcií a parametrov ako v prípade procesu cementovania v prášku v uzavretých nádobách, okrem toho, že substrát, ktorý sa má povliekať nie je v styku s práškovou zmesou.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Pridávanie plynov do vákuovej komory počas procesu povliekania za účelom syntetizácie zložených povlakov predstavuje bežnú modifikáciu daného procesu.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
„Laserové“ odparovanie využíva „laserové“ lúče s pulzujúcou alebo stálou vlnou na odparovanie materiálu, ktorý tvorí povlak;
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE:Táto definícia nezahŕňa náhodné vylučovanie pomocou katódového oblúka na nepredmagnetizované substráty.
An activator (normally a halide salt); and
aktivátora (väčšinou halogenidová soľ) a
An inert powder, most frequently alumina.
inertný prášok najčastejšie oxid hlinitý.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE 1:Pod pojmom pri nízkom tlaku sa rozumie pri tlaku nižšom, než je atmosférický tlak prostredia,
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
DÔLEžITÉ UPOZORNENIE 2:Pod pojmom pri vysokej rýchlosti sa rozumie rýchlosť plynu na výstupe z dýzy vyššia ako 750 m/s počítaná pri 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE 1:Tabuľka sa týka iba vylučovania pomocou triódy, magnetrónu alebo reaktívneho napracovania, ktoré sa používa na zvýšenie priľnavosti povlaku a rýchlosti tvorby nánosov a na vylučovanie naprašovaním zvýšené rádiovou frekvenciou (RF) používané na odparovanie nekovových povliekacích materiálov.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE 2:Lúče iónov s nízkou energiou (menej ako 5 keV) sa môžu použiť na aktiváciu vylučovania.
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 1:Stav kontroly zariadení a súčastí popísaných v 3A001 alebo 3A002 okrem zariadení a súčastí popísaných v 3A001.a.3 až 3A001.a.10 alebo 3A001.a.12, ktoré sú osobitne navrhnuté pre iné zariadenia alebo ktoré majú rovnaké funkčné vlastnosti ako iné zariadenia, sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 2:Stav kontroly integrovaných obvodov popísaných v 3A001.a.3 až 3A001.a.9 alebo 3A001.a.12, ktoré sú nemenne naprogramované alebo navrhnuté pre zvláštnu funkciu v iných zariadeniach, sa určuje stavom kontroly týchto iných zariadení.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Dôležité upozornenie:Ak výrobca alebo žiadateľ nevie určiť stav kontroly iných zariadení, potom sa stav kontroly integrovaných obvodov určuje v 3A001.a.3 až 3A001.a.9 a 3A001.a.12.
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Poznámka 1:Pri hodnotení stavu kontroly polovodičových plátkov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a.
"Monolithic integrated circuits";
„monolitické integrované obvody“;
"Hybrid integrated circuits";
„hybridné integrované obvody“;,
"Multichip integrated circuits";
„mnohočipové integrované obvody“;,
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„vrstvové integrované obvody“ vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre;,
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integrované obvody navrhnuté alebo klasifikované ako odolné voči žiareniu tak, aby odolávali:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
celkovej dávke najmenej 5 × 103 Gy (kremík),
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
veľkosti dávky najmenej 5 × 106 Gy (kremík)/s alebo
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
pôsobeniu (integrovanému toku) neutrónov (ekvivalentnému 1 MeV) najmenej 5 × 1013 n/cm2 na kremík alebo jeho ekvivalentu pre iné materiály.
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Poznámka:3A001.a.1.c. sa nevzťahuje na štruktúry zložené z kovu, izolantu a polovodivého materiálu (MIS).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroobvody mikroradiča, integrované pamäťové obvody vyrobené zo zlúčeninového polovodiča, analógovo-číslicové prevodníky, číslicovo-analógové prevodníky, elektrooptické alebo „optické integrované obvody“ konštruované na „spracovanie signálu“, užívateľom programovateľné logické obvody, zákaznícke integrované obvody, u ktorých sú neznáme buď funkcia alebo stav kontroly zariadenia, v ktorom sa integrovaný obvod bude používať, procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), elektricky vymazateľné programovateľné permanentné pamäte (EEPROM), flash pamäte alebo statické pamäte s priamym prístupom (SRAM), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
určené na prevádzku pri teplote prostredia nad 398K (125 °C);
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
určené na prevádzku pri teplote prostredia menej ako 218 K (–55 °C) alebo
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
určené na prevádzku v celom rozsahu teplôt prostredia 218 K (–55 °C) až 398 K (125 °C);
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Poznámka:3A001.a.2. sa nevzťahuje na integrované obvody pre použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroobvody mikroradiča vyrobené zo zlúčeninového polovodiča a pracujú s taktovacím kmitočtom procesora presahujúcim 40 MHz;
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Poznámka:3A001.a.3. zahŕňa procesory na spracovanie digitálneho signálu, procesory s digitálnou maticou a digitálne koprocesory.
ALSO 3A101
Dôležité upozornenie:Pozri tiež 3A101.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
rozlíšenie 8 bitov alebo viac, ale menej ako 10 bitov, s výkonom viac ako 500 miliónov slov za sekundu;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
rozlíšenie 10 bitov alebo viac, ale menej ako 12 bitov, s výkonom viac ako 200 miliónov slov za sekundu;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
rozlíšenie 12 bitov s výkonom viac ako 105 miliónov slov za sekundu;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
rozlíšenie viac ako 12 bitov, ale menej ako 14 bitov s výkonom viac ako 10 miliónov slov za sekundu; alebo
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
rozlíšenie viac ako 14 bitov s výkonom viac ako 2,5 miliónov slov za sekundu;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
digitálno-analógové prevodníky s rozlíšením najmenej 12 bitov a s „dobou ustálenia“ menej ako 10 ns;
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Často sa udáva v megahertzoch (MHz) alebo v mega vzorkách za sekundu (MSPS).
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Elektrooptické a „optické integrované obvody“ určené na „spracovanie signálu“, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
One or more than one internal "laser" diode;
najmenej jedna dióda s vnútorným „laserom“;
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
‚Logické zariadenia programovateľné u zákazníka’, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
maximálny počet digitálnych vstupov/výstupov vyšší ako 200; alebo
A system gate count of greater than 230000;
systém s počtom hradiel viac ako 230000;
Note:3A001.a.7. includes:
Poznámka:3A001.a.7. zahŕňa:
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
‚Logické zariadenia programovateľné u zákazníka’ sú známe aj ako hradlá programovateľné u zákazníka alebo logické polia programovateľné u zákazníka.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Maximálny počet digitálnych vstupov/výstupov v 3A001a.7.a. je označovaný aj ako maximálne užívateľske vstupy/výstupy alebo maximálne dostupné vstupy/výstupy, podľa toho, či je integrovaný obvod v púzdre alebo či je čip obnažený.
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Zákazkové integrované obvody, ktorých funkcia je neznáma alebo výrobcovi nie je známy stav kontroly zariadení, v ktorých sa integrované obvody budú používať, pričom sa tieto vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
More than 1500 terminals;
viac ako 1500 vývodov,
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
typická „doba oneskorenia základného hradla“ menej ako 0,02 ns alebo
An operating frequency exceeding 3 GHz;
prevádzková frekvencia nad 3 GHz.
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Digitálne integrované obvody okrem popísaných v bodoch 3A001.a3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., na báze ľubovoľného zlúčeninového polovodiča, vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentný počet hradiel viac ako 3000 (2 vstupné hradlá) alebo
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
preklápacia frekvencia nad 1,2 GHz.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), ktoré majú menovitú dobu výkonu FFT súboru N bodov menej ako (N log2N)/20480 ms, kde N je počet bodov.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Ak N je rovné 1024 bodov, vzorec uvedený v 3A001.a.12. udáva dobu výkonu operácie 500 µs.
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Poznámka 1:Podľa bodu 3A001.b.1. sa neriadia elektrónky konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo všetkých frekvenčných pásmach a ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Does not exceed 31,8 GHz; and
nepresahujú 31,8 GHz a
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
sú „pridelené od ITU“ pre rádiokomunikačné služby, ale nie pre rádiové určovanie.
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Poznámka 2:Podľa bodu 3A001.b.1. sa neriadia elektrónky neurčené „na vesmírne použitie“, ktoré vyhovujú všetkým týmto charakteristikám:
An average output power equal to or less than 50 W; and
priemerný výkon najviac 50 W a
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo všetkých frekvenčných pásmach a ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
presahujú 31,8 GHz ale nepresahujú 43,5 GHz a
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Elektrónky s postupnou vlnou, s impulzovou alebo stálou vlnou:
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
elektrónky pracujúce pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
elektrónky, ktoré majú prvok so žeravenou katódou s dobou zotavenia v priepustnom smere na menovitý RF výkon menej ako 3 sekundy;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektrónky so spojenou dutinou alebo ich deriváty s „relatívnou šírkou pásma“ viac ako 7 % alebo so špičkovým výkonom nad 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
skrutkovnicové elektrónky alebo ich deriváty, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
„okamžitá šírka pásma“ viac ako jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 0,5;
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
„okamžitá šírka pásma“ najviac jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 1; alebo
Being "space-qualified";
„určené na vesmírne použitie“;
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
impregnované katódy navrhnuté pre elektrónky, ktoré pri menovitých prevádzkových podmienkach vytvárajú prúd s trvalou emisiou hustoty viac ako 5A/cm2;
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
Mikrovlnové „monolitické integrované obvody“ (MMIC) výkonové zosilňovače vyznačujúce sa akoukoľvek z týchto charakteristík:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 3,2 GHz do 6 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 4W (36 dBm) s „frakčnou šírkou pásma“ nad 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 6 GHz do 43,5 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 1W (30 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 16 GHz do 31,8 Ghz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 0,8W (29 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
určené na prevádzku pri frekvenciách vyšších ako 31,8 GHz až do 37,5 GHz vrátane;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 37,5 GHz do 43,5 Ghz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 0,25W (24 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %; alebo
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
určené na prevádzku pri frekvenciách vyšších ako 43,5 GHz;
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Poznámka 1:Podľa bodu 3A001.b.2. sa neriadia vysielacie zariadenia družíc konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo frekvenčnom rozsahu 40,5 GHz až 42,5 GHz.