natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Neural network integrated circuits;
A 3B001.a.1. pontba beletartozik az atomréteg-epitaxiához (Atomic Layer Epitaxy, ALE) használt berendezés is.
Custom integrated circuits for which the function is unknown, or the control status of the equipment in which the integrated circuits will be used is unknown to the manufacturer, having any of the following:
fémorganikus gőzfázisú kémiai leválasztásra szolgáló (MOCVD) reaktorok, amelyeket az alumínium, gallium, indium, arzén, foszfor, antimon vagy nitrogén elemek közül kettőt vagy többet tartalmazó vegyület-félvezetők epitaxiás növesztésére terveztek;
a.
gáz vagy szilárd forrásokat alkalmazó molekuláris sugár epitaxiális növesztő berendezés;
More than 1500 terminals;
b. ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
b.
20 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián – hidrogén, deutérium vagy hélium implantációk esetén pedig 10 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
A typical "basic gate propagation delay time" of less than 0,02 ns; or
közvetlen írási lehetőség;
c.
a hevített félvezető anyagú "egykristályba" történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 keV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram; vagy
An operating frequency exceeding 3 GHz;
20 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián –600 °C-ra vagy magasabb hőmérsékletre hevített félvezető anyagú "szubsztrátumba" implantált szilícium esetén pedig 10 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
Digital integrated circuits, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10. and 3A001.a.12., based upon any compound semiconductor and having any of the following:
Nem használt;
a.
e. automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
An equivalent gate count of more than 3000 (2 input gates); or
a szeletek be- és kivitelére interfészeket használnak, amelyekhez több mint két funkcionálisan eltérő – a 3B001.a.1., a 3B001.a.2., a 3B001.a.3., vagy a 3B001.b. alatt meghatározott – "félvezető-feldolgozó eszköz" csatlakoztatható; és
b.
"szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás" céljából, integrált rendszer vákuumkörnyezetben történő kialakítására tervezték;
A toggle frequency exceeding 1,2 GHz;
A 3B001.e. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten párhuzamos szeletfeldolgozásra tervezett automata robot szeletkezelő rendszereket.
Fast Fourier Transform (FFT) processors having a rated execution time for an N-point complex FFT of less than (N log2 N)/20480 ms, where N is the number of points;
A 3B001.e. pont alkalmazásában a "félvezető-feldolgozó eszköz" olyan moduláris eszközre vonatkozik, amely a félvezető-előállítás során funkcionálisan eltérő fizikai folyamatokat biztosít, mint pl. a depozíció, beültetés és hőkezelés.
When N is equal to 1024 points, the formula in 3A001.a.12. gives an execution time of 500 μs.
A 3B001.e. pont alkalmazásában a "szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás" azt jelenti, hogy az egyes szeleteket különböző "félvezető-feldolgozó eszközökkel" tudják feldolgozni, például az automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek segítségével az egyes szeleteknek az egyik eszközből egy másik eszközbe, majd egy harmadik eszközbe történő áthelyezése révén.
Direct Digital Synthesizer (DDS) integrated circuits having any of the following:
f. litográfiai berendezés, az alábbiak szerint:
a.
a fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
A Digital-to-Analogue Converter (DAC) clock frequency of 3,5 GHz or more and a DAC resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit; or
a. a fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 193 nm; vagy
b.
b. képes 45 nm, vagy annál kisebb "minimális felbontási méretű" (MRF) minta létrehozására.
A DAC clock frequency of 1,25 GHz or more and a DAC resolution of 12 bit or more;
A "minimális felbontási méret" (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
The DAC clock frequency may be specified as the master clock frequency or the input clock frequency
a megvilágító fényforrás hullámhossza nanométerben meghatározva
b.
K faktor
Microwave or millimetre wave items as follows:
numerikus apertúra
For purposes of 3A001.b., the parameter peak saturated power output may also be referred to on product data sheets as output power, saturated power output, maximum power output, peak power output, or peak envelope power output.
ahol a "K" faktor = 0,35
Electronic vacuum tubes and cathodes, as follows:
45 nm vagy annál kisebb felbontási méretű minta létrehozására képes imprinting litográfiai berendezés;
3A001.b.1. does not control tubes designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
a 3B001.f.2. pont magában foglalja az alábbiakat:
Does not exceed 31,8 GHz; and
mikrokontaktus-nyomtatók
Is "allocated by the ITU" for radio-communications services, but not for radio-determination.
forró dombornyomásra szolgáló eszközök
3A001.b.1. does not control non-"space-qualified" tubes having all of the following:
nano-imprinting litográfiai eszközök
An average output power equal to or less than 50 W; and
Step and Flesh imprinting litográfiai (S-FIL) eszközök
Designed or rated for operation in any frequency band and having all of the following:
kifejezetten maszkkészítésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbiak mindegyikével:
Exceeds 31,8 GHz but does not exceed 43,5 GHz; and
a. eltérített fókuszált elektronsugár, ionsugár, vagy "lézersugár"; és
a.
a félértékszélességű sugárpont mérete kisebb mint 65 nm és a képelhelyezés kisebb mint 17 nm (számtani közép + 3 szigma); vagy
Travelling wave tubes, pulsed or continuous wave, as follows:
a maszkon a második rétegi átfedési hibája kisebb mint 23 nm (számtani közép + 3 szigma);
Tubes operating at frequencies exceeding 31,8 GHz;
eszköz gyártására tervezett berendezés, amely közvetlen írásos módszert alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
Tubes having a cathode heater element with a turn on time to rated RF power of less than 3 seconds;
a. eltérített fókuszált elektronsugár; és
Coupled cavity tubes, or derivatives thereof, with a "fractional bandwidth" of more than 7 % or a peak power exceeding 2,5 kW;
a sugár minimális mérete 15 nm vagy annál kisebb; vagy
Helix tubes, or derivatives thereof, having any of the following:
az átfedési hiba kisebb mint 27 nm (számtani közép + 3 szigma);
a.
g. a 3A001 pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett maszkok és hajszálvonalas lemezek;
An "instantaneous bandwidth" of more than one octave, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 0,5;
h. a 3B001.g. alatt nem meg nem határozott fáziseltolásos réteggel, valamint az alábbiak bármelyikével rendelkező többrétegű maszkok:
b.
7 nm/cm-nél kevesebb kettős töréssel rendelkezőként meghatározott üvegből készült maszk "nyersalaplemezre"készültek; vagy
An "instantaneous bandwidth" of one octave or less, and average power (expressed in kW) times frequency (expressed in GHz) of more than 1; or
olyan litográfiai berendezésekhez tervezték, amelyek fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 245 nm;
c.
A 3B001.h. nem vonja ellenőrzés alá azokat a fáziseltolásos rétegekkel ellátott többrétegű maszkokat, amelyeket a 3A001. pontban meg nem határozott memóriaeszközök gyártására terveztek.
Being "space-qualified";
i. a 3A001 pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett imprinting litográfiai sablonok.
b.
Kifejezetten kész, vagy félkész félvezető eszközökhöz tervezett tesztberendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
Crossed-field amplifier tubes with a gain of more than 17 dB;
a. tranzisztor eszközök S-paraméterének tesztelésére szolgáló eszközök 31,8 GHz-et meghaladó frekvencián;
c.
c. a 3A001.b.2 részben meghatározott mikrohullámú integrált áramkörök tesztelésére szolgáló eszközök.
Impregnated cathodes designed for electronic tubes producing a continuous emission current density at rated operating conditions exceeding 5 A/cm2;
Több réteget tartalmazó hetero-epitaxiális anyagok, amelyeket a következő rétegek bármelyikéből epitaxiálisan növesztett "szubsztrátumokból" állnak:
Microwave "Monolithic Integrated Circuits" (MMIC) power amplifiers that are any of the following:
a. szilícium (Si);
a.
b. germánium (Ge);
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 15 %, and having any of the following:
c. szilíciumkarbid (SiC); vagy
A peak saturated power output greater than 75 W (48,75 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
d.
A peak saturated power output greater than 55 W (47,4 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
III/V gallium- vagy indiumvegyületek.
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
A 3C001.d. nem vonja ellenőrzés alá az egy vagy több – az elemek sorrendjétől függetlenül –GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP vagy InGaAlP P-típusú epitaxiális réteggel rendelkező "szubsztrátokat", kivéve, ha a P-típusú epitaxiális réteg az N-típusú rétegek között helyezkedik el.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
Védőréteg anyagok és az alábbi védőanyagokkal bevont "szubsztrátumok":
b.
a. védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten félvezető litográfiához igazítottak, az alábbiak szerint:
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 16 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 245 nm alatti, de legalább 15 nm hullámhosszúságon történő felhasználásra igazítottak ki (optimalizáltak);
A peak saturated power output greater than 10W (40 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz; or
védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 15 nm alatti, de 1 nm-nél nagyobb hullámhosszúságon történő felhasználásra igazítottak ki (optimalizáltak);
A peak saturated power output greater than 5W (37 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 16 GHz;
b.
c.
0,01 μcoulomb/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi olyan védőréteg anyag, amelyeket elektronsugárral vagy ionsugárral történő alkalmazásra terveztek;
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 3 W (34,77 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
d. a felületi képalkotási technológiákhoz optimalizált összes védőréteg,
d.
e. valamennyi olyan védőanyag, amelyet a 3B001.f.2. pontban meghatározott olyan imprinting litográfiai berendezésekhez terveztek vagy optimalizáltak, amelyek termikus vagy fotokémiai eljárást alkalmaznak.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (-70 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
Szerves-szervetlen vegyületek, az alábbiak szerint:
e.
a. alumínium, gallium, vagy indium fémorganikus vegyületei 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (fémbázison);
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
b. szerves arzén-, antimon- vagy foszforvegyületek 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (szervetlen elem bázison).
f.
A 3C003 csak azokat a vegyületeket vonja ellenőrzés alá, amelyek fémes, részben fémes és nemfémes eleme közvetlenül kapcsolódik a molekula szerves részében lévő szénatomhoz.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 31,62 mW (15 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Foszfor-, arzén- vagy antimon-hidridek, melyek tisztasága még semleges gázokban, vagy hidrogénben oldva is nagyobb, mint 99,999 %.
g.
A 3C004 nem vonja ellenőrzés alá a semleges gázokat vagy hidrogént legalább 20 mólszázalék mennyiségben tartalmazó hidrideket.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 10 mW (10 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
20 °C-on 10000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilícium-karbid (SiC), gallium-nitrid (GaN), alumínium-nitrid (AlN) vagy alumínium-gallium-nitrid (AlGaN) "szubsztrátumok", vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.
h.
A 3C005 pontban meghatározott "szubsztrátumok", amelyek legalább egy epitaxiális szilícium-karbid, gallium-nitrid, alumínium-nitrid vagy alumínium-gallium-nitrid réteggel rendelkeznek.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz;
Kifejezetten a 3A001.b–3A002.h. vagy a 3B pontban meghatározott berendezések "fejlesztésére" vagy "gyártására" tervezett "szoftver".
Not used.
Kifejezetten a 3B001.a–f. pontban, a 3B002 vagy a 3A225 pontban meghatározott berendezések "használatára" tervezett "szoftver".
The control status of the MMIC whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.2.a. to 3A001.b.2.h., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
Olyan, "fizikán alapuló" szimulációs "szoftver", amelyet kifejezetten olyan litográfiai, maratási vagy leválasztási folyamatok "fejlesztésére" terveztek, amelyek segítségével a maszkmintákat a vezetőkön, a dielektrikumokon vagy a félvezető anyagon megjelenő specifikus topográfiai mintákká fordítják le.
Notes 1 and 2 in 3A mean that 3A001.b.2. does not control MMICs if they are specially designed for other applications, e.g., telecommunications, radar, automobiles.
A 3D003. pont alkalmazásában a "fizikán alapuló" kifejezés számítások használatát jelenti, amelyek azt a célt szolgálják, hogy a fizikai tulajdonságok (pl.: hőmérséklet, nyomás, diffúziós állandó és félvezető anyagok tulajdonságai) alapján meghatározzanak egy ok-okozati viszonyban álló fizikai eseménysort.
Discrete microwave transistors that are any of the following:
A félvezető eszközök vagy integrált áramkörök tervezéséhez kapcsolódó könyvtárakat, tervezési jellemzőket, illetve adatokat "technológiának" kell tekinteni.
a.
Kifejezetten a 3A003. pontban meghatározott berendezés "fejlesztésére" tervezett "szoftver".
Rated for operation at frequencies exceeding 2,7 GHz up to and including 6,8 GHz and having any of the following:
Kifejezetten a 3A101.b. alatt meghatározott berendezések "használatához" tervezett vagy átalakított "szoftver".
A peak saturated power output greater than 400 W (56 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
A kifejezetten a frekvenciaváltó vagy generátorok teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – fokozására vagy felszabadítására tervezett "szoftvert".
A peak saturated power output greater than 205 W (53,12 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
A 3A, 3B, vagy 3C által ellenőrzés alá vont berendezések vagy anyagok "fejlesztésére" vagy "gyártására" vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti "technológia";
A peak saturated power output greater than 115 W (50,61 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
A 3E001 nem vonja ellenőrzés alá a 3A003 alá tartozó berendezés vagy alkatrészek "gyártására" vonatkozó "technológiákat".
A peak saturated power output greater than 60 W (47,78 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
A 3E001 nem vonja ellenőrzés alá a 3A001.a.3–3A001.a.12. alatt meghatározott, a következő jellemzők mindegyikével rendelkező integrált áramkörök "fejlesztésére" vagy "gyártására" vonatkozó "technológiákat":
b.
0,130 μm vagy a feletti "technológiát" alkalmaz; és
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz and having any of the following:
három vagy annál kevesebb fémrétegből álló "többrétegű struktúrákat" tartalmaznak.
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
A 3E001 pontban meghatározottaktól eltérő, az Általános technológiai megjegyzés szerinti "technológia" olyan "mikroprocesszor mikroáramkörök", "mikroszámítógép mikroáramkörök" és mikrovezérlő mikroáramkör mag "fejlesztésére" vagy "gyártására" szolgál, amelyek legalább 32 bites elérési szélességű aritmetikai logikai egységgel, valamint az alábbi jellemzők vagy tulajdonságok valamelyikével rendelkeznek:
A peak saturated power output greater than 15 W (41,76 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
a. lebegőpontos vektorokon (32 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök) kettőnél több számítás párhuzamos elvégzésének céljára tervezett "vektorprocesszor-egység";
A peak saturated power output greater than 40 W (46 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
A "vektorprocesszor-egység" a processzor olyan eleme, amelynek beépített utasításai szimultán módon több számítást végeznek el lebegőpontos vektorokon (32 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök), és legalább egy vektrális aritmetikai logikai egységgel és olyan vektorregiszterekkel rendelkeznek, amelyek egyenként legalább 32 elemből állnak.
A peak saturated power output greater than 7 W (38,45 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
b. ciklusonként négynél több 64 bites vagy nagyobb lebegőpontos-művelet elvégzésére tervezték; vagy
c.
c. ciklusonként nyolcnál több 16 bites fixpont szorzás–összeadás művelet elvégzésére tervezték (pl. korábban digitális formátumúvá átalakított analóg információ digitális manipulációja, vagy más néven "digitális jelfeldolgozás").
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,5 W (27 dBm) at any frequency exceeding 31,8 GHz up to and including 37 GHz;
A 3E002. pont nem vonja ellenőrzés alá a multimédia-kiterjesztésekre szolgáló "technológiát".
d.
A 3E002 pont nem vonja ellenőrzés alá az olyan mikroprocesszor-magok "fejlesztésére" vagy "gyártására" szolgáló "technológiát", amely mikroprocesszor-mag az alábbi tulajdonságok mindegyikével rendelkezik:
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 1 W (30 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz;
öt vagy annál kevesebb fémrétegből álló többrétegű struktúrákat tartalmaznak.
e.
A 3E002 pont magában foglalja a digitális jelfeldolgozókra és a digitális tömbprocesszorokra vonatkozó "technológiát" is.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz;
A következők "fejlesztésére" vagy "gyártására" szolgáló egyéb "technológia":
The control status of a transistor whose rated operating frequency includes frequencies listed in more than one frequency range, as defined by 3A001.b.3.a. to 3A001.b.3.e., is determined by the lowest peak saturated power output threshold.
a. vákuum mikroelektronikai eszközök;
3A001.b.3. includes bare dice, dice mounted on carriers, or dice mounted in packages.
b. heterogén szerkezetű félvezető elektronikai eszközök, például nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorok (HEMT), hetero-bipolár tranzisztorok (HBT), kvantumforrás vagy szuperrács-eszközök;
Some discrete transistors may also be referred to as power amplifiers, but the status of these discrete transistors is determined by 3A001.b.3.
A 3E003.b. nem vonja ellenőrzés alá a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorokra (HEMT) és a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő hetero-bipoláris tranzisztorokra (HBT) vonatkozó "technológiákat".
Microwave solid state amplifiers and microwave assemblies/modules containing microwave solid state amplifiers, that are any of the following:
c. "szupravezető" elektronikai eszközök;
A peak saturated power output greater than 500 W (57 dBm) at any frequency exceeding 2,7 GHz up to and including 2,9 GHz;
d. gyémántfilm szubsztrátumok elektronikai alkatrészekhez.
A peak saturated power output greater than 270 W (54,3 dBm) at any frequency exceeding 2,9 GHz up to and including 3,2 GHz;
e. szilícium-szigetelő szubsztrátum (SOI) olyan integrált áramkörökhöz amelyeknél a szigetelő szilícium-dioxid;
A peak saturated power output greater than 200 W (53 dBm) at any frequency exceeding 3,2 GHz up to and including 3,7 GHz; or
f. szilícium-karbid szubsztrátumok elektronikai alkatrészekhez;
A peak saturated power output greater than 90 W (49,54 dBm) at any frequency exceeding 3,7 GHz up to and including 6,8 GHz;
g. legalább 31,8 GHz-es frekvencián működő elektronikus vákuumcsövek.
b.
A 3A001.a.1. vagy 2., a 3A101, 3A102 vagy 3D101 pont által ellenőrzés alá vont berendezések, vagy "szoftverek" "használatára" vonatkozó, az Általános Technológiai Megjegyzés szerinti "technológia".
Rated for operation at frequencies exceeding 6,8 GHz up to and including 31,8 GHz with a "fractional bandwidth" greater than 10 %, and having any of the following:
A 3D101 alatt meghatározott "szoftverek" "fejlesztésére" vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti "technológia".
A peak saturated power output greater than 70 W (48,54 dBm) at any frequency exceeding 6,8 GHz up to and including 8,5 GHz;
A 3A001.e.2., a 3A001.e.3., a 3A001.g., a 3A201, a 3A225–3A234 pontban meghatározott berendezések "használatára" vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti "technológia".
A peak saturated power output greater than 50 W (47 dBm) at any frequency exceeding 8,5 GHz up to and including 12 GHz;
A kifejezetten egy frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – megerősítését vagy kiaknázást célzó, kódok és kulcsok formájában megadott "technológia".
A peak saturated power output greater than 30 W (44,77 dBm) at any frequency exceeding 12 GHz up to and including 16 GHz; or
4.
A peak saturated power output greater than 20 W (43 dBm) at any frequency exceeding 16 GHz up to and including 31,8 GHz;
KATEGÓRIA – SZÁMÍTÓGÉPEK
d.
A távközlési vagy "helyi hálózati" funkciókat teljesítő számítógépeket, kapcsolódó berendezéseket vagy "szoftvert" az 5. kategória 1. rész (Távközlés) teljesítményjellemzői szerint is értékelni kell.
Rated for operation with a peak saturated power output greater than 2 W (33 dBm) at any frequency exceeding 37 GHz up to and including 43,5 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
Azokat a vezérlőegységeket, amelyek közvetlenül összekapcsolják a központi egységek, a "központi tár" vagy a lemezvezérlők síneit vagy csatornáit, nem tekintjük az 5. kategória 1 részében (Távközlés) meghatározott távközlési berendezéseknek.
e.
A kifejezetten csomagkapcsoláshoz tervezett "szoftver" ellenőrzési státusa tekintetében lásd: 5D001.
Rated for operation at frequencies exceeding 43,5 GHz and having any of the following:
Az alábbi jellemzők bármelyikével rendelkező elektronikus számítógépek és kapcsolódó berendezések, továbbá "elektronikus részegységek" és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek:
A peak saturated power output greater than 0,2 W (23 dBm) at any frequency exceeding 43,5 GHz up to and including 75 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 10 %;
LÁSD MÉG: 4A101.
A peak saturated power output greater than 20 mW (13 dBm) at any frequency exceeding 75 GHz up to and including 90 GHz, and with a "fractional bandwidth" of greater than 5 %; or
Kifejezetten úgy tervezték, hogy rendelkezzen az alábbi jellemzők bármelyikével:
A peak saturated power output greater than 0,1 nW (– 70 dBm) at any frequency exceeding 90 GHz; or
228 K (– 45 °C) alatti vagy 358 K (+ 85 °C) feletti környezeti hőmérsékletre méretezett; vagy
f.
A 4A001.a.1. pont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten polgári gépkocsikhoz, vasúti felhasználásra vagy "polgári repülőeszközökhöz" történő felhasználásra tervezett számítógépeket.