natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Electronic devices and circuits containing components, manufactured from "superconductive" materials, specially designed for operation at temperatures below the "critical temperature" of at least one of the "superconductive" constituents and having any of the following:
A 3A102 pont szerinti "termikus telepek" olyan egyszeri felhasználásra szánt telepek, amelyek elektrolitként szilárd nem vezető szervetlen sót tartalmaznak.
Current switching for digital circuits using "superconductive" gates with a product of delay time per gate (in seconds) and power dissipation per gate (in watts) of less than 10-14 J; or
Ezek a telepek olyan pirolitikus anyagot foglalnak magukban, amely gyújtásra megolvasztja az elektrolitot és aktiválja a telepet.
Frequency selection at all frequencies using resonant circuits with Q-values exceeding 10000;
A 3A102 pontban a "rakéta" olyan komplett rakétarendszereket és pilóta nélküli légijármű-rendszereket jelöl, melyek hatósugara meghaladja a 300 km-t.
e.
A 3A001 alatt meghatározottaktól eltérő elektronikus alkatrészek, az alábbiak szerint:
High energy devices as follows:
a. kondenzátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzőcsoportok valamelyikével:
'Cells' as follows:
a. névleges feszültségük nagyobb, mint 1,4 kV;
a.
b. a tárolt energia több mint 10 J;
'Primary cells' having an 'energy density' exceeding 550 Wh/kg at 20 °C;
c. kapacitásuk nagyobb, mint 0,5 μF; és
b.
d. soros induktivitásuk kisebb, mint 50 nH; vagy
'Secondary cells' having an 'energy density' exceeding 350 Wh/kg at 20 °C;
a. névleges feszültségük nagyobb, mint 750 V;
For the purpose of 3A001.e.1.,'energy density' (Wh/kg) is calculated from the nominal voltage multiplied by the nominal capacity in ampere-hours (Ah) divided by the mass in kilograms.
b. kapacitásuk nagyobb, mint 0,25 μF; és
If the nominal capacity is not stated, energy density is calculated from the nominal voltage squared then multiplied by the discharge duration in hours divided by the discharge load in ohms and the mass in kilograms.
c. soros induktivitásuk kisebb, mint 10 nH;
For the purpose of 3A001.e.1., a 'cell' is defined as an electrochemical device, which has positive and negative electrodes, an electrolyte, and is a source of electrical energy.
b. szupravezető szolenoid elektromágnesek, amelyek rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
It is the basic building block of a battery.
képesek 2 T-nál nagyobb mágneses tér létrehozására;
For the purpose of 3A001.e.1.a., a 'primary cell' is a 'cell' that is not designed to be charged by any other source.
L/D (hossz/belső átmérő) arányuk nagyobb, mint 2;
For the purpose of 3A001.e.1.b., a 'secondary cell' is a 'cell' that is designed to be charged by an external electrical source.
300 mm-nél nagyobb a belső átmérőjük; és
3A001.e.1. does not control batteries, including single-cell batteries.
a belső térfogat központi 50 %-ában a mágneses tér egyenletessége jobb, mint 1 %.
High energy storage capacitors as follows:
A 3A201.b. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi mágneses magrezonancia (NMR) megjelenítő rendszerekhez tervezett mágneseket, amelyeket e rendszerek részeként kerülnek kivitelre.
SEE ALSO 3A201.a. and the Military Goods Controls.
A "részeként" kifejezés úgy értendő, hogy az fizikailag nem feltétlenül képezi ugyanannak a szállítmánynak a részét.
a.
Lehetőség van különböző forrásokból származó részszállításokra, feltéve, hogy a vonatkozó kiviteli dokumentumokból egyértelműen kiderül, hogy a szállítmány a megjelenítő rendszer részét képezi.
Capacitors with a repetition rate of less than 10 Hz (single shot capacitors) and having all of the following:
c. impulzus-röntgengenerátorok vagy impulzusos elektrongyorsítók, amelyek rendelkeznek a következő jellemzőcsoportok valamelyikével:
A voltage rating equal to or more than 5 kV;
a. az elektrongyorsító csúcsenergiája 500 keV vagy annál nagyobb, de 25 MeV-nál kisebb; és
An energy density equal to or more than 250 J/kg; and
b. a (K) "jósági tényező" 0,25 vagy annál nagyobb; vagy
A total energy equal to or more than 25 kJ;
a. az elektrongyorsító csúcsenergiája 25 MeV vagy annál nagyobb; és
b.
b. a "csúcsteljesítmény" 50 MW-nál nagyobb.
Capacitors with a repetition rate of 10 Hz or more (repetition rated capacitors) and having all of the following:
A 3A201.c. nem vonja ellenőrzés alá sem az olyan berendezések alkatrészeit, amelyeket nem elektronnyaláb- vagy röntgensugárzás céljaira (pl. elektronmikroszkópia), sem azokat, amelyeket orvosi célra terveztek.
An energy density equal to or more than 50 J/kg;
A "K""jósági tényezőt" a következőképpen kell meghatározni:
A total energy equal to or more than 100 J; and
K = 1,7 × 103V2,65Q
A charge/discharge cycle life equal to or more than 10000;
ahol "V" az elektron csúcsenergiája millió elektronvoltban,
"Superconductive" electromagnets and solenoids, specially designed to be fully charged or discharged in less than one second and having all of the following:
"Q" a teljes gyorsított töltés coulombban, ha a gyorsítónyaláb-impulzus időtartama legfeljebb 1 μs.
SEE ALSO 3A201.b.
Ha a gyorsítónyaláb-impulzus 1 μs-nál nagyobb, akkor "Q" az 1 μs alatti maximális gyorsított töltés.
3A001.e.3. does not control "superconductive" electromagnets or solenoids specially designed for Magnetic Resonance Imaging (MRI) medical equipment.
A "Q" egyenlő az "i"-nek "t" idő szerinti integráljával, 1 μs-ra vagy az impulzus időtartamára vonatkoztatva, attól függően, hogy melyik a kisebb, ahol "i" a nyaláb áramerőssége amperben, "t" az idő másodpercben (Q = ò idt).
a.
"Csúcsteljesítmény" = (csúcspotenciál voltban) × (csúcs sugáráram amperben).
Energy delivered during the discharge exceeding 10 kJ in the first second;
A sugárimpulzus időtartam mikrohullámú gyorsító üregrezonátorok elvén alapuló gépekben az 1 μs érték és az egy mikrohullámú modulátor impulzusból eredő nyaláb időtartama közül a kisebb értékkel egyezik meg.
b.
Mikrohullámú gyorsító üregrezonátorok elvén alapuló gépekben a sugár csúcsáram a sugárnyaláb-csomag időtartama alatti átlagos árammal egyenlő.
Inner diameter of the current carrying windings of more than 250 mm; and
A 0B001.b.13. alatt meghatározottaktól eltérő, változtatható vagy rögzített frekvenciájú motormeghajtóként használható frekvenciaváltók vagy generátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi valamennyi jellemzővel:
c.
A kifejezetten a frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – fokozására vagy felszabadítására tervezett "szoftvert" a 3D225 határozza meg.
Rated for a magnetic induction of more than 8 T or "overall current density" in the winding of more than 300 A/mm2;
A kifejezetten egy frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – megerősítését vagy kiaknázását célzó, kódok és kulcsok formájában megadott "technológiát" a 3E225 határozza meg.
Solar cells, cell-interconnect-coverglass (CIC) assemblies, solar panels, and solar arrays, which are "space-qualified", having a minimum average efficiency exceeding 20 % at an operating temperature of 301 K (28 °C) under simulated 'AM0' illumination with an irradiance of 1367 watts per square metre (W/m2);
a. többfázisú kimenet 40 VA vagy annál nagyobb teljesítménnyel;
'AM0', or 'Air Mass Zero', refers to the spectral irradiance of sun light in the earth's outer atmosphere when the distance between the earth and sun is one astronomical unit (AU).
b. működés 600 Hz vagy magasabb frekvencián; és
f.
c. a frekvenciastabilitás jobb (kisebb), mint 0,2 %.
Rotary input type absolute position encoders having an "accuracy" equal to or less (better) than 1,0 second of arc and specially designed encoder rings, discs or scales therefor;
A 3A225 nem vonja ellenőrzés alá azon frekvenciaváltókat vagy generátorokat, amelyek a teljesítményt a fent meghatározottaknál kisebbre korlátozó hardver, "szoftver" vagy "technológiai" megszorításokkal rendelkeznek, feltéve, hogy eleget tesznek az alábbiak valamelyikének:
g.
A teljesítménynövelés vagy a korlátozások feloldása érdekében vissza kell őket juttatni eredeti gyártójukhoz;
Solid-state pulsed power switching thyristor devices and 'thyristor modules', using either electrically, optically, or electron radiation controlled switch methods and having any of the following:
A 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében a 3D225 alatt meghatározottak szerinti "szoftvert" igényelnek a teljesítmény javításához vagy kiaknázásához; vagy
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 30000 A/μs and off-state voltage greater than 1100 V; or
A 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében a 3E225 alatt meghatározottak szerinti, kódok és kulcsok formájában megadott "technológiát" igényelnek a teljesítmény javításához vagy kiaknázásához.
A maximum turn-on current rate of rise (di/dt) greater than 2000 A/μs and having all of the following:
A 3A225 szerinti frekvenciaváltók konverter, illetve inverter néven is ismertek.
a.
A 3A225 alatt szereplő frekvenciaváltókat generátorokként, elektronikus tesztberendezésként, AC tápegységként, Variable Speed Motors Drives, változó sebességű meghajtóként (VSD), változtatható frekvenciájú meghajtóként (VFD), kiigazítható frekvenciájú meghajtóként (AFD), vagy kiigazítható sebességű meghajtóként (ASD) helyezhetik forgalomba.
An off-state peak voltage equal to or greater than 3000 V; and
A 0B001.j.6. alatt meghatározottaktól eltérő egyenáramú, nagyteljesítményű tápegységek, amelyek az alábbi mindkét jellemzővel rendelkeznek:
b.
a. a. képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 100 V vagy annál nagyobb feszültségű, 500 A vagy annál nagyobb áramerősségű kimeneti áram előállítására; és
A peak (surge) current equal to or greater than 3000 A.
b. áramerősség- vagy feszültségstabilitásuk 8 óra időtartam alatt jobb, mint 0,1 %.
3A001.g. includes:
A 0B001.j.5. alatt meghatározottaktól eltérő nagyfeszültségű, egyenáramú tápegységek, amelyek az alábbi mindkét jellemzővel rendelkeznek:
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
a. képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 20 kV vagy annál nagyobb feszültségű, 1 A vagy annál nagyobb áramerősségű kimeneti áram előállítására; és
Electrical Triggering Thyristors (ETTs)
Kapcsoló-berendezések, az alábbiak szerint:
Light Triggering Thyristors (LTTs)
a. hideg katódcsövek – függetlenül attól, hogy gázzal töltöttek-e vagy sem – amelyek a szikraközhöz hasonlóan működnek, és rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)
három vagy annál több elektródát tartalmaznak;
Gate Turn-off Thyristors (GTOs)
névleges anódcsúcsfeszültség 2,5 kV vagy annál nagyobb;
MOS Controlled Thyristors (MCTs)
névleges anód-csúcsáramerősség 100 A vagy nagyobb; és
Solidtrons
az anód-késleltetési idő 10 μs vagy annál kisebb;
3A001.g. does not control thyristor devices and 'thyristor modules' incorporated into equipment designed for civil railway or "civil aircraft" applications.
A 3A228 magában foglalja a gázkritron- és a vákuumspritron-csöveket is.
For the purposes of 3A001.g., a 'thyristor module' contains one or more thyristor devices.
b. kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek az alábbi mindkét jellemzővel:
h.
az anód-késleltetési idő 15 μs vagy annál kisebb; és
Solid-state power semiconductor switches, diodes, or 'modules', having all of the following:
500 A vagy nagyobb névleges csúcsáramerősség;
Rated for a maximum operating junction temperature greater than 488 K (215 °C);
c. a 3A001.g. vagy a 3A001.h. pontban meghatározottaktól eltérő, gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az az alábbi jellemzők mindegyikével:
Repetitive peak off-state voltage (blocking voltage) exceeding 300 V; and
a névleges anód csúcsfeszültség 2 kV-nál nagyobb;
Continuous current greater than 1 A.
névleges anód-csúcsáramerősség 500 A vagy nagyobb; és
Repetitive peak off-state voltage in 3A001.h. includes drain to source voltage, collector to emitter voltage, repetitive peak reverse voltage and peak repetitive off-state blocking voltage.
a kapcsolási idő 1 μs vagy annál kisebb.
3A001.h. includes:
Nagy áramerősségű impulzusgenerátorok, az alábbiak szerint:
Junction Field Effect Transistors (JFETs)
a. az 1A007.a. alatt meghatározottaktól eltérő, az 1A007.b. alatt meghatározott többszörös irányítású detonátor meghajtásához tervezett detonátor gyújtóegységek (indítórendszerek, tűzegységek), ideértve elektromos, a robbanó detonátoros és optikai vezérlésű gyújtóegységeket is;
Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)
b. moduláris elektromos impulzusgenerátorok (impulzusadó), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
hordozható, mobil, vagy rezgésálló kivitelben készültek;
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)
képesek energiájukat 15 μs-nál rövidebb idő alatt leadni 40 Ohmnál kisebb terhelésre;
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
kimeneti áramerősségük nagyobb, mint 100 A;
High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
egyetlen méretük sem haladja meg a 30 cm-t;
Bipolar Junction Transistors (BJTs)
tömegük kisebb, mint 30 kg; és
Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)
szélsőséges hőmérsékleti viszonyok –223 K-től (– 50°C) 373 K-ig (100 °C-ig) – közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)
A 3A229.b. a xenon villanólámpa meghajtókat is magában foglalja.
Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)
c. mikro-gyújtóegységek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
PiN Diodes
egyetlen méretük sem haladja meg a 35 mm-t;
Schottky Diodes
névleges feszültségük legalább 1 kV; és
3A001.h. does not control switches, diodes, or 'modules', incorporated into equipment designed for civil automobile, civil railway or "civil aircraft" applications.
kapacitásuk legalább 100 μF.
For the purposes of 3A001.h., 'modules' contain one or more solid-state power semiconductor switches or diodes.
Nagy sebességű impulzusgenerátorok, és azokhoz való "impulzusfejek", amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
General purpose "electronic assemblies", modules and equipment, as follows:
a.
a.
55 ohmnál kisebb rezisztív terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség; és
Recording equipment and oscilloscopes as follows:
b. az "impulzusfelfutási idő" kevesebb, mint 500 ps.
Digital data recorders having all of the following:
A 3A230 szerinti "impulzusfelfutási idő" az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
a.
Az "impulzusfejek" olyan impulzusalakító hálózatok, amelyeket arra terveztek, hogy feszültséglépcső-funkciót tegyenek lehetővé, és hogy azt különféle impulzusformákká (négyszög, háromszög, lépés, impulzus, exponenciális vagy egyciklusú típusok) alakítsák át.
A sustained 'continuous throughput' of more than 6,4 Gbit/s to disk or solid-state drive memory; and
Az "impulzusfejek" képezhetik az impulzusgenerátorok szerves részét, lehetnek az eszközhöz tartozó plug-in modulok, vagy pedig kívülről is lehet őket csatlakoztatni az eszközhöz.
b.
Neutrongenerátor-rendszerek, beleértve a csöveket is, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
A processor that performs analysis of radio frequency signal data while it is being recorded;
a. külső vákuumrendszer nélküli üzemelésre tervezték; és
For recorders with a parallel bus architecture, the 'continuous throughput' rate is the highest word rate multiplied by the number of bits in a word.
b. az alábbiak bármelyikét hasznosítják:
'Continuous throughput' is the fastest data rate the instrument can record to disk or solid-state drive memory without the loss of any information while sustaining the input digital data rate or digitizer conversion rate.
a trícium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítás alkalmazásával idézik elő; vagy
Real-time oscilloscopes having a vertical root-mean-square (rms) noise voltage of less than 2 % of full-scale at the vertical scale setting that provides the lowest noise value for any input 3dB bandwidth of 60 GHz or greater per channel;
a deutérium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítással idézik elő, és 3 × 109 neutron/s vagy nagyobb output kapacitásra képesek.
3A002.a.7. does not control equivalent-time sampling oscilloscopes.
Az 1A007. pontban meghatározottól eltérő, többpontos indítórendszerek, az alábbiak szerint:
c.
A detonátorok tekintetében lásd az 1A007.b. pontot.
"Signal analysers" as follows:
b. egyszeres vagy többszörös detonátorral működő rendszerek, amelyeket arra terveztek, hogy egyetlen tűzjelre közel egyidejűleg iniciáljanak 5000 mm2-nél nagyobb területen robbanási felületet úgy, hogy a berobbantás idejének átfutása a felületen kevesebb, mint 2,5 μs.
"Signal analysers" having a 3 dB resolution bandwidth (RBW) exceeding 10 MHz anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz;
A 3A232 nem vonja ellenőrzés alá a csak primer robbanóanyagokat, pl. az ólomazidot alkalmazó detonátorokat.
"Signal analysers" having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than -150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
A 0B002.g. alatt meghatározottaktól eltérő tömegspektrométerek, amelyek képesek 230 atomtömeg-egységnyi vagy annál nagyobb tömegű ionok mérésére, és felbontóképességük jobb, mint 2 rész a 230-ban, valamint a hozzájuk tartozó ionforrások, az alábbiak szerint:
"Signal analysers" having a frequency exceeding 90 GHz;
a. induktív csatolású plazma-tömegspektrométerek (ICP/MS);
"Signal analysers" having all of the following:
b. parázsfénykisüléses tömegspektrométerek (GDMS);
b.
olyan molekulárissugár-bemeneti rendszer, amely analitmolekulák párhuzamos sugarát injektálja az ionforrás olyan környezetébe, ahol a molekulákat elektronsugárral ionizálják; és
Having any of the following;
egy vagy több, 193 K (– 80 °C) hőmérsékletre hűthető "hidegcsapda";
100 % probability of discovery with less than a 3 dB reduction from full amplitude due to gaps or windowing effects of signals having a duration of 15 μs or less; or
e.
A "frequency mask trigger" function with 100 % probability of trigger (capture) for signals having a duration of 15 μs or less;
Nem használt;
Probability of discovery in 3A002.c.4.b.1. is also referred to as probability of intercept or probability of capture.
f. aktinidákkal, vagy aktinida-fluoridokkal történő működésre tervezett mikrofluorozó ionforrással ellátott tömegspektrométerek.
For the purposes of 3A002.c.4.b.1., the duration for 100 % probability of discovery is equivalent to the minimum signal duration necessary for the specified level measurement uncertainty.
A 3A233.d. pontban szereplő elektronbombázásos tömegspektrométerek elektronbecsapódásos tömegspektrométerként vagy elektronionizációs tömegspektrométerként is ismertek.
3A002.c.4. does not control those "signal analysers" using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
A 3A233.d.2. pontban szereplő"hidegcsapda" olyan eszköz, amely hideg felületen való kondenzálással vagy fagyasztással kapja el a gázmolekulákat.
d.
A 3A233.d.2. alkalmazásában a zárt ciklusú héliumgázos kriogén vákuumszivattyú nem számít "hidegcsapdának".
Signal generators having any of the following:
Szalagvezetékek, amelyek alacsony induktivitású útvonalat biztosítanak olyan detonátorokhoz, amelyeket:
Specified to generate pulse-modulated signals having all of the following, anywhere within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz:
a. névleges feszültségük nagyobb, mint 2 kV; és
a.
b. induktivitásuk kisebb, mint 20 nH.
'Pulse duration' of less than 25 ns; and
Félvezető eszközök vagy anyagok gyártására szolgáló berendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
b.
LÁSD MÉG: 2B226.
On/off ratio equal to or exceeding 65 dB;
a. epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint:
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 90 GHz;
minimum 75 mm-es távolságon ± 2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilíciumtól eltérő anyag rétegvastagság előállítására képes berendezés;
A "frequency switching time" as specified by any of the following:
A 3B001.a.1. pontba beletartozik az atomréteg-epitaxiához (Atomic Layer Epitaxy, ALE) használt berendezés is.
b.
fémorganikus gőzfázisú kémiai leválasztásra szolgáló (MOCVD) reaktorok, amelyeket az alumínium, gallium, indium, arzén, foszfor, antimon vagy nitrogén elemek közül kettőt vagy többet tartalmazó vegyület-félvezetők epitaxiás növesztésére terveztek;
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 4,8 GHz but not exceeding 31,8 GHz;
gáz vagy szilárd forrásokat alkalmazó molekuláris sugár epitaxiális növesztő berendezés;
d.
b. ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 37 GHz; or
20 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián – hidrogén, deutérium vagy hélium implantációk esetén pedig 10 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
e.
közvetlen írási lehetőség;
Less than 100 μs for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the frequency range exceeding 37 GHz but not exceeding 90 GHz;
a hevített félvezető anyagú "egykristályba" történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 keV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram; vagy
f.
20 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián –600 °C-ra vagy magasabb hőmérsékletre hevített félvezető anyagú "szubsztrátumba" implantált szilícium esetén pedig 10 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
Not used;
e. automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, specified as being any of the following:
a szeletek be- és kivitelére interfészeket használnak, amelyekhez több mint két funkcionálisan eltérő – a 3B001.a.1., a 3B001.a.2., a 3B001.a.3., vagy a 3B001.b. alatt meghatározott – "félvezető-feldolgozó eszköz" csatlakoztatható; és
a.
"szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás" céljából, integrált rendszer vákuumkörnyezetben történő kialakítására tervezték;
Less (better) than – (126 + 20log10F – 20log10f) anywhere within the range of 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
A 3B001.e. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten párhuzamos szeletfeldolgozásra tervezett automata robot szeletkezelő rendszereket.
b.
A 3B001.e. pont alkalmazásában a "félvezető-feldolgozó eszköz" olyan moduláris eszközre vonatkozik, amely a félvezető-előállítás során funkcionálisan eltérő fizikai folyamatokat biztosít, mint pl. a depozíció, beültetés és hőkezelés.
Less (better) than – (206 – 20log10f) anywhere within the range of 10 kHz< F≤ 100 kHz anywhere within the frequency range exceeding 3,2 GHz but not exceeding 90 GHz; or
A 3B001.e. pont alkalmazásában a "szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás" azt jelenti, hogy az egyes szeleteket különböző "félvezető-feldolgozó eszközökkel" tudják feldolgozni, például az automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek segítségével az egyes szeleteknek az egyik eszközből egy másik eszközbe, majd egy harmadik eszközbe történő áthelyezése révén.
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
f. litográfiai berendezés, az alábbiak szerint:
A maximum frequency exceeding 90 GHz;
a fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
For the purpose of 3A002.d., signal generators include arbitrary waveform and function generators.
a. a fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 193 nm; vagy