natgillin/translations-raw huggingface dataset:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Mențiunea 'cu impulsuri nerepetitive' se referă fie la "laserele" care produc un singur impuls la ieșire, fie la cele care au un interval mai mare de un minut între impulsuri.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
6A005 include "laserele" cu fibre.
f.
Regimul de control al "laserelor" care utilizează conversia de frecvențe (adică schimbarea lungimii de undă), prin alte mijloace decât prin pomparea unui "laser" de către un alt "laser", se determină aplicând parametrii de control atât la ieșirea laserului sursă, cât și la ieșirea optică cu frecvența convertită.
Lithography equipment as follows:
Nota 5:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
6A005 nu supune controlului următoarele "lasere":
a.
cu rubin, cu o energie de ieșire mai mică de 20 J;
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
cu azot;
b.
cu kripton.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
La 6A005, 'randamentul la priză' este definit ca fiind raportul dintre puterea de ieșire a "laserului" (sau "puterea de ieșire medie") și puterea electrică de intrare totală, necesară pentru funcționarea "laserului", inclusiv sursa de alimentare/condiționarea și condiționarea termică/schimbătorul de căldură.
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
a. "lasere în undă continuă" (CW) care nu sunt "acordabile" și care au oricare dintre caracteristicile următoare:
an exposure light source wavelength in nm
lungime de undă la ieșire mai mică de 150 nm și putere de ieșire de peste 1 W;
K factor
lungime de undă la ieșire de 150 nm sau mai mare, dar care nu depășește 510 nm, și putere de ieșire de peste 30 W;
numerical aperture
6A005.a.2 nu supune controlului "laserele" cu argon care au o putere de ieșire egală cu 50 W sau mai mică.
where the K factor = 0,35
lungime de undă la ieșire ce depășește 510 nm, dar nu depășește 540 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
3B001.f.2. includes:
b. ieșire multimod transversală și putere de ieșire de peste 150 W;
Micro contact printing tools
lungime de undă la ieșire ce depășește 540 nm, dar nu depășește 800 nm și putere de ieșire de peste 30 W;
Nano-imprint lithography tools
b. ieșire multimod transversală și putere de ieșire de peste 80 W;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
lungime de undă la ieșire ce depășește 975 nm, dar nu depășește 1150 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
a. ieșire monomod transversală și putere de ieșire de peste 200 W; sau
a.
b. ieșire multimod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
'randament la priză' de peste 18 % și putere de ieșire de peste 500 W; sau
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
putere de ieșire de peste 2 kW;
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
6A005.a.6.b. nu supune controlului "laserele" de uz industrial multimod transversale cu o putere de ieșire ce depășește 2 kW, dar nu depășește 6 kW, cu o masă totală mai mare de 1200 kg.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
În sensul prezentei note, masa totală include toate componentele necesare pentru funcționarea "laserului", de exemplu sursa de alimentare a "laserului", schimbătorul de căldură, dar exclude elementele optice externe necesare pentru condiționarea fasciculului și/sau furnizarea acestuia.
a.
6A005.a.6.b. nu supune controlului "laserele" de uz industrial multimod transversale având oricare dintre caracteristicile următoare:
A deflected focused electron beam; and
putere de ieșire ce depășește 500 W, dar nu depășește 1 kW și are toate caracteristicile următoare:
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
produsul parametrilor de fascicul (BPP) depășește 0,7 mm · mrad; și
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
'luminozitatea' nu depășește 1024 W/( mm · mrad)2;
g.
putere de ieșire ce depășește 1 kW, dar nu depășește 1,6 kW și are un BPP de peste 1,25 mm · mrad
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
putere de ieșire ce depășește 1,6 kW, dar nu depășește 2,5 kW și are un BPP de peste 1,7 mm · mrad;
h.
putere de ieșire ce depășește 2,5 kW, dar nu depășește 3,3 kW și are un BPP de peste 2,5 mm · mrad;
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
putere de ieșire ce depășește 3,3 kW, dar nu depășește 4 kW și are un BPP de peste 3,5 mm · mrad;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
putere de ieșire ce depășește 4 kW, dar nu depășește 5 kW și are un BPP de peste 5 mm · mrad;
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
putere de ieșire ce depășește 5 kW, dar nu depășește 6 kW și are un BPP de peste 7,2 mm · mrad;
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
putere de ieșire ce depășește 6 kW, dar nu depășește 8 kW și are un BPP de peste 12 mm · mrad; sau
i.
putere de ieșire ce depășește 8 kW, dar nu depășește 10 kW și are un BPP de peste 24 mm · mrad.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
În sensul 6A005.a.6.b.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
Nota 2.a., 'luminozitatea' este definită ca puterea de ieșire a "laserului" împărțită la produsul parametrilor de fascicul la pătrat (BPP), adică (putere de ieșire)/BPP2.
a.
lungime de undă la ieșire ce depășește 1150 nm, dar nu depășește 1555 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
a. ieșire monomod transversală și putere de ieșire de peste 50 W; sau
c.
b. ieșire multimod transversală și putere de ieșire de peste 80 W; sau
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
lungime de undă la ieșire ce depășește 1555 nm și putere de ieșire de peste 1 W;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
b. "lasere în impulsuri" care nu sunt "acordabile" și care au oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
lungime de undă la ieșire mai mică de 150 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Silicon (Si);
a. energie de ieșire ce depășește 50 mJ pe impuls și "putere la vârf" de peste 1 W; sau
b.
b. "putere medie de ieșire" de peste 1 W;
Germanium (Ge);
lungime de undă la ieșire de 150 nm sau mai mare, dar care nu depășește 510 nm, și oricare dintre caracteristicile următoare:
c.
a. energie de ieșire ce depășește 1,5 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 30 W; sau
Silicon carbide (SiC); or
b. "putere medie de ieșire" de peste 30 W;
d.
6A005.b.2.b nu supune controlului "laserele" cu argon care au o "putere medie de ieșire" egală cu 50 W sau mai mică.
"III/V compounds" of gallium or indium.
a. ieșire monomod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
energie de ieșire ce depășește 1,5 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 50 W; sau
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
"putere medie de ieșire" de peste 50 W; sau
a.
energie de ieșire ce depășește 1,5 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 150 W; sau
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
"putere medie de ieșire" de peste 150 W;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
lungime de undă la ieșire ce depășește 540 nm, dar nu depășește 800 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
a. "durata impulsului" mai mică de 1 ps și oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
energie de ieșire ce depășește 0.005 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 5 GW; sau
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
"putere medie de ieșire" de peste 20 W; sau
d.
b. "durata impulsului" egală cu 1 ps sau mai mare și oricare dintre caracteristicile următoare:
All resists optimised for surface imaging technologies;
energie de ieșire ce depășește 1,5 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 30 W; sau
e.
"putere medie de ieșire" de peste 30 W;
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
ieșire monomod transversală și "putere medie de ieșire" de peste 20 W;
Organo-inorganic compounds as follows:
b. "durata impulsului" egală cu 1 ps sau mai mare, dar nedepășind 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
energie de ieșire ce depășește 0,5 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 50 W;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
ieșire monomod transversală și "putere medie de ieșire" de peste 20 W; sau
b.
ieșire multimod transversală și "putere medie de ieșire" de peste 50 W; sau
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
c. "durata impulsului" depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
energie de ieșire ce depășește 2 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 50 W;
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
ieșire monomod transversală și "putere medie de ieșire" de peste 50 W; sau
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
ieșire multimod transversală și "putere medie de ieșire" de peste 80 W;
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
a. "durata impulsului" mai mică de 1 ps și oricare dintre caracteristicile următoare:
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
"putere la vârf" de ieșire de peste 2 GW pe impuls;
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
"putere medie de ieșire" de peste 30 W; sau
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
energie de ieșire de peste 0,002 J pe impuls;
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
b. "durata impulsului" egală cu 1 ps sau mai mare, dar nedepășind 1 ns și oricare dintre caracteristicile următoare:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
"putere la vârf" de ieșire de peste 5 GW pe impuls;
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
energie de ieșire de peste 0,1 J pe impuls;
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
c. "durata impulsului" egală cu 1 ns sau mai mare, dar nedepășind 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
ieșire monomod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
a. "putere la vârf" de peste 100 MW;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
b. "putere medie de ieșire" de peste 20 W, concepută să se limiteze la o frecvență maximă de repetiție a impulsurilor mai mică sau egală cu 1 kHz;
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
c. 'randament la priză' de peste 12 %, "putere medie de ieșire" de peste 100 W și capabilă să funcționeze la o frecvență de repetiție a impulsurilor mai mare de 1 kHz;
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
d. "putere medie de ieșire" de peste 150 W și capabilă să funcționeze la o frecvență de repetiție a impulsurilor mai mare de 1 kHz; sau
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
e. energie de ieșire de peste 2 J pe impuls; sau
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
ieșire multimod transversală și oricare dintre caracteristicile următoare:
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
a. "putere la vârf" de peste 400 MW;
a.
b. 'randament la priză' de peste 18 % și "putere medie de ieșire" de peste 500 W;
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
c. "putere medie de ieșire" de peste 2 kW; sau
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
d. energie de ieșire de peste 4 J pe impuls; sau
b.
d. "durata impulsului" depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
a. "putere la vârf" de peste 500 kW;
c.
b. 'randament la priză' de peste 12 % și "putere medie de ieșire" de peste 100 W; sau
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
c. "putere medie de ieșire" de peste 150 W; sau
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
a. "putere la vârf" de peste 1 MW;
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
b. 'randament la priză' de peste 18 % și "putere medie de ieșire" de peste 500 W; sau
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
c. "putere medie de ieșire" de peste 2 kW;
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
lungime de undă la ieșire ce depășește 1150 nm, dar nu depășește 1555 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
a. "durata impulsului" nu depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
ieșire multimod transversală și "putere medie de ieșire" de peste 50 W; sau
Vacuum microelectronic devices;
b. "durata impulsului" depășește 1 μs și oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
energie de ieșire ce depășește 2 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 50 W;
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
ieșire multimod transversală și "putere medie de ieșire" de peste 80 W; sau
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
lungime de undă de ieșire de peste 1555 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
c.
a. energie de ieșire ce depășește 100 mJ pe impuls și "putere la vârf" de peste 1 W; sau
"Superconductive" electronic devices;
c. "lasere" "acordabile" având oricare dintre caracteristicile următoare:
d.
lungime de undă la ieșire mai mică de 600 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
Substrates of films of diamond for electronic components.
a. energie de ieșire ce depășește 50 mJ pe impuls și "putere la vârf" de peste 1 W; sau
e.
b. putere de ieșire medie sau CW de peste 1 W;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
6A005.c.1 nu supune controlului "laserele" cu coloranți sau alte "lasere" cu lichid, care au ieșire multimod și o lungime de undă de 150 nm sau mai mare, dar care nu depășește 600 nm, și au toate caracteristicile următoare:
f.
energie de ieșire mai mică de 1,5 J pe impuls sau o "putere la vârf" mai mică de 20 W; și
Substrates of silicon carbide for electronic components;
putere de ieșire medie sau CW mai mică de 20 W.
g.
lungime de undă de ieșire de 600 nm sau mai mare, dar care nu depășește 1400 nm, și oricare dintre caracteristicile următoare:
Electronic vacuum tubes operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
a. energie de ieșire ce depășește 1 J pe impuls și "putere la vârf" de peste 20 W; sau
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
b. putere de ieșire medie sau CW de peste 20 W; sau
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
lungime de undă de ieșire de peste 1400 nm și oricare dintre caracteristicile următoare:
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
d. alte "lasere", nemenționate la 6A005.a., 6A005.b. sau 6A005.c., după cum urmează:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
"lasere" cu semiconductori, după cum urmează:
CATEGORY 4 — COMPUTERS
6A005.d.1. include "laserele" cu semiconductori cu conectoare optice de ieșire [de exemplu, conectorii de tip pigtail].
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Regimul de control al "laserelor" cu semiconductori special concepute pentru alte echipamente este determinat de regimul de control al echipamentelor respective.
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, "main storage" or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
a. "lasere" cu semiconductori monomod transversali individuali având oricare dintre caracteristicile următoare:
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
lungime de undă egală cu 1510 nm sau mai mică și putere de ieșire medie sau CW de peste 1,5 W; sau
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
lungime de undă mai mare de 1510 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 500 mW;
SEE ALSO 4A101.
b. "lasere" cu semiconductori multimod transversali individuali având oricare dintre caracteristicile următoare:
a.
lungime de undă mai mică de 1400 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 15 W;
Specially designed to have any of the following:
lungime de undă egală cu 1400 nm sau mai mare și mai mică de 1900 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 2,5 W; sau
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
lungime de undă egală cu 1900 nm sau mai mare și putere de ieșire medie sau CW de peste 1 W;
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or "civil aircraft" applications.
c. 'bare'"laser" cu semiconductori individuali, având oricare dintre caracteristicile următoare:
Radiation hardened to exceed any of the following specifications:
lungime de undă mai mică de 1400 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 100 W;
a.
lungime de undă egală cu 1400 nm sau mai mare și mai mică de 1900 nm și putere de ieșire medie sau CW de peste 25 W; sau
Total Dose
lungime de undă egală cu 1900 nm sau mai mare și putere de ieșire medie sau CW de peste 10 W;
5 × 103 Gy (silicon);
d. 'seturi de rețele' formate din "lasere" cu semiconductori (rețele bidimensionale) având oricare dintre caracteristicile următoare:
b.
lungime de undă mai mică de 1400 nm și având oricare dintre caracteristicile următoare:
Dose Rate Upset
a. putere de ieșire totală medie sau CW mai mică de 3 kW și având 'densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 500 W/cm2;
5 × 106 Gy (silicon)/s; or
b. putere de ieșire totală medie sau CW egală cu 3 kW sau mai mare, dar mai mică sau egală cu 5 kW, și având 'densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 350 W/cm2;
c.
c. putere de ieșire totală medie sau CW de peste 5 kW;
Single Event Upset
d. 'densitatea puterii' maxime în impuls de peste 2500 W/cm2; sau
1 × 10– 8 Error/bit/day;
6A005.d.1.d.1.d. nu controlează dispozitivele monolitice fabricate epitaxial.
4A001.a.2. does not control computers specially designed for "civil aircraft" applications.
e. coerența spațială medie sau puterea de ieșire totală CW mai mare de 150 W;
b.
lungime de undă mai mare sau egală cu 1400 nm, dar mai mică de 1900 nm, și având oricare dintre caracteristicile următoare:
Not used.
a. putere de ieșire totală medie sau CW mai mică de 250 W și cu 'densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 150 W/cm2;
"Digital computers", "electronic assemblies", and related equipment therefor, as follows and specially designed components therefor:
b. putere de ieșire totală medie sau CW egală cu 250 W sau mai mare, dar mai mică sau egală cu 500 W, și având 'densitatea puterii' de ieșire medie sau CW mai mare de 50 W/cm2;
4A003 includes the following:
c. putere de ieșire totală medie sau CW de peste 500 W;
'Vector processors';
d. 'densitatea puterii' maxime în impuls de peste 500 W/cm2; sau
Array processors;
6A005.d.1.d.2.d. nu controlează dispozitivele monolitice fabricate epitaxial.
Digital signal processors;
e. coerența spațială medie sau puterea de ieșire totală CW de peste 15 W;
Logic processors;
lungime de undă mai mare sau egală cu 1900 nm și având oricare dintre caracteristicile următoare: