natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Az "APP" az a kiigazított csúcssebesség, amellyel a "digitális számítógépek" a 64 bites vagy annál nagyobb lebegőpont-összeadásokat és szorzásokat végzik.
a.
Az "APP"-t WT-ben (Weighted TeraFLOPS), azaz másodpercenként 1012 kiigazított lebegőpontos műveletnek megfelelő egységekben fejezzük ki.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
Az ebben a műszaki megjegyzésben alkalmazott rövidítések
b.
n a processzorok száma a "digitális számítógépben"
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
i processzorszám (i,…,n)
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
processzor-ciklusidő (ti = 1/Fi)
where the K factor = 0,35
processzorfrekvencia
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
lebegőpont-számítási csúcssebesség
Micro contact printing tools
Az "APP" kiszámítási módszerének alapelvei
Hot embossing tools
Minden i processzorra határozzuk meg a 64 bites vagy annál nagyobb lebegőpontos műveletek ciklusonként elvégzett legmagasabb számát (FPOi), a "digitális számítógép" valamennyi processzora esetében.
Nano-imprint lithography tools
Megjegyzés:
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Az FPO meghatározásakor csak a 64 bites vagy annál nagyobb lebegőpontos összeadásokat vagy szorzásokat vegyük figyelembe.
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
Minden lebegőpont-műveletet a processzorciklusonkénti műveletek számaként kell kifejezni; azok a műveletek, amelyekhez több ciklusra van szükség, ciklusonkénti törteredményként fejezhetők ki.
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Minden processzorra számítsuk ki az R lebegőpont-sebességet Ri = FPOi/ti.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Számítsuk ki az "APP"-t a következő képlettel: "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
'Vektorprocesszorok' esetében Wi = 0,9.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Nem'vektorprocesszorok' esetében Wi = 0,3.
a.
1.
A deflected focused electron beam; and
Megjegyzés
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Azon processzorok esetében, amelyek egy cikluson belül összetett műveleteket hajtanak végre, mint például összeadást és szorzást, minden egyes műveletet külön be kell számítani.
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
2.
g.
Megjegyzés
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Futószalagos processzor esetében R effektív számítási sebesség a gyorsabbik futószalagos sebesség, amint a futószalag megtelt, vagy a nem futószalagos sebesség.
h.
3.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified in 3B001.g. and having any of the following:
Megjegyzés
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Minden egyes részt vevő processzor R számítási sebességét a kombináció "APP"-jének kiszámítása előtti elméletileg lehetséges legmagasabb értéken kell számítani.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
Szimultán műveletek létezését lehet feltételezni, ha a számítógép gyártója a számítógép útmutatójában vagy tájékoztatójában konkurens, párhuzamos vagy szimultán működésre vagy végrehajtásra vonatkozó állítást tüntet fel.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not specified in 3A001.
4.
i.
Megjegyzés
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Az "APP" számításakor ne vegyük számításba azokat a processzorokat, amelyek működése a bevitelre/kivitelre és a periférikus funkciókra korlátozódik (pl. lemezmeghajtó, kommunikáció, kijelző).
j.
5.
Mask "substrate blanks" with multilayer reflector structure consisting of molybdenum and silicon, and having all of the following:
Megjegyzés
Specially designed for 'Extreme Ultraviolet' ('EUV') lithography; and
A "helyi hálózatokon", a "nagykiterjedésű hálózatokon", megosztott I/O kapcsolatokon/eszközökön, I/O-vezérlőkön és bármely, "szoftverrel" megvalósított kommunikációs kapcsolaton keresztül összekapcsolt processzorkombinációkra ne számítsunk "APP"-értékeket.
Compliant with SEMI Standard P37.
6.
'Extreme Ultraviolet' ('EUV') refers to electromagnetic spectrum wavelengths greater than 5 nm and less than 124 nm.
Megjegyzés
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
"APP"-értékeket kell számítani olyan processzorkombinációk esetén, amelyek szimultán módon és memóriamegosztással működő, kifejezetten a teljesítmény egyesítéssel való növelésére tervezett processzorokat tartalmaznak;
a.
Aggregálja az egyidejűleg működő és ugyanazon lapkán elhelyezkedő összes processzort és gyorsítót.
For testing S-parameters of items specified in 3A001.b.3.;
Processzorkombinációk memóriát osztanak meg, amikor bármely processzor a rendszeren belül bármely memóriahelyet el tud érni cache sorok vagy memóriaszavak hardveres átadása révén, szoftvermechanizmus bevonása nélkül, amely a 4A003.c. pontban meghatározott "elektronikus részegységek" használatával érhető el.
c.
7.
For testing items specified in 3A001.b.2.
Megjegyzés
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
A 'vektorprocesszor' olyan processzor, amelynek beépített utasításai szimultán módon több számítást végeznek el lebegőpontos vektorokon (64 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök), és legalább két vektorfeldolgozó egységgel és legalább nyolc vektorregiszterrel rendelkeznek, amelyek egyenként legalább 64 elemből állnak.
Silicon (Si);
KATEGÓRIA – TÁVKÖZLÉS ÉS "INFORMÁCIÓBIZTONSÁG"
b.
1. rész – TÁVKÖZLÉS
Germanium (Ge);
A kifejezetten távközlési berendezésekhez vagy rendszerekhez tervezett alkatrészek, tesztelő és "gyártó" berendezések, anyagok és az ezekhez szükséges "szoftver" ellenőrzési státuszát az 5. kategória 1. része határozza meg.
c.
A kifejezetten távközlési berendezésekhez vagy rendszerekhez tervezett "lézerek" tekintetében lásd a 6A005 pontot.
Silicon carbide (SiC); or
Az e kategória alatt ellenőrzés alá vont távközlési berendezések működtetéséhez és támogatásához lényeges "digitális számítógépek", kapcsolódó berendezések vagy "szoftverek" különlegesen tervezett alkatrésznek minősülnek, ha ezek a gyártó által hagyományosan szállított szabványos modellek.
d.
Ez tartalmazza a működtető, adminisztrálót, karbantartó, tervező vagy számlázó számítógép-rendszereket.
"III/V compounds" of gallium or indium.
Távközlési rendszerek, berendezések, alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
a.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
Bármely típusú, a következő jellemzők, funkciók, vagy tulajdonságok bármelyikével rendelkező távközlési berendezés:
a.
Kifejezetten arra tervezték, hogy a nukleáris robbanásból eredő tranziens elektromos hatásoknak vagy elektromágneses impulzusoknak ellenálljon;
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Gamma-, neutron- és ionizáló sugárzással szemben speciálisan ellenállóvá tették;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 193 nm but equal to or greater than 15 nm;
Kifejezetten 218 K (– 55 °C) hőmérséklet alatti működésre tervezték; vagy
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
Kifejezetten 397 K (124 °C) hőmérséklet feletti működésre tervezték;
b.
Az 5A001.a.3. és az 5A001.a.4. kizárólag elektronikus berendezéseket von ellenőrzés alá.
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Az 5A001.a.2., az 5A001.a.3. és az 5A001.a.4. nem vonja ellenőrzés alá a műholdak fedélzetén történő használatra tervezett vagy módosított berendezéseket.
All resists optimised for surface imaging technologies;
Távközlési rendszerek és berendezések, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők, funkciók vagy tulajdonságok bármelyikével:
e.
Víz alatti, kábellel nem összekötött kommunikációs rendszerek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
a.
Organo-inorganic compounds as follows:
20–60 kHz frekvencia-tartományon kívüli akusztikus vivőfrekvencia;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
30 kHz alatti elektromágneses vivőfrekvencia használata;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Vezetősugár irányítási technikák alkalmazása; vagy
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
d.
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
400 nm és 700 nm közötti kimeneti hullámhosszú "lézer" vagy fénykibocsátó dióda (LED) alkalmazása "helyi hálózatban";
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
1,5–87,5 MHz frekvenciatartományban működő rádióátviteli berendezések, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
High resistivity materials as follows:
a.
a.
Az átvitel optimalizálására automatikusan előre jelzik és kiválasztják a frekvenciákat és a csatornánkénti "teljes digitális adatátviteli sebességeket"; és
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C;
b.
b.
Olyan lineáris teljesítményerősítőt tartalmaznak, amely képes biztosítani több jel egyidejű feldolgozását, kimeneti teljesítménye legalább 1 kW az 1,5–30 MHz, illetve legalább 250 W a 30–87,5 MHz frekvencia-tartományban, legalább 1 oktáv "pillanatnyi sávszélességben" és – 80 dB-nél jobb kimeneti felharmonikus és torzítási tartalommal;
Polycrystalline "substrates" or polycrystalline ceramic "substrates", having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C and having at least one non-epitaxial single-crystal layer of silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), or aluminium gallium nitride (AlGaN) on the surface of the "substrate".
Az 5A001.b.4. pontban meghatározottaktól eltérő,"kiterjesztett spektrumú", többek között a "frekvenciaugratásos" (frequency hopping) technikákat alkalmazó rádióberendezések, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
a.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
A felhasználó által programozható szórási kódok; vagy
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
b.
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
A teljes átviteli sávszélesség legalább 100-szor nagyobb, mint bármelyik információs csatorna sávszélessége, és meghaladja az 50 kHz-et;
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
Az 5A001.b.3.b. nem vonja ellenőrzés alá az alábbiak bármelyikével történő használatra tervezett rádióberendezéseket:
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
Polgári sávokon történő használatra tervezett celluláris rádió-berendezések; vagy
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
Helyhez kötött vagy mobil műholdas földi állomások kereskedelmi, polgári távközléshez.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Az 5A001.b.3. nem vonja ellenőrzés alá az 1 W vagy annál kisebb kimeneti teljesítménnyel működő berendezéseket.
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Ultra-szélessávú modulációs technikát alkalmazó rádióberendezés, a felhasználó által programozható csatornákra osztó kódokkal, rejtjelező kódokkal vagy hálózatazonosító kódokkal, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
a.
3E001 does not control "technology" for equipment or components specified in 3A003.
500 MHz-et meghaladó sávszélesség; vagy
3E001 does not control "technology" for integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
b.
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
20 %-os vagy nagyobb "relatív sávszélesség";
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
Digitális vezérlésű rádióvevők, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
3E001 does not control 'Process Design Kits' ('PDKs') unless they include libraries implementing functions or technologies for items specified in 3A001.
a.
A 'Process Design Kit' ('PDK') is a software tool provided by a semiconductor manufacturer to ensure that the required design practices and rules are taken into account in order to successfully produce a specific integrated circuit design in a specific semiconductor process, in accordance with technological and manufacturing constraints (each semiconductor manufacturing process has its particular 'PDK').
Több mint 1000 csatorna;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
b.
a.
1 ms alatti 'csatornakapcsolási idő';
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
c.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
Az elektromágneses spektrum egy részének automatikus keresése vagy letapogatása; és
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
A vett jelek, vagy az adó típusának azonosítása; vagy
c.
Az 5A001.b.5. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten a polgári sávokon történő használatra tervezett celluláris rádió-berendezéseket.
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
A 'csatornakapcsolási idő' az egyik vevőfrekvenciáról a másikra történő átváltáshoz szükséges idő (azaz késleltetés), a megadott végső vételi frekvencia vagy az attól ± 0,05 %-ra lévő tartomány elérése céljából.
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
Azok a berendezések, amelyek a központi frekvenciájuk körül ± 0,05 %-nál kisebb frekvenciatartománnyal rendelkeznek, csatornafrekvencia-kapcsolásra alkalmatlannak minősülnek.
3E002 does not control "technology" for micro-processor cores, having all of the following:
Digitális "jelfeldolgozási" funkciót alkalmaz a 700 bit/s alatti 'hangkódolási' sebesség elérésére.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
A változtatható sebességű 'hangkódoláshoz' az 5A001.b.6. pont a folyamatos beszéd hangkódoló kimenetére vonatkozik.
3E002 includes "technology" for the "development" or "production" of digital signal processors and digital array processors.
Az 5A001.b.6. pont alkalmazásában a 'hangkódolás' meghatározása: olyan technika, amelynek során emberi hangmintákat készítenek, majd ezeket a mintákat digitális jellé alakítják, figyelembe véve az emberi beszéd meghatározott jellegzetességeit.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
c.
a.
500 m-nél hosszabb optikai szálak, amelyek a gyártó minősítése szerint képesek 2 × 109 N/m2 vagy annál nagyobb 'szakítószilárdság-vizsgálatnak' ellenállni;
Vacuum microelectronic devices;
A víz alatti köldökzsinór kábelek tekintetében lásd: 8A002.a.3.
b.
'Szakítószilárdság-vizsgálat': olyan online, vagy offline termékvizsgálat, amelynek során egy 0,5–3 m hosszúságú kábeldarabra, 2–5 m/s sebességgel egy adott húzófeszültséget dinamikusan alkalmaznak, miközben a befogó csévék átmérője kb. 150 mm.
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
A környezeti hőmérséklet 293 K (20 °C), a relatív páratartalom 40 %.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
A szakítószilárdság vizsgálat végrehajtására a megfelelő nemzeti szabvány is használható.
"Superconductive" electronic devices;
'Elektronikusan forgatható többfázisú antennarendszerek' a következők szerint:
d.
31,8 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 57 GHz-es frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve, és effektív kisugárzott teljesítményük (ERP) eléri vagy meghaladja a +20 dBm-t (22,15 dBm tényleges izotróp kisugárzott teljesítmény (EIRP));
Substrates of films of diamond for electronic components.
57 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 66 GHz-es frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve, és effektív kisugárzott teljesítményük eléri vagy meghaladja a +24 dBm-t (26,15 dBm tényleges izotróp kisugárzott teljesítmény);
e.
66 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 90 GHz-es frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve, és effektív kisugárzott teljesítményük eléri vagy meghaladja a +20 dBm-t (22,15 dBm tényleges izotróp kisugárzott teljesítmény);
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
90 GHz-nél nagyobb frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve;
f.
Az 5A001.d. nem vonja ellenőrzés alá az ICAO mikrohullámú leszállító rendszerekre (MLS) vonatkozó szabványainak megfelelő eszközöket tartalmazó leszállító rendszerekhez tervezett 'elektronikusan forgatható többfázisú antennarendszereket'.
Substrates of silicon carbide for electronic components;
Az 5A001.d. nem vonja ellenőrzés alá az alábbiak bármelyikével történő használatra tervezett antennákat:
g.
Polgári sávokon történő használatra tervezett celluláris rádió-berendezések vagy WLAN-rádióberendezések;
'Vacuum electronic devices' operating at frequencies of 31,8 GHz or higher.
IEEE 802.15-re alapuló vagy vezeték nélküli HDMI; vagy
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment or "software" specified in 3A001.a.1. or 2., 3A101, 3A102 or 3D101.
Az 5A001.d. pont alkalmazásában az 'elektronikusan forgatható többfázisú antennarendszer' (electronically steerable phased array antenna) olyan antenna, amely a sugarat fázisvezérléssel képzi (vagyis a sugár irányát a sugárzó elemek komplex gerjesztési koefficienseivel szabályozza) és e sugár iránya elektromos jellel megváltoztatható (jeladás és -vétel során egyaránt) oldalszögben vagy célhelyszögben, vagy oldal- és célhelyszögben.
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" of "software"specified in 3D101.
e.
"Technology" according to the General Technology Note for the "use" of equipment specified in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 to 3A234.
30 MHz feletti frekvenciákon üzemelő rádióirány-mérő berendezések és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
"Technology", in the form of codes or keys, to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
10 MHz, vagy nagyobb "pillanatnyi sávszélesség"; és
CATEGORY 4 — COMPUTERS
Képes megtalálni a kevesebb mint 1 ms-ig tartó jelet sugárzó, együtt nem működő rádióadók irányát (LOB);
Computers, related equipment and "software" performing telecommunications or "local area network" functions must also be evaluated against the performance characteristics of Category 5, Part 1 (Telecommunications).
f.
Control units which directly interconnect the buses or channels of central processing units, 'main storage' or disk controllers are not regarded as telecommunications equipment described in Category 5, Part 1 (Telecommunications).
Mobil telekommunikációs szolgáltatások lehallgatására vagy zavarására szolgáló berendezések, és azokhoz tartozó monitoring berendezések, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek:
For the control status of "software" specially designed for packet switching, see 5D001.
Rádióinterfészen keresztül továbbított hangok vagy adatok kigyűjtésére tervezett lehallgató berendezés;
'Main storage' is the primary storage for data or instructions for rapid access by a central processing unit.
Az 5A001.f.1. pontban nem meghatározott, a rádióinterfészen keresztül továbbított klienseszköz, illetve előfizetői azonosítók (pl. IMSI, TIMSI vagy IMEI), jelzésátvitel vagy egyéb metaadatok kigyűjtésére tervezett lehallgató berendezés;
It consists of the internal storage of a "digital computer" and any hierarchical extension thereto, such as cache storage or non-sequentially accessed extended storage.
Az alábbiakban felsoroltak bármelyikét végrehajtó, kifejezetten a mobil telekommunikációs szolgáltatások szándékos és szelektív zavarása, letiltása, akadályozása, gyengítése vagy csökkentése céljára tervezett vagy módosított zavaróberendezések, valamint az e célra tervezett alkatrészek:
Electronic computers and related equipment, having any of the following and "electronic assemblies" and specially designed components therefor:
a.
SEE ALSO 4A101.
RAN (Radio Access Network, rádió-hozzáférési hálózat)-berendezés funkcióinak szimulálása;
Specially designed to have any of the following:
Az alkalmazott mobil telekommunikációs protokoll (pl. GSM) egyedi jellemzőinek észlelése és kihasználása; vagy
Rated for operation at an ambient temperature below 228 K (– 45 °C) or above 358 K (85 °C); or
c.
4A001.a.1. does not control computers specially designed for civil automobile, railway train or “civil aircraft” applications.
Az alkalmazott mobil telekommunikációs protokoll (pl. GSM) egyedi jellemzőinek kihasználása;