natgillin/translations-raw huggingface dataset:
The introduction of reactive species, evaporation of solids within the process chamber, and the use of monitors to provide in-process measurement of optical characteristics and thicknesses of coatings are ordinary modifications of the process.
az elhelyezési pontosság jobb, mint ± 0,20 μm (3 szigma);
c.
A 3A001 pontban meghatározott integrált áramkörökhöz tervezett maszkok és hajszálvonalas lemezek;
Pack Cementation is a surface modification coating or overlay coating process wherein a substrate is immersed in a powder mixture (a pack), that consists of:
A 3B001.g. alatt nem meg nem határozott fáziseltolásos réteggel, valamint az alábbiak bármelyikével rendelkező többrétegű maszkok:
The metallic powders that are to be deposited (usually aluminium, chromium, silicon or combinations thereof);
7 nm/cm-nél kevesebb kettős töréssel rendelkezőként meghatározott üvegből készült maszk „nyersalaplemezre” készültek; vagy
An activator (normally a halide salt); and
olyan litográfiai berendezésekhez tervezték, amelyek fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 245 nm; Megjegyzés:
An inert powder, most frequently alumina.
Kifejezetten kész, vagy félkész félvezető eszközökhöz tervezett tesztberendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
The substrate and powder mixture is contained within a retort which is heated to between 1030 K (757 °C) and 1375 K (1,102 °C) for sufficient time to deposit the coating.
Tranzisztor eszközök S-paraméterének tesztelésére szolgáló eszközök 31,8 GHz-et meghaladó frekvencián;
d.
A 3A001.b.2 részben meghatározott mikrohullámú integrált áramkörök tesztelésére szolgáló eszközök.
Plasma Spraying is an overlay coating process wherein a gun (spray torch) which produces and controls a plasma accepts powder or wire coating materials, melts them and propels them towards a substrate, whereon an integrally bonded coating is formed.
Szilícium (Si); b) Germánium (Ge); c) Szilíciumkarbid (SiC); vagy d) III/V gallium- vagy indiumvegyületek.
Plasma spraying constitutes either low pressure plasma spraying or high velocity plasma spraying.
Megjegyzés: A 3C001.d. nem vonja ellenőrzés alá az egy vagy több – az elemek sorrendjétől függetlenül –GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP vagy InGaAlP P-típusú epitaxiális réteggel rendelkező „szubsztrátokat”, kivéve, ha a P-típusú epitaxiális réteg az N-típusú rétegek között helyezkedik el.
N.B. 1
Védőréteg anyagok és az alábbi védőanyagokkal bevont „szubsztrátumok”:
Low pressure means less than ambient atmospheric pressure.
Védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten félvezető litográfiához igazítottak, az alábbiak szerint:
N.B.
Pozitív védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 245 nm alatti, de legalább 15 nm hullámhosszúságon történő felhasználásra igazítottak ki (optimalizáltak);
High velocity refers to nozzle-exit gas velocity exceeding 750 m/s calculated at 293 K (20 °C) at 0,1 MPa.
Védőréteg anyagok, amelyeket kifejezetten 15 nm alatti, de 1 nm-nél nagyobb hullámhosszúságon történő felhasználásra igazítottak ki (optimalizáltak);
e.
0,01 μcoulomb/mm2 vagy annál jobb érzékenységgel rendelkező valamennyi olyan védőréteg anyag, amelyeket elektronsugárral vagy ionsugárral történő alkalmazásra terveztek;
Slurry Deposition is a surface modification coating or overlay coating process wherein a metallic or ceramic powder with an organic binder is suspended in a liquid and is applied to a substrate by either spraying, dipping or painting, subsequent air or oven drying, and heat treatment to obtain the desired coating.
A felületi képalkotási technológiákhoz optimalizált összes védőréteg,
f.
Valamennyi olyan védőanyag, amelyet a 3B001.f.2. pontban meghatározott olyan imprinting litográfiai berendezésekhez terveztek vagy optimalizáltak, amelyek termikus vagy fotokémiai eljárást alkalmaznak.
Sputter Deposition is an overlay coating process based on a momentum transfer phenomenon, wherein positive ions are accelerated by an electric field towards the surface of a target (coating material).
Szerves-szervetlen vegyületek, az alábbiak szerint:
The kinetic energy of the impacting ions is sufficient to cause target surface atoms to be released and deposited on an appropriately positioned substrate.
Alumínium, gallium, vagy indium fémorganikus vegyületei 99,999 %-nál nagyobb tisztasággal (fémbázison);
N.B.
Szerves arzén-, antimon- vagy foszforvegyületek 99999 %-nál nagyobb tisztasággal (szervetlen elem bázison).
The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.
A 3C003 csak azokat a vegyületeket vonja ellenőrzés alá, amelyek fémes, részben fémes és nemfémes eleme közvetlenül kapcsolódik a molekula szerves részében lévő szénatomhoz.
N.B.
Foszfor-, arzén- vagy antimon-hidridek, melyek tisztasága még semleges gázokban, vagy hidrogénben oldva is nagyobb, mint 99999 %.
Low-energy ion beams (less than 5 keV) can be used to activate the deposition.
A 3C004 nem vonja ellenőrzés alá a semleges gázokat vagy hidrogént legalább 20 mólszázalék mennyiségben tartalmazó hidrideket.
g.
20 °C-on 10000 ohm-cm-t meghaladó ellenállású szilíciumkarbid (SiC), gallium nitrid (GaN), alimínium nitrid (AlN) vagy alumínium-galliumnitrid (AlGaN) „szubsztrátumok”, vagy ezen anyagok öntecsei, monokristályai vagy egyéb előformái.
ELECTRONICS
Olyan, ’fizikán alapuló’ szimulációs „szoftver”, amelyet kifejezetten olyan litográfiai, maratási vagy leválasztási folyamatok „fejlesztésére” terveztek, amelyek segítségével a maszkmintákat a vezetőkön, a dielektrikumokon vagy a félvezető anyagon megjelenő specifikus topográfiai mintákká fordítják le.
The control status of equipment and components described in 3A001 or 3A002, other than those described in 3A001.a.3. to 3A001.a.10., 3A001.a.12. or 3A001.a.13, which are specially designed for or which have the same functional characteristics as other equipment is determined by the control status of the other equipment.
A 3D003. pont alkalmazásában a ’fizikán alapuló’ kifejezés számítások használatát jelenti, amelyek azt a célt szolgálják, hogy a fizikai tulajdonságok (pl.: hőmérséklet, nyomás, diffúziós állandó és félvezető anyagok tulajdonságai) alapján meghatározzanak egy ok-okozati viszonyban álló fizikai eseménysort.
The control status of integrated circuits described in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12. or 3A001.a.13 which are unalterably programmed or designed for a specific function for another equipment is determined by the control status of the other equipment.
A félvezető eszközök vagy integrált áramkörök tervezéséhez kapcsolódó könyvtárakat, tervezési jellemzőket, illetve adatokat „technológiának” kell tekinteni.
When the manufacturer or applicant cannot determine the control status of the other equipment, the control status of the integrated circuits is determined in 3A001.a.3. to 3A001.a.9., 3A001.a.12 and 3A001.a.13.
Kifejezetten a 3A003. pontban meghatározott berendezés „fejlesztésére” tervezett „szoftver”.
Electronic components and specially designed components therefor, as follows:
Kifejezetten a 3A101.b. alatt meghatározott berendezések „használatához” tervezett vagy átalakított „szoftver”.
a.
A kifejezetten a frekvenciaváltó vagy generátorok teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – fokozására vagy felszabadítására tervezett „szoftvert”.
General purpose integrated circuits, as follows:
A 3A, 3B, vagy 3C által ellenőrzés alá vont berendezések vagy anyagok „fejlesztésére” vagy „gyártására” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”;
The control status of wafers (finished or unfinished), in which the function has been determined, is to be evaluated against the parameters of 3A001.a.
A 3E001 nem vonja ellenőrzés alá a 3A003 ellenőrzése alá tartozó berendezés vagy alkatrészek „gyártására” vonatkozó „technológiákat”.
Integrated circuits include the following types:
A 3E001 nem vonja ellenőrzés alá a 3A001.a.3.-3A001.a.12. alatt meghatározott, a következő jellemzők mindegyikével rendelkező integrált áramkörök „fejlesztésére” vagy „gyártására” vonatkozó „technológiákat”:
"Monolithic integrated circuits";
megjegyzés:
"Hybrid integrated circuits";
Három vagy annál kevesebb fémrétegből álló „többrétegű struktúrákat” tartalmaznak.
"Multichip integrated circuits";
A 3E001 pontban meghatározottaktól eltérő, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia” olyan „mikroprocesszor mikroáramkörök”, „mikroszámítógép mikroáramkörök” és mikrovezérlő mikroáramkör mag „fejlesztésére” vagy „gyártására” szolgál, amelyek legalább 32 bites elérési szélességű aritmetikai logikai egységgel, valamint az alábbi jellemzők vagy tulajdonságok valamelyikével rendelkeznek:
"Film type integrated circuits", including silicon-on-sapphire integrated circuits;
lebegőpontos vektorokon (32 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök) kettőnél több számítás párhuzamos elvégzésének céljára tervezett ’vektorprocesszor-egység’;
"Optical integrated circuits";
A ’vektorprocesszor-egység’ a processzor olyan eleme, amelynek beépített utasításai szimultán módon több számítást végeznek el lebegőpontos vektorokon (32 bites vagy nagyobb számokból álló egydimenziós tömbök), és legalább egy vektrális aritmetikai logikai egységgel rendelkeznek.
"Three dimensional integrated circuits".
ciklusonként négynél több 64 bites vagy nagyobb lebegőpontos-művelet elvégzésére tervezték; vagy
Integrated circuits designed or rated as radiation hardened to withstand any of the following:
ciklusonként négynél több 16 bites fixpont szorzás–összeadás művelet elvégzésére tervezték (pl. korábban digitális formátumúvá átalakított analóg információ digitális manipulációja, vagy más néven „digitális jelfeldolgozás”).
a.
Megjegyzés: A 3E002.c. pont nem vonja ellenőrzés alá a multimédia-kiterjesztésekre szolgáló „technológiát”.
A total dose of 5 × 103 Gy (silicon) or higher;
0,130 μm vagy a feletti „technológiát” alkalmaz; és
b.
Vákuum mikroelektronikai eszközök;
A dose rate upset of 5 × 106 Gy (silicon)/s or higher; or
A 3E003.b. nem vonja ellenőrzés alá a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő nagy elektronmozgékonyságú tranzisztorokra (HEMT) és a 31,8 GHz-nél alacsonyabb frekvencián működő hetero-bipoláris tranzisztorokra (HBT) vonatkozó „technológiákat”.
c.
„Szupravezető” elektronikai eszközök;
A fluence (integrated flux) of neutrons (1 MeV equivalent) of 5 × 1013 n/cm2 or higher on silicon, or its equivalent for other materials;
Gyémántfilm szubsztrátumok elektronikai alkatrészekhez.
a.1.c. does not control Metal Insulator Semiconductors (MIS).
Szilícium-szigetelő szubsztrátum (SOI) olyan integrált áramkörökhöz amelyeknél a szigetelő szilícium-dioxid;
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits", microcontroller microcircuits, storage integrated circuits manufactured from a compound semiconductor, analogue-to-digital converters, digital-to-analogue converters, electro-optical or "optical integrated circuits" designed for "signal processing", field programmable logic devices, custom integrated circuits for which either the function is unknown or the control status of the equipment in which the integrated circuit will be used is unknown, Fast Fourier Transform (FFT) processors, electrical erasable programmable read-only memories (EEPROMs), flash memories or static random-access memories (SRAMs), having any of the following:
Szilícium-karbid szubsztrátumok elektronikai alkatrészekhez;
a.
Legalább 31,8 GHz-es frekvencián működő elektronikus vákuumcsövek.
Rated for operation at an ambient temperature above 398 K (125 °C);
A 3A001.a.1. vagy 2., a 3A101, 3A102 vagy 3D101 pont által ellenőrzés alá vont berendezések, vagy „szoftverek” „használatára” vonatkozó, az Általános Technológiai Megjegyzés szerinti „technológia”.
b.
A 3D101 alatt meghatározott „szoftverek” „fejlesztésére” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”.
Rated for operation at an ambient temperature below 218 K (– 55 °C); or
A 3A001.e.2., a 3A001.e.3., a 3A001.g., a 3A201, a 3A225–3A234 pontban meghatározott berendezések „használatára” vonatkozó, az Általános technológiai megjegyzés szerinti „technológia”.
c.
A kifejezetten egy frekvenciaváltó vagy generátor teljesítményének – a 3A225 alatt szereplő jellemzőknek való megfelelés érdekében történő – megerősítését vagy kiaknázást célzó, kódok és kulcsok formájában megadott „technológiát” a 3E225 határozza meg.
Rated for operation over the entire ambient temperature range from 218 K (– 55 °C) to 398 K (125 °C);
4.
a.2. does not control integrated circuits for civil automobiles or railway train applications.
KATEGÓRIA –
"Microprocessor microcircuits", "microcomputer microcircuits" and microcontroller microcircuits, manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz;
SZÁMÍTÓGÉPEK
a.3. includes digital signal processors, digital array processors and digital coprocessors.
A távközlési vagy „helyi hálózati” funkciókat teljesítő számítógépeket, kapcsolódó berendezéseket vagy „szoftvert” az 5. kategória 1. rész (Távközlés) teljesítményjellemzői szerint is értékelni kell.
Analogue-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analogue Converter (DAC) integrated circuits, as follows:
Azokat a vezérlőegységeket, amelyek közvetlenül összekapcsolják a központi egységek, a „központi tár” vagy a lemezvezérlők síneit vagy csatornáit, nem tekintjük az 5. kategória 1 részében (Távközlés) meghatározott távközlési berendezéseknek.
a.
A kifejezetten csomagkapcsoláshoz tervezett „szoftver” ellenőrzési státusa tekintetében lásd: 5D001.
ADCs having any of the following:
Kriptográfiai, kriptoanalitikai, hitelesíthető többszintű védelmi vagy hitelesíthető felhasználó elkülönítési funkciókat ellátó, vagy az elektromágneses kompatibilitást (EMC) limitáló számítógépeket, kapcsolódó berendezéseket vagy „szoftvert” az 5. kategória 2. rész („Információbiztonság”) teljesítményjellemzői szerint is értékelni kell.
N.B.:
Az alábbi jellemzők bármelyikével rendelkező elektronikus számítógépek és kapcsolódó berendezések, továbbá „elektronikus részegységek” és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek:
SEE ALSO 3A101
LÁSD MÉG: 4A101.
A resolution of 8 bit or more, but less than 10 bit, with an output rate greater than 1,000 million words per second;
a.
A resolution of 10 bit or more, but less than 12 bit, with an output rate greater than 300 million words per second;
Kifejezetten úgy tervezték, hogy rendelkezzen az alábbi jellemzők bármelyikével:
A resolution of 12 bit with an output rate greater than 200 million words per second;
228 K (-45 °C) alatti vagy 358 K (+85 °C) feletti környezeti hőmérsékletre méretezett; vagy
A resolution of more than 12 bit, but equal to or less than 14 bit, with an output rate greater than 125 million words per second; or
A 4A001.a.1. pont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten polgári gépkocsikhoz, vasúti felhasználásra vagy „polgári repülőeszközökhöz” történő felhasználásra tervezett számítógépeket.
A resolution of more than 14 bit with an output rate greater than 20 million words per second;
Sugárzással szemben ellenállóvá tett berendezések, amelyek meghaladják az alábbi jellemzők bármelyikét:
A resolution of n bit corresponds to a quantisation of 2n levels.
Teljes dózis 5 × 103 Gy (szilícium)/s;
The number of bits in the output word is equal to the resolution of the ADC.
Dózisintenzitás-változás 5 × 106 Gy (szilícium)/s; vagy
The output rate is the maximum output rate of the converter, regardless of the architecture or oversampling.
Egyszeri esemény változás 1 × 10-8 hiba/bit/nap;
For 'multiple channel ADCs', the outputs are not aggregated and the output rate is the maximum output rate of any single channel.
A 4A003 a következőket foglalja magában:
For 'interleaved ADCs' or for 'multiple channel ADCs' that are specified to have an interleaved mode of operation, the outputs are aggregated and the output rate is the maximum combined total output rate of all of the outputs.
’Vektorprocesszorok’;
Vendors may also refer to the output rate as sampling rate, conversion rate or throughput rate.
Tömbprocesszorok;
It is often specified in megahertz (MHz) or mega samples per second (MSPS).
Digitális jelfeldolgozók;
For the purpose of measuring output rate, one output word per second is equivalent to one Hertz or one sample per second.
Logikai processzorok;
'Multiple channel ADCs' are defined as devices which integrate more than one ADC, designed so that each ADC has a separate analogue input.
„Képjavításra” tervezett berendezések;
'Interleaved ADCs' are defined as devices which have multiple ADC units that sample the same analogue input at different times such that when the outputs are aggregated, the analogue input has been effectively sampled and converted at a higher sampling rate.
„Jelfeldolgozásra” tervezett berendezések.
b.
A 4A003 alatt meghatározott „digitális számítógépek” és a kapcsolódó berendezések ellenőrzési státusát a többi berendezés vagy rendszer ellenőrzési státusa határozza meg, feltéve, hogy:
Digital-to-Analogue Converters (DAC) having any of the following:
A „digitális számítógépek” vagy a kapcsolódó berendezések a többi berendezés vagy rendszer működése szempontjából alapvető fontosságúak;
A resolution of 10 bit or more with an 'adjusted update rate' of greater than 3500 MSPS; or
A „digitális számítógépek” vagy a kapcsolódó berendezések nem képezik más rendszer „fő elemét”; és
A resolution of 12 bit or more with an 'adjusted update rate' of equal to or greater than 1250 MSPS and having any of the following:
A kifejezetten az egyéb berendezésekhez tervezett „jelfeldolgozó”, vagy „képjavító” berendezések – melyek funkciói az egyéb berendezésre megkövetelt funkciókra korlátozódnak – ellenőrzési státusát a másik berendezés ellenőrzési státusa határozza meg, még akkor is, ha ez meghaladja a „fő elem” kritériumot.
a.
A távközlési berendezésekhez alkalmazott „digitális számítógépek” vagy a kapcsolódó berendezések ellenőrzési státusát lásd az 5. kategória 1. részében (Távközlés).
A settling time less than 9 ns to 0,024 % of full scale from a full scale step; or
A „digitális számítógépek” és a kapcsolódó berendezések „technológiáját” a 4E határozza meg.
b.
b. „Digitális számítógépek”, amelyek „kiigazított csúcsteljesítménye” („APP”) meghaladja az 8,0 billió súlyozott lebegőpontos műveletet másodpercenként (Weighted TeraFLOPS, WT);
A 'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) greater than 68 dBc (carrier) when synthesising a full scale analogue signal of 100 MHz or the highest full scale analogue signal frequency specified below 100 MHz.
c. „Elektronikus részegységek”, amelyeket kifejezetten arra terveztek vagy úgy alakítottak át, hogy processzorok egyesítésével képesek legyenek a teljesítmény fokozására úgy, hogy az aggregátum „APP” értéke meghaladja a 4A003.b. pontban meghatározott paraméterhatárt.
'Spurious Free Dynamic Range' (SFDR) is defined as the ratio of the RMS value of the carrier frequency (maximum signal component) at the input of the DAC to the RMS value of the next largest noise or harmonic distortion component at its output.
A 4A003.c. csak azokat az „elektronikus részegységeket” és programozható összekapcsolásokat vonja ellenőrzés alá, melyek nem haladják meg a 4A003.b. pontban meghatározott paraméterhatárt, amennyiben azokat nem-integrált „elektronikus részegységként” szállítják.
SFDR is determined directly from the specification table or from the characterisation plots of SFDR versus frequency.
Nem vonja ellenőrzés alá azokat az „elektronikus részegységeket”, amelyek tervezésük természeténél fogva szerkezetileg a 4A003.e. pontban meghatározott kapcsolódó berendezésként történő működésre korlátozódnak.
A signal is defined to be full scale when its amplitude is greater than – 3 dBfs (full scale).
A 4A003.c. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten olyan termékhez, vagy termékcsaládhoz tervezett „elektronikus részegységeket”, amelyek maximális konfigurációja nem haladja meg a 4A003.b. pontban meghatározott paraméterhatárt.
'Adjusted update rate' for DACs:
e.
For conventional (non-interpolating) DACs, the 'adjusted update rate' is the rate at which the digital signal is converted to an analogue signal and the output analogue values are changed by the DAC.
Analóg-digitális átalakító berendezések, amelyek meghaladják a 3A001.a.5. pontban meghatározott paraméterhatárt;
For DACs where the interpolation mode may be bypassed (interpolation factor of one), the DAC should be considered as a conventional (non-interpolating) DAC.
f.
For interpolating DACs (oversampling DACs), the 'adjusted update rate' is defined as the DAC update rate divided by the smallest interpolating factor.
Nem használt.
For interpolating DACs, the 'adjusted update rate' may be referred to by different terms including:
g.
input data rate
Kifejezetten „digitális számítógépek” teljesítményének olyan külső összekapcsolás útján történő egyesítésére tervezett berendezések, amely kapcsolatonként 2,0 Gbyte/s-ot meghaladó egyirányú adatátviteli sebességet tesz lehetővé.
input word rate
A 4A003.g. nem vonja ellenőrzés alá a belső összekapcsoló berendezéseket (pl. csatlakozó tartópanel, buszok), a passzív összekapcsoló berendezéseket, a „hálózati hozzáférés-vezérlőket”, illetve a „kommunikációs csatorna-vezérlőket”.
input sample rate
Számítógépek, és a kifejezetten ezekhez tervezett kapcsolódó berendezések, „elektronikus részegységek” és alkatrészek, az alábbiak szerint:
maximum total input bus rate
a. „Szisztolés tömbszámítógépek”;
maximum DAC clock rate for DAC clock input.
b. „Neurális számítógépek”;
Electro-optical and "optical integrated circuits", designed for "signal processing" and having all of the following:
c. „Optikai számítógépek”;
a.
Kifejezetten a „behatoló szoftverek” létrehozásához, működéséhez vagy célba juttatásához, illetve az azokkal való kommunikációhoz tervezett vagy módosított rendszerek, berendezések és azokhoz való alkatrészek.
One or more than one internal "laser" diode;
A 4A001.a.1. alatt meghatározottaktól eltérő olyan analóg számítógépek, „digitális számítógépek”, vagy digitális differenciál-analizátorok, amelyek megerősített kivitelűek és a 9A004 alatt meghatározott űrhajóhordozó eszközökhöz vagy 9A104 alatt meghatározott rakétaszondákon történő felhasználásra terveztek, vagy alakították át.
b.
Kifejezetten a 9A004 alatt meghatározott űrhajóhordozó eszközök vagy 9A104 alatt meghatározott rakétaszondák modellezésére, szimulációjára, vagy tervezési integrációjára tervezett „hibrid számítógépek”.
One or more than one internal light detecting element; and
Ez a pont csak akkor alkalmazandó, ha a berendezést a 7D103, vagy a 9D103 alatt meghatározott „szoftverrel” látják el.
c.
Az egyéb kategóriákban meghatározott berendezésekhez szükséges „szoftver” ellenőrzési státusát a megfelelő kategória határozza meg.
Optical waveguides;
„Szoftver”, az alábbiak szerint:
'Field programmable logic devices' having any of the following:
a.
a.
Kifejezetten a 4A001–4A004, vagy 4D pontban meghatározott berendezések vagy „szoftver” „fejlesztéséhez”, „gyártásához” vagy „használatához” tervezett vagy módosított „szoftver”.
A maximum number of single-ended digital input/outputs of greater than 700; or
b.
b.
Kifejezetten az alábbi berendezések „fejlesztésére” vagy „gyártására” tervezett vagy átalakított, a 4D001.a. pontban meghatározottaktól eltérő „szoftver”:
An 'aggregate one-way peak serial transceiver data rate' of 500 Gb/s or greater;
„Digitális számítógépek”, amelyek „kiigazított csúcsteljesítménye” („APP”) meghaladja az 1,0 billió súlyozott lebegőpontos műveletet másodpercenként (Weighted TeraFLOPS, WT);
a.7. includes:
Processzorok aggregálása révén kifejezetten a teljesítmény növelésére tervezett vagy átalakított „elektronikus részegységek”, ahol az aggregátum „APP”-je meghaladja a 4D001.b.1. alatt meghatározott határértéket;
Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)
Kifejezetten a „behatoló szoftverek” létrehozásához, működéséhez vagy célba juttatásához, illetve az azokkal való kommunikációra tervezett „szoftver”.
Complex Programmable Logic Devices (CPLDs)
a.