natgillin/translations-raw huggingface dataset:
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
interfețe pentru intrarea și ieșirea plachetelor, la care sunt concepute a fi conectate mai mult de două ‘instrumente pentru prelucrarea semiconductorilor’ diferite din punct de vedere funcțional, specificate la 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 sau 3B001.b.; și
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
concepute pentru a forma un sistem integrat în vid în scopul „prelucrării secvențiale multiple a plachetelor”;
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
3B001.e. nu supune controlului sistemele robotizate de manipulare automată a plachetelor care sunt special concepute pentru prelucrarea paralelă a plachetelor.
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
În sensul celor menționate la 3B001.e., ‘instrumente pentru prelucrarea semiconductorilor’ se referă la instrumente modulare care furnizează procedee fizice pentru producția semiconductorilor care sunt diferite din punct de vedere funcțional, cum ar fi depunere, implantare sau prelucrare termică.
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
În sensul celor menționate la 3B001.e., prin ‘prelucrare secvențială multiplă a plachetelor' se înțelege capacitatea de a prelucra fiecare plachetă în cadrul unor ‘instrumente pentru prelucrarea semiconductorilor’ diferite, cum ar fi prin transferarea fiecărei plachete dintr-un instrument într-un al doilea instrument și către un al treilea instrument cu ajutorul sistemelor centrale multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată.
a.
f. echipamente litografice, după cum urmează:
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
echipamente fotorepetoare pentru aliniere și expunere (cu pas direct pe plachetă) sau fotorepetoare pas și baleiaj (dispozitive de baleiaj), pentru prelucrarea plachetelor multistrat, care utilizează metode fotooptice sau cu raze X și care au oricare din următoarele caracteristici:
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
a. o lungime de undă a sursei de lumină mai mică de 193 nm; sau
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
b. capabile să producă un eșantion cu o ‘dimensiune a elementului solubil minim’ (MRF) de 45 nm sau mai mică;
N.B.1.
‘Dimensiunea elementului solubil minim' (MRF) se calculează cu ajutorul formulei următoare:
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
lungimea de undă a sursei de lumină exprimată în nm
N.B.2.
factorul K
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
deschiderea digitală
N.B.3.
unde factorul K = 0,35.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
echipamente de litografie cu imprimare, capabile să producă elemente de 45 nm sau mai mici;
b.
3B001.f.2. include:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
utilaje de imprimare cu microcontact
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
utilaje de embosare la cald
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
utilaje de nanoimprimare litografică
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
utilaje de litografie cu imprimare step and flash (S-FIL)
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
echipamente special concepute pentru executarea măștilor care au toate caracteristicile următoare:
Specific TE-PVD processes are as follows:
a. o deflexie a unui fascicul focalizat de electroni, de ioni sau „laser”; și
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
O dimensiune a spotului mai mică de 65 nm la lățimea integrală la jumătatea înălțimii maxime (FWHM) și o plasare a imaginii mai mică de 17 nm (medie aritmetică + 3 sigma); sau
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
o eroare de suprapunere la nivelul celui de-al doilea strat mai mică de 23 nm (medie aritmetică + 3 sigma) pe mască;
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
echipamente concepute pentru prelucrarea dispozitivelor care utilizează metode directe de scriere și care au toate caracteristicile următoare:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
a. o deflexie a unui fascicul focalizat de electroni; și
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
o dimensiune minimă a fasciculului egală cu sau mai mică de 15 nm; sau
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
o eroare de suprapunere mai mică de 27 nm (medie aritmetică + 3 sigma);
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
g. măști sau reticule, pentru circuitele integrate menționate la 3A001;
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
h. măști multistrat cu un strat de decalaj de fază nespecificat la 3B001.g. și care au oricare din următoarele caracteristici:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
sunt făcute pe un „substrat brut” al măștii pe bază de sticlă având o refracție dublă mai mică de 7 nm/cm; sau
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
sunt concepute pentru a fi utilizate de echipamente litografice având o lungime de undă a sursei luminoase mai mică de 245 nm;
c.
3B001.h. nu supune controlului măștile multistrat cu un strat de decalaj de fază concepute pentru fabricarea memoriilor care nu sunt incluse la 3A001.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
i. șabloane de imprimare litografică, pentru circuitele integrate menționate la 3A001.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Echipamente de testare special concepute pentru testarea dispozitivelor semiconductoare finisate sau nu, componentele și accesoriile lor special concepute, după cum urmează:
An activator (normally a halide salt); and
a. pentru testarea parametrilor S ai dispozitivelor cu tranzistori la frecvențe ce depășesc 31,8 GHz;
An inert powder, most frequently alumina.
c. pentru testarea circuitelor integrate pentru microunde menționate la 3A001.b.2.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Materiale hetero-epitaxiale care constau dintr-un „substrat” cu straturi multiple suprapuse crescute epitaxial din oricare din următoarele:
d.
a. siliciu (Si);
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
b. germaniu (Ge);
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
c. carbură de siliciu (SiC); sau
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
d. „compuși III/V” de galiu sau indiu.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
3C001.d. nu supune controlului un „substrat” având unul sau mai multe straturi epitaxiale de tip P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP sau InGaAlPP, independent de ordinea elementelor, cu excepția cazului în care stratul epitaxial de tip P se află între straturi de tip N.
e.
Rășini fotosensibile și „substraturi” acoperite cu următoarele rășini fotosensibile:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
a. rășini fotosensibile pentru litografierea semiconductorilor, după cum urmează:
f.
rășini fotosensibile pozitive ajustate (optimizate) pentru a fi folosite la lungimi de undă sub 245 nm, dar mai mari sau egale cu 15 nm;
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
rășini fotosensibile pozitive ajustate (optimizate) pentru a fi folosite la lungimi de undă sub 15 nm, dar mai mari de 1 nm;
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
b. toate rășinile fotosensibile concepute pentru folosirea împreună cu fascicule de electroni sau de ioni, cu o sensibilitate de 0,01 μcoulomb/mm2 sau mai bună;
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
d. toate rășinile fotosensibile optimizate pentru tehnologiile de formare a imaginilor pe suprafață;
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
e. toate rășinile destinate sau optimizate pentru utilizare cu echipamentele de litografie cu imprimare menționate la 3B001.f.2 care utilizează un proces termic sau de fotoexpunere.
g.
Compuși anorgano-organici, după cum urmează:
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
a. compuși metalo-organici ai aluminiului, galiului sau indiului cu o puritate (pentru metalul de bază) mai mare de 99,999 %;
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
b. compuși arseno-organici, antimoniu-organici și fosfor-organici cu o puritate (pentru elementul de bază anorganic) mai mare de 99,999 %.
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
3C003 include numai compușii al căror element metalic, parțial metalic sau nemetalic este legat direct cu carbonul din partea organică a moleculei.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Hidruri de fosfor, arseniu sau antimoniu, cu o puritate mai mare de 99,999 %, chiar diluate cu gaze inerte sau hidrogen.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
3C004 nu supune controlului hidrurile care conțin 20 % concentrație molară sau mai mult, gaze inerte sau hidrogen.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
Carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN), nitrură de aluminiu (AIN) sau nitrură de galiu-aluminiu (AIGaN) sub formă de „substraturi” semiconductoare sau lingouri, pastile brute sau alte semifabricate ale materialelor respective, cu o rezistivitate mai mare de 10000 ohm-cm la 20 °C.
Electronic items as follows:
„Substraturile” menționate la 3C005 cu cel puțin un strat epitaxial de carbură de siliciu, nitrură de galiu, nitrură de aluminiu sau nitrură de galiu-aluminiu.
a.
„Produse software” special concepute pentru „dezvoltarea” sau „producția” echipamentelor menționate la 3A001.b până la 3A002.h. sau la 3B.
General purpose integrated circuits, as follows:
„Produse software” special concepute pentru „utilizarea” echipamentelor menționate la 3B001.a. până la f., 3B002 sau 3A225.
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
„Produse software” pentru simularea ‘bazată pe fizică', special concepute pentru „dezvoltarea” proceselor de litografiere, erodare sau depunere pentru transferarea formelor de mască în formele topografice specifice de pe materiale conductoare, dielectrice sau semiconductoare.
Integrated circuits include the following types:
La 3D003, mențiunea ‘bazată pe fizică’ se referă la folosirea calculelor pentru determinarea unei secvențe de evenimente fizice cauză-efect, bazate pe proprietățile fizice (de exemplu, temperatura, presiunea, constantele de difuzie și proprietățile materialului semiconductor).
"Monolithic integrated circuits";
Bibliotecile, datele asociate sau atributele pentru proiectarea dispozitivelor semiconductoare sau a circuitelor integrate sunt considerate drept „tehnologie”.
"Hybrid integrated circuits";
„Produse software” special concepute pentru „dezvoltarea” echipamentelor menționate la 3A003.
"Multichip integrated circuits";
„Produse software” special concepute sau modificate pentru „utilizarea” echipamentelor menționate la 3A101.b.
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„Produse software” special concepute pentru a îmbunătăți sau a debloca performanțele schimbătoarelor de frecvență sau generatoarelor în vederea îndeplinirii caracteristicilor menționate la 3A225.
"Optical integrated circuits";
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru „dezvoltarea” sau „producția” de echipamente sau materiale menționate la 3A, 3B sau 3C;
"Three dimensional integrated circuits";
3E001 nu supune controlului „tehnologia” pentru echipamente sau componente menționate la 3A003.
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
3E001 nu supune controlului „tehnologia” pentru circuitele integrate menționate de la 3A001.a.3. la 3A001.a.12., care au toate caracteristicile următoare:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
utilizează „tehnologie” de 0,130 μm sau mai mare; și
a.
încorporează structuri multistrat cu trei sau mai puține straturi metalice.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia, alta decât cea menționată la 3E001, pentru „dezvoltarea” sau „producția” de „microcircuite microprocesoare”, „microcircuite microcalculator” sau microcircuite microcontroler, care au o unitate logică aritmetică cu o magistrală pe 32 biți sau mai mult și oricare din următoarele funcții sau caracteristici:
b.
a. un ‘procesor vectorial’ conceput să execute simultan mai mult de două calcule vectoriale în virgulă mobilă (cu vectori unidimensionali de numere reprezentate pe 32 biți sau mai mult);
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
Un ‘procesor vectorial’ este definit ca un element de procesor care are încorporate instrucțiuni care execută simultan calcule vectoriale multiple în virgulă mobilă (cu vectori unidimensionali de numere reprezentate pe 32 biți sau mai mult) care are cel puțin o unitate logică aritmetică vectorială și registre vectoriale cu cel puțin 32 de elemente fiecare.
c.
b. este concepută pentru a executa mai mult de patru operațiuni cu virgulă mobilă pe 64 biți sau mai mult pe ciclu; sau
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
c. este concepută pentru a executa mai mult de opt operațiuni de înmulțire-adunare cu virgulă fixă pe 16 biți pe ciclu (de exemplu prelucrarea digitală a informațiilor analogice care au fost convertite în format digital în prealabil, cunoscută și ca „prelucrarea digitală a semnalelor”).
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
3E002 nu supune controlului „tehnologia” pentru extensiile multimedia.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), flash memories, Static Random-Access Memories (SRAMs), or Magnetic Random Access Memories (MRAMs), having any of the following:
3E002 nu supune controlului „tehnologia” pentru nucleele de microprocesoare care au toate caracteristicile următoare:
a.
încorporează structuri multistrat cu cinci straturi de metal sau mai puține.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
3E002 include „tehnologie” pentru „dezvoltarea” sau „producția” procesoarelor de semnale digitale și a procesoarelor vectoriale digitale.
b.
Alte „tehnologii” pentru „dezvoltarea” sau „producția” următoarelor:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55 °C); or
a. dispozitive microelectronice cu vid;
c.
b. dispozitive electronice semiconductoare cu heterostructură, cum sunt tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT), tranzistoarele hetero-bipolare (HBT), dispozitivele cu canal cuantic sau suprastructurate;
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55 °C) to 398 K (125 °C);
3E003.b. nu supune controlului „tehnologia” pentru tranzistoarele cu mobilitate electronică mare (HEMT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz și tranzistoarele hetero-joncțiune bipolare (HBT) care funcționează la frecvențe mai mici de 31,8 GHz.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
c. dispozitive electronice „superconductoare”;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
d. substraturi peliculă de diamant pentru componente electronice;
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
e. substraturi de siliciu pe izolator (SOI) pentru circuite integrate în care izolatorul este dioxid de siliciu;
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
f. substraturi de carbură de siliciu pentru componente electronice;
a.
g. ‘dispozitivele electronice cu vid' care funcționează la frecvențe de 31,8 GHz sau mai mari.
ADCs having any of the following:
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru „utilizarea” echipamentelor sau „produselor software” menționate la 3A001a.1. sau 2, 3A101, 3A102 sau 3D101.
SEE ALSO 3A101
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru „dezvoltarea”„produselor software” menționate la 3D101.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1.3 giga samples per second (GSPS);
„Tehnologie”, în conformitate cu Nota generală privind tehnologia pentru „utilizarea” echipamentelor menționate de la 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225 până la 3A234.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 600 mega samples per second (MSPS);
„Tehnologie”, sub formă de chei sau coduri pentru a îmbunătăți sau a debloca performanțele schimbătoarelor de frecvență sau generatoarelor în vederea îndeplinirii caracteristicilor menționate la 3A225.
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 400 mega samples per second (MSPS);
CATEGORIA 4 – CALCULATOARE
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 mega samples per second (MSPS); or
Calculatoarele, echipamentele aferente și „produsele software” care execută funcții de telecomunicații sau de „rețea locală” se evaluează de asemenea având ca referință caracteristicile de performanță de la categoria 5, partea 1 (Telecomunicații).
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 mega samples per second (MSPS);
Unitățile de control care interconectează direct magistralele sau canalele unităților centrale de procesare, „memoria centrală” sau controlerele de disc nu sunt considerate ca fiind echipamente de telecomunicații în conformitate cu categoria 5, partea 1 (Telecomunicații).
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
Pentru regimul de control al „produselor software” special concepute pentru comutația pachetelor, a se vedea 5D001.
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Calculatoarele electronice și echipamentele aferente care au oricare dintre următoarele caracteristici, precum și „ansamblurile electronice” și componentele special concepute pentru acestea, după cum urmează:
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 4A101.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
a. special concepute pentru a avea oricare dintre următoarele caracteristici:
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
destinate pentru funcționarea la o temperatură ambiantă sub 228 K (– 45 °C) sau peste 358 K (85 °C); sau