natgillin/translations-raw huggingface dataset:
c.
camere de înregistrare cinematografice de mare viteză care utilizează orice format de film de la 8 mm până la 16 mm inclusiv, în care filmul avansează continuu pe toată durata înregistrării și care sunt capabile să înregistreze la viteze de peste 13150 cadre/s;
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
6A003.a.1. nu supune controlului camerele cinematografice destinate scopurilor civile.
d.
camere mecanice de mare viteză, în care filmul nu se deplasează și care sunt capabile să înregistreze imagini cu viteze de peste 1000000 cadre/s pentru înălțimea totală a cadrului filmului de 35 mm sau la viteze proporțional mai mari pentru înălțimi mai mici ale cadrului ori la viteze proporțional mai mici pentru înălțimi mai mari ale cadrului;
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
camere cu posibilitatea măsurării în timp a intensității impulsului luminos, mecanice sau electronice, după cum urmează:
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
a. camere mecanice cu posibilitatea măsurării în timp a intensității impulsului luminos cu o viteză de înregistrare de peste 10 mm/μs;
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
b. camere electronice cu posibilitatea măsurării în timp a intensității impulsului luminos cu o rezoluție temporală mai bună de 50 ns;
e.
camere electronice cu imagini secvențiale, cu o viteză de peste 1000000 cadre/s;
Not used;
camere electronice având toate caracteristicile următoare:
f.
a. viteza de obturare electronică (capacitatea de suprimare a fasciculului) mai mică de 1μs pentru un cadru complet; și
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
b. un timp de citire care permite o viteză de luare a vederilor mai mare de 125 de cadre complete pe secundă;
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
module de extensie având toate caracteristicile următoare:
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
a. special concepute pentru camere de măsurare care au structuri modulare și care sunt menționate la 6A003.a.; și
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
b. permit acestor camere să ajungă la parametrii menționați la 6A003.a.3., 6A003.a.4. sau 6A003.a.5., conform specificațiilor producătorului;
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
b. camere de luat vederi, după cum urmează:
a.
6A003.b. nu supune controlului camerele de televiziune sau camerele video special concepute pentru emisiuni de televiziune.
Voltage rating greater than 2 kV; and
camere video care încorporează senzori cu semiconductori, cu un răspuns de vârf în spectrul lungimilor de undă ce depășesc 10 nm, dar nu depășesc 30000 nm, și având toate caracteristicile următoare:
b Inductance of less than 20 nH.
a. având oricare dintre caracteristicile următoare:
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
mai mult de 4 × 106„pixeli activi” pe element de suprafață sensibilă pentru camerele monocrome (alb-negru);
SEE ALSO 2B226
mai mult de 4 × 106„pixeli activi” pe element de suprafață sensibilă pentru camerele color care încorporează trei elemente de suprafață sensibilă; sau
a.
mai mult de 12 × 106„pixeli activi” pentru camerele color care încorporează un singur element de suprafață sensibilă; și
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
oglinzile optice menționate la 6A004.a.;
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
echipamentele optice de control menționate la 6A004.d.; sau
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
posibilitatea de adnotare a ‘datelor de traiectorie ale camerei’ generate intern;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
În sensul prezentei mențiuni, camerele video digitale ar trebui evaluate în funcție de numărul maxim de „pixeli activi” folosiți pentru captarea imaginilor mobile.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
În sensul prezentei mențiuni, ‘datele de traiectorie ale camerei’ sunt informațiile necesare pentru definirea orientării liniei de vedere a camerei față de pământ.
b.
Acestea includ: 1) unghiul orizontal dintre linia de vedere a camerei și direcția câmpului magnetic terestru și 2) unghiul vertical dintre linia de vedere a camerei și orizontul terestru.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
camere pentru scanare și sisteme de camere pentru scanare, având toate caracteristicile următoare:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
a. un răspuns de vârf în spectrul lungimilor de undă ce depășesc 10 nm, dar nu depășesc 30000 nm;
Direct write capability;
b. rețele de detectoare liniare cu mai mult de 8192 elemente în fiecare rețea; și
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
c. scanare mecanică într-o singură direcție;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
6A003.b.2. nu supune controlului camerele pentru scanare și sistemele de camere pentru scanare special concepute pentru oricare dintre următoarele:
e.
fotocopiatoare industriale sau civile;
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
scanere de imagine special concepute pentru aplicații de scanare civile, staționare, de proximitate imediată (de exemplu, reproducerea de imagini sau de tipărituri din documente, lucrări de artă ori fotografii); sau
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
echipamente medicale.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
camere de luat vederi care încorporează tuburile amplificatoare de imagine menționate la 6A002.a.2.a. sau 6A002.a.2.b.;
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
camere de luat vederi care încorporează „rețele plane focale” având oricare dintre caracteristicile următoare:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
a. încorporează „rețelele plane focale” menționate la 6A002.a.3.a.-6A002.a.3.e.;
f.
c. încorporează „rețelele plane focale” menționate la 6A002.a.3.g.;
Lithography equipment as follows:
Camerele de luat vederi menționate la 6A003.b.4. includ „rețele plane focale” combinate cu suficiente dispozitive electronice de „prelucrare a semnalului”, în plus față de circuitul integrat de citire, pentru a realiza minimum un semnal de ieșire analog sau digital atunci când dispozitivul este sub tensiune.
a.
sisteme de alarmă în caz de intruziune în unități industriale sau civile, sisteme de control ori de înregistrare a traficului sau a deplasărilor în sectorul industrial; b.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
echipamente industriale folosite pentru inspecția sau monitorizarea fluxurilor de căldură în clădiri, echipamente ori procese industriale; c.
b.
echipamente industriale folosite pentru inspecția, sortarea sau analizarea proprietăților materialelor; d.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
echipamente special concepute pentru a fi utilizate în laborator; sau e.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
echipamente medicale.
an exposure light source wavelength in nm
6A003.b.4.b. nu supune controlului camerele de luat vederi care au oricare dintre caracteristicile următoare:
K factor
o frecvență maximă a cadrelor egală cu 9 Hz sau mai mică;
numerical aperture
un ‘câmp de vizualizare instantaneu (IFOV)’ minim, orizontal sau vertical, de cel puțin 10 mrad (miliradiani);
where the K factor = 0,35
încorporează o lentilă cu distanță focală fixă care nu este concepută să fie detașată;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
nu încorporează afișare cu ‘vedere directă’; și
3B001.f.2. includes:
nu are posibilitatea de a obține o imagine vizionabilă a câmpului de vedere detectat sau
Micro contact printing tools
camera este concepută pentru un singur tip de aplicație și nu este concepută să fie modificată de către utilizator; sau
Hot embossing tools
camera este special concepută pentru a fi instalată într-un vehicul terestru civil de pasageri și are toate caracteristicile următoare:
Nano-imprint lithography tools
amplasarea și configurația camerei în interiorul vehiculului sunt menite exclusiv să-l ajute pe șofer să conducă în condiții de siguranță vehiculul;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
poate funcționa numai atunci când este instalată în oricare dintre următoarele:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
vehiculul terestru civil de pasageri pentru care a fost proiectată, respectivul vehicul cântărind mai puțin de 4500 kg (greutatea brută a vehiculului); sau
a.
o instalație de testare autorizată și special concepută pentru întreținere; și
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
încorporează un mecanism activ care, dacă este eliminat din vehiculul pentru care a fost proiectat, împiedică funcționarea camerei.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
‘IFOV orizontal' = câmp de vedere orizontal (FOV) / numărul de elemente detectoare orizontale
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
‘IFOV vertical' = câmp de vedere vertical (FOV) /numărul de elemente detectoare verticale.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
6A003.b.4.c. nu supune controlului camerele de luat vederi având oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
atunci când camera este special concepută pentru instalare ca o componentă integrată în sisteme sau echipamente interioare alimentate la priză, concepute să se limiteze la un singur tip de aplicație, după cum urmează:
A deflected focused electron beam; and
monitorizarea procesului industrial, controlul calității sau analiza proprietăților materialelor;
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
echipamente de laborator special concepute pentru cercetare științifică;
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
echipamente de detectare a fraudei fiscale; și
g.
sistemul (sistemele) sau echipamentele pentru care a fost proiectată; sau
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
o instalație de testare autorizată și special concepută pentru întreținere; și
h.
încorporează un mecanism activ care, dacă este eliminat din sistemul (sistemele) sau echipamentele pentru care a fost proiectat, împiedică funcționarea camerei;
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
atunci când camera este special concepută pentru a fi instalată într-un vehicul terestru civil de pasageri sau în feriboturi de pasageri și de vehicule și are toate caracteristicile următoare:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
amplasarea și configurația camerei în interiorul vehiculului sau al feribotului sunt menite exclusiv să-l ajute pe șofer sau pe navigator să conducă în condiții de siguranță vehiculul sau feribotul;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
vehiculul terestru civil de pasageri pentru care a fost proiectată; respectivul vehicul cântărind mai puțin de 4500 kg (greutatea brută a vehiculului);
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
feribotul de pasageri și de vehicule pentru care a fost proiectată și având o lungime totală (LOA) de 65 m ori mai mare; sau
i.
o instalație de testare autorizată și special concepută pentru întreținere; și
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
încorporează un mecanism activ care, dacă este eliminat din vehiculul pentru care a fost proiectat, împiedică funcționarea camerei;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
atunci când camera este concepută să se limiteze la o „sensibilitate radiantă” maximă egală cu 10 mA/W sau mai mică pentru lungimi de undă ce depășesc 760 nm, având toate caracteristicile următoare:
a.
încorporează un mecanism de limitare a răspunsului conceput să nu fie eliminat sau modificat;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
încorporează un mecanism activ care, atunci când mecanismul de limitare a răspunsului este eliminat, împiedică funcționarea camerei; și
c.
nu este special concepută sau modificată pentru uz subacvatic; sau
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
d. având toate caracteristicile următoare:
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
nu încorporează un afișaj al imaginii cu ‘vedere directă’ sau electronic;
a.
nu are mijloacele necesare pentru a furniza o imagine a câmpului de vedere detectat care să poată fi vizualizată;
Silicon (Si);
„rețeaua plană focală” funcționează numai atunci când este instalată în camera pentru care a fost proiectată; și
b.
„rețeaua plană focală” încorporează un mecanism activ care, atunci când aceasta este eliminată din camera pentru care a fost proiectată, împiedică în mod permanent funcționarea camerei.
Germanium (Ge);
camere de luat vederi care încorporează detectoarele cu semiconductori menționate la punctul 6A002.a.1.
c.
Echipamente și componente optice, după cum urmează:
Silicon carbide (SiC); or
a. oglinzi optice (reflectoare), după cum urmează:
d.
În sensul 6A004.a., pragul daunelor cauzate de laser (LIDT) se măsoară în conformitate cu standardul ISO 21254-1:2011.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Pentru oglinzile optice special concepute pentru echipamente litografice, a se vedea 3B001.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
„oglinzi deformabile” cu o deschidere optică mai mare de 10 mm și având oricare dintre caracteristicile următoare, precum și componentele special concepute pentru acestea,
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
a. având toate caracteristicile următoare:
a.
o frecvență de rezonanță mecanică de 750 Hz sau mai mare; și
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
peste 200 de elemente de acționare; sau
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
b. un prag al daunelor cauzate de laser (LIDT) având oricare dintre caracteristicile următoare:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
mai mare de 1 kW/ cm2 în condițiile utilizării unui „laser CW”; sau
b.
mai mare de 2 J/cm2 în condițiile utilizării unor impulsuri „laser” de 20 ns la o frecvență de repetiție de 20 Hz;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
oglinzi monolitice ușoare cu o „densitate echivalentă” medie mai mică de 30 kg/m2 și o masă totală de peste 10 kg;
d.
6A004.a.2. nu supune controlului oglinzile special concepute pentru a direcționa radiațiile solare pentru instalațiile terestre cu heliostat.
All resists optimised for surface imaging technologies;
structuri ușoare de oglinzi „compozite” sau spongioase cu o „densitate echivalentă” medie mai mică de 30 kg/m2 și o masă totală de peste 2 kg;
e.
6A004.a.3. nu supune controlului oglinzile special concepute pentru a direcționa radiațiile solare pentru instalațiile terestre cu heliostat.
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
oglinzi special concepute pentru monturile de oglinzi cu orientare a fasciculului menționate la 6A004.d.2.a. cu o planeitate de λ/10 sau mai bună (λ este egală cu 633 nm) și care au oricare dintre caracteristicile următoare:
Organo-inorganic compounds as follows:
a. diametrul sau lungimea axului principal mai mare sau egală cu 100 mm; sau
a.
diametrul sau lungimea axului principal mai mare de 50 nm, dar mai mică de 100 mm; și
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
un prag al leziunilor cauzate de laser (LIDT) având oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
a. mai mare de 10 kW/ cm2 în condițiile utilizării unui „laser CW”; sau
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
b. mai mare de 20 J/cm2 în condițiile utilizării unor impulsuri „laser” de 20 ns la o frecvență de repetiție de 20 Hz;
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
b. componente optice din seleniură de zinc (ZnSe) sau sulfură de zinc (ZnS) cu transmisie în spectrul lungimilor de undă ce depășesc 3000 nm, dar nu depășesc 25000 nm și având oricare dintre caracteristicile următoare:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
volum de peste 100 cm3; sau
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
diametrul sau lungimea axului principal mai mare de 80 mm și grosimea (adâncimea) mai mare de 20 mm;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
c. componente pentru sisteme optice „calificate pentru utilizare spațială”, după cum urmează:
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
componente cu masa redusă până la mai puțin de 20 % din „densitatea echivalentă” în raport cu un model solid cu aceeași apertură și grosime;
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
substraturi brute, substraturi prelucrate cu acoperiri de suprafață (monostrat sau multistrat metalic ori dielectric, conductoare, semiconductoare sau izolatoare) ori cu pelicule de protecție;
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
segmente sau ansambluri de oglinzi concepute pentru a fi asamblate în spațiu într-un sistem optic cu o deschidere totală de colectare echivalentă cu sau mai mare decât o oglindă unică cu diametrul de 1 m;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
componente fabricate din materiale „compozite” cu un coeficient de dilatare termică liniară egal cu 5 × 10–6 sau mai mic, pe orice coordonată;
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
d. echipamente de control optic, după cum urmează:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
echipamente special concepute pentru a menține forma suprafeței sau orientarea componentelor „calificate pentru utilizare spațială”, menționate la 6A004.c.1. sau 6A004.c.3;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
echipamente de orientare, de urmărire, de stabilizare și de aliniere a rezonatorului, după cum urmează:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
a. monturi de oglinzi cu orientare a fasciculului concepute pentru oglinzi cu diametrul sau lungimea axului principal mai mare de 50 mm și care au toate caracteristicile următoare, precum și echipamentul de control electronic special conceput pentru acestea:
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
o cursă unghiulară maximă de ± 26 mrad sau mai mare;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
o frecvență de rezonanță mecanică de 500 Hz sau mai mare; și
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
o precizie unghiulară de 10 μrad (microradiani) sau mai mică (mai bună);
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
b. echipamente de aliniere a rezonatorului cu lățimi de bandă de 100 Hz sau mai mari și o precizie de 10 μrad ori mai mică (mai bună);
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
articulații cardanice având toate caracteristicile următoare:
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
a. o oscilație maximă de peste 5o;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
b. o lățime de bandă de 100 Hz sau mai mare;
a.
c. erori unghiulare de 200 μrad (microradiani) sau mai mici; și
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
d. având oricare dintre caracteristicile următoare:
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
cu un diametru sau o lungime a axului principal ce depășește 0,15 m, dar nu depășește 1 m și capabile de accelerații unghiulare mai mari de 2 rad (radiani)/s2; sau
b.
cu un diametru sau o lungime a axului principal ce depășește 1 m și capabile de accelerații unghiulare mai mari de 0,5 rad (radiani)/s2;