natgillin/translations-raw huggingface dataset:
’MCrAlX’ refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 weight percent in various proportions and combinations, except:
‚MCrRAlX’ sa vzťahuje na povliekaciu zliatinu, kde M znamená kobalt, železo, nikel alebo ich kombinácie a X znamená hafnium, ytrium, kremík, tantál v ľubovoľnom množstve alebo iné zámerné prísady v množstve nad 0,01 % hm. v rôznych pomeroch a kombináciách, okrem:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 weight percent of chromium, less than 7 weight percent of aluminium and less than 2 weight percent of yttrium;
povlakov CoCrAlY, ktoré obsahujú menej ako22 % hm. chrómu, menej ako7 % hm. hliníka a menej ako2 % hm. ytria;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 weight percent of chromium, 10 to 12 weight percent of aluminium and 0,5 to 0,7 weight percent of yttrium; or
povlaky CoCrAlY, ktoré obsahujú 22 až24 % hm. chrómu, 10 až12 % hm. hliníka a 0,5 až 0,7 % hm. ytria alebo
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 weight percent of chromium, 10 to 12 weight percent of aluminium and 0,9 to 1.1 weight percent of yttrium.
povlaky NiCrAlY, ktoré obsahujú 21 až23 % hm. chrómu, 10 až12 % hm. hliníka a 0,9 až 1,1 % hm. Ytria.
The term ’aluminium alloys’ refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Pojem ‚zliatiny hliníka’ sa vzťahuje na zliatiny s medzou pevnosti v ťahu najmenej 190 MPa meranou pri 293 K (20 °C).
The term ’corrosion resistant steel’ refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Pojem ‚nehrdzavejúca oceľ’ sa vzťahuje na ocele radu 300 podľa AISI (Americký inštitút pre železo a oceľ) alebo podľa jej ekvivalentných národných noriem.
’Refractory metals and alloys’ include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
‚Kovy a zliatiny taviteľné pri vysokej teplote’ zahŕňajú tieto kovy a ich zliatiny: niób (kolumbium), molybdén; volfrám a tantal.
’Sensor window materials’, as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
‚Materiály na okienka snímačov’: hliník, kremík, germánium, sírnik zinočnatý, selenid zinočnatý, arzenid gália, diamant, fosfid gália, zafír a tieto halogenidy kovov: materiály na okienka snímačov o priemere väčšom ako 40 mm pre fluorid zirkónia a fluorid hafnia.
’Polymers’, as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
‚Polyméry’: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyuretány.
’Modified zirconia’ refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
‚Modifikovaná zirkónia’ sa vzťahuje na prímesi iných oxidov kovov (napr. oxidy vápnika, horčíka, ytria, hafnia a kovov vzácnych zemín) do zirkónie na stabilizáciu určitých kryštalografických fáz a fázových kompozícií.
’Titanium alloys’ refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
‚Zliatiny titánu’ sa vzťahujú iba na kozmické zliatiny s medzou pevnosti v ťahu najmenej 900 MPA meranou pri 293 K (20 °C).
’Low-expansion glasses’ refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
‚Sklá s nízkou rozťažnosťou’ sú sklá s koeficientom tepelnej rozťažnosti najviac 1 × 10–7 K–1 meraným pri 293 K (20 °C).
’Dielectric layers’ are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
‚Dielektrické vrstvy’ sú povlaky zostavené z viacerých vrstiev izolačných materiálov, v ktorých sa interferenčné vlastnosti navrhnutého materiálu zloženého z materiálov s rôznymi indexmi lomu využívajú na odrážanie, prenášanie alebo absorbovanie pásem s rôznou vlnovou dĺžkou.
’Cemented tungsten carbide’ does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
’Spekaný karbid volfrámu’ nezahŕňa materiály rezacích nožov a tvárniacich nástrojov pozostávajúcich z karbidu volfrámu/(kobaltu, niklu), karbidu titánu /(kobaltu, niklu), karbidu chrómu/niklu- chrómu a karbidu chrómu/niklu.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
"Technológia" osobitne navrhnutá na nanášanie diamantového uhlíka na ľubovoľný z nasledovných predmetov sa neriadi podľa tohto bodu:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
mechaniky a hlavy magnetických diskov, zariadenia na výrobu predmetov určených na jedno použitie, ventily kohútikov, akustické membrány reproduktorov, súčasti motorov automobilov, rezné nástroje, prestrihovacie formy a lisovacie formy, zariadenia na automatizáciu administratívy, mikrofóny alebo zdravotnícke stroje a prístroje alebo lisy na tavenie alebo lisovanie plastov, vyrábané z legovaných kovov obsahujúcich menej ako5 % berýlia.
’Silicon carbide’ does not include cutting and forming tool materials.
‚Karbid kremíka’ nezahŕňa materiály pre rezné a tvárniace nástroje.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Keramické substráty podľa tejto položky nezahŕňajú keramické materiály s obsahom najmenej5 % hm. hliny alebo cementu, nezávisle od toho, či ide o samostatné zložky alebo ich kombináciu.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Procesy uvedené v stĺpci 1 tabuľky sú vymdzené takto:
chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) je proces prekrývacieho povliekania alebo proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa na zahriaty substrát nanáša kov, zliatina, "kompozitný materiál", dielektrikum alebo keramika.
1:CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Dôležité upozornenie 1:CVD zahŕňa tieto procesy: vylučovanie mimo uzavretých nádob s riadeným tokom plynu, pulzačné CVD, tepelné vylučovanie s riadenou tvorbou kryštalizačných centier (CNTD) a procesy CVD zosilnené plazmou alebo za pomoci plazmy.
2:Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Dôležité upozornenie 2:Uzatvorená nádoba znamená substrát ponorený do práškovej zmesi.
3:The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Dôležité upozornenie 3:Plynové reaktanty používané v procesoch mimo uzatvorených nádob vznikajú použitím rovnakých základných reakcií a parametrov ako v prípade procesu cementovania v prášku v uzavretých nádobách, okrem toho, že substrát, ktorý sa má povliekať, nie je v styku s práškovou zmesou.
thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Fyzikálne pokovovanie zrážaním kovových pár pomocou tepelného odparovania (TE-PVD) je proces prekrývacieho povliekania prebiehajúci vo vákuu pri tlaku menej ako 0,1 Pa, pričom sa používa zdroj tepelnej energie na odparenie povliekacieho materiálu.
electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Proces PVD pomocou elektrónového lúča využíva elektrónový lúč na zohriatie a odparenie materiálu, ktorý tvorí povlak.
ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Proces PVD s odporovým zahrievaním pomocou iónov využíva elektrické zdroje odporového zohrievania v kombinácii s dopadajúcim iónovým lúčom na vytvorenie riadeného a homogénneho toku odparovaných druhov povlakov.
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
"Laserové" odparovanie využíva "laserové" lúče s pulzujúcou alebo stálou vlnou na odparovanie materiálu, ktorý tvorí povlak.
cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Nanášanie pomocou katódového oblúka využíva taviacu elektródu z materiálu, ktorý tvorí povlak a na povrchu sa vytvára oblúkový výboj v dôsledku styku so zemniacou spúšťou v danom okamihu.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Predmagnetizácia substrátu sa používa na nepriamočiare vylučovanie.
N.B.:This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Dôležité upozornenie:Táto definícia nezahŕňa náhodné vylučovanie pomocou katódového oblúka na nepredmagnetizované substráty.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Pokovovanie iónmi je zvláštna modifikácia všeobecného procesu TE-PVD, pri ktorom sa na ionizovanie zložky, ktorá sa má naniesť, používa plazma alebo zdroj iónov, a na substrát sa privedie záporné predpätie (predmagnetizácia) tak, aby sa umožnila extrakcia zložky z plazmy.
pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Cementovanie v prášku v uzavretých nádobách je proces povliekania modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povlaku, pri ktorom sa substrát ponorí do práškovej zmesi (uzatvorená nádoba), ktorá pozostáva z:
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
kovových práškov, ktoré sa majú naniesť (obvykle hliník, chróm, kremík alebo ich kombinácie);
an activator (normally a halide salt); and
aktivátora (väčšinou halogenidová soľ) a
an inert powder, most frequently alumina.
inertný prášok najčastejšie oxid hlinitý.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substrát a prášková zmes sa nachádza v retorte, ktorá sa zahreje na teplotu 1030 K (757 °C) a 1375 K (1102 °C) na dobu postačujúcu na to, aby sa vytvoril povlak.
plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plazmové striekanie je proces prekrývacieho povliekania, v ktorom pištoľ (rozprašovací horák), ktorá vytvára a riadi plazmu, prijíma práškové alebo drôtové povlakové materiály, taví ich a ženie smerom k substrátu, na ktorom sa vytvorí jednotne viazaný povlak.
1:Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Dôležité upozornenie 1:Pod pojmom pri nízkom tlaku sa rozumie pri tlaku nižšom, než je atmosférický tlak prostredia.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Dôležité upozornenie 2:Pod pojmom pri vysokej rýchlosti sa rozumie rýchlosť plynu na výstupe z dýzy vyššia ako 750 m/s počítaná pri 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Vylučovanie zo suspenzie je proces povliekania s modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povliekania, pri ktorom sa kovový alebo keramický prášok s organickým spojivom suspenduje do kvapaliny a na substrát sa nanáša buď striekaním, namáčaním, alebo natieraním, s následným sušením na vzduchu alebo v peci a tepelným spracovaním tak, aby sa dosiahol požadovaný povlak.
sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Vylučovanie naprašovaním je proces prekrývacieho povliekania založený na prenose hybnosti, pri ktorom sú kladné ióny urýchľované elektrickým poľom smerom k povrchu terča (povliekací materiál).
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Dôležité upozornenie 1:Tabuľka sa týka iba vylučovania pomocou triódy, magnetrónu alebo reaktívneho napracovania, ktoré sa používa na zvýšenie priľnavosti povlaku a rýchlosti tvorby nánosov a na vylučovanie naprašovaním zvýšené rádiovou frekvenciou (RF) používané na odparovanie nekovových povliekacích materiálov.
2:Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Dôležité upozornenie 2:Lúče iónov s nízkou energiou (menej ako 5 keV) sa môžu použiť na aktiváciu vylučovania.
ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Implantovanie iónov je proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa prvok, ktorý sa má zlievať, ionizuje, urýchli prostredníctvom gradientu potenciálu a implantuje sa do oblasti povrchu substrátu.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 1:Zariadenia a súčasti popísané v 3A001 alebo 3A002 okrem zariadení a súčastí popísaných v 3A001.a.3 až 3A001.a.10 alebo 3A001.a.12, ktoré sú osobitne navrhnuté pre iné zariadenia alebo ktoré majú rovnaké funkčné vlastnosti ako iné zariadenia, sa riadia tak, ako tieto iné zariadenia (z hľadiska kontroly).
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 2:Integrované obvody popísané v 3A001.a.3 až 3A001.a.9 alebo 3A001.a.12, ktoré sú nemenne naprogramované alebo navrhnuté pre zvláštnu funkciu v iných zariadeniach, sa riadia tak ako tieto iné zariadenia (z hľadiska kontroly).
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Dôležité upozornenie:Ak výrobca alebo žiadateľ nevie určiť, podľa čoho sa riadia tieto iné zariadenia (z hľadiska kontroly), potom sa integrované obvody riadia podľa 3A001.a.3 až 3A001.a.9 a 3A001.a.12.
general purpose integrated circuits, as follows:
Univerzálne integrované obvody:
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Poznámka 1:Pri hodnotení, podľa ktorého bodu sa riadia plátky čipov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
Poznámka 2:Integrované obvody zahŕňajú nasledovné typy:
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
integrované obvody navrhnuté alebo klasifikované ako kalené radiáciou tak, aby odolávali:
a total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
celkovej dávke najmenej 5 × 103 Gy (kremík);
a dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
veľkosti dávky najmenej 5 × 106 Gy (kremík)/s alebo
a fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
pôsobeniu (integrovanému toku) neutrónov (ekvivalentnému 1 MeV) najmenej 5 × 1013 n/cm2 na kremík alebo jeho ekvivalentu pre iné materiály;
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Poznámka:3A001.a.1.c sa nevzťahuje na štruktúry zložené z kovu, izolantu a polovodivého materiálu (MIS).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"mikroobvody mikroprocesora", "mikroobvody mikropočítača", mikroobvody mikroradiča, integrované obvody pamäte vyrobené zo zlúčeninového polovodiča, analógovo-číslicové prevodníky, číslicovo-analógové prevodníky, elektrooptické alebo "optické integrované obvody" konštruované na "spracovávanie signálov", logické zariadenia programovateľné u zákazníka, integrované obvody s neurónovou sieťou, zákazkové integrované obvody, u ktorých je neznáma buď funkcia alebo podľa ktorého bodu sa riadia zariadenia, v ktorom sa integrovaný obvod bude používať, procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), elektricky vymazateľné programovateľné permanentné pamäte (EEPROM), flash pamäte alebo statické pamäte s priamym výberom (SRAM), ktoré sa vyznačujú ľubovoľnou z týchto charakteristík:
rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
určené na prevádzku pri teplote prostredia nad 398 K (125 °C);
rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
určené na prevádzku pri teplote prostredia menej ako 218 K (–55 °C) alebo
rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) et 398 K (125 °C);
určené na prevádzku v celom rozsahu teplôt prostredia 218 K (–55 °C) až 398 K (125 °C);
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Poznámka:Bod 3A001.a.2 sa nevzťahuje na integrované obvody pre použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
"mikroobvody mikroprocesora", "mikroobvody mikropočítača" a mikroobvody mikroradiča vyrobené zo zlúčeninového polovodiča a pracujú s kmitočtom hodinových impulzov presahujúcim 40 MHz;
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Poznámka:3A001.a.3 zahŕňa procesory na spracovanie digitálneho signálu, procesory s digitálnou maticou a digitálne koprocesory.
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
integrované obvody s pamäťou vyrobené zo zlúčeninového polovodiča;
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
integrované obvody s analógovo-číslicovým a číslicovo-analógovým prevodníkom:
analogue-to-digital converters having any of the following:
analógovo-digitálne prevodníky vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
N.B.:SEE ALSO 3A101
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE:POZRI TIEŽ 3A101.
a resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
rozlíšenie 8 bitov alebo viac, ale menej ako 10 bitov, s výkonom viac ako 500 miliónov slov za sekundu;
a resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
rozlíšenie 10 bitov alebo viac, ale menej ako 12 bitov, s výkonom viac ako 200 miliónov slov za sekundu;
a resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
rozlíšenie 12 bitov s výkonom viac ako 105 miliónov slov za sekundu;
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
rozlíšenie viac ako 12 bitov, ale menej ako 14 bitov s výkonom viac ako 10 miliónov slov za sekundu alebo
a resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
rozlíšenie viac ako 14 bitov s výkonom viac ako 2,5 milióna slov za sekundu;
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
digitálno-analógové prevodníky s rozlíšením najmenej 2 bitov a s dobou "likvidácie" menej ako 10 ns;
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Často sa udáva v megahertzoch (MHz) alebo v mega vzorkách (samples) za sekundu (MSPS).
electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
elektrooptické a "optické integrované obvody" konštruované na "spracovanie signálu", ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
one or more than one internal "laser" diode;
najmenej jedna dióda s vnútorným "laserom";
one or more than one internal light detecting element; and
najmenej jeden vnútorný prvok na detekciu svetla a
optical waveguides;
optické vlnovody;
field programmable logic devices having any of the following:
logické zariadenia programovateľné u zákazníka, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
an equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
ekvivalent použiteľného počtu hradiel viac ako 30000 (2 vstupné hradlá);
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
typická "doba oneskorenia základného hradla" menej ako 0,1 ns alebo
a toggle frequency exceeding 133 MHz;
preklápacia frekvencia viac ako 133 MHz;
Note:3A001.a.7. includes:
Poznámka:Bod 3A001.a.7 zahŕňa:
simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
jednoduché programovateľné logické zariadenia (SPLD),
complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
komplexné programovateľné logické zariadenia (CPLD),
field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
hradlové polia programovateľné u zákazníka (FPGA),
field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
logické polia programovateľné u zákazníka (FPLA),
field Programmable Interconnects (FPICs)
prepojenia programovateľné u zákazníka (FPIC).
N.B.:field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Dôležité upozornenie:Logické zariadenia programovateľné u zákazníka sú známe aj ako hradlá programovateľné u zákazníka alebo logické polia programovateľné u zákazníka.
neural network integrated circuits;
integrované obvody s neurónovou sieťou;