natgillin/translations-raw huggingface dataset:
triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
iskriská so spúšťou vyznačujúce sa obidvoma týmito vlastnosťami:
an anode delay time of 15 μs or less; and
oneskorenie anódy 15 μs alebo menej a
rated for a peak current of 500 A or more;
dimenzované na špičkový prúd najmenej 500 A.
modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g., having all of the following characteristics:
moduly alebo systémy s rýchlou spínacou funkciou, ktoré nie sú uvedené v 3A001.g a ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
anode peak voltage rating greater than 2 kV;
špičkové anódové menovité napätie vyššie ako 2 kV;
anode peak current rating of 500 A or more; and
anódový špičkový menovitý prúd 500 A alebo viac a
turn on time of 1 μs or less.
spínacia doba najviac 1 μs.
N.B.:SEE ALSO MILITARY GOODS CONTROLS
POZNÁMKA:POZRI TIEŽ KONTROLY VOJENSKÝCH TOVAROV.
explosive detonator firing sets designed to drive multiple controlled detonators specified in 3A232;
zapaľovacie súpravy s explozívnym detonátorom konštruované tak, aby budili detonátory s viacnásobným ovládaním uvedené v 3A232;
modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
generátory modulárnych elektrických impulzov (impulzové generátory) vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
sú konštruované na prenosné, mobilné alebo robustné využitie;
enclosed in a dust tight enclosure;
sú uzavreté v prachotesnom puzdre;
capable of delivering their energy in less than 15 μs;
sú schopné dodávať energiu za dobu kratšiu ako 15 μs;
having an output greater than 100 A;
ich výkon je vyšší ako 100 A;
having a ’rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
majú "nábehovú dobu" kratšiu ako 10 μs zo zaťaženia menšieho ako 40 ohmov;
no dimension greater than 254 mm;
žiadny rozmer nepresahuje 254 mm;
weight less than 25 kg; and
hmotnosť menej ako a
specified for use over an extended temperature range 223 K (–50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
sú určené na použitie v rozšírenom tepelnom rozmedzí od 223 K (–50 °C) až 373 K (100 °C) alebo sú určené ako vhodné na vesmírne použitie.
Note:3A229.b. includes xenon flash lamp drivers. Technical note:
Poznámka:Do 3A229.b patria xenónové zábleskové budiace elektrónky.
’rise time’ is defined as the time interval from 10 % to 90 % current amplitude when driving a resistive load.
V 3A229.b.5 je "doba nábehu" vymedzená ako časový interval od 10 % do 90 % prúdovej amplitúdy pri budení odporovej záťaže.
output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
výstupné napätie vyššie ako 6 V do odporovej záťaže menšej ako 55 ohmov a
’pulse transition time’ less than 500 ps.
‚doba prechodu impulzu’ menej ako 500 ps.
In 3A230, ’pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
V 3A230 je ‚doba prechodu impulzu’ vymedzená ako časový interval medzi 10 % a 90 % amplitúdy napätia.
designed for operation without an external vacuum system; and
navrhnuté na prevádzku bez systému externého vákua a
utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
na indukovanie nukleárnej reakcie trícium – deutérium využívajú elektrostatické urýchľovanie.
electrically driven explosive detonators, as follows:
elektricky budené výbušné detonátory:
exploding bridge (EB);
vybuchujúci mostík (EB);
exploding bridge wire (EBW);
vybuchujúci mostíkový (premosťujúci) vodič (EBW);
slapper;
"slapper";
exploding foil initiators (EFI);
explodujúce fóliové iniciátory (EFI);
arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
sústavy používajúce jeden alebo viacero detonátorov konštruovaných tak, aby takmer súčasne iniciovali výbušný povrch väčší ako 5000 mm2 z jedného zapaľovacieho signálu, pričom časovanie iniciácie sa rozšíri po celom povrchu za menej ako 2,5 μs.
Note:3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Poznámka:Podľa 3A232 sa neriadia detonátory používajúce iba traskaviny, ako napríklad azid olovnatý (AO).
inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
hmotnostné spektrometre s indukčne viazanou plazmou (ICP/MS);
glow discharge mass spectrometers (GDMS);
hmotnostné spektrometre s tlejivkovým výbojom (GDMS);
thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
hmotnostné spektrometre s tepelnou ionizáciou (TIMS);
electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
hmotnostné spektrometre s elektrónovým bombardovaním, ktoré majú komoru žiariča skonštruovanú z materiálov odolných voči UF6, nimi vystlatú alebo oplátovanú;
molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
hmotnostné spektrometre s molekulovým lúčom vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
a source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (–80 °C) or less; or
komora žiariča je skonštruovaná z nehrdzavejúcej ocele alebo molybdénu, nimi vystlatá alebo oplátovaná, a je vybavená vymrazovacou jednotkou schopnou ochladzovať na teplotu do 193 K (–80 °C), alebo
a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
komoru žiariča skonštruovanú z materiálov odolných voči UF6, nimi vystlanú alebo oplátovanú;
mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
je vybavená hmotnostnými spektrometrami so zdrojom iónov na mikrofluoráciu určenými pre aktinidy alebo fluoridaktinidy.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Zariadenie na výrobu polovodičových prístrojov alebo materiálov a ich osobitne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
equipment designed for epitaxial growth, as follows:
zariadenia navrhnuté na epitaxiálny rast:
equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ±2,5 % across a distance of 75 mm or more;
zariadenie schopné vytvárať vrstvu z iného ako silikónového materiálu s homogénnou hrúbkou v rozmedzí menšom ako ±2,5 % na vzdialenosť najmenej 75 mm alebo viac;
metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
reaktory na organické chemické vylučovanie kovov z plynnej fázy (MOCVD) osobitne navrhnuté na rast zlúčeninových polovodičových kryštálov chemickou reakciou medzi materiálmi uvedenými v 3C003 alebo 3C004;
molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
zariadenie na epitaxiálny rast pomocou molekulového lúča s použitím plynných alebo tuhých zdrojov;
equipment designed for ion implantation, having any of the following:
zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
a beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
energia lúča (urýchľovacie napätie) vyššia ako 1 MeV;
being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
sú osobitne navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča (urýchľovacím napätím) menej ako 2 keV;
direct write capability; or
schopnosť priameho zápisu alebo
a beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho "substrátu" z polovodičového materiálu;
anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
zariadenia na suché leptanie anizotropnou plazmou:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
zariadenia fungujúce systémom z kazety do kazety a s blokovacími zariadeniami, vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
designed or optimised to produce critical dimensions of 180 nm or less with ±5 % 3 sigma precision; or
navrhnuté alebo optimalizované na tvorbu kritického rozmeru najviac 180 nm s presnosťou 3 sigma ±5 % alebo
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
navrhnuté na generovanie menej ako 0,04 častice/cm2 pri merateľnej veľkosti častíc s priemerom viac ako 0,1 μm;
equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
zariadenia osobitne navrhnuté pre zariadenia uvedené v 3B001.e a vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
navrhnuté na generovanie menej ako 0,04 častice/cm2 pri merateľnej veľkosti častíc s priemerom viac ako 0,1 μm;
plasma enhanced CVD equipment, as follows:
zariadenia na chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) zosilnené plazmou:
equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zariadenia fungujúce systémom z kazety do kazety a s blokovacími zariadeniami a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe semikonduktorových nástrojov s kritickými rozmerni 180 nm alebo menej;
equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zariadenie osobitne navrhnuté pre zariadenie podľa 3B001.e a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe semikonduktorových nástrojov s kritickými rozmermi 180 nm alebo menej;
automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve zariadenia na spracovanie polovodičov a
designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
sú navrhnuté tak, aby vytvorili integrovaný systém vo vákuu určený na sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov;
Note:3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Poznámka:Podľa 3B001.e sa neriadia automatizované robotizované systémy na manipuláciu s plátkami čipov, ktoré nie sú navrhnuté na prevádzku vo vákuu.
lithography equipment, as follows:
litografické zariadenia:
align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
a light source wavelength shorter than 245 nm; or
zdroj svetla s vlnovou dĺžkou menej ako 245 nm alebo
capable of producing a pattern with a ’minimum resolvable feature’ size of 180 nm or less;
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku’ 180 nm alebo menej;
The ’minimum resolvable feature’ size is calculated by the following formula:
Veľkosť ‚minimálneho rozlíšiteľného znaku’ sa vypočíta podľa tohto vzorca:
where the K factor = 0,45
kde faktor K = 0,45,
MRF = minimum resolvable feature size
MRF = veľkosť minimálneho rozlíšiteľného znaku.
imprint lithography equipment capable of producing features of 180 nm or less;
tlačiarenské litografické zariadenia schopné vytvoriť detaily veľkosti 180 nm alebo menej;
Note:3B001.f.2. includes:
Poznámka:3B001.f.2. zahŕňa:
micro contact printing tools
mikrokontaktné tlačiarenské nástroje,
hot embossing tools
nástroje na horúcu razbu,
nano-imprint lithography tools
litografické nástroje na tlač v nanorozmeroch,
step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
tlačiarenské litografické nástroje "step and flash" (SFIL).
equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
zariadenia osobitne navrhnuté na vytváranie masiek alebo spracovanie polovodičovom zariadení s použitím vychýleného zaostreného elektrónového lúča, iónového lúča alebo "laserového" lúča vyznačujúce sa niektorou z týchto vlastností:
a spot size smaller than 0,2 μm;
veľkosť bodu menej ako 0,2 μm;
being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 μm alebo
an overlay accuracy of better than ±0,20 μm (3 sigma);
presnosť prekryvu lepšia ako ±0,20 μm (3 sigma);
masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
multi-layer masks with a phase shift layer.
viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu;
Note:3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Poznámka:Podľa 3B001.h sa neriadia viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových prístrojov, ktoré sa neriadia podľa 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
tlačiarenské litografické šablóny určené pre integrované obvody uvedené v 3A001.
Test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Skúšobné zariadenie osobitne navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a osobitne pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
for testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
na skúšanie parametrov S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
for testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených v 3A001.b.2.
silicon;
kremík;
germanium;
germánium;
silicon carbide; or
karbid kremíka alebo
positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu osobitne upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 245 nm;
all resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi, s citlivosťou najmenej 0,01 μcoulomb/mm2;
all resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s röntgenovými lúčmi s citlivosťou najmenej 2,5 mJ/mm2;
all resists optimised for surface imaging technologies, including ’silylated’ resists.
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania vrátane ‚silylovaných’ odolných materiálov.
’Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Techniky ‚silylácie’ sú vymedzené ako procesy zahŕňajúce v sebe oxidáciu povrchu odolných materiálov na zvýšenie výkonu pri mokrom ako aj suchom vyvíjaní.
organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) vyššou ako 99,999 %;
organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) vyššou ako 99,999 %.
Note:3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Poznámka:Podľa 3C003 sa riadia iba zlúčeniny, ktorých kovový, čiastočne kovový alebo nekovový prvok je priamo viazaný na uhlík organickej časti molekuly.
Note:3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Poznámka:Podľa 3C004 sa neriadia hydridy obsahujúce najmenej 20 % mólových inertných plynov alebo vodíka.
Silicon carbide (SiC) wafers having a resistivity of more than 10000 ohm-cm.
Pláty karbónu kremíka (SiC) s odporom viac ako 10000 ohm/cm.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
"Softvér" osobitne navrhnutý na "vývoj" alebo "výrobu" zariadení uvedených v bodoch 3A001.b až 3A002.g alebo 3B.
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
"Softvér" osobitne navrhnutý na "používanie" akéhokoľvek:
equipment specified in 3B001.a. to f.; or
zariadenia uvedeného v 3B001.a až f alebo
equipment specified in 3B002.
zariadenia uvedeného v 3B002.
’Physics-based’ simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
"Softvér" založený na fyzikálnej simulácii osobitne navrhnutý na "vývoj" litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
’Physics-based’ in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
‚Fyzikálne založený’ v 3D003 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznych veličín a vlastností polovodičových materiálov).
Note:Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Poznámka:Knižnice, konštrukčné atribúty alebo súvisiace údaje na navrhovanie polovodičových zariadení alebo integrovaných obvodov sa považujú za "technológiu".
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Softvér" osobitne navrhnutý na "používanie" tovarov uvedených v 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"Softvér" osobitne navrhnutý alebo upravený na "používanie" zariadení uvedených v 3A101.b.
Note 1:3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Poznámka 1:Podľa 3E001 sa neriadi "technológia" pre "výrobu" zariadenia alebo súčastí, ktoré sa riadia podľa 3A003.
Note 2:3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Poznámka 2:Podľa 3E001 sa neriadi "technológia" pre "vývoj" alebo "výrobu" integrovaných obvodov uvedených v bodoch 3A001.a.3 až 3A.001.a.12 vyznačujúce sa všetkými týmito vlastnosťami:
using "technology" of 0,5 μm or more; and
používajú "technológiu" 0,5 μm alebo viac a
not incorporating ’multi-layer structures’.
nezahŕňajú ‚viacvrstvové štruktúry’.
The term ’multi-layer structures’ does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Pojem ‚viacvrstvové štruktúry’ nezahŕňa zariadenia pozostávajúce z maximálne troch kovových vrstiev a troch polysilikónových vrstiev.
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001, for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", or "microcomputer microcircuit" and microcontroller microcircuit core having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
"Technológia" podľa poznámky o všeobecnej technológii okrem technológie uvedenej v 3E001, ktorá je určená na "vývoj" alebo "výrobu" jadra "mikroprocesorového mikroobvodu" alebo "mikroobvodu mikroradiča" s aritmetickou logickou jednotkou, ktorá má šírku prístupu 32 bitov alebo viac, a ktoréhokoľvek z týchto vlastností:
a vector processor unit designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
vektorová procesorová jednotka navrhnutá na simultánne vykonávanie viac ako dvoch výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami);
A vector processing unit is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit.
"Vektorová procesorová jednotka" je procesorový prvok so zabudovanými príkazmi na simultánne vykonávanie viacnásobných výpočtov s vektormi s pohyblivou rádovou čiarkou (jednorozmerné polia s 32-bitovými alebo väčšími číslami) s najmenej jednou vektorovou aritmeticko-logickou jednotkou.
designed to perform more than two 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
navrhnutá na získanie viac ako dvoch 64-bitových alebo väčších výsledkov operácií s pohyblivou rádovou čiarkou počas jedného cyklu alebo
designed to perform more than four 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g. digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital signal processing).
navrhnutá na získanie viac ako štyroch 16-bitových výsledkov násobenia a sčitovania s pevnou rádovou čiarkou počas jedného cyklu (napr. digitálna manipulácia s analógovými informáciami, ktoré sa predtým previedli do digitálnej formy, známa aj ako spracovanie digitálneho signálu).
Note:3E002.c. does not control technology for multimedia extensions.
Poznámka:Podľa 3E002.c. sa neriadi technológia multimediálnych rozšírení.
Note 1:3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
Poznámka 1:Podľa 3E002 sa neriadi "technológia" na "vývoj" alebo "výrobu" jadier mikroprocesorov, ktoré sa vyznačujú všetkými týmito vlastnosťami:
using "technology" at or above 0,130 µm; and
používajú "technológiu" pri 0,130 µm alebo viac a
incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
obsahujú viacvrstvové štruktúry, ktoré majú päť alebo menej kovových vrstiev.
Note 2:3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
Poznámka 2:3E002 zahŕňa "technológiu" na digitálne signálové procesory a digitálne vektorové procesory.
vacuum microelectronic devices;
vákuových mikroelektronických zariadení;
hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení, ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;