natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
Chemické vylučovanie z plynnej fázy (CVD) je proces prekrývacieho povliekania alebo proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa na zahriaty substrát nanáša kov, zliatina, "kompozitný materiál", dielektrikum alebo keramika.
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
V blízkosti substrátu sa plynné reaktanty rozkladajú alebo kombinujú, čoho následkom je vylúčenie sa požadovaného prvku, zliatiny alebo zlúčeniny na substráte.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Energiu potrebnú pre tento proces rozkladu alebo chemickej reakcie môže dodať teplo substrátu, plazmovo-tlejivý výboj alebo ožarovanie "laserom".
1 CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Dôležité upozornenie 1: CVD zahŕňa tieto procesy: vylučovanie mimo uzavretých nádob s riadeným tokom plynu, pulzačné CVD, tepelné vylučovanie s riadenou tvorbou kryštalizačných centier (CNTD) a procesy CVD zosilnené plazmou alebo za pomoci plazmy.
2 Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Dôležité upozornenie 2: Uzatvorená nádoba znamená substrát ponorený do práškovej zmesi.
3 The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Dôležité upozornenie 3: Plynové reaktanty používané v procesoch mimo uzatvorených nádob vznikajú použitím rovnakých základných reakcií a parametrov ako v prípade procesu cementovania v prášku v uzavretých nádobách, okrem toho, že substrát, ktorý sa má povliekať nie je v styku s práškovou zmesou.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
Fyzikálne pokovovanie zrážaním kovových pár pomocou tepelného odparovania (TE-PVD) je proces prekrývacieho povliekania prebiehajúci vo vákuu pri tlaku menej ako 0,1 Pa, pričom sa používa zdroj tepelnej energie na odparenie povliekacieho materiálu.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
Výsledkom tohto procesu je kondenzácia alebo vylučovanie odparových vzoriek na vhodne umiestnené substráty.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
Pridávanie plynov do vákuovej komory počas procesu povliekania za účelom syntetizácie kompoundných povlakov predstavuje bežnú modifikáciu daného procesu.
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Používanie iónových alebo elektrónových lúčov alebo plazmy na aktivovanie alebo podporu vylučovania povlaku predstavuje taktiež bežnú modifikáciu tejto techniky.
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Používanie monitorov na zabezpečenie merania optických charakteristík a hrúbky povlakov počas procesu môže byť charakteristickým znakom týchto procesov.
Specific TE-PVD processes are as follows:
Špecifické sú tieto procesy TE-PVD:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
Proces PVD pomocou elektrónového lúča využíva elektrónový lúč na zohriatie a odparenie materiálu, ktorý tvorí povlak.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Proces PVD s odporovým zahrievaním pomocou iónov využíva elektrické zdroje odporového zohrievania v kombinácii s dopadajúcim iónovým lúčom na vytvorenie riadeného a homogénneho toku odparovaných druhov povlakov.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
"Laserové" odparovanie využíva "laserové" lúče s pulzujúcou alebo stálou vlnou na odparovanie materiálu, ktorý tvorí povlak;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Nanášanie pomocou katódového oblúka využíva taviacu elektródu z materiálu, ktorý tvorí povlak a na povrchu sa vytvára oblúkový výboj v dôsledku styku so zemniacou spúšťou v danom okamihu.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Riadený pohyb iskrenia eroduje povrch katódy, čím vzniká vysoko ionizovaná plazma.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Anóda môže byť buď kužeľ pripevnený k obvodu katódy cez izolátor alebo komora.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Predmagnetizácia substrátu sa používa na nepriamočiare vylučovanie,
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Dôležité upozornenie: Táto definícia nezahŕňa náhodné vylučovanie pomocou katódového oblúka na nepredmagnetizované substráty.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Pokovovanie iónmi je zvláštna modifikácia všeobecného procesu TE-PVD, pri ktorom sa na ionizovanie zložky, ktorá sa má naniesť, používa plazma alebo zdroj iónov, a na substrát sa privedie záporné predpätie (predmagnetizácia) tak, aby sa umožnila extrakcia zložky z plazmy.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Zavedenie reaktívnych zložiek, odparovanie tuhých látok v procesnej komore a používanie monitorov na zabezpečenie merania optických charakteristík a hrúbky povlakov počas procesu sú obvyklými modifikáciami tohto procesu.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Cementovanie v prášku v uzavretých nádobách je proces povliekania modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povlaku, pri ktorom sa substrát ponorí do práškovej zmesi (uzatvorená nádoba), ktorá pozostáva z:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
kovových práškov, ktoré sa majú naniesť (obvykle hliník, chróm, kremík alebo ich kombinácie);
An activator (normally a halide salt); and
aktivátora (väčšinou halogenidová soľ); a
An inert powder, most frequently alumina.
inertného prášku, najčastejšie aluminy.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substrát a prášková zmes sa nachádza v retorte, ktorá sa zahreje na teplotu 1030 K (757 °C) až 1375 K (1102 °C) na dobu postačujúcu na to, aby sa vytvoril povlak.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Plazmové striekanie je proces prekrývacieho povliekania, v ktorom pištoľ (rozprašovací horák), ktorá vytvára a riadi plazmu, prijíma práškové alebo drôtové povlakové materiály, taví ich a ženie smerom k substrátu, na ktorom sa vytvorí jednotne viazaný povlak.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Plazmové striekanie predstavuje buď plazmové striekanie pri nízkom tlaku alebo plazmové striekanie pri vysokej rýchlosti.
1 Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Dôležité upozornenie 1: Pod pojmom pri nízkom tlaku sa rozumie pri tlaku nižšom, než je atmosférický tlak prostredia.
2 High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Dôležité upozornenie 2: Pod pojmom pri vysokej rýchlosti sa rozumie rýchlosť plynu na výstupe z dýzy vyššia ako 750 m/s počítaná pri 293 K (20°C) a 0,1 MPa.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Vylučovanie zo suspenzie je proces povliekania s modifikáciou povrchu alebo proces prekrývacieho povliekania, pri ktorom sa kovový alebo keramický prášok s organickým spojivom suspenduje do kvapaliny a na substrát sa nanáša buď striekaním, namáčaním alebo natieraním, s následným sušením na vzduchu alebo v peci a tepelným spracovaním tak, aby sa dosiahol požadovaný povlak.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Vylučovanie naprašovaním je proces prekrývacieho povliekania založený na prenose hybnosti, pri ktorom sú kladné ióny urýchľované elektrickým poľom smerom k povrchu terča (povliekací materiál).
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Kinetická energia dopadajúcich iónov je dostatočná na to, aby uvoľnila atómy z bombardovaného povrchu a naniesla ich na vhodne umiestnenom substráte.
1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Dôležité upozornenie 1: Tabuľka sa týka iba vylučovania pomocou triódy, magnetrónu alebo reaktívneho napracovania, ktoré sa používa na zvýšenie priľnavosti povlaku a rýchlosti tvorby nánosov a na vylučovanie naprašovaním zvýšené rádiovou frekvenciou (RF) používané na odparovanie nekovových povliekacích materiálov.
2 Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Dôležité upozornenie 2: Lúče iónov s nízkou energiou (menej ako 5 keV) sa môžu použiť na aktiváciu vylučovania.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Implantovanie iónov je proces povliekania s modifikáciou povrchu, pri ktorom sa prvok, ktorý sa má zlievať, ionizuje, urýchli prostredníctvom gradientu potenciálu a implantuje sa do oblasti povrchu substrátu.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Toto zahŕňa aj procesy, pri ktorých sa implantovanie iónov vykonáva zároveň prostredníctvom fyzikálneho pokovovania zrážaním kovových pár pomocou elektrónového lúča alebo prostredníctvom nanášania poprašovaním.
CATEGORY 3
KATEGÓRIA 3
Note 1: The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 1: Zariadenia a súčasti popísané v 3A001 alebo 3A002 okrem zariadení a súčastí popísaných v 3A001.a.3 až 3A001.a.10 alebo 3A001.a.12, ktoré sú zvlášť navrhnuté pre iné zariadenia alebo ktoré majú rovnaké funkčné charakteristiky ako iné zariadenia, sa riadia tak, ako tieto iné zariadenia ( z hľadiska kontroly).
Note 2: The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Poznámka 2: Integrované obvody popísané v 3A001.a.3 až 3A001.a.9 alebo 3A001.a.12, ktoré sú nemenne naprogramované alebo navrhnuté pre zvláštnu funkciu v iných zariadeniach, sa riadia tak ako tieto iné zariadenia (z hľadiska kontroly).
N.B.: When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Dôležité upozornenie: Ak výrobca alebo žiadateľ nevie určiť, podľa čoho sa riadia tieto iné zariadenia (z hľadiska kontroly), potom sa integrované obvody riadia podľa 3A001.a.3 až 3A001.a.9 a 3A001.a.12.
If the integrated circuit is a silicon-based "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit described in 3A001.a.3. having an operand (data) word length of 8 bit or less, the control status of the integrated circuit is determined in 3A001.a.3.
Ak je však integrovaný obvod „mikropočítačový mikroobvod“ na báze kremíka alebo mikroobvod mikroradiča popísaný v 3A001.a.3. ktorý má dĺžku slova operandu (údaju) najviac 8 bitov, potom sa integrovaný obvod riadi podľa bodu 3A001.a.3.
Electronic components, as follows:
Elektronické súčasti:
General purpose integrated circuits, as follows:
Univerzálne integrované obvody:
Note 1: The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Poznámka 1: Pri hodnotení, podľa ktorého bodu sa riadia plátky čipov (dokončených alebo nedokončených), ktorých funkcia bola určená, sa musí vychádzať z parametrov bodu 3A001.a.
Note 2: Integrated circuits include the following types:
Poznámka 2: Integrované obvody zahŕňajú nasledovné typy:
"Monolithic integrated circuits";
"monolitické integrované obvody",
"Hybrid integrated circuits";
"hybridné integrované obvody",
"Multichip integrated circuits";
"mnohočipové integrované obvody",
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
"vrstvové integrované obvody" vrátane integrovaných obvodov typu kremík na zafíre,
"Optical integrated circuits".
"optické integrované obvody".
Integrated circuits, designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Integrované obvody navrhnuté alebo klasifikované ako kalené radiáciou tak, aby odolávali:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
celkovej dávke najmenej 5 × 103 Gy (kremík);
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
veľkosti dávky najmenej 5 × 106 Gy (kremík)/s; alebo
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
pôsobeniu (integrovanému toku) neutrónov (ekvivalentnému 1 MeV) najmenej 5 × 1013 n/cm2 na kremík alebo jeho ekvivalentu pre iné materiály;
Note: 3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Poznámka: 3A001.a.1.c. sa nevzťahuje na štruktúry zložené z kovu, izolantu a polovodivého materiálu (MIS).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, neural network integrated circuits, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
"Mikroobvody mikroprocesora", "mikroobvody mikropočítača", mikroobvody mikroradiča, integrované obvody pamäte vyrobené zo zlúčeninového polovodiča, analógovo-číslicové prevodníky, číslicovo-analógové prevodníky, elektrooptické alebo "optické integrované obvody" konštruované na "spracovávanie signálov", logické zariadenia programovateľné u zákazníka, integrované obvody s neurónovou sieťou, zákazkové integrované obvody, u ktorých je neznáma buď funkcia alebo podľa ktorého bodu sa riadia zariadenia, v ktorom sa integrovaný obvod bude používať, procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), elektricky vymazateľné programovateľné permanentné pamäte (EEPROM), flash pamäte alebo statické pamäte s priamym výberom (SRAM), ktoré sa vyznačujú ľubovoľnou z týchto charakteristík:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
určené na prevádzku pri teplote prostredia nad 398 K (125 °C);
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
určené na prevádzku pri teplote prostredia menej ako 218 K (– 55 °C); alebo
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);
určené na prevádzku v celom rozsahu teplôt prostredia 218 K (– 55 °C) až 398 K (125 °C);
Note: 3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Poznámka: Bod 3A001.a.2. sa nevzťahuje na integrované obvody pre použitie v civilných automobiloch alebo železničných vlakoch.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, having any of the following characteristics:
"Mikroobvody mikroprocesora", "mikroobvody mikropočítača" a mikroobvody mikroradiča, ktoré sa vyznačujú ľubovoľnou z týchto charakteristík:
Note: 3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Poznámka: 3A001.a.3. zahŕňa procesory na spracovanie digitálneho signálu, procesory s digitálnou maticou a digitálne koprocesory.
Not used;
nepoužívané;
Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or
sú vyrobené zo zlúčeninového polovodiča a pracujú s kmitočtom hodinových impulzov presahujúcim 40 MHz; alebo
More than one data or instruction bus or serial communication port that provides a direct external interconnection between parallel "microprocessor microcircuits" with a transfer rate exceeding 150 Mbyte/s;
viac ako jedna dátová zbernica, zbernica inštrukcií alebo sériový komunikačný port pre priame vonkajšie prepojenie medzi paralelnými "mikroobvodmi mikroprocesora" s rýchlosťou prenosu nad 150 Mbyte/s;
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Integrované obvody s pamäťou vyrobené zo zlúčeninového polovodiča;
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Integrované obvody s analógovo-číslicovým a číslicovo-analógovým prevodníkom:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
analógovo-digitálne prevodníky vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
SEE ALSO 3A101
DÔLEŽITÉ UPOZORNENIE: POZRI TIEŽ 3A101.
A resolution of 8 bit or more, but less than 12 bit, with a 'total conversion time' of less than 5 ns;
rozlíšenie 8 bit alebo viac, ale menej ako 12 bit, s "celkovou dobou prevodu" menej ako 5 ns;
A resolution of 12 bit with a 'total conversion time' of less than 20 ns;
rozlíšenie 12 bit s "celkovou dobou prevodu" menej ako 20 ns;
A resolution of more than 12 bit but equal to or less than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 200 ns; or
rozlíšenie viac ako 12 bit, ale najviac 14 bit, s "celkovou dobou prevodu" menej ako 2 ns; alebo
A resolution of more than 14 bit with a 'total conversion time' of less than 1 μs;
rozlíšenie viac ako 14 bit s "celkovou dobou prevodu" menej ako 1 μs;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more, and a "settling time" of less than 10 ns;
digitálno-analógové prevodníky s rozlíšením najmenej 12 bit a s dobou "likvidácie" menej ako 10 ns;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Rozlíšenie n bitov zodpovedá kvantovaniu úrovní 2n.
'Total conversion time' is the inverse of sample rate.
"Celková doba prevodu" je inverznou hodnotou rýchlosti vzorkovania.
Electro-optical and "optical integrated circuits" designed for "signal processing" having all of the following:
Elektrooptické a "optické integrované obvody" konštruované na "spracovanie signálu", ktoré sa vyznačujú všetkými týmito charakteristikami:
One or more than one internal "laser" diode;
najmenej jedna dióda s vnútorným "laserom";
One or more than one internal light detecting element; and
najmenej jeden vnútorný prvok na detekciu svetla; a
Optical waveguides;
optické vlnovody;
Field programmable logic devices having any of the following:
Logické zariadenia programovateľné u zákazníka, ktoré sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
An equivalent usable gate count of more than 30000 (2 input gates);
ekvivalent použiteľného počtu hradiel viac ako 30000 (2 vstupné hradlá);
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,1 ns; or
typická "doba oneskorenia základného hradla" menej ako 0,1 ns; alebo
A toggle frequency exceeding 133 MHz;
preklápacia frekvencia viac ako 133 MHz;
Note: 3A001.a.7. includes:
Poznámka: Bod 3A001.a.7. zahŕňa :
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
jednoduché programovateľné logické zariadenia (SPLD),
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
komplexné programovateľné logické zariadenia (CPLD),
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
hradlové polia programovateľné u zákazníka (FPGA),
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
logické polia programovateľné u zákazníka (FPLA),
Field Programmable Interconnects (FPICs)
prepojenia programovateľné u zákazníka (FPIC).
N.B.: Field programmable logic devices are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
Dôležité upozornenie: Logické zariadenia programovateľné u zákazníka sú známe aj ako hradlá programovateľné u zákazníka alebo logické polia programovateľné u zákazníka.
Neural network integrated circuits;
Integrované obvody s neurónovou sieťou;
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Zákazkové integrované obvody, ktorých funkcia je neznáma alebo výrobcovi nie je známe, podľa ktorého bodu sa budú riadiť zariadenia, v ktorých sa integrované obvody budú používať, pričom tieto sa vyznačujú niektorou z týchto charakteristík:
More than 1000 terminals;
viac ako 1000 vývodov;
An operating frequency exceeding 3 GHz;
prevádzková frekvencia nad 3 GHz;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Digitálne integrované obvody okrem popísaných v bodoch 3A001.a.3 až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., na báze ľubovoľného zlúčeninového polovodiča, vyznačujúce sa niektorou z týchto charakteristík:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
ekvivalentný počet hradiel viac ako 3000 (2 vstupné hradlá); alebo
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
preklápacia frekvencia nad 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2N)/20480 ms, where N is the number of points;
Procesory s rýchlou Fourierovou transformáciou (FFT), ktoré majú menovitú dobu výkonu FFT súboru N bodov menej ako (N log2N)/20480 ms, kde N je počet bodov;