natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
’Nem felejtő memória’: az áramkimaradást követően adott időtartamon belül adatmegőrző funkcióval rendelkező memória.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
„Mikroprocesszor mikroáramkörök”, „mikroszámítógép mikroáramkörök” és mikrovezérlő mikroáramkörök, amelyek vegyes félvezetőből készültek, és 40 MHz-et meghaladó órajel frekvencián működnek;
"Technology" for depositing diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
A 3A001.a.3 pont magában foglalja a digitális jelfeldolgozókat, a digitális tömbprocesszorokat és a digitális társprocesszorokat.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Analóg-digitális (AD) és digitális-analóg (DA) átalakító integrált áramkörök, az alábbiak szerint:
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
a.
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
AD átalakítók, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
TABLE - DEPOSITION TECHNIQUES - TECHNICAL NOTE
LÁSD MÉG: 3A101
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
felbontásuk legalább 8 bit, de 10 bitnél kevesebb, 1,3 giga minta/másodpercnél (GSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”;
a.
felbontásuk legalább 10 bit, de 12 bitnél kevesebb, 600 mega minta/másodpercnél (MSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”;
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
felbontásuk legalább 12 bit, de 14 bitnél kevesebb, 400 mega minta/másodpercnél (MSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”;
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
felbontásuk legalább 14 bit, de 16 bitnél kevesebb, 250 mega minta/másodpercnél (MSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”; vagy
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
felbontásuk legalább 16 bit, legalább 65 MSPS-nél nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”;
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
Az analóg-digitális átalakítókat tartalmazó és digitális adatokat tároló vagy feldolgozó integrált áramköröket illetően ld. a 3A001.a.14. pontot.
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Az „n” bit felbontás a 2n szintű kvantálásra vonatkozik.
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
Az AD átalakítók felbontása a mért analóg inputot képviselő digitális kimenet bitjeinek száma.
b.
A bitek tényleges számát (ENOB) nem használják az AD átalakítók felbontásának meghatározásához.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
„Többcsatornás AD átalakítók” esetében a „mintabeviteli gyakoriságok” nem adódnak össze, és a „mintabeviteli gyakoriság” az egyes csatornák bármelyikének maximális mintavételi aránya.
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
„Közvetett AD átalakítók” vagy olyan „többcsatornás AD átalakítók” esetében, amelyek leírásuk szerint szektorfésüléses (interleaved) móddal is rendelkeznek, a „mintabeviteli gyakoriságok” összeadódnak, és a „mintabeviteli gyakoriság” nem más, mint az összes szektorfésüléses csatorna maximális összevont összteljesítménye.
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
b. digitális-analóg (DA) átalakítók, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
felbontásuk legalább 10 bit, legalább 3500 MS/s-nál nagyobb „kiigazított adatfrissítési gyakoriság” mellett; vagy
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
felbontásuk legalább 12 bit, legalább 1250 MS/s „kiigazított adatfrissítési gyakoriság” mellett, és rendelkeznek az alábbi jellemzők valamelyikével:
Specific TE-PVD processes are as follows:
a.
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
9 ns-nél alacsonyabb beállási idő a digitális bemenetben történő változástól a kimeneti végérték 0,024 %-os hibasávon belüli eléréséig; vagy
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
b.
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
100 MHz-es teljes kivezérlésű analóg jel vagy 100 MHz alatt meghatározott legmagasabb teljes kivezérlésű analógjel-frekvencia szintetizálásakor 68 dBc-nél (ahol c = carrier, vivő) nagyobb ’Torzítás feletti dinamikatartomány’ (SFDR).
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
’Torzítás feletti dinamikatartomány’ (SFDR, Spurious Free Dynamic Range): A kimeneti jel legnagyobb teljesítményű zavarjel-komponensének vagy harmonikus torzítási komponensének négyzetes átlagértéke (RMS), a bemeneti vivőfrekvencia (legnagyobb frekvenciájú jelkomponensének) négyzetes átlagértéke (RMS) arányában.
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Az SFDR közvetlenül a specifikációs táblázat alapján vagy az SFDR és a frekvencia összefüggését ábrázoló karakterizációs plot függvényekből határozható meg.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
A jel akkor minősül teljes kivezérlésűnek, ha amplitudója meghaladja a -3 dBfs (ahol fs=full scale, kivezérlési tartomány).
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
’Kiigazított adatfrissítési gyakoriság’ DA átalakítók esetében:
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
A hagyományos (nem interpoláló) DA átalakítók esetében a ’kiigazított adatfrissítési gyakoriság’ az a teljesítmény-frekvencia, amellyel a DA átalakító a digitális jelet analóg jellé alakítja, illetve a kimeneti analóg értékeket átváltja.
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
Azok a DA átalakítók, amelyeknél az interpolációs üzemmód kiiktatható (az interpolációs faktor eggyel egyenlő), hagyományos (nem interpoláló) DA átalakítónak tekintendők.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
Interpoláló (túlmintavételező) DA átalakítók esetében a ’kiigazított adatfrissítési gyakoriság’ a DA átalakító adatfrissítési gyakoriságának és a legkisebb interpolációs faktornak a hányadosa.
c.
Interpoláló DA átalakítók esetében a ’kiigazított adatfrissítési gyakoriság’-ra más formában is történhet utalás, így például az alábbi kifejezésekkel:
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
adatbeviteli gyakoriság
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
szóbeviteli gyakoriság
An activator (normally a halide salt); and
mintabeviteli gyakoriság
An inert powder, most frequently alumina.
maximális összesített beviteli busz teljesítmény
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
a DAC maximális órajel-gyakorisága az órajel-bevitel során.
d.
„Jelfeldolgozáshoz” tervezett elektro-optikai és „optikai integrált áramkörök”, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
a. egy vagy több belső „lézer”dióda;
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
b. egy vagy több belső fényérzékelő elem; és
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
c. optikai hullámvezetők;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
felhasználó által programozható logikai eszközök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
e.
a. az egyvégű digitális bemenetek/kimenetek maximális száma nagyobb mint 700; vagy
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
b. a ’soros adó-vevő legnagyobb összesített egyirányú adatsebessége’ 500 Gb/s vagy nagyobb;
f.
A 3A001.a.7 pont magában foglalja az alábbiakat:
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
komplex programozható logikai eszközök (CPLD)
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
felhasználó által programozható kapu tömbök (FPGA)
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
felhasználó által programozható logikai tömbök (FPLA)
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
felhasználó által programozható összekapcsolók (FPIC)
g.
A felhasználó által programozható logikai eszközökkel rendelkező, analóg-digitális átalakítóval kombinált integrált áramköröket illetően ld. a 3A001.a.14. pontot.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
A digitális bemenetek/kimenetek 3A001.a.7.a. pontban említett maximális számára maximális felhasználói bemenetként/kimenetként vagy maximálisan rendelkezésre álló bemenetként/kimenetként is szoktak hivatkozni, attól függően, hogy az integrált áramkör tokozott áramkör-e vagy pedig tokozatlan áramkör.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
’A soros adó-vevő legnagyobb összesített egyirányú adatsebessége’ a soros adó-vevő legnagyobb egyirányú adatsebességének és az FPGA-hoz csatlakozó adó-vevők számának a szorzata.
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
neurális hálózati integrált áramkörök;
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14., which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
egyedi integrált áramkörök, melyeknél vagy a funkció ismeretlen, vagy az integrált áramkört felhasználó berendezés ellenőrzési státusa a gyártó számára ismeretlen, és amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., or 3A001.a.12. to 3A001.a.14. which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
a. több mint 1500 terminál;
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., and 3A001.a.12. to 3A001.a.14.
b. a tipikus „alapkapu-késleltetési idő” kevesebb, mint 0,02 ns; vagy
Electronic items as follows:
c. az üzemi frekvencia meghaladja a 3 GHz-et;
a.
bármely vegyes félvezetőn alapuló, a 3A001.a.3–3A001.a.10. és a 3A001.a.12. pont alatt meghatározottaktól eltérő digitális integrált áramkörök, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
General purpose integrated circuits, as follows:
a. az ekvivalens kapuszám meghaladja a 3000-et (2 bemeneti kapu); vagy
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
b. az átbillenési frekvencia meghaladja az 1,2 GHz-et;
Integrated circuits include the following types:
gyors Fourier Transzformáló (FFT) processzorok, amelyek minősített végrehajtási ideje egy N-pontú komplex FTT-re kisebb mint (N log2 N)/20 480 ms, ahol N a pontok száma;
"Monolithic integrated circuits";
Ha N=1024 pont, a 3A001.a.12. szerinti képlettel számítva a végrehajtási idő kevesebb, mint 500 μs;
"Hybrid integrated circuits";
közvetlen digitális szintetizátor (DDS) integrált áramkörök, amelyek rendelkeznek az alábbiak valamelyikével:
"Multichip integrated circuits";
a. digitális-analóg (DAC) átalakító-óra frekvenciája 3,5 GHz vagy annál nagyobb, a DAC-felbontás pedig 10 bit vagy annál nagyobb, de 12 bitnél kevesebb; vagy
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
b. a DAC-óra frekvenciája 1,25 GHz vagy nagyobb, a DAC-felbontás pedig 12 bit vagy nagyobb;
"Optical integrated circuits";
A DAC frekvenciáját főóra frekvenciaként vagy bemenetióra-frekvenciaként is meg lehet határozni.
"Three dimensional integrated circuits";
Olyan integrált áramkörök, amelyek képesek a következők mindegyikét végrehajtani vagy azok végrehajtására programozhatók:
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
a. analóg-digitális átalakítások, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
felbontásuk legalább 8 bit, de 10 bitnél kevesebb, 1,3 giga minta/másodpercnél (GSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”;
a.
felbontásuk legalább 10 bit, de 12 bitnél kevesebb, 1,0 giga minta/másodpercnél (GSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”;
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
felbontásuk legalább 12 bit, de 14 bitnél kevesebb, 1,0 giga minta/másodpercnél (GSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”;
b.
felbontásuk legalább 14 bit, de 16 bitnél kevesebb, 400 mega minta/másodpercnél (MSPS) nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”; vagy
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
felbontásuk legalább 16 bit, legalább 180 MSPS-nél nagyobb „mintabeviteli gyakorisággal”; és
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Az alábbiak bármelyike:
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
a digitalizált adatok tárolása; vagy
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Static Random-Access Memories (SRAMs), or 'non-volatile memories', having any of the following:
a digitalizált adatok feldolgozása;
a.
Az analóg-digitális átalakítóval rendelkező integrált áramköröket illetően ld. a 3A001.a.5.a. pontot.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
A felhasználó által programozható logikai eszközöket illetően ld. a 3A001.a.7. pontot.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
Az „n” bit felbontás a 2n szintű kvantálásra vonatkozik.
c.
Az AD átalakítók felbontása a mért analóg inputot képviselő AD átalakító digitális kimeneti bitjeinek száma.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
A nem szektorfésüléses „többcsatornás AD átalakítókkal” rendelkező integrált áramkörök esetében a „mintabeviteli gyakoriságok” nem adódnak össze, és a „mintabeviteli gyakoriság” az egyes csatornák bármelyikének maximális mintavételi aránya.
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
A „közvetett AD átalakítókkal” vagy olyan „többcsatornás AD átalakítókkal” rendelkező integrált áramkörök esetében, amelyek leírásuk szerint szektorfésüléses (interleaved) móddal is rendelkeznek, a „mintabeviteli gyakoriságok” összeadódnak, és a „mintabeviteli gyakoriság” nem más, mint az összes szektorfésüléses csatorna maximális összevont összteljesítménye.
'Non-volatile memories' are memories with data retention over a period of time after a power shutdown.
b. mikrohullámú vagy milliméteres hullámú termékek, az alábbiak szerint;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
A 3A001.b. alpont alkalmazásában a termékek adatlapjain a maximális kimeneti telítési teljesítmény paraméter kimenőteljesítményként, kimeneti telítési teljesítményként, maximális kimenőteljesítményként, kimenő csúcsteljesítményként vagy modulációs csúcsteljesítményként is szerepelhet.
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
A 3A001.b.1. pont alkalmazásában a ’vákuum elektronikus eszközök’ olyan elektronikus eszközök, amelyek az elektronsugár és vákuum áramkörben terjedő elektromágneses hullám, illetve az elektronsugár és rádiófrekvenciás vákuuműr-rezonátorok interakcióján alapul.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
A ’vákuum elektronikus eszközök’ magukban foglalják a klisztronokat, a haladóhullámú csöveket és származékaikat.
a.
’Vákuum elektronikus eszközök’ és katódok az alábbiak szerint:
ADCs having any of the following:
A 3A001.b.1. pont nem vonja ellenőrzés alá az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített ’vákuum elektronikus eszközöket’:
SEE ALSO 3A101
nem haladja meg a 31,8 GHz-et; és
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
az „ITU által” rádió-kommunikációs szolgáltatóknak, de nem rádió-meghatározásra „kiosztott”.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 600 Mega Samples Per Second (MSPS);
A 3A001.b.1. pont nem vonja ellenőrzés alá a nem „űrminősítésű”, és az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező ’vákuum elektronikus eszközöket’:
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 400 MSPS;
átlagos kimeneti teljesítménye legfeljebb 50 W; és
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 250 MSPS; or
az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített csöveket:
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 65 MSPS;
nagyobb mint 31,8 GHz, de nem haladja meg a 43,5 GHz-et; és
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
a. impulzusüzemre vagy folyamatos hullámüzemre szánt haladó hullámú „vákuum elektronikus eszközök”, az alábbiak szerint:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
31,8 GHz-nél magasabb frekvencián üzemelő eszközök;
The resolution of the ADC is the number of bits of the digital output that represents the measured analogue input.
katód fűtővel rendelkező eszközök, amelyek esetében a névleges RF teljesítmény elérésének ideje kevesebb, mint 3 másodperc;
Effective Number of Bits (ENOB) is not used to determine the resolution of the ADC.
csatolt üregeszközök, vagy származékaik, melyek „relatív sávszélessége” meghaladja a 7 %-ot, vagy amelyek csúcsteljesítménye több, mint 2,5 kW;
For "multiple channel ADCs", the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single channel.
spirális, hajlított vagy szerpentines hullámvezetős áramkörön alapuló eszközök vagy azok származékai, amelyek az alábbi jellemzők bármelyikével:
For "interleaved ADCs" or for "multiple channel ADCs" that are specified to have an interleaved mode of operation, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all of the interleaved channels.
a.
b.
A „pillanatnyi sávszélesség” több, mint egy oktáv, az átlagos teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata nagyobb, mint 0,5;
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
b.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
A „pillanatnyi sávszélesség” legfeljebb egy oktáv, az átlagos kimenő teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata pedig nagyobb 1-nél;
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
c. „űrminősítésű”; vagy
a.
d. rácsozott elektronágyúval rendelkezik;
A settling time less than 9 ns to arrive at or within 0,024 % of full scale from a full scale step; or
10 %-nál nagyobb „relatív sávszélességgel” és az alábbiak valamelyikével rendelkező eszközök:
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Gyűrűs elektronsugár;
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
b.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
A tengellyel nem szimmetrikus elektronsugár; vagy