natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Supply and exhaust air to and from the workspace is HEPA filtered;
concepute și optimizate pentru a funcționa la o energie a fasciculului mai mare sau egală cu 20 keV și la un curent de fascicul mai mare sau egal cu 10 mA pentru un implant de siliciu într-un „substrat” de material semiconductor încălzit la o temperatură mai mare sau egală cu 600 °C;
2B352.f.2. includes Class III biosafety cabinets, as described in the latest edition of the WHO Laboratory Biosafety Manual or constructed in accordance with national standards, regulations or guidance.
e. sisteme centrale multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată care au toate caracteristicile următoare:
2B352.f.2. does not include isolators specially designed for barrier nursing or transportation of infected patients.
interfețe pentru intrarea și ieșirea plachetelor, la care sunt concepute a fi conectate mai mult de două ‘unelte pentru prelucrarea semiconductorilor’, diferite din punct de vedere funcțional, specificate la 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 sau 3B001.b.; și
g.
concepute pentru a forma un sistem integrat în vid în scopul ‘prelucrării secvențiale multiple a plachetelor’;
Aerosol inhalation equipment designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" as follows:
3B001.e. nu supune controlului sistemele robotizate de manipulare automată a plachetelor care sunt special concepute pentru prelucrarea paralelă a plachetelor.
Whole-body exposure chambers having a capacity of 1 m3 or more;
În sensul celor menționate la 3B001.e., ‘uneltele pentru prelucrarea semiconductorilor’ se referă la unelte modulare care furnizează procedee fizice pentru producția semiconductorilor care sunt diferite din punct de vedere funcțional, cum ar fi depunere, implantare sau prelucrare termică.
Nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow and having capacity for exposure of any of the following:
În sensul celor menționate la 3B001.e, prin ‘prelucrare secvențială multiplă a plachetelor’ se înțelege capacitatea de a prelucra fiecare plachetă în cadrul unor ‘instrumente pentru prelucrarea semiconductorilor’ diferite, cum ar fi prin transferarea fiecărei plachete dintr-un instrument într-un al doilea instrument și către un al treilea instrument cu ajutorul sistemelor centrale multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată.
12 or more rodents; or
echipamente de aliniere și expunere cu repetiție secvențială (cu repetiție directă pe plachetă) sau cu repetiție și scanare (scanere), pentru prelucrarea plachetelor utilizând metode foto-optice sau cu raze X și care au oricare dintre următoarele caracteristici:
b.
a. o lungime de undă a sursei de lumină mai mică de 193 nm; sau
2 or more animals other than rodents;
b. capabile să producă un eșantion cu o ‘dimensiune a elementului solubil minim’ (MRF) mai mică sau egală cu 45 nm;
Closed animal restraint tubes designed for use with nose-only exposure apparatus utilising directed aerosol flow;
‘Dimensiunea elementului solubil minim’ (MRF) se calculează cu ajutorul formulei următoare:
h.
unde factorul K = 0,35
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic "microorganisms" having all of the following:
echipamente de litografie cu imprimare, capabile să producă elemente mai mici sau egale cu 45 nm;
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
3B001.f.2. include:
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
unelte de imprimare cu microcontact
Capable of being sterilised or disinfected in situ;
unelte de embosare la cald
i.
unelte de nanoimprimare litografică
Nucleic acid assemblers and synthesisers, which are partly or entirely automated, and designed to generate continuous nucleic acids greater than 1,5 kilobases in length with error rates less than 5 % in a single run.
unelte de litografie cu imprimare de tip „step and flash” (S-FIL)
None.
echipamente special concepute pentru executarea măștilor care au toate caracteristicile următoare:
"Software", other than that specified in 2D002, as follows:
a. un fascicul de electroni, de ioni sau „laser” focalizat deflectat; și
a.
O dimensiune a spotului mai mică de 65 nm la lățimea integrală la jumătatea înălțimii maxime (FWHM) și o plasare a imaginii mai mică de 17 nm (medie aritmetică + 3 sigma); sau
"Software" specially designed or modified for the "development" or "production" of equipment specified in 2A001 or 2B001
o eroare de suprapunere la nivelul celui de-al doilea strat mai mică de 23 nm (medie + 3 sigma) pe mască;
b.
echipamente concepute pentru prelucrarea dispozitivelor care utilizează metode directe de scriere și care au toate caracteristicile următoare:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2A001.c, 2B001 or 2B003 to 2B009.
a. un fascicul de electroni focalizat deflectat; și
2D001 does not control part programming "software" that generates "numerical control" codes for machining various parts.
o dimensiune minimă a fasciculului mai mică sau egală cu 15 nm; sau
"Software" for electronic devices, even when residing in an electronic device or system, enabling such devices or systems to function as a "numerical control" unit, capable of co-ordinating simultaneously more than four axes for "contouring control".
o eroare de suprapunere mai mică de 27 nm (medie + 3 sigma);
2D002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
g. măști sau reticule, concepute pentru circuitele integrate menționate la 3A001;
2D002 does not control "software" for items specified in 2B002.
h. măști multistrat cu un strat de decalaj de fază nemenționat la 3B001.g. și care au oricare dintre următoarele caracteristici:
See 2D001 and 2D003 for "software" for items specified in 2B002.
sunt fabricate pe un „substrat brut” mască, din sticlă cu o refracție dublă mai mică de 7 nm/cm; sau
2D002 does not control "software" that is exported with, and the minimum necessary for the operation of, items not specified in Category 2.
sunt concepute pentru a fi utilizate de echipamente litografice având o lungime de undă a sursei luminoase mai mică de 245 nm;
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
3B001.h. nu supune controlului măștile multistrat cu un strat de decalaj de fază concepute pentru fabricarea memoriilor care nu sunt menționate la 3A001.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
i. șabloane de imprimare litografică, concepute pentru circuitele integrate menționate la 3A001.
SEE ALSO 9D004.
j. „substraturi brute” mască cu o structură reflectorizantă multistrat din molibden și siliciu, și având toate caracteristicile următoare:
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
special concepute pentru litografie prin ‘radiație ultravioletă extremă’ (‘EUV’); și
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
conforme cu standardul SEMI P37.
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
‘Radiația ultravioletă extremă’ (‘EUV’) se referă la lungimi de undă ale spectrului electromagnetic mai mari de 5 nm și mai mici de 124 nm.
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
Echipamente de testare special concepute pentru testarea dispozitivelor semiconductoare finisate sau nu, componentele și accesoriile lor special concepute, după cum urmează:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
a. pentru testarea parametrilor S ai produselor menționate la 3A001.b.3.;
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
c. pentru testarea produselor menționate la 3A001.b.2.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
Materiale hetero-epitaxiale care constau dintr-un „substrat” cu straturi multiple suprapuse crescute epitaxial din oricare dintre următoarele:
Other "technology", as follows:
a. siliciu (Si);
b.
b. germaniu (Ge);
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
c. carbură de siliciu (SiC); sau
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
d. „compuși III/V” de galiu sau indiu.
a.
3C001.d. nu supune controlului un „substrat” având unul sau mai multe straturi epitaxiale de tip P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP sau InGaAlP, independent de ordinea elementelor, cu excepția cazului în care stratul epitaxial de tip P se află între straturi de tip N.
"Superplastic forming";
Rășini fotosensibile și „substraturi” acoperite cu următoarele rășini fotosensibile:
b.
a. rășini fotosensibile pentru litografierea semiconductorilor, după cum urmează:
"Diffusion bonding"; or
rășini fotosensibile pozitive ajustate (optimizate) pentru a fi utilizate la lungimi de undă mai mici de 193 nm, dar mai mari sau egale cu 15 nm;
c.
rășini fotosensibile pozitive ajustate (optimizate) pentru a fi utilizate la lungimi de undă mai mici de 15 nm, dar mai mari de 1 nm;
'Direct-acting hydraulic pressing';
b. toate rășinile fotosensibile concepute pentru utilizarea împreună cu fascicule de electroni sau de ioni, cu o sensibilitate de 0,01 μcoulomb/mm2 sau mai bună;
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
d. toate rășinile fotosensibile optimizate pentru tehnologiile de formare a imaginilor pe suprafață;
a.
e. toate rășinile destinate sau optimizate pentru utilizare cu echipamentele de litografie cu imprimare menționate la 3B001.f.2 care utilizează un proces termic sau de fotoexpunere.
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
Compuși anorgano-organici, după cum urmează:
Surface preparation;
a. compuși metalo-organici ai aluminiului, ai galiului sau ai indiului cu o puritate (pentru metalul de bază) mai mare de 99,999 %;
Strain rate;
b. compuși arsen-organici, antimoniu-organici și fosfor-organici cu o puritate (pentru elementul de bază anorganic) mai mare de 99,999 %.
Temperature;
3C003 include numai compușii al căror element metalic, parțial metalic sau nemetalic este legat direct cu carbonul din partea organică a moleculei.
Pressure;
Hidruri de fosfor, arsen sau antimoniu, cu o puritate mai mare de 99,999 %, chiar diluate cu gaze inerte sau hidrogen.
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
Materiale cu rezistivitate înaltă, după cum urmează:
c.
a. carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN), nitrură de aluminiu (AIN) sau nitrură de galiu-aluminiu (AIGaN) sub formă de „substraturi” semiconductoare sau lingouri, pastile brute sau alte semifabricate ale materialelor respective, cu o rezistivitate mai mare de 10000 ohm-cm la 20 °C;
'Direct-acting hydraulic pressing'of aluminium alloys or titanium alloys:
b. „substraturi” policristaline sau „substraturi” ceramice policristaline cu rezistivități mai mari de 10000 ohm-cm la 20 °C și care conțin cel puțin un strat neepitaxial monocristalin de siliciu (Si), de carbură de siliciu (SiC), de nitrură de galiu (GaN), de nitrură de aluminiu (AIN) sau de nitrură de galiu-aluminiu (AIGaN) pe suprafața „substratului”.
Cycle time;
Materiale nemenționate la 3C001, constând într-un „substrat” menționat la 3C005 cu cel puțin un strat epitaxial de carbură de siliciu, de nitrură de galiu, de nitrură de aluminiu sau de nitrură de galiu-aluminiu.
d.
„Produse software” special concepute pentru „dezvoltarea” sau „producția” echipamentelor menționate la 3A001.b-3A002.h sau la 3B.
'Hot isostatic densification' of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
„Produse software” special concepute pentru „utilizarea” echipamentelor menționate la 3B001.a. până la f., 3B002 sau 3A225.
'Direct-acting hydraulic pressing' is a deformation process which uses a fluid-filled flexible bladder in direct contact with the workpiece.
„Produse software” pentru simularea ‘bazată pe fizică', special concepute pentru „dezvoltarea” proceselor de litografiere, erodare sau depunere pentru transferarea formelor de mască în formele topografice specifice de pe materiale conductoare, dielectrice sau semiconductoare.
'Hot isostatic densification' is a process of pressurising a casting at temperatures exceeding 375 K (102 °C) in a closed cavity through various media (gas, liquid, solid particles, etc.) to create equal force in all directions to reduce or eliminate internal voids in the casting
La 3D003, mențiunea ‘bazată pe fizică’ se referă la folosirea calculelor pentru determinarea unei secvențe de evenimente fizice cauză-efect, bazate pe proprietățile fizice (de exemplu, temperatura, presiunea, constantele de difuzie și proprietățile materialului semiconductor).
c.
Bibliotecile, datele asociate sau atributele pentru proiectarea dispozitivelor semiconductoare sau a circuitelor integrate sunt considerate drept „tehnologie”.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
„Produse software” special concepute pentru „dezvoltarea” echipamentelor menționate la 3A003.
e.
„Produse software” special concepute sau modificate pentru „utilizarea” echipamentelor menționate la 3A101.b.
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
„Produse software” special concepute pentru a îmbunătăți sau a debloca performanțele schimbătoarelor de frecvență sau generatoarelor în vederea îndeplinirii caracteristicilor menționate la 3A225.
f.
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia, pentru „dezvoltarea” sau „producția” echipamentelor menționate la 3A, 3B sau 3C;
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
3E001 nu supune controlului „tehnologia” pentru echipamentele sau componentele menționate la 3A003.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
3E001 nu supune controlului „tehnologia” pentru circuitele integrate menționate de la 3A001.a.3. la 3A001.a.12., care au toate caracteristicile următoare:
This table should be read to specify the "technology" for a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
utilizează o „tehnologie” de 0,130 μm sau mai mare; și
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
încorporează structuri multistrat cu cel mult trei straturi metalice.
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
3E001 nu supune controlului ‘kiturile de proiectare ale procesului’ (Process Design Kit, ‘PDK’), cu excepția cazului în care acestea includ biblioteci ce implementează funcții sau tehnologii destinate produselor menționate la 3A001.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
Un ‘kit de proiectare al procesului’ (‘PDK’) este un instrument software furnizat de un producător de semiconductori pentru a se asigura că sunt luate în considerare practicile și normele de proiectare necesare pentru producerea cu succes a unui tip specific de circuit integrat într-un proces specific de producție de semiconductori, în conformitate cu constrângerile tehnologice și de producție (fiecare proces de producție de semiconductori are propriul ‘PDK’).
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia, alta decât cea menționată la 3E001, pentru „dezvoltarea” sau „producția” de nuclee de „microcircuite microprocesoare”, „microcircuite microcalculator” sau microcircuite microcontroler, care au o unitate logică aritmetică cu o lărgime a accesului pe 32 biți sau mai mult și oricare dintre următoarele funcții sau caracteristici:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
a. o ‘unitate de procesare vectorială’ concepută să execute simultan mai mult de două calcule cu vectori cu virgulă mobilă (rețele unidimensionale de numere de 32 biți sau mai mari);
Table
O ‘unitate de procesare vectorială’ este un element de procesare cu instrucțiuni încorporate care execută simultan calcule vectoriale multiple cu virgulă mobilă (rețele unidimensionale de numere de 32 biți sau mai mari), care are cel puțin o unitate logică aritmetică vectorială și registre vectoriale cu cel puțin 32 de elemente fiecare.
Deposition techniques
b. este concepută pentru a furniza mai mult de patru rezultate din operațiuni cu virgulă mobilă de 64 biți sau mai mari pe ciclu; sau
Coating Process (1)
c. este concepută pentru a furniza mai mult de opt rezultate din operațiuni de înmulțire-adunare cu virgulă fixă de 16 biți pe ciclu (de exemplu prelucrarea digitală a informațiilor analogice care au fost convertite în format digital în prealabil, cunoscută și ca „prelucrarea” digitală „a semnalelor”).
Substrate
3E002 nu supune controlului „tehnologia” pentru extensiile multimedia.
Resultant Coating
3E002 nu supune controlului „tehnologia” pentru nucleele de microprocesoare care au toate caracteristicile următoare:
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
încorporează structuri multistrat cu cel mult cinci straturi de metal.
"Superalloys"
3E002 include „tehnologie” pentru „dezvoltarea” sau „producția” procesoarelor de semnale digitale și a procesoarelor vectoriale digitale.
Aluminides for internal passages
Alte „tehnologii” pentru „dezvoltarea” sau „producția” următoarelor:
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
a. dispozitive microelectronice cu vid;
Silicides
b. dispozitive electronice semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate înaltă a electronilor (HEMT), tranzistoarele hetero-bipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate;
Carbides
3E003.b. nu supune controlului „tehnologia” pentru tranzistoarele cu mobilitate înaltă a electronilor (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și pentru tranzistoarele hetero-joncțiune bipolare (HBT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz.
Dielectric layers (15)
c. dispozitive electronice „superconductoare”;
Diamond
d. substraturi peliculă de diamant pentru componente electronice;
Diamond-like carbon (17)
e. substraturi de siliciu pe izolator (SOI) pentru circuite integrate în care izolatorul este dioxid de siliciu;
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix" "composites"
f. substraturi de carbură de siliciu pentru componente electronice;
Refractory metals
g. ‘dispozitivele electronice cu vid’ care funcționează la frecvențe mai mari sau egale cu 31,8 GHz.
Mixtures thereof (4)
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia, pentru „utilizarea” echipamentelor sau „produselor software” menționate la 3A001a.1. sau 2, 3A101, 3A102 sau 3D101.
Aluminides
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia, pentru „dezvoltarea”„produselor software” menționate la 3D101.
Alloyed aluminides (2)
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia, pentru „utilizarea” echipamentelor menționate de la 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225-3A234.
Boron nitride
„Tehnologie”, sub formă de chei sau coduri pentru a îmbunătăți sau a debloca performanțele schimbătoarelor de frecvență sau generatoarelor în vederea îndeplinirii caracteristicilor menționate la 3A225.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
CATEGORIA 4 – CALCULATOARE
Tungsten
Calculatoarele, echipamentele aferente și „produsele software” care execută funcții de telecomunicații sau de „rețea locală” trebuie să fie evaluate și conform caracteristicilor de performanță de la categoria 5 partea 1 (Telecomunicații).
Molybdenum and Molybdenum alloys
Unitățile de control care interconectează direct magistralele sau canalele unităților centrale de procesare, ‘memoria centrală’ sau controlerele de disc nu sunt considerate ca fiind echipamente de telecomunicații în conformitate cu categoria 5 partea 1 (Telecomunicații).
Beryllium and Beryllium alloys
Pentru regimul de control al „produselor software” special concepute pentru comutația pachetelor, a se vedea 5D001.
Sensor window materials (9)
‘Memoria centrală’ înseamnă locația primară de stocare a datelor sau instrucțiunilor pentru un acces rapid al unității centrale de procesare.
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
Ea constă în memoria internă a unui „calculator digital” și în orice extensie ierarhică a acesteia, cum ar fi memoria cache sau memoria extinsă cu acces non-secvențial.
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
Calculatoare electronice și echipamente aferente, având oricare dintre următoarele caracteristici, precum și „ansambluri electronice” și componente special concepute pentru acestea, după cum urmează:
Alloyed silicides
A SE VEDEA ȘI 4A101.
Modified zirconia (12)
a. special concepute pentru a avea oricare dintre următoarele caracteristici:
Corrosion resistant steel (7)
prevăzute să funcționeze la o temperatură ambiantă mai mică de 228 K (– 45 °C) sau mai mare de 358 K (85 °C); sau
Borides
4A001.a.1. nu supune controlului calculatoarele special concepute pentru aplicații destinate autovehiculelor civile, trenurilor sau „aeronavelor civile”.
Beryllium
rezistente la radiații care depășesc oricare dintre următoarele specificații:
Titanium alloys (13)
doza totală de radiații (Total Dose)
Nitrides
5 × 103 Gy (siliciu);
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
debitul de radiații care afectează funcționarea unui dispozitiv microelectronic (Dose Rate Upset)
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
5 × 106 Gy (siliciu)/s; sau
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
eroarea cauzată de expunerea la radiații a unui element senzitiv al unui dispozitiv microelectronic (Single Event Upset)
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
1 × 10– 8 erori/bit/zi;
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
4A001.a.2. nu supune controlului calculatoarele special concepute pentru aplicații destinate „aeronavelor civile”.
Polymers (11) and Organic "matrix" "composites"
b. neutilizate.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
„Calculatoare digitale”, „ansambluri electronice” și echipamente aferente acestora, după cum urmează, precum și componente special concepute pentru acestea:
Refractory metals and alloys (8)
4A003 include următoarele:
Oxides
‘procesoarele vectoriale’;
D. Plasma spraying
procesoarele matriciale;
Abradable Nickel-Graphite
procesoarele de semnale digitale;
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
procesoarele logice;
Abradable Al-Si-Polyester
echipamentele destinate „îmbunătățirii imaginilor”.