natgillin/translations-raw huggingface dataset:
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
un raport L/D (lungime raportată la diametrul interior) mai mare de 2;
Inner diameter greater than 300 mm; and
un diametru interior mai mare de 300 mm; și
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
un câmp magnetic uniform, cu mai bine de 1 %, pe 50 % din partea centrală a volumului interior.
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
b nu supune controlului magneții special concepuți si exportați ‘ca părți ale’ sistemelor medicale de formare a imaginii prin rezonanță magnetică nucleară (RMN).
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
Mențiunea ‘ca părți ale’ nu înseamnă neapărat că aceste produse fac parte fizic din același transport. Asemenea elemente pot fi expediate separat din diferite surse, cu condiția ca documentele de export aferente să specifice în mod clar faptul că sunt ‘ca părți ale’ sistemelor medicale de formare a imaginii.
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
generatoare de raze X sau acceleratoare de electroni care au oricare din următoarele caracteristici.
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
o energie la vârf a acceleratorului de electroni egală cu de 500 keV sau mai mare dar mai mică de 25 MeV; și
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
o ‘cifră de merit’ (K) de 0,25 sau mai mare; sau
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
o energie la vârf a electronilor în acceleratorul de electroni de 25 MeV sau mai mare; și
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
o ‘putere la vârf’ mai mare de 50 MW.
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
c nu supune controlului acceleratoarele care sunt părți componente ale dispozitivelor concepute pentru alte scopuri decât iradierea cu fascicule de electroni sau raze X (de exemplu, microscopie electronică), nici acele concepute pentru scopuri medicale:
The ‘figure of merit’ K is defined as:
‘Cifra de merit’ (K) este definită astfel:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
În cazul în care durata impulsului fasciculului accelerat este mai mică sau egală cu 1 μs, atunci Q este sarcina totală accelerată exprimată în Coulombi.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
În cazul în care durata impulsului fasciculului accelerat este mai mare de 1 μs, atunci Q este sarcina totală accelerată în timp de 1 μs.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
Q este egală cu integrala lui i funcție de t, într-un interval de timp mai mic de 1 μs, sau durata unui impuls din fascicul [Q = ∫idt], unde i reprezintă curentul fasciculului exprimat în amperi și t timpul exprimat în secunde.
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
‘Putere la vârf’ = (potențialul la vârf exprimat în volți) × (curentul la vârf al fasciculului exprimat în amperi).
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
În mașini bazate pe incinte de accelerare cu microunde, durata impulsului fasciculului este mai mică de 1 μs sau este durata grupului de fascicule produs de un impuls al modulatorului de microunde.
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., having all of the following characteristics:
Schimbătoare de frecvență sau generatoare, altele decât cele menționate la 0B001.b.13, având toate caracteristicile următoare:
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
o ieșire polifazică ce poate furniza o putere de 40 W sau mai mare;
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
capabile să funcționeze în domeniul de frecvențe 600 Hz-2000 Hz;
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
o distorsiune armonică totală mai bună (mai mică) de 10 %; și
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
controlul frecvenței mai bun (mai mic) de 0,1 %.
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
capabile să producă continuu, pe parcursul unei perioade de 8 ore, 100 V sau mai mult, cu un curent de ieșire egal cu 500 A sau mai mare; și
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
o stabilitate a curentului sau tensiunii mai bună de 0,1 % pe parcursul unei perioade de 8 ore.
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
Alimentatoare de înaltă putere în curent continuu, altele decât cele menționate la 0B001.j.5, care au amândouă din caracteristicile următoare:
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
capabile să producă în permanență, în timpul unei perioade de 8 ore, 20 kV sau mai mult, cu un curent de ieșire egal cu 1 A sau mai mare; și
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
tuburi cu catod rece, umplute sau nu cu gaz, care funcționează analog unui tub cu descărcare electrică, având toate caracteristicile următoare:
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
tensiunea anodică nominală la vârf de 2,5 kV sau mai mult;
Anode peak current rating of 100 A or more; and
curentul anodic nominal de vârf de 100 A sau mai mult; și
Anode delay time of 10 μs or less;
temporizarea anodului de 10 μs sau mai mică;
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
228 include tuburile krytron cu gaz și tuburile sprytron cu vid.
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
tuburi cu descărcare electrică, care au ambele din următoarele caracteristici:
An anode delay time of 15 μs or less; and
o temporizare a anodului de 15 μs sau mai mică; și
Rated for a peak current of 500 A or more;
un curent nominal de vârf de 500 A sau mai mare;
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
module sau ansambluri cu o funcție de comutație rapidă, altele decât cele menționate la 3A001.g sau 3A001.h, având toate caracteristicile următoare:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
tensiunea anodică nominală la vârf mai mare de 2 kV;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
curentul anodic nominal de vârf de 500 A sau mai mare; și
Turn-on time of 1 μs or less.
timp de pornire de 1 μs sau mai mic.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
A se vedea 1A007.a pentru seturi de aprindere pentru detonatoarele explozive
a. Not used;
neutilizate;
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
generatoare de impulsuri electrice modulare (contactoare cu impulsuri) care au toate caracteristicile următoare:
Designed for portable, mobile, or ruggedised-use;
sunt concepute pentru utilizarea ca dispozitive portabile, mobile sau rigidizate;
Enclosed in a dust-tight enclosure;
sunt închise într-o incintă etanșă la praf;
Capable of delivering their energy in less than 15 μs;
sunt capabile să furnizeze energia lor în mai puțin de 15 μs;
Having an output greater than 100 A;
produc un curent de ieșire mai mare de 100 A;
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
au un ‘timp de creștere’ mai mic de 10 μs pe sarcini mai mici de 40 ohms;
No dimension greater than 254 mm;
au dimensiuni mai mici de 254 mm;
Weight less than 25 kg; and
au masa mai mică de 25 kg; și
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
sunt concepute pentru funcționare într-un domeniu extins de temperaturi de la 223 K (– 50 °C) la 373 K (100 °C) sau menționate ca fiind corespunzătoare pentru aplicații aerospațiale.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
b include dispozitivele de comandă a lămpilor cu xenon.
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
tensiune de ieșire mai mare de 6 V, la o sarcină rezistivă mai mică de 55 ohmi; și
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
‘timpul de tranziție al impulsului’ este mai mic de 500 ps.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
La 3A230, ‘timpul de tranziție al impulsului’ este definit ca intervalul de timp între 10 % și 90 % din amplitudinea voltajului.
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
sunt concepute pentru a funcționa fără un sistem de vid exterior; și
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
utilizează accelerația electrostatică pentru inducerea unei reacții nucleare tritiu-deuteriu.
See 1A007.b. for detonators.
A se vedea 1A007.b pentru detonatoare.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
aranjamente care utilizează un detonator unic sau detonatoare multiple concepute pentru inițierea aproape simultană a unei suprafețe explozive mai mari de 5000 mm2 de la un singur semnal de aprindere, cu un timp de propagare a inițierii pe toata suprafața mai mic de 2,5 μs.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
232 nu include detonatoarele ce utilizează numai explozibili primari, cum este azida de plumb.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Spectrometre de masă, altele decât cele menționate la 0B002.g, capabile să măsoare ioni cu masa atomică de 230 unități atomice de masă sau mai mare și cu o rezoluție mai bună de 2 părți la 230 și sursele lor de ioni, după cum urmează:
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
spectrometre de masă cu plasmă asociate cu cuplaj inductiv (ICP/MS);
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
spectrometre de masă cu descărcare luminiscentă (GDMS);
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
spectrometre de masă cu ionizare termică (TIMS);
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
spectrometre de masă cu bombardament de electroni, care au o cameră sursă construită din materiale rezistente la UF6, căptușită sau placată cu asemenea materiale;
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
spectrometre de masă cu fascicule moleculare, care au oricare din următoarele caracteristici:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
o cameră sursă construită, căptușită sau placată cu oțel inoxidabil sau molibden și echipată o capcană criogenică capabilă să răcească la 193 K (– 80 °C) sau mai puțin; sau
A source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
cu o cameră sursă construită din, căptușită sau placată cu materiale rezistente la UF6;
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
spectrometre de masă echipate cu o sursă de ioni microfluoriană concepută pentru a fi utilizată cu actinide sau fluoruri de actinide.
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
echipament conceput pentru creșterea epitaxială, după cum urmează:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
echipament capabil să producă un strat din orice material, altul decât siliciu cu o grosime uniformă mai mică de ± 2,5 % pe o distanță de 75 mm sau mai mare;
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
a.1 include echipamente pentru depunere în straturi atomice epitaxiale (ALE).
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;
reactoare de depunere în faza de vapori prin procedeul chimic organometalic (MOCVD) special concepute pentru creșterea cristalelor semiconductorilor compuși prin reacția chimică între materialele menționate la 3C003 sau 3C004;
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
echipamente pentru creșterea epitaxială cu jet molecular care utilizează surse gazoase sau solide;
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
echipamente concepute pentru placare ionică și care au oricare din următoarele caracteristici:
A beam energy (accelerating voltage) exceeding 1MeV;
o energie a fasciculului (tensiune de accelerare) care depășește 1 MeV;
Being specially designed and optimised to operate at a beam energy (accelerating voltage) of less than 2 keV;
concepute și optimizate special pentru a funcționa la o energie a fasciculului (tensiune de accelerare) mai mică de 2 keV;
Direct write capability; or
capacitate de scriere directă; sau
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
o energie a fasciculului de 65 keV sau mai mare și un curent al fasciculului de 45 mA sau mai mare pentru un implant de mare energie de oxigen într-un „substrat” de material semiconductor încălzit;
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
echipamente pentru gravare prin metode anizotrope uscate cu plasmă, care au următoarele două caracteristici:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
concepute sau optimizate pentru a produce dimensiuni critice de 65 nm sau mai mici; și
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
neuniformitate în cadrul plachetei egală cu sau mai mică de 10 % 3σ măsurată cu excluderea bordurilor de 2 mm sau mai mică;
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
echipamente pentru depunere chimică în stare de vapori (CVD) îmbunătățite cu plasmă, după cum urmează:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
echipamente cu funcționare casetă-casetă și blocări de sarcină, concepute conform specificațiilor fabricantului sau optimizate pentru utilizarea în producția de semiconductori cu dimensiuni critice de 65 nm sau mai mici;
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
echipamente special concepute pentru echipamentele menționate la 3B001.e și concepute conform specificațiilor fabricantului sau optimizate pentru utilizarea în producția de semiconductori cu dimensiuni critice de 65 nm sau mai mici;
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
sisteme centrale multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată care au următoarele două caracteristici:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different ‘semiconductor process tools’ specified in 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. or 3B001.d. are designed to be connected; and
interfețe pentru intrarea și ieșirea plachetelor, la care sunt concepute a fi conectate mai mult de două ‘instrumente pentru prelucrarea semiconductorilor’ diferite din punct de vedere funcțional specificate la 3B001.a, 3B001.b, 3B001.c sau 3B001.d; și
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for ‘sequential multiple wafer processing’;
concepute pentru a forma un sistem integrat în vid în scopul ‘prelucrării secvențiale multiple a plachetelor’.
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
e nu supune controlului sistemele robotizate de manipulare automată a plachetelor care sunt special concepute pentru prelucrarea paralelă a plachetelor.
For the purpose of 3B001.e., ‘semiconductor process tools’ refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
În sensul celor menționate la 3B001.e, ‘instrumente pentru prelucrarea semiconductorilor’ se referă la instrumente modulare care furnizează procedee fizice pentru producția semiconductorilor care sunt diferite din punct de vedere funcțional, cum ar fi depunere, gravare, implant sau prelucrare termică.
For the purpose of 3B001.e., ‘sequential multiple wafer processing’ means the capability to process each wafer in different ‘semiconductor process tools’, such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
În sensul celor menționate la 3B001.e, prin ‘prelucrare secvențială multiplă a plachetelor’ se înțelege capacitatea de a prelucra fiecare plachetă în cadrul unor ‘instrumente pentru prelucrarea semiconductorilor’ diferite, cum ar fi prin transferarea fiecărei plachete dintr-un instrument într-un al doilea instrument și către un al treilea instrument cu ajutorul sistemelor centrale multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată.
f. Lithography equipment as follows:
echipamente litografice, după cum urmează:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having either of the following:
echipamente fotorepetoare pentru aliniere și expunere (cu pas direct pe plachetă) sau fotorepetoare pas și baleiaj (dispozitive de baleiaj), pentru prelucrarea plachetelor multistrat, care utilizează metode fotooptice cu raze X și care au oricare din următoarele caracteristici:
a. A light source wavelength shorter than 245 nm; or
o lungime de undă a sursei de lumină mai mică de 245 nm; sau
b. Capable of producing a pattern with a ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) of 95 nm or less;
capabile să producă un eșantion cu o ‘dimensiune a elementului solubil minim’ (MRF) de 95 nm sau mai mică;
The ‘Minimum Resolvable Feature size’ (MRF) is calculated by the following formula:
‘Dimensiunea elementului solubil minim’ (MRF) se calculează cu ajutorul formulei următoare:
MRF =an exposure light source wavelength in nm
MRF =lungimea de undă a sursei de lumină exprimată în nm
where the K factor = 0,35
unde factorul K = 0,35
Imprint lithography equipment capable of producing features of 95 nm or less;
echipamente de litografie cu imprimare, capabile să producă elemente de 95 nm sau mai mici;
f.2. includes:
f.2 include:
Micro contact printing tools
utilaje de imprimare cu microcontact;
Hot embossing tools
utilaje de imprimare la cald;
Nano-imprint lithography tools
utilaje de nanoimprimare litografică;
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
utilaje de litografie cu imprimare step and flash (S-FIL).
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
echipamente special concepute pentru executarea măștilor sau prelucrarea dispozitivelor semiconductoare care utilizează metode directe de scriere și care au toate caracteristicile următoare:
a. Using deflected focussed electron beam, ion beam or “laser” beam; and
utilizează deflexia unui fascicul focalizat de electroni, de ioni sau „laser”; și
A spot size smaller than 0,2 μm;
dimensiunea spotului mai mică de 0,2 μm;
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
sunt capabile sa producă o rețea cu dimensiunea caracteristicii mai mică de 1 μm; sau
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
o precizie de suprapunere mai bună de ± 0,20 μm (3 sigma);
g. Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
măști sau reticule, pentru circuitele integrate menționate la 3A001;
h. Multi-layer masks with a phase shift layer;
măști multistrat cu un strat cu decalaj de fază;
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
h nu supune controlului măștile multistrat cu un strat de decalaj de fază concepute pentru fabricarea memoriilor care nu sunt incluse la 3A001.
i. Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
șabloane de imprimare litografică, pentru circuitele integrate menționate la 3A001.
a. For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
pentru testarea parametrilor S ai dispozitivelor cu tranzistori la frecvențe ce depășesc 31,8 GHz;
c. For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
pentru testarea circuitelor integrate pentru microunde menționate la 3A001.b.2.
Hetero-epitaxial materials consisting of a “substrate” having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Materiale hetero-epitaxiale care constau dintr-un „substrat” cu straturi multiple suprapuse crescute epitaxial din oricare din următoarele:
a. Silicon (Si);
siliciu (Si);
b. Germanium (Ge);
germaniu (Ge);
c. Silicon carbide (SiC); or
carbură de siliciu (SiC); sau
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
„compuși III/V” de galiu sau indiu.
Resist materials as follows and “substrates” coated with the following resists:
Rășini fotosensibile și „substraturi” acoperite cu următoarele rășini fotosensibile:
a. Positive resists designed for semiconductor lithography specially adjusted (optimised) for use at wavelengths below 245 nm;
rășini fotosensibile pozitive pentru litografierea semiconductorilor special ajustați (optimizați) pentru a fi folosiți la lungimi de undă sub 245 nm;
b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
toate rășinile fotosensibile concepute pentru folosirea împreună cu fascicule de electroni sau de ioni, cu o sensibilitate de 0,01 μcoulomb/mm2 sau mai bună;
c. All resists designed for use with X-rays, with a sensitivity of 2,5 mJ/mm2 or better;
toate rășinile fotosensibile concepute pentru folosirea împreună cu raze X, cu o sensibilitate de 2,5 mJ/mm2 sau mai bună;
d. All resists optimised for surface imaging technologies, including ‘silylated’ resists;
toate rășinile fotosensibile optimizate pentru tehnologiile de formare a imaginilor pe suprafață, inclusiv rășini fotosensibile la ‘sililat’;
‘Silylation’ techniques are defined as processes incorporating oxidation of the resist surface to enhance performance for both wet and dry developing.
Tehnicile de ‘sililare’ sunt definite ca procese care cuprind oxidarea suprafeței rășinii fotosensibile în scopul măririi performanței pentru developarea umedă sau uscată.