natgillin/translations-raw huggingface dataset:
SEE ALSO 3A201.a.
A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A201.a.
a. Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
condensatoare cu o frecvență de repetiție mai mică de 10 Hz (condensatoare cu o singură descărcare) și care au toate caracteristicile următoare:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
o tensiune nominală egală cu 5 kV sau mai mare;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
o densitate de energie egală cu 250 J/kg sau mai mare; și
A total energy equal to or more than 25 kJ;
o energie totală egală cu 25 kJ sau mai mare;
b. Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
condensatoare cu o frecvență de repetiție de 10 Hz sau mai mare (condensatoare cu descărcări repetate) și care au toate caracteristicile următoare:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
o densitate de energie egală cu 50 J/kg sau mai mare;
A total energy equal to or more than 100 J; and
o energie totală egală cu 100 J sau mai mare; și
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
o durată de viață a ciclului încărcare/descărcare egală cu 10000 sau mai mare;
“Superconductive” electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
electromagneți și solenoizi „superconductori”, special concepuți pentru a fi complet încărcați sau descărcați în mai puțin de o secundă și care au toate caracteristicile următoare:
SEE ALSO 3A201.b.
A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A201.b.
e.3. does not control “superconductive” electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
e.3 nu supune controlului electromagneții sau solenoizii „superconductori” special concepuți pentru echipamentul medical de formare a imaginii prin rezonanță magnetică (RMN).
a. Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
o energie furnizată în cursul descărcării depășind 10 kJ în prima secundă;
b. Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
un diametru interior al bobinelor de transport al curentului mai mare de 250 mm; și
c. Rated for a magnetic induction of more than 8 T or “overall current density” in the winding of more than 300 A/mm2;
o valoare nominală a inducției magnetice mai mare de 8 T sau o „densitatea globală de curent” a bobinei mai mare de 300 A/mm2;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are “space-qualified”, having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ‘AM0’ illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
celule solare, ansambluri de celule interconectate acoperite cu sticlă(CIC), panouri solare și generatoare solare care sunt „calificate pentru utilizare spațială”, având o eficacitate medie minimă care depășește 20 % la o temperatură de funcționare de 301 K (28 °C) cu o iluminare ‘AM0’ simulată, cu o iradiantă de 1367 wați per m2 (W/m2);
’, or ‘Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth’s outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Prin ‘AM0’ sau ‘masă de aer zero’ se înțelege spectrul fluxului de lumină solară în atmosfera terestră exterioară, atunci când distanța dintre pământ și soare este egală cu o unitate astronomică (AU).
f. Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ± 1,0 second of arc;
codificatoare de poziție absolută de tipul cu intrare rotativă având o precizie egală sau mai mică (mai bună) de ± 1,0 secundă de arc.
g. Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ‘thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
dispozitive cu tiristoare de comutare a puterii în impuls cu semiconductori și ‘module cu tiristoare’, care utilizează metode de comutare electrică, optică sau controlată de radiația electronică și care au oricare din următoarele caracteristici:
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
un timp maxim de creștere a curentului la branșare (di/dt) mai mare decât 30000 A/μs și o tensiune la deconectare mai mare de 1100 V; sau
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having both of the following:
un timp maxim de creștere a curentului la branșare (di/dt) mai mare decât 2000 A/μs și care are următoarele două caracteristici:
a. An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
o tensiune la vârf la deconectare egală cu 3000 V sau mai mare; și
b. A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
un curent la vârf (supracurent tranzitoriu) egal cu 3000 A sau mai mare;
g. includes:
g include:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
redresoare controlate cu siliciu (SCR);
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
tiristoare cu declanșare electrică (ETT);
Light Triggering Thyristors (LTTs)
tiristoare cu declanșare prin impuls luminos (LTT);
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
tiristoare cu blocare prin poartă (GTOs);
Solidtrons
tiristoare SolidtronTM.
g. does not control thyristor devices and ‘thyristor modules’ incorporated into equipment designed for civil railway or “civil aircraft” applications.
g nu supune controlului dispozitivele tiristor și ‘modulele tiristor’ încorporate în echipamentele concepute pentru a fi utilizate în aplicațiile destinate căilor ferate civile sau „aviației civile”.
For the purposes of 3A001.g., a ‘thyristor module’ contains one or more thyristor devices.
În sensul celor menționate la 3A001.g, un ‘modul cu tiristor’ conține unul sau mai multe dispozitive tiristor.
h. Solid-state power semiconductor switches, diodes, or ‘modules’, having all of the following:
comutatoare, diode sau ‘module’ semiconductoare de putere de tip corp solid, care au toate caracteristicile următoare:
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
o temperatură maximă de funcționare a joncțiunii mai mare de 488 K (215 °C);
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
o tensiune de vârf repetitivă de deconectare (tensiune de blocare) mai mare de 300 V și
Continuous current greater than 1 A.
un curent continuu mai mare de 1 A.
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
Tensiunea de vârf repetitivă de deconectare, de la 3A001.h include tensiunea poartă - sursă, tensiunea colector - emitor, tensiunea inversă de vârf, repetitivă și tensiunea de vârf repetitivă de deconectare (tensiune de blocare).
h. includes:
h include:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
tranzistoare cu efect de câmp cu grilă-joncțiune (JFET);
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
tranzistoare cu efect de câmp cu grilă-joncțiune verticale (VJFET);
Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)
tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor (MOSFET);
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor cu difuzie dublă (DMOSFET);
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
tranzistoare bipolare cu grilă izolată (IGBT);
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
tranzistoare cu mobilitate electronică mare (HEMT);
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
tranzistoare bipolare cu joncțiune (BJT);
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
tiristoare și redresoare cu siliciu controlabile (SCR);
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
tiristoare cu blocare pe poartă (GTO);
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
tiristoare cu blocare pe emitor (ETO);
PiN Diodes
diode PiN;
Schottky Diodes
diode Schottky;
h. does not control switches, diodes, or ‘modules’ incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or “civil aircraft” applications.
h nu supune controlului comutatoarele, diodele sau ‘modulele’ încorporate în echipamentele concepute pentru a fi utilizate în aplicațiile destinate autovehiculelor civile, căilor ferate civile sau „aviației civile”.
For the purposes of 3A001.h., ‘modules’ contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
În sensul 3A001.h, ‘modulele’ conțin unul/una sau mai multe comutatoare sau diode semiconductoare de tip solid-state.
a. Recording equipment as follows and specially designed test tape therefor:
echipamente de înregistrare și benzi de testare special concepute pentru acestea, după cum urmează:
Analogue instrumentation magnetic tape recorders, including those permitting the recording of digital signals (e.g. using a high density digital recording (HDDR) module), having any of the following:
înregistratoare instrumentale analogice pe bandă magnetică, inclusiv cele care permit înregistrarea semnalelor digitale (de exemplu, cele care utilizează un modul de înregistrare digitală de mare densitate (module HDDR), având oricare din caracteristicile următoare:
a. A bandwidth exceeding 4 MHz per electronic channel or track;
o lățime de bandă care depășește 4 MHz pe canal sau pistă electronică;
b. A bandwidth exceeding 2 MHz per electronic channel or track and having more than 42 tracks; or
o lățime de bandă care depășește 2 MHz pe canal sau pistă electronică și mai mult de 42 de piste; sau
c. A time displacement (base) error, measured in accordance with applicable IRIG or EIA documents, of less than ± 0,1 μs;
o eroare de decalare a timpului (baza de timp), măsurată conform documentelor aplicabile IRIG sau EIA, mai mică de ± 0,1 μs;
Analogue magnetic tape recorders specially designed for civilian video purposes are not considered to be instrumentation tape recorders.
Înregistratoarele analogice pe bandă magnetică special concepute pentru scopuri civile în materie de înregistrări video nu sunt considerate instrumente de înregistrare.
Digital video magnetic tape recorders having a maximum digital interface transfer rate exceeding 360 Mbit/s;
înregistratoare video digitale pe bandă magnetică cu o viteză de transfer maximă la interfața digitală mai mare de 360 Mbit/s;
a.2. does not control digital video magnetic tape recorders specially designed for television recording using a signal format, which may include a compressed signal format, standardised or recommended by the ITU, the IEC, the SMPTE, the EBU, the ETSI or the IEEE for civil television applications.
a.2 nu supune controlului înregistratoarele video pe bandă magnetică special concepute pentru înregistrări de televiziune care utilizează un format de semnal care poate fi un format comprimat, standardizat sau recomandat de ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI sau IEEE, pentru aplicații civile în domeniul televiziunii;
Digital instrumentation magnetic tape data recorders employing helical scan techniques or fixed head techniques and having either of the following:
înregistratoare digitale de date pe bandă magnetică, care utilizează tehnici de baleiaj elicoidale sau tehnici cu cap fix și care au următoarele două caracteristici:
a. A maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s; or
o viteză maximă de transfer la interfața digitală ce depășește 175 Mbiți/s; sau
b. Being “space-qualified”;
destinate „utilizărilor spațiale”;
a.3. does not control analogue magnetic tape recorders equipped with HDDR conversion electronics and configured to record only digital data.
a.3 nu supune controlului înregistratoarele analogice cu bandă magnetică echipate cu electronică de conversie HDDR și configurate pentru a înregistra numai date digitale.
Equipment having a maximum digital interface transfer rate exceeding 175 Mbit/s and designed to convert digital video magnetic tape recorders for use as digital instrumentation data recorders;
echipamente cu viteză maximă de transfer la interfața digitală mai mare de 175 Mbiți/s și concepute pentru a transforma înregistratoarele video digitale pe bandă magnetică în înregistratoare digitale de date;
Waveform digitisers and transient recorders, having both of the following:
digitizoare de forme de undă și înregistratoare de procese tranzitorii, având următoarele două caracteristici:
a. Digitising rate equal to or more than 200 million samples per second and a resolution of 10 bit or more; and
o viteză de codificare digitală egală cu 200 milioane eșantioane pe secundă sau mai mare de și o rezoluție de 10 biți sau mai mare;
b. A ‘continuous throughput’ of 2 Gbit/s or more;
un ‘transfer continuu’ de 2 Gbiți/s sau mai mare;
For those instruments with a parallel bus architecture, the ‘continuous throughput’ rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
Pentru acele aparate care au o arhitectură cu magistrală paralelă, viteza de ‘transfer continuu’ este cea mai mare viteză de cuvânt înmulțită cu numărul de biți dintr-un cuvânt.
‘Continuous throughput’ is the fastest data rate the instrument can output to mass storage without the loss of any information whilst sustaining the sampling rate and analogue-to-digital conversion.
Viteza de ‘transfer continuu’ este cea mai rapidă viteză de transmitere de date pe care aparatul poate să le transmită la memoria de masă fără a pierde nici o informație, în timp ce execută operațiile de eșantionare și de conversie analog digitală.
Digital instrumentation data recorders using magnetic disk storage technique and having both of the following:
înregistratoare digitale de date care utilizează tehnici de stocare pe disc magnetic și care au următoarele două caracteristici:
a. Digitising rate equal to or more than 100 million samples per second and a resolution of 8 bit or more; and
o viteză de codificare digitală egală sau mai mare de 100 milioane eșantioane pe secundă și o rezoluție de 8 biți sau mai mare; și
b. A ‘continuous throughput’ of 1 Gbit/s or more;
un ‘transfer continuu’ de 1 Gbit/s sau mai mare;
c. Radio-frequency “signal analysers” as follows:
„analizoare de semnal”, în radio frecvență, după cum urmează:
“Signal analysers” having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37,5 GHz;
„analizoare de semnal” cu rezoluția lățimii de bandă (RBW) de la 3 dB la peste 10 MHz oriunde în gama de frecvențe mai mari de 31,8 GHz, dar mai mici de 37,5 GHz;
“Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
„analizoare de semnal” cu un nivel mediu de zgomot afișat (DANL) mai mic (mai bun) de – 150 dBm/Hz oriunde în gama de frecvențe mai mari de 43,5 GHz, dar mai mici de 70 GHz;
“Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
„analizoare de semnal” cu o frecvență mai mare de 70 GHz;
“Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
„analizoare de semnal dinamic” cu o „lățime de bandă în timp real” mai mare de 40 MHz;
c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
c.4 nu supune controlului acele „analizoare de semnal dinamic” care utilizează numai filtre de lățime de bandă cu procentaj constant (cunoscute, în general, ca filtre de octavă sau filtre parțiale de octavă).
d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
generatoare de semnal cu sinteză de frecvență care produc frecvențe de ieșire a căror precizie și stabilitate pe termen scurt și lung sunt controlate de, derivate din sau supuse unui oscilator etalon intern și având oricare din următoarele caracteristici:
Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
desemnate să genereze o ‘durată a impulsului’ mai mică de 100 ns oriunde în gama de frecvență sintetizată ce depășește 31,8 GHz, dar mai mică de 70 GHz;
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
o putere de ieșire ce depășește 100 mW (20 dBm) oriunde în gama de frecvență sintetizată ce depășește 43,5 GHz, dar mai mică de 70 GHz;
A “frequency switching time” as specified by any of the following:
un „timp de comutare a frecvenței” în conformitate cu oricare din indicațiile următoare:
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
mai mic de 500 μs pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 550 MHz în gama de frecvențe sintetizate 31,8 GHz-43,5 GHz;
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
mai mic de 1 ms pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 550 MHz în gama de frecvențe sintetizate 43,5 GHz-56 GHz; sau
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
mai mic de 1 ms pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 2,2 MHz în gama de frecvențe sintetizate 56 GHz-70 GHz;
At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
la frecvențe sintetizate mai mari de 3,2 GHz și mai mici de 70 GHz, care au următoarele două caracteristici:
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
un zgomot de fază în bandă laterală unică (SSB) mai bun de – (126 + 20log10F – 201og10f) în dBc/Hz, pentru 10 Hz < F < 10 kHz;
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
un zgomot de fază în bandă laterală unică (SSB) mai bun de – (114 + 20log10F – 201og10f) în dBc/Hz, pentru 10 kHz ≤ F < 500 kHz; sau
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
La 3A002.d.4, F este abaterea de la frecvența de lucru în Hz și f este frecvența de lucru în MHz.
A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
o frecvență sintetizată maximă mai mare de 70 GHz.
Note 1.:
Nota1:
For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
În sensul celor menționate la 3A002.d, generatoarele de semnal cu sinteză de frecvență includ generatoarele de forme de undă și de funcții arbitrare.
Note 2.:
Nota 2:
d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
d nu supune controlului echipamentele la care frecvența de ieșire este produsă fie prin adunarea sau scăderea a două sau mai multe frecvențe de oscilator cu cuarț, fie prin adunarea sau scăderea urmată de o multiplicare a rezultatului.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
Generatoarele de funcții și de forme de undă arbitrare sunt caracterizate, de obicei, de frecvența de eșantionare (de exemplu GSample/s) care este convertită în RF cu factorul 2, în conformitate cu teorema Nyquist.
For the purposes of 3A002.d.1., ‘pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
În sensul celor menționate la 3A002.d.1, ‘durata impulsului’ este definită ca intervalul de timp dintre flancul frontal al impulsului care preia 90 % din vârf și frontul posterior al impulsului care preia 10 % din vârf.
e. Network analysers having either of the following:
analizoare de rețea cu oricare dintre următoarele caracteristici:
Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
frecvență maximă de funcționare ce depășește 43,5 GHz și putere de ieșire care depășește 31,62 mW (15 dBm); sau
Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
frecvență maximă de funcționare ce depășește 70 GHz;
f. Microwave test receivers having both of the following:
receptoare de testare pentru microunde care au următoarele două caracteristici:
A maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz; and
au o frecvență maximă de funcționare ce depășește 43,5 GHz; și
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
sunt capabile să măsoare simultan amplitudinea și faza;
g. Atomic frequency standards being any of the following:
standarde de frecvență atomice care sunt oricare din următoarele:
“Space-qualified”;
sunt „calificate pentru utilizare spațială”;
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
fără rubidiu și având o stabilitate pe termen lung mai mică (mai bună) decât 1 × 10–11/lună; sau
Non-“space-qualified” and having all of the following:
care nu sunt „calificate pentru utilizare spațială” și care au toate caracteristicile următoare:
a. Being a rubidium standard;
sunt standarde cu rubidiu;
b. Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
stabilitate pe termen lung mai mică (mai bună) decât 1 × 10–11/lună; și
c. Total power consumption of less than 1 W.
consum total de energie mai mic de 1 W.
a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
convertoare analog-digitale, utilizabile la „rachete”, concepute pentru a respecta specificațiile militare pentru echipamente rigidizate;
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
acceleratoare capabile de a elibera radiații electromagnetice produse de radiația de frânare pornind de la electronii accelerați cu 2 MeV sau mai mult și sisteme care conțin aceste acceleratoare.
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
b nu indică sistemele sau echipamentele special concepute în scopuri medicale.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
‘Baterii termice’ concepute sau modificate pentru ‘rachete’.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
La 3A102, ‘baterii termice’ sunt baterii de unică folosință al căror electrolit este reprezentat de o sare anorganică neconductoare.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
La 3A102, prin ‘rachetă’ se înțelege un sistem complet de rachetă și vehicule aeriene fără pilot capabile să atingă o rază de acțiune de peste 300 km.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
Componente electronice, altele decât cele menționate la 3A001, după cum urmează:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
condensatoare având fiecare din următoarele serii de caracteristici:
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
tensiune nominală mai mare de 1,4 kV;
b. Energy storage greater than 10 J;
capacitate de stocare a energiei mai mare de 10 J;
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
capacitate mai mare de 0,5 μF; și
d. Series inductance less than 50 nH; or
inductanța serială mai mică de 50 nH; sau
a. Voltage rating greater than 750 V;
tensiunea nominală mai mare de 750 V;
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
capacitate mai mare de 0,25 μF; și
c. Series inductance less than 10 nH;
inductanța serială mai mică de 10 nH;
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
electromagneți solenoidali superconductori care au toate caracteristicile următoare:
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
capabili de a crea un câmp magnetic mai mare de 2 T;