natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionise the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
placarea ionică este o modificare specială a procedeului general TE-PVD, în care o sursă de plasmă sau de ioni este folosită pentru ionizarea materialului care se depune, iar o polarizare negativă se aplică pe substrat pentru a facilita extragerea materialului care se depune din plasmă.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Introducerea materialelor reactive, evaporarea solidelor în interiorul camerei de procesare și folosirea instrumentelor pentru a asigura măsurarea pe parcursul procesului a caracteristicilor optice și a grosimii acoperirilor sunt modificări obișnuite ale procedeului;
c. Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
cementarea compactă este o acoperire de modificare a suprafeței sau un procedeu de acoperire cu straturi suprapuse, în care substratul este imersat într-un amestec de pulberi care constă din:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
pulberi metalice care se depun (de obicei aluminiu, crom, siliciu sau combinații ale acestora);
An activator (normally a halide salt); and
un activator (în mod normal o sare halogenată); și
An inert powder, most frequently alumina.
o pulbere inertă, cel mai frecvent alumină.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substratul și amestecul de pulberi este introdus într-o retortă care este încălzită între 1030 K (757 °C) și 1375 K (1102 °C) un timp suficient pentru depunerea acoperirii;
d. Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
pulverizarea cu plasmă este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse, prin care un dispozitiv de pulverizare (ajutaj), care produce și controlează o plasmă, primește materiale de acoperire sub formă de pulbere sau fire, le topește și le proiectează pe substrat, pe care se formează în consecință o acoperire integral aderentă.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Pulverizarea cu plasmă poate fi o pulverizare la joasă presiune sau o pulverizare de mare viteză;
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Presiune joasă înseamnă presiunea sub presiunea atmosferică.
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Mare viteză se referă la viteze ale gazului la ieșirea ajutajului mai mari de 750 m/s calculate la 293 K (20 °C) și 0,1 MPa.
e. Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
depunerea din suspensie este o depunere de modificare a suprafeței sau un procedeu de depunere în straturi suprapuse, în care o pulbere metalică sau ceramică cu un liant organic, aflată în suspensie într-un lichid este aplicată pe substrat prin pulverizare, imersie sau vopsire urmată de uscare în aer sau în cuptor și un tratament termic pentru obținerea acoperirii dorite;
f. Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
depunerea prin pulverizare catodică este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse care se bazează pe fenomenul transferului de energie cinetică, în care ionii pozitivi sunt accelerați de un câmp electric și proiectați pe suprafața unei ținte (materialul de acoperit).
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Energia cinetică degajată prin șocul ionilor este suficientă pentru eliberarea atomilor din suprafața țintă și depunerea lor pe un substrat poziționat adecvat;
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
Tabelul se referă numai la depunerile prin pulverizare cu triodă, magnetron sau reactiv care este folosit pentru mărirea aderenței acoperirii și a vitezei de depunere și la depunerea prin pulverizare catodică ameliorată prin radiofrecvență (RF), folosită pentru a permite vaporizarea materialelor de acoperire nemetalice.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
Pentru activarea depunerii pot fi folosite fascicule ionice de mică energie (mai mici de 5 keV).
g. Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionised, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
implantarea ionică este un procedeu de acoperire prin modificarea suprafeței în care elementul de aliat este ionizat, accelerat printr-un gradient de potențial și implantat în zona superficială a substratului.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Aceasta include procedeele în care implantarea ionică se realizează simultan cu depunerea fizică din stare de vapori cu fascicul de electroni sau cu depunere prin pulverizare catodică.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Statutul de control al echipamentelor și al componentelor descrise în 3A001 sau 3A002, altele decât cele descrise de la 3A001.a.3 până la 3A001.a.10 sau 3A001.a.12, care sunt special concepute pentru, sau care au aceleași caracteristici funcționale cu alt echipament, este determinat de statutul de control al celuilalt echipament.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Statutul de control al circuitelor integrate descrise de la 3A.001.a.3 până la 3A001.a.9 sau 3A001.a.12, care sunt programate cu funcție fixă sau concepute pentru o funcție specifică pentru un alt echipament, este determinat de statutul de control al celuilalt echipament.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
Atunci când producătorul sau solicitantul licenței nu poate să stabilească statutul de control al acelui echipament, statutul de control al circuitelor integrate este determinat de la 3A001.a.3 până la 3A001.a.9 și 3A001.a.12.
a. General purpose integrated circuits, as follows:
circuite integrate pentru utilizări generale, după cum urmează:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Statutul de control al plachetelor (finisate sau nefinisate), a căror funcție a fost determinată, urmează a fi evaluat conform parametrilor de la 3A001.a.
Integrated circuits include the following types:
Circuitele integrate includ următoarele tipuri:
“Monolithic integrated circuits”;
„circuite integrate monolitice”;
“Hybrid integrated circuits”;
„circuite integrate hibride”;
“Multichip integrated circuits”;
„circuite integrate multi-chip”;
“Film type integrated circuits”, including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„circuite integrate de tip peliculă”, inclusiv circuite integrate cu siliciu pe safir;
“Optical integrated circuits”.
„circuite integrate optice”.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
circuite integrate concepute sau clasificate ca rezistente la radiații, care suportă oricare din următoarele:
a. A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
o doză totală de 5 × 103 Gy (siliciu) sau mai mare;
b. A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
o doză debit de 5 × 106 Gy (siliciu)/s sau mai mare; sau
c. A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
o fluență (flux integrat) de neutroni (echivalent 1 MeV) de 5 × 1013 n/cm2 sau mai ridicată pe siliciu sau echivalentul său pentru alte materiale.
a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
a.1.c nu se aplică pentru metal – izolator – semiconductor (MIS).
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits”, microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or “optical integrated circuits” designed for “signal processing”, field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„microcircuite microprocesor”, „microcircuite microcalculator”, microcircuite microcontroler, circuite integrate de memorare fabricate dintr-un semiconductor compus, convertoare analog-digitale, convertoare digital-analogice, circuite electro-optice sau „circuite optice integrate” concepute pentru „prelucrarea semnalelor”, rețele logice de porți programabile, circuite integrate personalizate pentru care fie funcția este necunoscută, fie statutul de control al echipamentului în care vor fi folosite circuitele integrate respective este necunoscut, procesoare pentru transformata Fourier rapidă (FFT), memorii programabile numai pentru citit (read-only), cu ștergere electrică (EEPROM), memorii flash sau memorii statice cu acces aleator (SRAM), având una din următoarele caracteristici:
a. Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
destinate pentru funcționare la temperaturi ambiante peste 398 K (125 °C);
b. Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
destinate pentru funcționare la temperatura ambiantă sub 218 K (– 55 °C); sau
c. Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
destinate pentru funcționare în întreaga gamă de temperaturi ambiante de la 218 K (55 °C) la 398 K (125 °C);
a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
a.2 nu se aplică circuitelor integrate destinate aplicațiilor civile pentru autovehicule sau trenuri.
“Microprocessor microcircuits”, “microcomputer microcircuits” and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„microcircuite microprocesor”, „microcircuite microcalculator” și microcircuite microcontroler, fabricate dintr-un semiconductor compus și care operează la o frecvență de tact ce depășește 40 MHz;
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
a.3 include procesoare digitale de semnal, procesoare matriciale digitale și coprocesoare digitale.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
circuite integrate convertoare analog-digitale (ADC) și digital-analogice (DAC), după cum urmează:
a. ADCs having any of the following:
ADC, care au oricare din următoarele:
SEE ALSO 3A101
A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A101.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
o rezoluție de 8 biți sau mai mare, dar mai mică de 10 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 500 milioane de cuvinte pe secundă;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
o rezoluție de 10 biți sau mai mare, dar mai mică de 12 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 300 milioane de cuvinte pe secundă;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
o rezoluție de 12 biți cu o viteză de ieșire mai mare de 200 milioane de cuvinte pe secundă;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
o rezoluție mai mare de 12 biți, mai mică de sau egală cu 14 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 125 milioane de cuvinte pe secundă; sau
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
o rezoluție mai mare de 14 biți cu o viteză de ieșire mai mare de 20 milioane de cuvinte pe secundă;
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Numărul de biți în cuvântul de ieșire este egal cu rezoluția ADC.
For ‘multiple channel ADCs’, the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Pentru ‘ADC cu canale multiple’, ieșirile nu sunt combinate, iar debitul de ieșire este debitul maxim de ieșire al oricărui canal.
For ‘interleaved ADCs’ or for ‘multiple channel ADCs’ that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
Pentru ‘ADC intercalate’ sau pentru ‘ADC cu canale multiple’ despre care se precizează că au un mod intercalat de operare, ieșirile sunt combinate, iar debitul de ieșire este debitul maxim de ieșire total combinat al tuturor ieșirilor.
‘Multiple channel ADCs’ are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
‘Convertoare analog-digitale (ADC) cu canale multiple’ sunt definite ca dispozitive care integrează mai mult de un ADC, concepute astfel încât fiecare ADC are o intrare analogică separată.
‘Interleaved ADCs’ are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
‘Convertoare analog-digitale (ADC) intercalate’ sunt definite ca dispozitive care au multiple unități ADC care eșantionează aceeași intrare analogică la momente diferite, astfel încât, atunci când ieșirile sunt combinate, intrarea analogică a fost efectiv eșantionată și convertită la o rată de eșantionare mai mare.
b. Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
convertoare digital-analogice (DAC) care au oricare din următoarele:
A resolution of 10 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of 3500 MSPS or greater; or
o rezoluție de 10 biți sau mai mare cu o ‘rată de actualizare ajustată’ de 3500 MSPS sau mai mare; sau
A resolution of 12 bit or more with an ‘adjusted update rate’ of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
o rezoluție de 12 biți sau mai mare cu o ‘rată de actualizare ajustată’ egală sau mai mare de 1250 MSPS și având oricare din următoarele:
a. A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
un timp de setare mai mic de 9 ns la 0,024 % din întreaga scală sau dintr-un pas al acesteia; sau
b. A ‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
‘o gamă dinamică fără paraziți’ (SFDR) mai mare de 68 dBc (purtător) când sintetizează un semnal analog pe întreaga scală de 100 MHz sau cea mai înaltă frecvență a semnalului analog pe întreaga scală specificată sub 100 MHz.
‘Spurious Free Dynamic Range’ (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
‘Gama dinamică fără paraziți’ (SFDR) este definită ca un raport dintre valoarea RMS a frecvenței purtătoare (componenta maximă a semnalului) la intrarea convertorului digital-analog (DAC) și valoarea RMS a celui mai puternic zgomot sau al componentei de distorsiune armonică la ieșirea sa.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
SFDR este determinat direct dintr-un tabel cu specificații sau din graficele de caracterizare ale SFDR față de frecvență.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
Un semnal este definit ca fiind în gama completă atunci când amplitudinea lui este mai mare de - 3 dBfs (gamă întreagă).
‘Adjusted update rate’ for DACs:
‘Rata de actualizare ajustată’ pentru DAC:
For conventional (non-interpolating) DACs, the ‘adjusted update rate’ is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Pentru DAC convenționale (neinterpolate), ‘rata de actualizare ajustată’ este rata la care un semnal digital este convertit într-un semnal analog și valorile de la ieșirea analogă sunt schimbate de DAC.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Pentru DAC unde modul de interpolare poate fi ocolit (factor de interpolare unu), DAC ar trebui să fie considerat ca fiind convențional (neinterpolat).
For interpolating DACs (oversampling DACs), the ‘adjusted update rate’ is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Pentru DAC de interpolare (DAC de supraeșantionare), ‘rata de actualizare ajustată’ este definită ca rată de actualizare a DAC împărțită la factorul cel mai mic de interpolare.
For interpolating DACs, the ‘adjusted update rate’ may be referred to by different terms including:
Pentru DAC de interpolare ‘rata de actualizare ajustată’ poate fi menționată de diferiți termeni incluzând:
input data rate
viteza de intrare a datelor;
input word rate
viteza de intrare a cuvintelor;
input sample rate
viteza de intrare a eșantioanelor;
maximum total input bus rate
viteza maximă totală de intrare a magistralelor de date;
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
frecvența maximă de tact a DAC pentru intrarea de tact a DAC.
Electro-optical and “optical integrated circuits”, designed for “signal processing” and having all of the following:
circuite integrate electro-optice și „circuite integrate optice”, concepute pentru „prelucrarea digitală a semnalelor” și având toate caracteristicile următoare:
a. One or more than one internal “laser” diode;
una sau mai multe diode „laser” interne;
b. One or more than one internal light detecting element; and
unul sau mai multe elemente interne de detectare a luminii; și
c. Optical waveguides;
ghiduri de undă optice;
‘Field programmable logic devices’ having either of the following:
‘dispozitivele logice programabile de utilizator’ având oricare din următoarele caracteristici:
a. A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
un număr maxim de intrări/ieșiri numerice mai mare de 200; sau
b. A system gate count of greater than 230000;
un sistem de porți de numărare mai mare de 230000;
a.7. includes:
a.7 include:
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
dispozitive logice simple programabile (SPLD);
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
dispozitive logice complexe programabile (CPLD);
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
rețele de porți programabile de utilizator (FPGA);
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
rețele logice programabile de utilizator (FPLA);
Field Programmable Interconnects (FPICs)
interconexiuni programabile de utilizator (FPIC).
‘Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
‘Dispozitivele logice programabile de utilizator’ sunt, de asemenea, cunoscute ca rețele de porți programabile de utilizator sau rețele logice programabile de utilizator.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Numărul maxim de intrări/ieșiri numerice de la 3A001.a.7.a este menționat, de asemenea, ca numărul maxim de intrări/ieșiri configurate de utilizator sau numărul maxim de intrări/ieșiri disponibile, atât în cazul în care circuitul integrat este capsulat cât și în cazul în care nu este capsulat.
Neural network integrated circuits;
circuite integrate pentru rețele de tip neural;
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
circuite integrate executate la comandă pentru care funcția este necunoscută sau statutul de control al echipamentului în care vor fi folosite circuitele integrate respective este necunoscut fabricantului, având oricare din următoarele caracteristici:
a. More than 1500 terminals;
mai mult de 1500 terminale;
b. A typical “basic gate propagation delay time” of less than 0,02 ns; or
un „interval de întârziere a propagării pe poarta de bază” tipic mai mic de 0,02 ns; sau
c. An operating frequency exceeding 3 GHz;
o frecvență de funcționare mai mare de 3 GHz;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having either of the following:
circuite integrate digitale, altele decât cele descrise de la 3A001.a.3 la 3A001.a.10 și 3A001.a.12, bazate pe oricare semiconductor compus și având oricare din următoarele caracteristici:
a. An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
un număr de porți echivalente mai mare de 3000 (porți cu 2 intrări); sau
b. A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
o frecvență de basculare mai mare de 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
procesoare pentru transformata Fourier rapidă (FFT) care au o durată de execuție nominală pentru o transformată Fourier rapidă cu N puncte complexe mai mică de (N log2 N)/20480 ms, unde N este numărul de puncte;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
Atunci când N este egal cu 1024 puncte, formula de la 3A001.a.12 dă o durată de execuție de 500 μs.
b. Microwave or millimetre wave components, as follows:
componente pentru microunde sau pentru unde milimetrice, după cum urmează:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
tuburi electronice cu vid și catozi, după cum urmează:
b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having both of the following:
b.1 nu supune controlului tuburile concepute sau destinate să funcționeze în orice bandă de frecvență având următoarele două caracteristici:
Does not exceed 31,8 GHz; and
nu depășește 31,8 GHz; și