natgillin/translations-raw huggingface dataset:
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
A 3A228 magában foglalja a gázkritron- és a vákuumspritron-csöveket is.
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
b. kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek az alábbi mindkét jellemzővel:
"Signal analysers" having all of the following:
15 μs vagy annál kisebb anód-késleltetési idő; és
a.
500 A vagy nagyobb névleges csúcsáramerősség;
'Real-time bandwidth' exceeding 170 MHz; and
c. a 3A001.g. vagy a 3A001.h. pontban meghatározottaktól eltérő, gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less; or
2 kV-nél nagyobb névleges anód csúcsfeszültség;
A 'frequency mask trigger' function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
névleges anód-csúcsáramerősség 500 A vagy annál nagyobb; és
'Real-time bandwidth' is the widest frequency range for which the analyser can continuously transform time-domain data entirely into frequency-domain results, using a Fourier or other discrete time transform that processes every incoming time point, without a reduction of measured amplitude of more than 3 dB below the actual signal amplitude caused by gaps or windowing effects, while outputting or displaying the transformed data.
1 μs vagy annál kisebb kapcsolási idő.
Probability of discovery in 3A002.c.4.b.1. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
Nagy áramerősségű impulzusgenerátorok, az alábbiak szerint:
For the purposes of 3A002.c.4.b.1., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
a. az 1A007.a. pont alatt meghatározottaktól eltérő, az 1A007.b. pont alatt meghatározott többszörös irányítású detonátor meghajtásához tervezett detonátor gyújtóegységek (indítórendszerek, tűzegységek), ideértve elektromos, a robbanó detonátoros és optikai vezérlésű gyújtóegységeket is;
A 'frequency mask trigger' is a mechanism where the trigger function is able to select a frequency range to be triggered on as a subset of the acquisition bandwidth while ignoring other signals that may also be present within the same acquisition bandwidth.
b. moduláris elektromos impulzusgenerátorok (impulzusadó), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
A 'frequency mask trigger' may contain more than one independent set of limits.
hordozható, mobil, vagy rezgésálló kivitelben készültek;
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
képesek energiájukat 15 μs-nál rövidebb idő alatt leadni 40 Ohmnál kisebb terhelésre;
d.
kimeneti áramerősségük nagyobb, mint 100 A;
Signal generators having any of the following:
egyetlen méretük sem haladja meg a 30 cm-t;
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
tömegük kisebb, mint 30 kg; és
a.
Szélsőséges hőmérsékleti viszonyok – 223 K-től (– 50 °C) 373 K-ig (100 °C-ig) – közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
A 3A229.b. a xenon villanólámpa meghajtókat is magában foglalja.
b.
c. mikro-gyújtóegységek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
kapacitásuk legalább 100 μF.
b.
Nagy sebességű impulzusgenerátorok és azokhoz való ’impulzusfejek’, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
a.
d.
55 ohmnál kisebb rezisztív terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség; és
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
b.
e.
Az ’impulzus felfutási idő’ 500 ps-nél kevesebb.
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
A 3A230 szerinti ’impulzus felfutási idő’ az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
Az ’impulzusfejek’ olyan impulzusalakító hálózatok, amelyeket arra terveztek, hogy feszültséglépcső-funkciót tegyenek lehetővé, és hogy azt különféle impulzusformákká (négyszög, háromszög, lépés, impulzus, exponenciális vagy egyciklusú típusok) alakítsák át.
a.
Az ’impulzusfejek’ képezhetik az impulzusgenerátorok szerves részét, lehetnek az eszközhöz tartozó plug-in modulok, vagy pedig kívülről is lehet őket csatlakoztatni az eszközhöz.
Less (better) than -(126 + 20log10F - 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
Neutrongenerátor-rendszerek, beleértve a csöveket is, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
b.
a. külső vákuumrendszer nélküli üzemelésre tervezték; és
Less (better) than -(206- 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz< F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
b. az alábbiak bármelyikét hasznosítják:
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
a trícium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítás alkalmazásával idézik elő; vagy
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
a deutérium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítással idézik elő, és 3 × 10 9 neutron/s vagy nagyobb output kapacitásra képesek.
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
Az 1A007. pontban meghatározottól eltérő, többpontos indítórendszerek, az alábbiak szerint:
3A002.d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
A detonátorok tekintetében lásd az 1A007.b. pontot.
The maximum frequency of an arbitrary waveform or function generator is calculated by dividing the sample rate, in samples/second, by a factor of 2,5.
b. egyszeres vagy többszörös detonátorral működő rendszerek, amelyeket arra terveztek, hogy egyetlen tűzjelre közel egyidejűleg iniciáljanak 5000 mm2-nél nagyobb területen robbanási felületet úgy, hogy a berobbantás idejének átfutása a felületen kevesebb, mint 2,5 μs.
For the purposes of 3A002.d.1.a, 'pulse duration' is defined as the time interval from the point on the leading edge that is 50 % of the pulse amplitude to the point on the trailing edge that is 50 % of the pulse amplitude.
A 3A232. pont nem vonja ellenőrzés alá a csak primer robbanóanyagokat, pl. az ólomazidot alkalmazó detonátorokat.
e.
A 0B002.g. alpont alatt meghatározottaktól eltérő tömegspektrométerek, amelyek képesek 230 u vagy annál nagyobb tömegű ionok mérésére, és felbontóképességük jobb, mint 2 rész a 230-ban, valamint a hozzájuk tartozó ionforrások, az alábbiak szerint:
Network analysers having any of the following:
a. induktív csatolású plazma-tömegspektrométerek (ICP/MS);
An output power exceeding 31,62 mW (15 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
b. parázsfénykisüléses tömegspektrométerek (GDMS);
An output power exceeding 1 mW (0 dBm) anywhere within the operating frequency range exceeding 90 GHz but not exceeding 110 GHz;
c. hőionizációs tömegspektrométerek (TIMS);
'Nonlinear vector measurement functionality' at frequencies exceeding 50 GHz but not exceeding 110 GHz; or
d. elektronbombázásos tömegspektrométerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
'Nonlinear vector measurement functionality' is an instrument’s ability to analyse the test results of devices driven into the large-signal domain or the non-linear distortion range.
olyan molekulárissugár-bemeneti rendszer, amely analitmolekulák párhuzamos sugarát injektálja az ionforrás olyan környezetébe, ahol a molekulákat elektronsugárral ionizálják; és
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz;
egy vagy több, 193 K (– 80 °C) hőmérsékletre hűthető ’hidegcsapda’;
Microwave test receivers having all of the following:
Nem használt;
A maximum operating frequency exceeding 110 GHz; and
f. aktinidákkal, vagy aktinida-fluoridokkal történő működésre tervezett mikrofluorozó ionforrással ellátott tömegspektrométerek.
Being capable of measuring amplitude and phase simultaneously;
A 3A233.d. pontban szereplő elektronbombázásos tömegspektrométerek elektronbecsapódásos tömegspektrométerként vagy elektronionizációs tömegspektrométerként is ismertek.
g.
A 3A233.d.2. pontban szereplő ’hidegcsapda’ olyan eszköz, amely hideg felületen való kondenzálással vagy fagyasztással kapja el a gázmolekulákat.
Atomic frequency standards being any of the following:
A 3A233.d.2. pont alkalmazásában a zárt ciklusú héliumgázos kriogén vákuumszivattyú nem számít ’hidegcsapdának’.
"Space-qualified";
Szalagvezetékek, amelyek alacsony induktivitású útvonalat biztosítanak olyan detonátorokhoz, amelyeket:
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
a.
Non-"space-qualified" and having all of the following:
2 kV-nál nagyobb névleges feszültség; és
Being a rubidium standard;
Félvezető eszközök vagy anyagok gyártására szolgáló berendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
a.
c.
Epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint:
Total power consumption of less than 1 W;
minimum 75 mm-es távolságon ± 2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilíciumtól eltérő anyag rétegvastagság előállítására képes berendezés;
h.
A 3B001.a.1. pontba beletartozik az atomréteg-epitaxiához (Atomic Layer Epitaxy, ALE) használt berendezés is.
"Electronic assemblies", modules, or equipment, specified to perform all of the following:
fémorganikus gőzfázisú kémiai leválasztásra szolgáló (MOCVD) reaktorok, amelyeket az alumínium, gallium, indium, arzén, foszfor, antimon vagy nitrogén elemek közül kettőt vagy többet tartalmazó vegyület-félvezetők epitaxiás növesztésére terveztek;
Analogue-to-digital conversions meeting any of the following:
Gáz vagy szilárd forrásokat alkalmazó molekuláris sugár epitaxiális növesztő berendezés;
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with a "sample rate" greater than 1,3 Giga Samples Per Second (GSPS);
Ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
b.
20 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián – hidrogén, deutérium vagy hélium implantációk esetén pedig 10 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
közvetlen írási lehetőség;
c.
A hevített félvezető anyagú „egykristályba” (szubsztrátum) történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 keV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram; vagy
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with a "sample rate" greater than 1,0 GSPS;
20 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián – 600 °C-ra vagy magasabb hőmérsékletre hevített félvezető anyagú „szubsztrátumba” implantált szilícium esetén pedig 10 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
A resolution of 14 bit or more but less than 16 bit, with a "sample rate" greater than 400 Mega Samples Per Second (MSPS); or
Automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
e.
A szeletek be- és kivitelére interfészeket használnak, amelyekhez több mint két funkcionálisan eltérő – a 3B001.a.1., a 3B001.a.2., a 3B001.a.3. vagy a 3B001.b. alpont alatt meghatározott – ’félvezető-feldolgozó eszköz’ csatlakoztatható; és
A resolution of 16 bit or more with a "sample rate" greater than 180 MSPS; and
’Szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás’ céljából, integrált rendszer vákuumkörnyezetben történő kialakítására tervezték;
a.
A 3B001.e. alpont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten párhuzamos szeletfeldolgozásra tervezett automata robot szeletkezelő rendszereket.
Output of digitized data;
A 3B001.e. alpont alkalmazásában a ’félvezető-feldolgozó eszköz’ olyan moduláris eszközre vonatkozik, amely a félvezető-előállítás során funkcionálisan eltérő fizikai folyamatokat biztosít, mint pl. a depozíció, beültetés és hőkezelés.
b.
A 3B001.e. alpont alkalmazásában a ’szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás’ azt jelenti, hogy az egyes szeleteket különböző ’félvezető-feldolgozó eszközökkel’ tudják feldolgozni, például az automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek segítségével az egyes szeleteknek az egyik eszközből egy másik eszközbe, majd egy harmadik eszközbe történő áthelyezése révén.
Storage of digitized data; or
f. litográfiai berendezés, az alábbiak szerint:
c.
A fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
Processing of digitized data;
a. a fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 193 nm; vagy
Digital data recorders, oscilloscopes, "signal analysers", signal generators, network analysers and microwave test receivers, are specified in 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. and 3A002.f., respectively.
b.
For non-interleaved multiple-channel "electronic assemblies", modules, or equipment, the "sample rate" is not aggregated and the "sample rate" is the maximum rate of any single-channel.
Képes 45 nm, vagy annál kisebb ’minimális felbontási méretű’ (MRF) minta létrehozására.
For interleaved channels on multiple-channel "electronic assemblies", modules, or equipment, the "sample rates" are aggregated and the "sample rate" is the maximum combined total rate of all the interleaved channels.
A ’minimális felbontási méret’ (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
3A002.h. includes ADC cards, waveform digitizers, data acquisition cards, signal acquisition boards and transient recorders.
ahol a „K” faktor = 0,35
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
45 nm vagy annál kisebb felbontási méretű minta létrehozására képes imprinting litográfiai berendezés;
Electronic equipment, devices and components, other than those specified in 3A001, as follows:
A 3B001.f.2. pont magában foglalja az alábbiakat:
a.
mikrokontaktus-nyomtatók
Analogue-to-digital converters, usable in "missiles", designed to meet military specifications for ruggedized equipment;
forró dombornyomásra szolgáló eszközök
b.
nano-imprinting litográfiai eszközök
Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
Step and Flesh imprinting litográfiai (S-FIL) eszközök
3A101.b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
kifejezetten maszkkészítésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbiak mindegyikével:
'Thermal batteries' designed or modified for 'missiles'.
a. eltérített fókuszált elektronsugár, ionsugár, vagy „lézersugár”; és
In 3A102 'thermal batteries' are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
a félértékszélességű sugárpont mérete kisebb mint 65 nm és a képelhelyezés kisebb mint 17 nm (számtani közép + 3 szigma); vagy
These batteries incorporate a pyrolytic material that, when ignited, melts the electrolyte and activates the battery.
a maszkon a második rétegi átfedési hibája kisebb mint 23 nm (számtani közép + 3 szigma);
In 3A102 'missile' means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
eszköz gyártására tervezett berendezés, amely közvetlen írásos módszert alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows;
a. eltérített fókuszált elektronsugár; és
a.
a sugár minimális mérete 15 nm vagy annál kisebb; vagy
Capacitors having either of the following sets of characteristics:
az átfedési hiba kisebb mint 27 nm (számtani közép + 3 szigma);
a.
g. a 3A001 pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett maszkok és hajszálvonalas lemezek;
Voltage rating greater than 1,4 kV;
h. a 3B001.g. alpont alatt nem meg nem határozott fáziseltolásos réteggel, valamint az alábbiak bármelyikével rendelkező többrétegű maszkok:
b.
7 nm/cm-nél kevesebb kettős töréssel rendelkezőként meghatározott üvegből készült maszk „nyersalaplemezre” készültek; vagy
Energy storage greater than 10 J;
olyan litográfiai berendezésekhez tervezték, amelyek fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 245 nm;
c.
A 3B001.h. alpont nem vonja ellenőrzés alá azokat a fáziseltolásos rétegekkel ellátott többrétegű maszkokat, amelyeket a 3A001. pontban meg nem határozott memóriaeszközök gyártására terveztek.
Capacitance greater than 0,5 μF; and
i. a 3A001. pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett imprinting litográfiai sablonok.
d.
j. molibdént és szilíciumot tartalmazó többrétegű fényvisszaverő szerkezettel rendelkező maszk „nyersalaplemezek”, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Series inductance less than 50 nH; or
kifejezetten az ’extrém ultraibolya’ (’EUV’) litográfiához tervezték; és
a.
megfelelnek a SEMI P37 szabványnak.
Voltage rating greater than 750 V;
Az’extrém ultraibolya’ (’EUV’) 5 nm-nél nagyobb és 124 nm-nél kisebb elektromágneses spektrumhullámhosszt jelent.
Capacitance greater than 0,25 μF; and
a. a 3A001.b.3. pontban meghatározott elemek S-paramétereinek tesztelése céljából;
c.
c. a 3A001.b.2. pontban meghatározott elemek tesztelése céljából;
Series inductance less than 10 nH;
Több réteget tartalmazó hetero-epitaxiális anyagok, amelyeket a következő rétegek bármelyikéből epitaxiálisan növesztett „szubsztrátumokból” állnak:
b.
a. szilícium (Si);
Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
b. germánium (Ge);
Capable of creating magnetic fields greater than 2 T;
c. szilíciumkarbid (SiC); vagy
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
d. „III/V gallium- vagy indiumvegyületek”.
Inner diameter greater than 300 mm; and
A 3C001.d. alpont nem vonja ellenőrzés alá az egy vagy több – az elemek sorrendjétől függetlenül –GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP vagy InGaAlP P-típusú epitaxiális réteggel rendelkező „alaplemezeket”, kivéve, ha a P-típusú epitaxiális réteg az N-típusú rétegek között helyezkedik el.
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
Védőréteg anyagok és az alábbi védőanyagokkal bevont „szubsztrátumok”:
3A201.b. does not control magnets specially designed for and exported 'as parts of' medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
a. védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten félvezető litográfiához igazítottak, az alábbiak szerint:
The phrase 'as part of' does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched 'as part of' the imaging systems.
pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 193 nm alatti, de legalább 15 nm hullámhosszúságon történő felhasználásra igazítottak ki (optimalizáltak);
c.
védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 15 nm alatti, de 1 nm-nél nagyobb hullámhosszúságon történő felhasználásra igazítottak ki (optimalizáltak);
Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
b.
a.
0,01 μcoulomb/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi olyan védőréteg anyag, amelyeket elektronsugárral vagy ionsugárral történő alkalmazásra terveztek;
An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
d. a felületi képalkotási technológiákhoz optimalizált összes védőréteg,
b.
e. valamennyi olyan védőanyag, amelyet a 3B001.f.2. pontban meghatározott olyan imprinting litográfiai berendezésekhez terveztek vagy optimalizáltak, amelyek termikus vagy fotokémiai eljárást alkalmaznak.
With a 'figure of merit' (K) of 0,25 or greater; or
Szerves-szervetlen vegyületek, az alábbiak szerint:
An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
Alumínium, gallium, vagy indium fémorganikus vegyületei 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (fémbázison);
A 'peak power' greater than 50 MW.
Szerves arzén-, antimon- vagy foszforvegyületek 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (szervetlen elem bázison).
3A201.c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes.
A 3C003 pont csak azokat a vegyületeket vonja ellenőrzés alá, amelyek fémes, részben fémes és nemfémes eleme közvetlenül kapcsolódik a molekula szerves részében lévő szénatomhoz.
The 'figure of merit' K is defined as:
Foszfor-, arzén- vagy antimon-hidridek, melyek tisztasága még semleges gázokban, vagy hidrogénben oldva is nagyobb, mint 99,999 %.
K = 1,7 × 103V2,65Q
A 3C004. pont nem vonja ellenőrzés alá a semleges gázokat vagy hidrogént legalább 20 mólszázalék mennyiségben tartalmazó hidrideket.
V is the peak electron energy in million electron volts.
Nagy ellenállású anyagok az alábbiak szerint:
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
a.
If the accelerator beam pulse duration is greater than 1 μs, then Q is the maximum accelerated charge in 1 μs.
20 °C-on 10000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alumínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-gallium-nitrid (AlGaN) „szubsztrátumok”, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
b.
'Peak power' = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
20 °C-on 10000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású polikristályos „szubsztrátumok” vagy polikristályos kerámia „szubsztrátumok”, amelyek legalább egy, nem epitaxiális szilíciumréteggel (Si), szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alumínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-gallium-nitrid (AlGaN) réteggel rendelkeznek a „szubsztrátum” felületén.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the bunched beam packet resulting from one microwave modulator pulse.
A 3C001. pontban nem szereplő anyagok, amelyek magukban foglalják a 3C005. pontban meghatározott „szubsztrátumot”, amely legalább egy epitaxiális szilícium-karbid, gallium-nitrid, alumínium-nitrid vagy alumínium-gallium-nitrid réteggel rendelkezik.
In machines based on microwave accelerating cavities, the peak beam current is the average current in the time duration of a bunched beam packet.
Kifejezetten a 3A001.b–3A002.h alpontban vagy a 3B. pontban meghatározott berendezések „kifejlesztésére” vagy „gyártására” tervezett „szoftver”.