natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The term "noble metal modified aluminide" coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Pojem povlak ‚aluminidu modifikovaného ušľachtilým kovom‘ zahŕňa viacstupňové povliekanie, v rámci ktorého sa ušľachtilý kov alebo ušľachtilé kovy nanášajú inými procesmi povliekania ešte pred nanesením povlaku aluminidu.
The term "mixtures thereof" includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Pojem ‚ich zmesi‘ zahŕňa infiltrovaný materiál, klasifikované kompozície, spolu vylučované povlaky a viacvrstvové povlaky a získajú sa pomocou jedného alebo viacerých procesov povliekania uvedených v tabuľke.
"MCrAlX" refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
‚MCrRAlX‘ sa vzťahuje na povliekaciu zliatinu, kde M znamená kobalt, železo, nikel alebo ich kombinácie a X znamená hafnium, ytrium, kremík, tantal v ľubovoľnom množstve alebo iné zámerné prísady v množstve nad 0,01 % hm. v rôznych pomeroch a kombináciách okrem:
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
povlakov CoCrAlY, ktoré obsahujú menej ako 22 % hm. chrómu, menej ako 7 % hm. hliníka a menej ako 2 % hm. ytria;
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight percent of yttrium; or
povlakov CoCrAlY, ktoré obsahujú 22 až 24 % hm. chrómu, 10 až 12 % hm. hliníka a 0,5 až 0,7 % hm. ytria alebo
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
povlakov NiCrAlY, ktoré obsahujú 21 až 23 % hm. chrómu, 10 až 12 % hm. hliníka a 0,9 až 1,1 % hm. ytria.
The term "aluminium alloys" refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
Pojem ‚zliatiny hliníka‘ sa vzťahuje na zliatiny s medzou pevnosti v ťahu najmenej 190 MPa meranou pri 293 K (20 °C).
The term "corrosion resistant steel" refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
Pojem ‚oceľ odolná voči korózii‘ sa vzťahuje na ocele radu 300 podľa AISI (Americký inštitút pre železo a oceľ) alebo podľa jej ekvivalentných národných noriem.
"Refractory metals and alloys" include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
‚Ťažkotaviteľné kovy a zliatiny‘ zahŕňajú tieto kovy a ich zliatiny: niób (kolumbium), molybdén; volfrám a tantal.
"Sensor window materials", as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
‚Materiály na okienka snímačov‘: hliník, kremík, germánium, sírnik zinočnatý, selenid zinočnatý, arzenid gália, diamant, fosfid gália, zafír a tieto halogenidy kovov: materiály na okienka snímačov s priemerom väčším ako 40 mm pre fluorid zirkónia a fluorid hafnia.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
„Technológia“ pre jednostupňovú cementáciu v prášku v uzavretých nádobách pevných nosných plôch sa neriadi podľa kategórie 2.
"Polymers", as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
‚Polyméry‘: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyuretány.
"Modified zirconia" refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
„Modifikovaný oxid zirkoničitý“ sa vzťahuje na prímesi iných oxidov kovov (napr. oxidy vápnika, horčíka, ytria, hafnia a kovov vzácnych zemín) do oxidu zirkoničitého na stabilizáciu určitých kryštalografických fáz a fázových kompozícií.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Povlaky predstavujúce tepelnú bariéru, vyrobené z oxidu zirkoničitého modifikovaného vápnikom alebo horčíkom cestou zmiešania alebo tavenia, sa neriadia týmto bodom.
"Titanium alloys" refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
‚Zliatiny titánu‘ sa vzťahujú iba na kozmické zliatiny s medzou pevnosti v ťahu najmenej 900 MPA meranou pri 293 K (20 °C).
"Low-expansion glasses" refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
‚Sklá s nízkou rozťažnosťou‘ sú sklá s koeficientom tepelnej rozťažnosti najviac 1 × 10–7 K–1 meraným pri 293 K (20 °C).
"Dielectric layers" are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
‚Dielektrické vrstvy‘ sú povlaky zostavené z viacerých vrstiev izolačných materiálov, v ktorých sa interferenčné vlastnosti navrhnutého materiálu zloženého z materiálov s rôznymi indexmi lomu využívajú na odrážanie, prenášanie alebo absorbovanie pásem s rôznou vlnovou dĺžkou.
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Dielektrické vrstvy znamenajú viac ako štyri dielektrické vrstvy alebo vrstvy dielektrického/kovového „kompozitného materiálu“.
"Cemented tungsten carbide" does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
‚Spekaný karbid volfrámu‘ nezahŕňa materiály rezacích nožov a tvárniacich nástrojov pozostávajúcich z karbidu volfrámu/(kobaltu, niklu), karbidu titánu /(kobaltu, niklu), karbidu chrómu/niklu- chrómu a karbidu chrómu/niklu.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
„Technológia“ osobitne navrhnutá na nanášanie diamantového uhlíka na ľubovoľný z nasledujúcich predmetov sa neriadi podľa tohto bodu:
"Silicon carbide" does not include cutting and forming tool materials.
‚Karbid kremíka‘ nezahŕňa materiály pre rezné a tvárniace nástroje.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination. Table — Deposition techniques — Technical note
Keramické substráty podľa tejto položky nezahŕňajú keramické materiály s obsahom najmenej 5 % hm. hliny alebo cementu, nezávisle od toho, či ide o samostatné zložky, alebo ich kombináciu.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Procesy uvedené v stĺpci 1 tabuľky:
chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) je proces prekrývacieho povliekania alebo proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa na zahriaty substrát nanáša kov, zliatina, „kompozitný materiál“, dielektrikum alebo keramika.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
V blízkosti substrátu sa plynné reaktanty rozkladajú alebo kombinujú, čoho následkom je vylúčenie požadovaného prvku, zliatiny alebo zlúčeniny na substráte.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Energiu potrebnú pre tento proces rozkladu alebo chemickej reakcie môže dodať teplo substrátu, plazmovo-tlejivý výboj alebo ožarovanie „laserom“.
1:CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Dôležité upozornenie 1:CVD zahŕňa tieto procesy: vylučovanie mimo uzavretých nádob s riadeným tokom plynu, pulzačné CVD, tepelné vylučovanie s riadenou tvorbou kryštalizačných centier (CNTD) a procesy CVD zosilnené plazmou alebo s pomocou plazmy.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Pridávanie plynov do vákuovej komory počas procesu povliekania na účely syntetizácie zložených povlakov predstavuje bežnú modifikáciu daného procesu.
"laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
„Laserové“ odparovanie využíva „laserové“ lúče s pulzujúcou alebo stálou vlnou na odparovanie materiálu, ktorý tvorí povlak.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Riadený pohyb iskrenia eroduje povrch katódy, čím vzniká vysokoionizovaná plazma.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Anóda môže byť buď kužeľ pripevnený k obvodu katódy cez izolátor, alebo komora.
ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Pokovovanie iónmi je zvláštna modifikácia všeobecného procesu TE-PVD, pri ktorom sa na ionizovanie zložky, ktorá sa má naniesť, používa plazma alebo zdroj iónov a na substrát sa privedie záporné predpätie (predmagnetizácia) tak, aby sa umožnila extrakcia zložky z plazmy.
the metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
kovových práškov, ktoré sa majú naniesť (obyčajne hliník, chróm, kremík alebo ich kombinácie);
an inert powder, most frequently alumina.
inertného prášku najčastejšie oxidu hlinitého.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substrát a prášková zmes sa nachádza v retorte, ktorá sa zahreje na teplotu 1030 K (757 °C) a 1375 K (1102 °C) na čas postačujúci na to, aby sa vytvoril povlak.
2:High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Dôležité upozornenie 2:Pod pojmom pri vysokej rýchlosti sa rozumie rýchlosť plynu na výstupe z dýzy vyššia ako 750 m/s, počítaná pri 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.
slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Vylučovanie zo suspenzie je proces povliekania s modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povliekania, pri ktorom sa kovový alebo keramický prášok s organickým spojivom suspenduje do kvapaliny a na substrát sa nanáša buď striekaním, namáčaním, alebo natieraním s následným sušením na vzduchu alebo v peci a tepelným spracovaním, tak aby sa dosiahol požadovaný povlak.
1:The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Dôležité upozornenie 1:Tabuľka sa týka iba vylučovania pomocou triódy, magnetrónu alebo reaktívneho napracovania, ktoré sa používa na zvýšenie priľnavosti povlaku a rýchlosti tvorby nánosov a na vylučovanie naprašovaním zvýšené rádiovou frekvenciou (RF), používané na odparovanie nekovových povliekacích materiálov.
Note 1:the control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 1:Stav kontroly zariadení a súčastí opísaných v 3A001 alebo 3A002 okrem zariadení a súčastí opísaných v 3A001.a.3 až 3A001.a.10 alebo 3A001.a.12, ktoré sú osobitne navrhnuté pre iné zariadenia alebo ktoré majú rovnaké funkčné vlastnosti ako iné zariadenia, sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení.
Note 2:the control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 2:Stav kontroly integrovaných obvodov opísaných v 3A001.a.3 až 3A001.a.9 alebo 3A001.a.12, ktoré sú nemenne naprogramované alebo navrhnuté pre zvláštnu funkciu v iných zariadeniach, sa určuje podľa stavu kontroly týchto iných zariadení.
N.B.:when the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Dôležité upozornenie:Ak výrobca alebo žiadateľ nevie určiť stav kontroly iných zariadení, potom sa stav kontroly integrovaných obvodov určuje v 3A001.a.3 až 3A001.a.9 a 3A001.a.12.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Ak je však integrovaný obvod „mikropočítačový mikroobvod“ na báze kremíka alebo mikroobvod mikroradiča opísaný v 3A001.a.3, ktorý má dĺžku slova operandu (údaju) najviac 8 bitov, stav kontroly integrovaného obvodu sa určuje v 3A001.a.3.
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Elektronické súčasti a ich osobitne navrhnuté súčasti:
Note 1:the control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Poznámka 1:Pri hodnotení stavu kontroly polovodičových plátkov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
Poznámka 2:Integrované obvody zahŕňajú nasledujúce typy:
"Monolithic integrated circuits";
„monolitické integrované obvody“,
"Hybrid integrated circuits";
„hybridné integrované obvody“,
"Multichip integrated circuits";
„mnohočipové integrované obvody“,
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„vrstvové integrované obvody“ vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre,
"Optical integrated circuits".
„optické integrované obvody“.
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
integrované obvody navrhnuté alebo klasifikované ako odolné voči žiareniu tak, aby odolávali:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroobvody mikroradiča, integrované pamäťové obvody vyrobené zo zlúčeninového polovodiča, analógovo-číslicové prevodníky, číslicovo-analógové prevodníky, elektrooptické alebo „optické integrované obvody“ konštruované na „spracovanie signálu“, užívateľom programovateľné logické obvody, zákaznícke integrované obvody, pri ktorých je neznáma buď funkcia, alebo stav kontroly zariadenia, v ktorom sa integrovaný obvod bude používať, procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), elektricky vymazateľné programovateľné permanentné pamäte (EEPROM), flash pamäte alebo statické pamäte s priamym prístupom (SRAM), ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroobvody mikroradiča vyrobené zo zlúčeninového polovodiča a pracujú s taktovacím kmitočtom procesora presahujúcim 40 MHz;
N.B.:SEE ALSO 3A101.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE:POZRI TIEŽ 3A101.
a resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
rozlíšenie viac ako 12 bitov, ale menej ako 14 bitov, s výkonom viac ako 10 miliónov slov za sekundu alebo
digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
digitálno-analógové prevodníky s rozlíšením najmenej 2 bitov a s „časom ustálenia“ menej ako 10 ns;
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Výkon je maximálny výkon prevodníka bez ohľadu na architektúru alebo prevzorkovanie.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Často sa udáva v megahertzoch (MHz) alebo v megavzorkách za sekundu (MSPS).
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Na účely merania výkonu sa jedno výstupné slovo za sekundu rovná jednému hertzu alebo jednej vzorke za sekundu.
electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
elektrooptické a „optické integrované obvody“ určené na „spracovanie signálu“, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
one or more than one internal "laser" diode;
najmenej jedna dióda s vnútorným „laserom“;
"field programmable logic devices" having any of the following:
‚logické zariadenia programovateľné u zákazníka‘, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
a typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
typický „čas oneskorenia základného hradla“ menej ako 0,1 ns alebo
"Field programmable logic devices" are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
‚Logické zariadenia programovateľné u zákazníka‘ sú známe aj ako hradlá programovateľné u zákazníka alebo logické polia programovateľné u zákazníka.
custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
zákazkové integrované obvody, ktorých funkcia je neznáma alebo výrobcovi nie je známy stav kontroly zariadení, v ktorých sa integrované obvody budú používať, pričom sa tieto vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
digitálne integrované obvody okrem opísaných v bodoch 3A001.a.3 až 3A001.a.10 a 3A001.a.12, na báze ľubovoľného zlúčeninového polovodiča, vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), ktoré majú menovitý čas výkonu FFT súboru N bodov menej ako (N log2N)/20480 ms, kde N je počet bodov;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Ak sa N rovná 1024 bodov, vzorec uvedený v 3A001.a.12 udáva čas výkonu operácie 500 μs.
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band having all of the following:
Poznámka 1:Podľa bodu 3A001.b.1 sa neriadia elektrónky konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo všetkých frekvenčných pásmach, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
sú „pridelené od ITU“ pre rádiokomunikačné služby, ale nie pre rádiové určovanie.
Note 2:3A001.b.1. does not control non- "space-qualified" tubes having all of the following:
Poznámka 2:Podľa bodu 3A001.b.1 sa neriadia elektrónky neurčené „na vesmírne použitie“, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
designed or rated for operation in any frequency band which meets all of the following characteristics:
konštruované alebo dimenzované na prevádzku vo všetkých frekvenčných pásmach, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
presahujú 31,8 GHz, ale nepresahujú 43,5 GZz, a
travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
elektrónky s postupnou vlnou, s impulzovou alebo stálou vlnou:
tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
elektrónky pracujúce pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
elektrónky, ktoré majú prvok so žeravenou katódou s časom zotavenia v priepustnom smere na menovitý RF výkon menej ako 3 sekundy;
coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
elektrónky so spojenou dutinou alebo ich deriváty s „relatívnou šírkou pásma“ viac ako 7 % alebo so špičkovým výkonom nad 2,5 kW;
helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
skrutkovnicové elektrónky alebo ich deriváty, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
an "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
„okamžitá šírka pásma“ viac ako jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 0,5;
an "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
„okamžitá šírka pásma“ najviac jedna oktáva a priemerný výkon (vyjadrený v kW) vynásobený frekvenciou (vyjadrenou v GHz) viac ako 1 alebo
being "space qualified";
„určené na vesmírne použitie“;
microwave "monolithic integrated circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
mikrovlnové „monolitické integrované obvody“ (MMIC), výkonové zosilňovače vyznačujúce sa akoukoľvek z týchto charakteristík:
rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 3,2 GHz do 6 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 4 W (36 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 15 %;
rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 6 GHz do 43,5 GHz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 1 W (30 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %;
rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
dimenzované pre prácu pri frekvenciách nad 16 GHz do 31,8 Ghz vrátane a s priemerným výstupným výkonom nad 0,8 W (29 dBm) s „relatívnou šírkou pásma“ nad 10 %;