natgillin/translations-raw huggingface dataset:
3A225 does not control frequency changers or generators if they have hardware, "software" or "technology" constraints that limit the performance to less than that specified above, provided they meet any of the following:
a. având toate caracteristicile următoare:
They need to be returned to the original manufacturer to make the enhancements or release the constraints;
o frecvență de rezonanță mecanică de 750 Hz sau mai mare; și
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
peste 200 de elemente de acționare; sau
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
b. un prag al daunelor cauzate de laser (LIDT) având oricare dintre caracteristicile următoare:
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
mai mare de 1 kW/cm2 în condițiile utilizării unui „laser CW”; sau
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
mai mare de 2 J/cm2 în condițiile utilizării unor impulsuri „laser” de 20 ns la o frecvență de repetiție de 20 Hz;
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
‘Oglinzile deformabile’ sunt oglinzi care prezintă oricare dintre următoarele caracteristici:
a.
o singură suprafață de reflexie optică continuă, care este dinamic deformată prin aplicarea unor cupluri sau a unor forțe individuale pentru compensarea distorsiunilor formei undei optice incidente pe oglindă; sau
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
elemente multiple de reflexie optică ce pot fi repoziționate în mod individual și dinamic prin aplicarea unor cupluri sau a unor forțe pentru compensarea distorsiunilor formei undei optice incidente pe oglindă.
b.
‘Oglinzile deformabile’ sunt cunoscute și ca oglinzi optice adaptabile.
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
oglinzi monolitice ușoare cu o „densitate echivalentă” medie mai mică de 30 kg/m2 și o masă totală de peste 10 kg;
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
6A004.a.2. nu supune controlului oglinzile special concepute pentru a direcționa radiațiile solare pentru instalațiile terestre cu heliostat.
a.
structuri ușoare de oglinzi „compozite” sau spongioase cu o „densitate echivalentă” medie mai mică de 30 kg/m2 și o masă totală de peste 2 kg;
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
6A004.a.3. nu supune controlului oglinzile special concepute pentru a direcționa radiațiile solare pentru instalațiile terestre cu heliostat.
Switching devices, as follows:
oglinzi special concepute pentru monturile de oglinzi cu orientare a fasciculului menționate la 6A004.d.2.a. cu o planeitate de λ/10 sau mai bună (λ este egală cu 633 nm) și care au oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
a. diametrul sau lungimea axului principal mai mare sau egală cu 100 mm; sau
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
b. cu toate caracteristicile următoare:
Containing three or more electrodes;
diametrul sau lungimea axului principal mai mare de 50 nm, dar mai mică de 100 mm; și
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
un prag al daunelor cauzate de laser (LIDT) având oricare dintre caracteristicile următoare:
Anode peak current rating of 100 A or more; and
a. mai mare de 10 kW/ cm2 în condițiile utilizării unui „laser CW”; sau
Anode delay time of 10 μs or less;
b. mai mare de 20 J/cm2 în condițiile utilizării unor impulsuri „laser” de 20 ns la o frecvență de repetiție de 20 Hz;
3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
b. componente optice din seleniură de zinc (ZnSe) sau sulfură de zinc (ZnS) cu transmisie în spectrul lungimilor de undă ce depășesc 3000 nm, dar nu depășesc 25000 nm și având oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
un volum de peste 100 cm3; sau
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
diametrul sau lungimea axului principal mai mare de 80 mm și grosimea (adâncimea) mai mare de 20 mm;
An anode delay time of 15 μs or less; and
c. componente pentru sisteme optice „calificate pentru utilizare spațială”, după cum urmează:
Rated for a peak current of 500 A or more;
componente cu masa redusă până la mai puțin de 20 % din „densitatea echivalentă” în raport cu un model solid cu aceeași apertură și grosime;
c.
substraturi brute, substraturi prelucrate cu acoperiri de suprafață (monostrat sau multistrat metalic ori dielectric, conductoare, semiconductoare sau izolatoare) ori cu pelicule de protecție;
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
segmente sau ansambluri de oglinzi concepute pentru a fi asamblate în spațiu într-un sistem optic cu o deschidere totală de colectare echivalentă cu sau mai mare decât o oglindă unică cu diametrul de 1 m;
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
componente fabricate din materiale „compozite” cu un coeficient de dilatare termică liniară egal cu 5 × 10– 6 sau mai mic, pe orice coordonată;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
d. echipamente de control optic, după cum urmează:
Turn-on time of 1 μs or less.
echipamente special concepute pentru a menține forma suprafeței sau orientarea componentelor „calificate pentru utilizare spațială”, menționate la 6A004.c.1 sau 6A004.c.3;
High-current pulse generators as follows:
echipamente de orientare, de urmărire, de stabilizare și de aliniere a rezonatorului, după cum urmează:
a.
a. monturi de oglinzi cu orientare a fasciculului concepute pentru oglinzi cu diametrul sau lungimea axului principal mai mare de 50 mm și care au toate caracteristicile următoare, precum și echipamentul de control electronic special conceput pentru acestea:
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
o cursă unghiulară maximă de ± 26 mrad sau mai mare;
b.
o frecvență de rezonanță mecanică de 500 Hz sau mai mare; și
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
o precizie unghiulară de 10 μrad (microradiani) sau mai mică (mai bună);
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
b. echipamente de aliniere a rezonatorului cu lățimi de bandă de 100 Hz sau mai mari și o „precizie” de 10 μrad ori mai mică (mai bună);
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
articulații cardanice având toate caracteristicile următoare:
Having an output greater than 100 A;
a. o oscilație maximă ce depășește 5o;
No dimension greater than 30 cm;
b. o lărgime de bandă de 100 Hz sau mai mare;
Weight less than 30 kg; and
c. erori unghiulare de 200 μrad (microradiani) sau mai mici; și
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
d. care prezintă oricare dintre următoarele caracteristici:
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
cu un diametru sau o lungime a axului principal ce depășește 0,15 m, dar nu depășește 1 m și capabile de accelerații unghiulare mai mari de 2 rad (radiani)/s2; sau
c.
cu un diametru sau o lungime a axului principal ce depășește 1 m și capabile de accelerații unghiulare mai mari de 0,5 rad (radiani)/s2;
Micro-firing units having all of the following characteristics:
e. ‘elemente optice asferice’ având toate caracteristicile următoare:
No dimension greater than 35 mm;
dimensiunea cea mai mare a deschiderii optice de peste 400 mm;
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
rugozitatea suprafeței mai mică de 1 nm (rms) pentru lungimi de eșantionare egale cu 1 mm sau mai mari; și
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
mărimea absolută a coeficientului de dilatare termică liniară mai mică de 3 × 10– 6/K la 25 °C.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Un ‘element optic asferic’ este orice element utilizat într-un sistem optic a cărui suprafață sau suprafețe generatoare de imagini sunt concepute să se abată de la forma unei sfere ideale.
a.
Producătorii nu au obligația de a măsura rugozitatea suprafeței menționată la 6A004.e.2., cu excepția cazului în care elementul optic a fost conceput sau produs cu intenția de a respecta sau de a depăși parametrul de control.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
6A004.e. nu supune controlului ‘elementele optice asferice’ care au oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
dimensiunea cea mai mare a deschiderii optice mai mică de 1 m și raportul dintre lungimea focală și deschidere egal cu 4,5:1 sau mai mare;
'Pulse transition time' less than 500 ps.
dimensiunea cea mai mare a deschiderii optice egală cu 1 m sau mai mare și raportul dintre lungimea focală și deschidere egal cu 7:1 sau mai mare;
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
concepute ca elemente optice Fresnel, cu lentile multiple, cu benzi, prisme sau elemente optice de difracție;
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
fabricate din sticlă borosilicată cu un coeficient de dilatare termică liniară mai mare de 2,5×10–6 /K la 25 °C; sau
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
elemente optice cu raze X care au caracteristici de oglindă internă (de exemplu, oglinzile de tip tub).
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Pentru ‘elementele optice asferice’ special concepute pentru echipamente litografice, a se vedea 3B001.
a.
f. echipamente de măsură a frontului de undă dinamic având toate caracteristicile următoare:
Designed for operation without an external vacuum system; and
‘frecvențe ale cadrelor’ egale sau mai mici de 1 kHz; și
b.
o precizie a frontului de undă mai mică (mai bună) sau egală cu λ/20 la lungimea de undă proiectată.
Utilizing any of the following:
În sensul 6A004.f., ‘frecvența cadrelor’ este o frecvență la care toate tipurile de „pixeli activi” din „rețele plane focale” sunt integrate pentru înregistrarea imaginilor proiectate de elementele optice ale senzorului frontului de undă.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
„Lasere”, altele decât cele menționate la 0B001.g.5 sau 0B001.h.6, componente și echipamente optice, după cum urmează:
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
A SE VEDEA ȘI 6A205.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
„Laserele” în impulsuri includ „laserele” care funcționează în undă continuă (CW) cu impulsuri suprapuse.
See 1A007.b. for detonators.
„Laserele” cu excimeri, cu semiconductori, chimice, cu CO, cu CO2 și „laserele” cu sticlă dopată cu neodim ‘cu impulsuri nerepetitive’ sunt menționate numai la 6A005.d.
b.
Mențiunea ‘cu impulsuri nerepetitive’ se referă fie la „laserele” care produc un impuls cu ieșire unică, fie la cele care au un interval mai mare de un minut între impulsuri.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
6A005 include „laserele” cu fibre.
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Regimul de control al „laserelor” care utilizează conversia de frecvențe (adică schimbarea lungimii de undă), prin alte mijloace decât prin pomparea unui „laser” de către un alt „laser”, se determină aplicând parametrii de control atât la ieșirea laserului sursă, cât și la ieșirea optică cu frecvența convertită.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 u or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Nota 5:
a.
6A005 nu supune controlului următoarele „lasere”:
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
cu rubin, cu o energie de ieșire mai mică de 20 J;
b.
cu azot;
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
cu kripton.
c.
La 6A005, ‘randamentul la priză' este definit ca fiind raportul dintre puterea de ieșire a „laserului” (sau „puterea de ieșire medie”) și puterea electrică de intrare totală, necesară pentru funcționarea „laserului”, inclusiv sursa de alimentare/condiționarea și condiționarea termică/schimbătorul de căldură.
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
a. „lasere în undă continuă” (CW) care nu sunt „acordabile” și care au oricare dintre caracteristicile următoare:
d.
lungime de undă la ieșire mai mică de 150 nm și putere de ieșire de peste 1 W;
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
lungime de undă la ieșire de 150 nm sau mai mare, dar care nu depășește 510 nm, și putere de ieșire de peste 30 W;
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
6A005.a.2 nu supune controlului „laserele” cu argon care au o putere de ieșire egală cu 50 W sau mai mică.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
lungime de undă la ieșire ce depășește 510 nm, dar nu depășește 540 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
e.
a. ieșire monomod transversală și putere de ieșire de peste 50 W; sau
Not used;
b. ieșire multimod transversală și putere de ieșire ce depășește 150 W;
f.
lungime de undă de ieșire de 540 nm sau mai mare, dar care nu depășește 800 nm și putere de ieșire care depășește 30 W;
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
lungime de undă la ieșire ce depășește 800 nm, dar nu depășește 975 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
b. ieșire multimod transversală și putere de ieșire ce depășește 80 W;
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
lungime de undă la ieșire ce depășește 975 nm, dar nu depășește 1150 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
a. ieșire monomod transversală și putere de ieșire de peste 500 W; sau
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
b. ieșire multimod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
‘randament la priză’ de peste 18 % și putere de ieșire de peste 500 W; sau
Voltage rating greater than 2 kV; and
putere de ieșire care depășește 2 kW;
b Inductance of less than 20 nH.
6A005.a.6.b. nu supune controlului „laserele” de uz industrial multimod transversale cu o putere de ieșire ce depășește 2 kW, dar nu depășește 6 kW, cu o masă totală mai mare de 1200 kg.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
În sensul prezentei note, masa totală include toate componentele necesare pentru funcționarea „laserului”, de exemplu, sursa de alimentare a acestuia, schimbătorul de căldură, dar exclude elementele optice externe necesare pentru condiționarea fasciculului sau furnizarea acestuia.
SEE ALSO 2B226
6A005.a.6.b. nu supune controlului „laserele” de uz industrial multimod transversale având oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
putere de ieșire ce depășește 500 W, dar nu depășește 1 kW și are toate caracteristicile următoare:
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
produsul parametrilor de fascicul (BPP) depășește 0,7 mm•mrad; și
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
‘luminozitatea’ nu depășește 1024 W/( mm•mrad)2;
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
putere de ieșire ce depășește 1 kW, dar nu depășește 1,6 kW și are un BPP de peste 1,25 mm•mrad
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
putere de ieșire ce depășește 1,6 kW, dar nu depășește 2,5 kW și are un BPP de peste 1,7 mm•mrad;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
putere de ieșire ce depășește 2,5 kW, dar nu depășește 3,3 kW și are un BPP de peste 2,5 mm•mrad;
b.
putere de ieșire ce depășește 3,3 kW, dar nu depășește 4 kW și are un BPP de peste 3,5 mm•mrad;
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
putere de ieșire ce depășește 4 kW, dar nu depășește 5 kW și are un BPP de peste 5 mm•mrad;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
putere de ieșire ce depășește 5 kW, dar nu depășește 6 kW și are un BPP de peste 7,2 mm•mrad;
Direct write capability;
putere de ieșire ce depășește 6 kW, dar nu depășește 8 kW și are un BPP de peste 12 mm•mrad; sau
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
putere de ieșire ce depășește 8 kW, dar nu depășește 10 kW și are un BPP de peste 24 mm•mrad.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
lungime de undă la ieșire ce depășește 1150 nm, dar nu depășește 1555 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
b. ieșire multimod transversală și putere de ieșire de peste 80 W;
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
lungime de undă la ieșire ce depășește 1555 nm, dar nu depășește 1850 nm și putere de ieșire de peste 1 W;
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
lungime de undă la ieșire ce depășește 1850 nm, dar nu depășește 2100 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
a. ieșire monomod transversală și putere de ieșire de peste 1 W; sau
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
b. ieșire multimod transversală și putere de ieșire ce depășește 120 W; sau
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
lungime de undă la ieșire ce depășește 2100 nm și putere de ieșire de peste 1 W;
f.
b. „lasere în impulsuri” care nu sunt „acordabile” și care au oricare dintre caracteristicile următoare:
Lithography equipment as follows:
lungime de undă la ieșire mai mică de 150 nm și oricare din următoarele caracteristici:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
a. energie de ieșire de peste 50 mJ pe impuls și „putere de vârf” de peste 1 W; sau
a.
b. „putere medie de ieșire” care depășește 1 W;
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
lungime de undă la ieșire de 150 nm sau mai mare, dar care nu depășește 510 nm, și oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
a. energie de ieșire de peste 1,5 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 30 W; sau
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
b. „putere medie de ieșire” care depășește 30 W;
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
6A005.b.2.b nu supune controlului „laserele” cu argon care au o „putere medie de ieșire” egală cu 50 W sau mai mică.
where the K factor = 0,35
a. ieșire monomod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
energie de ieșire de peste 1,5 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 50 W; sau
Micro contact printing tools
energie de ieșire de peste 1,5 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 150 W; sau
Hot embossing tools
„putere medie de ieșire” care depășește 150 W;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
a. „durata impulsului” mai mică de 1 ps și oricare dintre caracteristicile următoare:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
energie de ieșire de peste 0.005 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 5 GW; sau
a.
„putere medie de ieșire” care depășește 20 W; sau
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
b. „durata impulsului” egală cu 1 ps sau mai mare și oricare dintre caracteristicile următoare:
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
energie de ieșire de peste 1,5 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 30 W; sau
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
„putere medie de ieșire” care depășește 30 W;
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
ieșire monomod transversală și „putere medie de ieșire” care depășește 20 W;
a.
b. „durata impulsului” egală cu 1 ps sau mai mare, dar nedepășind 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
A deflected focused electron beam; and
energie de ieșire de peste 0,5 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 50 W;
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
ieșire monomod transversală și „putere medie de ieșire” care depășește 20 W; sau
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
ieșire multimod transversală și „putere medie de ieșire” care depășește 50 W; sau
g.
c. „durata impulsului” depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
energie de ieșire de peste 2 J pe impuls și „putere de vârf” de peste 50 W;
h.
ieșire monomod transversală și „putere medie de ieșire” care depășește 50 W; sau
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
ieșire multimod transversală și „putere medie de ieșire” care depășește 80 W;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
a. „durata impulsului” mai mică de 1 ps și oricare dintre caracteristicile următoare: