natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
reaktory na organické chemické vylučovanie kovov z plynnej fázy (MOCVD) zvlášť navrhnuté na rast zlúčeninových polovodičových kryštálov chemickou reakciou medzi materiálmi uvedenými v bode 3C003 alebo 3C004;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
zariadenie na epitaxiálny rast pomocou molekulového lúča s použitím plynných alebo tuhých zdrojov.
Equipment designed for ion implantation, having any of the following:
Zariadenia navrhnuté na implantáciu iónov vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1 MeV;
energia lúča (urýchľovacie napätie) vyššia ako 1 MeV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
sú zvlášť navrhnuté a optimalizované tak, aby pracovali s energiou lúča (urýchľovacím napätím) menej ako 2 keV;
Direct write capability; or
schopnosť priameho zápisu; alebo
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
energia lúča 65 keV alebo viac a lúčový prúd 45 mA alebo viac pre implantovanie kyslíka s vysokou energiou do zahriateho "substrátu" z polovodičového materiálu;
Anisotropic plasma dry etching equipment, as follows:
Zariadenia na suché leptanie anizotropnou plazmou:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and having any of the following:
zariadenia fungujúce systémom z kazety do kazety a s blokovacími zariadeniami, vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 0,3 μm or less with ± 5 % 3 sigma precision; or
navrhnuté alebo optimalizované na tvorbu kritického rozmeru najviac 0,3 μm s presnosťou 3 sigma ± 5 %; alebo
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,1 μm in diameter;
navrhnuté na generovanie menej ako 0,04 častice/cm2 pri merateľnej veľkosti častíc s priemerom viac ako 0,1 μm;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and having any of the following:
zariadenia zvlášť navrhnuté pre zariadenia uvedené v bode 3B001.e. a vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
Designed for generating less than 0,04 particles/cm2 with a measurable particle size greater than 0,12 μm in diameter;
navrhnuté na generovanie menej ako 0,04 častice/cm2 pri merateľnej veľkosti častíc s priemerom viac ako 0,1 μm;
Plasma enhanced CVD equipment, as follows:
Zariadenia na chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) zosilnené plazmou:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
zariadenia fungujúce systémom z kazety do kazety a s blokovacími zariadeniami a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe semikonduktorových nástrojov s kritickými rozmerni 180 nm alebo menej;
Equipment specially designed for equipment controlled by 3B001.e. and designed according to the manufacturer's specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 180 nm or less;
Zariadenie osobitne navrhnuté pre zariadenie podľa 3B001.e. a navrhnuté podľa technických podmienok výrobcu alebo optimalizované na použitie pri výrobe semikonduktorových nástrojov s kritickými rozmermi 180 nm alebo menej;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems, having all of the following:
Viackomorové systémy na manipuláciu s hlavnými plátkami čipov s automatickým nakladaním vyznačujúce sa všetkými týmito charakteristikami:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two pieces of semiconductor processing equipment are to be connected; and
rozhrania pre vstup a výstup z plátku čipu, ku ktorému sa majú pripojiť viac ako dve zariadenia na spracovanie polovodičov; a
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for sequential multiple wafer processing;
sú navrhnuté tak, aby vytvorili integrovaný systém vo vákuu určený na sekvenčné viacnásobné spracovanie plátkov čipov;
Note: 3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems not designed to operate in a vacuum environment.
Poznámka: Podľa 3B001.e. sa neriadia automatizované robotizované systémy na manipuláciu s plátkami čipov, ktoré nie sú navrhnuté na prevádzku vo vákuu.
Lithography equipment, as follows:
Litografické zariadenia:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods, having any of the following:
Zariadenie so stupňom vyrovnania a expozície a opakovacie zariadenia (priamy krok na plátku čipu) alebo krokové a skenovacie zariadenia (skener) na spracovávanie plátkov čipov s použitím fotooptických alebo röntgenových metód vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
A light source wavelength shorter than 350 nm; or
zdroj svetla o vlnovej dĺžke menej ako 350 nm; alebo
Capable of producing a pattern with a'minimum resolvable feature' size of 0,35 μm or less;
je schopné vytvoriť obrazec s veľkosťou "minimálneho rozlíšiteľného znaku" 0,35 μm alebo menej;
The "minimum resolvable feature" size is calculated by the following formula:
Veľkosť "minimálneho rozlíšiteľného znaku" sa vypočíta podľa tohto vzorca:
numerical aperture
číselná apertúra
where the K factor = 0,7
kde faktor K = 0,7
MRF = minimum resolvable feature size
MRF = veľkosť minimálneho rozlíšiteľného znaku
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
Zariadenia zvlášť navrhnuté na vytváranie masiek alebo spracovanie polovodičovom zariadení s použitím vychýleného zaostreného elektrónového lúča, iónového lúča alebo "laserového" lúča vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
A spot size smaller than 0,2 μm;
veľkosť bodu menej ako 0,2 μm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
schopnosť vytvoriť obrazec s veľkosťou znaku menej ako 1 μm; alebo
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
presnosť prekryvu lepšia ako ± 0,20 μm (3 sigma);
Masks and reticles designed for integrated circuits specified in 3A001;
Masky a kontrolné šablóny znakov navrhnuté pre integrované obvody uvedené v 3A001;
Multi-layer masks with a phase shift layer.
Viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu.
Note: 3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
Poznámka: Podľa 3B001.h. sa neriadia viacvrstvové masky s vrstvou fázového posuvu navrhnuté na výrobu pamäťových prístrojov, ktoré sa neriadia podľa 3A001.
"Stored programme controlled" test equipment, specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices, as follows, and specially designed components and accessories therefor:
Skúšobné zariadenia "riadené programom uloženým v pamäti" zvlášť navrhnuté na skúšanie finálnych alebo nefinálnych polovodičových zariadení a zvlášť pre ne navrhnuté súčasti a príslušenstvo:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
na skúšanie parametrov S-parametrov tranzistorových zariadení pri frekvenciách nad 31,8 GHz;
For testing integrated circuits capable of performing functional (truth table) testing at a 'pattern rate' of more than 667 MHz;
na skúšanie integrovaných obvodov schopných vykonávať funkčné skúšanie (pravdivostná tabuľka) pri"veľkosti obrazca" viac ako 667 MHz;
Note: 3B002.b. does not control test equipment specially designed for testing:
Poznámka: Podľa 3B002.b. sa neriadia skúšobné zariadenie zvlášť navrhnuté na skúšanie:
"Electronic assemblies" or a class of "electronic assemblies" for home or entertainment applications;
"elektronických systémov" alebo triedy "elektronických systémov" pre použitie v domácnosti a pre zábavný priemysel;
For the purpose of this entry,' pattern rate' is defined as the maximum frequency of digital operation of a tester.
Pre účely tohto bodu je "veľkosť obrazca" definovaná ako maximálna frekvencia digitálnej operácie skúšobného zariadenia.
It is therefore equivalent to the highest data rate that a tester can provide in non-multiplexed mode.
Preto sa rovná najvyššej rýchlosti prenosu dát, ktorú je skúšobné zariadenie schopné dosiahnuť v nemultiplexnom režime.
It is also referred to as test speed, maximum digital frequency or maximum digital speed.
Označuje sa aj ako skúšobná rýchlosť, maximálna digitálna frekvencia alebo maximálna digitálna rýchlosť.
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
na testovanie mikrovlnových integrovaných obvodov uvedených v 3A001.b.2.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Heteroepitaxiálne materiály pozostávajúce zo "substrátu", na ktorom sa nachádzajú epitaxiálne narastené viacnásobné vrstvy niektorého z týchto materiálov:
Silicon;
kremík;
Germanium;
germánium;
III/V compounds of gallium or indium.
III/V (trojmocné/päťmocné) zlúčeniny gália alebo india.
III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).
III/V zlúčeniny sú polykryštalické, binárne alebo komplexné monokryštalické produkty skladajúce sa z prvkov skupín IIIA a VA Mendelejevovej periodickej tabuľky (napr. arzenid gália, arzenid gália a hliníka, fosfid india).
Resist materials, as follows, and "substrates" coated with controlled resists:
Odolné materiály a "substráty" potiahnuté riadenými odolnými materiálmi:
Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 350 nm;
pozitívne odolné materiály navrhnuté pre polovodičovú litografiu zvlášť upravené (optimalizované) na používanie pri vlnových dĺžkach menej ako 350 nm;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s elektrónovými lúčmi alebo iónovými lúčmi, s citlivosťou najmenej 0,01 μcoulomb/mm2;
All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
všetky odolné materiály navrhnuté na používanie s röntgenovými lúčmi, s citlivosťou najmenej 2,5 mJ/mm2;
All resists optimised for surface imaging technologies, including 'silylated' resists.
všetky odolné materiály optimalizované pre technológie povrchového zobrazovania vrátane "silylovaných" odolných materiálov.
'Silylation' techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Techniky "silylácie" sú definované ako procesy zahŕňajúce v sebe oxidáciu povrchu odolných materiálov na zvýšenie výkonu pri mokrom ako aj suchom vyvíjaní.
Organo-inorganic compounds, as follows:
Organicko-anorganické zlúčeniny:
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
organokovové zlúčeniny hliníka, gália alebo india s čistotou (kovový základ) viac ako 99,999 %;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
organoarzénové, organoantimónové a organofosforové zlúčeniny s čistotou (základ anorganického prvku) viac ako 99,999 %.
Note: 3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Poznámka: Podľa 3C003 sa riadia iba zlúčeniny, ktorých kovový, čiastočne kovový alebo nekovový prvok je priamo viazaný na uhlík organickej časti molekuly.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
Hydridy fosforu, arzénu alebo antimónu s čistotou viac ako 99,999 %, a to aj zriedené v inertných plynoch alebo vo vodíku.
Note: 3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
Poznámka: Podľa 3C004 sa neriadia hydridy obsahujúce najmenej 20 % mólových inertných plynov alebo vodíka.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.g. or 3B.
"Softvér" zvlášť navrhnutý na "vývoj" alebo "výrobu" zariadení uvedených v bodoch 3A001.b až 3A002.g. alebo 3B.
"Software" specially designed for the "use" of any of the following:
"Softvér" zvlášť navrhnutý na "používanie" týchto zariadení:
Equipment specified in 3B001.a. to f.; or
Zariadenia uvedené v 3B001.a až f; alebo
Equipment specified in 3B002.
Zariadenia uvedené v 3B002.
Physics-based simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
"Softvér" založený na fyzikálnej simulácii osobitne navrhnutý na "vývoj" litografických, leptacích alebo vylučovacích procesov na prekladanie maskovacích obrazcov do osobitných topografických obrazcov vo vodičoch, dielektrikách alebo v polovodičových materiáloch.
'Physics-based' in 3.D.3. means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
"Fyzikálne založený" v 3.D.3 znamená používanie výpočtov na určenie súslednosť fyzikálnych príčinných a účinných dejov na základe fyzikálnych vlastností (napr. teplotných, tlakových, difúznych veličín a vlastností polovodičových materiálov).
Note: Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Poznámka : Knižnice, konštrukčné atribúty alebo súvisiace údaje na navrhovanie polovodičových zariadení alebo integrovaných obvodov sa považujú za "technológiu".
"Software" specially designed for the "development" of the equipment specified in 3A003.
"Softvér" zvlášť navrhnutý na "vývoj" zariadení uvedených v 3A003.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
"Softvér" zvlášť navrhnutý alebo upravený na "používanie" zariadení uvedených v 3A101.b.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky o technológii pre "vývoj" alebo "výrobu" zariadení alebo materiálov uvedených v 3A,3B alebo 3C;
Note 1: 3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components controlled by 3A003.
Poznámka 1: Podľa 3E001 sa neriadi "technológia" pre "výrobu" zariadenia alebo súčastí, ktoré sa riadia podľa 3A003.
Note 2: 3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Poznámka 2: Podľa 3E001 sa neriadi "technológia" pre "vývoj" alebo "výrobu" integrovaných obvodov uvedených v bodoch 3A001.a.3. až 3A.001.a.12. vyznačujúce sa všetkými týmito charakteristikami:
Using "technology" of 0,5 μm or more, and
používajú "technológiu" 0,5 μm alebo viac; a
Not incorporating 'multi-layer structures'.
nezahŕňajú "viacvrstvové štruktúry";.
The term "multi-layer structures" does not include devices incorporating a maximum of three metal layers and three polysilicon layers.
Pojem "viacvrstvové štruktúry" nezahŕňa zariadenia pozostávajúce z maximálne troch kovových vrstiev a troch polysilikónových vrstiev.
"Technology" according to the General Technology Note other than that specified in 3E001 for the "development" or "production" of "microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits having a "composite theoretical performance" ("CTP") of 530 million theoretical operations per second (Mtops) or more and an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more.
"Technológia" podľa všeobecnej poznámky okrem uvedenej v bode 3E001 na "vývoj" alebo "výrobu""mikroprocesorových mikroobvodov", "mikropočítačových mikroobvodov" a mikroobvodov mikroradičov s "zloženým teoretickým výkonom" ("CTP") najmenej 530 miliónov teoretických operácií za sekundu (Mtops) a s aritmetickou logickou jednotkou so šírkou prístupu najmenej 32 bit.
Note: Decontrol note 2 to 3E001 also applies to 3E002.
Poznámka: Poznámka 2 o tom, ktoré položky sa neriadia podľa bodu 3E001, platí aj pre 3E002.
Other "technology" for the "development" or "production" of:
Ostatné "technológie" pre "vývoj" alebo "výrobu":
Vacuum microelectronic devices;
vákuových mikroelektronických zariadení;
Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
heteroštrukturálnych polovodičových zariadení ako sú tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), heterobipolárne tranzistory (HBT), zariadenie s kvantovou potenciálovou jamou a zariadenia so supermriežkou;
Note: 3E003.b. does not control technology for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
Poznámka: Podľa 3E003.b. sa neriadi technológia pre tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov (HEMT), ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31.8 GHz a pre heteroprechodné bipolárne tranzistory, ktoré pracujú pri frekvenciách nižších ako 31.8 GHz.
"Superconductive" electronic devices;
"supravodivých" elektronických zariadení;
Substrates of films of diamond for electronic components;
substrátov filmov z diamantu pre elektronické súčasti;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
substrátov kremíka na izolátore (SOI) pre integrované obvody, v ktorých je izolátorom oxid kremičitý;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
substrátov karbidu kremíka pre elektronické súčasti;
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
elektronických elektrónok, ktoré pracujú pri frekvenciách najmenej 31.8 GHz.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101 or 3D101.
"Technológia" podľa všeobecnej technologickej poznámky na "použitie" zariadení alebo "softvéru" uvedeného v 3A001.a.1. alebo 2., 3A101 alebo 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software" specified in 3D101.
"Technológia" podľa všeobecnej technologickej poznámky na "vývoj""softvéru" uvedeného v bode 3D101.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 to 3A233.
"Technológia" podľa všeobecnej technologickej poznámky na "používanie" zariadení uvedených v bodoch 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 až 3A233.
CATEGORY 4
KATEGÓRIA 4
COMPUTERS
POČÍTAČE
Note 1: Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Poznámka 1: Počítače, príbuzné zariadenia a "softvér" vykonávajúce telekomunikačné funkcie alebo funkcie "miestnej počítačovej siete" (LAN) sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časť 1 (Telekomunikácie).
Note 2: Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Poznámka 2: Riadiace jednotky, ktoré priamo prepájajú zbernice alebo kanály základných jednotiek počítača; "operačná pamäť" ani riadiace jednotky diskovej pamäte sa nepovažujú za telekomunikačné zariadenia popísané v kategórii 5, časť 1 (Telekomunikácie).
N.B.: For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Dôležité upozornenie: Riadiaci štatút "softvéru" zvlášť určeného pre prepojovanie paketov pozri v 5D001.
Note 3: Computers, related equipment and "software" performing cryptographic, cryptanalytic, certifiable multi-level security or certifiable user isolation functions, or which limit electromagnetic compatibility (EMC), must also be evaluated against the performance characteristics in Category 5, Part 2 ("Information Security").
Poznámka 3: Počítače, príbuzné zariadenia a "softvér" vykonávajúci kryptografické, kryptoanalytické, overiteľné funkcie s viacstupňovou bezpečnosťou, funkcie s overiteľnou ochranou (izoláciou) používateľa alebo ktoré obmedzujú elektromagnetickú kompatibilitu (EMC), sa musia taktiež vyhodnocovať z hľadiska výkonových charakteristík kategórie 5, časti 2 ("Bezpečnosť informácií").
Electronic computers and related equipment, as follows, and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
Elektronické počítače, príbuzné zariadenia, "elektronické systémy" a zvlášť navrhnuté súčasti:
N.B.: SEE ALSO 4A101.
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE: POZRI TIEŽ 4A101.
Specially designed to have any of the following characteristics:
zvlášť navrhnuté tak, aby sa vyznačovali niektorou z týchto charakteristík:
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C);
dimenzované pre prevádzku pri teplote prostredia nižšej ako 228 K (– 45 °C) alebo vyššej ako 358 K (85 °C);
Note: 4A001.a.1. does not apply to computers specially designed for civil automobile or railway train applications.
Dôležité upozornenie: 4A001.a.1. sa nevzťahuje na počítače zvlášť určené na použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch.
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
so zvýšenou prenikavosťou žiarenia tak, aby prekračovali všetky tieto špecifikácie:
Total Dose 5 × 103 Gy (silicon);
celková dávka 5 × 103 Gy (kremík);
Dose Rate Upset 5 × 106 Gy (silicon)/s; or
veľkosť dávky 5 × 106 Gy (kremík)/s; alebo
Single Event Upset 1 × 10–7 Error/bit/day;
jednorazová udalosť 1 × 10–7 chyba/bit/deň;
Having characteristics or performing functions exceeding the limits in Category 5, Part 2 ("Information Security").
ktoré majú charakteristiky alebo vykonávajú funkcie nad rámec limitov uvedených v kategórii 5, časť 2 ("Bezpečnosť informácií").
Note: 4A001.b. does not control electronic computers and related equipment when accompanying their user for the user's personal use.
Poznámka: Podľa 4A001.b. sa neriadia elektronické počítače a príbuzné zariadenia používané na osobné účely.
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows, and specially designed components therefor:
"Digitálne počítače", "elektronické systémy" a ich príbuzné zariadenia a zvlášť pre ne navrhnuté súčasti:
Note 1: 4A003 includes the following:
Poznámka 1: 4A003 zahŕňa:
Vector processors;
vektorové procesory;
Array processors;
maticové procesory;
Digital signal processors;
procesory na spracovanie digitálnych signálov;
Logic processors;
logické procesory;
Equipment designed for "image enhancement";
zariadenia navrhnuté na "zlepšenie obrazu";
Equipment designed for "signal processing".
zariadenia navrhnuté na "spracovanie signálu".
Note 2: The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
Poznámka 2: Riadiaci stav "digitálnych počítačov" a príbuzných zariadení popísaný v bode 4A003 je daný riadiacim stavom ostatných zariadení alebo systémov za predpokladu, že:
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
"digitálne počítače" alebo príbuzné zariadenia sú rozhodujúce pre chod ostatných zariadení alebo systémov;