natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Note 2:3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
Poznámka 2:Podľa 3A002.d sa neriadia zariadenia, v ktorých sa výstupná frekvencia vytvára buď sčítaním, alebo odčítaním dvoch alebo viacerých frekvencií oscilátora s kryštálom, alebo sčítaním, alebo odčítaním a následným vynásobením výsledku.
arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Generátory ľubovoľných tvarov vĺn a funkcií zvyčajne charakterizuje vzorový údaj (napr. Gvzorka/s), ktorý sa prevádza do oblasti RF faktorom Nyquist 2.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz or, when oversampling is used, the maximum direct output capability is proportionately lower.
Ľubovoľný tvar vlny s 1 Gvzorka/s má teda kapacitu priameho výstupu 500 MHz. Keď sa používa prevzorkovanie, maximálna kapacita priameho výstupu je úmerne nižšia.
for the purposes of 3A002.d.1., "pulse duration" is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
Na účely 3A002.d.1 je „trvanie impulzu“ časový interval medzi predným koncom impulzu dosahujúcim 90 % vrcholu a zadným koncom impulzu dosahujúcim 10 % vrcholu.
atomic frequency standards being any of the following:
atómové frekvenčné normály, ktoré majú jednu z týchto charakteristík:
"space qualified";
„určené na vesmírne použitie“,
non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
nie sú rubídiové a majú dlhodobú stabilitu nižšiu (lepšiu) ako 1 × 10–11/mesiac alebo
non-"space qualified" and having all of the following:
nie sú „určené na vesmírne použitie“ a majú všetky tieto vlastnosti:
being a rubidium standard;
sú rubídiové normály;
long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
majú dlhodobú stabilitu nižšiu (lepšiu) ako 1 × 10–11/mesiac a
total power consumption of less than 1 W.
majú celkovú spotrebu energie nižšiu ako 1 W.
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Chladiace a rozprašovacie tepelné riadiace systémy využívajú zariadenie, ktoré ovláda a upravuje obeh uzavretej tekutiny v utesnenom prostredí, pričom dielektrická kvapalina je rozprášená na elektronické súčiastky s použitím špeciálne vyrobených rozprašovacích dýz, ktoré udržujú teplotu elektronických súčiastok v prevádzkovom teplotnom rozsahu, a ich osobitne vyrobené súčasti.
analogue to digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
analógovo-číslicové prevodníky použiteľné v ‚raketových strelách‘, konštruované tak, aby vyhovovali vojenským špecifikáciám pre robustné zariadenia;
Note:3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
Poznámka:Vyššie uvedený bod 3A101.b neuvádza zariadenia osobitne určené na lekárske účely.
"Thermal batteries" designed or modified for "missiles".
‚Termálne batérie‘ navrhnuté alebo upravené pre ‚raketové strely‘.
In 3A102 "thermal batteries" are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
V 3A102 sú ‚termálne batérie‘ batérie na jedno použitie, ktoré obsahujú ako elektrolyt pevnú nevodivú anorganickú soľ.
In 3A102 "missile" means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
V 3A102 ‚raketová strela‘ je kompletný raketový systém a letecký dopravný systém bez posádky s doletom viac ako 300 km.
Note:3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported "as parts of" medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
Poznámka:Podľa 3A201.b sa neriadia magnety osobitne navrhnuté pre a vyvážané ‚ako súčasti‘ lekárskych systémov zobrazovania pomocou jadrovej magnetickej rezonancie (NMR).
The phrase "as part of" does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched "as part of" the imaging systems.
Výraz ‚ako súčasti‘ nemusí nevyhnutne znamenať fyzickú súčasť tej istej zásielky; samostatné zásielky z rôznych zdrojov sú dovolené za predpokladu, že súvisiace vývozné doklady jasne uvádzajú, že zásielky sú expedované ‚ako súčasť‘ zobrazovacích systémov.
flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
zábleskové (flash) röntgenové generátory alebo pulzačné urýchľovače elektrónov, vyznačujúce sa niektorou z týchto súborov vlastností:
an accelerator peak electron energy of 500 KeV or greater but less than 25 MeV; and
špičková energia elektrónu z urýchľovača najmenej 500 keV, ale menej ako 25 MeV, a
with a "figure of merit" (K) of 0,25 or greater; or
‚číslo efektívnosti‘ (K) najmenej 0,25 alebo
a "peak power" greater than 50 MW.
‚špičkový výkon‘ vyšší ako 50 MW.
Note:3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
Poznámka:Podľa 3A201.c sa neriadia urýchľovače, ktoré sú súčasťou zariadení navrhnutých na účely iné ako žiarenie elektrónového lúča alebo röntgenové žiarenie (napr. elektrónová mikroskopia), ani tie, ktoré sú navrhnuté na lekárske účely.
The "figure of merit" K is defined as:
‚Číslo efektívnosti‘ K sa definuje ako:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
Ak je čas trvania impulzu lúča z urýchľovača najviac 1 μs, potom je Q celkový urýchlený náboj v coulomboch.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
Ak je čas trvania impulzu lúča z urýchľovača viac ako 1 μs, potom Q je maximálny urýchlený náboj za 1 μs.
"Peak power" = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
‚Špičkový výkon‘ = (špičkové napätie vo voltoch) × (špičkový prúd lúča v ampéroch).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
V prístrojoch na báze mikrovlnných urýchľovacích kavýt je čas trvania impulzu lúča 1 μs alebo čas trvania paketu zvrstvených zväzkov (podľa toho, ktorý z nich je kratší), ktorý je výsledkom jedného mikrovlnného impulzu modulátora.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
V strojoch na báze mikrovlnových urýchľovacích kavýt je špičkový prúd lúča priemerný prúd za čas trvania paketu zvrstvených lúčov.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Meniče alebo generátory frekvencie okrem uvedených v 0B001.b.13, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
frequency control better (less) than 0,1 %.
reguláciu frekvencie lepšiu (menšiu) ako 0,1 %.
High power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
Vysokovýkonné zdroje jednosmerného prúdu okrem uvedených 0B001.j.6, ktoré majú obe tieto vlastnosti:
High voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Vysokonapäťové zdroje jednosmerného prúdu okrem uvedených 0B001.j.5, ktoré majú obe tieto vlastnosti:
modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
moduly alebo montážne celky s rýchlou spínacou funkciou, ktoré nie sú uvedené v 3A001.g a ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
High-current pulse generators as follows:
Impulzné generátory s vysokým prúdom:
N.B.:See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
Dôležité upozornenie:Pokiaľ ide o zapaľovacie súpravy s explozívnym detonátorom, pozri 1A007.a.
designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
sú konštruované na prenosné, mobilné alebo robustné použitie;
capable of delivering their energy in less than 15 μs;
sú schopné dodávať energiu za čas kratší ako 15 μs;
having a "rise time" of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
majú ‚dobu nábehu‘ kratšiu ako 10 μs zo zaťaženia menšieho ako 40 ohmov;
specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
sú určené na použitie v rozšírenom tepelnom rozmedzí od 223 K (–50 °C) do 373 K (100 °C) alebo sú určené ako vhodné na vesmírne použitie.
"rise time" is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V 3A229.b.5 je ‚doba nábehu‘ definovaná ako časový interval od 10 % do 90 % prúdovej amplitúdy pri budení odporovej záťaže.
"pulse transition time" less than 500 ps.
‚doba prechodu impulzu‘ menej ako 500 ps.
In 3A230, "pulse transition time" is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
V 3A230 je ‚doba prechodu impulzu‘ definovaná ako časový interval medzi 10 % a 90 % amplitúdy napätia.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Viacbodové iniciačné (spúšťacie) systémy, iné ako uvedené v 1A007:
N.B.:See 1A007.b. for detonators.
Dôležité upozornenie:Pokiaľ ide o detonátory, pozri 1A007.b.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Hmotnostné spektrometre okrem uvedených v 0B002.g, schopné merať ióny s atómovými jednotkami hmotnosti (jednotkami pomernej atómovej hmotnosti) 230 alebo vyššími, vyznačujúce sa rozlišovacou schopnosťou lepšou ako 2 diely z 230, a ich zdroje iónov:
electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním, ktoré majú komoru žiariča skonštruovanú z materiálov odolných voči UF6, nimi vystlanú alebo oplátovanú;
a source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
komora žiariča je skonštruovaná z nehrdzavejúcej ocele alebo molybdénu, nimi vystlaná alebo oplátovaná, a je vybavená vymrazovacou jednotkou schopnou ochladzovať na teplotu do 193 K (–80 °C) alebo
a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
komora žiariča je skonštruovaná z materiálov odolných voči UF6, nimi vystlaná alebo oplátovaná;
mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
hmotnostné spektrometre so zdrojom iónov na mikrofluoráciu určené pre aktinidy alebo fluoridaktinidy.
equipment designed for ion implantation and having any of the following:
zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov, ktoré majú niektorú z týchto vlastností:
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho „substrátu“ z polovodičového materiálu;
plasma enhanced chemical vapour deposition (CVD) equipment as follows:
zariadenia na chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) zosilnené plazmou:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zariadenia fungujúce systémom z kazety do kazety a s blokovacími zariadeniami a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe polovodičových prístrojov s kritickými rozmermi 180 nm alebo menej;
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zariadenie osobitne navrhnuté pre zariadenie špecifikované v 3B001.e a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe polovodičových prístrojov s kritickými rozmermi 180 nm alebo menej;
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním, vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve zariadenia na spracovanie polovodičov, a
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
capable of producing a pattern with a "minimum resolvable feature size" of 180 nm or less;
schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku‘ 180 nm alebo menej;
The "minimum resolvable feature size" is calculated by the following formula:
Veľkosť ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku‘ sa vypočíta podľa tohto vzorca:
MRF = "minimum resolvable feature size"
MRF = veľkosť minimálneho rozlíšiteľného znaku.
Note:3B001.f.2. includes:
Poznámka:3B001.f.2 zahŕňa:
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
tlačiarenské litografické nástroje „step and flash“ (SFIL).
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek alebo spracovanie polovodičovom zariadení s použitím priamych zapisovacích metód, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
používajú vychýlený zaostrený elektrónový lúč, iónový lúč alebo „laserový“ lúč a
a spot size smaller than 0,2 µm;
veľkosť bodu menej ako 0,2 μm;
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 µm; or
schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 μm alebo
an overlay accuracy of better than ±0,20 µm (3 sigma);
presnosť prekryvu lepšia ako ±0,20 μm (3 sigma);
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Poznámka:Podľa 3B001.h sa neriadia viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových zariadení, ktoré sa neriadia podľa 3A001.
Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Skúšobné zariadenia osobitne navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo „substrátu“, na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy niektorého z týchto materiálov:
Silicon (Si);
kremík (Si);
Germanium (Ge);
germánium (Ge);
Silicon carbide (SiC); or
karbid kremíka (SiC) alebo
"III/V compounds" of gallium or indium.
„zlúčeniny III/V“ gália alebo india.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Odolné materiály a „substráty“ potiahnuté týmito odolnými materiálmi:
positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu, osobitne upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm;
all resists optimised for surface imaging technologies, including "silylated" resists.
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania vrátane ‚silylovaných‘ odolných materiálov.
"Silylation" techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Techniky ‚silylácie‘ sú vymedzené ako procesy zahŕňajúce v sebe oxidáciu povrchu odolných materiálov na zvýšenie výkonu pri mokrom, ako aj suchom vyvíjaní.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified by 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
všetky odolné materiály navrhnuté alebo optimalizované na používanie s tlačiarenskými litografickými zariadeniami uvedenými v 3B001.f.2, ktoré používajú buď tepelné, alebo svetelné postupy.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Substráty“ karbidu kremíka (SiC), nitridu gália (GaN), nitridu hliníka (AlN) alebo nitridu hliníka-gália (AlGaN), alebo ich ingoty, monokryštálové ingoty alebo iné predformy týchto materiálov, ktoré majú pri teplote 20 °C rezistivitu väčšiu ako 10000 ohm/cm.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Substráty“ uvedené v 3C005 aspoň s jednou epitaxiálnou vrstvou karbidu kremíka, nitridu gália, nitridu hliníka alebo nitridu hliníka-gália.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „vývoj“ alebo „výrobu“ zariadení uvedených v bodoch 3A001.b až 3A002.g alebo 3B.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f. or 3B002.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ vybavenia uvedeného v 3B001.a až f alebo v 3B002.
"Physics-based" simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Simulačný ‚fyzikálne založený‘„softvér“, osobitne navrhnutý na „vývoj“ litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
"Physics-based" in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
‚Fyzikálne založený‘ v 3D003 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznych veličín a vlastností polovodičových materiálov).
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Poznámka:Knižnice, konštrukčné atribúty alebo súvisiace údaje na navrhovanie polovodičových zariadení alebo integrovaných obvodov sa považujú za „technológiu“.
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
„Softvér“ osobitne navrhnutý na „používanie“ tovarov uvedených v 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„Softvér“ osobitne navrhnutý alebo upravený na „používanie“ zariadení uvedených v 3A101.b.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
„Technológia“ podľa všeobecnej poznámky k technológii pre „vývoj“ alebo výrobu zariadení alebo materiálov uvedených v bodoch 3A, 3B alebo 3C.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Poznámka 1:Podľa 3E001 sa neriadi „technológia“ pre „výrobu“ vybavenia alebo súčastí, ktoré sa riadia podľa 3A003.
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Poznámka 2:Podľa 3E001 sa neriadi „technológia“ pre „vývoj“ alebo „výrobu“ integrovaných obvodov uvedených v bodoch 3A001.a.3 až 3A.001.a.12, ktoré majú všetky tieto vlastnosti:
using "technology" of 0,5 μm or more; and
využívajú „technológiu“ 0,5 μm alebo viac a
not incorporating "multi-layer structures".
nezahŕňajú ‚viacvrstvové štruktúry‘.
"Multi-layer structures" do not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Pojem ‚viacvrstvové štruktúry‘ nezahŕňa zariadenia pozostávajúce z maximálne troch kovových vrstiev a troch polysilikónových vrstiev.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
„Technológia“ podľa poznámky k všeobecnej technológii okrem technológie uvedenej v 3E001, ktorá je určená na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadra „mikroprocesorového mikroobvodu“ alebo „mikroobvodu mikroradiča“ s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac a ktorúkoľvek z týchto vlastností:
a "vector processor unit" designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
vektorová procesorová jednotka navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);
A "vector processing unit" is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
„Vektorová procesorová jednotka“ je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) najmenej s jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou.
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 16-bitových výsledkov násobenia a sčítavanía s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako digitálne „spracovanie signálu“).
Note:3E002.c. does not control "technology" for multimedia extensions.
Poznámka:Podľa 3E002.c. sa neriadi „technológia“ multimediálnych rozšírení.
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Poznámka 1:Podľa 3E002 sa neriadi „technológia“ na „vývoj“ alebo „výrobu“ jadier mikroprocesorov, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami: