natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 or 2B119 to 2B122.
echipamente fotorepetoare pentru aliniere și expunere (cu pas direct pe plachetă) sau fotorepetoare pas și baleiaj (dispozitive de baleiaj), pentru prelucrarea plachetelor multistrat, care utilizează metode fotooptice sau cu raze X și care au oricare din următoarele caracteristici:
SEE ALSO 9D004.
a. o lungime de undă a sursei de lumină mai mică de 193 nm; sau
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 or 2B227.
b. capabile să producă un eșantion cu o 'dimensiune a elementului solubil minim' (MRF) de 45 nm sau mai mică;
"Software" specially designed or modified for the "development", "production" or "use" of equipment specified in 2B201.
'Dimensiunea elementului solubil minim' (MRF) se calculează cu ajutorul formulei următoare:
2D202 does not control part programming "software" that generates "numerical control" command codes but does not allow direct use of equipment for machining various parts.
lungimea de undă a sursei de lumină exprimată în nm
"Software", other than that specified in 1D003, specially designed for "use" of equipment specified in 2B351.
factorul K
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of equipment or "software" specified in 2A, 2B or 2D.
deschiderea digitală
2E001 includes "technology" for the integration of probe systems into coordinate measurement machines specified in 2B006.a.
unde factorul K = 0,35.
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
echipamente de litografie cu imprimare, capabile să producă elemente de 45 nm sau mai mici;
Other "technology", as follows:
3B001.f.2. include:
a.
utilaje de imprimare cu microcontact
"Technology" for the "development" of interactive graphics as an integrated part in "numerical control" units for preparation or modification of part programmes;
utilaje de imprimare la cald
b.
utilaje de nanoimprimare litografică
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
utilaje de litografie cu imprimare step and flash (S-FIL).
"Technology" for the design of tools, dies or fixtures specially designed for any of the following processes:
echipamente special concepute pentru executarea măștilor care au toate caracteristicile următoare:
a.
a. o deflexie a unui fascicul focalizat de electroni, de ioni sau "laser";și
"Superplastic forming";
O dimensiune a spotului mai mică de 65 nm la lățimea integrală la jumătatea înălțimii maxime (FWHM) și o plasare a imaginii mai mică de 17 nm (medie aritmetică + 3 sigma); sau
b.
o eroare de suprapunere la nivelul celui de-al doilea strat mai mică de 23 nm (medie aritmetică + 3 sigma) pe mască;
"Diffusion bonding"; or
echipamente concepute pentru prelucrarea dispozitivelor care utilizează metode directe de scriere și care au toate caracteristicile următoare:
c.
a. o deflexie a unui fascicul focalizat de electroni și
"Direct-acting hydraulic pressing";
o dimensiune minimă a fasciculului egală cu sau mai mică de 15 nm; sau
Technical data consisting of process methods or parameters as listed below used to control:
o eroare de suprapunere mai mică de 27 nm (medie aritmetică + 3 sigma);
a.
g. măști sau reticule, pentru circuitele integrate menționate la 3A001;
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
h. măști multistrat cu un strat de decalaj de fază nespecificat la 3B001.g. și care au oricare din următoarele caracteristici:
Surface preparation;
sunt făcute pe un "substrat brut" al măștii pe bază de sticlă având o refracție dublă mai mică de 7 nm/cm; sau
Strain rate;
sunt concepute pentru a fi utilizate de echipamente litografice având o lungime de undă a sursei luminoase mai mică de 245 nm;
Temperature;
3B001.h. nu supune controlului măștile multistrat cu un strat de decalaj de fază concepute pentru fabricarea memoriilor care nu sunt incluse la 3A001.
Pressure;
i. șabloane de imprimare litografică, pentru circuitele integrate menționate la 3A001.
b.
Echipamente de testare special concepute pentru testarea dispozitivelor semiconductoare finisate sau nu, componentele și accesoriile lor special concepute, după cum urmează:
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
a. pentru testarea parametrilor S ai dispozitivelor cu tranzistori la frecvențe ce depășesc 31,8 GHz;
c.
c. pentru testarea circuitelor integrate pentru microunde menționate la 3A001.b.2.
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
Materiale hetero-epitaxiale care constau dintr-un "substrat" cu straturi multiple suprapuse crescute epitaxial din oricare din următoarele:
Cycle time;
a. siliciu (Si);
d.
b. germaniu (Ge);
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
c. carbură de siliciu (SiC); sau
c.
d. "compuși III/V" de galiu sau indiu.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
3C001.d. nu supune controlului un "substrat" având unul sau mai multe straturi epitaxiale de tip P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP sau InGaAlP, independent de ordinea elementelor, cu excepția cazului în care stratul epitaxial de tip P se află între straturi de tip N.
d.
Rășini fotosensibile și "substraturi" acoperite cu următoarele rășini fotosensibile:
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
a. rășini fotosensibile pentru litografierea semiconductorilor, după cum urmează:
e.
rășini fotosensibile pozitive ajustate (optimizate) pentru a fi folosite la lungimi de undă sub 245 nm, dar mai mari sau egale cu 15 nm;
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
rășini fotosensibile pozitive ajustate (optimizate) pentru a fi folosite la lungimi de undă sub 15 nm, dar mai mari de 1 nm;
f.
b. toate rășinile fotosensibile concepute pentru folosirea împreună cu fascicule de electroni sau de ioni, cu o sensibilitate de 0,01 μcoulomb/mm2 sau mai bună;
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
d. toate rășinile fotosensibile optimizate pentru tehnologiile de formare a imaginilor pe suprafață;
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
e. toate rășinile destinate sau optimizate pentru utilizare cu echipamentele de litografie cu imprimare menționate la 3B001.f.2 care utilizează un proces termic sau de fotoexpunere.
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Compuși anorgano-organici, după cum urmează:
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
a. compuși metalo-organici ai aluminiului, galiului sau indiului cu o puritate (pentru metalul de bază) mai mare de 99,999 %;
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
b. compuși arseno-organici, antimoniu-organici și fosfor-organici cu o puritate (pentru elementul de bază anorganic) mai mare de 99,999 %.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 to 2B122 or 2D101.
3C003 include numai compușii al căror element metalic, parțial metalic sau nemetalic este legat direct cu carbonul din partea organică a moleculei.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 to 2B233, 2D201 or 2D202.
Hidruri de fosfor, arseniu sau antimoniu, cu o puritate mai mare de 99,999 %, chiar diluate cu gaze inerte sau hidrogen.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of goods specified in 2B350 to 2B352.
3C004 nu supune controlului hidrurile care conțin 20 % concentrație molară sau mai mult, gaze inerte sau hidrogen.
Table
Carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN), nitrură de aluminiu (AIN) sau nitrură de galiu-aluminiu (AIGaN) sub formă de "substraturi" semiconductoare sau lingouri, pastile brute sau alte semifabricate ale materialelor respective, cu o rezistivitate mai mare de 10000 ohm-cm la 20 °C.
Deposition techniques
"Substraturile" menționate la 3C005 cu cel puțin un strat epitaxial de carbură de siliciu, nitrură de galiu, nitrură de aluminiu sau nitrură de galiu-aluminiu.
Coating Process (1) [3]
"Produse software" special concepute pentru "dezvoltarea" sau "producția" echipamentelor menționate la 3A001.b până la 3A002.h. sau la 3B.
Substrate
"Produse software" special concepute pentru "utilizarea" echipamentelor menționate la 3B001.a. până la f., 3B002 sau 3A225.
Resultant Coating
"Produse software" pentru simularea 'bazată fizic' special concepute pentru "dezvoltarea" proceselor de litografiere, erodare sau depunere pentru transferarea formelor de mască în formele topografice specifice în materiale conductoare, dielectrice sau semiconductoare.
A. Chemical Vapour Deposition (CVD)
La 3D003, mențiunea 'bazată fizic' se referă la folosirea calculelor pentru determinarea unei secvențe de evenimente cu cauze fizice și efecte bazate pe proprietățile fizice (de exemplu, temperatura, presiunea, constantele de difuzie și proprietățile materialului semiconductor).
"Superalloys"
Bibliotecile, datele asociate sau atributele pentru proiectarea dispozitivelor semiconductoare sau a circuitelor integrate sunt considerate drept "tehnologie".
Aluminides for internal passages
"Produse software" special concepute pentru "dezvoltarea" echipamentelor menționate la 3A003.
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
"Produse software" special concepute sau modificate pentru "utilizarea" echipamentelor menționate la 3A101.b.
Silicides
"Produse software" special concepute pentru a îmbunătăți sau a debloca performanțele schimbătoarelor de frecvență sau generatoarelor în vederea îndeplinirii caracteristicilor menționate la 3A225.
Carbides
"Tehnologie", în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru "dezvoltarea" sau "producția" de echipamente sau materiale menționate la 3A, 3B sau 3C;
Dielectric layers (15)
3E001 nu supune controlului "tehnologia" pentru "producția" de echipamente sau componente menționate la 3A003.
Diamond
3E001 nu supune controlului "tehnologia" pentru "dezvoltarea" sau "producția" de circuite integrate menționate de la 3A001.a.3. la 3A001.a.12., care au toate caracteristicile următoare:
Diamond-like carbon (17)
utilizează "tehnologie" de 0,130 μm sau mai mare; și
Carbon-carbon, Ceramic and Metal "matrix""composites"
încorporează structuri multistrat cu trei sau mai puține straturi metalice.
Refractory metals
"Tehnologie", în conformitate cu Nota generală privind tehnologia, alta decât cea menționată la 3E001, pentru "dezvoltarea" sau "producția" de "microcircuite microprocesoare", "microcircuite microcalculator" sau microcircuite microcontroler, care au o unitate logică aritmetică cu o magistrală pe 32 biți sau mai mult și oricare din următoarele funcții sau caracteristici:
Mixtures thereof (4)
a. un 'procesor vector' conceput să execute simultan mai mult de două calcule cu vectori cu virgulă mobilă (matrice unidimensională de numere de 32 biți sau mai mult);
Aluminides
Un 'procesor vector' este definit ca un element de procesor care are încorporate instrucțiuni care execută simultan calcule multiple cu vectori cu virgulă mobilă (matrice unidimensională de numere de 32 biți sau mai mult) care are cel puțin o unitate logică aritmetică vectorială și registre vector cu cel puțin 32 de elemente fiecare.
Alloyed aluminides (2)
b. este concepută pentru a executa mai mult de patru operațiuni cu virgulă mobilă de 64 biți sau mai mult pe ciclu; sau
Boron nitride
c. este concepută pentru a executa mai mult de opt operațiuni de înmulțire-adunare cu virgulă fixă de 16 biți pe ciclu (de exemplu prelucrarea digitală a informațiilor analogice care au fost convertite în format digital în prealabil, cunoscută și ca "prelucrarea digitală a semnalelor").
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
3E002 nu supune controlului "tehnologia" pentru extensiile multimedia.
Tungsten
3E002 nu supune controlului "tehnologia" pentru "dezvoltarea" sau "producția" de nuclee de microprocesoare care au toate caracteristicile următoare:
Molybdenum and Molybdenum alloys
încorporează structuri multistrat cu cinci straturi de metal sau mai puține.
Beryllium and Beryllium alloys
3E002 include "tehnologie" pentru procesoarele de semnale digitale și procesoare matriciale digitale.
Sensor window materials (9)
Alte "tehnologii" pentru "dezvoltarea" sau "producția" următoarelor:
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
a. dispozitive microelectronice cu vid;
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
b. dispozitive electronice semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele hetero-bipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate;
Alloyed silicides
3E003.b. nu supune controlului "tehnologia" pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și tranzistoarele hetero-joncțiune bipolare (HBT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz.
Modified zirconia (12)
c. dispozitive electronice "superconductoare";
Corrosion resistant steel (7)
d. substraturi peliculă de diamant pentru componente electronice;
Borides
e. substraturi de siliciu pe izolator (SOI) pentru circuite integrate în care izolatorul este dioxid de siliciu;
Beryllium
f. substraturi de carbură de siliciu pentru componente electronice;
Titanium alloys (13)
g. tuburi electronice cu vid care funcționează la frecvențe de 31,8 GHz sau mai mari.
Nitrides
"Tehnologie", în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru "utilizarea" echipamentelor sau "produselor software" menționate la 3A001a.1. sau 2, 3A101, 3A102 sau 3D101.
B.2.
"Tehnologie", în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru "dezvoltarea" "produselor software" menționate la 3D101.
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
"Tehnologie", în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru "utilizarea" echipamentelor menționate de la 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225 până la 3A234.
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
"Tehnologie", sub formă de chei sau coduri pentru a îmbunătăți sau a debloca performanțele schimbătoarelor de frecvență sau generatoarelor în vederea îndeplinirii caracteristicilor menționate la 3A225.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
CATEGORIA 4 – CALCULATOARE
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Calculatoarele, echipamentele aferente și "produsele software" care execută funcții de telecomunicații sau de "rețea locală" se evaluează de asemenea având ca referință caracteristicile de performanță de la categoria 5, partea 1 (Telecomunicații).
Diamond-like carbon
Unitățile de control care interconectează direct magistralele sau canalele unităților centrale de procesare, "memoria centrală" sau controlerele de disc nu sunt considerate ca fiind echipamente de telecomunicații în conformitate cu categoria 5, partea 1 (Telecomunicații).
B.4.
Pentru regimul de control al "produselor software" special concepute pentru comutația pachetelor, a se vedea 5D001.
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Calculatoarele electronice și echipamentele aferente care au oricare dintre următoarele caracteristici, precum și "ansamblurile electronice" și componentele special concepute pentru acestea, după cum urmează:
Polymers (11) and Organic "matrix""composites"
A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 4A101.
C. Pack cementation (see A above for out-of-pack cementation) (10)
a. special concepute pentru a avea oricare dintre următoarele caracteristici:
Refractory metals and alloys (8)
destinate pentru funcționarea la o temperatură ambiantă sub 228 K (-45 °C) sau peste 358 K (85 °C); sau
Oxides
4A001.a.1. nu supune controlului calculatoarele special concepute pentru aplicații destinate autovehiculelor civile, trenurilor sau "aeronavelor civile".
D. Plasma spraying
rezistente la radiații care depășesc oricare dintre următoarele specificații:
Abradable Nickel-Graphite
a. doza totală
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
5 × 103 Gy (siliciu);
Abradable Al-Si-Polyester
b. debitul dozei
Aluminium alloys (6)
5 × 106 Gy (siliciu)/s; sau
E. Slurry Deposition
c. modificarea datelor la o singură expunere
Fused silicides
1 × 10-8 eroare/bit/zi;
Fused aluminides except for resistance heating elements
4A001.a.2. nu supune controlului calculatoarele special concepute pentru aplicații destinate "aeronavelor civile".
F. Sputter Deposition
b. neutilizate.
Noble metal modified aluminides (3)
"Calculatoare digitale", "ansambluri electronice" și echipamente aferente acestora după cum urmează și componente special concepute pentru acestea:
Platinum
4A003 include următoarele:
Ceramics and Low- expansion glasses (14)
'procesoarele vectoriale';
Dielectic layers (15)
procesoarele matriciale;
G. Ion Implantation
procesoarele de semnale digitale;
High temperature bearing steels
procesoarele logice;
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
echipamentele destinate "intensificării imaginii".
Cemented tungsten carbide (16)
Regimul de control pentru "calculatoarele digitale" sau echipamentele aferente descrise la 4A003 este determinat de regimul de control al celorlalte echipamente sau sisteme:
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
"calculatoarele digitale" sau echipamentele aferente sunt determinante pentru funcționarea celorlalte echipamente sau sisteme;
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
"calculatoarele digitale" sau echipamentele aferente nu constituie un "element principal" al celorlalte echipamente sau sisteme; și
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
Regimul de control al echipamentelor de "prelucrare a semnalelor" sau de "intensificare a imaginii" special concepute pentru alte echipamente care au funcțiunile limitate la cele necesare funcționării celorlalte echipamente este determinat de regimul de control al acestor alte echipamente, chiar în cazul în care ele depășesc criteriul "elementului principal".
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Pentru statutul de control al "calculatoarelor digitale" sau al echipamentelor aferente pentru echipamentele de telecomunicații, a se vedea categoria 5, partea 1 (Telecomunicații).
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
"tehnologia" pentru "calculatoare digitale" și echipamente aferente este reglementată de 4E.
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
b. "calculatoare digitale" care au o "performanță de vârf ajustabilă" ("APP = Adjusted Peak Performance") ce depășește 12,5 TeraFLOPS (WT) ponderate;
'MCrAlX' refers to a coating alloy where M equals cobalt, iron, nickel or combinations thereof and X equals hafnium, yttrium, silicon, tantalum in any amount or other intentional additions over 0,01 % by weight in various proportions and combinations, except:
c. "ansambluri electronice" special concepute sau modificate pentru a fi capabile să sporească performanțele prin agregarea procesoarelor astfel încât "APP" rezultată să depășească limita menționată la 4A003.b.;
a.
4A003.c. supune controlului numai "ansamblurile electronice" și interconexiunile programabile care nu depășesc limita menționată la 4A003.b. atunci când sunt livrate ca "ansambluri electronice" neintegrate.
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
4A003.c. nu supune controlului "ansamblurile electronice" special concepute pentru un produs sau o familie de produse a căror configurație maximă nu depășește limita menționată la 4A003.b.
b.
Pentru "ansamblurile electronice", modulele sau echipamentele care realizează conversii analog-digitale, a se vedea 3A002.h.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
g. echipamente special concepute pentru a combina performanța "calculatoarelor digitale" prin furnizarea unor interconexiuni externe care permit comunicații de date unidirecționale la viteze ce depășesc 2,0 Gbyte/s pe conexiune (link).
c.
4A003.g. nu supune controlului echipamentele de interconectare internă (de exemplu, fund sertar/sloturi, magistrale), echipamentele de interconectare pasivă, "controlere de acces la rețea" sau "controlere pentru canale de comunicație".
NiCrAlY coatings which contain 21 to 23 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,9 to 1,1 % by weight of yttrium.
Calculatoare și echipamente aferente special concepute, "ansambluri electronice" și componente special concepute pentru acestea, după cum urmează:
The term 'aluminium alloys' refers to alloys having an ultimate tensile strength of 190 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
a. "calculatoare cu rețele sistolice";
The term 'corrosion resistant steel' refers to AISI (American Iron and Steel Institute) 300 series or equivalent national standard steels.
b. "calculatoare neurale";
'Refractory metals and alloys' include the following metals and their alloys: niobium (columbium), molybdenum, tungsten and tantalum.
c. "calculatoare optice"
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Sisteme, echipamente și componentele aferente, care sunt special concepute sau modificate pentru generarea, operarea sau furnizarea de sau comunicarea cu "produse software de intruziune".
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Calculatoare analogice, "calculatoare digitale" sau analizoare diferențiale digitale, altele decât cele menționate la 4A001.a.1., de mare robustețe și concepute sau modificate pentru a fi utilizate la vehiculele de lansare spațială menționate la 9A004 sau rachetele de sondare menționate la 9A104.
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
"Calculatoare hibride" special concepute pentru modelarea, simularea sau integrarea vehiculelor de lansare spațială menționate la 9A004 sau a rachetelor de sondare specificate la 9A104.