natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
Depunerea cu arc catodic folosește un catod consumabil din materialul care formează depunerea și care realizează o descărcare în arc pe suprafață prin contactul momentan cu masa al unui declanșator.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Mișcarea controlată a formării arcului erodează suprafața catodului și creează o plasmă puternic ionizată.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Anodul poate fi, fie un con atașat la periferia catodului printr-un izolator, fie camera însăși.
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
Polarizarea substratului se utilizează pentru depunerile fără vizualizare.
definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
N.B.Această definiție nu se aplică la depunerea cu arc catodic aleatorie cu substraturi nepolarizate.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Placarea ionică este o modificare specială a procedeului general TE-PVD, în care o sursă de plasmă sau de ioni este folosită pentru ionizarea materialului care se depune, iar o polarizare negativă se aplică pe substrat pentru a facilita extragerea materialului care se depune din plasmă.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Introducerea materialelor reactive, evaporarea solidelor în interiorul camerei de procesare și folosirea instrumentelor pentru a asigura măsurarea pe parcursul procesului a caracteristicilor optice și a grosimii acoperirilor sunt modificări obișnuite ale procedeului. c.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Cementarea în mediu închis în contact cu amestecul este o acoperire de modificare a suprafeței sau un procedeu de acoperire cu straturi suprapuse, în care substratul este imersat într-un amestec de pulberi care constă din:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
Pulberi metalice care se depun (de obicei aluminiu, crom, siliciu sau combinații ale acestora);
An activator (normally a halide salt); and
Un activator (în mod normal o sare halogenată); și
An inert powder, most frequently alumina.
O pulbere inertă, cel mai frecvent alumină.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Substratul și amestecul de pulberi este introdus într-o retortă care este încălzită între 1030 K (757 °C) și 1375 K (1102 °C) un timp suficient pentru depunerea acoperirii.
pressure means less than ambient atmospheric pressure.
joasă înseamnă presiunea sub presiunea atmosferică.
velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
viteză se referă la viteze ale gazului la ieșirea ajutajului mai mari de 750 m/s calculate la 293 K (20 oC) și 0,1 MPa.
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
Depunerea din suspensie este o depunere de modificare a suprafeței sau un procedeu de depunere în straturi suprapuse, în care o pulbere metalică sau ceramică cu un liant organic, aflată în suspensie într-un lichid este aplicată pe substrat prin „pulverizare”, imersie sau vopsire urmată de uscare în aer sau în cuptor și un tratament termic pentru obținerea acoperirii dorite.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Depunerea prin pulverizare catodică este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse care se bazează pe fenomenul transferului de energie cinetică, în care ionii pozitivi sunt accelerați de un câmp electric și proiectați pe suprafața unei ținte (materialul de acoperit).
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Energia cinetică degajată prin șocul ionilor este suficientă pentru eliberarea atomilor din suprafața țintă și depunerea lor pe un substrat poziționat adecvat.
Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
se referă numai la depunerile prin pulverizare cu triodă, magnetron sau reactiv care este folosit pentru mărirea aderenței acoperirii și a vitezei de depunere și la depunerea prin pulverizare catodică ameliorată prin radiofrecvență (RF), folosită pentru a permite vaporizarea materialelor de acoperire nemetalice.
N.B.2Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
activarea depunerii pot fi folosite fascicule ionice de mică energie (mai mici de 5 keV).
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Implantarea ionică este un procedeu de acoperire prin modificarea suprafeței în care elementul de aliat este ionizat, accelerat printr-un gradient de potențial și implantat în zona superficială a substratului.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
Aceasta include procedeele în care implantarea ionică se realizează simultan cu depunerea fizică din vapori cu fascicul de electroni sau cu depunere prin pulverizare catodică.
CATEGORY 3
CATEGORIA 3
ELECTRONICS
ELECTRONICĂ
Note 1:The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. or 3A001.a.12., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
Nota 1:Statutul de control al echipamentelor și al componentelor descrise în 3A001 sau 3A002, altele decât cele descrise de la 3A001.a.3. până la 3A001.a.10. sau 3A001.a.12., care sunt special concepute pentru, sau care au aceleași caracteristici funcționale cu alt echipament, este determinat de statutul de control al celuilalt echipament.
Note 2:The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. or 3A001.a.12. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
Nota 2:Statutul de control al circuitelor integrate descrise de la 3A.001.a.3. până la 3A001.a.9. sau 3A001.a.12., care sunt programate cu funcție fixă sau concepute pentru o funcție specifică pentru un alt echipament, este determinat de statutul de control al celuilalt echipament.
N.B.:When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9. and 3A001.a.12.
N.B.:Atunci când producătorul sau solicitantul licenței nu poate să stabilească statutul de control al acelui echipament, statutul de control al circuitelor integrate este determinat de la 3A001.a.3. până la 3A001.a.9. și 3A001.a.12.
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Componente electronice și componentele special concepute pentru acestea, după cum urmează:
General purpose integrated circuits, as follows:
Circuite integrate pentru utilizări generale, după cum urmează:
Note 1:The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
Nota 1:Statutul de control al plachetelor (finisate sau nefinisate), a căror funcție a fost determinată, urmează a fi evaluat conform parametrilor de la 3A001.a.
Note 2:Integrated circuits include the following types:
Nota 2:Circuitele integrate includ următoarele tipuri:
"Monolithic integrated circuits";
„Circuite integrate monolitice”;
"Hybrid integrated circuits";
„Circuite integrate hibride”;
"Multichip integrated circuits";
„Circuite integrate multi-chip”;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
„Circuite integrate de tip peliculă”, inclusiv circuite integrate cu siliciu pe safir;
"Optical integrated circuits".
„Circuite integrate optice”.
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
Circuite integrate concepute sau clasificate ca rezistente la radiații, care suportă oricare din următoarele:
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
O doză totală de 5 × 103 Gy (siliciu) sau mai mare;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
O doză debit de 5 × 106 Gy (siliciu)/s sau mai mare; sau
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
O fluență (flux integrat) de neutroni (echivalent 1 MeV) de 5 x 1013 n/cm2 sau mai ridicată pe siliciu sau echivalentul său pentru alte materiale.
Note:3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Notă:3A001.a.1.c. nu se aplică pentru metal – izolator – semiconductor (MIS).
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
„Microcircuite microprocesor”, „microcircuite microcalculator”, microcircuite microcontroler, circuite integrate de memorare fabricate dintr-un semiconductor compus, convertoare analog-digitale, convertoare digital-analogice, circuite electro-optice sau „circuite optice integrate” concepute pentru „prelucrarea semnalelor”, rețele logice de porți programabile, circuite integrate personalizate pentru care fie funcția este necunoscută, fie statutul de control al echipamentului în care vor fi folosite circuitele integrate respective este necunoscut, procesoare pentru transformata Fourier rapidă (FFT), memorii programabile numai pentru citit (read-only), cu ștergere electrică (EEPROM), memorii flash sau memorii statice cu acces aleator (SRAM), având una din următoarele caracteristici:
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
Destinate pentru funcționare la temperaturi ambiante peste 398 K (125 °C);
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (–55 °C); or
Destinate pentru funcționare la temperatura ambiantă sub 218 K (–55 °C); sau
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (–55 °C) to 398 K (125 °C);
Destinate pentru funcționare în întreaga gamă de temperaturi ambiante de la 218 K (55 °C) la 398 K (125 °C);
Note:3A001.a.2. does not apply to integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
Notă:3A001.a.2. nu se aplică circuitelor integrate destinate aplicațiilor civile pentru autovehicule sau locomotive de cale ferată.
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
„Microcircuite microprocesor”, „microcircuite microcalculator” și microcircuite microcontroler, fabricate dintr-un semiconductor compus și care operează la o frecvență de tact ce depășește 40 MHz;
Note:3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
Notă:3A001.a.3. include procesoare digitale de semnal, procesoare matriciale digitale și coprocesoare digitale.
Storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor;
Circuite integrate de memorare fabricate dintr-un semiconductor compus;
Analogue-to-digital and digital-to-analogue converter integrated circuits, as follows:
Circuite integrate convertoare analog-digitale și digital-analogice, după cum urmează:
Analogue-to-digital converters having any of the following:
Convertoare analog-digitale, care au oricare din următoarele:
ALSO 3A101
SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A101.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
O rezoluție de 8 biți sau mai mare, dar mai mică de 10 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 500 milioane de cuvinte pe secundă;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
O rezoluție de 10 biți sau mai mare, dar mai mică de 12 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 200 milioane de cuvinte pe secundă;
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 105 million words per second;
O rezoluție de 12 biți cu o viteză de ieșire mai mare de 105 milioane de cuvinte pe secundă;
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 10 million words per second; or
O rezoluție mai mare de 12 biți, mai mică de sau egală cu 14 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 10 milioane de cuvinte pe secundă; sau
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 2,5 million words per second;
O rezoluție mai mare de 14 biți cu o viteză de ieșire mai mare de 2,5 milioane de cuvinte pe secundă;
Digital-to-analogue converters with a resolution of 12 bit or more and a "settling time" of less than 10 ns;
Convertoare digital-analogice cu o „rezoluție” de 12 biți sau mai mare și un „timp de setare” mai mic de 10 ns;
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
O rezoluție de n biți corespunde unei cuantificări de 2n niveluri.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the analogue-to-digital converter.
Numărul de biți în cuvântul de ieșire este egal cu rezoluția convertorului analog-digital.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Debitul de ieșire este debitul maxim de ieșire al convertorului, independent de arhitectură sau supraeșantionare.
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Vânzătorii pot să descrie debitul de ieșire ca rată de eșantionare, rată de conversie ori debitul continuu.
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Acesta este adesea specificat în megahertzi (MHz) sau megaeșantioane pe secundă (MSPS).
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Pentru măsurarea debitului de ieșire, un cuvânt la ieșire pe secundă este echivalent cu un Hertz sau un eșantion pe secundă.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
Circuite integrate electro-optice și „circuite integrate optice”, concepute pentru „prelucrarea digitală a semnalelor”și având toate caracteristicile următoare:
One or more than one internal "laser" diode;
Una sau mai multe diode „laser” interne;
One or more than one internal light detecting element; and
Unul sau mai multe elemente interne de detectare a luminii; și
Optical waveguides;
Ghiduri de undă optice;
’Field programmable logic devices’ having any of the following:
’Dispozitivele logice programabile de utilizator’ având oricare din următoarele caracteristici:
A maximum number of digital input/outputs greater than 200; or
Un număr maxim de intrări/ieșiri numerice mai mare de 200 sau
A system gate count of greater than 230000;
Un sistem de porți de numărare mai mare de 230000;
Note:3A001.a.7. includes:
Notă:3A001.a.7. include:
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Dispozitive logice simple programabile (SPLD),
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Dispozitive logice complexe programabile (CPLD),
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
Rețele de porți programabile de utilizator (FPGA),
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
Rețele logice programabile de utilizator (FPLA),
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Interconexiuni programabilede utilizator (FPIC).
’Field programmable logic devices’ are also known as field programmable gate or field programmable logic arrays.
’Dispozitivele logice programabile de utilizator’ sunt, de asemenea, cunoscute ca rețele de porți programabile de utilizator sau rețele logice programabile de utilizator.
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
Numărul maxim de intrări/ieșiri numerice de la 3A001.a.7.a. este menționat, de asemenea, ca numărul maxim de intrări/ieșiri configurate de utilizator sau numărul maxim de intrări/ieșiri disponibile, atât în cazul în care circuitul integrat este ambalat cât și în cazul în care nu este ambalat.
Neural network integrated circuits;
Circuite integrate pentru rețele de tip neural;
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
Circuite integrate executate la comandă pentru care funcția este necunoscută sau statutul de control al echipamentului în care vor fi folosite circuitele integrate respective este necunoscut fabricantului, având oricare din următoarele caracteristici:
More than 1500 terminals;
Mai mult de 1500 ieșiri;
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
Un „interval de întârziere a propagării pe poarta de bază” tipic mai mic de 0,02 ns; sau
An operating frequency exceeding 3 GHz;
O frecvență de funcționare mai mare de 3 GHz;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Circuite integrate digitale, altele decât cele descrise de la 3A001.a.3. la 3A001.a.10. și 3A001.a.12, bazate pe oricare semiconductor compus și având oricare din următoarele caracteristici:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
Un număr de porți echivalente mai mare de 3000 (porți cu 2 intrări); sau
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
O frecvență de basculare mai mare de 1,2 GHz;
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N) /20480 ms, where N is the number of points;
Procesoare pentru transformata Fourier rapidă (FFT) care au o durată de execuție nominală pentru o transformată Fourier rapidă cu N puncte complexe mai mică de (N log2 N)/20480 ms, unde N este numărul de puncte;
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 µs.
Atunci când N este egal cu 1024 puncte, formula de la 3A001.a.12. dă o durată de execuție de 500 μs.
Microwave or millimetre wave components, as follows:
Dispozitive pentru microunde și unde milimetrice, după cum urmează:
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
Tuburi electronice cu vid și catozi, după cum urmează:
Note 1:3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Nota 1:3A001.b.1. nu supune controlului tuburile concepute sau destinate să funcționeze în orice bandă de frecvență având toate caracteristicile următoare:
Does not exceed 31,8 GHz; and
Nu depășește 31,8 GHz; și
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
Este „alocată de UIT” pentru servicii de radiocomunicații, dar nu pentru radioreperare.
Note 2:3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
Nota 2:3A001.b.1. nu supune controlului tuburile care nu sunt „calificate pentru utilizări spațiale”având toate caracteristicile următoare:
An average output power equal to or less than 50 W; and
O putere medie de ieșire egală cu 50 W sau mai mică; și
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
Concepute sau destinate pentru o funcționare în orice bandă de frecvență având toate caracteristicile următoare:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
Depășește 31,8 GHz dar nu depășește 43,5 GHz; și
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
Tuburi cu undă progresivă, cu undă continuă sau pulsatorie, după cum urmează:
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Tuburi care funcționează la frecvențe mai mari de 31,8 GHz;
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
Tuburi care au un element de încălzire a catodului cu un timp de creștere până la puterea nominală RF, mai mic de 3 secunde;
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
Tuburi cu cavități cuplate sau derivați ale acestora, cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 7 % sau cu o „putere la vârf” depășind 2,5 kW;
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
Tuburi elicoidale sau derivatele acestora, având oricare din următoarele caracteristici:
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
O „lățime de bandă instantanee” mai mare de o octavă, și puterea medie (exprimată în kW) multiplicată cu frecvența (exprimată în GHz) mai mare de 0,5;
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
O „lățime de bandă instantanee” de o octavă sau mai mică și puterea medie (exprimată în kW) multiplicată cu frecvența (exprimată în GHz) mai mare de 1; sau
Being "space-qualified";
Destinate „utilizărilor spațiale”;
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
Tuburi amplificatoare cu câmp transversal cu un câștig mai mare de 17 dB;
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Catozi impregnați concepuți pentru tuburi electronice care produc o densitate de curent a emisiei continue în condiții de funcționare nominale, ce depășește 5 A/cm2;
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers having any of the following:
„Circuite integrate monolitice” amplificatoare de putere pentru microunde (MMIC), având oricare din următoarele caracteristici:
Rated for operation at frequencies exceeding 3,2 GHz up to and including 6 GHz and with an average output power greater than 4W (36 dBm) with a "fractional bandwidth" greater than 15 %;
Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 3,2 GHz până la 6 GHz inclusiv și cu putere medie de ieșire mai mare de 4W (36 dBm) cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 15 %;