natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Frequency changers or generators, other than those specified in 0B001.b.13., usable as a variable or fixed frequency motor drive, having all of the following characteristics:
Kifejezetten a 3B001.a.–f. alpontban, a 3B002. vagy a 3A225. pontban meghatározott berendezések „használatára” tervezett „szoftver”.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3D225.
Olyan, ’fizikán alapuló’ szimulációs „szoftver”, amelyet kifejezetten olyan litográfiai, maratási vagy leválasztási folyamatok „fejlesztésére” terveztek, amelyek segítségével a maszkmintákat a vezetőkön, a dielektrikumokon vagy a félvezető anyagon megjelenő specifikus topográfiai mintákká fordítják le.
"Technology" in the form of codes or keys to enhance or release the performance of a frequency changer or generator to meet the characteristics of 3A225 is specified in 3E225.
A 3D003. pont alkalmazásában a ’fizikán alapuló’ kifejezés számítások használatát jelenti, amelyek azt a célt szolgálják, hogy a fizikai tulajdonságok (pl.: hőmérséklet, nyomás, diffúziós állandó és félvezető anyagok tulajdonságai) alapján meghatározzanak egy ok-okozati viszonyban álló fizikai eseménysort.
a.
A félvezető eszközök vagy integrált áramkörök tervezéséhez kapcsolódó könyvtárakat, tervezési jellemzőket, illetve adatokat „technológiának” kell tekinteni.
Multiphase output providing a power of 40 VA or greater;
Kifejezetten a 3A003. pontban meghatározott berendezés „fejlesztésére” tervezett „szoftver”.
b.
Kifejezetten a 3A101.b. alpont alatt meghatározott berendezések „használatához” tervezett vagy átalakított „szoftver”.
Operating at a frequency of 600 Hz or more; and
A kifejezetten a frekvenciaváltó vagy generátorok teljesítményének – a 3A225. pont alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – fokozására vagy felszabadítására tervezett „szoftvert”.
c.
A 3A, 3B, vagy 3C pont által ellenőrzés alá vont berendezések vagy anyagok „kifejlesztésére” vagy „gyártására” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”;
Frequency control better (less) than 0,2 %.
A 3E001. pont nem vonja ellenőrzés alá a 3A003. pont alá tartozó berendezésre vagy alkatrészekre vonatkozó „technológiát”.
3A225 does not control frequency changers or generators if they have hardware, "software" or "technology" constraints that limit the performance to less than that specified above, provided they meet any of the following:
A 3E001. pont nem vonja ellenőrzés alá a 3A001.a.3–3A001.a.12. pont alatt meghatározott, a következő jellemzők mindegyikével rendelkező integrált áramkörökre vonatkozó „technológiát”:
They need to be returned to the original manufacturer to make the enhancements or release the constraints;
0,130 μm vagy a feletti „technológiát” alkalmaz; és
They require "software" as specified in 3D225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225; or
három vagy annál kevesebb fémrétegből álló többrétegű struktúrákat tartalmaznak.
They require "technology" in the form of keys or codes as specified in 3E225 to enhance or release the performance to meet the characteristics of 3A225.
A 3E001. pont nem vonja ellenőrzés alá a folyamattervezési készleteket (’Process Design Kits, PDK-k’), kivéve, ha a 3A001. pontban meghatározott elemeket illetően végrehajó funkciókat vagy technológiákat alkalmazó könyvtárakat tartalmaznak.
Frequency changers in 3A225 are also known as converters or inverters.
A folyamattervezési készlet (’Process Design Kit, PDK’) olyan, a félvezetőgyártó által biztosított szoftvereszköz, amely biztosítja, hogy az előírt tervezési gyakorlatokat és szabályokat egy speciális félvezető folyamatban egy speciális integrált áramkörterv sikeres előállítása érdekében, a technológiai és gyártási korlátoknak megfelelően figyelembe veszik (minden félvezető gyártási folyamat sajátos ’PDK’-val rendelkezik).
Frequency changers in 3A225 may be marketed as Generators, Electronic Test Equipment, AC Power Supplies, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs).
A 3E001. pontban meghatározottaktól eltérő, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia” olyan „mikroprocesszor mikroáramkörök”, „mikroszámítógép mikroáramkörök” és mikrovezérlő mikroáramkör mag „fejlesztésére” vagy „gyártására” szolgál, amelyek legalább 32 bites elérési szélességű aritmetikai logikai egységgel, valamint az alábbi jellemzők vagy tulajdonságok valamelyikével rendelkeznek:
High-power direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.6., having both of the following characteristics:
a. lebegőpontos vektorokon (32 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök) kettőnél több számítás párhuzamos elvégzésének céljára tervezett ’vektorprocesszor-egység’;
a.
A ’vektorprocesszor-egység’ a processzor olyan eleme, amelynek beépített utasításai szimultán módon több számítást végeznek el lebegőpontos vektorokon (32 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök), és legalább egy vektrális aritmetikai logikai egységgel és olyan vektorregiszterekkel rendelkeznek, amelyek egyenként legalább 32 elemből állnak.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
b. ciklusonként négynél több 64 bites vagy nagyobb lebegőpontos-művelet elvégzésére tervezték; vagy
b.
c. ciklusonként nyolcnál több 16 bites fixpont szorzás–összeadás művelet elvégzésére tervezték (pl. korábban digitális formátumúvá átalakított analóg információ digitális manipulációja, vagy más néven „digitális jelfeldolgozás”).
Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
A 3E002. pont nem vonja ellenőrzés alá a multimédia-kiterjesztésekre szolgáló „technológiát”.
High-voltage direct current power supplies, other than those specified in 0B001.j.5., having both of the following characteristics:
A 3E002. pont nem vonja ellenőrzés alá az olyan mikroprocesszor-magokra vonatkozó „technológiát”, amely mikroprocesszor-mag az alábbi tulajdonságok mindegyikével rendelkezik:
a.
öt vagy annál kevesebb fémrétegből álló többrétegű struktúrát foglal magában.
Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
A 3E002. pont magában foglalja a digitális jelfeldolgozókra és a digitális tömbprocesszorok „fejlesztésére” és „gyártására” szolgáló „technológiát” is.
Switching devices, as follows:
A következők „fejlesztésére” vagy „gyártására” szolgáló egyéb „technológia”:
a.
a. vákuum mikroelektronikai eszközök;
Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
b. heterogén szerkezetű félvezető elektronikai eszközök, például nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorok (HEMT), hetero-bipolár tranzisztorok (HBT), kvantumforrás vagy szuperrács-eszközök;
Containing three or more electrodes;
A 3E003.b. alpont nem vonja ellenőrzés alá a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorokra (HEMT) és a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő hetero-bipoláris tranzisztorokra (HBT) vonatkozó technológiákat.
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
c. „szupravezető” elektronikai eszközök;
Anode peak current rating of 100 A or more; and
d. gyémántfilm szubsztrátumok elektronikai alkatrészekhez;
Anode delay time of 10 μs or less;
e. szilícium-szigetelő szubsztrátum (SOI) olyan integrált áramkörökhöz amelyeknél a szigetelő szilícium-dioxid;
3A228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
f. szilícium-karbid szubsztrátumok elektronikai alkatrészekhez;
b.
g. legalább 31,8 GHz-es frekvencián működő ’vákuum elektronikai eszközök’.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
A 3A001.a.1. vagy 2., a 3A101., 3A102. vagy 3D101. pontban meghatározott berendezések, vagy „szoftverek” „használatára” vonatkozó, az Általános Technológiai Megjegyzés szerinti „technológia”.
An anode delay time of 15 μs or less; and
A 3D101. pont alatt meghatározott „szoftverek” „fejlesztésére” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”.
Rated for a peak current of 500 A or more;
A 3A001.e.2., a 3A001.e.3., a 3A001.g., a 3A201., a 3A225–3A234. pontban meghatározott berendezések „használatára” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”.
c.
A kifejezetten egy frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225. pont alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – megerősítését vagy kiaknázását célzó, kódok és kulcsok formájában megadott „technológia”.
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
4.
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
KATEGÓRIA – SZÁMÍTÓGÉPEK
Anode peak current rating of 500 A or more; and
A távközlési vagy "helyi hálózati" funkciókat teljesítő számítógépeket, kapcsolódó berendezéseket vagy "szoftvert" az 5. kategória 1. rész (Távközlés) teljesítményjellemzői szerint is értékelni kell.
Turn-on time of 1 μs or less.
Azokat a vezérlőegységeket, amelyek közvetlenül összekapcsolják a központi feldolgozó egységek, a 'központi tár' vagy a lemezvezérlők buszait vagy csatornáit, nem tekintjük az 5. kategória 1. részében (Távközlés) meghatározott távközlési berendezéseknek.
High-current pulse generators as follows:
A kifejezetten csomagkapcsoláshoz tervezett "szoftver" ellenőrzési státusa tekintetében lásd: 5D001.
a.
'Központi tár': adatok vagy utasítások elsődleges tárolója, amely a központi feldolgozó egység által gyorsan hozzáférhető.
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
A "digitális számítógép" belső tárolójából és az ahhoz tartozó bármilyen hierarchikus bővítésből áll, mint például a cache (gyorsítótár) vagy a nem szekvenciális elérésű bővített tároló.
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
LÁSD MÉG: 4A101.
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
a.
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
Kifejezetten úgy tervezték, hogy rendelkezzen az alábbi jellemzők bármelyikével:
Having an output greater than 100 A;
228 K (– 45 °C) alatti vagy 358 K (+ 85 °C) feletti környezeti hőmérsékletre méretezett; vagy
No dimension greater than 30 cm;
A 4A001.a.1. pont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten polgári gépkocsikhoz, vasúti felhasználásra vagy "polgári légi járművekhez" történő felhasználásra tervezett számítógépeket.
Weight less than 30 kg; and
Sugárzással szemben ellenállóvá tett berendezések, amelyek meghaladják az alábbi jellemzők bármelyikét:
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Teljes dózis
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
5 ×103 Gy (szilícium);
c.
Dózisintenzitás-változás
Micro-firing units having all of the following characteristics:
5 ×106 Gy (szilícium)/s; vagy
No dimension greater than 35 mm;
Egyszeri esemény változás
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
1 × 10–8 hiba/bit/nap;
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
A 4A001.a.2. pont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten "polgári légi járművekhez" történő felhasználásra tervezett számítógépeket.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
b.
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
"Digitális számítógépek", "elektronikus részegységek" és kapcsolódó berendezéseik, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, az alábbiak szerint:
'Pulse transition time' less than 500 ps.
'Vektorprocesszorok';
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
Tömbprocesszorok;
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Digitális jelfeldolgozók;
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
Logikai processzorok;
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
"Képjavításra" tervezett berendezések.
a.
A 4A003 alatt meghatározott "digitális számítógépek" és a kapcsolódó berendezések ellenőrzési státusát a többi berendezés vagy rendszer ellenőrzési státusa határozza meg, feltéve, hogy:
Designed for operation without an external vacuum system; and
A "digitális számítógépek" vagy a kapcsolódó berendezések a többi berendezés vagy rendszer működése szempontjából alapvető fontosságúak;
b.
A "digitális számítógépek" vagy a kapcsolódó berendezések nem képezik más rendszer "fő elemét"; és
Utilizing any of the following:
A kifejezetten az egyéb berendezésekhez tervezett "jelfeldolgozó", vagy "képjavító" berendezések – melyek funkciói az egyéb berendezésre megkövetelt funkciókra korlátozódnak – ellenőrzési státusát a másik berendezés ellenőrzési státusa határozza meg, még akkor is, ha ez meghaladja a "fő elem" kritériumot.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
A távközlési berendezésekhez alkalmazott "digitális számítógépek" vagy a kapcsolódó berendezések ellenőrzési státusát lásd az 5. kategória 1. részében (Távközlés).
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
A "digitális számítógépek" és a kapcsolódó berendezések "technológiáját" a 4E határozza meg.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
b.
See 1A007.b. for detonators.
"Digitális számítógépek", amelyek "kiigazított csúcsteljesítménye" ("APP") nagyobb, mint 29 billió súlyozott lebegőpontos művelet másodpercenként (Weighted TeraFLOPS, WT);
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
"Elektronikus részegységek", amelyeket kifejezetten arra terveztek vagy úgy alakítottak át, hogy processzorok egyesítésével képesek legyenek a teljesítmény fokozására úgy, hogy az aggregátum "APP" értéke meghaladja a 4A003.b. pontban meghatározott paraméterhatárt;
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
A 4A003.c. csak azokat az "elektronikus részegységeket" és programozható összekapcsolásokat vonja ellenőrzés alá, melyek nem haladják meg a 4A003.b. pontban meghatározott paraméterhatárt, amennyiben azokat nem-integrált "elektronikus részegységként" szállítják.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 u or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
A 4A003.c. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten olyan termékhez, vagy termékcsaládhoz tervezett "elektronikus részegységeket", amelyek maximális konfigurációja nem haladja meg a 4A003.b. pontban meghatározott paraméterhatárt.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Kifejezetten "digitális számítógépek" teljesítményének olyan külső összekapcsolás útján történő egyesítésére tervezett berendezések, amely kapcsolatonként 2,0 Gbyte/s-ot meghaladó egyirányú adatátviteli sebességet tesz lehetővé.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Számítógépek, és a kifejezetten ezekhez tervezett kapcsolódó berendezések, "elektronikus részegységek" és alkatrészek, az alábbiak szerint:
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
'Szisztolés tömbszámítógépek';
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
'Neurális számítógépek';
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
c.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
'Optikai számítógépek'.
e.
'Szisztolés tömbszámítógépek': olyan számítógépek, amelyekben az adatok árama és módosítása a felhasználó által a logikai kapu szintjén dinamikusan ellenőrizhető.
Not used;
'Neurális számítógépek': olyan számítástechnikai eszközök, amelyeket úgy terveztek vagy módosítottak, hogy utánozzák az idegsejt vagy az idegsejtek csoportjának viselkedését, vagyis olyan számítástechnikai eszközök, amelyek képesek arra, hogy korábbi adatok alapján modulálják a számítási adatsokaság összekapcsolódásának tömegét és számát.
f.
'Optikai számítógépek': olyan számítógépek, amelyeket úgy tervezetek vagy módosítottak, hogy az adat megjelenítésére a fényt használják fel, és amelyek számítási logikai elemei közvetlenül összekapcsolt optikai eszközökön alapulnak.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
Kifejezetten "támadószoftverek" létrehozásához, vezetéséhez és irányításához vagy célba juttatásához tervezett vagy módosított rendszerek, berendezések és azokhoz való alkatrészek.
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
A 4A001.a.1. alatt meghatározottaktól eltérő olyan analóg számítógépek, "digitális számítógépek", vagy digitális differenciál-analizátorok, amelyek megerősített kivitelűek és a 9A004 alatt meghatározott űrhajóhordozó eszközökhöz vagy 9A104 alatt meghatározott rakétaszondákon történő felhasználásra terveztek, vagy alakították át.
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
Kifejezetten a 9A004 alatt meghatározott űrhajóhordozó eszközök vagy 9A104 alatt meghatározott rakétaszondák modellezésére, szimulációjára, vagy tervezési integrációjára tervezett "hibrid számítógépek".
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
Ez a pont csak akkor alkalmazandó, ha a berendezést a 7D103, vagy a 9D103 alatt meghatározott "szoftverrel" látják el.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Az egyéb kategóriákban meghatározott berendezésekhez szükséges "szoftver" ellenőrzési státusát a megfelelő kategória határozza meg.
a.
"Szoftver" az alábbiak szerint:
Voltage rating greater than 2 kV; and
a.
b Inductance of less than 20 nH.
Kifejezetten a 4A001–4A004, vagy 4D pontban meghatározott berendezések vagy "szoftver" "fejlesztéséhez", "gyártásához" vagy "használatához" tervezett vagy módosított "szoftver".
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
b.
SEE ALSO 2B226
Kifejezetten az alábbi berendezések "fejlesztésére" vagy "gyártására" tervezett vagy átalakított, a 4D001.a. pontban meghatározottaktól eltérő "szoftver":
a.
"Digitális számítógépek", amelyek "kiigazított csúcsteljesítménye" ("APP") nagyobb, mint 15 billió súlyozott lebegőpontos művelet másodpercenként (Weighted TeraFLOPS, WT);
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Processzorok aggregálása révén kifejezetten a teljesítmény növelésére tervezett vagy átalakított "elektronikus részegységek", ahol az aggregátum "APP"-je meghaladja a 4D001.b.1. alatt meghatározott határértéket;
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Nem használt
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Kifejezetten "támadószoftverek" létrehozásához, vezetéséhez és irányításához vagy célba juttatásához tervezett vagy módosított "szoftver".
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
A 4D004. nem vonja ellenőrzés alá azt a "szoftvert", amelyet kifejezetten és kizárólag arra terveztek, hogy az alábbi feltételek együttes teljesülése mellett "szoftverek" frissített vagy továbbfejlesztett verzióját telepítse:
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
A frissített vagy továbbfejlesztett verzió telepítése kizárólag a fogadó rendszer tulajdonosának vagy rendszergazdájának engedélyével történik; és
b.
A frissített vagy továbbfejlesztett verzió telepítése után a telepített "szoftver" nem:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
A 4D004. alatt meghatározott "szoftver"; sem pedig
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
"Támadószoftver".
Direct write capability;
a.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
A 4A, vagy 4D által ellenőrzés alá vont berendezések vagy "szoftver" "fejlesztésére", "gyártására", vagy "felhasználására" vonatkozó, az Általános Technológiai Megjegyzés szerinti "technológia".
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
b.
e.
A 4E001.a. pontban meghatározottaktól eltérő, az Általános technológiai megjegyzés szerinti "technológia" a következő berendezések "fejlesztésére" vagy "gyártására":
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Processzorok aggregálása révén kifejezetten a teljesítmény növelésére tervezett vagy átalakított "elektronikus részegységek", ahol az aggregátum "APP"-je meghaladja a 4E001.b.1. alatt meghatározott határértéket;
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
c.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
"Technológia" "támadószoftver" "fejlesztéséhez".
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
A 4E001.a. és a 4E001.c. nem vonja ellenőrzés alá a 'sebezhetőségfeltárást' és a 'kiberbiztonsági esemény operatív kezelését'.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Az 1. megjegyzés nem korlátozza az exportőr letelepedési helye szerinti tagállam illetékes hatóságának a 4E001.a. és a 4E001.c. teljesülésének ellenőrzésével kapcsolatos jogait.
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
'Sebezhetőségfeltárás': az a folyamat, amelynek során a sebezhetőséget azonosítják, jelentik vagy közlik a sebezhetőség megszüntetését célzó korrekció elvégzéséért vagy koordinálásáért felelős magánszemélyek vagy szervezetek felé, illetőleg elemzik ilyen magánszemélyekkel vagy szervezetekkel.
f.
'Kiberbiztonsági esemény operatív kezelése': az a folyamat, amelynek során a kiberbiztonsági eseménnyel kapcsolatban lefolytatják a szükséges információcserét a kiberbiztonsági esemény kezeléséért vagy annak koordinálásáért felelős magánszemélyekkel vagy szervezetekkel.
Lithography equipment as follows:
MŰSZAKI MEGJEGYZÉS A "KIIGAZÍTOTT CSÚCSTELJESÍTMÉNY" ("APP") SZÁMÍTÁSÁHOZ