natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Cathodic Arc Deposition employs a consumable cathode of the material which forms the coating and has an arc discharge established on the surface by a momentary contact of a ground trigger.
A 3A002.h. magában foglalja az AD átlakító kártyákat, hullámforma-digitalizálókat, adatgyűjtő kártyákat, jelgyűjtő kártyákat és tranziens rögzítőket
Controlled motion of arcing erodes the cathode surface creating a highly ionized plasma.
Permetező hűtéses hőkezelő rendszerek, amelyek zárt hurok rendszerű folyadékkezelő vagy regeneráló berendezéseket használnak olyan teljesen lezárt helyen, ahol az elektronikai alkatrészekre dielektromos folyadékot permeteznek olyan, kifejezetten erre a célra tervezett permetező szórófejjel, amely úgy van kialakítva, hogy üzemi hőmérséklettartományban tartsa az elektronikai alkatrészeket, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek.
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
A 3A001 alatt meghatározottaktól eltérő elektronikus berendezések, eszközök és alkatrészek, az alábbiak szerint:
Substrate biasing is used for non line-of-sight deposition.
a. "rakétákban" felhasználható analóg-digitális átalakítók, amelyeket úgy terveztek, hogy megfeleljenek a megerősített konstrukciójú berendezésekre vonatkozó katonai előírásoknak.
This definition does not include random cathodic arc deposition with non-biased substrates.
b. olyan gyorsítók, amelyek képesek 2 MeV vagy azt meghaladó energiájú, felgyorsított elektronokból származó "bremsstrahlung" (fékezési sugárzás) segítségével előállított elektromágneses sugárzást közvetíteni, valamint az ezeket a gyorsítókat tartalmazó rendszerek;
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
A fenti 3A101.b. alpont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi célra tervezett berendezéseket.
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
"Rakétákban" való felhasználás céljára tervezett vagy módosított "termikus telepek".
c.
A 3A102 pont szerinti "termikus telepek" olyan egyszeri felhasználásra szánt telepek, amelyek elektrolitként szilárd nem vezető szervetlen sót tartalmaznak.
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
Ezek a telepek olyan pirolitikus anyagot foglalnak magukban, amely gyújtásra megolvasztja az elektrolitot és aktiválja a telepet.
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
A 3A102 pontban a "rakéta" olyan komplett rakétarendszereket és pilóta nélküli légijármű-rendszereket jelöl, melyek hatósugara meghaladja a 300 km-t.
An activator (normally a halide salt); and
A 3A001 alatt meghatározottaktól eltérő elektronikus alkatrészek, az alábbiak szerint:
An inert powder, most frequently alumina.
a. kondenzátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzőcsoportok valamelyikével:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
a. névleges feszültségük nagyobb, mint 1,4 kV;
d.
b. a tárolt energia több mint 10 J;
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
c. kapacitásuk nagyobb, mint 0,5 μF; és
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
d. soros induktivitásuk kisebb, mint 50 nH; vagy
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
névleges feszültségük nagyobb, mint 750 V;
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
b. kapacitásuk nagyobb, mint 0,25 μF; és
e.
c. soros induktivitásuk kisebb, mint 10 nH;
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
b. szupravezető szolenoid elektromágnesek, amelyek rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
f.
képesek 2 T-nál nagyobb mágneses tér létrehozására;
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
L/D (hossz/belső átmérő) arányuk nagyobb, mint 2;
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
300 mm-nél nagyobb a belső átmérőjük; és
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
a belső térfogat központi 50 %-ában a mágneses tér egyenletessége jobb, mint 1 %.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
A 3A201.b. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi mágneses magrezonancia (NMR) megjelenítő rendszerekhez tervezett mágneseket, amelyeket e rendszerek részeként kerülnek kivitelre.
g.
A "részeként" kifejezés úgy értendő, Ahogy az fizikailag nem feltétlenül képezi ugyanannak a szállítmánynak a részét.
Ion Implantation is a surface modification coating process in which the element to be alloyed is ionized, accelerated through a potential gradient and implanted into the surface region of the substrate.
Lehetőség van különböző forrásokból származó részszállításokra, feltéve, hogy a vonatkozó kiviteli dokumentumokból egyértelműen kiderül, hogy a szállítmány a megjelenítő rendszer részét képezi.
This includes processes in which ion implantation is performed simultaneously with electron beam physical vapour deposition or sputter deposition.
c. impulzus-röntgengenerátorok vagy impulzusos elektrongyorsítók, amelyek rendelkeznek a következő jellemzőcsoportok valamelyikével:
CATEGORY 3 — ELECTRONICS
a. az elektrongyorsító csúcsenergiája 500 keV vagy annál nagyobb, de 25 MeV-nál kisebb; és
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
b. a (K) "jósági tényező" 0,25 vagy annál nagyobb; vagy
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
a. az elektrongyorsító csúcsenergiája 25 MeV vagy annál nagyobb; és
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
b. a "csúcsteljesítmény" 50 MW-nál nagyobb.
Electronic items as follows:
A 3A201.c. nem vonja ellenőrzés alá sem az olyan berendezések alkatrészeit, amelyeket nem elektronnyaláb- vagy röntgensugárzás céljaira (pl. elektronmikroszkópia), sem azokat, amelyeket orvosi célra terveztek.
a.
A "K" "jósági tényezőt" a következőképpen kell meghatározni:
General purpose integrated circuits, as follows:
K = 1,7 × 103V2,65Q
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
ahol "V" az elektron csúcsenergiája millió elektronvoltban,
Integrated circuits include the following types:
"Q" a teljes gyorsított töltés coulombban, ha a gyorsítónyaláb-impulzus időtartama legfeljebb 1 μs.
"Monolithic integrated circuits";
Ha a gyorsítónyaláb-impulzus 1 μs-nál nagyobb, akkor "Q" az 1 μs alatti maximális gyorsított töltés.
"Hybrid integrated circuits";
A "Q" egyenlő az "i"-nek "t" idő szerinti integráljával, 1 μs-ra vagy az impulzus időtartamára vonatkoztatva, attól függően, hogy melyik a kisebb, ahol "i" a nyaláb áramerőssége amperben, "t" az idő másodpercben (Q = ∫ idt).
"Multichip integrated circuits";
"Csúcsteljesítmény" = (csúcspotenciál voltban) × (csúcs sugáráram amperben).
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
A sugárimpulzus időtartam mikrohullámú gyorsító üregrezonátorok elvén alapuló gépekben az 1 μs érték és az egy mikrohullámú modulátor impulzusból eredő nyaláb időtartama közül a kisebb értékkel egyezik meg.
"Optical integrated circuits";
Mikrohullámú gyorsító üregrezonátorok elvén alapuló gépekben a sugár csúcsáram a sugárnyaláb-csomag időtartama alatti átlagos árammal egyenlő.
"Three dimensional integrated circuits".
A 0B001.b.13. alatt meghatározottaktól eltérő, változtatható vagy rögzített frekvenciájú motormeghajtóként használható frekvenciaváltók vagy generátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi valamennyi jellemzővel:
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
A kifejezetten a frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – fokozására vagy felszabadítására tervezett "szoftvert" a 3D225 határozza meg.
a.
A kifejezetten egy frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – megerősítését vagy kiaknázását célzó, kódok és kulcsok formájában megadott "technológiát" a 3E225 határozza meg.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
a. többfázisú kimenet 40 VA vagy annál nagyobb teljesítménnyel;
b.
b. működés 600 Hz vagy magasabb frekvencián; és
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
c. a frekvenciastabilitás jobb (kisebb), mint 0,2 %.
c.
A 3A225 nem vonja ellenőrzés alá azon frekvenciaváltókat vagy generátorokat, amelyek a teljesítményt a fent meghatározottaknál kisebbre korlátozó hardver, "szoftver" vagy "technológiai" megszorításokkal rendelkeznek, feltéve, hogy eleget tesznek az alábbiak valamelyikének:
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
A teljesítménynövelés vagy a korlátozások feloldása érdekében vissza kell őket juttatni eredeti gyártójukhoz;
3A001.a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
A 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében a 3D225 alatt meghatározottak szerinti "szoftvert" igényelnek a teljesítmény javításához vagy kiaknázásához; vagy
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
A 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében a 3E225 alatt meghatározottak szerinti, kódok és kulcsok formájában megadott "technológiát" igényelnek a teljesítmény javításához vagy kiaknázásához.
a.
A 3A225 szerinti frekvenciaváltók konverter, illetve inverter néven is ismertek.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
A 3A225 alatt szereplő frekvenciaváltókat generátorokként, elektronikus tesztberendezésként, AC tápegységként, Variable Speed Motors Drives, változó sebességű meghajtóként (VSD), változtatható frekvenciájú meghajtóként (VFD), kiigazítható frekvenciájú meghajtóként (AFD), vagy kiigazítható sebességű meghajtóként (ASD) helyezhetik forgalomba.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
a. képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 100 V vagy annál nagyobb feszültségű, 500 A vagy annál nagyobb áramerősségű kimeneti áram előállítására; és
c.
b. áramerősség- vagy feszültségstabilitásuk 8 óra időtartam alatt jobb, mint 0,1 %.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
A 0B001.j.5. alatt meghatározottaktól eltérő nagyfeszültségű, egyenáramú tápegységek, amelyek az alábbi mindkét jellemzővel rendelkeznek:
3A001.a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
a. képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 20 kV vagy annál nagyobb feszültségű, 1 A vagy annál nagyobb áramerősségű kimeneti áram előállítására; és
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
Kapcsoló-berendezések, az alábbiak szerint:
3A001.a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
hideg katódcsövek – függetlenül attól, hogy gázzal töltöttek-e vagy sem – amelyek a szikraközhöz hasonlóan működnek, és rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
három vagy annál több elektródát tartalmaznak;
a.
névleges anódcsúcsfeszültség 2,5 kV vagy annál nagyobb;
ADCs having any of the following:
névleges anód-csúcsáramerősség 100 A vagy nagyobb; és
SEE ALSO 3A101
az anód-késleltetési idő 10 μs vagy annál kisebb;
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1000 million words per second;
A 3A228 magában foglalja a gázkritron- és a vákuumspritron-csöveket is.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 500 million words per second;
kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek az alábbi mindkét jellemzővel:
A resolution of 12 bit or more, but less than 14 bit, with an output rate greater than 200 million words per second;
az anód-késleltetési idő 15 μs vagy annál kisebb; és
A resolution of 14 bit or more, but less than 16 bit, with an output rate greater than 250 million words per second; or
500 A vagy nagyobb névleges csúcsáramerősség;
A resolution of 16 bit or more with an output rate greater than 65 million words per second;
c. a 3A001.g. vagy a 3A001.h. pontban meghatározottaktól eltérő, gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az az alábbi jellemzők mindegyikével:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
a névleges anód csúcsfeszültség 2 kV-nál nagyobb;
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
a névleges anód-csúcsáramerősség 500 A vagy nagyobb; és
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
a kapcsolási idő 1 μs vagy annál kisebb.
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
Nagy áramerősségű impulzusgenerátorok, az alábbiak szerint:
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
a. az 1A007.a. alatt meghatározottaktól eltérő, az 1A007.b. alatt meghatározott többszörös irányítású detonátor meghajtásához tervezett detonátor gyújtóegységek (indítórendszerek, tűzegységek), ideértve elektromos, a robbanó detonátoros és optikai vezérlésű gyújtóegységeket is;
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
b. moduláris elektromos impulzusgenerátorok (impulzusadó), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
hordozható, mobil, vagy rezgésálló kivitelben készültek;
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
képesek energiájukat 15 μs-nál rövidebb idő alatt leadni 40 Ohmnál kisebb terhelésre;
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
kimeneti áramerősségük nagyobb, mint 100 A;
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
egyetlen méretük sem haladja meg a 30 cm-t;
b.
tömegük kisebb, mint 30 kg; és
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
szélsőséges hőmérsékleti viszonyok –223 K-től (– 50°C) 373 K-ig (100 °C-ig) – közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
A 3A229.b. a xenon villanólámpa meghajtókat is magában foglalja.
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 1250 MSPS and having any of the following:
c. mikro-gyújtóegységek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
a.
egyetlen méretük sem haladja meg a 35 mm-t;
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
névleges feszültségük legalább 1 kV; és
b.
kapacitásuk legalább 100 μF.
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
Nagy sebességű impulzusgenerátorok, és azokhoz való "impulzusfejek", amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
a.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
55 ohmnál kisebb rezisztív terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség; és
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
az "impulzusfelfutási idő" kevesebb, mint 500 ps.
'Adjusted update rate' for DACs:
A 3A230 szerinti "impulzusfelfutási idő" az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Az "impulzusfejek" olyan impulzusalakító hálózatok, amelyeket arra terveztek, hogy feszültséglépcső-funkciót tegyenek lehetővé, és hogy azt különféle impulzusformákká (négyszög, háromszög, lépés, impulzus, exponenciális vagy egyciklusú típusok) alakítsák át.
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
Az "impulzusfejek" képezhetik az impulzusgenerátorok szerves részét, lehetnek az eszközhöz tartozó plug-in modulok, vagy pedig kívülről is lehet őket csatlakoztatni az eszközhöz.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Neutrongenerátor-rendszerek, beleértve a csöveket is, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
külső vákuumrendszer nélküli üzemelésre tervezték; és
input data rate
b. az alábbiak bármelyikét hasznosítják:
input word rate
a trícium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítás alkalmazásával idézik elő; vagy
input sample rate
a deutérium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítással idézik elő, és 3 × 109 neutron/s vagy nagyobb output kapacitásra képesek.
maximum total input bus rate
Az 1A007. pontban meghatározottól eltérő, többpontos indítórendszerek, az alábbiak szerint:
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
A detonátorok tekintetében lásd az 1A007.b. pontot.
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
b. egyszeres vagy többszörös detonátorral működő rendszerek, amelyeket arra terveztek, hogy egyetlen tűzjelre közel egyidejűleg iniciáljanak 5000 mm2-nél nagyobb területen robbanási felületet úgy, hogy a berobbantás idejének átfutása a felületen kevesebb, mint 2,5 μs.
a.
A 3A232 nem vonja ellenőrzés alá a csak primer robbanóanyagokat, pl. az ólomazidot alkalmazó detonátorokat.
One or more than one internal "laser" diode;
A 0B002.g. alatt meghatározottaktól eltérő tömegspektrométerek, amelyek képesek 230 atomtömeg-egységnyi vagy annál nagyobb tömegű ionok mérésére, és felbontóképességük jobb, mint 2 rész a 230-ban, valamint a hozzájuk tartozó ionforrások, az alábbiak szerint:
b.
a. induktív csatolású plazma-tömegspektrométerek (ICP/MS);
One or more than one internal light detecting element; and
b. parázsfénykisüléses tömegspektrométerek (GDMS);
c.
c. hőionizációs tömegspektrométerek (TIMS);
Optical waveguides;
d. elektronbombázásos tömegspektrométerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Field programmable logic devices having any of the following:
olyan molekulárissugár-bemeneti rendszer, amely analitmolekulák párhuzamos sugarát injektálja az ionforrás olyan környezetébe, ahol a molekulákat elektronsugárral ionizálják; és
a.
egy vagy több, 193 K (– 80 °C) hőmérsékletre hűthető "hidegcsapda";
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
Nem használt.
b.
f. aktinidákkal, vagy aktinida-fluoridokkal történő működésre tervezett mikrofluorozó ionforrással ellátott tömegspektrométerek.
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
A 3A233.d. pontban szereplő elektronbombázásos tömegspektrométerek elektronbecsapódásos tömegspektrométerként vagy elektronionizációs tömegspektrométerként is ismertek.
3A001.a.7. includes:
A 3A233.d.2. pontban szereplő"hidegcsapda" olyan eszköz, amely hideg felületen való kondenzálással vagy fagyasztással kapja el a gázmolekulákat.
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
A 3A233.d.2. alkalmazásában a zárt ciklusú héliumgázos kriogén vákuumszivattyú nem számít "hidegcsapdának".
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
Szalagvezetékek, amelyek alacsony induktivitású útvonalat biztosítanak olyan detonátorokhoz, amelyeket:
Field Programmable Gate Arrays (FPGAs)
a. névleges feszültségük nagyobb, mint 2 kV; és
Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)
b. induktivitásuk kisebb, mint 20 nH.
Field Programmable Interconnects (FPICs)
Félvezető eszközök vagy anyagok gyártására szolgáló berendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
Maximum number of digital input/outputs in 3A001.a.7.a. is also referred to as the maximum user input/outputs or maximum available input/outputs, whether the integrated circuit is packaged or bare die.
a. epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint:
'Aggregate one-way peak serial transceiver data rate' is the product of the peak serial one-way transceiver data rate times the number of transceivers on the FPGA.
minimum 75 mm-es távolságon ± 2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilíciumtól eltérő anyag rétegvastagság előállítására képes berendezés;