natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
"Torzítás feletti dinamikatartomány" (SFDR, Spurious Free Dynamic Range): A kimeneti jel legnagyobb teljesítményű zavarjel-komponensének vagy harmonikus torzítási komponensének négyzetes átlagértéke (RMS), a bemeneti vivőfrekvencia (legnagyobb frekvenciájú jelkomponensének) négyzetes átlagértéke (RMS) arányában.
N.B.1.
Az SFDR közvetlenül a specifikációs táblázat alapján vagy az SFDR és a frekvencia összefüggését ábrázoló karakterizációs plot függvényekből határozható meg.
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
A jel akkor minősül teljes kivezérlésűnek, ha amplitúdója meghaladja a –3 dBfs (ahol fs = full scale, kivezérlési tartomány).
N.B.2.
"Kiigazított adatfrissítési gyakoriság" DA átalakítók esetében:
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
a hagyományos (nem interpoláló) DA átalakítók esetében a "kiigazított adatfrissítési gyakoriság" az a teljesítmény-frekvencia, amellyel a DA átalakító a digitális jelet analóg jellé alakítja, illetve a kimeneti analóg értékeket átváltja.
N.B.3.
Azok a DA átalakítók, amelyeknél az interpolációs üzemmód kiiktatható (az interpolációs faktor eggyel egyenlő), hagyományos (nem interpoláló) DA átalakítónak tekintendők;
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
interpoláló (túlmintavételező) DA átalakítók esetében a "kiigazított adatfrissítési gyakoriság" a DA átalakító adatfrissítési gyakoriságának és a legkisebb interpolációs faktornak a hányadosa.
b.
Interpoláló DA átalakítók esetében a "kiigazított adatfrissítési gyakoriságra" más formában is történhet utalás, így például az alábbi kifejezésekkel:
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
adatbeviteli gyakoriság
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
szóbeviteli gyakoriság
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
mintabeviteli gyakoriság
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
maximális összesített beviteli busz teljesítmény
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
a DAC maximális órajel-gyakorisága az órajel-bevitel során.
Specific TE-PVD processes are as follows:
"jelfeldolgozáshoz" tervezett elektro-optikai és "optikai integrált áramkörök", amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
a. egy vagy több belső "lézer"dióda;
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
b. egy vagy több belső fényérzékelő elem; és
"Laser" Vaporization uses either pulsed or continuous wave "laser" beams to vaporize the material which forms the coating;
c. optikai hullámvezetők;
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
felhasználó által programozható logikai eszközök, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
a. az egyvégű digitális bemenetek/kimenetek maximális száma nagyobb mint 700; vagy
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
b. a soros adó-vevő legnagyobb összesített egyirányú adatsebessége 500 Gb/s vagy nagyobb;
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
A 3A001.a.7 magában foglalja az alábbiakat:
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
egyszerű programozható logikai eszközök (SPLD)
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
komplex programozható logikai eszközök (CPLD)
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
felhasználó által programozható kapu tömbök (FPGA)
c.
felhasználó által programozható logikai tömbök (FPLA)
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
felhasználó által programozható összekapcsolók (FPIC)
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
A felhasználó által programozható logikai eszközökkel rendelkező, analóg-digitális átalakítóval kombinált integrált áramköröket illetően ld. a 3A001.a.14. pontot.
An activator (normally a halide salt); and
A digitális bemenetek/kimenetek 3A001.a.7.a. pontban említett maximális számára maximális felhasználói bemenetként/kimenetként vagy maximálisan rendelkezésre álló bemenetként/kimenetként is szoktak hivatkozni, attól függően, hogy az integrált áramkör tokozott áramkör-e vagy pedig tokozatlan áramkör.
An inert powder, most frequently alumina.
"A soros adó-vevő legnagyobb összesített egyirányú adatsebessége" a soros adó-vevő legnagyobb egyirányú adatsebességének és az FPGA-hoz csatlakozó adó-vevők számának a szorzata.
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
neurális hálózati integrált áramkörök;
d.
egyedi integrált áramkörök, melyeknél vagy a funkció ismeretlen, vagy az integrált áramkört felhasználó berendezés ellenőrzési státusa a gyártó számára ismeretlen, és amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
a. több mint 1500 terminál;
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
b. a tipikus "alapkapu-késleltetési idő" kevesebb, mint 0,02 ns; vagy
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
c. az üzemi frekvencia meghaladja a 3 GHz-et;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
bármely vegyes félvezetőn alapuló, a 3A001.a.3–3A001.a.10. és a 3A001.a.12. alatt meghatározottaktól eltérő digitális integrált áramkörök, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
b. az átbillenési frekvencia meghaladja az 1,2 GHz-et;
f.
gyors Fourier Transzformáló (FFT) processzorok, amelyek minősített végrehajtási ideje egy N-pontú komplex FTT-re kisebb mint (N log2 N)/20 480 ms, ahol N a pontok száma;
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Ha N = 1024 pont, a 3A001.a.12. szerinti képlettel számítva a végrehajtási idő kevesebb, mint 500 μs;
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
közvetlen digitális szintetizátor (DDS) integrált áramkörök, amelyek rendelkeznek az alábbiak valamelyikével:
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
a. digitális-analóg (DAC) átalakító-óra frekvenciája 3,5 GHz vagy annál nagyobb, a DAC-felbontás pedig 10 bit vagy annál nagyobb, de 12 bitnél kevesebb; vagy
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
b. a DAC-óra frekvenciája 1,25 GHz vagy nagyobb, a DAC-felbontás pedig 12 bit vagy nagyobb;
g.
A DAC frekvenciáját főóra frekvenciaként vagy bemenetióra-frekvenciaként is meg lehet határozni.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Az alábbi összes jellemzőt teljesítő integrált áramkörök:
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
a. analóg-digitális átalakítások, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
CATEGORY 3 - ELECTRONICS
felbontásuk legalább 8 bit, de 10 bitnél kevesebb, 1,3 giga minta/másodpercnél (GSPS) nagyobb mintabeviteli gyakorisággal;
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.14, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
felbontásuk legalább 10 bit, de 12 bitnél kevesebb, 1,0 giga minta/másodpercnél (GSPS) nagyobb mintabeviteli gyakorisággal;
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.14 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
felbontásuk legalább 12 bit, de 14 bitnél kevesebb, 1,0 giga minta/másodpercnél (GSPS) nagyobb mintabeviteli gyakorisággal;
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.14.
felbontásuk legalább 14 bit, de 16 bitnél kevesebb, 400 mega minta/másodpercnél (MSPS) nagyobb mintabeviteli gyakorisággal; vagy
Electronic items as follows:
felbontásuk legalább 16 bit, 180 mega minta/másodpercnél (MSPS) nagyobb mintabeviteli gyakorisággal; és
General purpose integrated circuits, as follows:
Az alábbiak bármelyike:
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
a digitalizált adatok tárolása; vagy
Integrated circuits include the following types:
a digitalizált adatok feldolgozása;
"Monolithic integrated circuits";
Az analóg-digitális átalakítóval rendelkező integrált áramköröket illetően ld. a 3A001.a.5.a. pontot.
"Hybrid integrated circuits";
A felhasználó által programozható logikai eszközöket illetően ld. a 3A001.a.7. pontot.
"Multichip integrated circuits";
b. mikrohullámú vagy milliméteres hullámú termékek, az alábbiak szerint;
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
A 3A001.b. alkalmazásában a termékek adatlapjain a maximális kimeneti telítési teljesítmény paraméter kimenőteljesítményként, kimeneti telítési teljesítményként, maximális kimenőteljesítményként, kimenő csúcsteljesítményként vagy modulációs csúcsteljesítményként is szerepelhet.
"Optical integrated circuits";
Az 3A001.b.1. pont alkalmazásában a 'vákuum elektronikus eszközök' olyan elektronikus eszközök, amelyek az elektronsugár és vákuum áramkörben terjedő elektromágneses hullám, illetve az elektronsugár és rádiófrekvenciás vákuuműr-rezonátorok interakcióján alapul.
"Three dimensional integrated circuits";
A 'vákuum elektronikus eszközök' magukban foglalják a klisztronokat, a haladóhullámú csöveket és származékaikat.
"Monolithic Microwave Integrated Circuits" ("MMICs").
'Vákuum elektronikus eszközök' és katódok az alábbiak szerint:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített 'vákuum elektronikus eszközöket':
a.
nem haladja meg a 31,8 GHz-et; és
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
az "ITU által" rádió-kommunikációs szolgáltatóknak, de nem rádió-meghatározásra "kiosztott".
b.
A 3A001.b.1. nem vonja ellenőrzés alá a nem "űrminősítésű", és az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező 'vákuum elektronikus eszközöket':
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
átlagos kimeneti teljesítménye legfeljebb 50 W; és
c.
az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező bármilyen frekvenciasávban történő működésre tervezett vagy minősített csöveket:
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
nagyobb mint 31,8 GHz, de nem haladja meg a 43,5 GHz-et; és
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
a. impulzusüzemre vagy folyamatos hullámüzemre szánt haladó hullámú 'vákuum elektronikus eszközök', az alábbiak szerint:
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitised data, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), flash memories, Static Random-Access Memories (SRAMs), or Magnetic Random Access Memories (MRAMs), having any of the following:
31,8 GHz-nél magasabb frekvencián üzemelő eszközök;
a.
katód fűtővel rendelkező eszközök, amelyek esetében a névleges RF teljesítmény elérésének ideje kevesebb, mint 3 másodperc;
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
csatolt üregeszközök, vagy származékaik, melyek "relatív sávszélessége" meghaladja a 7 %-ot, vagy amelyek csúcsteljesítménye több, mint 2,5 kW;
b.
spirális, hajlított vagy szerpentines hullámvezetős áramkörön alapuló eszközök vagy azok származékai, amelyek az alábbi jellemzők bármelyikével:
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (-55 °C); or
a. a "pillanatnyi sávszélesség" több, mint egy oktáv, az átlagos teljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata nagyobb, mint 0,5;
c.
b. a "pillanatnyi sávszélesség" legfeljebb egy oktáv, az átlagos kimenőteljesítmény (kW) és a maximális üzemi frekvencia (GHz) szorzata pedig nagyobb 1-nél;
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (-55 °C) to 398 K (125 °C);
c. "űrminősítésű"; vagy
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
d. rácsozott elektronágyúval rendelkezik;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
10 %-nál nagyobb "relatív sávszélességgel" és az alábbiak valamelyikével rendelkező eszközök:
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
a.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Gyűrűs elektronsugár;
ADCs having any of the following:
A tengellyel nem szimmetrikus elektronsugár; vagy
SEE ALSO 3A101
c.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1.3 giga samples per second (GSPS);
Többszörös eletronsugár;
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 600 mega samples per second (MSPS);
b. több mint 17 dB erősítésű keresztmezős erősítő 'vákuum elektronikus eszközök';
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 400 mega samples per second (MSPS);
c. 'vákuum elektronikus eszközökhöz' tervezett termionikus katódok a névleges üzemi feltételek mellett 5 A/cm2-t meghaladó emissziós áramsűrűséggel vagy a névleges üzemi feltételek mellett 10 A/cm2-t meghaladó impulzusos (nem folyamatos) emissziós áramsűrűséggel;
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 mega samples per second (MSPS); or
d. 'kettős üzemmódú' üzemelésre képes 'vákuum elektronikus eszközök'.
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 mega samples per second (MSPS);
A 'kettős üzemmódú' azt jelenti, hogy a 'vákuum elektronikus eszköz' sugáráramának üzemmódja egy rács használatával szándékosan folyamatos hullámüzemről impulzusüzemre változtatható, és impulzusüzemben a kimenő csúcsteljesítmény meghaladja a folyamatos hullámüzemben elérhető kimenő teljesítményt..
For integrated circuits that contain analogue-to-digital converters and store or process the digitized data, see 3A001.a.14.
"monolitikus mikrohullámú integrált áramkörű" (MMIC) erősítők, amelyek az alábbi kategóriák valamelyikébe esnek:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Az integrált fáziseltolóval rendelkező "monolitikus mikrohullámú integrált áramkörű" (MMIC) erősítőket illetően ld. a 3A001.b.12. pontot.
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
a.
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
2,7 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 6,8 GHz-es frekvencián való működésre méretezettek, "relatív sávszélességük" 15 %-nál nagyobb, és rendelkeznek az alábbiak valamelyikével:
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
2,7 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 2,9 GHz nagyságú frekvencián 75 W-nál (48,75 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítmény;
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
2,9 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 3,2 GHz nagyságú frekvencián 55 W-nál (47,4 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítmény;
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
3,2 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 3,7 GHz nagyságú frekvencián 40 W-nál (46 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítmény; vagy
It is often specified in megahertz (MHz), mega words per second or mega samples per second (MSPS).
3,7 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 6,8 GHz nagyságú frekvencián 20 W-nál (43 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítmény;
For the purpose of measuring output rate, one sample per second is equivalent to one Hertz or one output word per second.
b.
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
6,8 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 16 GHz-es frekvencián való működésre méretezettek, "relatív sávszélességük" 10 %-nál nagyobb, és rendelkeznek az alábbiak valamelyikével:
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
6,8 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 8,5 GHz nagyságú frekvencián 10 W-nál (40 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítmény; vagy
b.
8,5 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 16 GHz nagyságú frekvencián 5 W-nál (37 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítmény;
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
c.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
16 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 31,8 GHz közötti bármilyen frekvencián 3 W-nél (34,77 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítménnyel való működésre méretezettek, és "relatív sávszélességük" 10 %-nál nagyobb;
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
d.
a.
31,8 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 37 GHz közötti bármilyen frekvencián 0,1 nW-nél (– 70 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítménnyel való működésre méretezettek;
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
e.
b.
37 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 43,5 GHz közötti bármilyen frekvencián 1 W-nél (30 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítménnyel való működésre méretezettek, és "relatív sávszélességük" 10 %-nál nagyobb;
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
f.
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
43,5 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 75 GHz közötti bármilyen frekvencián 31,62 mW-nél (15 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítménnyel való működésre méretezettek, és "relatív sávszélességük" 10 %-nál nagyobb;
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
g.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than -3 dBfs (full scale).
75 GHz-nél nagyobb és legfeljebb 90 GHz közötti bármilyen frekvencián 10 mW-nél (10 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítménnyel való működésre méretezettek, és "relatív sávszélességük" 5 %-nál nagyobb; vagy
'Adjusted update rate' for DACs:
h.
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Bármilyen 90 GHz-t meghaladó frekvencián 0,1 nW-nél (– 70 dBm) nagyobb maximális kimeneti telítési teljesítménnyel való működésre méretezettek;
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Nem használt.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Az olyan MMIC ellenőrzési státusát, amelynek névleges működési frekvenciája a 3A001.b.2.a–3A001.b.2.h. pontban megadott, egynél több frekvenciatartományban szereplő frekvenciákat tartalmaz, a legalacsonyabb átlagos maximális kimeneti telítési teljesítményre vonatkozó ellenőrzési küszöb határozza meg.