natgillin/translations-raw huggingface dataset:
e.
A 3A001.h. pontban említett pozitív ismétlődő csúcszáró feszültség magában foglalja a nyelő-forrás feszültséget, a kollektor-emitter feszültséget, a negatív ismétlődő csúcszáró feszültséget és a pozitív ismétlődő lezáró csúcsfeszültséget.
Steam sterilisable freeze drying equipment with a condenser capacity exceeding 10 kg of ice in 24 hours and less than 1000 kg of ice in 24 hours;
A 3A001.h. pont magában foglalja az alábbiakat:
f.
záróréteges térvezérlésű tranzisztorok (JFET)
Protective and containment equipment, as follows:
záróréteges térvezérlésű vertikális tranzisztorok (VJFET)
Protective full or half suits, or hoods dependent upon a tethered external air supply and operating under positive pressure;
fém-oxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorok (MOSFET)
f.1. does not control suits designed to be worn with self-contained breathing apparatus.
kétszeresen diffundáltatott, fém-oxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorok (DMOSFET)
Class III biological safety cabinets or isolators with similar performance standards;
szigetelt vezérlőelektródos bipoláris tranzisztorok (IGBT)
In 2B352.f.2., isolators include flexible isolators, dry boxes, anaerobic chambers, glove boxes and laminar flow hoods (closed with vertical flow).
nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorok (HEMT)
g.
bipoláris tranzisztorok (BJT)
Chambers designed for aerosol challenge testing with "microorganisms", viruses or "toxins" and having a capacity of 1 m3 or greater;
tirisztorok és szilíciumvezérlésű egyenirányítók (SCR)
h.
vezérlőelektródával kikapcsolható tirisztor (GTO)
Spray drying equipment capable of drying toxins or pathogenic microorganisms having all of the following:
emittorral kikapcsolható tirisztorok (ETO)
A water evaporation capacity of ≥ 0,4 kg/h and ≤ 400 kg/h;
PiN-diódák
The ability to generate a typical mean product particle size of ≤10 μm with existing fittings or by minimal modification of the spray-dryer with atomization nozzles enabling generation of the required particle size; and
schottky-diódák
Capable of being sterilised or disinfected in situ.
A 3A001.h. pont nem vonja ellenőrzés alá a polgári gépkocsik, a polgári vasúti közlekedés és a „polgári repülőgépek” általi felhasználás céljára tervezett berendezésekbe beépített kapcsolókat, diódákat vagy ’modulokat’.
002 does not control "software" specially designed or modified for the operation of items not specified in Category 2.
A ’folyamatos átbocsátási sebesség’ a berendezésnek az a legnagyobb kimenő adatsebessége, amelynél a mintavételi sebesség és az analóg-digitális konverzió fenntartása mellett adatveszteség nem lép fel.
002 does not control "software" for items specified in 2B002.
A 3A002.a.5.c alkalmazásában a vétel kiváltható belülről vagy kívülről.
"Software", designed or modified for the operation of equipment specified in 2B002, that converts optical design, workpiece measurements and material removal functions into "numerical control" commands to achieve the desired workpiece form.
1 Gbit/s, vagy nagyobb ’folyamatos átbocsátási sebesség’;
"Technology" according to the General Technology Note for the "production" of equipment specified in 2A or 2B.
170 MHz-et meghaladó „valós idejű sávszélesség”; és
Other "technology", as follows:
100 % észlelésivalószínűségű észlelés kevesebb, a teljes amplitúdóról kevesebb, mint 3 dB-es csökkenéssel hézagok vagy a 15 s vagy rövidebb időtartamú jelek ablakhatása miatt;
a.
A 3A002.c.4.b. pontban szereplő észlelési valószínűség más néven elfogási valószínűség vagy befogási valószínűség.
"Technology" for metal-working manufacturing processes, as follows:
A 15 μs vagy rövidebb időtartamú jelek esetében 100 %-os triggerelési (fogási) valószínűségű „frekvenciamaszk-trigger” funkcióval rendelkező „jelanalizátorok”;
a.
Specifikációjuk szerint a 31,8 GHz-et meghaladó, de 37 GHz-nél nem nagyobb frekvenciatartományban bárhol az alábbiak mindegyikével rendelkező impulzusmodulált jelek generálására alkalmasak;
"Superplastic forming";
Az „impulzus-időtartama” kevesebb mint 25 ns; és
b.
a be-/kikapcsolási arány 65 dB vagy annál nagyobb;
"Diffusion bonding"; or
Kimenőteljesítményük a 43,5 GHz-et meghaladó, de 90 GHz-et nem meghaladó frekvenciatartományban bárhol meghaladja a 100 mW-ot (20 dBm);
"Direct-acting hydraulic pressing";
a.
a.
a 4,8 GHz és 31,8 GHz közötti frekvenciatartományban a 2,2 GHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén a frekvenciakapcsolási idő kevesebb, mint 100 μs;
"Superplastic forming" of aluminium alloys, titanium alloys or "superalloys":
c.
b.
Egyoldalsávos (SSB) fáziszaj dBc/Hz-ben, amely meghatározása szerint eleget tesz az alábbiak bármelyikének:
"Diffusion bonding" of "superalloys" or titanium alloys:
A 10 Hz < F < 10 kHz közötti tartományban és a 3,2 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 90 GHz frekvenciatartományban bárhol -(126 + 20log10F - 20log10f)-nél kisebb (jobb); vagy
c.
A 10 kHz ≤ F < 100 kHz közötti tartományban és a 3,2 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 90 GHz frekvenciatartományban bárhol –(206- 20log10f)-nél kisebb (jobb); vagy
"Direct-acting hydraulic pressing" of aluminium alloys or titanium alloys:
A 3A002.d.4. pontban F a működési frekvenciától történő eltérés Hz-ben, f pedig a működési frekvencia MHz-ben kifejezve;
Cycle time;
A maximális frekvencia meghaladja a 90 GHz-et;
d.
megjegyzés:
"Hot isostatic densification" of titanium alloys, aluminium alloys or "superalloys":
megjegyzés: A 3A002.d nem vonja ellenőrzés alá azokat a berendezéseket, amelyekben a kimenő frekvenciát két vagy több kristályoszcillátor frekvenciájának összegzése vagy kivonása, vagy pedig az összegzés, illetve kivonás utáni eredmény szorzata adja.
c.
A digitális hullámforma generátorok és funkciógenerátorok maximális frekvenciájának kiszámításához a minta/másodpercben kifejezett mintarátát el kell osztani 2,5-tel.
"Technology" for the "development" or "production" of hydraulic stretch-forming machines and dies therefor, for the manufacture of airframe structures;
A 3A002.d.1.a. alkalmazásában az 'impulzusidőtartam' az impulzus belépő élén mért, az impulzus amplitúdója 50 %-ának megfelelő pont és az impulzus kilépő élén mért, az impulzus amplitúdója 50 %-ának megfelelő pont közötti időintervallumot jelenti.
d.
Az alábbi jellemzők bármelyikével rendekező hálózati analizátorok:
"Technology" for the "development" of generators of machine tool instructions (e.g., part programmes) from design data residing inside "numerical control" units;
Kimenőteljesítményük a 43,5 GHz-et meghaladó, de 90 GHz-et nem meghaladó működési frekvenciatartományban bárhol meghaladja a 31,62 mW-ot (15 dBm);
e.
Kimenőteljesítményük a 90 GHz-et meghaladó, de 110 GHz-et nem meghaladó működési frekvenciatartományban bárhol meghaladja a 1 mW-ot (0 dBm);
"Technology" for the "development" of integration "software" for incorporation of expert systems for advanced decision support of shop floor operations into "numerical control" units;
'Nemlineáris vektoros mérési funkció' 50 GHz-nél nagyobb, de legfeljebb 110 GHz frekvencián; vagy
f.
Az 5A002.a.2. magában foglalja a műszaki visszafejtéssel történő rejtjelelemzéshez tervezett vagy módosított rendszereket vagy berendezést.
"Technology" for the application of inorganic overlay coatings or inorganic surface modification coatings (specified in column 3 of the following table) to non-electronic substrates (specified in column 2 of the following table), by processes specified in column 1 of the following table and defined in the Technical Note.
A ’nemlineáris vektoros mérési funkció’ egy eszköz azon képessége, hogy elemezze a nagyjelű tartományban vagy a nemlineáris torzítási tartományban lévő eszközök teszteredményeit.
The table and Technical Note appear after entry 2E301.
A maximális üzemi frekvencia meghaladja a 110 GHz-et;
This table should be read to specify the technology of a particular Coating Process only when the Resultant Coating in column 3 is in a paragraph directly across from the relevant Substrate under column 2.
Mikrohullámú mérő vevőkészülékek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
For example, Chemical Vapour Deposition (CVD) coating process technical data are included for the application of silicides to carbon-carbon, ceramic and metal "matrix" "composites" substrates, but are not included for the application of silicides to 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18) substrates.
A maximális üzemi frekvencia meghaladja a 110 GHz-et; és
In the second case, the resultant coating is not listed in the paragraph under column 3 directly across from the paragraph under column 2 listing 'cemented tungsten carbide' (16), 'silicon carbide' (18).
Képes az amplitúdó és a fázis egyszerre történő mérésére;
Table
Nem „űrminősítésű”, és rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
Deposition Techniques
Rubídium-etalon;
Ceramics (19) and Low expansion glasses (14)
A fenti 3A101.b. alpont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi célra tervezett berendezéseket.
Mixtures thereof (4)
A tárolt energia több mint 10 J;
Aluminides
Kapacitásuk nagyobb, mint 0,5 μF; és
Boron nitride
Névleges feszültségük nagyobb, mint 750 V;
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide (18)
Kapacitásuk nagyobb, mint 0,25 μF; és
Thermal-Evaporation Physical Vapour Deposition (TE-PVD)
300 mm-nél nagyobb belső átmérő; és
Physical Vapour Deposition (PVD): Electron-Beam (EB-PVD)
A belső térfogat központi 50 %-ában a mágneses tér egyenletessége jobb, mint 1 %.
Alloyed silicides
A 3A201.b. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi mágneses magrezonancia (NMR) megjelenítő rendszerekhez tervezett mágneseket, amelyeket e rendszerek részeként kerülnek kivitelre.
Modified zirconia (12)
A ’részeként’ kifejezés úgy értendő, Ahogy az fizikailag nem feltétlenül képezi ugyanannak a szállítmánynak a részét.
Corrosion resistant steel (7)
Az elektrongyorsító csúcsenergiája 25 MeV vagy annál nagyobb; és
Borides
A „csúcsteljesítmény” 50 MW-nál nagyobb.
Beryllium
Megjegyzés:
Titanium alloys (13)
Műszaki megjegyzések:
Nitrides
A sugárimpulzus időtartam mikrohullámú gyorsító üregrezonátorok elvén alapuló gépekben az 1 μs érték és az egy mikrohullámú modulátor impulzusból eredő nyaláb időtartama közül a kisebb értékkel egyezik meg.
B.2.
A teljesítménynövelés vagy a korlátozások feloldása érdekében vissza kell őket juttatni eredeti gyártójukhoz;
Ion assisted resistive heating Physical Vapour Deposition (PVD) (Ion Plating)
A 0B001.b.13. alatt meghatározottaktól eltérő, változtatható vagy rögzített frekvenciájú motormeghajtóként használható frekvenciaváltók vagy generátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi valamennyi jellemzővel:
Ceramics (19) and Low-expansion glasses
A kifejezetten egy frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – megerősítését vagy kiaknázását célzó, kódok és kulcsok formájában megadott „technológiát” a 3E225 határozza meg.
Cemented tungsten carbide (16), Silicon carbide
A 3A225 nem vonja ellenőrzés alá azon frekvenciaváltókat vagy generátorokat, amelyek a teljesítményt a fent meghatározottaknál kisebbre korlátozó hardver, „szoftver” vagy „technológiai” megszorításokkal rendelkeznek, feltéve, hogy eleget tesznek az alábbiak valamelyikének:
Physical Vapour Deposition (PVD): "Laser" Vaporization
Kapcsoló-berendezések, az alábbiak szerint:
Diamond-like carbon
a.
B.4.
Hideg katódcsövek – függetlenül attól, hogy gázzal töltöttek-e vagy sem – amelyek a szikraközhöz hasonlóan működnek, és rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Physical Vapour Deposition (PVD): Cathodic Arc Discharge
Három vagy annál több elektródát tartalmaznak;
Abradable materials containing Ni-Cr-Al
3A228 Kapcsoló-berendezések, az alábbiak szerint: a) Hideg katódcsövek — függetlenül attól, hogy gázzal töltöttek-e vagy sem — amelyek a szikraközhöz hasonlóan működnek, és rendelkeznek az az alábbi jellemzők mindegyikével: 1.
Abradable Al-Si-Polyester
Három vagy annál több elektródát tartalmaznak; 2.
Aluminium alloys (6)
Névleges anódcsúcsfeszültség 2,5 kV vagy annál nagyobb; 3. legalább 100 A névleges anód csúcsáramerősség; és 4.
E. Slurry Deposition
10 μs vagy annál kisebb anód-késleltetési idő; Megjegyzés: A 3A228 magában foglalja a gázkritron- és a vákuumspritron-csöveket is. b) Kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek az alábbi mindkét jellemzővel: 1.
Fused silicides
15 μs vagy annál kisebb anód-késleltetési idő; és 2.
Fused aluminides except for resistance heating elements
500 A vagy annál nagyobb névleges csúcsáramerősség; c) A 3A001.g. vagy a 3A001.h. pontban meghatározottaktól eltérő, gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az az alábbi jellemzők mindegyikével: 1.
F. Sputter Deposition
2 kV-nél nagyobb névleges anód csúcsfeszültség; 2. legalább 500 A névleges anód csúcsáramerősség; és 3.
Noble metal modified aluminides (3)
1 μs vagy annál kisebb kapcsolási idő.
Platinum
Nagy áramerősségű impulzusgenerátorok, az alábbiak szerint:
Ceramics and Low-expansion glasses (14)
Az 1A007.a. alatt meghatározottaktól eltérő, az 1A007.b. alatt meghatározott többszörös irányítású detonátor meghajtásához tervezett detonátor gyújtóegységek (indítórendszerek, tűzegységek), ideértve elektromos, a robbanó detonátoros és optikai vezérlésű gyújtóegységeket is;
Dielectic layers (15)
Moduláris elektromos impulzusgenerátorok (impulzusadó), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
G. Ion Implantation
Hordozható, mobil, vagy rezgésálló kivitelben készültek;
High temperature bearing steels
Képesek energiájukat 15 μs-nál rövidebb idő alatt leadni 40 Ohmnál kisebb terhelésre;
Additions of Chromium Tantalum or Niobium (Columbium)
Kimeneti áramerősségük nagyobb, mint 100 A;
Cemented tungsten carbide (16)
Egyetlen méretük sem haladja meg a 30 cm-t;
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — NOTES
Egyetlen méretük sem haladja meg a 30 cm-t; Tömegük kisebb, mint 30 kg; és
The term 'coating process' includes coating repair and refurbishing as well as original coating.
Szélsőséges hőmérsékleti viszonyok – 223 K-től (– 50oC) 373 K-ig (100oC-ig) – közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
The term 'alloyed aluminide coating' includes single or multiple-step coatings in which an element or elements are deposited prior to or during application of the aluminide coating, even if these elements are deposited by another coating process.
A 3A229.b. a xenon villanólámpa meghajtókat is magában foglalja.
It does not, however, include the multiple use of single-step pack cementation processes to achieve alloyed aluminides.
Mikro-gyújtóegységek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
The term 'noble metal modified aluminide' coating includes multiple-step coatings in which the noble metal or noble metals are laid down by some other coating process prior to application of the aluminide coating.
Egyetlen méretük sem haladja meg a 35 mm-t;
The term 'mixtures thereof' includes infiltrated material, graded compositions, co-deposits and multilayer deposits and are obtained by one or more of the coating processes specified in the Table.
Névleges feszültségük legalább 1 kV; és
CoCrAlY coatings which contain less than 22 % by weight of chromium, less than 7 % by weight of aluminium and less than 2 % by weight of yttrium;
55 ohm ellenállás terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség; és
b.
Az ’impulzus felfutási idő’ kevesebb, mint 500 ps.
CoCrAlY coatings which contain 22 to 24 % by weight of chromium, 10 to 12 % by weight of aluminium and 0,5 to 0,7 % by weight of yttrium; or
Neutrongenerátor-rendszerek, beleértve a csöveket is, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel:
'Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Nem használt.
"Technology" for single-step pack cementation of solid airfoils is not controlled by Category 2.
Induktív csatolású plazma-tömegspektrométerek (ICP/MS); b) Parázsfénykisüléses tömegspektrométerek (GDMS);
'Polymers', as follows: polyimide, polyester, polysulphide, polycarbonates and polyurethanes.
Egy vagy több, 193 K (– 80 °C) hőmérsékletre hűthető 'hidegcsapda'; e) Nem használt.
'Modified zirconia' refers to additions of other metal oxides (e.g., calcia, magnesia, yttria, hafnia, rare earth oxides) to zirconia in order to stabilise certain crystallographic phases and phase compositions.
Aktinidákkal, vagy aktinida-fluoridokkal történő működésre tervezett mikrofluorozó ionforrással ellátott tömegspektrométerek.
Thermal barrier coatings made of zirconia, modified with calcia or magnesia by mixing or fusion, are not controlled.
Műszaki megjegyzések: 1.
'Titanium alloys' refers only to aerospace alloys having an ultimate tensile strength of 900 MPa or more measured at 293 K (20 °C).
A 3A233.d. pontban szereplő elektronbombázásos tömegspektrométerek elektronbecsapodásos tömegspektométerként vagy ielekronionizációs tömegspektrométerként is ismertek.
'Low-expansion glasses' refers to glasses which have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10–7 K–1 or less measured at 293 K (20 °C).
2.
'Dielectric layers' are coatings constructed of multi-layers of insulator materials in which the interference properties of a design composed of materials of various refractive indices are used to reflect, transmit or absorb various wavelength bands.
Félvezető eszközök vagy anyagok gyártására szolgáló berendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
Dielectric layers refers to more than four dielectric layers or dielectric/metal "composite" layers.
Epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint: 1.
'Cemented tungsten carbide' does not include cutting and forming tool materials consisting of tungsten carbide/(cobalt, nickel), titanium carbide/(cobalt, nickel), chromium carbide/nickel-chromium and chromium carbide/nickel.
Minimum 75 mm-es távolságon ± 2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilikontól eltérő anyag rétegvastagság előállítására képes berendezés;
"Technology" specially designed to deposit diamond-like carbon on any of the following is not controlled:
A 3B001.a.1. pontba beletartozik az atomréteg-epitaxiához (Atomic Layer Epitaxy, ALE) használt berendezés is.
magnetic disk drives and heads, equipment for the manufacture of disposables, valves for faucets, acoustic diaphragms for speakers, engine parts for automobiles, cutting tools, punching-pressing dies, office automation equipment, microphones or medical devices or moulds, for casting or moulding of plastics, manufactured from alloys containing less than 5 % beryllium.
Fémorganikus gőzfázisú kémiai leválasztásra szolgáló (MOCVD) reaktorok, amelyeket az alumínium, gallium, indium, arzén, foszfor, antimon vagy nitrogén elemek közül kettőt vagy többet tartalmazó vegyület-félvezetők epitaxiás növesztésére terveztek;
'Silicon carbide' does not include cutting and forming tool materials.
Gáz vagy szilárd forrásokat alkalmazó molekuláris sugár epitaxiális növesztő berendezés;
Ceramic substrates, as used in this entry, does not include ceramic materials containing 5 % by weight, or greater, clay or cement content, either as separate constituents or in combination.
Ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
TABLE — DEPOSITION TECHNIQUES — TECHNICAL NOTE
2 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián – hidrogén, deutérium vagy hélium implantációk esetén pedig 5 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
Processes specified in Column 1 of the Table are defined as follows:
Közvetlen írási lehetőség;
a.
A hevített félvezető anyagú „egykristályba” történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 keV nagyságú sugárnyaláb energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram; vagy
Chemical Vapour Deposition (CVD) is an overlay coating or surface modification coating process wherein a metal, alloy, "composite", dielectric or ceramic is deposited upon a heated substrate.
20 keV vagy magasabb sugárnyaláb energián – 600 °C-ra vagy magasabb hőmérsékletre hevített félvezető anyagú „szubsztrátumba” implantált szilícium esetén pedig 10 mA vagy nagyobb sugáráramon – történő működésre terveztek és optimalizáltak;
Gaseous reactants are decomposed or combined in the vicinity of a substrate resulting in the deposition of the desired elemental, alloy or compound material on the substrate.
Anizotróp plazma száraz-marató berendezés, amely az alábbi összes jellemzővel rendelkezik:
Energy for this decomposition or chemical reaction process may be provided by the heat of the substrate, a glow discharge plasma, or "laser" irradiation.
Úgy tervezték vagy optimalizálták, hogy 65 nm vagy kisebb kritikus méreteket állítson elő; és
N.B.
A szeleten belüli egyenetlenség legfeljebb 2 mm-es élkizárással mérve legfeljebb 10 % 3σ;
CVD includes the following processes: directed gas flow out-of-pack deposition, pulsating CVD, controlled nucleation thermal deposition (CNTD), plasma enhanced or plasma assisted CVD processes.
d.
N.B.
Nem használt;
Pack denotes a substrate immersed in a powder mixture.
Automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
N.B.
A szeletek be- és kivitelére interfészeket használnak, amelyekhez több, mint két funkcionálisan eltérő – a 3B001.a., a 3B001.b. vagy a 3B001.c. alatt meghatározott – ’félvezető-feldolgozó eszköz’ csatlakoztatható; és
The gaseous reactants used in the out-of-pack process are produced using the same basic reactions and parameters as the pack cementation process, except that the substrate to be coated is not in contact with the powder mixture.
’Szekvenciális többszörös szeletfeldolgozás’ céljából, integrált rendszer vákuumkörnyezetben történő kialakítására tervezték; Megjegyzés:
b.
Képes 45 nm, vagy annál kisebb ’minimális felbontási méretű’ (MRF) minta létrehozására.
Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition (TE-PVD) is an overlay coating process conducted in a vacuum with a pressure less than 0,1 Pa wherein a source of thermal energy is used to vaporize the coating material.
A ’minimális felbontási méret’ (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:
This process results in the condensation, or deposition, of the evaporated species onto appropriately positioned substrates.
a megvilágító fényforrás hullámhossza nanométerben meghatározva
The addition of gases to the vacuum chamber during the coating process to synthesize compound coatings is an ordinary modification of the process.
K faktor
The use of ion or electron beams, or plasma, to activate or assist the coating's deposition is also a common modification in this technique.
numerikus apertúra
The use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thickness of coatings can be a feature of these processes.
ahol „K” faktor = 0,35
Specific TE-PVD processes are as follows:
45 nm vagy annál kisebb felbontási méretű minta létrehozására képes imprinting litográfiai berendezés;
Electron Beam PVD uses an electron beam to heat and evaporate the material which forms the coating;
a 3B001.f.2. pont magában foglalja az alábbiakat:
Ion Assisted Resistive Heating PVD employs electrically resistive heating sources in combination with impinging ion beam(s) to produce a controlled and uniform flux of evaporated coating species;
mikrokontaktus-nyomtatók
The anode can be either a cone attached to the periphery of the cathode, through an insulator, or the chamber.
Kifejezetten maszkkészítésre vagy félvezetőeszköz gyártására tervezett berendezés, amely közvetlen írásos módszert alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
Ion Plating is a special modification of a general TE-PVD process in which a plasma or an ion source is used to ionize the species to be deposited, and a negative bias is applied to the substrate in order to facilitate the extraction of the species from the plasma.
képes olyan mintát előállítani, amelynek fő mérete 1 μm-nél kisebb; vagy