natgillin/translations-raw huggingface dataset:
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Prezentul paragraf se aplică numai atunci când echipamentul este furnizat cu "produsul software" menționat la 7D103 sau 9D103.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Statutul de control al "produselor software" pentru echipamentele descrise în alte categorii este tratat în categoria care îi este dedicată.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
"Produsele software" după cum urmează:
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10– 7 K– 1 or less measured at 293 K (20 °C).
a. "produse software" special concepute sau modificate pentru "dezvoltarea" sau "producția" echipamentelor sau "produselor software" menționate la 4A001 până la 4A004 sau la 4D.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
b. "produse software", altele decât cele menționate la 4D001.a., special concepute sau modificate pentru "dezvoltarea" sau "producția" de echipamente, după cum urmează:
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
"calculatoare digitale" care au o "performanță de vârf ajustabilă" ("APP = Adjusted Peak Performance") ce depășește 6,0 TeraFLOPS (WT) ponderate;
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
"ansambluri electronice" special concepute sau modificate pentru a fi capabile să sporească performanțele prin agregarea procesoarelor astfel încât "APP" rezultată să depășească limita de la 4D001.b.1.
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
"Produse software" special concepute sau modificate pentru generarea, operarea sau furnizarea de sau comunicarea cu "produse software de intruziune".
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
a.
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
"Tehnologie", în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru "dezvoltarea", "producția" sau "utilizarea" echipamentelor sau "produselor software" menționate la 4A sau 4D.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
b.
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
"Tehnologie", alta decât cea menționată la 4E001.a., special concepută sau modificată pentru "dezvoltarea" sau "producția" de echipamente, după cum urmează:
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
"ansambluri electronice" special concepute sau modificate pentru a fi capabile să sporească performanțele prin agregarea procesoarelor astfel încât "APP" rezultată să depășească limita de la 4E001.b.1;
a.
c. "tehnologie" pentru "dezvoltarea" de "produse software de intruziune".
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
NOTĂ TEHNICĂ LA "PERFORMANȚA DE VÂRF AJUSTABILĂ" ("APP")
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
"APP" este o rată de vârf ajustată la care "calculatoarele digitale" execută adunări și înmulțiri cu virgulă mobilă, la 64 biți sau mai mult.
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
"APP" este exprimată în TeraFLOPS (WT) ponderate, în unități ajustate de 1012 operațiuni cu virgulă mobilă pe secundă.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Abrevierile utilizate in Nota tehnică
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
n numărul de procesoare din "calculatorul digital"
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
i numărul procesorului (i,…n)
b.
perioada semnalului de tact al procesorului (ti = 1/Fi)
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
frecvența procesorului
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
viteza de calcul maximă în virgulă mobilă
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
factorul de ajustare a arhitecturii
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
Descrierea metodei de calcul a "APP"
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
Pentru fiecare procesor i, se determină numărul maxim de operațiuni cu virgulă mobilă (floating point operation – FPO) de 64 biți sau mai mult, FPOi, executate pe o perioadă a semnalului de tact pentru fiecare procesor în "calculatorul digital".
Specific TE-PVD processes are as follows:
Notă
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
La determinarea FPO se includ numai adunări și/sau înmulțiri cu virgulă mobilă de 64 biți sau mai mult.
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
Toate operațiunile cu virgulă mobilă trebuie exprimate în operațiuni pe o durată a ciclului procesorului; operațiunile care necesită mai multe cicluri pot fi exprimate în rezultate fracționate pe cicluri.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
Pentru procesoarele care nu sunt capabile să execute calcule cu virgulă mobilă cu operanzi de 64 biți sau mai mult, viteza de calcul efectivă R este zero.
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Se calculează viteza virgulei mobile R pentru fiecare procesor Ri = FPOi/ti.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Se calculează "APP" ca "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Pentru 'procesoare vectoriale', Wi = 0,9.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Pentru 'procesoare non-vectoriale', Wi = 0,3.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
Nota 1:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Pentru procesoare care execută operațiuni compuse pe parcursul unui ciclu, cum ar fi adunările și înmulțirile, fiecare operațiune este luată în calcul.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Nota 2:
c.
Pentru un procesor cu optimizare pipeline, viteza de calcul efectivă R este cea mai mare viteză în pipeline de îndată ce aceasta este plină sau viteza fără pipeline.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Nota 3:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Viteza de calcul R a fiecărui procesor care contribuie este calculată la valoarea maximă teoretic posibilă înainte ca "APP" a combinației să fie dedusă.
An activator (normally a halide salt); and
Se presupune că există operațiuni simultane atunci când fabricantul de calculatoare stipulează într-un manual sau broșură a calculatorului existența unei funcționări sau executări în mod concurent, paralel sau simultan.
An inert powder, most frequently alumina.
Nota 4:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Procesoarele care sunt limitate la funcții de intrare/ieșire sau funcții periferice (de exemplu, unitățile de disc, comunicațiile și ecranele video) nu sunt incluse în calculul "APP".
d.
Nota 5:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Valoarea "APP" nu este calculată pentru combinații de procesoare (inter)conectate prin "rețele locale", rețele extinse, conexiuni/dispozitive cu intrări/ieșiri partajate, controlere de intrare/ieșire și orice interconexiune de comunicații implementată prin "produse software".
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Nota 6:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Valoarea "APP" trebuie calculată pentru combinații de procesoare care cuprind procesoare special concepute pentru sporirea performanțelor prin agregare, care funcționează simultan și partajând memoria.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Toate procesoarele și acceleratoarele care funcționează simultan și sunt situate pe aceeași placă trebuie agregate.
e.
Combinațiile de procesoare partajează memoria în cazul în care oricare procesor este capabil să acceseze orice locație a memoriei din sistem prin transmisia hardware de linii cache sau cuvinte de memorie, fără activarea niciunui mecanism software, ceea ce se poate realiza utilizând "ansamblurile electronice" menționate la 4A003.c.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Nota 7:
f.
Un 'procesor vectorial' este definit ca un procesor având încorporate instrucțiuni care execută simultan calcule multiple cu vectori cu virgulă mobilă (rețea unidimensională de 64 biți sau mai mult) care are cel puțin 2 unități vector funcționale și 8 registre vector de cel puțin 64 de elemente fiecare.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
CATEGORIA 5 – TELECOMUNICAȚII ȘI "SECURITATEA INFORMAȚIILOR"
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
PARTEA 1 – TELECOMUNICAȚII
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Regimul de control pentru componente, echipamente de testare, de "producție" și "produsele software" aferente, care sunt special concepute pentru echipamente sau sisteme de telecomunicații, este definit la categoria 5, partea 1.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Pentru "lasere" special concepute pentru echipamente sau sisteme de telecomunicații, a se vedea 6A005.
g.
"Calculatoarele digitale", echipamentele aferente sau "produsele software", în cazul în care sunt esențiale pentru funcționarea și întreținerea echipamentelor de telecomunicații descrise în această categorie, sunt considerate componente special concepute, cu condiția ca ele să fie modele standard, livrate în mod obișnuit de producător.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Acestea includ sistemele de calcul pentru funcționare, administrare, întreținere, inginerie sau facturare.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Sisteme, echipamente, componente și accesorii de telecomunicații, după cum urmează:
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
a. orice tip de echipamente de telecomunicații având oricare dintre următoarele caracteristici, funcții sau particularități:
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
sunt special concepute pentru a rezista la efecte electronice tranzitorii sau la cele ale impulsului electromagnetic, ambele consecință a unei explozii nucleare;
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
prezintă o rezistență specială la radiații gama, neutronice sau ionice; sau
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
sunt special concepute pentru a funcționa la temperaturi situate în afara intervalului 218 K (– 55 °C) – 397 K (124 °C);
Electronic items as follows:
5A001.a.3. se aplică numai echipamentelor electronice.
a.
5A001.a.2. și 5A001.a.3. nu supun controlului echipamentele concepute sau modificate pentru utilizarea la bordul sateliților.
General purpose integrated circuits, as follows:
b. echipamente și sisteme pentru telecomunicații, precum și componente și accesorii special concepute pentru acestea, având oricare dintre următoarele caracteristici, funcții sau particularități:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
sunt sisteme de comunicații subacvatice, nelegate de o bază, având oricare din următoarele caracteristici:
Integrated circuits include the following types:
a. o frecvență acustică purtătoare situată în afara intervalului 20 kHz – 60 kHz;
"Monolithic integrated circuits";
b. utilizează o frecvență electromagnetică purtătoare sub 30 kHz;
"Hybrid integrated circuits";
c. utilizează tehnici electronice de ghidare a fasciculului; sau
"Multichip integrated circuits";
d. utilizează "lasere" sau diode electroluminiscente (leduri) cu o lungime de undă la ieșire mai mare de 400 nm, dar mai mică de 700 nm, într-o "rețea locală";
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
sunt echipamente radio care funcționează în banda 1,5 MHz – 87,5 MHz și au toate caracteristicile următoare:
"Optical integrated circuits";
a. posibilitatea anticipării și a selecției automate a frecvențelor și a "vitezelor de transfer digital total", pe canal, în scopul optimizării transmisiei; și
"Three dimensional integrated circuits".
b. încorporează o configurație de amplificator de putere linear, capabil să prelucreze simultan semnale multiple la o putere de ieșire egală cu 1 kW sau mai mare, în gama de frecvențe de la 1,5 la 30 MHz, dar inferioare valorii din urmă, sau la o putere de ieșire egală cu 250 W sau mai mare, în gama de frecvențe de la 30 MHz la 87,5 MHz maximum, pe o "lățime de bandă instantanee" egală cu o octavă sau mai mare și cu un conținut de armonici și de distorsiuni la ieșire mai bun de -80 dB;
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
sunt echipamente radio care utilizează tehnici de "spectru împrăștiat" inclusiv tehnici cu "salt de frecvență", altele decât cele specificate la 5A001.b.4., și care au oricare dintre următoarele caracteristici:
a.
a. utilizează coduri de împrăștiere programabile de utilizator; sau
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
b. transmit o lățime de bandă totală care este egală cu de 100 de ori lățimea de bandă a oricărui canal de informație sau mai mare și depășește 50 kHz;
b.
5A001.b.3.b. nu supune controlului echipamentul radio special conceput pentru utilizarea în oricare din următoarele:
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
sistemele de radiocomunicații celulare civile; sau
c.
stații terestre de comunicații prin satelit fixe sau mobile pentru telecomunicații comerciale civile.
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
5A001.b.3. nu supune controlului echipamentul care funcționează la o putere de ieșire de 1 W sau mai mică.
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
sunt echipamente radio care utilizează tehnici de modulație de bandă ultra-largă, care au coduri de decupare în canale programabile de către utilizator, coduri de criptare sau coduri de identificare a rețelei și care au oricare din următoarele caracteristici:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
a. o lățime de bandă care depășește 500 MHz; sau
a.
b. o "lățime de bandă fracționată" de 20 % sau mai mult;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
sunt receptoare radio controlate digital, având toate caracteristicile următoare:
b.
a. au mai mult de 1000 de canale;
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
b. realizează un 'timp de comutare a canalului' mai mic de 1 ms;
c.
c. caută sau scanează în mod automat o parte a spectrului electromagnetic; și
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
d. identifică semnalele recepționate sau tipul transmițătorului; sau
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
5A001.b.5. nu supune controlului echipamentul radio special conceput pentru utilizarea în sistemele de radiocomunicații celulare civile.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
'Timpul de comutare a canalului' corespunde timpului necesar (i.e., întârzierea) pentru a trece de la o frecvență recepționată la alta, în scopul de a atinge frecvența recepționată definitivă vizată, cu o marjă de ± 0,05 %.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Produsele având o gamă de frecvențe specificată mai mică de ± 0,05 % din frecvența lor centrală sunt incapabile de a comuta frecvența lor de canal.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
asigură funcții de "prelucrare a semnalelor" digitale pentru a realiza ieșirea de 'codare a vocii' la viteze mai mici de 2400 biți/s.
a.
5A001.b.6. se aplică semnalului de ieșire al 'codării vocale' a vorbirii continue pentru 'codarea vocală' cu o viteză variabilă.
ADCs having any of the following:
În sensul celor menționate la 5A001.b.6, 'codarea vocii' este definită ca tehnica de eșantionare a vocii umane și de convertire a acestor eșantioane într-un semnal digital luând în considerație caracteristicile specifice ale vorbirii umane.
SEE ALSO 3A101
c. fibre optice cu o lungime mai mare de 500 m, menționate de fabricant ca fiind capabile să suporte un 'test de probă' al rezistenței la întindere de 2 × 107 N/m2 sau mai mult;
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1000 million words per second;
Pentru cabluri subacvatice ombilicale, a se vedea 8A002.a.3.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
'Test de probă': testarea în timpul procesului de producție sau după acesta se realizează prin aplicarea dinamică a unui efort de întindere prescris asupra unei fibre cu lungimea de la 0,5 m până la 3 m, în timp ce aceasta este trecută cu o viteză de deplasare cuprinsă între 2 și 5 m/s prin cabestane cu diametrul aproximativ de 150 mm.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
Temperatura ambiantă este de 293 K (20 °C) și umiditatea relativă de 40 %.
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 million words per second; or
Pentru realizarea testului de probă, pot fi utilizate standardele naționale echivalente.
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 million words per second;
d. "antene în rețea fazată ghidate electronic", după cum urmează:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
destinate pentru funcționarea la peste 31,8 GHz, dar fără a depăși 57 GHz și având o putere aparentă radiată (ERP) egală cu sau mai mare de +20 dBm [22,15 dBm putere aparentă radiată izotropic (EIRP)];
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
destinate pentru funcționarea la peste 57 GHz, dar fără a depăși 66 GHz și având o ERP egală cu sau mai mare de +24 dBm (26,15 dBm EIRP);
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
destinate pentru funcționarea la peste 66 GHz, dar fără a depăși 90 GHz și având o ERP egală cu sau mai mare de +20 dBm (22,15 dBm EIRP);
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
destinate pentru funcționarea la peste 90 GHz;