natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Kifejezetten az 5E002 alatt meghatározott "technológia" támogatására tervezett vagy módosított "szoftver";
Voltage rating greater than 2 kV; and
Egyedi "szoftver", az alábbiak szerint:
b Inductance of less than 20 nH.
Az 5A002, 5A003 vagy 5A004 alatt meghatározott berendezések jellemzőivel rendelkező, vagy funkcióit megvalósító vagy szimuláló "szoftver";
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Az 5D002.c.1. alatt meghatározott "szoftvert" hitelesítő "szoftver".
a.
Az 5D002.c. nem vonja ellenőrzés alá az "OAM" feladatokra korlátozott, kizárólag nyilvánosságra hozott vagy kereskedelmi rejtjelezési szabványokat végrehajtó "szoftvert".
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
d.
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
"Szoftver", amelyet arra terveztek vagy úgy módosítottak, hogy "rejtjel-aktiválás" útján lehetővé tegye az 5A002.a. pontban meghatározott funkcionális kritériumok teljesítését olyan cikkeknél is, amelyek erre egyébként nem lennének alkalmasak.
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
a.
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Az 5A002, 5A003, 5A004 vagy 5B002 pontban meghatározott berendezés vagy az 5D002.a. vagy 5D002.c. pontban meghatározott "szoftver""fejlesztésére", "gyártására" vagy "felhasználására" vonatkozó, az "Általános technológiai megjegyzés" szerinti "technológia".
b.
"Technológia", amely arra szolgál, hogy "rejtjel-aktiválás" útján lehetővé tegye az 5A002.a. pontban meghatározott funkcionális kritériumok teljesítését olyan cikkeknél is, amelyek erre egyébként nem lennének alkalmasak.
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Az 5E002 az 5. kategória 2. részében meghatározott funkciók, jellemzők vagy technikák végrehajtásának értékelése vagy meghatározás céljából végzett eljárásokból származó "információbiztonsági" műszaki adatokat foglal magában.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
6.
Direct write capability;
KATEGÓRIA – SZENZOROK ÉS LÉZEREK
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
Akusztikai rendszerek, berendezések és alkatrészek, az alábbiak szerint:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
Hajózási akusztikai rendszerek, berendezések vagy a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, az alábbiak szerint:
d.
Aktív (adó vagy adó és vevő) rendszerek, berendezések vagy a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, az alábbiak szerint:
Not used;
A 6A001.a.1. nem vonja ellenőrzés alá a következő berendezéseket:
e.
± 20 °-ot meghaladó letapogatási pontossággal nem rendelkező, vertikálisan működő és kizárólag vízmélység-mérésre, az elsüllyedt vagy betemetett tárgyak távolságának mérésére vagy halászati célra alkalmazott mélységmérők.
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
Akusztikus jelzők, az alábbiak szerint:
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
Akusztikus vészjelzők; vagy
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Pingerek, amelyeket kifejezetten víz alatti pozíció újra beazonosítására, illetve az oda történő visszatérésre terveztek.
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Akusztikus tengerfenék-vizsgáló berendezések, az alábbiak szerint:
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
A tengerfenék topográfiai feltérképezésére szolgáló, felszíni hajókról működtethető vizsgálóberendezések, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
a.
f.
Arra tervezték, hogy függőlegestől 20°-ot meghaladóan eltérő szögben végezzenek mérést;
Lithography equipment as follows:
b.
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
Arra tervezték, hogy a tengerfenék topográfiáját 600 m-t meghaladó mélységekben mérje;
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
2-nél alacsonyabb'bemérési felbontás'; és
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
A mélységmérés'pontosságának fokozása' az alábbi összes tényező kompenzálásával:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Az akusztikus szenzor mozgása
an exposure light source wavelength in nm
Terjedés a víz közegében, a szenzortól a tengerfenékig és vissza; és
K factor
Hangsebesség a szenzornál;
numerical aperture
a 'bemérési felbontás' a hangnyaláb (fokokban kifejezett) szélességének és a nyalábonkénti beméréseknek a hányadosa.
where the K factor = 0,35
a 'pontosságfokozás' a külső eszközökkel való kompenzálás képességét is magában foglalja.
3B001.f.2. includes:
Az akusztikus szenzor nyomásbesorolása a 6A001.a.1.a.2. pontban meghatározott berendezés mélységbesorolását határozza meg.
Micro contact printing tools
a.
Nano-imprint lithography tools
300 m-nél nagyobb mélységben való működésre tervezték vagy módosították; és
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
'Bemérési teljesítményük' nagyobb, mint 3800 m/s; vagy
Equipment specially designed for mask making having all of the following:
a 'bemérési teljesítmény' 100 %-os lefedettséget feltételezve a szenzor maximális működési sebességének (m/s) és a nyalábonkénti bemérések maximális számának szorzata.
a.
A két irányban bemérő rendszerek (3D szonárok) esetében bármelyik irány maximális'bemérési teljesítményét' kell felhasználni
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
b.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
A 6A001.a.1.a.2.a. alatt nem meghatározott, az alábbi összes jellemzővel rendelkező vizsgálóberendezést:
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
100 m-nél nagyobb mélységben való működésre tervezték vagy módosították;
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
Arra tervezték, hogy függőlegestől 20°-ot meghaladóan eltérő szögben végezzenek mérést;
A deflected focused electron beam; and
350 kHz alatti üzemi frekvencia; vagy
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
b.
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Arra tervezték, hogy a tengerfenék topográfiáját az akusztikus szenzortól 200 métert meghaladó tartományban mérje; és
g.
A mélységmérés'pontosságának fokozása' az alábbi összes tényező kompenzálásával:
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
a.
h.
Az akusztikus szenzor mozgása
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
b.
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Terjedés a víz közegében, a szenzortól a tengerfenékig és vissza; és
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
c.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
A hang sebessége a szenzornál;
i.
Oldalirányban pásztázó szonárok (Side Scan Sonar, SSS) vagy szintetikus apertúrájú szonárok (Synthetic Aperture Sonar, SAS), amelyeket a tengerfenék képalkotó feltérképezésére terveztek, és rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével, és kifejezetten ezekhez tervezett adó és vevő akusztikai rendszerek:
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
a.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
500 m-t meghaladó mélységben való működésre tervezték vagy módosították;
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
570 m2/s-nál nagyobb'területlefedési teljesítmény' a 15 cm-nél kisebb'pályairányú felbontást' lehetővé tevő maximális hatótávolság mellett; és
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
15 cm-nél kisebb'keresztirányú felbontás';
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
a 'területlefedési teljesítmény' (m2/s) a szonár hatótávolsága (m) és a szenzor adott hatósátávolság mellett lehetséges maximális sebessége (m/s) szorzatának a kétszerese.
a.
a 'pályairányú felbontás' (cm) – csak az SSS szonárok esetében – az azimut (horizontális) nyalábszélességnek (szögfok), a szonár hatótávolságának (m) és 0,873-nak a szorzata.
Silicon (Si);
a 'keresztirányú felbontás' (cm) 75-nek és a jel sávszélességének (kHz) a hányadosa.
b.
Tárgyészleléshez vagy helymeghatározáshoz tervezett rendszerek vagy adásra és vételre alkalmas rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:
Germanium (Ge);
10 kHz alatti átviteli frekvencia;
c.
A 10 kHz–24 kHz üzemi frekvencia sávval rendelkező berendezések, amelyek hangnyomásszintje meghaladja a 224 dB-t (vonatkoztatási alap 1 μPa, 1 m-en);
Silicon carbide (SiC); or
A 24 kHz–30 kHz üzemi frekvencia sávval rendelkező berendezések, amelyek hangnyomásszintje meghaladja a 235 dB-t (vonatkoztatási alap 1 μPa, 1 m-en);
d.
Bármely tengely mentén 1°-nál kisebb sugarak formálása és 100 kHz alatti üzemi frekvencia;
"III/V compounds" of gallium or indium.
5120 m-t meghaladó hatótávolságon egyértelmű kijelzést biztosító működésre tervezett berendezés; vagy
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Dinamikus nyomáskompenzáció; vagy b) Átalakító elemként nem ólom-cirkonát-titanátot alkalmaz;
a.
A 6A001 alatt nem meghatározott egyéb berendezések számára speciálisan tervezett akusztikus leképezők – az átalakítókat is beleértve – ellenőrzési státusát az egyéb berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
A 6A001.a.1.c nem vonja ellenőrzés alá a hangot csak vertikálisan irányító elektronikai eszközöket vagy a mechanikai (pl. légpuska vagy gőzlöketű puska), illetve kémiai (pl. robbanó) forrásokat.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
A 6A001.a.1.c. pontban meghatározott piezoelektromos elemek magukban foglalják azokat, amelyek a következőkből készültek: ólom-magnézium-niobát/ólom-titanát(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, vagy PMN-PT) szilárd oldatból növesztett egykristályok vagy ólom-indium-niobát/ólom-magnézium niobát/ólom-titanát (Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/2Nb1/2)O3–PbTiO3, vagy PIN-PMN-PT) szilárd oldatból növesztett egykristályok.
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
10 kHz alatti frekvencián üzemelnek, és rendelkeznek az alábbiak valamelyikével:
b.
Nem 100 %-os terhelési ciklusban való folyamatos működésre tervezték őket, és (10log(f) + 169,77) dB-t (referencia: 1 μPa 1 m-nél) meghaladó kisugárzott szabadtéri hangforrásszinttel (SLRMS) rendelkeznek, ahol f a a sugárzott feszültségre adott legnagyobb válasz (Transmitting Voltage Response: TVR) Hertzben megadott frekvenciája 10kHz alatt van; vagy
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
100 %-os terhelési ciklusban való folyamatos működésre tervezték őket, és (10log(f) + 159,77) dB-t (referencia: 1 μPa 1 m-nél) meghaladó folyamatosan kisugárzott 'szabadtári hangforrásszinttel (SLRMS)' rendelkeznek 100 %-os terhelési ciklusban, ahol f a sugárzott feszültségre adott legnagyobb válasz (TVR) Hertzben megadott frekvenciája 10kHz alatt van; vagy
d.
a 'szabadtéri hangforrásszintet ( SLRMS)' a maximális válaszadó tengely mentén határozzák meg, az akusztikus leképező távoli mezejében.
All resists optimised for surface imaging technologies;
A sugárzott feszültségre adott válaszból az alábbi egyenlettel lehet kiszámítani: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) dB (ref: 1μPa 1 m-nél), ahol SLRMS a forrásszint, TVR a sugárzott feszültségre adott válasz és VRMS a leképező vezető feszültsége.
e.
22 dB-nél nagyobb mellékhurok elnyomás;
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
A vízfelszínen közlekedő hajók vagy a víz alatti úszó járművek helyzetének meghatározására szolgáló akusztikai rendszerek és berendezések, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek:
Organo-inorganic compounds as follows:
A mérési távolság az 1000 métert meghaladja; és
a.
A meghatározott pozícióhiba 1000 méteres tartományban 10 m effektív (négyzetes közép) értéknél jobb;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
A 6A001.a.1.d. magában foglalja a következőket:
b.
Olyan berendezések, amelyek két vagy több jelzőbója és a felszíni, valamint a víz alatti járművek hídrofon egységei között koherens "jelfeldolgozást" végeznek;
Organo-arsenic, organo-antimony and organo-phosphorus compounds, having a purity (inorganic element basis) better than 99,999 %.
Olyan berendezések, amelyek képesek az adott pont kiszámítása céljából a hangterjedési hibák automatikus korrigálására.
3C003 only controls compounds whose metallic, partly metallic or non-metallic element is directly linked to carbon in the organic part of the molecule.
Kifejezetten az úszók és búvárok felderítésére, helyük meghatározására és automatikus osztályozásukra tervezett önálló aktív hanglokátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével, és kifejezetten ezekhez tervezett adó és vevő akusztikai rendszerek:
Hydrides of phosphorus, arsenic or antimony, having a purity better than 99,999 %, even diluted in inert gases or hydrogen.
A mérési távolság meghaladja az 530 métert;
3C004 does not control hydrides containing 20 % molar or more of inert gases or hydrogen.
A A meghatározott pozícióhiba 530 méteres tartományban 15 m effektív (négyzetes közép) értéknél jobb; és
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) semiconductor "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
A továbbított impulzusjel sávszélessége meghaladja a 3 kHz-et;
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
A kifejezetten katonai célra tervezett vagy módosított búvárfelderítő rendszerek tekintetében lásd a katonai célú termékek ellenőrzési jegyzékét.
"Software" specially designed for the "development" or "production" of equipment specified in 3A001.b. to 3A002.h. or 3B.
A 6A001.a.1.e. pont esetében, amikor a különböző környezeti feltételeket illetően több mérési távolság van megadva, a legnagyobb mérési távolságot kell figyelembe venni.
"Software" specially designed for the "use" of equipment specified in 3B001.a. to f., 3B002 or 3A225
Passzív rendszerek, berendezések vagy a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, az alábbiak szerint:
'Physics-based' simulation "software" specially designed for the "development" of lithographic, etching or deposition processes for translating masking patterns into specific topographical patterns in conductors, dielectrics or semiconductor materials.
Hidrofonok (víz alatti mikrofonok), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
'Physics-based' in 3D003 means using computations to determine a sequence of physical cause and effect events based on physical properties (e.g., temperature, pressure, diffusion constants and semiconductor materials properties).
A kifejezetten egyéb berendezéshez tervezett hidrofonok ellenőrzési státusát az egyéb berendezés ellenőrzési státusa határozza meg.
Libraries, design attributes or associated data for the design of semiconductor devices or integrated circuits are considered as "technology".
A hidrofonok egyetlen akusztikus kimenőcsatornát létrehozó egy vagy több szenzorelemből állnak.
"Software" specially designed for the "development" of equipment specified in 3A003.
A több elemet tartalmazókra hidrofoncsoportként is lehet hivatkozni.
"Software" specially designed or modified for the "use" of equipment specified in 3A101.b.
Folytonos rugalmas szenzorelemeket tartalmaz;
"Software" specially designed to enhance or release the performance of frequency changers or generators to meet the characteristics of 3A225.
Rugalmas diszkrét szenzorelemek részegységeit tartalmazza, amelyeknek mind az átmérője, mind hossza kevesebb, mint 20 mm, és az elemek egymás közötti távolsága kevesebb, mint 20 mm;
"Technology" according to the General Technology Note for the "development" or "production" of equipment or materials specified in 3A, 3B or 3C;
Rendelkezik az alábbi érzékelőelemek bármelyikével:
3E001 does not control "technology" for the "production" of equipment or components specified in 3A003.
a.
3E001 does not control "technology" for the "development" or "production" of integrated circuits specified in 3A001.a.3. to 3A001.a.12., having all of the following:
Optikai szálak;
Using "technology" at or above 0,130 μm; and
b.
Incorporating multi-layer structures with three or fewer metal layers.
'Piezoelektromos polimer filmek' a polivinidilén-fluoridon (PVDF) és kopolimerein P(VDF-TrFE) és P(VDF-TFE) kívül;
"Technology" according to the General Technology Note, other than that specified in 3E001,for the "development" or "production" of a "microprocessor microcircuit", "microcomputer microcircuit" or microcontroller microcircuit core, having an arithmetic logic unit with an access width of 32 bits or more and any of the following features or characteristics:
c.
a.
'Flexibilis piezoelektromos kompozitok';
A 'vector processor unit' designed to perform more than two calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously;
d.
A 'vector processor unit' is a processor element with built-in instructions that perform multiple calculations on floating-point vectors (one-dimensional arrays of 32-bit or larger numbers) simultaneously, having at least one vector arithmetic logic unit and vector registers of at least 32 elements each.
Ólom-magnézium-niobát/ólom-titanát (azaz Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3, vagy PMN-PT) szilárd oldatból növesztett piezoelektromos egykristályok; vagy vagy
Designed to perform more than four 64-bit or larger floating-point operation results per cycle; or
Ólom-indium-niobát/ólom-magnézium niobát/ólom-titanát (azaz, Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, vagy PIN-PMN-PT) szilárd oldatból növesztett piezoelektromos egykristályok;
c.
a 'hidrofon érzékenysége' gyorsuláskompenzálás nélkül bármely mélységben jobb, mint – 180 dB;
Designed to perform more than eight 16-bit fixed-point multiply-accumulate results per cycle (e.g., digital manipulation of analogue information that has been previously converted into digital form, also known as digital "signal processing").
Gyorsuláskompenzálással rendelkező, 35 m-nél nagyobb mélységben történő működésre tervezett hidrofon; vagy
3E002 does not control "technology" for multimedia extensions.
1000 m-nél nagyobb mélységben történő működésre tervezték;
3E002 does not control "technology" for the "development" or "production" of micro-processor cores, having all of the following:
a 'piezoelektromos polimer film' szenzorelemei polarizált polimer filmből állnak, amelyet kinyújtanak és feszítőkerethez vagy csévéhez (mandrelhez) csatolnak.
Incorporating multi-layer structures with five or fewer metal layers.
a 'flexibilis piezoelektromos kompozitok' szenzorelemei piezoelektromos kerámia részecskéket vagy szálakat tartalmaznak elektromos szigeteléssel, akusztikailag átlátszó gumi-, polimer- vagy epoxi keverékkel kombinálva, ahol a komponens a szenzorelemek integráns része.
3E002 includes "technology" for digital signal processors and digital array processors.
a 'hidrofon érzékenysége' a következőképpen határozható meg: a kimenőfeszültség effektív értéke és az 1 V effektív értékű referenciafeszültség hányadosának 10-es alapú logaritmusa szorozva hússzal, ha az előerősítő nélküli hidrofon-szenzor 1 μPa effektív nyomású síkhullámú akusztikai mezőben helyezkedik el.
Other "technology" for the "development" or "production" of the following:
Például a – 160 dB-es hidrofon (a referenciafeszültség 1 V/μPa) egy adott mezőben 10–8 V kimenőfeszültséget, míg egy – 180 dB érzékenységű hidrofon csak 10–9 V kimenőfeszültséget szolgáltat.
a.
A hidrofonrendszerek több kimeneti akusztikus csatornát biztosító hidrofonokból állnak.
Vacuum microelectronic devices;
A hidrofoncsoport osztástávolsága kevesebb mint 12,5 m vagy oly módon módosítható, hogy a hidrofoncsoport osztástávolsága kevesebb mint 12,5 m legyen;
b.
A rendszert 35 m-t meghaladó mélységben történő működésre tervezték, vagy az ilyenre'átalakítható';
Hetero-structure semiconductor electronic devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;
A 6A001.a.2.b.1. és 2.-ben az 'átalakítható' azt jelenti, hogy ezeknél az eszközöknél a kábelezés, vagy a csatlakozások módosításával lehetővé válik a hidrofoncsoport osztástávolságának és az üzemi mélység korlátoknak a megváltoztatása.
3E003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (HEMT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz and hetero-junction bipolar transistors (HBT) operating at frequencies lower than 31,8 GHz.
E lehetőségeket a következők biztosítják: a kábelek számának 10 %-át meghaladó pótkábelek, a hidrofoncsoport osztástávolságát szabályozó blokkok vagy beállítható belső mélység korlátozó eszközök, illetve több hidrofoncsoport vezérlése;
c.
A 6A001.a.2.d. alatt meghatározott irányszenzorok;
"Superconductive" electronic devices;
Hosszanti irányban erősített tömlőrendszerek;
d.
Az összeszerelt rendszer átmérője kevesebb, mint 40 mm;
Substrates of films of diamond for electronic components.
A 6A001.a.2.a alatt meghatározott hidrofonjellemzők; vagy
e.
A 6A001.a.2.g. alatt meghatározott gyorsulásmérőn alapuló hidroakusztikai szenzorok;
Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;
Kifejezetten a vontatott akusztikai hidrofonrendszerek számára tervezett "felhasználó által programozható" feldolgozóberendezés, amely rendelkezik idő- vagy frekvenciaosztásos feldolgozással és korrelációval, beleértve a spektrumelemzést, a gyors Fourier vagy más transzformáció vagy eljárások alkalmazásával végrehajtott digitális szűrést és sugáralakítást;
f.
Irányszenzorok, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével: