natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
este „alocată de UIT” pentru servicii de radiocomunicații, dar nu pentru radio-determinare.
b.1. does not control non-“space-qualified” tubes having all of the following:
b.1 nu supune controlului tuburile care nu sunt „calificate pentru utilizări spațiale” având toate caracteristicile următoare:
An average output power equal to or less than 50 W; and
o putere medie de ieșire egală cu 50 W sau mai mică; și
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
concepute sau destinate pentru o funcționare în orice bandă de frecvență având toate caracteristicile următoare:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
depășește 31,8 GHz dar nu depășește 43,5 GHz; și
a. Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
tuburi cu undă progresivă, cu undă continuă sau pulsatorie, după cum urmează:
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
tuburi care funcționează la frecvențe mai mari de 31,8 GHz;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
tuburi care au un element de încălzire a catodului cu un timp de creștere până la puterea nominală RF, mai mic de 3 secunde;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a “fractional bandwidth” of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
tuburi cu cavități cuplate sau derivați ale acestora, cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 7 % sau cu o „putere la vârf” depășind 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
tuburi elicoidale sau derivatele acestora, având oricare din următoarele caracteristici:
a. An “instantaneous bandwidth” of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
o „lățime de bandă instantanee” mai mare de o octavă, și puterea medie (exprimată în kW) multiplicată cu frecvența (exprimată în GHz) mai mare de 0,5;
b. An “instantaneous bandwidth” of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
o „lățime de bandă instantanee” de o octavă sau mai mică și puterea medie (exprimată în kW) multiplicată cu frecvența (exprimată în GHz) mai mare de 1; sau
c. Being “space-qualified”;
„calificate pentru utilizare spațială”;
b. Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
tuburi amplificatoare cu câmp transversal cu un câștig mai mare de 17 dB;
c. Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
catozi impregnați concepuți pentru tuburi electronice care produc o densitate de curent a emisiei continue în condiții de funcționare nominale, ce depășește 5 A/cm2;
Microwave “Monolithic Integrated Circuits” (MMIC) power amplifiers having any of the following:
„circuite integrate monolitice” amplificatoare de putere pentru microunde (MMIC), având oricare din următoarele caracteristici:
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 4 W (36 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până la 6,8 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 4 W (36 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 15 %;
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6,8 GHz până la 16 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 1 W (30 dBm) cu o „lățime de bandă” fracționată mai mare de 10 %;
c. Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8 W (29 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 16 GHz până la 31,8 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 0,8 W (29 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %;
d. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 31,8 GHz până la 37,5 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 0,1 nW;
e. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25 W (24 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %; or
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 37,5 GHz până la 43,5 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 0,25 W (24 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %; sau
f. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 43,5 GHz și cu o putere medie de ieșire mai mare de 0,1 nW;
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Statutul controlului circuitelor integrate monolitice amplificatoare de putere (MMIC) a căror frecvență de operare acoperă mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite de la 3.A.001.b.2.a la 3A001.b.2.f, este determinat de cel mai jos prag de control al puterii medii de ieșire.
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g. telecommunications, radar, automobiles.
Notele 1 și 2 din categoria 3 A înseamnă că 3A.001.b.2 nu supune controlului circuitele MMIC în cazul în care acestea sunt special concepute pentru alte aplicații ca de exemplu, telecomunicații, radar, automobile.
Discrete microwave transistors having any of the following:
tranzistoare pentru microunde având oricare din următoarele caracteristici:
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and having an average output power greater than 60 W (47,8 dBm);
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până la 6,8 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 60 W (47,8 dBm);
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20 W (43 dBm);
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6,8 GHz până la 31,8 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 20 W (43 dBm);
c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5 W (27 dBm);
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 31,8 GHz până la 37,5 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 0,5 W (27 dBm);
d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1 W (30 dBm); or
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 37,5 GHz până la 43,5 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 1 W (30 dBm); sau
e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having an average output power greater than 0,1 nW;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 43,5 GHz și care au o putere medie de ieșire mai mare de 0,1 nW;
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Statutul de control al unui tranzistor a cărui frecvență de operare prevăzută include frecvențe enumerate în mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite la 3A001.b.3.a la 3A001.b.3.e, este determinat de cel mai jos prag de control al puterii medii de ieșire.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
amplificatoare cu semiconductori pentru microunde și ansamble/module pentru microunde care conțin amplificatoare cu semiconductori pentru microunde, având oricare din următoarele caracteristici:
a. Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6,8 GHz and with an average output power greater than 60 W (47,8 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 15 %;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până la 6,8 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 60 W (47,8 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 15 %;
b. Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15 W (42 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6,8 GHz până la 31,8 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 15 W (42 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %;
c. Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 31,8 GHz până la 37,5 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 0,1 nW;
d. Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1 W (30 dBm) with a “fractional bandwidth” greater than 10 %;
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 37,5 GHz până la 43,5 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 1 W (30 dBm) cu o „lățime de bandă” fracționată mai mare de 10 %;
e. Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,1 nW; or
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 43,5 GHz și cu o putere medie de ieșire mai mare de 0,1 nW; sau
f. Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz și având toate caracteristicile următoare:
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
o putere medie de ieșire (în wați), P, mai mare de câtul dintre 150 împărțit la pătratul frecvenței maxime de operare (în GHz) [P > 150 W*GHz2/fGHz2];
A “fractional bandwidth” of 5 % or greater; and
o „lățime de bandă fracționată” de 5 % sau mai mare; și
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz];
oricare două părți perpendiculare între ele cu lungimea d (în cm) egală sau mai mică decât 15 împărțit la cea mai joasă frecvență de operare în GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz];
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3,2 GHz and below [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
3,2 GHz se utilizează drept cea mai mică frecvență de operare (fGHz) în formula de la 3A001.b.4.f.3, pentru amplificatoare care au prevăzut un domeniu de funcționare care coboară până la 3,2 GHz și mai jos [d ≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz].
MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
Amplificatoarele de putere MMIC vor fi evaluate conform criteriilor din 3A001.b.2.
The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Statutul controlului produselor a căror frecvență de operare acoperă mai mult de un domeniu de frecvențe, așa cum sunt definite la 3A001.b.4.a-3A001.b.4.e, este determinat de cel mai jos prag de control al puterii medii de ieșire.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1,5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 μs and having either of the following:
filtre de trecere bandă sau oprește-bandă acordabile electronic sau magnetic, care au mai mult de 5 rezonatoare acordabile capabile de a fi aduse într-o bandă de frecvență de 1,5:1 (fmax/fmin) în mai puțin de 10 μs și având oricare din caracteristicile următoare:
a. A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
o lățime de bandă de trecere mai mare de 0,5 % din frecvența centrală; sau
b. A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
o lățime de bandă de oprire mai mică de 0,5 % din frecvența centrală;
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
convertoare și mixere armonice concepute pentru a extinde domeniul de frecvență al echipamentelor descrise la 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e sau 3A002.f dincolo de limitele stipulate în conținutul acestora;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
amplificatoare de putere pentru microunde care conțin tuburile indicate la 3A001.b.1, având toate caracteristicile următoare:
a. Operating frequencies above 3 GHz;
frecvențe de operare de peste 3 GHz;
b. An average output power to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
o medie a raportului dintre puterea de ieșire și masă care depășește 80 W/kg; și
c. A volume of less than 400 cm3;
un volum mai mic de 400 cm3;
b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is “allocated by the ITU” for radio-communications services, but not for radio-determination.
b.8 nu supune controlului echipamentele concepute sau clasificate pentru a opera în orice bandă de frecvență „alocată de UIT” pentru servicii de radiocomunicații, dar nu pentru radiodeterminare.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave “monolithic integrated circuit” and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
module de putere pentru microunde (MPM) formate cel puțin din următoarele elemente: un tub cu undă progresivă, un „circuit integrat monolitic” și un regulator electronic de putere integrat având toate caracteristicile următoare:
a. A ‘turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
un ‘timp de acționare’ de la inactiv la complet activat mai mic de 10 s;
b. A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
un volum mai mic decât puterea nominală maximă exprimată în wați înmulțită cu 10 cm3/W; și
c. An “instantaneous bandwidth” greater than 1 octave (fmax. > 2fmin.) and having either of the following:
o „lățime de bandă instantanee” mai mare de 1 octavă (fmax > 2fmin) și având una din caracteristicile următoare:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
pentru frecvențele egale cu 18 GHz sau mai mici, o putere de ieșire RF mai mare de 100 wați; sau
A frequency greater than 18 GHz;
o frecvență mai mare de 18 GHz;
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Pentru a calcula volumul de la 3A001.b.9.b, se furnizează următorul exemplu: pentru o putere nominală maximă de 20 W, volumul ar fi: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
The ‘turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e. it includes the warm-up time of the MPM.
‘Timpul de acționare’ de la 3A001.b.9.a. cuprinde durata dintre oprirea totală și operaționalitatea totală, adică include timpul de încălzire al MPM.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
oscilatoare și ansambluri pentru oscilatoare, concepute pentru a opera cu toate caracteristicile următoare:
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
un zgomot de fază cu bandă laterală unică (SSB), în dBc/Hz, mai bun de – (126 + 20log10F – 20log10f) pentru 10 Hz < F < 10 kHz; și
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
un zgomot de fază cu bandă laterală unică (SSB), în dBc/Hz, mai bun de – (114 + 20log10F – 20log10f) pentru 10 Hz ≤ F < 500 kHz;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
La 3A001.b.10, F este abaterea de la frecvența de lucru în Hz și f este frecvența de lucru în MHz.
“Frequency synthesiser” “electronic assemblies” having a “frequency switching time” as specified by any of the following:
„ansambluri electronice”„sintetizatoare de frecvență”, cu un „timp de comutare a frecvenței” de la o frecvență selectată la o altă frecvență în conformitate cu oricare din specificațiile următoare:
a. Less than 312 ps;
mai mic de 312 ps;
b. Less than 100 μs for any frequency change exceeding 1,6 GHz within the synthesised frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 10,6 GHz;
mai mic de 100 μs pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 1,6 GHz în gama de frecvențe sintetizate 3,2 GHz-10,6 GHz;
c. Less than 250 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 10,6 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
mai mic de 250 μs pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 550 MHz în gama de frecvențe sintetizate mai mari de 10,6 GHz, dar mai mici de 31,8 GHz;
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz; or
mai mic de 500 μs pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 550 MHz în gama de frecvențe sintetizate 31,8 GHz-43,5 GHz; sau
e. Less than 1 ms within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz.
mai mic de 1 ms în gama de frecvențe sintetizate mai mare de 43,5 GHz.
For general purpose “signal analysers”, signal generators, network analysers and microwave test receivers, see 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
Pentru „analizoare de semnale” de uz general, aparate generatoare de semnale, analizoare de rețea și receptoare de testare pentru microunde, a se vedea 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e și respectiv 3A002.f.
c. Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
dispozitive cu unde acustice și componente special concepute pentru acestea, după cum urmează:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
dispozitive cu undă acustică de suprafață și dispozitive cu undă acustică de volum cu adâncime mică de pătrundere (volum superficial), având oricare din următoarele caracteristici:
a. A carrier frequency exceeding 6 GHz;
o frecvență purtătoare care depășește 6 GHz;
b. A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
o frecvență purtătoare care depășește 1 GHz, dar care nu depășește 6 GHz, având oricare din următoarele caracteristici:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
o ‘rejectare a frecvenței lobilor laterali’ mai mare de 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in μs and bandwidth in MHz) of more than 100;
un produs dintre timpul maxim de întârziere și lățimea de bandă (timpul exprimat în μs și lățimea de bandă în MHz) mai mare de 100;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
o lățime de bandă mai mare de 250 MHz; sau
A dispersive delay of more than 10 μs; or
o întârziere de dispersie mai mare de 10 μs; sau
c. A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
o frecvență purtătoare de 1 GHz sau mai mică și având oricare din următoarele caracteristici:
A ‘frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
o ‘rejectare a frecvenței lobilor laterali’ care depășește 65 dB și o lățime de bandă mai mare de 100 MHz;
‘Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
‘Rejectare a frecvenței lobilor laterali’ înseamnă valoarea maximă de rejectare menționată în fișa tehnică.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
dispozitive cu unde acustice de volum care permit prelucrarea directă a semnalelor la frecvențe mai mari de 6 GHz;
Acoustic-optic “signal processing” devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
dispozitive acustico-optice pentru „prelucrarea semnalelor”, care utilizează interacțiunea dintre undele acustice (de volum sau de suprafață) și undele luminoase care permit prelucrarea directă a semnalelor sau imaginilor, inclusiv analizele spectrale, corelația sau convoluția;
c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
c nu supune controlului dispozitivele cu unde acustice care sunt limitate la un filtru în bandă unică, un filtru trece-jos, un filtru trece-sus sau la filtrarea de reducere a vârfurilor de impedanță, sau la funcția de rezonanță.
d. Electronic devices and circuits containing components, manufactured from “superconductive” materials, specially designed for operation at temperatures below the “critical temperature” of at least one of the “superconductive” constituents and having either of the following:
dispozitive sau circuite electronice care conțin componente fabricate din materiale „superconductoare”, special concepute pentru funcționare la temperaturi sub „temperatura critică” a cel puțin unuia din componenții „superconductori” și care au oricare din următoarele caracteristici:
Current switching for digital circuits using “superconductive” gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10–14 J; or
comutarea în curent pentru circuitele digitale care utilizează porți „superconductoare” care au produsul dintre timpul de întârziere pe poartă (în secunde) și puterea disipată pe poartă (în wați) mai mic de 10–14 J; sau
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
selecția de frecvență la toate frecvențele care utilizează circuite rezonante cu valori pentru Q ce depășesc 10000;
e. High energy devices as follows:
dispozitive de mare energie, după cum urmează:
‘Cells’ as follows:
‘elemente’ după cum urmează:
a. ‘Primary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
‘elemente primare’ cu o densitate de energie ce depășește 550 Wh/kg la 20 °C;
b. ‘Secondary cells’ having an ‘energy density’ exceeding 250 Wh/kg at 20 °C;
‘elemente secundare’ cu o densitate de energie ce depășește 250 Wh/kg la 20 °C;
For the purpose of 3A001.e.1., a ‘cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
În sensul celor menționate la 3A001.e.1, prin ‘element’ se înțelege un dispozitiv electrochimic echipat cu electrozi pozitivi și negativi, un electrolit și care este o sursă de energie electrică.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ‘primary cell’ is a ‘cell’ that is not designed to be charged by any other source.
În sensul celor menționate la 3A001.e.1.a, prin ‘element primar’ se înțelege un ‘element’ care nu este conceput pentru a fi încărcat de la nicio altă sursă de alimentare.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ‘secondary cell’ is a ‘cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
În sensul celor menționate la 3A001.e.1.b, prin ‘element secundar’ se înțelege un ‘element’ care este conceput pentru a fi încărcat de la o sursă de alimentare externă.
e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
e.1 nu supune controlului bateriile, inclusiv bateriile cu un singur element.
High energy storage capacitors as follows:
condensatoare pentru stocarea de mare energie, după cum urmează: