natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
„putere de vârf” de ieșire care depășește 2 GW/impuls;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
„putere medie de ieșire” care depășește 30 W; sau
i.
energie de ieșire care depășește 0,002 J/impuls;
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
b. „durata impulsului” egală cu 1 ps sau mai mare, dar nedepășind 1 ns și oricare dintre caracteristicile următoare:
j.
„putere de vârf” de ieșire care depășește 5 GW/impuls;
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
energie de ieșire care depășește 0,1 J/impuls;
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
c. „durata impulsului” egală cu 1 ns sau mai mare, dar nedepășind 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
Compliant with SEMI Standard P37.
ieșire monomod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
a. „putere de vârf” de peste 100 MW;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
b. „putere medie de ieșire” de peste 20 W, concepută să se limiteze la o frecvență maximă de repetiție a impulsurilor mai mică sau egală cu 1 kHz;
a.
c. ‘randament la priză' de peste 12 %, „putere medie de ieșire” de peste 100 W și capabilă să funcționeze la o frecvență de repetiție a impulsurilor mai mare de 1 kHz;
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
d. „putere medie de ieșire” de peste 150 W și capabilă să funcționeze la o frecvență de repetiție a impulsurilor mai mare de 1 kHz; sau
c.
e. energie de ieșire de peste 2 J pe impuls; sau
For testing items specified in 3A001.b.2.
ieșire multimod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
a. „putere de vârf” de peste 400 MW;
a.
b. ‘randament la priză' de peste 18 % și „putere medie de ieșire” de peste 500 W;
Silicon (Si);
c. „putere medie de ieșire” care depășește 2 kW; sau
b.
d. energie de ieșire de peste 4 J pe impuls; sau
Germanium (Ge);
d. „durata impulsului” depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
c.
a. „putere de vârf” de peste 500 kW;
Silicon carbide (SiC); or
b. ‘randament la priză' de peste 12 % și „putere medie de ieșire” de peste 100 W; sau
d.
c. „putere medie de ieșire” care depășește 150 W; sau
"III/V compounds" of gallium or indium.
a. „putere de vârf” de peste 1 MW;
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
b. ‘randament la priză' de peste 18 % și „putere medie de ieșire” de peste 500 W; sau
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
c. „putere medie de ieșire” care depășește 2 kW;
a.
lungime de undă la ieșire ce depășește 1150 nm, dar nu depășește 1555 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
a. „durata impulsului” nu depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
ieșire multimod transversală și „putere medie de ieșire” care depășește 50 W; sau
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
b. „durata impulsului” depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
energie de ieșire de peste 2 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 50 W;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
ieșire multimod transversală și „putere medie de ieșire” care depășește 80 W;
d.
lungime de undă la ieșire ce depășește 1555 nm, dar nu depășește 1850 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
All resists optimised for surface imaging technologies;
a. energie de ieșire de peste 100 mJ pe impuls și „putere de vârf” de peste 1 W; sau
e.
lungime de undă la ieșire ce depășește 1850 nm, dar nu depășește 2100 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
a. ieșire monomod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
Organo-inorganic compounds as follows:
energie de ieșire de peste 100 mJ pe impuls și „putere de vârf” de peste 1 W; sau
a.
„putere medie de ieșire” care depășește 1 W; sau
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
b. ieșire multimod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
energie de ieșire de peste 100 mJ pe impuls și „putere de vârf” de peste 10 kW; sau
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
„putere medie de ieșire” care depășește 120 W; sau
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
lungime de undă de ieșire de peste 2100 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
a. energie de ieșire de peste 100 mJ pe impuls și „putere de vârf” de peste 1 W; sau
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
b. „putere medie de ieșire” care depășește 1 W;
High resistivity materials as follows:
c. „lasere” „acordabile” având oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
lungime de undă la ieșire mai mică de 600 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
a. energie de ieșire de peste 50 mJ pe impuls și „putere de vârf” de peste 1 W; sau
b.
b. putere de ieșire medie sau CW de peste 1 W;
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
6A005.c.1 nu supune controlului „laserele” cu coloranți sau alte „lasere” cu lichid, care au ieșire multimod și o lungime de undă de 150 nm sau mai mare, dar care nu depășește 600 nm, și au toate caracteristicile următoare:
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
energie de ieșire mai mică de 1,5 J pe impuls sau o „putere de vârf” mai mică de 20 W; și
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
putere de ieșire medie sau CW mai mică de 20 W.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
lungime de undă de ieșire de 600 nm sau mai mare, dar care nu depășește 1400 nm, și oricare dintre caracteristicile următoare:
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
a. energie de ieșire de peste 1 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 20 W; sau
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
b. putere de ieșire medie sau CW de peste 20 W; sau
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
lungime de undă de ieșire de peste 1400 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
d. alte „lasere”, nemenționate la 6A005.a., 6A005.b. sau 6A005.c., după cum urmează:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
„lasere” cu semiconductori, după cum urmează:
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
6A005.d.1. include „laserele” cu semiconductori având conectoare optice de ieșire [de exemplu, conectoare pentru fibre optice (pigtails)].
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Regimul de control al „laserelor” cu semiconductori special concepute pentru alte echipamente este determinat de regimul de control al echipamentelor respective.
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
a. „lasere” cu semiconductori monomod transversali individuali care au oricare din următoarele caracteristici:
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
lungime de undă egală cu 1510 nm sau mai mică și putere de ieșire medie sau CW de peste 1,5 W; sau
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
lungime de undă mai mare de 1510 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 500 mW;
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
b. „lasere” cu semiconductori multimod transversali individuali care au oricare din următoarele caracteristici:
3E001 does not control 'Process Design Kits' ('PDKs') unless they include libraries implementing functions or technologies for items specified in 3A001.
lungime de undă mai mică de 1400 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 15 W;
A 'Process Design Kit' ('PDK') is a software tool provided by a semiconductor manufacturer to ensure that the required design practices and rules are taken into account in order to successfully produce a specific integrated circuit design in a specific semiconductor process, in accordance with technological and manufacturing constraints (each semiconductor manufacturing process has its particular 'PDK').
lungime de undă mai mare sau egală cu 1400 nm și mai mică de 1900 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 2,5 W; sau
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
lungime de undă mai mare sau egală cu 1900 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 1 W;
a.
c. ‘bare’ „laser” cu semiconductori individuali, având oricare dintre caracteristicile următoare:
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
lungime de undă mai mică de 1400 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 100 W;
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
lungime de undă mai mare sau egală cu 1400 nm și mai mică de 1900 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 25 W; sau
b.
lungime de undă mai mare sau egală cu 1900 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 10 W;
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
d. ‘seturi de rețele’ formate din „lasere” cu semiconductori (rețele bidimensionale) având oricare dintre caracteristicile următoare:
c.
lungime de undă mai mică de 1400 nm și având oricare dintre caracteristicile următoare:
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
a. putere de ieșire totală medie sau CW mai mică de 3 kW și având 'densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 500 W/cm2;
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
b. putere de ieșire totală medie sau CW egală cu 3 kW sau mai mare, dar mai mică sau egală cu 5 kW, și având 'densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 350 W/cm2;
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
c. putere de ieșire totală medie sau CW care depășește 5 kW;
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
d. ‘densitatea puterii’ maxime în impuls de peste 2500 W/cm2; sau
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
6A005.d.1.d.1.d. nu controlează dispozitivele monolitice fabricate epitaxial.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
e. coerența spațială medie sau puterea de ieșire totală CW mai mare de 150 W;
a.
lungime de undă mai mare sau egală cu 1400 nm, dar mai mică de 1900 nm, și având oricare dintre caracteristicile următoare:
Vacuum microelectronic devices;
a. putere de ieșire totală medie sau CW mai mică de 250 W și ‘densitate a puterii’ de ieșire medie sau CW mai mare de 150 W/cm2;
b.
b. putere de ieșire totală medie sau CW egală cu 250 W sau mai mare, dar mai mică sau egală cu 500 W, și având 'densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 50 W/cm2;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
c. putere de ieșire totală medie sau CW care depășește 500 W;
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
d. ‘densitatea puterii’ maxime în impuls de peste 500 W/cm2; sau
c.
6A005.d.1.d.2.d. nu controlează dispozitivele monolitice fabricate epitaxial.
"Superconductive" electronic devices;
e. putere de ieșire totală medie sau CW caracterizată de coerență spațială de peste 15 W;
d.
lungime de undă mai mare sau egală cu 1900 nm și având oricare dintre caracteristicile următoare:
Substrates of films of diamond for electronic components.
a. ‘densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 50 W/cm2;
e.
b. putere de ieșire medie sau CW mai mare de 10 W; sau
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
c. putere de ieșire totală medie sau CW caracterizată de coerență spațială de peste 1,5 W; sau
f.
cel puțin o ‘bară' „laser” menționată la 6A005.d.1.c.;
Substrates of silicon carbide for electronic components;
În sensul 6A005.d.1.d., ‘densitatea puterii’ înseamnă puterea totală de ieșire a „laserului” împărțită la suprafața de emisie a ‘setului de rețele'.
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
‘Seturi de rețele’ formate din „lasere” cu semiconductori, în afara celor specificate la 6A005.d.1.d., având toate caracteristicile următoare:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
special concepute sau modificate pentru a fi combinate cu alte ‘seturi de rețele’ în vederea formării unui ‘set de rețele’ mai mare; și
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
conexiuni integrate, utilizate atât pentru dispozitive electronice, cât și pentru răcire;
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
‘Seturile de rețele’, rezultate din combinarea ‘seturilor de rețele’ formate din „lasere” cu semiconductori menționate la 6A005.d.1.e., care nu sunt concepute pentru a fi ulterior combinate sau modificate, sunt menționate la 6A005.d.1.d.
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
‘Seturile de rețele’, rezultate din combinarea ‘seturilor de rețele’ formate din „lasere” cu semiconductori menționate la 6A005.d.1.e., care sunt concepute pentru a fi ulterior combinate sau modificate, sunt menționate la 6A005.d.1.e.
CATEGORY 4 — COMPUTERS
6A005.d.1.e. nu supune controlului ansamblurile modulare de ‘bare’ individuale concepute pentru a fi transformate în seturi de rețele liniare puse cap la cap.
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
„Laserele” cu semiconductori se numesc în mod obișnuit diode „laser”.
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, 'main storage' or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
O ‘bară’ (denumită și ‘bară’ „laser” cu semiconductori, ‘bară’ diodă „laser” sau ‘bară’ diodă) este formată din mai multe „lasere” cu semiconductori într-o rețea unidimensională.
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Un ‘set de rețele’ este format din mai multe ‘bare’ care alcătuiesc o rețea bidimensională de „lasere” cu semiconductori.
'Main storage' is the primary storage for data or instructions for rapid access by a central processing unit.
„lasere” cu monoxid de carbon (CO), care au oricare dintre caracteristicile următoare:
It consists of the internal storage of a "digital computer" and any hierarchical extension thereto, such as cache storage or non-sequentially accessed extended storage.
a. energie de ieșire de peste 2 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 5 kW; sau
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
b. putere de ieșire medie sau CW de peste 5 kW;
SEE ALSO 4A101.
„lasere” cu dioxid de carbon (CO2), având oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
a. putere de ieșire CW care depășește 15 kW; b. ieșire în impulsuri cu „durata impulsului” de peste 10 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
Specially designed to have any of the following:
„putere de vârf” de peste 100 kW; sau
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
c. ieșire în impulsuri cu „durata impulsului” egală cu 10 μs sau mai mică și oricare dintre caracteristicile următoare:
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft” applications.
energie în impulsuri de peste 5 J/impuls; sau
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
„putere medie de ieșire” care depășește 2,5 kW;
Total Dose
„lasere” cu excimeri, având oricare din următoarele caracteristici:
5 × 103 Gy (silicon);
a. lungime de undă la ieșire care nu depășește 150 nm și oricare din următoarele caracteristici:
Dose Rate Upset
energie de ieșire care depășește 50 mJ/impuls; sau
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
„putere medie de ieșire” care depășește 1 W;
Single Event Upset
b. lungime de undă la ieșire ce depășește 150 nm, dar nu depășește 190 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
1 × 10–8 Error/bit/day;
energie de ieșire care depășește 1,5 J/impuls; sau
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
„putere medie de ieșire” care depășește 120 W;
Not used.
energie de ieșire care depășește 10 J/impuls; sau
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
„putere medie de ieșire” care depășește 500 W; sau
4A003 includes the following:
d. lungime de undă de ieșire ce depășește 360 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
'Vector processors';
Pentru „laserele” cu excimeri special concepute pentru echipamente litografice, a se vedea 3B001.
Array processors;
„lasere” chimice, după cum urmează:
Digital signal processors;
a. „lasere” cu acid fluorhidric (HF);
Logic processors;
b. „lasere” cu fluorură de deuteriu (DF);
Equipment designed for "image enhancement".
c. ‘lasere cu transfer’, după cum urmează:
The control status of the "digital computers" and related equipment described in 4A003 is determined by the control status of other equipment or systems provided:
„lasere” oxigen-iod (O2-I);
The "digital computers" or related equipment are essential for the operation of the other equipment or systems;
„lasere” cu fluorură de deuteriu-bioxid de carbon (DF-CO2);
The "digital computers" or related equipment are not a "principal element" of the other equipment or systems; and
‘Laser cu transfer’ înseamnă un „laser” excitat prin transferul de energie obținută din ciocnirea unui atom sau a unei molecule care nu produce efect laser cu un atom sau o moleculă care produce efect laser.
The control status of "signal processing" or "image enhancement" equipment specially designed for other equipment with functions limited to those required for the other equipment is determined by the control status of the other equipment even if it exceeds the "principal element" criterion.
,,lasere” cu sticlă dopată cu neodim ‘cu impulsuri nerepetitive’: „lasere” cu sticlă având oricare dintre caracteristicile următoare:
For the control status of "digital computers" or related equipment for telecommunications equipment, see Category 5, Part 1 (Telecommunications).
a. „durata impulsului” nu depășește 1 μs și energia de ieșire este de peste 50 J pe impuls; sau
The "technology" for the "digital computers" and related equipment is determined by 4E.
b. „durata impulsului” depășește 1 μs, iar energia de ieșire este de peste 100 J/impuls;
b.
e. componente, după cum urmează:
"Digital computers" having an "Adjusted Peak Performance" ("APP") exceeding 29 Weighted TeraFLOPS (WT);
oglinzi răcite, fie cu ‘răcire activă’, fie cu răcire prin tuburi termice;
c.
‘Răcirea activă’ este o tehnică de răcire pentru componente optice care folosește trecerea unor fluide pe sub suprafața componentelor optice (valoare nominală mai mică de 1 mm sub suprafața optică) în scopul îndepărtării căldurii.
"Electronic assemblies" specially designed or modified for enhancing performance by aggregation of processors so that the "APP" of the aggregation exceeds the limit specified in 4A003.b.;
oglinzi optice sau componente optice ori electrooptice transmisive sau parțial transmisive, altele decât combinatoarele de fibre conice fuzionate și rețelele dielectrice multistrat (MLD), special concepute pentru a fi utilizate cu „laserele” menționate;
4A003.c. controls only "electronic assemblies" and programmable interconnections not exceeding the limit specified in 4A003.b. when shipped as unintegrated "electronic assemblies".
Combinatoarele de fibre și MLD-urile sunt menționate la 6A005.e.3.
4A003.c. does not control "electronic assemblies" specially designed for a product or family of products whose maximum configuration does not exceed the limit specified in 4A003.b.
componente de „laser” cu fibre, după cum urmează: