natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 16 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6 GHz până la 16 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 1W (30 dBm) cu o „lățime de bandă” fracționată mai mare de 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 0,8W (29 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 16 GHz până la 31,8 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 0,8 W (29 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz;
sunt destinate funcționării la frecvențe mai mari de 31,8 GHz și până la 37,5 GHz inclusiv;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 0,25W (24 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %; or
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 37,5 GHz până la 43,5 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 0,25 W (24 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %; și
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz;
sunt destinate funcționării la frecvențe mai mari de 43,5 GHz;
Note 1:3A001.b.2. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 GHz to 42,5 GHz.
Nota 1:3A001.b.2. nu supune controlului echipamentul sateliților de radiodifuziune conceput sau clasificat să funcționeze în banda de frecvență de la 40,5 GHz la 42,5 GHz.
Note 2:The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.f., is determined by the lowest average output power control threshold.
Notă 2:Statutul controlului circuitelor integrate monolitice amplificatoare de putere (MMIC) a căror frecvență de operare acoperă mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite de la 3.A.001.b.2.a la 3A001.b.2.f., este determinat de cel mai jos prag de control al puterii medii de ieșire.
Note 3:Notes 1 and 2 in the chapeau to Category 3 mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
Notă 3:Notele 1 și 2 din introducerea la Categoria 3 înseamnă că 3A.001.b.2 nu supune controlului circuitele MMIC în cazul în care acestea sunt special concepute pentru alte aplicații ca de exemplu, telecomunicații, radar, automobile.
Discrete microwave transistors having any of the following:
Tranzistoare pentru microunde având oricare din următoarele caracteristici:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and having an average output power greater than 60W (47,8 dBm);
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până la 6 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 60 W (47,8 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and having an average output power greater than 20W (43 dBm);
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6 GHz până la 31,8 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 20 W (43 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 31,8 GHz up to and including 37,5 GHz and having an average output power greater than 0,5W (27 dBm);
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 31,8 GHz până la 37,5 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 0,5 W (27 dBm);
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and having an average output power greater than 1W (30 dBm); or
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 37,5 GHz până la 43,5 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 1 W (30 dBm); și
Note:The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
NotaStatutul de control al unui tranzistor a cărui frecvență de operare prevăzută include frecvențe enumerate în mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite la 3A001.b.3.a la 3A001.b.3.e., este determinat de cel mai jos prag de control al puterii medii de ieșire.
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, having any of the following:
Amplificatoare cu semiconductori pentru microunde și ansamble/module pentru microunde care conțin amplificatoare cu semiconductori pentru microunde, având oricare din următoarele caracteristici:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 60W (47,8 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până 6 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 60 W (47,8 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 15 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 6 GHz up to and including 31,8 GHz and with an average output power greater than 15W (42 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6 GHz până la 31,8 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 15 W (42 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 37,5 GHz up to and including 43,5 GHz and with an average output power greater than 1W (30 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 10 %;
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 37,5 GHz până la 43,5 GHz inclusiv și cu o putere medie de ieșire mai mare de 1W (30 dBm) cu o „lățime de bandă” fracționată mai mare de 10 %;
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz; or
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 43,5 GHz; și
Rated for operation at frequencies above 3,2 GHz and having all of the following:
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz și având toate caracteristicile următoare:
An average output power (in watts), P, greater than 150 divided by the maximum operating frequency (in GHz) squared [P>150 W*GHz2/fGHz2];
O putere medie de ieșire (în wați), P, mai mare de câtul dintre 150 împărțit la pătratul frecvenței maxime de operare (în GHz) [P > 150 W* GHz2/fGHz2];
A "fractional bandwidth" of 5 % or greater; and
O „lățime de bandă fracționată” de 5 % sau mai mare; și
Any two sides perpendicular to one another with length d (in cm) equal to or less than 15 divided by the lowest operating frequency in GHz [d ≤ 15cm × GHz/fGHz];
Oricare două părți perpendiculare între ele cu lungimea d (în cm) egală sau mai mică decât 15 împărțit la cea mai joasă frecvență de operare în GHz [d ≤ 15cm*GHz/fGHz];
3,2 GHz should be used as the lowest operating frequency (fGHz) in the formula in 3A001.b.4.f.3., for amplifiers that have a rated operating range extending downward to 3.2 GHz and below [d≤ 15cm × GHz/3.2 GHz].
3,2 GHz se utilizează drept cea mai mică frecvență de operare (fGHz) în formula de la 3A001.b.4.f.3., pentru amplificatoare care au prevăzut un domeniu de funcționare care coboară până la 3,2 GHz și mai jos [d ≤ 15cm*GHz/3,2 GHz].
N.B.:MMIC power amplifiers should be evaluated against the criteria in 3A001.b.2.
N.B.:Amplificatoarele de putere MMIC vor fi evaluate conform criteriilor din 3A001.b.2.
Note 1:3A001.b.4. does not control broadcast satellite equipment designed or rated to operate in the frequency range of 40,5 to 42,5 GHz.
Nota 1:3A.001.b.4. nu supune controlului echipamentul de transmisiuni al sateliților conceput sau certificat să opereze în domeniul de frecvențe 40,5-42,5 GHz.
Note 2:The control status of an item whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.4.a. to 3A001.b.4.e., is determined by the lowest average output power control threshold.
Nota 2:Statutul controlului produselor a căror frecvență de operare acoperă mai mult de un domeniu de frecvențe, așa cum sunt definite la 3A001.b.4.a – 3A001.b.4.e., este determinat de cel mai jos prag de control al puterii medii de ieșire.
Electronically or magnetically tunable band-pass or band-stop filters, having more than 5 tunable resonators capable of tuning across a 1.5:1 frequency band (fmax/fmin) in less than 10 µs and having any of the following:
Filtre de trecere bandă sau oprește-bandă acordabile electronic sau magnetic, care au mai mult de 5 rezonatoare acordabile capabile de a fi aduse într-o bandă de frecvență de 1,5:1 (fmax/fmin) în mai puțin de 10 µs și având oricare din caracteristicile următoare:
A band-pass bandwidth of more than 0,5 % of centre frequency; or
O lățime de bandă de trecere mai mare de 0,5 % din frecvența centrală; și
A band-stop bandwidth of less than 0,5 % of centre frequency;
O lățime de bandă de oprire mai mică de 0,5 % din frecvența centrală;
Converters and harmonic mixers, designed to extend the frequency range of equipment described in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. or 3A002.f. beyond the limits stated therein;
Convertoare și mixere armonice concepute pentru a extinde domeniul de frecvență al echipamentelor descrise la 3A002.c, 3A002.d., 3A002.e. sau 3A002.f. dincolo de limitele stipulate în conținutul acestora;
Microwave power amplifiers containing tubes specified in 3A001.b.1. and having all of the following:
Amplificatoare de putere care conțin tuburile indicate la 3A001.b.1., având toate caracteristicile următoare:
Operating frequencies above 3 GHz;
Frecvențe de operare de peste 3 GHz;
An average output power density to mass ratio exceeding 80 W/kg; and
O medie a raportului dintre densitatea puterii de ieșire și masă care depășește 80 W/kg; și
A volume of less than 400 cm3;
Un volum mai mic de 400 cm3;
Note:3A001.b.8. does not control equipment designed or rated for operation in any frequency band which is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Nota3A001.b.8. nu supune controlului echipamentele concepute sau clasificate pentru a opera în orice bandă de frecvență „alocată de UIT” pentru servicii de radiocomunicații, dar nu pentru radioreperare.
Microwave power modules (MPM) consisting of, at least, a travelling wave tube, a microwave "monolithic integrated circuit" and an integrated electronic power conditioner and having all of the following:
Module de putere pentru microunde (MPM) formate cel puțin din următoarele elemente: un tub cu undă progresivă, un „circuit integrat monolitic” și un regulator electronic de putere integrat având toate caracteristicile următoare:
A ’turn-on time’ from off to fully operational in less than 10 seconds;
Un „timp de acționare” de la inactiv la complet activat mai mic de 10 s;
A volume less than the maximum rated power in Watts multiplied by 10 cm3/W; and
Un volum mai mic decât puterea nominală maximă exprimată în wați înmulțită cu 10 cm3/W; și
An "instantaneous bandwidth" greater than 1 octave (fmax.
O lățime de bandă instantanee mai mare de 1 octavă (fmax.
> 2fmin.) and having any of the following:
> 2fmin.) și având una din caracteristicile următoare:
For frequencies equal to or less than 18 GHz, an RF output power greater than 100 W; or
Pentru frecvențele egale cu 18 GHz sau mai mici, o putere de ieșire RF mai mare de 100 wați; sau
A frequency greater than 18 GHz;
O frecvență mai mare de 18 GHz;
To calculate the volume in 3A001.b.9.b., the following example is provided: for a maximum rated power of 20 W, the volume would be: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
Pentru a calcula volumul de la 3A001.b.9.b, se furnizează următorul exemplu: pentru o putere nominală maximă de 20 W, volumul ar fi: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3.
The’turn-on time’ in 3A001.b.9.a. refers to the time from fully-off to fully operational, i.e., it includes the warm-up time of the MPM.
’Timpul de acționare’ de la 3A001.b.9.a. cuprinde durata dintre oprirea totală și operaționalitatea totală, adică include timpul de încălzire al MPM.
Oscillators or oscillator assemblies, designed to operate with all of the following:
Oscilatoare și ansambluri oscilatoare, concepute pentru a opera cu toate elementele următoare:
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(126+20log10F-20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
Un zgomot de fază cu bandă laterală unică (SSB), în dBc/Hz, mai bun de -(126+20 log10F-20 log10F) pentru 10 Hz < F < 10kHz și
A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than -(114+20log10F-20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Un zgomot de fază cu bandă laterală unică (SSB), în dBc/Hz, mai bun de -(114+20 log10F-20 log10F) pentru 10 Hz ≤ F < 500kHz;
In 3A001.b.10., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz.
La 3A001.b.10., F este abaterea de la frecvența de lucru în Hz și f este frecvența de lucru în MHz.
Acoustic wave devices as follows and specially designed components therefor:
Dispozitive cu unde acustice și componente special concepute pentru acestea, după cum urmează:
Surface acoustic wave and surface skimming (shallow bulk) acoustic wave devices, having any of the following:
Dispozitive cu undă acustică de suprafață și dispozitive cu undă acustică de volum cu adâncime mică de pătrundere (volum superficial), având oricare din următoarele caracteristici:
A carrier frequency exceeding 6 GHz;
O frecvență purtătoare care depășește 6 GHz;
A carrier frequency exceeding 1 GHz, but not exceeding 6 GHz and having any of the following:
O frecvență purtătoare care depășește 1 GHz, dar care nu depășește 6 GHz, având oricare din următoarele caracteristici:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB;
O „rejectare a frecvenței lobilor laterali” mai mare de 65 dB;
A product of the maximum delay time and the bandwidth (time in µs and bandwidth in MHz) of more than 100;
Un produs dintre timpul maxim de întârziere și lățimea de bandă (timpul exprimat în µs și lățimea de bandă în MHz) mai mare de 100;
A bandwidth greater than 250 MHz; or
O lățime de bandă mai mare de 250 MHz; sau
A dispersive delay of more than 10 µs; or
O întârziere de dispersie mai mare de 10 µs; sau
A carrier frequency of 1 GHz or less and having any of the following:
O frecvență purtătoare de 1 GHz sau mai mică și având oricare din următoarele caracteristici:
A ’frequency side-lobe rejection’ exceeding 65 dB and a bandwidth greater than 100 MHz;
O „rejectare a frecvenței lobilor laterali” care depășește 65 dB și o lățime de bandă mai mare de 100 MHz;
Technical Note:’Frequency side-lobe rejection’ is the maximum rejection value specified in data sheet.
Notă tehnică:’Rejectare a frecvenței lobilor laterali’ înseamnă valoarea maximă de rejectare menționată în fișa tehnică.
Bulk (volume) acoustic wave devices which permit the direct processing of signals at frequencies exceeding 6 GHz;
Dispozitive cu unde acustice de volum care permit prelucrarea directă a semnalelor la frecvențe mai mari de 6 GHz;
Acoustic-optic "signal processing" devices employing interaction between acoustic waves (bulk wave or surface wave) and light waves which permit the direct processing of signals or images, including spectral analysis, correlation or convolution;
Dispozitive acustico-optice pentru „prelucrarea semnalelor”, care utilizează interacțiunea dintre undele acustice (de volum sau de suprafață) și undele luminoase care permit prelucrarea directă a semnalelor sau imaginilor, inclusiv analizele spectrale, corelația sau convoluția;
Note:3A001.c. does not control acoustic wave devices that are limited to a single band pass, low pass, high pass or notch filtering, or resonating function.
Notă:3A001.c. nu supune controlului dispozitivele cu unde acustice care sunt limitate la un filtru în bandă unică, un filtru trece-jos, un filtru trece-sus sau la filtrarea de reducere a vârfurilor de impedanță, sau la funcția de rezonanță.
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
Dispozitive sau circuite electronice care conțin componente fabricate din materiale „superconductoare”, special concepute pentru funcționare la temperaturi sub „temperatura critică” a cel puțin unuia din componenții „superconductori” și care au oricare din următoarele caracteristici:
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Comutarea în curent pentru circuitele digitale care utilizează porți „superconductoare” care au produsul dintre timpul de întârziere pe poartă (în secunde) și puterea disipată pe poartă (în wați) mai mic de10–14 J; sau
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
Selecția de frecvență la toate frecvențele care utilizează circuite rezonante cu valori pentru Q ce depășesc 10000;
High energy devices as follows:
Dispozitive de mare energie, după cum urmează:
’Cells’ as follows:
„Elemente” după cum urmează:
’Primary cells’ having an ’energy density’ exceeding 550 Wh/kg at 20 oC;
„Elemente primare” cu o densitate de energie ce depășește 550 Wh/kg la 20 °C;
’Secondary cells’ having an ’energy density’ exceeding 250 Wh/kg
„Elemente secundare” cu o densitate de energie ce depășește 250 Wh/kg
For the purpose of 3A001.e.1.,’energy density’ (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
În sensul celor menționate la 3A001.e.1, ’densitatea de energie’ (Wh/kg) se calculează pe baza produsului dintre tensiunea nominală și capacitatea nominală în Ah, produs împărțit la masa în kg.
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
În cazul în care capacitatea nominală nu este indicată, densitatea de energie este calculată pe baza pătratului tensiunii nominale înmulțit cu durata descărcării în ore împărțită la rezistența de descărcare exprimată în ohmi și la masa exprimată în kilograme.
For the purpose of 3A001.e.1., a ’cell’ is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
În sensul celor menționate la 3A001.e.1., prin ’element’ se înțelege un dispozitiv electrochimic echipat cu electrozi pozitivi și negativi, un electrolit și care este o sursă de energie electrică.
It is the basic building block of a battery.
Acesta reprezintă componenta de bază a unei baterii.
For the purpose of 3A001.e.1.a., a ’primary cell’ is a ’cell’ that is not designed to be charged by any other source.
În sensul celor menționate la 3A001.e.1.a, prin ’element primar’ se înțelege un „element” care nu este conceput pentru a fi încărcat de la nicio altă sursă de alimentare.
For the purpose of 3A001.e.1.b., a ’secondary cell’ is a ’cell’ that is designed to be charged by an external electrical source.
În sensul celor menționate la 3A001.e.1.b, prin ’element secundar’ se înțelege un „element” care este conceput pentru a fi încărcat de la o sursă de alimentare externă.
Note:3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
Notă:3A001.e.1. nu supune controlului bateriile, inclusiv bateriile cu un singur element.
High energy storage capacitors as follows:
Condensatoare pentru stocarea de mare energie, după cum urmează:
N.B.:SEE ALSO 3A201.a.
N.B.:A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A201.a.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
Condensatoare cu o frecvență de repetiție mai mică de 10 Hz (condensatoare cu o singură descărcare) și care au toate caracteristicile următoare:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
O tensiune nominală egală cu 5 kV sau mai mare;
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
O densitate de energie egală cu 250 J/kg sau mai mare; și
A total energy equal to or more than 25 kJ;
O energie totală egală cu 25 kJ sau mai mare;
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
Condensatoare cu o frecvență de repetiție de 10 Hz sau mai mare (condensatoare cu descărcări repetate) și care au caracteristicile următoare:
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
O densitate de energie egală cu 50 J/kg sau mai mare;
A total energy equal to or more than 100 J; and
O energie totală egală cu 100 J sau mai mare; și
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
O durată de viață a ciclului încărcare/descărcare egală cu 10000 sau mai mare;
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
Electromagneți și solenoizi „superconductori”, special concepuți pentru a fi complet încărcați sau descărcați în mai puțin de o secundă și care au toate caracteristicile următoare:
N.B.:SEE ALSO 3A201.b.
N.B.:A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A201.b.
Note:3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
Notă:3A001.e.3. nu supune controlului electromagneții sau solenoizii „superconductori” special concepuți pentru echipamentul medical de formare a imaginii prin rezonanță magnetică (RMN).
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
O energie furnizată în cursul descărcării depășind 10 kJ în prima secundă;
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
Un diametru interior al bobinelor de transport al curentului mai mare de 250 mm; și
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
O valoare nominală a inducției magnetice mai mare de 8T sau o „densitatea globală de curent” a bobinei mai mare de 300 A/mm2;
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated ’AM0’ illumination with an irradiance of 1,367 watts per square metre (W/m2);
Celule solare, ansambluri de celule interconectate acoperite cu sticlă(CIC), panouri solare și generatoare solare care sunt „calificate pentru utilizare spațială”, având o eficacitate medie minimă care depășește 20 % la o temperatură de funcționare de 301 K (28 °C) cu o iluminare ’AM0’ simulată, cu o iradiantă de 1367 per m2 (W/m2).
’AM0’, or ’Air Mass Zero’, refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
Prin ’AM0’ sau ’masă de aer zero’ se înțelege spectrul fluxului de lumină solară în atmosfera terestră exterioară, atunci când distanța dintre pământ și soare este egală cu o unitate astronomică (AU).
Rotary input type absolute position encoders having an accuracy equal to or less (better) than ±1,0 second of arc;
Codificatoare de poziție absolută de tipul cu intrare rotativă având o precizie egală sau mai mică (mai bună) de ±1,0 secundă de arc.
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and ’thyristor modules’, using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
Dispozitive cu semiconductori de putere tiristorizate de comutare în puls și module cu tiristoare, care utilizează metode de comutare electrică, optică sau controlată de radiația electronică și care au oricare din următoarele caracteristici: