natgillin/translations-raw huggingface dataset:
Rated for a peak current of 500 A or more;
A 4A001.a.1. alatt meghatározottaktól eltérő olyan analóg számítógépek, "digitális számítógépek", vagy digitális differenciál-analizátorok, amelyek megerősített kivitelűek és a 9A004 alatt meghatározott űrhajóhordozó eszközökhöz vagy 9A104 alatt meghatározott rakétaszondákon történő felhasználásra terveztek, vagy alakították át.
c.
Kifejezetten a 9A004 alatt meghatározott űrhajóhordozó eszközök vagy 9A104 alatt meghatározott rakétaszondák modellezésére, szimulációjára, vagy tervezési integrációjára tervezett "hibrid számítógépek".
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
Ez a pont csak akkor alkalmazandó, ha a berendezést a 7D103, vagy a 9D103 alatt meghatározott "szoftverrel" látják el.
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Az egyéb kategóriákban meghatározott berendezésekhez szükséges "szoftver" ellenőrzési státusát a megfelelő kategória határozza meg.
Anode peak current rating of 500 A or more; and
"Szoftver" az alábbiak szerint:
Turn-on time of 1 μs or less.
a.
High-current pulse generators as follows:
Kifejezetten a 4A001–4A004, vagy 4D pontban meghatározott berendezések vagy "szoftver""fejlesztéséhez", "gyártásához" vagy "használatához" tervezett vagy módosított "szoftver".
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Kifejezetten az alábbi berendezések "fejlesztésére" vagy "gyártására" tervezett vagy átalakított, a 4D001.a. pontban meghatározottaktól eltérő "szoftver":
b.
"Digitális számítógépek", amelyek "kiigazított csúcsteljesítménye" ("APP") meghaladja a 8,0 billió súlyozott lebegőpontos műveletet másodpercenként (Weighted TeraFLOPS, WT);
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Processzorok aggregálása révén kifejezetten a teljesítmény növelésére tervezett vagy átalakított "elektronikus részegységek", ahol az aggregátum "APP"-je meghaladja a 4D001.b.1. alatt meghatározott határértéket;
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
Kifejezetten a "behatoló szoftverek" létrehozásához, vezetéséhez és irányításához vagy célba juttatásához tervezett vagy módosított "szoftver".
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
a.
Having an output greater than 100 A;
A 4A, vagy 4D által ellenőrzés alá vont berendezések vagy "szoftver""fejlesztésére", "gyártására", vagy "felhasználására" vonatkozó, az Általános Technológiai Megjegyzés szerinti "technológia".
No dimension greater than 30 cm;
b.
Weight less than 30 kg; and
A 4E001.a. pontban meghatározottaktól eltérő, az Általános technológiai megjegyzés szerinti "technológia" a következő berendezések "fejlesztésére" vagy "gyártására":
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Processzorok aggregálása révén kifejezetten a teljesítmény növelésére tervezett vagy átalakított "elektronikus részegységek", ahol az aggregátum "APP"-je meghaladja a 4E001.b.1. alatt meghatározott határértéket;
3A229.b. includes xenon flash-lamp drivers.
c.
c.
A "behatoló szoftver""fejlesztésére" vonatkozó "technológia".
Micro-firing units having all of the following characteristics:
MŰSZAKI MEGJEGYZÉS A "KIIGAZÍTOTT CSÚCSTELJESÍTMÉNY" ("APP") SZÁMÍTÁSÁHOZ
No dimension greater than 35 mm;
Az "APP" az a kiigazított csúcssebesség, amellyel a "digitális számítógépek" a 64 bites vagy annál nagyobb lebegőpont-összeadásokat és szorzásokat végzik.
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
Az "APP"-t WT-ben (Weighted TeraFLOPS), azaz másodpercenként 1012 kiigazított lebegőpontos műveletnek megfelelő egységekben fejezzük ki.
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
Az ebben a műszaki megjegyzésben alkalmazott rövidítések
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
n a processzorok száma a "digitális számítógépben"
a.
i processzorszám (i,…,n)
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
processzor-ciklusidő (ti = 1/Fi)
b.
processzorfrekvencia
'Pulse transition time' less than 500 ps.
lebegőpont-számítási csúcssebesség
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
architektúra-kiigazítási tényező
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
Az "APP" kiszámítási módszerének alapelvei
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
Minden i processzorra határozzuk meg a 64 bites vagy annál nagyobb lebegőpontos műveletek ciklusonként elvégzett legmagasabb számát (FPOi), a "digitális számítógép" valamennyi processzora esetében.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
Megjegyzés:
a.
Az FPO meghatározásakor csak a 64 bites vagy annál nagyobb lebegőpontok összeadásait és/vagy szorzásait vegyük figyelembe.
Designed for operation without an external vacuum system; and
Minden lebegőpont-műveletet a processzorciklusonkénti műveletek számaként kell kifejezni; azok a műveletek, amelyekhez több ciklusra van szükség, ciklusonkénti törteredményként fejezhetők ki.
b.
Azon processzorok esetében, amelyek 64 bites vagy annál hosszabb lebegőpont-operandusokon nem képesek műveletek végzésére, az R effektív számítási sebesség nulla.
Utilizing any of the following:
Minden processzorra számítsuk ki az R lebegőpont-sebességet Ri = FPOi/ti.
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
Számítsuk ki az "APP"-t a következő képlettel: "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
'Vektorprocesszorok' esetében Wi = 0,9.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
Nem'vektorprocesszorok' esetében Wi = 0,3.
See 1A007.b. for detonators.
1. megjegyzés
b.
Azon processzorok esetében, amelyek egy cikluson belül összetett műveleteket hajtanak végre, mint például összeadást és szorzást, minden egyes műveletet külön be kell számítani.
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over an area greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
2. megjegyzés
3A232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
Futószalagos processzor esetében R effektív számítási sebesség a gyorsabbik futószalagos sebesség, amint a futószalag megtelt, vagy a nem futószalagos sebesség.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
3. megjegyzés
a.
Minden egyes részt vevő processzor R számítási sebességét a kombináció "APP"-jének kiszámítása előtti elméletileg lehetséges legmagasabb értéken kell számítani.
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Szimultán műveletek létezését lehet feltételezni, ha a számítógép gyártója a számítógép útmutatójában vagy tájékoztatójában konkurens, párhuzamos vagy szimultán működésre vagy végrehajtásra vonatkozó állítást tüntet fel.
b.
4. megjegyzés
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Az "APP" számításakor ne vegyük számításba azokat a processzorokat, amelyek működése a bevitelre/kivitelre és a periférikus funkciókra korlátozódik (pl. lemezmeghajtó, kommunikáció, kijelző).
c.
5. megjegyzés
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
A "helyi hálózatokon", a "nagykiterjedésű hálózatokon", megosztott I/O kapcsolatokon/eszközökön, I/O-vezérlőkön és bármely, "szoftverrel" megvalósított kommunikációs kapcsolaton keresztül összekapcsolt processzorkombinációkra ne számítsunk "APP"-értékeket.
d.
6. megjegyzés
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
"APP"-értékeket kell számítani olyan processzorkombinációk esetén, amelyek szimultán módon és memóriamegosztással működő, kifejezetten a teljesítmény egyesítéssel való növelésére tervezett processzorokat tartalmaznak;
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
Aggregálja az egyidejűleg működő és ugyanazon lapkán elhelyezkedő összes processzort és gyorsítót.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
Processzorkombinációk memóriát osztanak meg, amikor bármely processzor a rendszeren belül bármely memóriahelyet el tud érni cache sorok vagy memóriaszavak hardveres átadása révén, szoftvermechanizmus bevonása nélkül, amely a 4A003.c. pontban meghatározott "elektronikus részegységek" használatával érhető el.
e.
7. megjegyzés
Not used;
a 'vektorprocesszor' olyan processzorként határozható meg, amelynek beépített utasításai szimultán módon több számítást végeznek el lebegőpontos vektorokon (64 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök), és legalább két vektorfeldolgozó egységgel és legalább nyolc vektorregiszterrel rendelkeznek, amelyek egyenként legalább 64 elemből állnak.
f.
5.
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
KATEGÓRIA – TÁVKÖZLÉS ÉS "INFORMÁCIÓBIZTONSÁG"
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
1. rész – TÁVKÖZLÉS
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
A kifejezetten távközlési berendezésekhez vagy rendszerekhez tervezett alkatrészek, tesztelő és "gyártó" berendezések, anyagok és az ezekhez szükséges "szoftver" ellenőrzési státusát az 5. kategória 1. része határozza meg.
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
A kifejezetten távközlési berendezésekhez vagy rendszerekhez tervezett "lézerek" tekintetében lásd a 6A005 pontot.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Az e kategória alatt ellenőrzés alá vont távközlési berendezések működtetéséhez és támogatásához lényeges "digitális számítógépek", kapcsolódó berendezések vagy "szoftverek" különlegesen tervezett alkatrésznek minősülnek, ha ezek a gyártó által hagyományosan szállított szabványos modellek.
a.
Ez tartalmazza a működtető, adminisztrálót, karbantartó, tervező vagy számlázó számítógép-rendszereket.
Voltage rating greater than 2 kV; and
Távközlési rendszerek, berendezések, alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
b Inductance of less than 20 nH.
a.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Bármely típusú, a következő jellemzők, funkciók, vagy tulajdonságok bármelyikével rendelkező távközlési berendezés:
SEE ALSO 2B226
Kifejezetten arra tervezték, hogy a nukleáris robbanásból eredő tranziens elektromos hatásoknak vagy elektromágneses impulzusoknak ellenálljon;
a.
Gamma-, neutron- és ionizáló sugárzással szemben speciálisan ellenállóvá tették; vagy
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Kifejezetten a 218 K (– 55 °C) és 397 K (124 °C) közötti hőmérséklethatárokon kívüli üzemelésre tervezték;
Equipment designed or modified to produce a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Az 5A001.a.3. csak elektronikus berendezésekre vonatkozik.
3B001.a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Az 5A001.a.2. és az 5A001.a.3. nem vonja ellenőrzés alá a műholdak fedélzetén történő használatra tervezett vagy módosított berendezéseket.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
Távközlési rendszerek és berendezések, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők, funkciók vagy tulajdonságok bármelyikével:
b.
Víz alatti, kábellel nem összekötött kommunikációs rendszerek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
a.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
20–60 kHz frekvencia-tartományon kívüli akusztikus vivőfrekvencia;
Direct write capability;
b.
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
30 kHz alatti elektromágneses vivőfrekvencia használata;
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
c.
e.
Vezetősugár irányítási technikák alkalmazása; vagy
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
d.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 or 3B001.b. are designed to be connected; and
400 nm és 700 nm közötti kimeneti hullámhosszú "lézer" vagy fénykibocsátó dióda (LED) alkalmazása "helyi hálózatban";
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
1,5–87,5 MHz frekvenciatartományban működő rádióátviteli berendezések, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
3B001.e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
a.
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, implant or thermal processing.
Az átvitel optimalizálására automatikusan előre jelzik és kiválasztják a frekvenciákat és a csatornánkénti "teljes digitális adatátviteli sebességeket"; és
f.
Olyan lineáris teljesítményerősítőt tartalmaznak, amely képes biztosítani több jel egyidejű feldolgozását, kimeneti teljesítménye legalább 1 kW az 1,5–30 MHz, illetve legalább 250 W a 30–87,5 MHz frekvencia-tartományban, legalább 1 oktáv "pillanatnyi sávszélességben" és – 80 dB-nél jobb kimeneti felharmonikus és torzítási tartalommal;
Lithography equipment as follows:
Az 5A001.b.4. pontban meghatározottaktól eltérő,"kiterjesztett spektrumú", többek között a "frekvenciaugratásos" (frequency hopping) technikákat alkalmazó rádióberendezések, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők bármelyikével:
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
a.
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
b.
b.
A teljes átviteli sávszélesség legalább 100-szor nagyobb, mint bármelyik információs csatorna sávszélessége, és meghaladja az 50 KHz-et;
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
Az 5A001.b.3.b. nem vonja ellenőrzés alá az alábbiak bármelyikével történő használatra tervezett rádióberendezéseket:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
Polgári sávokon történő használatra tervezett celluláris rádió-berendezések; vagy
an exposure light source wavelength in nm
Helyhez kötött vagy mobil műholdas földi állomások kereskedelmi, polgári távközléshez.
K factor
Az 5A001.b.3. nem vonja ellenőrzés alá az 1 W vagy annál kisebb kimeneti teljesítménnyel működő berendezéseket.
numerical aperture
Ultra-szélessávú modulációs technikát alkalmazó rádióberendezés, a felhasználó által programozható csatornákra osztó kódokkal, rejtjelező kódokkal vagy hálózatazonosító kódokkal, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
where the K factor = 0,35
a.
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
500 MHz-et meghaladó sávszélesség; vagy
3B001.f.2. includes:
b.
Micro contact printing tools
20 %-os vagy nagyobb "relatív sávszélesség";
Hot embossing tools
Digitális vezérlésű rádióvevők, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Nano-imprint lithography tools
a.
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
Több mint 1000 csatorna;
a.
1 ms alatti "csatornakapcsolási idő";
A deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
c.
A full-width half-maximum (FWHM) spot size smaller than 65 nm and an image placement less than 17 nm (mean + 3 sigma); or
Az elektromágneses spektrum egy részének automatikus keresése vagy letapogatása; és
A second-layer overlay error of less than 23 nm (mean + 3 sigma) on the mask;
d.
Equipment designed for device processing using direct writing methods, having all of the following:
A vett jelek, vagy az adó típusának azonosítása; vagy
a.
Az 5A001.b.5. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten a polgári sávokon történő használatra tervezett celluláris rádió-berendezéseket.
A deflected focused electron beam; and
a 'csatornakapcsolási idő' az egyik vevőfrekvenciáról a másikra történő átváltáshoz szükséges idő (azaz késleltetés), a megadott végső vételi frekvencia vagy az attól ± 0,05 %-ra lévő tartomány elérése céljából.
A minimum beam size equal to or smaller than 15 nm; or
Azok a berendezések, amelyek a központi frekvenciájuk körül ± 0,05 %-nál kisebb frekvenciatartománnyal rendelkeznek, csatornafrekvencia-kapcsolásra alkalmatlannak minősülnek.
An overlay error less than 27 nm (mean + 3 sigma);
Digitális "jelfeldolgozási" funkciót alkalmaz a 700 bit/s alatti'hangkódolási' sebesség elérésére.
g.
A változtatható sebességű'hangkódoláshoz' az 5A001.b.6 a folyamatos beszéd hangkódoló kimenetére vonatkozik.
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Az 5A001.b.6. pont alkalmazásában a 'hangkódolás' meghatározása: olyan technika, amelynek során emberi hangmintákat készítenek, majd ezeket a mintákat digitális jellé alakítják, figyelembe véve az emberi beszéd meghatározott jellegzetességeit.
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
500 m-nél hosszabb optikai szálak, amelyek a gyártó minősítése szerint képesek 2 × 109 N/m2 vagy annál nagyobb'szakítószilárdság-vizsgálatnak' ellenállni;
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
A víz alatti köldökzsinór kábelek tekintetében lásd: 8A002.a.3.
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
'Szakítószilárdság-vizsgálat': olyan online, vagy offline termékvizsgálat, amelynek során egy 0,5–3 m hosszúságú kábeldarabra, 2–5 m/s sebességgel egy adott húzófeszültséget dinamikusan alkalmaznak, miközben a befogó csévék átmérője kb. 150 mm.
3B001.h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
A környezeti hőmérséklet 293 K (20 °C), a relatív páratartalom 40 %.
i.
A szakítószilárdság vizsgálat végrehajtására a megfelelő nemzeti szabvány is használható.
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
d.
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
"Elektronikusan forgatható többfázisú antennarendszerek" a következők szerint:
a.
31,8 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 57 GHz-es frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve, és effektív kisugárzott teljesítményük (ERP) eléri vagy meghaladja a +20 dBm-t (22,15 dBm tényleges izotróp kisugárzott teljesítmény (EIRP));
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
57 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 66 GHz-es frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve, és effektív kisugárzott teljesítményük eléri vagy meghaladja a +24 dBm-t (26,15 dBm tényleges izotróp kisugárzott teljesítmény);
c.
66 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 90 GHz-es frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve, és effektív kisugárzott teljesítményük eléri vagy meghaladja a +20 dBm-t (22,15 dBm tényleges izotróp kisugárzott teljesítmény);
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
90 GHz-nél nagyobb frekvencián való működésre alkalmasnak vannak minősítve;
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
Az 5A001.d. nem vonja ellenőrzés alá az ICAO mikrohullámú leszállító rendszerekre (MLS) vonatkozó szabványainak megfelelő eszközöket tartalmazó leszállító rendszerekhez tervezett "elektronikusan forgatható többfázisú antennarendszereket".
Silicon (Si);
30 MHz feletti frekvenciákon üzemelő rádióirány-mérő berendezések és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
b.
10 MHz, vagy nagyobb "pillanatnyi sávszélesség"; és
Germanium (Ge);
Képes megtalálni a kevesebb mint 1 ms-ig tartó jelet sugárzó, együtt nem működő rádióadók irányát (LOB),
Silicon carbide (SiC); or
Mobil telekommunikációs szolgáltatások lehallgatására vagy zavarására szolgáló berendezések, és azokhoz tartozó monitoring berendezések, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek:
d.
Rádióinterfészen keresztül továbbított hangok vagy adatok kigyűjtésére tervezett lehallgató berendezés;
"III/V compounds" of gallium or indium.
Az 5A001.f.1. pontban nem meghatározott, a rádióinterfészen keresztül továbbított klienseszköz, illetve előfizetői azonosítók (pl., IMSI, TIMSI vagy IMEI), jelzésátvitel vagy egyéb metaadatok kigyűjtésére tervezett lehallgató berendezés;
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Az alábbiakban felsoroltak bármelyikét végrehajtó, kifejezetten a mobil telekommunikációs szolgáltatások szándékos és szelektív zavarása, letiltása, akadályozása, gyengítése vagy csökkentése céljára tervezett vagy módosított zavaróberendezések, valamint az e célra tervezett alkatrészek:
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
a.
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
b.
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Az alkalmazott mobil telekommunikációs protokoll (pl. GSM) egyedi jellemzőinek észlelése és kihasználása; vagy
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
c.
b.
Az alkalmazott mobil telekommunikációs protokoll (pl. GSM) egyedi jellemzőinek kihasználása;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Az 5A001.f.1., 5A001.f.2. or 5A001.f.3. pontban meghatározott tételek működésének azonosítására tervezett vagy módosított RF monitoring berendezés;
d.
Az 5A001.f.1. és 5A001.f.2. nem vonja ellenőrzés alá az alábbiakat:
All resists optimised for surface imaging technologies;
Kifejezetten az analóg magán mobil rádiórendszer (PMR), IEEE 802.11 WLAN lehallgatására tervezett berendezés;
e.
A mobil telekommunikációs hálózatok üzemeltetői számára tervezett berendezés; vagy
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
Mobil telekommunikációs berendezések vagy hálózatok "fejlesztésére" vagy "gyártására" tervezett berendezés.