natgillin/translations-raw huggingface dataset:
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
Vontatott akusztikus hidrofonrendszerek, amelyek rendelkeznek a következők bármelyikével:
b.
A hidrofonrendszerek több kimeneti akusztikus csatornát biztosító hidrofonokból állnak.
Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
A hidrofoncsoport osztástávolsága kevesebb mint 12,5 m vagy oly módon módosítható, hogy a hidrofoncsoport osztástávolsága kevesebb mint 12,5 m legyen;
An anode delay time of 15 μs or less; and
A rendszert 35 m-t meghaladó mélységben történő működésre tervezték, vagy az ilyenre ’átalakítható’;
Rated for a peak current of 500 A or more;
A 6A001.a.2.b.1. és 2.-ben az ’átalakítható’ azt jelenti, hogy ezeknél az eszközöknél a kábelezés, vagy a csatlakozások módosításával lehetővé válik a hidrofoncsoport osztástávolságának és az üzemi mélység korlátoknak a megváltoztatása.
c.
E lehetőségeket a következők biztosítják: a kábelek számának 10 %-át meghaladó pótkábelek, a hidrofoncsoport osztástávolságát szabályozó blokkok vagy beállítható belső mélység korlátozó eszközök, illetve több hidrofoncsoport vezérlése;
Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
A 6A001.a.2.d. alatt meghatározott irányszenzorok;
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
Hosszanti irányban erősített tömlőrendszerek;
Anode peak current rating of 500 A or more; and
Az összeszerelt rendszer átmérője kevesebb, mint 40 mm;
Turn-on time of 1 μs or less.
A 6A001.a.2.a alatt meghatározott hidrofonjellemzők; vagy
High-current pulse generators as follows:
A 6A001.a.2.g. alatt meghatározott gyorsulásmérőn alapuló hidroakusztikai szenzorok;
Detonator firing sets (initiator systems, firesets), including electronically-charged, explosively-driven and optically-driven firing sets, other than those specified in 1A007.a., designed to drive multiple controlled detonators specified in 1A007.b.;
Kifejezetten a vontatott akusztikai hidrofonrendszerek számára tervezett „felhasználó által programozható” feldolgozóberendezés, amely rendelkezik idő- vagy frekvenciaosztásos feldolgozással és korrelációval, beleértve a spektrumelemzést, a gyors Fourier vagy más transzformáció vagy eljárások alkalmazásával végrehajtott digitális szűrést és sugáralakítást;
Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
Irányszenzorok, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
Designed for portable, mobile, or ruggedized-use;
± 0,5 °-ot meghaladó pontosság; és
Capable of delivering their energy in less than 15 μs into loads of less than 40 ohms;
Arra tervezték, hogy 35 m-t meghaladó mélységben üzemeljenek, vagy a 35 m-t meghaladó mélységekben történő üzemelés céljából egy beállítható, vagy eltávolítható mélységérzékelő berendezéssel rendelkeznek;
Having an output greater than 100 A;
e.
No dimension greater than 30 cm;
Tengerfenéki vagy sekélyvízi kábelrendszerrel működő hidrofonrendszerek, amelyek rendelkeznek a következők bármelyikével:
Weight less than 30 kg; and
A 6A001.a.2.a. alatt meghatározott hidrofonokat tartalmaznak;
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Multiplexelt hidrofoncsoport jelmodulokat tartalmaznak, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
b. includes xenon flash-lamp drivers.
a.
c.
Arra tervezték, hogy 35 m-t meghaladó mélységben üzemeljenek, vagy a 35 m-t meghaladó mélységekben történő üzemelés céljából egy beállítható, vagy eltávolítható mélységérzékelő berendezéssel rendelkeznek; és
Micro-firing units having all of the following characteristics:
b.
No dimension greater than 35 mm;
Üzemileg kicserélhető vontatott akusztikus hidrofonrendszer-modulokkal rendelkeznek; vagy
Voltage rating of equal to or greater than 1 kV; and
A 6A001.a.2.g. alatt meghatározott gyorsulásmérőn alapuló hidroakusztikai szenzorokat foglalnak magukban;
Capacitance of equal to or greater than 100 nF.
f.
High-speed pulse generators, and 'pulse heads' therefor, having both of the following characteristics:
Kifejezetten tengerfenékkábel-rendszerek számára tervezett „felhasználó által programozható” feldolgozó-berendezés, amely rendelkezik idő- vagy frekvenciaosztásos feldolgozással és korrelációval, beleértve a spektrumelemzést, a gyors Fourier vagy más transzformáció,illetve eljárások alkalmazásával végrehajtott digitális szűrést és sugáralakítást;
Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms, and
Gyorsulásmérőn alapuló hidroakusztikai szenzorok, amelyek rendelkeznek az összes alábbi jellemzővel:
b.
Három különálló tengely mentén elrendezett három gyorsulásmérőből áll;
'Pulse transition time' less than 500 ps.
Teljes 'gyorsulásérzékenysége' 48 dB-nél jobb (referencia 1,000 mV rms/ 1 g);
In 3A230, 'pulse transition time' is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
35 méternél nagyobb mélységben történő működésre tervezték; és
'Pulse heads' are impulse forming networks designed to accept a voltage step function and shape it into a variety of pulse forms that can include rectangular, triangular, step, impulse, exponential, or monocycle types.
20 kHz alatti üzemi frekvencia;
'Pulse heads' can be an integral part of the pulse generator, they can be a plug-in module to the device or they can be an externally connected device.
A 6A001.a.2.g. nem vonja ellenőrzés alá a részecskesebesség-szenzorokat vagy geofónokat.
Neutron generator systems, including tubes, having both of the following characteristics:
A gyorsulásmérőn alapuló hidroakusztikai szenzorok vektorszenzor néven is ismertek.
a.
A ’gyorsulásérzékenység’ a következőképpen határozható meg: a kimenőfeszültség effektív értéke és az 1 V effektív értékű referenciafeszültség hányadosának 10-es alapú logaritmusa szorozva hússzal, ha az előerősítő nélküli hidroakusztikai-szenzor 1 g (i.e., 9.81 m/s2) rms gyorsulású síkhullámú akusztikai mezőben helyezkedik el.
Designed for operation without an external vacuum system; and
A 6A001.a.2. a vételi készülékeket is ellenőrzés alá vonja – függetlenül attól, hogy a rendeltetésszerű alkalmazás során külön aktív egység tartozik-e hozzájuk –, valamint a kifejezetten hozzájuk tervezett alkatrészeket is.
Utilizing any of the following:
Korrelációs-sebességszonár log berendezés és Doppler-sebességszonár log berendezés, amelyeket arra terveztek, hogy mérjék a berendezéshordozónak a tengerfenékhez viszonyított horizontális sebességét, az alábbiak szerint:
Electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction; or
Az alábbi jellemzők bármelyikével rendelkező korrelációs-sebességszonár log berendezés:
Electrostatic acceleration to induce a deuterium-deuterium nuclear reaction and capable of an output of 3 × 109 neutrons/s or greater.
a.
Multipoint initiation systems, other than those specified in 1A007, as follows:
A hordozó és a tengerfenék között az 500 m-t meghaladó távolságon való működésre tervezett berendezés; vagy
See 1A007.b. for detonators.
b.
b.
Sebességpontossága a sebesség 1 %-ánál jobb;
Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5,000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
A sebesség 1 %-ánál jobb sebességpontossággal rendelkező Doppler-sebességszonár log berendezés.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
A 6A001.b. pont nem vonja ellenőrzés alá az alábbiak bármelyikére korlátozott mélységmérőket:
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
Vízmélység-mérés;
a.
Alámerült vagy betemetett tárgyak távolságának mérése; vagy
Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
Halászati célú felderítés.
b.
A 6A001.b. pont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten a felszíni hajókon való használatra tervezett berendezéseket.
Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
Optikai szenzorok vagy felszerelések és azok tartozékai, az alábbiak szerint:
c.
LÁSD MÉG 6A102.
Thermal ionization mass spectrometers (TIMS);
a.
d.
Optikai érzékelők, az alábbiak szerint:
Electron bombardment mass spectrometers having both of the following features:
„Űrminősítésű” félvezető detektorok, az alábbiak szerint:
A molecular beam inlet system that injects a collimated beam of analyte molecules into a region of the ion source where the molecules are ionized by an electron beam; and
A 6A002.a.1. alkalmazásában a félvezető detektorok közé tartoznak a „gyújtóponti sík tömbök” is.
One or more 'cold traps' that can be cooled to a temperature of 193 K (– 80 °C);
a. „Űrminősítésű” félvezető detektorok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
e.
A legnagyobb válaszjel a 300 nm-nél kisebb, de 10 nm-nél nagyobb hullámhossztartományba esik; és
Not used;
A válaszjel a legnagyobb válaszjelhez viszonyítva a 400 nm-t meghaladó hullámhosszúságon 0,1 %-nál kisebb;
f.
b. „Űrminősítésű” félvezető detektorok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
A legnagyobb válaszjel az 1200 nm-nél kisebb, de 900 nm-nél nagyobb hullámhossztartományba esik; és
Electron bombardment mass spectrometers in 3A233.d. are also known as electron impact mass spectrometers or electron ionization mass spectrometers.
A válasz „időállandója” legfeljebb 95 ns;
In 3A233.d.2., a 'cold trap' is a device that traps gas molecules by condensing or freezing them on cold surfaces.
c. „Űrminősítésű” félvezető detektorok, amelyek legnagyobb válaszjele az 1200 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 30000 nm közötti hullámhossztartományba esik;
For the purposes of 3A233.d.2., a closed-loop gaseous helium cryogenic vacuum pump is not a 'cold trap'.
d. „Űrminősítésű”„gyújtóponti sík tömbök”, rendszerenként több, mint 2048 elemmel, amelyeknek legnagyobb válaszjele a 300 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 900 nm közötti hullámhossztartományba esik.
Striplines to provide low inductance path to detonators with the following characteristics:
Képerősítő csövek és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek, ideértve a következőket:
a.
A 6A002.a.2. pont nem vonja ellenőrzés alá az olyan nem képalkotó fotoelektron sokszorozó csöveket, amelyek a vákumtérben kizárólag az alábbiak valamelyikére korlátozott elektron-érzékelőeszközzel rendelkeznek:
Voltage rating greater than 2 kV; and
Monofém anód; vagy
b.
Központtól központig 500 μm-nél kisebb osztástávolságú fém anód.
Inductance of less than 20 nH.
A ’töltet-sokszorosítás’ az elektronikus képerősítés egyik formája, és az nem más, mint töltet-hordozók előállítása ütközéses-ionizációs gerjesztés eredményeként.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
’Töltet-sokszorosítású’ érzékelők lehetnek képerősítő csövek, félvezető detektorok vagy „gyújtóponti sík tömbök”
Equipment designed for epitaxial growth as follows:
Képerősítő csövek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
A legnagyobb válaszjel a 400-nm-nél nagyobb, de legfeljebb 1050 nm közötti hullámhossztartományba esik;
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
Az alábbiak bármelyikét alkalmazó elektron-képerősítés:
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
a. „Űrminősítésű”„gyújtóponti sík tömbök”, rendszerenként több, mint 2048 elemmel, amelyeknek legnagyobb válaszjele a 300 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 900 nm közötti hullámhossztartományba esik.
Molecular beam epitaxial growth equipment using gas or solid sources;
b.
b.
Legfeljebb 500 μm nem összevont pixel távolságú elektronérzékelő eszköz, amelyet kifejezetten – nem mikrocsatorna-lemez révén történő – töltet-sokszorosítás céljára terveztek vagy módosítottak; és
Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
Az alábbi fotokatódok bármelyikével rendelkeznek:
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for hydrogen, deuterium or helium implant;
a.
Direct write capability;
Multialkáli fotokatódok (pl. S-20 és S-25) 350 A/lm-t meghaladó fényérzékenységgel;
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate"; or
b.
Being designed and optimized to operate at a beam energy of 20 keV or more and a beam current of 10 mA or more for silicon implant into a semiconductor material "substrate" heated to 600 °C or greater;
GaAs vagy GaInAs fotokatódok; vagy
Anisotropic plasma dry etching equipment having all of the following:
Egyéb „III/V összetett” félvezető fotokatódok 10 mA/W-t meghaladó maximális „sugárérzékenységgel”;
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
b.
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
Képerősítő csövek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
d.
a legnagyobb válaszjel az 1050 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 1800 nm közötti hullámhossztartományba esik;
e.
12 μm-nél kisebb osztástávolságú (központtól központig) mikrocsatorna-lemez; vagy
Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having all of the following:
„III/V összetett” félvezető (pl. GaAs vagy GaInAs) fotokatódok és kilökött elektron fotokatódok 15 mA/W-t meghaladó maximális „sugárérzékenységgel”.
Interfaces for wafer input and output, to which more than two functionally different 'semiconductor process tools' specified in 3B001.a., 3B001.b. or 3B001.c. are designed to be connected; and
c.
Designed to form an integrated system in a vacuum environment for 'sequential multiple wafer processing';
Speciális tervezésű alkatrészek, az alábbiak szerint:
e. does not control automatic robotic wafer handling systems specially designed for parallel wafer processing.
Az elektron-képerősítés céljából 12 μm-nél kisebb osztástávolságú (központtól központig) mikrocsatorna-lemezek;
For the purpose of 3B001.e., 'semiconductor process tools' refers to modular tools that provide physical processes for semiconductor production that are functionally different, such as deposition, etch, implant or thermal processing.
:egfeljebb 500 μm nem összevont pixel távolságú elektronérzékelő eszköz, amelyet kifejezetten – nem mikrocsatorna-lemez révén történő – töltet-sokszorosítás céljára terveztek vagy módosítottak;
For the purpose of 3B001.e., 'sequential multiple wafer processing' means the capability to process each wafer in different 'semiconductor process tools', such as by transferring each wafer from one tool to a second tool and on to a third tool with the automatic loading multi-chamber central wafer handling systems.
„III/V összetett” félvezető (pl. GaAs vagy GaInAs) fotokatódok és kilökött elektron fotokatódok;
f.
A 6A002.a.2.c.3. nem vonja ellenőrzés alá az alábbi maximális „sugárérzékenységi” értékek bármelyikének elérésére tervezett összetett félvezető fotokatódokat:
Lithography equipment as follows:
Legfeljebb 10 mA/W a 400 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 1050 nm közötti hullámhossztartományba eső legnagyobb válaszjel esetén; vagy
Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
legfeljebb 15 mA/W az 1050 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 1800 nm közötti hullámhossztartományba eső legnagyobb válaszjel esetén.
a.
Nem „űrminősítésű” „gyújtóponti sík tömbök”, ideértve a következőket:
A light source wavelength shorter than 193 nm; or
A ’mikrobolométeren’ alapuló, nem „űrminősítésű” „gyújtóponti sík tömbök”-et csak a 6A002.a.3.f. pont határozza meg.
b.
A „gyújtóponti sík tömbök” lineáris vagy kétdimenziós többelemű detektorrendszerek.
Capable of producing a pattern with a 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) of 45 nm or less;
megjegyzés: A 6A002.a.3. nem vonja ellenőrzés alá:
The 'Minimum Resolvable Feature size' (MRF) is calculated by the following formula:
A többelemű (az elemek száma nem haladhatja meg a 16-ot) akár ólom-szulfidot, akár ólom-szelenidet alkalmazó tokozott fényelektromos vezető cellákat;
× K factor
Triglicin-szulfát és változatai;
numerical aperture
Ólom-lantán-zirkónium-titanát és változatai;
Imprint lithography equipment capable of producing features of 45 nm or less;
Polivinilidén-fluorid és változatai; vagy
f.2. includes:
Stroncium-bárium-niobát és változatai.
Micro contact printing tools
Kifejezetten ’töltet-sokszorosítás’ céljára tervezett vagy módosított „gyújtóponti sík tömb”, amelyet úgy terveztek meg, hogy 760 nm-t meghaladó hullámhossz esetén maximális „sugárérzékenysége” legfeljebb 10 mA/W legyen, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
Hot embossing tools
Nem eltávolítható és nem módosítható válaszjel-korlátozó mechanizmust tartalmaznak; és
Nano-imprint lithography tools
A válaszjel-korlátozó mechanizmus a detektor elem szerves része vagy azzal kombinált; vagy
Step and flash imprint lithography (S-FIL) tools
A „gyújtóponti sík tömb” kizárólag a válaszjel-korlátozó eszköz megléte esetén működőképes.
Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using direct writing methods, having all of the following:
A detektor elem szerves részét képező válaszjel-érzékelő eszközt úgy tervezték meg, hogy annak eltávolítása vagy módosítása esetén az érzékelő működésképtelenné válik.
Using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam; and
Nem „űrminősítésű” „gyújtóponti sík tömbök”, amelyek rendelkeznek az alábbiak mindegyikével:
A spot size smaller than 0,2 μm;
A legnagyobb válaszjel a 900 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 1050 nm közötti hullámhossztartományba esik; és
Being capable of producing a pattern with a feature size of less than 1 μm; or
a.
An overlay accuracy of better than ± 0,20 μm (3 sigma);
A válasz „időállandója” 0,5 ns-nál kisebb; vagy
Masks and reticles, designed for integrated circuits specified in 3A001;
Kifejezetten töltet-sokszorosítás céljára tervezték vagy módosították, és maximális „sugárérzékenysége” a 10 mA/W-t meghaladja;
Multi-layer masks with a phase shift layer not specified by 3B001.g. and having any of the following:
Nem „űrminősítésű” „gyújtóponti sík tömbök”, amelyek rendelkeznek az alábbiak mindegyikével:
Made on a mask "substrate blank" from glass specified as having less than 7 nm/cm birefringence; or
Az egyedi elemek legnagyobb válaszjele az 1050 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 1200 nm közötti hullámhossztartományba esik; és
Designed to be used by lithography equipment having a light source wavelength less than 245 nm;
a.
h. does not control multi-layer masks with a phase shift layer designed for the fabrication of memory devices not controlled by 3A001.
A válasz „időállandója” 95 ns-nál kisebb; vagy
Imprint lithography templates designed for integrated circuits specified in 3A001.
Nem „űrminősítésű”, nem-lineáris (2 dimenziós) „gyújtóponti sík tömbök”, melyek egyedi elemeinek legnagyobb válaszjele az 1200 nm-t meghaladó, de a 30000 nm-t nem meghaladó hullámhossz-tartományba esik;
Test equipment specially designed for testing finished or unfinished semiconductor devices as follows and specially designed components and accessories therefor:
A szilikon- és más anyag alapú ’mikrobolométeren’ alapuló, nem „űrminősítésű” „gyújtóponti sík tömbök”-et csak a 6A002.a.3.f. pont határozza meg.
For testing S-parameters of transistor devices at frequencies exceeding 31,8 GHz;
Az alábbi jellemzők mindegyikével rendelkező, nem „űrminősítésű”, lineáris (1 dimenziós) „gyújtóponti sík tömbök”:
c.
Az egyedi elemek legnagyobb válaszjele az 1200 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 3000 nm közötti hullámhossztartományba esik; és
For testing microwave integrated circuits specified in 3A001.b.2.
a.
Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:
A detektorelem ’pásztázási irányának’ és a detektorelem ’keresztpásztázási irányának’ méretaránya kisebb mint 3,8; vagy
Silicon (Si);
Jelfeldolgozás a detektor elemekben;
b.
A 6A002.a.3.d. pont nem vonja ellenőrzés alá a kizárólag germániumból készült detektor elemekből álló (legfeljebb 32 elemű) „gyújtóponti sík tömböket”.
Germanium (Ge);
A 6A002.a.3.d. pont alkalmazásában a ‘keresztpásztázási irány’ a detektorelemek lineáris tömbjével párhuzamos tengely, a ‘pásztázási irány’ pedig a detektorelemek lineáris tömbjére merőleges tengely.
Silicon carbide (SiC); or
Nem „űrminősítésű”, lineáris (1 dimenziós) „gyújtóponti sík tömbök”, melyek egyedi elemeinek legnagyobb válaszjele a 3000 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 30000 nm közötti hullámhossztartományba esik;
"III/V compounds" of gallium or indium.
Nem „űrminősítésű”, nem lineáris (2 dimenziós), olyan ’mikrobolométer’ anyagon alapuló infravörös „gyújtóponti sík tömbök”, amelyek egyedi elemeinek szűretlen válaszjele (unfiltered response) a 8000 nm-t elérő és meghaladó, de legfeljebb 14000 nm közötti hullámhossztartományba esik;
d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
A 6A002.a.3.f. alkalmazásában a ’mikrobolométer’ olyan termikus képérzékelő, amelyet az infravörös sugárzás elnyelése miatt a detektorban történt hőváltozás eredményeként valamilyen használható jel generálására alkalmaznak.
Resist materials as follows and "substrates" coated with the following resists:
g.
a.
Nem „űrminősítésű” „gyújtóponti sík tömbök”, amelyek rendelkeznek az alábbiak mindegyikével:
Resists designed for semiconductor lithography as follows:
Az egyedi elemek legnagyobb válaszjele a 400 nm-t meghaladó, de a 900 nm-t nem meghaladó hullámhossztartományba esik;
Positive resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 245 nm but equal to or greater than 15 nm;
Kifejezetten ’töltet-sokszorosítás’ céljára tervezett vagy módosított gyújtóponti sík tömb, amelynek maximális „sugárérzékenysége” 760 nm-t meghaladó hullámhossz esetén a 10 mA/W-t meghaladja; és
Resists adjusted (optimised) for use at wavelengths less than 15 nm but greater than 1 nm;
él több elemből áll;
All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 μcoulomb/mm2 or better;
Távérzékelésre tervezett „monospektrális képérzékelők” és „multispektrális képérzékelők”, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével:
d.
A pillanatnyi látómező (IFOV) max. 200 rad (mikroradián); vagy
All resists optimised for surface imaging technologies;
400 nm-nél nagyobb, de legfeljebb 30000 nm közötti hullámhossztartományban működnek, és rendelkeznek a következők mindegyikével:
All resists designed or optimised for use with imprint lithography equipment specified in 3B001.f.2. that use either a thermal or photo-curable process.
A kimenő képadatokat digitális formában adják meg; és
Organo-inorganic compounds as follows:
„Űrminősítésű; vagy
a.
Repülőgép-fedélzeti műveletekre tervezett, nem szilícium-érzékelőkkel működő berendezések, amelyek 2,5 mrad-nál (milliradián) kisebb pillanatnyi látómezővel rendelkeznek;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
A 6A002.b.1. nem vonja ellenőrzés alá az olyan „monospektrális képérzékelőket”, amelyek legnagyobb válaszjele a 300 nm-t meghaladó, de a 900 nm-t nem meghaladó hullámhossztartományba esik, és amelyek kizárólag az alábbi, nem „űrminősítésű” detektorok vagy nem „űrminősítésű” „gyújtóponti sík tömbök” valamelyikét tartalmazzák: