natgillin/translations-raw huggingface dataset:
“Signal analysers” having Displayed Average Noise Level (DANL) less (better) than - 150 dBm/Hz anywhere within the frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
„Jelanalizátorok”, amelyek kijelzett átlagos zajszintje (DANL) a 43,5 GHz-et meghaladó, de 70 GHz-et meg nem haladó frekvenciatartományon belül bárhol alacsonyabb (jobb) mint – 150 dBm/Hz;
“Signal analysers” having a frequency exceeding 70 GHz;
„Jelanalizátorok”, amelyek frekvenciája meghaladja a 70 GHz-et;
“Dynamic signal analysers” having a “real-time bandwidth” exceeding 40 MHz;
„Dinamikus jelanalizátorok”, amelyek „valós idejű sávszélessége” meghaladja a 40 MHz-et;
c.4. does not control those “dynamic signal analysers” using only constant percentage bandwidth filters (also known as octave or fractional octave filters).
A 3A002.c.4. nem vonja ellenőrzés alá azokat a „dinamikus jelanalizátorokat”, amelyek csak állandó százalékú sávszélesség-szűrőket (más néven oktáv- vagy törtoktáv-szűrőket) használnak;
d. Frequency synthesised signal generators producing output frequencies, the accuracy and short term and long term stability of which are controlled, derived from or disciplined by the internal master reference oscillator, and having any of the following:
d. Frekvenciaszintetizált jelgenerátorok, amelyek olyan kimenő frekvenciákat biztosítanak, amelyek pontossága, rövid és hosszú távú stabilitása szabályozott, a belső alap (mester) referenciaoszcillátorokból ered, illetve azáltal meghatározott, és amelyek rendelkeznek a következők bármelyikével:
Specified to generate a ‘pulse duration’ of less than 100 ns anywhere within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 70 GHz;
Specifikációjuk szerint a 31,8 GHz-et meghaladó, de 70 GHz-nél nem nagyobb szintetizált frekvenciatartományban bárhol 100 ns-nél kevesebb ’impulzusidőtartam’ generálására alkalmasak;
An output power exceeding 100 mW (20 dBm) anywhere within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 70 GHz;
Kimenőteljesítményük a 43,5 GHz-et meghaladó, de 70 GHz-et nem meghaladó szintetizált frekvenciatartományban bárhol meghaladja a 100 mW-ot (20 dBm);
A “frequency switching time” as specified by any of the following:
Az alábbi jellemzők valamelyikével bíró „frekvenciakapcsolási idő”:
d. Less than 500 μs for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 31,8 GHz but not exceeding 43,5 GHz;
d. A 31,8 GHz és 43,5 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban az 550 MHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén kevesebb mint 500 μs;
e. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 550 MHz within the synthesised frequency range exceeding 43,5 GHz but not exceeding 56 GHz; or
e. A 43,5 GHz és 56 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban az 550 MHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén kevesebb mint 1 ms; vagy
f. Less than 1 ms for any frequency change exceeding 2,2 GHz within the synthesised frequency range exceeding 56 GHz but not exceeding 70 GHz;
f. Az 56 GHz és 70 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban a 2,2 GHz-et meghaladó frekvenciaváltás esetén kevesebb mint 1 ms;
At synthesised frequencies exceeding 3,2 GHz but not exceeding 70 GHz, and having both of the following:
A 3,2 GHz és 70 GHz közötti szintetizált frekvenciatartományban rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
a. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(126 + 20log10F - 20log10f) for 10 Hz < F < 10 kHz; and
a. Az egyoldalsávos (SSB) fáziszaja jobb mint –(126 + 20 log10F – 20 log10f) dBc/Hz-ben, ha 10 Hz < F < 10 kHz; és
b. A single sideband (SSB) phase noise, in dBc/Hz, better than –(114 + 20log10F - 20log10f) for 10 kHz ≤ F < 500 kHz; or
b. Az egyoldalsávos (SSB) fáziszaja jobb mint –(114 + 20 log10F – 20 log10f), ha 10 kHz ≤ F < 500 kHz; vagy
In 3A002.d.4., F is the offset from the operating frequency in Hz and f is the operating frequency in MHz;
A 3A002.d.4. pontban F a működési frekvenciától történő eltérés Hz-ben, f pedig a működési frekvencia MHz-ben kifejezve;
A maximum synthesised frequency exceeding 70 GHz;
Maximális szintetizált frekvenciájuk meghaladja a 70 GHz-et;
Note 1.:
1. megjegyzés:
For the purpose of 3A002.d., frequency synthesised signal generators include arbitrary waveform and function generators.
A 3A002.d. pont alkalmazásában a „frekvenciaszintetizált jelgenerátorok” magukban foglalják a digitális hullámforma generátorokat és a funkciógenerátorokat is.
Note 2.:
2. megjegyzés:
d. does not control equipment in which the output frequency is either produced by the addition or subtraction of two or more crystal oscillator frequencies, or by an addition or subtraction followed by a multiplication of the result.
A 3A002.d nem vonja ellenőrzés alá azokat a berendezéseket, amelyekben a kimenő frekvenciát két vagy több kristályoszcillátor frekvenciájának összegzése vagy kivonása, vagy pedig az összegzés, illetve kivonás utáni eredmény szorzata adja.
Arbitrary waveform and function generators are normally specified by sample rate (e.g. GSample/s), which is converted to the RF domain by the Nyquist factor of two.
A digitális hullámforma generátor és funkciógenerátor meghatározása általában a mintafrekvenciával történik (pl. Gminta/s), amelyet a kettős Nyquist-tényezővel átkonvertálnak rádiófrekvenciává.
Thus, a 1 GSample/s arbitrary waveform has a direct output capability of 500 MHz.
Ily módon 1 Gminta/s digitális hullámforma 500 MHz közvetlen kimeneti teljesítménnyel rendelkezik.
For the purposes of 3A002.d.1., ‘pulse duration’ is defined as the time interval between the leading edge of the pulse achieving 90 % of the peak and the trailing edge of the pulse achieving 10 % of the peak.
A 3A002.d.1. alkalmazásában az ’impulzusidőtartam’ azt az időintervallumot jelenti, amely aközött telik el, amíg az impulzus belépő éle eléri a maximum 90 %-át, és az impulzus kilépő éle eléri a maximum 10 %-át.
e. Network analysers having either of the following:
e. Az alábbi jellemzők bármelyikével rendekező hálózati analizátorok:
Maximum operating frequency exceeding 43,5 GHz and output power exceeding 31,62 mW (15 dBm); or
A maximális üzemi frekvencia meghaladja a 43,5 GHz-et és a kimeneti teljesítmény meghaladja a 31,62 mW-ot (15 dBm); vagy
Maximum operating frequency exceeding 70 GHz;
A maximális üzemi frekvencia meghaladja a 70 GHz-et;
f. Microwave test receivers having both of the following:
f. Mikrohullámú mérő vevőkészülékek, amelyek rendelkeznek a következő jellemzők mindegyikével:
g. Atomic frequency standards being any of the following:
g. Az alábbi atomfrekvencia-etalonok bármelyike:
“Space-qualified”;
„Űrminősítésű”;
Non-rubidium and having a long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; or
Nem rubídium és a hosszú távú stabilitás kisebb (jobb) mint 1 × 10–11/hónap; vagy
Non-“space-qualified” and having all of the following:
Nem „űrminősítésű”, és rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:
a. Being a rubidium standard;
a. Rubídium-etalon;
b. Long-term stability less (better) than 1 × 10–11/month; and
b. A hosszú távú stabilitás kisebb (jobb) mint 1 × 10–11/hónap; és
c. Total power consumption of less than 1 W.
c. A teljes energiafogyasztás kevesebb mint 1 W.
Spray cooling thermal management systems employing closed loop fluid handling and reconditioning equipment in a sealed enclosure where a dielectric fluid is sprayed onto electronic components using specially designed spray nozzles that are designed to maintain electronic components within their operating temperature range, and specially designed components therefor.
Permetező hűtéses hőkezelő rendszerek, amelyek zárthurok-rendszerű folyadékkezelő vagy regeneráló berendezéseket használnak olyan teljesen lezárt helyen, ahol az elektronikai alkatrészekre dielektromos folyadékot permeteznek olyan, kifejezetten erre a célra tervezett permetező szórófejjel, amely úgy van kialakítva, hogy üzemi hőmérséklet-tartományban tartsa az elektronikai alkatrészeket, és a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészeket.
a. Analogue-to-digital converters, usable in “missiles”, designed to meet military specifications for ruggedised equipment;
a. „Rakétákban” felhasználható analóg-digitális átalakítók, amelyeket úgy terveztek, hogy megfeleljenek a megerősített konstrukciójú berendezésekre vonatkozó katonai előírásoknak.
b. Accelerators capable of delivering electromagnetic radiation produced by bremsstrahlung from accelerated electrons of 2 MeV or greater, and systems containing those accelerators.
b. Olyan gyorsítók, amelyek képesek 2 MeV vagy azt meghaladó energiájú, felgyorsított elektronokból származó „bremsstrahlung” (fékezési sugárzás) segítségével előállított elektromágneses sugárzást közvetíteni, valamint az ezeket a gyorsítókat tartalmazó rendszerek;
b. above does not specify equipment specially designed for medical purposes.
A fenti 3A101.b. alpont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi célra tervezett berendezéseket.
‘Thermal batteries’ designed or modified for ‘missiles’.
’Rakétákban’ való felhasználás céljára tervezett vagy módosított ’termikus telepek’.
In 3A102 ‘thermal batteries’ are single use batteries that contain a solid non-conducting inorganic salt as the electrolyte.
A 3A102. pont szerinti ’termikus telepek’ olyan egyszeri felhasználásra szánt telepek, amelyek elektrolitként szilárd nem vezető szervetlen sót tartalmaznak.
In 3A102 ‘missile’ means complete rocket systems and unmanned aerial vehicle systems capable of a range exceeding 300 km.
A 3A102. pontban a ’rakéta’ olyan komplett rakétarendszereket és pilóta nélküli légijármű-rendszereket jelöl, melyek hatósugara meghaladja a 300 km-t.
Electronic components, other than those specified in 3A001, as follows:
A 3A001 alatt meghatározottaktól eltérő elektronikus alkatrészek, az alábbiak szerint:
a. Capacitors having either of the following sets of characteristics:
a. Kondenzátorok, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzőcsoportok valamelyikével:
a. Voltage rating greater than 1,4 kV;
a. Névleges feszültségük nagyobb mint 1,4 kV;
b. Energy storage greater than 10 J;
b. A tárolt energia nagyobb mint 10 J;
c. Capacitance greater than 0,5 μF; and
c. Kapacitásuk nagyobb mint 0,5 μF; és
d. Series inductance less than 50 nH; or
d. Soros induktivitásuk kisebb mint 50 nH; vagy
a. Voltage rating greater than 750 V;
a. Névleges feszültségük nagyobb mint 750 V;
b. Capacitance greater than 0,25 μF; and
b. Kapacitásuk nagyobb mint 0,25 μF; és
c. Series inductance less than 10 nH;
c. Soros induktivitásuk kisebb mint 10 nH;
b. Superconducting solenoidal electromagnets having all of the following characteristics:
b. Szupravezető szolenoid elektromágnesek, amelyek rendelkeznek az összes következő jellemzővel:
A ratio of length to inner diameter greater than 2;
L/D (hossz/belső átmérő) arány nagyobb mint 2;
Magnetic field uniform to better than 1 % over the central 50 % of the inner volume;
A belső térfogat központi 50 %-ában a mágneses tér egyenletessége jobb mint 1 %.
b. does not control magnets specially designed for and exported ‘as parts of’ medical nuclear magnetic resonance (NMR) imaging systems.
A 3A201.b. nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten orvosi mágneses magrezonancia (NMR) megjelenítő rendszerekhez tervezett mágneseket, amelyeket e rendszerek részeként kerülnek kivitelre.
The phrase ‘as part of’ does not necessarily mean physical part in the same shipment; separate shipments from different sources are allowed, provided the related export documents clearly specify that the shipments are dispatched ‘as part of’ the imaging systems.
A ’részeként’ kifejezés úgy értendő, ahogy az fizikailag nem feltétlenül képezi ugyanannak a szállítmánynak a részét. Lehetőség van különböző forrásokból származó részszállításokra, feltéve, hogy a vonatkozó kiviteli dokumentumokból egyértelműen kiderül, hogy a szállítmány a megjelenítő rendszer részét képezi.
c. Flash X-ray generators or pulsed electron accelerators having either of the following sets of characteristics:
c. Impulzus-röntgengenerátorok vagy impulzusos elektrongyorsítók, amelyek rendelkeznek a következő jellemzőcsoportok valamelyikével:
a. An accelerator peak electron energy of 500 keV or greater but less than 25 MeV; and
a. Az elektrongyorsító csúcsenergiája 500 keV vagy annál nagyobb, de 25 MeV-nál kisebb; és
b. With a ‘figure of merit’ (K) of 0,25 or greater; or
b. A (K) ’jósági tényező’ 0,25 vagy annál nagyobb; vagy
a. An accelerator peak electron energy of 25 MeV or greater; and
a. Az elektrongyorsító csúcsenergiája 25 MeV vagy annál nagyobb; és
b. A ‘peak power’ greater than 50 MW.
b. A „csúcsteljesítmény” 50 MW-nál nagyobb.
c. does not control accelerators that are component parts of devices designed for purposes other than electron beam or X-ray radiation (electron microscopy, for example) nor those designed for medical purposes:
A 3A201.c. nem vonja ellenőrzés alá sem az olyan berendezések alkatrészeit, amelyeket nem elektronnyaláb- vagy röntgensugárzás céljaira (pl. elektronmikroszkópia), és sem azokat, amelyeket orvosi célra terveztek.
The ‘figure of merit’ K is defined as:
A »K« ’jósági tényezőt’ a következőképpen kell meghatározni:
K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q
K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q, ahol
If the accelerator beam pulse duration is less than or equal to 1 μs, then Q is the total accelerated charge in Coulombs.
„Q” a teljes gyorsított töltés coulombban, ha a gyorsító nyaláb impulzus-időtartama legfeljebb 1 μs.
Q equals the integral of i with respect to t, over the lesser of 1 μs or the time duration of the beam pulse (Q = ∫ idt), where i is beam current in amperes and t is time in seconds.
A „Q” egyenlő az „i”-nek „t” idő szerinti integráljával, 1 μs-ra vagy az impulzus időtartamára vonatkoztatva, attól függően, hogy melyik a kisebb, ahol „i” a nyaláb áramerőssége amperben, „t” az idő másodpercben (Q = ∫ idt).
‘Peak power’ = (peak potential in volts) × (peak beam current in amperes).
»A« ’csúcsteljesítmény’ = (csúcspotenciál voltban) × (csúcs sugáráram amperben).
a. Multiphase output capable of providing a power of 40 W or greater;
a. Többfázisú kimenet, amely képes 40 W vagy annál nagyobb teljesítmény leadására;
b. Capable of operating in the frequency range between 600 and 2000 Hz;
b. Képesek a 600-tól 2000 Hz-ig terjedő frekvenciatartományban üzemelni;
c. Total harmonic distortion better (less) than 10 %; and
c. A teljes harmonikus torzítás jobb (kisebb) mint 10 %; és
d. Frequency control better (less) than 0,1 %.
d. A frekvenciastabilitás jobb (kisebb) mint 0,1 %.
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 100 V or greater with current output of 500 A or greater; and
a. Képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 100 V vagy annál nagyobb feszültségű, 500 A vagy annál nagyobb kimeneti áram előállítására; és
b. Current or voltage stability better than 0,1 % over a time period of 8 hours.
b. Áramerősség- vagy feszültségstabilitásuk 8 óra időtartam alatt jobb mint 0,1 %.
a. Capable of continuously producing, over a time period of 8 hours, 20 kV or greater with current output of 1 A or greater; and
a. Képesek 8 óra időtartamon át folyamatosan 20 kV vagy annál nagyobb feszültségű, 1 A vagy annál nagyobb kimeneti áram előállítására; és
a. Cold-cathode tubes, whether gas filled or not, operating similarly to a spark gap, having all of the following characteristics:
a. Hideg katódcsövek – függetlenül attól, hogy gázzal töltöttek-e vagy sem – amelyek a szikraközhöz hasonlóan működnek, és rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Anode peak voltage rating of 2,5 kV or more;
Névleges anód csúcsfeszültség 2,5 kV vagy annál nagyobb;
Anode peak current rating of 100 A or more; and
Névleges anód csúcsáramerősség 100 A vagy annál nagyobb; és
Anode delay time of 10 μs or less;
10 μs vagy annál kisebb anód késleltetési idő;
228 includes gas krytron tubes and vacuum sprytron tubes.
A 3A228 magában foglalja a gázkritron- és a vákuumspritron-csöveket is.
b. Triggered spark-gaps having both of the following characteristics:
b. Kioldó szikraközök, amelyek rendelkeznek az alábbi mindkét jellemzővel:
An anode delay time of 15 μs or less; and
15 μs vagy annál kisebb anód késleltetési idő; és
c. Modules or assemblies with a fast switching function, other than those specified in 3A001.g. or 3A001.h., having all of the following characteristics:
c. A 3A001.g. vagy a 3A001.h. pontban meghatározottaktól eltérő, gyorskapcsoló funkcióval rendelkező modulok vagy részegységek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Anode peak voltage rating greater than 2 kV;
2 kV-nál nagyobb névleges anód csúcsfeszültség;
Turn-on time of 1 μs or less.
1 μs vagy annál kisebb kapcsolási idő.
See 1A007.a. for explosive detonator firing sets.
A robbanó detonátor gyújtóegységek tekintetében lásd az 1A007.a. pontot.
a. Not used;
a. Nem alkalmazott;
b. Modular electrical pulse generators (pulsers) having all of the following characteristics:
b. Moduláris elektromos impulzusgenerátorok (impulzusadó), amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével:
Having an output greater than 100 A;
Kimeneti áramerősségük nagyobb mint 100 A;
Having a ‘rise time’ of less than 10 μs into loads of less than 40 ohms;
’Felfutási idejük’ 40 Ohmnál kisebb terhelésre kevesebb mint 10 μs.
Weight less than 25 kg; and
Tömegük kisebb mint 25 kg; és
Specified for use over an extended temperature range 223 K (– 50 °C) to 373 K (100 °C) or specified as suitable for aerospace applications.
Szélsőséges hőmérsékleti viszonyok (223 K-től [– 50 °C] 373 K-ig [100 °C-ig]) közötti vagy világűrben történő használatra alkalmasnak minősítették.
b. includes xenon flash-lamp drivers.
A 3A229.b. a xenon villanólámpa meghajtókat is magában foglalja.
a. Output voltage greater than 6 V into a resistive load of less than 55 ohms; and
a. 55 ohm ellenállás terhelésre 6 V-nál nagyobb kimenő feszültség; és
b. ‘Pulse transition time’ less than 500 ps.
b. Az ’impulzus felfutási idő’ kevesebb mint 500 ps.
In 3A230, ‘pulse transition time’ is defined as the time interval between 10 % and 90 % voltage amplitude.
A 3A230 szerinti ’impulzus felfutási idő’ az az idő, ami alatt a feszültség amplitúdója 10 %-ról 90 %-ra növekedik.
a. Designed for operation without an external vacuum system; and
a. Külső vákuumrendszer nélküli üzemelésre tervezték; és
b. Utilising electrostatic acceleration to induce a tritium-deuterium nuclear reaction.
b. A trícium-deutérium magreakciót elektrosztatikus gyorsítás alkalmazásával idézik elő.
See 1A007.b. for detonators.
A detonátorok tekintetében lásd az 1A007.b. pontot.
b. Arrangements using single or multiple detonators designed to nearly simultaneously initiate an explosive surface over greater than 5000 mm2 from a single firing signal with an initiation timing spread over the surface of less than 2,5 μs.
b. Egyszeres vagy többszörös detonátorral működő rendszerek, amelyeket arra terveztek, hogy egyetlen tűzjelre közel egyidejűleg iniciáljanak 5000 mm2-nél nagyobb robbanási felületet úgy, hogy a berobbantás idejének átfutása a felületen kevesebb mint 2,5 μs.
232 does not control detonators using only primary explosives, such as lead azide.
A 3A232 nem vonja ellenőrzés alá a csak primer robbanóanyagokat, pl. az ólomazidot alkalmazó detonátorokat.
Mass spectrometers, other than those specified in 0B002.g., capable of measuring ions of 230 atomic mass units or greater and having a resolution of better than 2 parts in 230, as follows, and ion sources therefor:
A 0B002.g. alatt meghatározottaktól eltérő tömegspektrométerek, amelyek képesek 230 atomtömeg-egységnyi vagy annál nagyobb tömegű ionok mérésére, és felbontóképességük jobb mint 2. rész a 230-ban, valamint a hozzájuk tartozó ionforrások, az alábbiak szerint:
a. Inductively coupled plasma mass spectrometers (ICP/MS);
a. Induktív csatolású plazma-tömegspektrométerek (ICP/MS);
b. Glow discharge mass spectrometers (GDMS);
b. Parázsfénykisüléses tömegspektrométerek (GDMS);
c. Thermal ionisation mass spectrometers (TIMS);
c. Hőionizációs tömegspektrométerek (TIMS);
d. Electron bombardment mass spectrometers which have a source chamber constructed from, lined with or plated with materials resistant to UF6;
d. Elektronbombázásos tömegspektrométerek, amelyek forráskamrája UF6-nak (urán-hexafluoridnak) ellenálló anyagból készült, vagy azzal vonták be;
e. Molecular beam mass spectrometers having either of the following characteristics:
e. Molekulasugár-tömegspektrométerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők valamelyikével:
A source chamber constructed from, lined with or plated with stainless steel or molybdenum and equipped with a cold trap capable of cooling to 193 K (– 80 °C) or less; or
Forráskamrájuk rozsdamentes acélból vagy molibdénből készült, illetve azzal vonták be, és hidegcsapdával rendelkeznek, amely képes 193 K-re (– 80 °C) vagy annál alacsonyabb hőmérsékletre hűteni; vagy
f. Mass spectrometers equipped with a microfluorination ion source designed for actinides or actinide fluorides.
f. Aktinidákkal vagy aktinida-fluoridokkal történő működésre tervezett mikrofluorozó ionforrással ellátott tömegspektrométerek.
Equipment for the manufacturing of semiconductor devices or materials, as follows and specially designed components and accessories therefor:
Félvezető eszközök vagy anyagok gyártására szolgáló berendezések, valamint a kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok, az alábbiak szerint:
a. Equipment designed for epitaxial growth as follows:
a. Epitaxiális növesztéshez használt berendezés, az alábbiak szerint:
Equipment capable of producing a layer of any material other than silicon with a thickness uniform to less than ± 2,5 % across a distance of 75 mm or more;
Minimum 75 mm-es távolságon ± 2,5 %-nál jobb tűrésű, bármilyen, a szilikontól eltérő anyag-rétegvastagság előállítására képes berendezés;
a.1. includes Atomic Layer Epitaxy (ALE) equipment.
A 3B001.a.1. pontba beletartozik az atomréteg-epitaxiához (Atomic Layer Epitaxy, ALE) használt berendezés is.
b. Equipment designed for ion implantation and having any of the following:
b. Ionbeültetésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:
A beam energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material “substrate”;
A hevített félvezető anyagú „egykristályba” történő nagy energiájú oxigénimplantációra használt legalább 65 keV nagyságú sugárnyaláb-energia és legalább 45 mA nagyságú sugáráram;
c. Anisotropic plasma dry etching equipment having both of the following:
c. Anizotróp plazma száraz-marató berendezés, amely az összes alábbi jellemzővel rendelkezik:
Designed or optimised to produce critical dimensions of 65 nm or less; and
Úgy tervezték vagy optimalizálták, hogy 65 nm vagy kisebb kritikus méreteket állítson elő; és
Within-wafer non-uniformity equal to or less than 10 % 3σ measured with an edge exclusion of 2 mm or less;
A szeleten belüli egyenetlenség legfeljebb 2 mm-es élkizárással mérve legfeljebb 10 % 3σ;
d. Plasma enhanced Chemical Vapour Deposition (CVD) equipment as follows:
d. Plazmaszórásos gőzfázisú kémiai leválasztó (Chemical Vapour Deposition, CVD) berendezés, az alábbiak szerint:
Equipment with cassette-to-cassette operation and load-locks, and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Kazettáról kazettára történő működéssel és betöltés-zárral rendelkező berendezés, amelyet a gyártó előírásai szerint terveztek vagy legfeljebb 65 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához való használatra optimalizáltak:
Equipment specially designed for equipment specified in 3B001.e. and designed according to the manufacturer’s specifications or optimised for use in the production of semiconductor devices with critical dimensions of 65 nm or less;
Kifejezetten a 3B001.e. pontban meghatározott berendezéshez tervezett berendezés, amelyet a gyártó előírásai szerint terveztek vagy legfeljebb 65 nm-es kritikus méretű félvezető eszközök gyártásához való használatra optimalizáltak;
e. Automatic loading multi-chamber central wafer handling systems having both of the following:
e. Automata töltésű többkamrás központi szeletkezelő rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével: