natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Poznámka 2:Stav kontroly MMIC, ktorého dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené v rozsahu viac ako jednej frekvencie, ako je uvedené v 3A001.b.2.a. až 3A001.b.2.f. sa určuje na základe prahu s najnižším priemerným výstupným výkonom.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Poznámka 3:Poznámky 1 a 2 k úvodnej časti kategórie 3 znamenajú, že podľa 3A001.b.2. sa neriadia MMIC, ak sú osobitne projektované pre iné aplikácie, napr.telekomunikácie, radar, automobily.
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
dimenzované na prevádzku pri frekvenciách nad 3,2 GHz do 6 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 60W (47,8 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 6 GHz do 31,8 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 20W (43 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 31,8 GHz do 37,5 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 0,5W (27 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 37,5 GHz do 43,5 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 1W (30 dBm); alebo
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Poznámka:Stav kontroly tranzistora, ktorého dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené v rozsahu viac ako jednej frekvencie, ako je uvedené v 3A001.b.3.a. až 3A001.b.3.e. sa určuje na základe prahu s najnižším priemerným výstupným výkonom.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Mikrovlnové polovodičové zosilňovače a mikrovlnové súpravy/moduly obsahujúce mikrovlnové polovodičové zosilňovače vyznačujúce sa akoukoľvek z týchto charakteristík:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 3,2 GHz do 6 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 60 W (47,8 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
dimenzované pre výrobu pri frekvencie nad 6 GHz do 31,8 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 15W (42 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 37,5 GHz do 43,5 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 1W (30 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %;
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 3,2 GHz a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
priemerný výstupný výkon (vo watoch), P, viac ako 150 delený druhou mocninou maximálnej výrobnej frekvencie (v GHz) [P>150 W*Ghy2/fGHz2];
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
„relatívna šírka pásma“ 5 % alebo viac; a
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
akékoľvek dve strany kolmé jedna na druhú s dĺžkou d (v cm) rovnajúcou sa alebo menšou ako 15 delenou najnižšou výrobnou frekvenciou v GHz [d<15 cm*GHz/fGHz].
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
Frekvencia 3,2 GHz by sa mala používať ako najnižšie prevádzková frekvencia (fGHz) vo vzorci uvedenom v 3A001.b.4.f.3. pre zosilňovače s dimenzovaným prevádzkovým rozsahom klesajúcim na 3,2 GHz a pod [d≤ 15cm*GHz/3,2 GHz].
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Poznámka 1:Podľa bodu 3A001.b.2. sa neriadia vysielacie zariadenia družíc konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo frekvenčnom rozsahu 40,5 GHz až 42,5 GHz.
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Poznámka 2:Riadiaca funkcia položky, ktorej dimenzovaná prevádzková frekvencia zahŕňa frekvencie uvedené v rozsahu viac ako jednej frekvencie, ako je uvedené v 3A001.b.4.a. až 3A001.b.4.e., je určená prahom s najnižším priemerným výstupným výkonom.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Elektronicky alebo magneticky laditeľné pásmové priepusty alebo pásmové zádrže s viac ako 5 laditeľnými rezonátormi naladiteľnými vo frekvenčnom pásme 1,5:1 (fmax/fmin) za menej ako 10 μs, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
šírka pásmového priepustu viac ako 0,5 % strednej frekvencie alebo
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
šírka pásmovej zádrže menej ako 0,5 % strednej frekvencie.
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Prevodníky a harmonické zmiešavače navrhnuté tak, aby rozšírili frekvenčný rozsah zariadení opísaných v bodoch 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. alebo 3A002.f. nad limitné hodnoty uvedené v týchto bodoch;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Mikrovlnové výkonové zosilňovače obsahujúce elektrónky uvedené v 3A001.b.1. a vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Operating frequencies above 3 GHz;
prevádzkové frekvencie nad 3GHz;
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
priemerná hustota výkonu v pomere k hmotnosti nad 80 W/kg a
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Poznámka:Podľa bodu 3A001.b.8. sa neriadia zariadenia navrhnuté alebo dimenzované na prevádzku v pásme, „pridelenom od ITU“ pre rádiokomunikačné služby, ale nie pre rádiové určovanie.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Mikrovlnné výkonové moduly (MPM), ktoré obsahujú aspoň elektrónku s postupnou vlnou, mikrovlnný „monolitický integrovaný obvod“ a integrovaný elektronický upravovač výkonu a ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
‚spínacia doba’ na prechod z vypnutého do plne funkčného stavu kratšia ako 10 sekúnd;
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
objem menší ako maximálny nominálny výkon vo wattoch vynásobený 10 cm3/W; a
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax.
„okamžitá šírka pásma“ viac ako jedna oktáva (fmax.
> 2fmin.) and having any of the following:
> 2fmin.) a má ktorúkoľvek z týchto vlastností:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
pre frekvencie 18 GHz alebo menej výstupný RF výkon väčší ako 100 W; alebo
A frequency greater than 18 GHz;
frekvencia vyššia ako 18 GHz.
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Na výpočet objemu v 3A001.b.9.b. slúži tento príklad: pri maximálnom nominálnom výkone 20 W by bol objem: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
‚Spínacia doba’ v 3A001.b.9.a. označuje dobu, ktorá uplynie od vypnutého po plne funkčný stav, t. j. zahŕňa zahrievanie MPM.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
oscilátory alebo sústavy oscilátorov navrhnuté tak, aby sa dali prevádzkovať so všetkými týmito charakteristikami:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
fázový šum s jedným bočným pásmom (SSB) lepší ako -(126 + 20 log10F – 20 log10f) v dBc/Hz, ak 10 Hz < F < 10 kHz; a
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
fázový šum s jedným bočným pásmom (SSB) lepší ako -(114 + 20 log10F – 20 log10f) v dBc/Hz, ak 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
V 3A002.d.4. F je posuv od pracovnej frekvencie v Hz a f je pracovná frekvencia v MHz.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Zariadenia s akustickými vlnami a osobitne pre ne navrhnuté súčasti:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Zariadenia s povrchovými akustickými vlnami a zariadenia s akustickými vlnami na stieranie povrchu (plytký objem), vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
nosná frekvencia viac ako 6 GHz;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
nosná frekvencia viac ako 1 GHz, ale nie viac ako 6 GHz, vyznačujúca sa niektorou z týchto vlastností:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
‚potlačenie frekvenčných postranných slučiek’ viac ako 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
súčin maximálnej doby oneskorenia a šírky pásma (čas v μs a šírka pásma v MHz) je viac ako 100;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
šírka pásma viac ako 250 MHz alebo
A dispersive delay of more than 10 µs; or
disperzné oneskorenie viac ako 10 μs alebo
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
nosná frekvencia najviac 1 GHz a má niektorú z týchto vlastností:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
‚potlačenie frekvenčných postranných slučiek’ viac ako 65 dB a šírka pásma viac ako 100 MHz;
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Technická poznámka:‚Potlačenie frekvenčných postranných slučiek’ je maximálna hodnota potlačenia uvedená v karte s údajmi.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Zariadenia na objemové (priestorové) akustické vlny, ktoré umožňujú priame spracovanie signálov s frekvenciami viac ako 6 GHz;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Akusticko-optické zariadenia na „spracovanie signálu“, ktoré využívajú interakciu medzi akustickými vlnami (objemová vlna alebo prízemná vlna) a svetelnými vlnami, čo umožňuje priame spracovanie signálov alebo obrazov vrátane spektrálnej analýzy, korelácie alebo konvolúcie.
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Technická poznámka:3A001.c. sa nevzťahuje na zariadenia s akustickými vlnami, ktoré sú obmedzené na filtrovanie jednopásmovým priepustom, dolným priepustom, horným priepustom alebo pásmovou zádržou, alebo na rezonačnú funkciu.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Elektronické zariadenia a súčasti obsahujúce obvody vyrobené zo „supravodivých“ materiálov osobitne navrhnutých na prevádzku pri teplotách nižších ako je „kritická teplota“ alebo najmenej jednu zo „supravodivých“ zložiek, ktoré majú niektorú z týchto charakteristík:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
prúdové spínanie pre digitálne obvody s použitím „supravodivých“ hradiel so súčinom doby oneskorenia na jedno hradlo (v sekundách) a rozptylu energie na jedno hradlo (vo Wattoch) menej ako 10–14 J; alebo
High energy devices as follows:
Vysokoenergetické zariadenia:
’Cells’ as follows:
Tieto ‚články’:
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
‚Primárne články’ s ‚hustotou energie’ viac ako 550 Wh/kg pri 20 °C;
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
‚Sekundárne články’ s ‚hustotou energie’ viac ako 250 Wh/kg.
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
Na účely 3A001.e.1 sa ‚hustota energie’ (Wh/kg) vypočíta vynásobením menovitého napätia menovitou kapacitou v ampérhodinách (Ah) a vydelením výsledku hmotnosťou v kilogramoch.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
Na účely 3A001.e.1 je ‚článok’ elektrochemické zariadenie, ktoré má kladné a záporné elektródy a elektrolyt a je zdrojom elektrickej energie.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
Na účely 3A001.e.1.a je ‚primárny článok’ taký ‚článok’, ktorý nie je určený na nabíjanie z iného zdroja.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
Na účely 3A001.e.1.b. je ‚sekundárny článok’ taký ‚článok’, ktorý je určený na nabíjanie z vonkajšieho elektrického zdroja.
High energy storage capacitors as follows:
Akumulačné kondenzátory s vysokou energiou:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
Dôležité upozornenie:Pozri tiež 3A201.a.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Kondenzátory s opakovacím kmitočtom menej ako 10 Hz (jednorazové kondenzátory) vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Kondenzátory s opakovacím kmitočtom najmenej 10 Hz (opakovacie kondenzátory) vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
A total energy equal to or more than 100 J; and
celková energia najmenej 100 J a
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
„Supravodivé“ elektromagnety a solenoidy osobitne konštruované tak, aby ich bolo možné úplne nabiť alebo vybiť za dobu kratšiu ako jedna sekunda, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
Dôležité upozornenie:Pozri tiež 3A201.b.
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Poznámka:Podľa 3A001.e.3. sa neriadia „supravodivé“ elektromagnety ani solenoidy osobitne konštruované pre medicínske zariadenia určené na zobrazovanie pomocou magnetickej rezonancie (MRI).
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
vnútorný priemer vinutí pod prúdom je viac ako 250 mm a
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
sú dimenzované na magnetickú indukciu viac ako 8 T alebo „celkovú hustotu prúdu“ vo vinutí viac ako 300 A/mm2;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Solárne články, sústavy pozostávajúce z článku, prepojenia a krycieho skla (CIC), solárne panely a solárne sústavy, ktoré sú „určené na vesmírne použitie“ a majú minimálnu priemernú účinnosť vyššiu ako 20 % pri prevádzkovej teplote 301 K (28 °C) za simulovaného osvetlenia ‚AM0’ s ožiarenosťou 1,367 W/m2.
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
‚AM0’ alebo ‚vzdušná hmota nula’ označujú spektrálnu žiarivosť slnečného svetla vo vonkajšej atmosfére Zeme, keď je vzdialenosť medzi Zemou a slnkom jedna astronomická jednotka (AU).
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Kódovače absolútnej polohy s rotačným vstupom vyznačujúce sa presnosťou menšou (lepšou) alebo rovnajúcou sa ±1,0 uhlovej sekunde.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Tuhofázové tyristorové zariadenia a ‚tyristorové moduly’ na prepínanie impulznej energie pomocou prepínania ovládaného elektricky, opticky alebo elektrónovým žiarením, ktoré majú ktorúkoľvek z týchto vlastností:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
Maximálny nárast prúdu pri zapnutí (di/dt) vyšší ako 30000 A/μs a napätie vo vypnutom stave vyššie ako 1100 V; alebo
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
Maximálny nárast prúdu pri zapnutí (di/dt) vyšší ako 2000 A/μs a všetky tieto vlastnosti:
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
špičkové napätie vo vypnutom stave 3000 V alebo viac; a
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
špičkový (nárazový) prúd 3000 A alebo viac.
Note 1:3A001.g. includes:
Poznámka 1:3A001.g. zahŕňa:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
kremíkové usmerňovače (SCR)
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
elektrické spúšťacie tyristory (ETT)
Light Triggering Thyristors (LTTs)
svetelné spúšťacie tyristory (LTT)
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
prepínacie tyristory s integrovaným hradlom (IGCT)
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
tyristory vypínané hradlom (GTO)
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
tyristory ovládané MOS (MCT)
Solidtrons
solidtrony
Note 2:3A001.g. does not control thyristor devices and ’thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
Poznámka 2:Podľa 3A001.g. sa neriadia tyristorové zariadenia a ‚tyristorové moduly’ zabudované do zariadení určených na použitie v civilnej železničnejdoprave a „civilných lietadlách“.
For the purposes of 3A001.g., a ’thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
Na účely 3A001.g. obsahuje ‚tyristorový modul’ jedno alebo viacero tyristorových zariadení.
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ’modules’, having all of the following:
Tuhofázové polovodičové prepínače napájania, diódy alebo ‚moduly’, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
maximálna prevádzková teplota prechodu vyššia ako 488 K (215 °C);
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
opakovateľné špičkové napätie vo vypnutom stave (blokovacie napätie) väčšie ako 300 V; a
Continuous current greater than 1 A.
jednosmerný prúd väčší ako 1 A.
Note 1:Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Poznámka 1:Opakovateľné špičkové napätie vo vypnutom stave uvedené v 3A001.h. zahŕňa napätie medzi spotrebičom a zdrojom, napätie medzi kolektorom a emitorom, opakovateľné špičkové spätné napätie a špičkové opakovateľné blokovacie napätie vo vypnutom stave.
Note 2:3A001.h. includes:
Poznámka 2:3A001.h. zahŕňa:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
tranzistory riadené poľom s priechodovým hradlom (JFET),
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
vertikálne plošné tranzistory riadené poľom s priechodovým hradlom (VJFET),
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
tranzistory riadené poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič (MOSFET),
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
difundované tranzistory riadené poľom so štruktúrou kov-oxid-polovodič (DMOSFET),
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom (IGBT),
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT),
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
bipolárne plošné tranzistory (BJT),
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
tyristory a kremíkové usmerňovače (SCR),
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
tyristory vypínané hradlom (GTO),
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
tyristory vypínané emitorom (ETO),
PiN Diodes
PiN diódy,
Schottky Diodes
Schottkyho diódy.
Note 3:3A001.h. does not control switches, diodes, or ’modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
Poznámka 3:3A001.h. sa nevzťahuje na kontrolné spínače, diódy alebo ‚moduly’ začlenené do vybavenia navrhnutého pre aplikácie v civilnom automobilovom, železničnom alebo leteckom priemysle.
For the purposes of 3A001.h., ’modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Na účely 3A001.h. ‚moduly’ obsahujú jeden alebo viac tuhofázových polovodičových prepínačov alebo diód.
Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
Zapisovacie (záznamové) zariadenia s osobitne navrhnutou skúšobnou páskou:
A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
šírka pásma viac ako 2 MHz na jeden elektronický kanál alebo stopu s viac ako 42 stopami alebo
A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ±0,1 µs;
chyba časového posunu (základná chyba) meraná v súlade s príslušnými dokumentmi IRIG alebo EIA menej ako ±0,1 µs;
Note:Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Poznámka:Analógové zariadenia na záznam na magnetickú pásku osobitne navrhnuté na použitie videa na civilné účely sa nepovažujú za zariadenia na záznam na pásku s prístrojmi.